JP2018006472A - 反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造できる製造方法を提供すること。【解決手段】二層被覆素子１の製造方法は、仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後に沿って互いに間隔を隔てて配置する第１工程、複数の光半導体素子３を被覆するように、前後方向に沿って、蛍光体層４を連続して配置する第２工程、１つの光半導体素子３に対して１つの蛍光体層４が独立して被覆するように、前後方向において互いに隣接する光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去して、複数の一層被覆素子６を形成する第３工程、複数の一層被覆素子６を被覆するように、前後方向に沿って、反射層７を連続して配置する第４工程、および、各一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁と、蛍光体層前部４１の前端縁との間を通過するように、反射層７および蛍光体層前部４１を切断して、複数の二層被覆素子１に個片化する第５工程を備える。【選択図】図８

Description

本発明は、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法に関する。

発光ダイオード装置は、例えば、ダイオード基板の表面に実装され、青色光を発光するＬＥＤ（発光ダイオード素子）と、青色光を黄色光に変換でき、ＬＥＤの上に設けられる蛍光体層と、ＬＥＤを封止する封止層とを備えている。そのような発光ダイオード装置は、封止層に封止されるＬＥＤから発光され、蛍光体層を透過した青色光と、蛍光体層において青色光の一部が波長変換された黄色光との混色によって、白色光を発光する。

近年、液晶表示装置のバックライトなどに用いられる発光ダイオード装置として、サイドビュー型発光ダイオード装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。サイドビュー型発光ダイオード装置は、例えば、ＬＥＤの３側面、および、ＬＥＤの上面に、反射部材が配置されており、ＬＥＤの残り１側面から光を放射する。サイドビュー型発光ダイオード装置は、液晶表示装置の額縁部に配置することによって、液晶表示装置の中央部に配置される導光板の側面に、光を照射することができる。そのため、導光板の厚み方向に発光ダイオード装置を配置することを回避できるため、液晶表示装置を薄型化できる。

このような発光ダイオード装置を製造する方法として、特許文献１には、基板に発光素子を配置する工程と、基板上にスペーサーを配置する工程と、発光素子の側面とスペーサーとの間に光反射性樹脂を充填する工程と、発光素子の周囲に封止材を充填する工程と、封止材の上面に天井部とを配置する工程を備えている製造方法が提案されている。

特開２０１１−７１２２１号公報

しかるに、特許文献１の製造方法では、ＬＥＤの側面および上面のそれぞれに対し、反射部材である光反射樹脂層および天井部をそれぞれ別々の工程で配置する必要があり、製造が複雑である。

本発明の目的は、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造できる製造方法を提供することにある。

本発明［１］は、基材の上に、複数の光半導体素子を、第１方向に沿って互いに間隔を隔てて配置する第１工程、複数の前記光半導体素子を被覆するように、前記第１方向に沿って、蛍光体層を連続して配置する第２工程、１つの前記光半導体素子に対して１つの前記蛍光体層が独立して被覆するように、前記第１方向において互いに隣接する前記光半導体素子の間の前記蛍光体層を除去して、複数の蛍光体層被覆光半導体素子を形成する第３工程、複数の前記蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように、前記第１方向に沿って、反射層を連続して配置する第４工程、および、各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第１方向一端縁と、前記蛍光体層の第１方向一端縁との間を通過するように、前記反射層および前記蛍光体層を切断して、複数の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子に個片化する第５工程を備えることを特徴とする、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法を含んでいる。

この製造方法によれば、複数の光半導体素子を第１方向に沿って配置し、光半導体素子を被覆するように蛍光体層を連続して配置し、蛍光体層の一部を除去し、蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように反射層を配置し、個片化する方法であって、個片化に際し、光半導体素子の第１方向一端側の蛍光体層および反射層を切断する。そのため、反射層を配置する工程を一段階で実施することができる。その結果、第１方向から光を発する反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。

本発明［２］は、前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、さらに、前記第１方向と直交する第２方向にも並ぶように、前記第２方向に沿って互いに間隔を隔てて配置し、前記第２工程では、複数の前記光半導体素子を被覆するように、前記第１方向および前記第２方向に沿って、蛍光体層を連続して配置し、前記第３工程では、１つの前記光半導体素子に対して１つの前記蛍光体層が独立して被覆するように、さらに、前記第２方向において互いに隣接する前記光半導体素子の間の前記蛍光体層を除去して、複数の蛍光体層被覆光半導体素子を形成し、前記第４工程では、複数の前記蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように、前記第１方向および前記第２方向に沿って、反射層を連続して配置し、前記第５工程では、さらに、前記第２方向において隣接する前記蛍光体層被覆光半導体素子の間を通過するように、前記反射層を切断して、複数の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子に個片化する、［１］に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法を含んでいる。

この製造方法によれば、複数の光半導体素子を第１方向および第２方向に沿って配置し、光半導体素子を被覆するように蛍光体層を第１方向および第２方向に沿って配置し、蛍光体層の一部を除去し、蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように反射層を第１方向および第２方向に沿って配置し、第１方向および第２方向に沿って個片化する方法であって、個片化に際し、第２方向において隣接する蛍光体層被覆光半導体素子の間を通過するように、反射層を切断する。そのため、光半導体素子の上側、第１方向他端側および第２方向両端側に、反射層を配置する工程を一段階で実施することができる。その結果、第１方向のみから光を発する反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。また、第１方向および第２方向に沿って反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を製造することができるため、多量の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を製造することができる。

本発明［３］は、複数の前記光半導体素子は、同一サイズであり、前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、前記第１方向において等間隔で配置し、前記第３工程では、各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第１方向一端縁と、前記蛍光体層の第１方向一端縁との間の長さが、前記光半導体素子の第１方向他端縁と、前記蛍光体層の第１方向他端縁との間の長さよりも、長くなるように、前記蛍光体層を、前記第１方向において等間隔で除去し、前記第５工程では、前記反射層および前記蛍光体層を、前記第１方向において等間隔で切断する、［１］または［２］に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法を含んでいる。

この製造方法によれば、同一サイズの光半導体素子を第１方向に配置し、反射層および蛍光体層を、第１方向において等間隔で切断する。そのため、同一サイズの反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を画一的に製造できる。

本発明［４］は、前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、前記第２方向において等間隔で配置し、前記第３工程では、各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第２方向一端縁と、前記蛍光体層の第２方向一端縁との間の長さが、前記光半導体素子の第２方向他端縁と、前記蛍光体層の第２方向他端縁との間の長さと、同じ長さとなるように、前記蛍光体層を、前記第２方向において等間隔で除去し、前記第５工程では、前記反射層を、前記第２方向において等間隔で切断する、［３］に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法を含んでいる。

この製造方法によれば、同一サイズの光半導体素子を第１方向および第２方向に配置し、反射層および前記蛍光体層を、第１方向および第２方向において等間隔で切断する。そのため、同一サイズの反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を多量かつ画一的に製造でき、工業的生産に適している。

本発明の製造方法によれば、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を簡便に製造することができる。

図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する平面視工程図であって、図１Ａは、第１工程、図１Ｂは、第２工程、図１Ｃは、第１除去工程を示す。 図２Ｄ〜図２Ｆは、図１に引き続き、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する平面視工程図であって、図２Ｄは、第２除去工程、図２Ｅは、第４工程、図２Ｆは、第１切断工程を示す。 図３Ｇ〜図３Ｉは、図２に引き続き、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する平面視工程図であって、図３Ｇは、第２切断工程、図３Ｈは、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を得る工程、図３Ｉは、再配線層配置工程を示す。 図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する左右方向断面工程図であって、図４Ａは、図１ＡのＡ−Ａ断面図、図４Ｂは、図１ＢのＡ−Ａ断面図、図４Ｃは、図１ＣのＡ−Ａ断面図、図４Ｄは、図２ＤのＡ−Ａ断面図、図４Ｅは、図２ＥのＡ−Ａ断面図を示す。 図５Ｆ〜図５Ｉは、図４に引き続き、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する左右方向断面工程図であって、図５Ｆは、図２ＦのＡ−Ａ断面図、図５Ｇは、図３ＧのＡ−Ａ断面図、図５Ｈは、図３ＨのＡ−Ａ断面図、図５Ｉは、図３ＩのＡ−Ａ断面図を示す。 図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の第１実施形態を製造する方法を説明する前後方向断面工程図であって、図６Ａは、図１ＡのＢ−Ｂ断面図、図６Ｂは、図１ＢのＢ−Ｂ断面図、図６Ｃは、図１ＣのＢ−Ｂ断面図、図６Ｄは、図２ＤのＢ−Ｂ断面図、図６Ｅは、図２ＥのＢ−Ｂ断面図を示す。 図７Ｆ〜図７Ｉは、図６に引き続き、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第１実施形態を説明する前後方向断面工程図であって、図７Ｆは、図２ＦのＢ−Ｂ断面図、図７Ｇは、図３ＧのＢ−Ｂ断面図、図７Ｈは、図３ＨのＢ−Ｂ断面図、図７Ｉは、図３ＩのＢ−Ｂ断面図を示す。 図８Ａ〜８Ｂは、本発明の製造方法の第１実施形態により製造された反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の一実施形態を示し、図８Ａは、平面図、図８Ｂは、図８ＡのＣ−Ｃ断面図を示す。 本発明の製造方法の第１実施形態により製造された反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の変形例（二層被覆素子残部を除去した実施形態）を示す。 本発明の製造方法の第１実施形態により製造された反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の変形例（二層被覆素子残部を備えない実施形態）を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｅは、図１に示す反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の変形例を説明する左右方向断面工程図であって、図１１Ａは、第１工程、図１１Ｂは、第２工程、図１１Ｃは、第１除去工程、図１１Ｄは、第２除去工程、図１１Ｅは、第４工程を示す。 図１２Ｆ〜図３Ｈは、図１１に引き続き、図１に示す反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の変形例を説明する左右方向工程図であって、図１２Ｆは、第１切断工程、図１２Ｇは、第２切断工程、図１２Ｈは、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を得る工程を示す。 図１３Ａ〜図１３Ｄは、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第２実施形態を説明する平面視工程図であって、図１３Ａは、第１工程、図１３Ｂは、第２工程、図１３Ｃは、第１除去工程、図１３Ｄは、第２除去工程を示す。 図１４Ｅ〜図１４Ｈは、図１３に引き続き、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法の第２実施形態を説明する平面視工程図であって、図１４Ｅは、第４工程、図１４Ｆは、第１切断工程、図１４Ｇは、第２切断工程、図１４Ｈは、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子を得る工程を示す。

＜第１実施形態＞
図１Ａ〜図８Ｂを参照して、本発明の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子（以下、二層被覆素子ともいう。）の製造方法の第１実施形態を説明する。

なお、図１Ａ〜図３Ｉの紙面左右方向を「前後方向」（第１方向）とし、紙面右方向が前側（第１方向一方側）であり、紙面左側が後側（第１方向他方側）である。図１Ａ〜図３Ｉの紙面上下方向を「左右方向」（第２方向、第１方向と直交する方向）とし、紙面下側が左側（第２方向一方側）であり、紙面上側が右側（第２方向他方側）である。図１Ａ〜図３Ｉの紙厚方向を「上下方向」（第３方向、厚み方向、第１方向および第２方向に直交する方向）とし、紙厚手前が上側（第３方向一方側）であり、紙厚奥側が下側（体３方向他方側）である。図１Ａ〜図３Ｉ以外の図面についても、図１Ａ〜図３Ｉの方向を基準する。なお、図１Ｂ〜図３Ｉにおいて、Ａ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図を示す破線は、図１ＡのＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図を示す破線と同一位置であるため、省略している。

二層被覆素子１の製造方法は、（１）基材の一例としての仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後方向および左右方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置する第１工程、（２）複数の光半導体素子３を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、蛍光体層４を連続して配置する第２工程、（３）１つの光半導体素子３に対して１つの蛍光体層４が独立して被覆するように、前後方向および左右方向に互いに隣接する光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去する第３工程、（４）複数の蛍光体層被覆光半導体素子６（以下、一層被覆素子ともいう。）を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、反射層７を連続して配置する第４工程、（５）反射層７および蛍光体層４を切断する第５工程を備える。以下、各工程を説明する。

（１）第１工程
第１工程では、図１Ａ、図４Ａおよび図６Ａに示すように、仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後方向および左右方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置する。

まず、仮固定シート２および複数の光半導体素子３を用意する。

仮固定シート２は、例えば、支持層２１と、支持層２１の上に配置される感圧接着剤層２２とを備えている。

支持層２１としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、ＳＵＳなどの金属板などが挙げられる。支持層２１の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。

感圧接着剤層２２は、支持層２１の上面全面に配置されている。感圧接着剤層２２は、支持層２１の上面において、シート形状を有している。感圧接着剤層２２を構成する感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤などが挙げられる。感圧接着剤層２２は、例えば、処理（例えば、紫外線の照射や加熱など）によって感圧接着力が低減するような感圧接着剤から形成されていてもよい。このような感圧接着剤層２２は、例えば、配列テープ、ダイシングテープ、両面粘着テープなどとして、市販品を用いることができる。感圧接着剤層２２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

光半導体素子３は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤ（発光ダイオード素子）またはＬＤ（半導体レーザー素子）である。好ましくは、光半導体素子３は、青色光を発光する青色ＬＥＤである。なお、光半導体素子３は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子３は、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。また、光半導体素子３は、平面視略矩形状を有している。光半導体素子３は、発光面３１と、対向面３２と、４つの側面３３とを備えている。

発光面３１は、光半導体素子３における上面である。発光面３１は、平坦な形状を有している。

対向面３２は、光半導体素子３における下面であって、電極３４（図８Ａ〜図８Ｂ参照。）が設けられている面である。対向面３２は、発光面３１に対して下側に間隔を隔てて対向配置されている。電極３４は、複数（２個）設けられており、対向面３２から下側に向かってわずかに突出する形状を有している。

４つの側面３３は、発光面３１の周端縁と、対向面３２の周端縁とを連結しており、前側面、後側面、左側面および右側面を備えている。

光半導体素子３の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚みＴ１（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子３の前後方向長さおよび／または左右方向長さは、それぞれ、例えば、２００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。

次いで、同一サイズの光半導体素子３を複数（１２個）用意し、複数の光半導体素子３を、前後方向および左右方向のそれぞれに沿って、互いに間隔を隔てて整列配置する。

同一サイズとは、前後方向長さ、左右方向長さおよび上下方向長さの全てが同一であることをいう。

具体的には、複数の光半導体素子３を、前後方向に互いに間隔を隔てて等間隔で、配置する。その一方、前後方向に配置された複数の光半導体素子３の左右方向にも並ぶように、複数の光半導体素子３を、左右方向に互いに間隔を隔てて等間隔で、配置する。

なお、図示しないが、複数の光半導体素子３は、２つの電極３４が感圧接着剤層２２に完全に埋没するように、配置する。すなわち、光半導体素子３の対向面３２は、感圧接着剤層２２の上面と接触する。

これによって、仮固定シート２と、その上面に整列配置される複数の光半導体素子３とを備える素子集合体シート９が得られる。

素子集合体シート９を前後方向に投影すると、最前列に配置される光半導体素子３は、その後側に配置される複数（３個）の光半導体素子３と一致する。すなわち、前側から観察した場合に、最前列に配置される複数（３個）の光半導体素子３のみが観察される。

また、素子集合体シート９を左右方向に投影すると、最も左側に配置される光半導体素子３は、その右側に配置される複数（２個）の光半導体素子３と一致する。すなわち、左側から観察した場合に、最も左側に配置される複数（４個）の光半導体素子３のみが観察される。

光半導体素子３の前後方向間隔Ｐ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．４ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、４ｍｍ以下、より好ましくは、３ｍｍ以下である。

光半導体素子３の左右方向間隔Ｐ２は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．４ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、４ｍｍ以下、より好ましくは、３ｍｍ以下である。

（２）第２工程
第２工程では、図１Ｂ、図４Ｂおよび図６Ｂに示すように、複数の光半導体素子３を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、蛍光体層４を連続して配置する。

蛍光体層４は、蛍光体を含有する層であり、例えば、蛍光体樹脂組成物から形成されている。

蛍光体樹脂組成物は、例えば、蛍光体および樹脂を含有する。

蛍光体は、光半導体素子３から発光される光を波長変換する。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。

黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ_３Ａｌ_３Ｏ_１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。

赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。

蛍光体は、粒子であって、その形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。蛍光体は、単独で使用または２種以上を併用することができる。

蛍光体の含有割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、５０質量％以下、好ましくは、３０質量％以下である。

樹脂は、蛍光体樹脂組成物において蛍光体を均一に分散させるマトリクスであり、好ましくは、透明樹脂である。樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。

硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。

硬化性樹脂としては、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態（半硬化状態）は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態（未硬化状態）と、完全硬化したＣステージ状態（完全硬化状態）との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の圧縮弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、１段反応硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂を含む。また、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、ＡステージからＣステージ化する熱硬化性樹脂も含む。

好ましくは、熱硬化性樹脂としては、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂（２段反応硬化性樹脂および１段反応硬化性樹脂）が挙げられる。

Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

また、Ｂステージ状態となることができるシリコーン樹脂としては、例えば、熱可塑性および熱硬化性を併有するシリコーン樹脂（熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂）、熱可塑性を有さず・熱硬化性を有するシリコーン樹脂（非熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂）が挙げられる。

熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂は、Ｂステージにおいて、加熱により、一旦可塑化（あるいは液状化）し、その後、さらなる加熱によって硬化（Ｃステージ化）する。具体的には、１段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１６−３７５６２号公報などに記載されるフェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられ、２段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１４−７２３５１号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報に記載される第１〜第６の熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂組成物（例えば、両末端アミノ型シリコーン樹脂を含有する組成物、かご型オクタシルセスキオキサンを含有する組成物）などが挙げられる。

フェニル系シリコーン樹脂組成物としては、上記公報に記載のフェニル系シリコーン樹脂組成物以外にも、東レ・ダウコーニング社の「ＯＥ−６６３０」などが挙げられる。

非熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂としては、２段反応硬化型樹脂として、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。

所望厚みの蛍光体層４を均一に形成できる観点から、好ましくは、熱可塑性・熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられ、より好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。

また、Ｂステージ状態をとらない熱硬化性シリコーン樹脂としては、例えば、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬシリーズ（旭化成ワッカーシリコーン社製、具体的には、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５）、ＫＥＲシリーズ（信越シリコーン社製）などのメチル系シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。

樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。

樹脂の含有割合は、蛍光体（および添加剤）の含有割合の残部であり、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、３０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

蛍光体樹脂組成物には、無機フィラーなどの公知の添加剤を、適宜の割合で含有することもできる。

無機フィラーとしては、例えば、特開２０１６−３７５６２号公報に記載される無機フィラーなどが挙げられ、具体的には、シリカ粒子、複合無機酸化物粒子（ガラス粒子など）などが挙げられる。

無機フィラーを含有する場合、無機フィラーの含有割合は、蛍光体樹脂組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、１質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

蛍光体層４の配置方法としては、例えば、(i)蛍光体樹脂組成物のワニス（液状物）を用いて、素子集合体シート９に直接形成する形成方法、(ii)蛍光体層積層シートを用いて、素子集合体シート９に転写する転写方法などが挙げられる。

（i）形成方法
形成方法としては、例えば、アプリケータ、ポッティング、キャストコート、スピンコート、ロールコートなどの塗布方法、コンプレッションモールド（圧縮成形）などが挙げられる。

樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、上記形成方法を実施した後に、蛍光体樹脂組成物を、加熱して硬化（完全硬化）させる。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

（ii）転写方法
蛍光体層積層シートは、剥離シートと、その上に設けられる蛍光体層とを備える。

剥離シートは、上述した支持層２１と同じ材料からなる。

蛍光体層積層シートにおける蛍光体層は、好ましくは、Ｂステージ状態の蛍光体層であって、例えば、上述した蛍光体樹脂組成物から調製されている。具体的には、蛍光体層は、蛍光体と、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂とを含有する蛍光体樹脂組成物から形成されている。

蛍光体層積層シートにおける蛍光体層の厚みは、転写時に、蛍光体層が光半導体素子３の発光面３１および側面３３を被覆することができる程度であればよく、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

転写は、例えば、蛍光体層積層シートの蛍光体層が複数の光半導体素子３の発光面３１と接触できるように、蛍光体層積層シートを素子集合体シート９と対向配置し、続いて、熱プレスする。

熱プレスの温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。熱プレスの圧力は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。熱プレスの時間は、例えば、１分以上、好ましくは、３分以上であり、また、例えば、６０分以下、好ましくは、３０分以下である。

その後、剥離シートを剥離して、Ｂステージ状態の蛍光体層４を加熱して硬化（完全硬化）させる。加熱条件は、（i）で上述した条件と同様である。

これにより、隣接する複数の光半導体素子３の間隔（前後方向間隔および左右方向間隔）に、蛍光体層４が充填（配置）されるとともに、複数の光半導体素子３の発光面３１に、蛍光体層４が配置される。

これによって、複数の光半導体素子３と、蛍光体層４とを備える蛍光体層被覆素子集合体５が、仮固定シート２に仮固定された状態で、得られる。

蛍光体層被覆素子集合体５において、蛍光体層４は、面方向（前後方向および左右方向）に連続した１枚のシートである。蛍光体層４は、光半導体素子３の発光面３１全面および４つの側面３３全面と接触するように、光半導体素子３の上側および周囲に配置されている。

（３）第３工程
第３工程では、１つの光半導体素子３に対して１つの蛍光体層４が独立して被覆するように、前後方向および左右方向に互いに隣接する光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去する。

具体的には、前後方向において互いに隣接する複数の光半導体素子３の間の蛍光体層４を、除去する（第１除去工程）。その一方、左右方向において互いに隣接する複数の光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去する（第２除去工程）。

第１除去工程では、図１Ｃ、図４Ｃおよび図６Ｃに示すように、左右方向に延びる直線状に、複数の光半導体素子３の間の蛍光体層４を、除去する。より具体的には、所定幅の直線状に、蛍光体層４を上下方向に貫通するように、切断する。また、第１除去工程では、複数（３つ）の前後方向間隔ごとに１対１対応するように、蛍光体層４を、前後方向において等間隔で、除去する。加えて、蛍光体層被覆素子集合体５の後端部においても、前後方向に等間隔で、蛍光体層４を除去する。

第１除去工程では、第３工程によって形成される一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁（第１方向一端縁）と、蛍光体層前部４１（後述）の前端縁（第１方向一端縁）との間の長さＬ１が、光半導体素子３の後端縁（第１方向他端縁）と、蛍光体層後部４２（後述）の後端縁（第１方向他端縁）との間の長さＬ２よりも、長くなるように、蛍光体層４を除去する。具体的には、光半導体素子３間の前後方向間隔において、前後方向中間（すなわち、後側の光半導体素子３の前端縁と、それと前側に隣接する光半導体素子３の後端縁との中間Ｍ１、図４Ｃ参照）よりも前側を通過するように、蛍光体層４を左右方向に沿って除去する。

除去方法としては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、レーザー照射などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が挙げられる。

第１除去工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

第１除去工程により、複数（４つ）の直線状の第１除去部１１（溝）が、蛍光体層４に、前後方向において等間隔で形成される。

第１除去部１１の幅Ｗ１は、切断装置（好ましくは、ダイシングソー１０の刃厚Ｄ１）に対応しており、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上で、より好ましくは、１００μｍ以上あり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

第２除去工程では、図２Ｄ、図４Ｄおよび図６Ｄに示すように、前後方向に延びる直線状に、複数の光半導体素子３の間の蛍光体層４を切断する。より具体的には、所定幅の直線状に、蛍光体層４を上下方向に貫通するように、切断する。また、第２除去工程では、複数（２つ）の左右方向間隔に１対１対応するように、蛍光体層４を左右方向において等間隔で、除去する。加えて、蛍光体層被覆素子集合体５の左右方向両端部（左端部および右端部）においても、左右方向に等間隔で、蛍光体層４を除去する。

第２除去工程では、第３工程によって形成される一層被覆素子６において、光半導体素子３の左端縁（第２方向一端縁）と、蛍光体層左部４３（後述）の左端縁（第２方向一端縁）との間の長さＬ３が、光半導体素子３の右端縁（第２方向他端縁）と、蛍光体層右部４４（後述）の右端縁（第２方向他端縁）との間の長さＬ４と、同じ長さとなるように、蛍光体層４を除去する。具体的には、光半導体素子３間の左右方向間隔において、左右方向中間（すなわち、左側の光半導体素子３の右端縁と、それと右側に隣接する光半導体素子３の左端縁との中間Ｍ２、図６Ｄ参照）を通過するように、蛍光体層４を前後方向に沿って除去する。

第２除去方法としては、第１除去方法と同様であり、好ましくは、ダイシング装置が挙げられる。

第２除去工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ２は、好ましくは、第１除去工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ１と同一またはそれよりも長く、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

第２除去部１２の幅Ｗ２は、切断装置（好ましくは、ダイシングソー１０の刃厚Ｄ２）に対応し、好ましくは、第１除去部１１の幅Ｗ１と同一またはそれよりも長い。具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。

第２除去工程により、複数（４つ）の直線状の第２除去部１２（溝）が、蛍光体層４に、左右方向において等間隔で形成される。

複数の第１除去部１１および複数の第２除去部１２は、平面視格子状の溝を、蛍光体層被覆素子集合体５に形成する。

複数の第１除去部１１および複数の第２除去部１２によって、蛍光体層被覆素子集合体５が個片化され、その結果、複数（１２個）の互いに独立した一層被覆素子６が、仮固定シート２に仮固定された状態で、得られる。

複数の一層被覆素子６は、同一サイズである。すなわち、複数の一層被覆素子６の前後方向長さ、左右方向長さおよび上下方向長さは、それぞれ互いに同一である。

一層被覆素子６は、光半導体素子３と、蛍光体層４とを備えている。

一層被覆素子６において、蛍光体層４は、光半導体素子３の発光面３１および４つの側面３３と接触するように、光半導体素子３の上側および周囲に配置されている。蛍光体層４は、光半導体素子３の四方に配置される蛍光体層前部４１、蛍光体層後部４２、蛍光体層左部４３および蛍光体層右部４４と、光半導体素子３の上側に配置される蛍光体層上部４５とを備えている。

蛍光体層前部４１は、光半導体素子３の前端面と接触するように、光半導体素子３の前側に配置されている。蛍光体層前部４１は、前後方向に投影したときに、光半導体素子３を含むように、形成されている。詳しくは、蛍光体層前部４１の左右方向長さおよび上下方向長さは、それぞれ、光半導体素子３の左右方向長さおよび上下方向長さよりも長く形成されている。蛍光体層前部４１の前後方向長さＬ１は、蛍光体層後部４２の前後方向長さＬ２よりも長くなるように、形成されている。

蛍光体層後部４２は、光半導体素子３の後端面と接触するように、光半導体素子３の後側に配置されている。蛍光体層後部４２は、前後方向に投影したときに、蛍光体層前部４１と一致するように、形成されている。

蛍光体層左部４３は、光半導体素子３の左端面と接触するように、光半導体素子３の左側に配置されている。蛍光体層左部４３は、左右方向に投影したときに、光半導体素子３を含むように、形成されている。詳しくは、蛍光体層左部４３の前後方向長さは、光半導体素子３の前後方向長さと同一であり、蛍光体層左部４３の上下方向長さＬ３は、光半導体素子３の上下方向長さよりも長く形成されている。

蛍光体層右部４４は、光半導体素子３の右端面と接触するように、光半導体素子３の右側に配置されている。蛍光体層右部４４は、左右方向に投影したときに、蛍光体層左部４３と一致するように、形成されている。また、蛍光体層右部４４の左右方向長さＬ３は、蛍光体層左部４３の左右方向長さＬ４と同一となるように、形成されている。

蛍光体層上部４５は、光半導体素子３の発光面３１と接触するように、光半導体素子３の上側に配置されている。蛍光体層上部４５は、上下方向に投影したときに、光半導体素子３と一致するように、形成されている。

蛍光体層前部４１の前後方向長さＬ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、８００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

蛍光体層後部４２の前後方向長さＬ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、７０μｍ以下である。

蛍光体層後部４２の前後方向長さＬ２に対する蛍光体層前部４１の前後方向長さＬ１の比（Ｌ１／Ｌ２）は、例えば、１．０を超過し、好ましくは、１．４以上、さらに好ましくは、２．０以上であり、また、例えば、１６０以下、好ましくは、５０以下である。

蛍光体層左部４３の左右方向長さＬ３および蛍光体層右部４４の左右方向長さＬ４は、それぞれ、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下、より好ましくは、８００μｍ以下である。

蛍光体層上部４５の上下方向長さＬ５（厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

（４）第４工程
第４工程では、図２Ｅ、図４Ｅおよび図６Ｅに示すように、複数の一層被覆素子６を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、反射層７を連続して配置する。

反射層７は、光半導体素子３から放射される光を反射して、光を所望の方向へ導くための層である。反射層７は、好ましくは、白色層が挙げられる。

反射層７は、１００μｍ厚みとして４５０ｎｍ波長の光で照射したときの反射率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上であり、また、例えば、１００％以下である。反射率の測定方法は、紫外可視近赤外分光光度計を用いて、積分球における光路確認方法にて、４５０ｎｍ波長での反射率を測定することにより求めることができる。

反射層７は、例えば、反射層７が白色層である場合は、白色樹脂組成物から形成されている。

白色樹脂組成物としては、好ましくは、白色を呈する樹脂（白色樹脂）が挙げられ、より好ましくは、白色シリコーン系樹脂が挙げられる。具体的には、東レ・ダウコーニング社のシリコーン系反射材「ＷＲ−３００１」、「ＷＲ−３１００」などが挙げられる。

また、白色樹脂組成物としては、例えば、白色顔料および樹脂を含有する組成物も挙げられる。

白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン（カオリナイト）などの粘土鉱物などが挙げられる。

樹脂は、白色樹脂組成物において白色顔料を均一に分散させるマトリクスであり、例えば、透明樹脂である。樹脂としては、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂は、例えば、蛍光体樹脂組成物において上述した硬化性樹脂が挙げられる。

白色樹脂組成物には、白色顔料以外の粒子を含有することができる。このような粒子としては、例えば、シリカ粒子、ガラス粒子などの光拡散性粒子が挙げられる。

反射層７の配置方法としては、例えば、(i)反射組成物のワニス（液状物）を用いて、複数の一層被覆素子６が配置された仮固定シート２に直接形成する形成方法、(ii)反射層積層シートを用いて、複数の一層被覆素子６が配置された仮固定シート２に転写する転写方法などが挙げられる。

（i）形成方法
反射層７の形成方法および条件は、第２工程で上述した蛍光体層４の形成方法および条件と同様である。

（ii）転写方法
反射層積層シートは、剥離シートと、その上に設けられる反射層とを備える。

剥離シートは、第１工程で上述した支持層２１と同じ材料からなる。

反射層積層シートにおける反射層は、好ましくは、Ｂステージ状態の反射層である。

反射層積層シートにおける反射層の厚みは、転写時に、反射層が、第１除去部１１および第２除去部１２を充填し、かつ、蛍光体層４の上面を被覆することができる程度であればよく、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。

転写は、例えば、反射層積層シートの反射層が一層被覆素子６の上面と接触できるように、反射層積層シートを、複数の一層被覆素子６と対向配置し、続いて、熱プレスする。熱プレスの条件は、第２工程で上述した方法および条件と同様である。

その後、剥離シートを剥離して、Ｂステージ状態の反射層７を加熱して硬化（完全硬化）させる。加熱条件は、（i）で上述した条件と同様である。

これにより、隣接する一層被覆素子６の間に、反射層７が充填（配置）されるとともに、複数の一層被覆素子６の上面に、反射層７が配置される。より具体的には、前後方向に隣接する一層被覆素子６間の第１除去部１１、左右方向に隣接する一層被覆素子６間の第２除去部１２、および、一層被覆素子６の上側に、反射層７が配置される。

これによって、複数の一層被覆素子６と、反射層７とを備える反射層−蛍光体層被覆素子集合体８が、仮固定シート２に仮固定された状態で、得られる。

反射層−蛍光体層被覆素子集合体８において、反射層７は、面方向に連続した１枚のシートである。反射層７は、一層被覆素子６の上面全面および４つの側面全面と接触するように、一層被覆素子６の上側および周囲に配置されている。

一層被覆素子６の上面に配置される反射層７の厚みの上下方向長さＬ６（厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

（５）第５工程
第５工程では、反射層７および蛍光体層４を切断して、二層被覆素子１に個片化する。

具体的には、各一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁（第１方向一端縁）と、蛍光体層４の前端縁（第１方向一端縁）との間を通過するように、反射層７および蛍光体層４を切断する（第１切断工程）。その一方、左右方向において互いに隣接する一層被覆素子６の間を通過するように、反射層７を切断する（第２切断工程）。

第１切断工程では、図２Ｆ、図５Ｆおよび図７Ｆに示すように、左右方向に延びる直線状に、光半導体素子３の前端縁と蛍光体層４の前端縁との間、すなわち、蛍光体層前部４１を通過するように、反射層７および蛍光体層４を切断する。より具体的には、第１除去部１１の幅よりも小さい幅の直線状に、反射層７および蛍光体層前部４１を上下方向に貫通するように、切断する。

また、第１切断工程では、複数（４つ）の蛍光体層前部４１に１対１対応するように、反射層７および蛍光体層前部４１を、前後方向において等間隔で、切断する。加えて、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８の後端部においても、前後方向に等間隔で、反射層７および蛍光体層４を切断する。

第１切断工程では、好ましくは、蛍光体層前部４１の前後方向中間Ｍ３よりも前側を切断する。より好ましくは、蛍光体層前部４１の前端縁を基準に、蛍光体層前部４１の１／３の前後方向長さ以内の位置を切断する。さらに好ましくは、蛍光体層前部４１の前端縁を基準に、蛍光体層前部４１の１／４の前後方向長さ以内の位置を切断する。

切断方法としては、第１除去工程の切断方法で上述した方法が挙げられ、好ましくは、ダイシング装置が挙げられる。

第１切断工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ３は、第１除去工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ１と同一またはそれよりも短く、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ未満である。ダイシングソー１０の刃厚Ｄ３は、好ましくは、第１切断工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ１の５０％以下、より好ましくは、３０％以下であり、また、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上である。

第１切断工程により、複数（５つ）の直線状の第１切断部１３（溝）が、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８に、前後方向に等間隔で形成される。また、第１切断部１３によって、蛍光体層４は、前後方向において、２つの部分（後述する蛍光体層本体部４０および蛍光体層残部４７）に分割される。特に、蛍光体層前部４１は、前後方向において、２つの部分（後述する切断蛍光体層前部４６および蛍光体層残部４７）に分割される。

切断部の幅Ｗ３は、切断装置（好ましくは、ダイシングソー１０の刃厚Ｄ３）に対応しており、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ未満である。幅Ｗ３は、好ましくは、幅Ｗ１の５０％以下、より好ましくは、３０％以下であり、また、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上である。

第２切断工程では、図３Ｇ、図５Ｇおよび図７Ｇに示すように、前後方向に延びる直線状に、左右方向において互いに隣接する一層被覆素子６の間を通過するように、反射層７を切断する。すなわち、前後方向に延びる直線状に、第２除去部１２内に配置される反射層７を、切断する。より具体的には、第２除去部１２の幅よりも小さい幅の直線状に、第２除去部１２内に配置される反射層７を上下方向に貫通するように、切断する。

また、第２切断工程では、左右方向において互いに隣接する一層被覆素子６間に位置する複数（２つ）の第２除去部１２に１対１対応するように、反射層７を、左右方向に等間隔で、切断する。加えて、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８の左右方向両端部（左端部および右端部）に位置する複数（２つ）の第２除去部１２においても、反射層７を、左右方向に等間隔で切断する。

第２切断工程では、好ましくは、第２除去部１２に配置される反射層７において、左右方向中間（すなわち、左側の一層被覆素子６の右端縁と、それと右側に隣接する一層被覆素子６の左端縁との中間Ｍ４、図７Ｇ参照）を通過するように、反射層７を切断する。

第２切断方法としては、第１切断方法と同様であり、好ましくは、ダイシング装置が挙げられる。

第２切断工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ４は、好ましくは、第１切断工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ３と同様であり、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ未満である。ダイシングソー１０の刃厚Ｄ４は、好ましくは、第１切断工程におけるダイシングソー１０の刃厚Ｄ２の５０％以下、より好ましくは、３０％以下であり、また、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上である。

第２切断部１４の幅Ｗ４は、切断装置（好ましくは、ダイシングソー１０の刃厚Ｄ４）に対応し、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ未満である。幅Ｗ４は、好ましくは、幅Ｗ２の５０％以下、より好ましくは、３０％以下であり、また、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上である。

第２切断工程により、複数（４つ）の直線状の第２切断部１４（溝）が、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８に、左右方向において等間隔で形成される。

複数の第１切断部１３および複数の第２切断部１４は、平面視格子状の溝を、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８に形成する。

複数の第１切断部１３および複数の第２切断部１４によって、反射層−蛍光体層被覆素子集合体８が個片化される。その結果、個片化された複数（１２個）の二層被覆素子１が、仮固定シート２に仮固定された状態で、得られる。

複数の二層被覆素子１は、同一サイズである。すなわち、複数の二層被覆素子１の前後方向長さ、左右方向長さおよび上下方向長さは、それぞれ互いに同一である。

二層被覆素子１は、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、二層被覆素子本体部５０と、二層被覆素子残部５１とを備えている。

二層被覆素子本体部５０は、光半導体素子３と、蛍光体層本体部４０と、反射層本体部７０とを備えている。

蛍光体層本体部４０は、切断蛍光体層前部４６、蛍光体層後部４２、蛍光体層左部４３、蛍光体層右部４４および蛍光体層上部４５を備えている。

切断蛍光体層前部４６は、蛍光体層前部４１が第１切断工程により切断された蛍光体部材であって、蛍光体層前部４１より、前後方向長さが僅かに短くなるように形成されている。切断蛍光体層前部４６の前後方向長さＬ７（図５Ｆ参照）は、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、９０μｍ以上であり、また、例えば、７９０μｍ以下、好ましくは、４９０μｍ以下である。

反射層本体部７０は、蛍光体層本体部４０の上面、および、３側面（左側面、右側面、および、後側面）と接触するように、蛍光体層本体部４０の上側および周囲に配置されている。

二層被覆素子残部５１は、二層被覆素子本体部５０の後端縁と連続するように設けられ、前後方向に投影したときに、二層被覆素子本体部５０と一致するように形成されている。二層被覆素子残部５１は、蛍光体層残部４７と、反射層残部７１とを備えている。

蛍光体層残部４７は、前後方向に投影したときに、蛍光体層本体部４０と一致するように、形成されている。

反射層残部７１は、蛍光体層残部４７の上面および２側面（左側面および右側面）と接触するように、蛍光体層残部４７の上側および周囲に配置されている。蛍光体層残部４７の前後方向長さおよび反射層残部７１の前後方向長さは、同一である。

二層被覆素子１では、切断蛍光体層前部４６の前端面が、光半導体素子３からの光を二層被覆素子１の外部へと放射させる光取出面９０となる。

次いで、必要に応じて、図３Ｉ、図５Ｉおよび図７Ｉに示すように、二層被覆素子１に、再配線層６０を配置する（再配線配置工程）。

具体的には、セミアディティブ法などを用いて、再配線層６０を二層被覆素子１の下面に配置する。

再配線層６０は、再配線基板６１と、再配線基板６１を上下方向に貫通し、再配線基板６１の上面および下面に露出する電極を有する再配線６２とを備えている。

＜作用効果＞
第１実施形態の製造方法は、仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後方向および左右方向に並ぶように、前後方向および左右方向に沿って互いに間隔を隔てて配置する第１工程、複数の光半導体素子３を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、蛍光体層４を連続して配置する第２工程と、１つの光半導体素子３に対して１つの蛍光体層４が独立して被覆するように、前後方向および左右方向において互いに隣接する光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去して、複数の一層被覆素子６を形成する第３工程と、複数の一層被覆素子６を被覆するように、前後方向および左右方向に沿って、反射層７を連続して配置する第４工程と、各一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁と、蛍光体層前部４１の前端縁との間を通過するように、反射層７および蛍光体層前部４１を切断して、さらに、左右方向において隣接する一層被覆素子６の間を通過するように、反射層７を切断して、複数の二層被覆素子１に個片化する第５工程とを備えている。

この製造方法によれば、反射層７を光半導体素子３に配置する工程を一段階で実施することができる。その結果、前側に光を発する二層被覆素子１を簡便に製造することができる。

特に、この製造方法によれば、複数の光半導体素子３を前後方向および左右方向に沿って配置し、前後方向および左右方向に沿って蛍光体層４を連続して配置し、前後方向および左右方向に蛍光体層４の一部を除去し、前後方向および左右方向に沿って反射層７を連続して配置し、前後方向および左右方向に沿って反射層７および蛍光体層４を切断している。そのため、光半導体素子３の上側、後端側および左右両端側に、反射層７を配置する工程を一段階で実施することができる。その結果、前側のみから光を発する二層被覆素子１を簡便に製造することができる。また、前後方向および左右方向に並列して、二層被覆素子１を製造することができるため、多量の二層被覆素子１を製造することができる。

また、第１工程では、同一サイズの複数の光半導体素子３を、前後方向において等間隔で配置し、第３工程では、各一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁と、蛍光体層前部４１の前端縁との間の長さが、光半導体素子３の後端縁と、蛍光体層後部４２の後端縁との間の長さよりも、長くなるように、蛍光体層４を、前後方向において等間隔で除去し、第５工程では、反射層７および蛍光体層前部４１を、前後方向において等間隔で切断している。

このため、同一サイズの光半導体素子３を前後方向に配置し、反射層７および蛍光体層４を、前後方向において等間隔で切断する。そのため、同一サイズの二層被覆素子１を画一的に製造できる。

さらに、第１工程では、複数の光半導体素子３を、左右方向において等間隔で配置し、第３工程では、各一層被覆素子６において、光半導体素子３の左端縁と、蛍光体層左部４３の左端縁との間の長さが、光半導体素子３の右端縁と、蛍光体層右部４４の右端縁との間の長さと、同じ長さとなるように、蛍光体層４を、左右方向において等間隔で除去し、第５工程では、反射層７を、左右方向において等間隔で切断している。

このため、同一サイズの光半導体素子３を前後方向および左右方向に配置し、反射層７および蛍光体層４を、前後方向および左右方向において等間隔で切断する。そのため、同一サイズの二層被覆素子１を多量かつ画一的に製造でき、工業的生産に適している。

＜変形例＞
上記実施形態では、第３工程において、第１除去工程を実施した後に、第２除去工程を実施しているが、例えば、図示しないが、第２除去工程を実施した後に、第１除去工程を実施することもでき、また、第１除去工程および第２除去工程を同時に実施することもできる。

上記実施形態では、第５工程において、第１切断工程を実施した後に、第２切断工程を実施しているが、例えば、図示しないが、第２切断工程を実施した後に、第１切断工程を実施することもでき、また、第１切断工程および第２切断工程を同時に実施することもできる。

また、上記実施形態では、図３Ｈおよび図３Ｉに示すように、二層被覆素子１を製造した次の工程で、再配線層６０を配置しているが、例えば、図９に示すように、二層被覆素子残部５１を除去することもできる。二層被覆素子残部５１の除去方法としては、グラインド加工や、上述した切断方法が挙げられる。

また、二層被覆素子残部５１を除去した二層被覆素子１、すなわち、二層被覆素子本体部５０のみに対して、再配線層６０を配置することもできる。

また、上記実施形態では、図２Ｆに示す第１切断工程により、蛍光体層前部４１を、前後方向において、２つの部分（蛍光体層本体部４０および蛍光体層残部４７）に分割しているが、例えば、図示しないが、蛍光体層前部４１の前端縁を切断することにより、蛍光体層残部４７を形成せずに、蛍光体層本体部４０のみを形成することもできる。

これにより、第２切断工程を得て、図１０に示す二層被覆素子１が得られる。図１０に示す二層被覆素子１は、二層被覆素子残部５１を備えず、二層被覆素子本体部５０のみからなる。

図１０に示す二層被覆素子１を得る実施形態では、所望の位置よりも第１切断部１３の位置が僅かにでも前側にずれると、蛍光体層前部４１の前端縁に反射層７が残ってしまうため、高い切断位置精度が求められる。したがって、好ましくは、２つの部分（蛍光体層本体部４０および蛍光体層残部４７）に分割するように、第１切断工程を実施する。

上記実施形態では、図６Ｂに示すように、蛍光体層４は、光半導体素子３の発光面３１全面および４つの側面３３全面と接触するように、光半導体素子３の上側および周囲に配置しているが、例えば、図１１Ａ〜図１２Ｈ（特に図１１Ｂ）に示すように、蛍光体層４は、光半導体素子３の発光面３１全面のみと接触するように、光半導体素子３の上側に配置することができる。

図１１Ａ〜図１２Ｈに示す実施形態では、第２工程の蛍光体層の配置工程において、蛍光体層積層シートの蛍光体層として、図１Ｂに示す第２工程で説明した蛍光体層積層シートの蛍光体層よりも、硬化の程度が進んだＢステージ状態の蛍光体層を用いる。また、図１Ｂに示す蛍光体層積層シートの蛍光体層の厚みよりも、薄い蛍光体層（具体的には、上述の蛍光体層上部４１の厚みＬ５と同様の膜厚の蛍光体層）を用いる。

次いで、この実施形態では、図１１Ｅに示す第４工程において、反射層７が、光半導体素子３の４つの側面３３全面と接触するように、光半導体素子３の周囲に配置される。

この実施形態で得られる二層被覆素子１では、図１２Ｈに示すように、反射層本体部７０は、反射層上部７２と、反射層下部７３とを備えている。

反射層上部７２は、蛍光体層本体部４０の上面と接触するように、蛍光体層本体部４０の上側に配置されている。

反射層下部７３は、光半導体素子３の４側面（前側面、後側面、左側面および右側面）、および、蛍光体層本体部４０の３側面（後側面、左側面および右側面）と接触するように、光半導体素子３および蛍光体層本体部４０の周囲に配置されている。

蛍光体層本体部４０は、平面視略平板形状を有し、厚み方向に投影したときに、光半導体素子３を含むように形成されている（図３Ｈを参照。）。

反射層残部７１は、蛍光体層残部４７の上面、下面および２側面（左側面および右側面）と接触するように、蛍光体層残部４７の上側、下側および周囲に配置されている。

＜第２実施形態＞
図１３Ａ−図１４Ｈを参照して、本発明の二層被覆素子１の製造方法の第２実施形態について説明する。第２実施形態において、第１実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

二層被覆素子１の製造方法は、（１）仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置する第１工程、（２）複数の光半導体素子３を被覆するように、前後方向に沿って、蛍光体層４を連続して配置する第２工程、（３）１つの光半導体素子３に対して１つの蛍光体層４が独立して被覆するように、前後方向に互いに隣接する光半導体素子３の間の蛍光体層４を除去する第３工程、（４）複数の一層被覆素子６を被覆するように、前後方向に沿って、反射層７を連続して配置する第４工程、（５）一層被覆素子６において、光半導体素子３の前端縁と、蛍光体層４の前端縁との間を通過するように、反射層７および蛍光体層４を切断する第５工程を備える。

第２実施形態では、図１３Ａに示すように、第１工程において、仮固定シート２の上に、複数の光半導体素子３を、前後方向に互いに間隔を隔てて配置する。すなわち、左右方向には、複数の光半導体素子３を並列配置しない。

また、図１３Ｄに示すように、第２除去工程では、光半導体素子３の左右方向外側（左側および右側）に配置される蛍光体層４を、前後方向に延びる直線状に除去する。

また、図１４Ｇに示すように、第２切断工程では、光半導体素子３の左右方向外側（左側および右側）に配置され、第２除去部１２に充填される反射層７を、前後方向に延びる直線状に切断する。

得られる二層被覆素子１は、第１実施形態で得られる二層被覆素子１と同一である。

第２実施形態の製造方法も第１実施形態と同様の作用効果を奏する。前後方向および左右方向に沿って二層被覆素子１を多量にかつ画一に製造できる観点から、好ましくは、第１実施形態の製造方法が挙げられる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

＜蛍光体層積層シートＡの用意＞
特開２０１６−３７５６２号公報に記載の実施例１を参考にし、Ｂステージ状態の蛍光体層を備える蛍光体層積層シートを作製した。ただし、シリコーン樹脂組成物の配合割合を５０質量％、無機フィラー（複合無機酸化物粒子：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５（質量％））の配合割合を４５質量％、蛍光体（「Ｙ-４６８」、根本特殊化学社製）の配合割合を５質量％とした。蛍光体層の厚みは、４００μｍ、蛍光体層積層時の加熱条件は、９０℃、９．５分とした。

＜蛍光体層積層シートＢの用意＞
蛍光体層の厚みを５０μｍ、加熱条件を９０℃、６分とした以外は、蛍光体層積層シートＡと同様にして、蛍光体層積層シートＢを作製した。

＜実施例１＞
ＳＵＳ板に両面テープを貼り付け、仮固定シートを用意した。仮固定シートの両面テープの上にＬＥＤ素子（０．３２ｍｍ×０．６３ｍｍサイズ、１２０μｍ厚み）を、前後方向（第１方向）において０．６５ｍｍ間隔、左右方向（第２方向）において３．６ｍｍ間隔で、前後方向５列、左右方向５列となるように整列配置した（図１Ａ、図４Ａ、図６Ａ参照）。

蛍光体層積層シートＡを用いて、９０℃、１０分、０．１ＭＰａの条件で、熱プレスして、蛍光体層でＬＥＤ素子を封止した。その後、乾燥機にて、１５０℃３時間の条件にて、蛍光体層を加熱硬化させた。これにより、蛍光体層被覆素子集合体を作製した（図１Ｂ、図４Ｂ、図６Ｂ参照）。なお、ＬＥＤ素子の上側にある蛍光体層上部の厚みＬ５は、５０μｍとした。

刃厚（Ｄ１）２００μｍのダイシングブレード（ＤＩＳＣＯ社製、「Ｂ１Ａ８０１ＳＤＣ３２０Ｎ５０Ｍ５１」）を備えるダイシング装置を用いて、図１Ｃ、図４Ｃおよび図６Ｃに示すように、ダイシングを実施して、蛍光体層を除去した。具体的には、前後方向において等間隔となるように、左右方向に延びる直線状に、中間Ｍ１（図４Ｃ参照）よりも前側の蛍光体層を切断した。

次いで、刃厚（Ｄ２）２００μｍのダイシングブレード（上記と同一）を備えるダイシング装置を用いて、図２Ｄ、図４Ｄおよび図６Ｄに示すように、ダイシングを実施して、蛍光体層を除去した。具体的には、左右方向において等間隔となるように、前後方向に延びる直線状に、中間Ｍ２（図６Ｄ参照）を通過するように、蛍光体層を切断した。これにより、蛍光体層被覆素子集合体を得た。

圧縮成型機を用いて、白色樹脂組成物のワニス（白色シリコーン樹脂、「ＷＲ−３１００」、東レ・ダウコーニング社製）からなる反射層を、蛍光体層被覆素子集合体の上に、形成した。なお、蛍光体層上の反射層の厚みＬ６を、１００μｍとした。その後、乾燥機にて、１５０℃３時間の条件で、反射層を加熱硬化させた（図２Ｅ、図４Ｅ、図６Ｅ参照）。

次いで、刃厚（Ｄ３）４０μｍのダイシングブレード（ＤＩＳＣＯ社製、「ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｆ−ＳＥ ２７ＨＥＦＦ」）を備えるダイシング装置を用いて、図２Ｆ、図５Ｆ、図７Ｆに示すように、ダイシングを実施して、反射層および蛍光体層前部を切断した。具体的には、前後方向において等間隔となるように、左右方向に延びる直線状に、中間Ｍ３（図５Ｆ参照）よりも前側の蛍光体層前部および反射層を切断した。

次いで、刃厚（Ｄ４）４０μｍのダイシングブレード（上記と同一）を備えるダイシング装置を用いて、図３Ｇ、図５Ｇ、図７Ｇに示すように、ダイシングを実施して、反射層を切断した。具体的には、左右方向において等間隔となるように、前後方向に延びる直線状に、中間Ｍ４（図７Ｇ参照）を通過するように、反射層を切断した。

これにより、二層被覆素子を得た（図３Ｈ、図５Ｈ、図７Ｈ参照）。

＜実施例２＞
実施例１と同様にして、仮固定シートの両面テープの上にＬＥＤ素子を整列配置した（図１１Ａ、図１Ａ参照）。

蛍光体層積層シートＢを用いて、６０℃、５分、０．４８ＭＰａの条件で、熱プレスして、蛍光体層をＬＥＤ素子の上面に配置した。その後、乾燥機にて、１５０℃３時間の条件にて、蛍光体層を加熱硬化させた。これにより、蛍光体層被覆素子集合体を作製した（図１１Ｂ、図１Ｂ参照）。

刃厚（Ｄ１）２００μｍのダイシングブレード（ＤＩＳＣＯ社製、「Ｂ１Ａ８０１ＳＤＣ３２０Ｎ５０Ｍ５１」）を備えるダイシング装置を用いて、図１１Ｃ、図１Ｃに示すように、ダイシングを実施して、蛍光体層を除去した。具体的には、前後方向において等間隔となるように、左右方向に延びる直線状に、中間Ｍ１（図１１Ｃ参照）よりも前側の蛍光体層を切断した。

次いで、刃厚（Ｄ２）２００μｍのダイシングブレード（上記と同一）を備えるダイシング装置を用いて、図２Ｄ、図１１Ｄに示すように、ダイシングを実施して、蛍光体層を除去した。具体的には、左右方向において等間隔となるように、前後方向に延びる直線状に、隣接する光半導体素子間の左右方向中間（Ｍ２）を通過するように、蛍光体層を切断した。これにより、蛍光体層被覆素子集合体を得た。

圧縮成型機を用いて、白色樹脂組成物のワニス（白色シリコーン樹脂、「ＷＲ−３１００」東レ・ダウコーニング社製）からなる反射層を、蛍光体層被覆素子集合体の上から押圧して、反射層を蛍光体層被覆素子集合体に配置した。これにより、白色層は、蛍光体層の上面に配置されるとともに、光半導体素子３の４側面に接触するように配置された。なお、蛍光体層上の反射層の厚みＬ６を、１００μｍとした。その後、乾燥機にて、１５０℃３時間の条件で、反射層を加熱硬化させた（図１１Ｅ、図２Ｅ参照）。

次いで、刃厚（Ｄ３）４０μｍのダイシングブレード（ＤＩＳＣＯ社製、「ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｆ−ＳＥ ２７ＨＥＦＦ」）を備えるダイシング装置を用いて、図１２Ｆ、図２Ｆに示すように、ダイシングを実施して、反射層および蛍光体層前部を切断した。具体的には、前後方向において等間隔となるように、左右方向に延びる直線状に、中間Ｍ３（図１２Ｆ参照）よりも前側の蛍光体層前部および反射層を切断した。

次いで、刃厚（Ｄ４）４０μｍのダイシングブレード（上記と同一）を備えるダイシング装置を用いて、図３Ｇ、図１２Ｇに示すように、ダイシングを実施して、反射層を切断した。具体的には、左右方向において等間隔となるように、前後方向に延びる直線状に、隣接する光半導体素子間の左右方向中間（Ｍ４）を通過するように、反射層を切断した。

これにより、二層被覆素子を得た（図１２Ｈ、図３Ｈ参照）。

１ 二層被覆素子
２ 仮固定シート
３ 光半導体素子
４ 蛍光体層
６ 一層被覆素子
７ 反射層
４１ 蛍光体層前部
４２ 蛍光体層後部
４３ 蛍光体層左部
４４ 蛍光体層右部

Claims (4)

1. 基材の上に、複数の光半導体素子を、第１方向に沿って互いに間隔を隔てて配置する第１工程、
   複数の前記光半導体素子を被覆するように、前記第１方向に沿って、蛍光体層を連続して配置する第２工程、
   １つの前記光半導体素子に対して１つの前記蛍光体層が独立して被覆するように、前記第１方向において互いに隣接する前記光半導体素子の間の前記蛍光体層を除去して、複数の蛍光体層被覆光半導体素子を形成する第３工程、
   複数の前記蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように、前記第１方向に沿って、反射層を連続して配置する第４工程、および、
   各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第１方向一端縁と、前記蛍光体層の第１方向一端縁との間を通過するように、前記反射層および前記蛍光体層を切断して、複数の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子に個片化する第５工程
   を備えることを特徴とする、反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
2. 前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、さらに、前記第１方向と直交する第２方向にも並ぶように、前記第２方向に沿って互いに間隔を隔てて配置し、
   前記第２工程では、複数の前記光半導体素子を被覆するように、前記第１方向および前記第２方向に沿って、蛍光体層を連続して配置し、
   前記第３工程では、１つの前記光半導体素子に対して１つの前記蛍光体層が独立して被覆するように、さらに、前記第２方向において互いに隣接する前記光半導体素子の間の前記蛍光体層を除去して、複数の蛍光体層被覆光半導体素子を形成し、
   前記第４工程では、複数の前記蛍光体層被覆光半導体素子を被覆するように、前記第１方向および前記第２方向に沿って、反射層を連続して配置し、
   前記第５工程では、さらに、前記第２方向において隣接する前記蛍光体層被覆光半導体素子の間を通過するように、前記反射層を切断して、複数の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子に個片化する
   ことを特徴とする、請求項１に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
3. 複数の前記光半導体素子は、同一サイズであり、
   前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、前記第１方向において等間隔で配置し、
   前記第３工程では、各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第１方向一端縁と、前記蛍光体層の第１方向一端縁との間の長さが、前記光半導体素子の第１方向他端縁と、前記蛍光体層の第１方向他端縁との間の長さよりも、長くなるように、前記蛍光体層を、前記第１方向において等間隔で除去し、
   前記第５工程では、前記反射層および前記蛍光体層を、前記第１方向において等間隔で切断する
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。
4. 前記第１工程では、複数の前記光半導体素子を、前記第２方向において等間隔で配置し、
   前記第３工程では、各前記蛍光体層被覆光半導体素子において、前記光半導体素子の第２方向一端縁と、前記蛍光体層の第２方向一端縁との間の長さが、前記光半導体素子の第２方向他端縁と、前記蛍光体層の第２方向他端縁との間の長さと、同じ長さとなるように、前記蛍光体層を、前記第２方向において等間隔で除去し、
   前記第５工程では、前記反射層を、前記第２方向において等間隔で切断する
   ことを特徴とする、請求項３に記載の反射層−蛍光体層被覆光半導体素子の製造方法。

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