JP2018101659A - 機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被覆層の隙間の発生を抑制した機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】機能層−反射層付素子１の製造方法は、下面２１、上面２２および周側面２３を有する光半導体素子２を、剥離基材８の上に、下面２１と剥離基材８とが接触するように、配置する第１工程、第１光反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置する第２工程、複合機能層３を、光半導体素子２の上に、光半導体素子２を上下方向に投影したときに複合機能層３が光半導体素子２を含み、かつ複合機能層３が光半導体素子２よりも大きくなるように、配置する第３工程、ならびに、第２光反射層５を、複合機能層３の周側面３２に配置する第４工程を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、発光素子と、その上面に配置される光透過部材と、発光素子および光透過部材の側面に配置される被覆部材とを備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１の発光装置では、発光素子から出射される光束の損失を低減するため、光透過部材の側面が、発光素子の側面を構成する端面よりも外側に突出している。

特許文献１では、まず、複数の発光素子を基板に対してフリップチップ実装し、続いて、発光素子の上面に光透過部材を配置し、その後、スクリーン印刷やポッティング（滴下）などにより、光反射性粒子を含有する液状の樹脂を複数の発光素子の間に塗布することにより、被覆部材を発光素子および光透過部材の側面に配置している。

ＷＯ２００９／０６９６７１号の図３（ｃ）

しかし、特許文献１の方法では、発光装置に、被覆部材が充填されていない隙間が生じ易い。具体的には、光透過部材が発光素子よりも面方向に大きい構造であるため、発光素子の側面と光透過部材の下面とから構成される隅部（図２Ｊの符号１９参照）に、樹脂が流れ込みにくく、隙間（空気層）が発生する不具合が生じる。

そうすると、被覆部材が例えば光反射部材である場合は、光反射部材における反射にムラが生じるため、発光装置から照射される光の均一性に劣るなどの光特性が低下する。

本発明の目的は、光半導体素子に対して機能層が面方向に大きい構成でありながら、被覆層の隙間の発生を抑制できる機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

本発明［１］は、電極が設けられる下面、前記下面に対向する上面、および、前記下面と前記上面との周端縁を連結する側面を有する光半導体素子を、剥離基材の上に、前記下面と前記剥離基材とが接触するように、配置する第１工程、第１被覆層を、前記光半導体素子の側面に配置する第２工程、機能層を、前記光半導体素子の上に、前記光半導体素子を上下方向に投影したときに前記機能層が前記光半導体素子を含み、かつ前記機能層が前記光半導体素子よりも大きくなるように、配置する第３工程、ならびに、第２被覆層を、前記機能層の側面に配置する第４工程、を備える、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程で、光半導体素子の側面に第１被覆層を配置し、第３工程で、光半導体素子の上に機能層を配置し、第４工程で、機能層の側面に第２被覆層を配置する。すなわち、第１被覆層を、機能層を配置していない光半導体素子の側面に対して第１被覆層を配置した後、次いで、機能層付きの光半導体素子の機能層の側面に対して第２被覆層を配置することにより機能層付きの光半導体素子の側面に対して、被覆層を確実に配置することができる。これにより、機能層が面方向に大きい機能層付き光半導体素子に、被覆層を直接配置することを回避することができる。そのため、機能層−被覆層付光半導体素子において、被覆層の充填不十分による隙間の発生を抑制することができる。

本発明［２］は、前記第２工程では、前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層を除去する工程を備える、［１］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、光半導体素子の上面に付着する第１被覆層を除去するので、光半導体素子の上面から発光される光が、機能層に確実に到達することができ、機能層による所望の特性を確実に奏することができる。

本発明［３］は、前記第２工程において前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層の厚みＴ１が、５０μｍ以下であり、前記第１被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下である、［２］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、光半導体素子の上面に付着する第１被覆層が、薄く、かつ、平滑であるため、第２工程において光半導体素子の上面に付着する第１被覆層を確実に除去することができる。

本発明［４］は、前記第２工程において前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がす、［２］または［３］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程において光半導体素子の上面に付着する第１被覆層を、感圧接着シートを用いて、光半導体素子の上面から引き剥がすので、光半導体素子の上面に付着する第１被覆層を簡易かつ確実に除去することができる。

本発明［５］は、前記第３工程では、前記光半導体素子の前記上面および前記第１被覆層の上面を被覆するように、機能層を配置する工程、ならびに、 前記機能層を、前記光半導体素子に対応するように、除去する工程を備える、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、光半導体素子および第１被覆層の上面に機能層を配置した後、その機能層を半導体素子に対応するように除去するので、所望の形状の機能層を光半導体素子の上面に確実に配置することができる。

本発明［６］は、前記第４工程では、前記機能層の上面に付着する前記第２被覆層を除去する工程を備える、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、機能層の上面に付着する第２被覆層を除去するので、光半導体素子から発光され、機能層によって所望の機能を奏する光を、確実に取り出すことができる。

本発明［７］は、前記第４工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層の厚みＴ２が、５０μｍ以下であり、前記第２被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする、［６］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、機能層の上面に付着する第２被覆層が、薄く、かつ、平滑であるため、第４工程において機能層の上面に付着する第２被覆層を確実に除去することができる。

本発明［８］は、前記第４工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がす、［６］または［７］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第４工程において機能層の上面に付着する第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、機能層の上面から引き剥がすので、機能層の上面に付着する第２被覆層を簡易かつ確実に除去することができる。

本発明［９］は、前記第２被覆層に含有される粒子の平均粒子径が、前記第１被覆層に含有される粒子の平均粒子径よりも大きい、［１］〜［８］のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２被覆層に含有される粒子の平均粒子径が、比較的大きいので、機能層の上面に付着する第２被覆層を除去する場合において、機能層の上面に第２被覆層が残存することを抑制できる。したがって、第２被覆層を確実に除去することができる。

本発明［１０］は、前記第１被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１０μｍ以下であり、前記第２被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１５μｍ以上である、［９］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第１被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１０μｍ以下であるので、光半導体素子の上面に付着する第１被覆層を所望の表面粗さに容易に調整することができ、その第１被覆層を確実に除去することができる。また、光半導体素子の上面の周りの第１被覆層に、第１被覆層の除去残余が大きな塊となって堆積することを抑制することができ、第１被覆層の上面と光半導体素子の上面とを平坦にすることができる。また、第２被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１５μｍ以上であるので、機能層の上面に付着する第２被覆層を所望の表面粗さに容易に調整することができ、その第２被覆層を確実に除去することができる。これらにより、光半導体素子および機能層の上面に余分な付着物の残存を抑制できるため、光半導体素子から発光され、機能層によって所望の機能を奏する光を、確実に取り出すことができる。

本発明［１１］は、前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、前記第２工程では、第１被覆層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に充填し、前記第３工程では、前記機能層を、それぞれ、前記複数の光半導体素子の上に配置し、前記第４工程では、第２被覆層を、互いに隣接する前記機能層の間に充填する、［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、複数の機能層−被覆層付光半導体素子を効率よく製造することができる。

本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、光半導体素子に対して機能層が面方向に大きい構成でありながら、被覆層の光半導体素子との隙間の発生を抑制することができる。

図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａは、光半導体素子を剥離基材に配置する第１工程、図１Ｂは、光半導体素子を第１反射層に埋没させる第２−１工程、図１Ｃは、第１付着部分を除去する第２−２工程、図１Ｄは、蛍光体層を第１反射層−素子集合体の上に配置する３−１工程、図１Ｅは、拡散層を蛍光体層の上に配置する３−１工程、を示す。 図２Ｆ〜図２Ｊは、図１Ｅに引き続き、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図２Ｆは、複合機能層の一部を、光半導体素子に対応するように、除去する３−２工程、図２Ｇは、複合機能層を第２反射層に埋没させる第４−１工程、図２Ｈは、第２付着部分を除去する第４−２工程、図２Ｉは、機能層−反射層−素子集合体を個片化する第５工程、図２Ｊは、機能層−反射層付素子を得る工程を示す。 図３Ａおよび図３Ｂは、複数の光半導体素子および複数の機能層−反射層付素子の平面図であって、図３Ａは、図１Ａに対応する複数の光半導体素子の平面図（図３ＡのＡ−Ａ断面図が、図１Ａに対応）、図３Ｂは、図２Ｉに対応する複数の機能層−反射層付素子の平面図（図３ＢのＡ−Ａ断面図が、図２Ｉに対応）を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、図１Ｂに示す製造工程図の一例であって、図４Ａは、第１反射層シートを光半導体素子に熱プレスする態様、図４Ｂは、光半導体素子がプレスによって剥離基材に対して沈み込む態様、図４Ｃは、光半導体素子に対するプレスが解放されて、光半導体素子が復元し、第１付着部分が上側に突出する態様を示す。 図５Ａおよび図５Ｂは、図１Ｃに示す製造工程図の一例であって、図５Ａは、感圧接着シートが第１付着部分に接触する態様、図５Ｂは、第１付着部分が光半導体素子から除去される態様、を示す。 図６Ａ〜図６Ｃは、図２Ｇに示す製造工程図の一例であって、図６Ａは、第２反射層シートを第２−機能層−第１反射層−素子集合体に熱プレスする態様、図６Ｂは、第２−機能層−第１反射層−素子集合体がプレスによって剥離基材に対して沈み込む態様、図６Ｃは、第２−機能層−第１反射層−素子集合体に対するプレスが解放されて、第２−機能層−第１反射層−素子集合体が復元し、第２付着部分が上側に突出する態様を示す。 図７は、図２Ｊに示す機能層−反射層付素子を基板に実装する工程を示す。 図８Ａおよび図８Ｂは、一実施形態の第２工程における変形例（ポッティングにより第１反射層を配置する態様）の一部工程図であって、図８Ａは、第１反射樹脂組成物のポッティングにより、光半導体素子を第１反射層に埋没させる工程、図８Ｂは、感圧接着シートを用いて第１付着部分を除去する工程を示す。 図９は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（機能層が３層からなる態様）を示す。 図１０は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（機能層が単層からなる態様）を示す。 図１１は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（第２反射層が光半導体層に接触する態様）を示す。 図１２は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（第２反射層の下面が、光半導体素子の下面と同じ位置にある態様）を示す。 図１３は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（蛍光体層の周端部が上方に突出する態様）を示す。

＜一実施形態＞
図１Ａにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側が上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側が下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。また、紙面左右方向は、左右方向（第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。また、紙面紙厚方向は、前後方向（第３方向）であって、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

図１Ａ〜図６Ｃを用いて、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態として、蛍光体層−光拡散層−光反射層付光半導体素子１（以下、機能層−反射層付素子と略する。）の製造方法を説明する。

この製造方法は、図２Ｊに示すように、光半導体素子２と、光半導体素子２の上に配置される機能層の一例としての複合機能層３と、光半導体素子２の側面を被覆する第１被覆層の一例としての第１光反射層４と、複合機能層３の側面を被覆する第２被覆層の一例としての第２光反射層５とを備える機能層−反射層付素子１を製造するための方法である。

１．機能層−反射層付素子
光半導体素子２は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。光半導体素子２は、例えば、シリコンなどの半導体材料からなる。好ましくは、光半導体素子２は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子２は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子２は、上下方向に直交する面方向（前後方向および左右方向）に延びる平面視略矩形の板形状を有する。光半導体素子２は、下面２１と、上面２２と、側面の一例としての周側面２３とを連続して有する。

下面２１は、図示しない電極が設けられる電極面である。

上面２２は、下面２１に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。上面２２は、下面２１と同じサイズを有し、面方向に平坦な形状を有する。上面２２は、サファイヤなどから形成されている。

周側面２３は、下面２１の周端縁と、上面２２の周端縁とを上下方向に連結している。

光半導体素子２の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）が、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。光半導体素子２の面方向における一辺の長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。

複合機能層３は、光半導体素子２および第１光反射層４の上に配置されている。複合機能層３は、面方向に延びる略平板形状を有し、平面視略矩形状（正方形状）を有する。複合機能層３は、上下方向に投影したときに、光半導体素子２を含み、さらに、光半導体素子２よりも大きい。すなわち、光半導体素子２に対して複合機能層３が面方向に大きく、複合機能層３の側面の一例としての周側面３２は、その全周にわたって、光半導体素子２の周側面２３に対して、面方向において外側に位置する。

複合機能層３は、蛍光体層６と、その上に配置される光拡散層７とを備える。

蛍光体層６は、光半導体素子２から発光された光を波長変換することができる波長変換層である。蛍光体層６は、面方向に延びる略平板形状を有し、後述する蛍光体樹脂組成物から調製されている。

蛍光体層６は、光半導体素子２および第１光反射層４の上に配置されている。具体的には、蛍光体層６は、光半導体素子２の上面２２全面、および、第１光反射層４の上面の内周部を被覆する。

光拡散層７（以下、拡散層と略する。）は、光半導体素子２から発光された光を均一に拡散することができる層である。拡散層７は、面方向に延びる略平板形状を有し、後述する拡散樹脂組成物から調製されている。

拡散層７は、蛍光体層６の上に配置されている。具体的には、拡散層７は、蛍光体層６の上面全面を被覆する。拡散層７は、上下方向に投影したときに、蛍光体層６と一致する。すなわち、拡散層７は、平面視において、蛍光体層６と同一形状を有する。

複合機能層３の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、面方向における一辺の長さは、例えば、０．１０ｍｍ以上、好ましくは、０．２５ｍｍ以上であり、また、例えば、４．００ｍｍ以下、好ましくは、３．００ｍｍ以下である。また、複合機能層３の厚み（上下方向長さ）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。

蛍光体層６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

拡散層７の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

第１光反射層４（以下、第１反射層と略する。）は、光半導体素子２から側方に向かって発光された光を上方に反射する層である。第１反射層４は、後述する第１反射樹脂組成物から調製されている。

第１反射層４は、光半導体素子２の側方、ならびに、複合機能層３および第２光反射層５の下に配置されている。具体的には、第１反射層４は、光半導体素子２の周側面２３全面、複合機能層３の下面の外周部、および、第２光反射層５の下面全面を被覆する。第１反射層４は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。第１反射層４は、内側部４１と、その外周囲（光半導体素子２から遠ざかる方向）に連続する外側部４２とを一体的に備えている。

内側部４１は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。内側部４１の内周面は、光半導体素子２の周側面２３全面を被覆し、内側部４１の上面は、複合機能層３の下面の外周部を被覆する。内側部４１の外周面は、平面視において、複合機能層３と一致する。

外側部４２は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。外側部４２の上面は、内側部４１の上面よりも下側に位置し、第２光反射層５の下面全面を被覆する。

第１反射層４の面方向長さ、すなわち、内側部４１の内周面から外側部４２の外周面までの距離は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。第１反射層４の上下方向長さ、すなわち、内側部４１の上下方向長さは、光半導体素子２の上下方向長さと一致する。

第２光反射層５（以下、第２反射層と略する。）は、複合機能層３から側方に向かって発光された光を上方に反射する層である。第２反射層５は、後述する第２反射樹脂組成物から調製されている。

第２反射層５は、複合機能層３の側方、および、第１反射層４の外側部４２の上に配置されている。第２反射層５は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。

第２反射層５の内周面は、複合機能層３の周側面３２全面、および、第１反射層４の外側部４２の上部の側面を被覆する。第２反射層５の下面は、第１反射層４の外側部４２の上面全面を被覆する。平面視において、第２反射層５の内周面は、複合機能層３と一致し、第２反射層５の外周面は、第１反射層４の外周面と一致する。また、第２反射層５の上面は、複合機能層３の上面３１と面一となっている。

第２反射層５の面方向長さ、すなわち、内周面から外周面までの最短距離は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。第２反射層５の上下方向長さは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。

２．機能層−反射層付素子の製造方法
機能層−反射層付素子１の製造方法は、図１Ａ〜図２Ｊに示すように、例えば、複数の光半導体素子２を、剥離基材８の上に配置する第１工程、第１反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置する第２工程、複合機能層３を、光半導体素子２の上に配置する第３工程、第２反射層５を、複合機能層３の周側面３２に配置する第４工程、および、機能層−反射層−素子集合体１４を個片化する第５工程を備える。

（１）第１工程
図１Ａおよび図３Ａに示すように、第１工程では、複数の光半導体素子２を、剥離基材８の上に配置する。

まず、複数の光半導体素子２、および、剥離基材８を用意する。

剥離基材８は、面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。剥離基材８としては、具体的には、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。また、剥離基材８の上面は、例えば、剥離処理が施されていてもよい。剥離基材８の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

次いで、複数の光半導体素子２を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて剥離基材８の上に整列配置する（図３Ａ参照）。具体的には、光半導体素子２の下面２１と剥離基材８の上面とが接触するように、複数の光半導体素子２を剥離基材８の上に配置する。

（２）第２工程
第２工程では、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、第１反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置する。

具体的には、光半導体素子２を第１反射層４に埋没させる（第２−１工程）。次いで、光半導体素子２の上面２２に付着する第１反射層４（第１付着部分４３）を除去する（第２−２工程）。

第２−１工程では、例えば、第１反射層４からなる第１反射層シートを用意する。

第１反射層４は、第１反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成されている。第１反射樹脂組成物は、例えば、光反射成分、および、樹脂を含有する。

光反射成分は、光半導体素子２から発光された光を反射するための成分である。光反射成分としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの、無機物粒子が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。

光反射成分の平均粒子径（二次粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。

本発明において、粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布計により測定され、Ｄ５０値として算出される。

光反射成分の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。また、光反射成分の屈折率は、次に説明する樹脂との屈折率差が、例えば、０．５以上、好ましくは、０．７５以上、より好ましくは、１以上、また、例えば、５以下となるように、調整される。屈折率は、例えば、アッベ屈折計によって測定される。

光反射成分の割合は、第１反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

樹脂としては、光反射成分を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。そのような樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、より好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂としては、Ｂステージとなることができる樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、透明性の観点から、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル系シリコーン樹脂、メチル系シリコーン樹脂が挙げられる。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。

フェニル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ時）において、例えば、シロキサン結合である主骨格に結合するフェニル基を少なくとも有しており、具体的には、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、主骨格に結合するフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂は、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有する。そのようなフェニル系シリコーン樹脂は、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報などに記載される。なお、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂は、さらなる加熱において、一旦軟化した後、硬化する（Ｃステージとなる）。フェニル系シリコーン樹脂の完全硬化時における屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

メチル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ）において、主骨格に結合するメチル基を有する。メチル系シリコーン樹脂の屈折率は、完全硬化時において、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。

具体的には、樹脂の屈折率は、上記した光反射成分との屈折率差が、上記した範囲（例えば、０．５以上、５以下）となり、かつ、上記した粒子との屈折率差が実質的に同一となる。

樹脂の割合は、第１反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

第１反射樹脂組成物には、好ましくは、粒子の一例としての第１スペーサー粒子を含有する。

第１スペーサー粒子は、第２−２工程において形成される第１付着部分４３の上面の算術平均粗さＲａが所望範囲となるように、第１反射樹脂組成物に任意的に配合される微小凹凸付与成分である。また、第１スペーサー粒子は、第１反射層４の強化や、第１反射樹脂組成物を増量させるために、第１反射樹脂組成物に任意的に配合されるフィラーでもある。

第１スペーサー粒子としては、光反射成分以外の粒子であって、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。

第１スペーサー粒子は、単独使用または併用することができる。

好ましくは、無機酸化物粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、球状である。

第１スペーサー粒子の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。これにより、第１付着部分４３を所望の表面粗さに容易に調整することができるため、その第１付着部分４３を確実に除去することができる。また、光半導体素子２の上面２２の周りの第１反射層側部４４に、第１付着部分４３の除去残余が大きな塊（第１スペーサー粒子の凝集物）となって堆積することを抑制することができるため、第１反射層側部４４の上面と、光半導体素子２の上面２２とを平坦にすることができる。そのため、複合機能層３（例えば、蛍光体層６）の厚みを均一および平坦とすることができ、光の色ムラを抑制することができる。また、第３工程において、複合機能層３を容易かつ確実に配置することができる。

第１スペーサー粒子の割合は、第１反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

さらに、第１反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子などの添加剤を添加することができる。

チクソ付与粒子は、第１反射樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。

チクソ付与粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。

チクソ付与粒子の平均粒子径は、光反射成分および第１スペーサー粒子の平均粒子径より小さい。具体的には、チクソ付与粒子の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。

チクソ付与粒子の第１反射樹脂組成物における割合は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。

そして、まず、上記した光反射成分と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加される第１スペーサー粒子などとを配合して、それらを混合して、液状の第１反射樹脂組成物を調製する。

次いで、液状の第１反射樹脂組成物を図示しない剥離基材の表面に塗布して、剥離基材の表面に、第１反射樹脂組成物をシート状に成形する。

その後、第１反射樹脂組成物がＢステージとなることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第１反射樹脂組成物を加熱によりＢステージ化する。加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、１時間以下、好ましくは、３０分以下である。

これによって、図示しない剥離基材の表面に、第１反射層シート（好ましくは、Ｂステージの第１反射層シート）を用意する。

次いで、第１反射層シートを、複数の光半導体素子２の上面２２に配置する。具体的には、第１反射層シートを、複数の光半導体素子２のそれぞれに接触する。

続いて、第１反射層シートが、上記したＢステージとなることができ、そのＢステージにおける加熱によって十分に軟化して変形することができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第１反射層シートを加熱する。

具体的には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、Ｂステージの第１反射層シート４０を、平板プレス１８を用いて、複数の光半導体素子２に対して熱プレスする。

熱プレスは、第１反射層シート４０をＣステージ化（完全硬化）させることなく、第１反射層シート４０を変形させる条件で実施される。熱プレス温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

また、熱プレスの際には、複数の光半導体素子２の外側にスペーサーを配置し、プレス厚みを調整する。プレス厚みは、比較的狭く（薄く）設定されている。

そうすると、第１反射層シート４０は、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の光半導体素子２のそれぞれを埋没させる。具体的には、第１反射樹脂組成物が、互いに隣接する光半導体素子２の間に充填されるとともに、最外側に配置される光半導体素子２の周側面２３を被覆する。これによって、複数の光半導体素子２のすべての周側面２３が第１反射層４によって被覆される。

これとともに、光半導体素子２の上面２２も、第１反射樹脂組成物によって被覆され、第１付着部分４３が形成される。

第１付着部分４３は、機能層−反射層付素子１に本来不要な部分であって、第２−１工程によって不可避的に形成される部分である。

同時に、熱プレスにおいて、第１付着部分４３は、比較的硬い光半導体素子２の上面２２（サファイヤ面）に位置するため、光半導体素子２の側方に位置する第１反射層側部４４に比べて、高い圧力で下側に圧縮される。そのため、図４Ｂに示すように、第１付着部分４３の下側に位置する光半導体素子２は、剥離基材８に向かってわずかに沈み込む。

続いて、上記した光半導体素子２へのプレスが解放されると、図４Ｃに示すように、光半導体素子２は、復元し、つまり、光半導体素子２の下面２１が、周囲の剥離基材８の上面と同一位置に配置される。光半導体素子２の復元に伴って、第１付着部分４３の上面は、第１反射層側部４４の上面に対して、上側に位置する。例えば、第１反射層側部４４の上面は、光半導体素子２の上面２２と同一位置に配置される。

これによって、図４Ｃに示すように、第１反射層側部４４と、第１付着部分４３とを有する第１反射層４が形成される。

第１付着部分４３の上面は、図１Ｂでは、平坦状に描画されているが、実際には、第１反射樹脂組成物に含有される第１スペーサー粒子の形状に基づく、極めて微小な凹凸形状を有する。

そのため、第１付着部分４３の上面の算術平均粗さＲａは、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。また、その算術平均粗さＲａは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．３μｍ以上である。

第１付着部分４３の上面の算術平均粗さＲａが上記した上限以下であれば、後述する感圧接着シート９の感圧接着剤を、第１付着部分４３の上面に十分に広がらせて、感圧接着シート９の第１付着部分４３に対する被着面積の低下を抑制することができる。その結果、次に説明する第２−２工程において第１付着部分４３を確実に除去することができる。

第１付着部分４３の上面の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１（２００９）に従って測定される。

第１付着部分４３の厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。第１付着部分４３の厚みＴ１が上記した上限以下であれば、剥離方向への第１付着部分４３の屈曲（折り返し）を円滑にすることができ（図５Ｂ参照）、第２−２工程において第１付着部分４３を確実に除去することができる。

第１付着部分４３の厚みＴ１は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上である。第１付着部分４３の厚みＴ１が上記した下限以上であれば、剥離時の屈曲（折り返し）変形に第１付着部分４３が追従できるので、第３工程において第１付着部分４３を確実に除去する。

第１付着部分４３などの付着部分の厚みは、ダイヤルゲージによって測定される。

第２−２工程では、図１Ｃに示すように、光半導体素子２の上面２２に付着する第１反射層４、すなわち、第１付着部分４３を除去する。

第１付着部分４３を除去するには、例えば、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、感圧接着シート９を用いる。

感圧接着シート９は、感圧接着剤から調製されており、面方向に連続するシート形状を有する。感圧接着シート９の大きさは、例えば、感圧接着シート９を、平面視において、第１付着部分４３を含むことができる大きさに設定されている。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤などが挙げられる。また、感圧接着シート９は、支持材などで支持されていてもよい。

この方法では、感圧接着シート９の感圧接着面（感圧接着シート９が支持材に支持されている場合には、支持材によって支持される面に対する反対側の面）を、第１付着部分４３の上面に対向配置し、第１付着部分４３に感圧接着し、続いて、第１付着部分４３を、光半導体素子２の上面２２から引き剥がす。

具体的には、まず、図５Ａに示すように、感圧接着シート９を第１付着部分４３に対して十分に感圧接着する。その際、感圧接着シート９は、第１反射層側部４４の上面に対して、間隔が隔てられてもよい。

その後、図５Ｂに示すように、感圧接着シート９の面方向一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を把持し、感圧接着シート９の一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を面方向他方側（例えば、右方）に向けて引っ張りながら、第１付着部分４３を光半導体素子２の上面２２から引き剥がす。

好ましくは、感圧接着シート９の角部（例えば、左端前端部）を把持し、感圧接着シート９の角部（例えば、左端前端部）を右方斜め後側に向けて引っ張る。つまり、感圧接着シート９の剥離方向を、前後方向および左右方向に対して傾斜する方向にする。感圧接着シート９の一端部を把持すれば、感圧接着シート９の一辺を把持する場合に比べて、把持した部分を剥離のきっかけによりし易く、かかるきっかけ（角部）を容易かつ確実に把持できる。そのため、第１付着部分４３をより確実に除去することができる。

この際、上記したように、第１付着部分４３に上方への引き剥がし力が付与されないように、感圧接着シート９を、例えば、１２０度以上、好ましくは、１５０度以上、より好ましくは、１６５度以上、さらに好ましくは、１７０度以上、とりわけ好ましくは、１８０度で、剥離する。具体的には、感圧接着シート９を折り返すように、感圧接着シート９を剥離する。

すると、第１付着部分４３は、光半導体素子２の上面２２から剥離され、感圧接着シート９に追従する。また、第１付着部分４３の剥離が一回で完了しない時には、上記動作を複数回繰り返し、これによって第１付着部分４３の剥離を完了させる。

これによって、図１Ｃに示すように、複数の光半導体素子２と、それらの周側面２３を被覆する１つの第１反射層４とを備える第１反射層−素子集合体１１を、剥離基材８に支持された状態で得る。

第１反射層−素子集合体１１では、光半導体素子２の上面２２と第１反射層側部４４の上面とは略面一となっている。すなわち、第１反射層−素子集合体１１の上面は、略平坦である。

具体的には、光半導体素子２の上面２２と第１反射層側部４４の上面との段差（上下方向距離）は、例えば、好ましくは、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下、さらに好ましくは、２μｍ以下である。

（３）第３工程
第３工程では、図１Ｄ〜図２Ｆに示すように、複合機能層３を、光半導体素子２の上に配置する。

具体的には、光半導体素子２の上面および第１反射層側部４４の上面を被覆するように、蛍光体層６および拡散層７をこの順で配置する（第３−１工程）。次いで、蛍光体層６および拡散層７を、光半導体素子２に対応するように、除去する（第３−２工程）。

第３−１工程では、具体的には、図１Ｄおよび図１Ｅに示すように、第１反射層−素子集合体１１の上面全面に、蛍光体層６および拡散層７を順に配置する。

第１に、第１反射層−素子集合体１１の上面全面に、蛍光体層６を配置する。

まず、図示しない剥離基材に支持され、蛍光体層６からなる蛍光体層シート６０を用意する。蛍光体層６は、例えば、蛍光体と、シリコーン樹脂などの樹脂（熱硬化性樹脂、好ましくは、加熱によって変形できるＢステージとなることができる硬化性樹脂）とを含有する蛍光体樹脂組成物から調製する。

蛍光体は、光半導体素子の光の波長を変換する物質であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される蛍光体粒子が挙げられる。樹脂は、蛍光体を分散できる透明樹脂であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される封止樹脂などが挙げられる。また、蛍光体樹脂組成物は、チクソ付与粒子などの添加剤をさらに含有することもできる。上記した各成分の割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

なお、Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状または溶剤に可溶であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化または溶融する状態である。

好ましくは、加熱によって変形することができるＢステージの蛍光体層シート６０を用意する。次いで、１つの蛍光体層シート６０を、第１反射層−素子集合体１１の上面全面に、熱プレスする。これにより、蛍光体層６が、第１反射層−素子集合体１１の上面に貼着される。

このとき、熱プレス温度における蛍光体層シート６０の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、密着性の観点から、好ましくは、３，０００Ｐａ以上、１００，０００Ｐａ以下である。

第２に、蛍光体層６の上面全面に、拡散層７を配置する。

まず、図示しない剥離基材に支持され、拡散層７からなる拡散層シート７０を用意する。拡散層７は、例えば、光拡散性粒子と、シリコーン樹脂などの樹脂（熱硬化性樹脂、好ましくは、加熱によって変形できるＢステージとなることができる硬化性樹脂）とを含有する拡散樹脂組成物から調製する。

光拡散性粒子は、光を拡散する透明性の粒子であって、例えば、樹脂との屈折率差が高い粒子が挙げられる。具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子の屈折率は、例えば、１．４０以上１．６０以下である。光拡散性粒子と樹脂との屈折率差は、例えば、０．０４以上、好ましくは、０．１０以上であり、また、例えば、０．５０以下である。

樹脂は、光拡散性粒子を分散できる透明樹脂であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される封止樹脂が挙げられる。

また、拡散樹脂組成物は、チクソ付与粒子などの添加剤をさらに含有することもできる。上記した各成分の割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

好ましくは、加熱によって変形することができるＢステージの拡散層シート７０を用意する。次いで、拡散層シート７０を、蛍光体層６の上面全面に、熱プレスする。これにより、拡散層７が、蛍光体層６の上面に貼着される。

このとき、熱プレス温度における拡散層シート７０の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、密着性の観点から、好ましくは、３，０００Ｐａ以上、１００，０００Ｐａ以下である。

その後、ともにＢステージの蛍光体層６および拡散層７をＣステージ化させる。また、第１反射層４がＢステージである場合は、第１反射層もＣステージ化させる。具体的には、加熱を実施する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

これによって、複数の光半導体素子２と、１つの複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）と、１つの第１反射層４とを備える第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を、剥離基材８に支持された状態で得る。

第３−２工程では、図２Ｆに示すように、複合機能層３の一部を、光半導体素子２に対応するように、除去する。

すなわち、１つの複合機能層３の一部を除去して、１つの複合機能層３を個片化する。これにより、光半導体素子２に対応したサイズの複合機能層３が複数得られ、その結果、１つの光半導体素子２に対して、１つの複合機能層３が配置される。このとき、上下方向に投影したときに（平面視において）、それぞれの複合機能層３は、光半導体素子２を含み、かつ、光半導体素子２よりも大きくなるように、形成される。

具体的には、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２をハーフカットする。すなわち、側断面視において、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）を厚み方向に完全に切断し、第１反射層４の厚み方向途中まで切断する。また、平面視においては、図３Ｂが参照されるように、互いに隣接する光半導体素子２の間に面方向（前後方向および左右方向）に沿うように、すなわち、略碁盤目状に、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を切断する。

切断方法としては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を備えるダイシング装置を用いる。

ダイシングソーの刃厚は、幅広であって、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

これによって、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２には、互いに隣接する光半導体素子２の間、および、その最外側に、面方向に沿って整列する切断溝４５が形成される。その結果、複数の光半導体素子２と、複数の複合機能層３と、１つの第１反射層４とを備える第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３を、剥離基材８に支持された状態で得る。

（４）第４工程
第４工程では、図２Ｇおよび図２Ｈに示すように、第２反射層５を、複合機能層３の周側面３２に配置する。

具体的には、複合機能層３を第２反射層５に埋没させる（第４−１工程）。次いで、複合機能層３の上面３１に付着する第２反射層５を除去する（第４−２工程）。

第４−１工程では、例えば、第２反射層５からなる第２反射層シートを用意する。

第２反射層は、第２反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成されている。第２反射樹脂組成物は、例えば、光反射成分、および、樹脂を含有する。

第２反射樹脂組成物に含有される光反射成分および樹脂としては、第１反射樹脂組成物に含有される光反射成分および樹脂と同様のものが挙げられる。

光反射成分の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

樹脂の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

第２反射樹脂組成物は、好ましくは、粒子の一例としての第２スペーサー粒子を含有する。

第２スペーサー粒子は、第４−２工程において形成される第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａが所望範囲となるように、第２反射樹脂組成物に任意的に配合される微小凹凸付与成分である。また、第２スペーサー粒子は、第２反射層５の強化や、第２反射樹脂組成物を増量させるために、第２反射樹脂組成物に任意的に配合されるフィラーでもある。

第２スペーサー粒子としては、第１スペーサー粒子と同様である。

第２スペーサー粒子の平均粒子径は、好ましくは、第１スペーサー粒子の平均粒子径よりも大きい。具体的には、第２スペーサー粒子の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。これにより、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を所望の表面粗さに容易に調整することができるため、第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第２スペーサー粒子の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

さらに、第２反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子などの添加剤を添加することができる。

そして、まず、上記した光反射成分と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加される第２スペーサー粒子などとを配合して、それらを混合して、液状の第２反射樹脂組成物を調製する。

次いで、第１反射層シートにて上記したのと同様の方法にて、図示しない剥離基材の表面に第２反射層シート（好ましくは、Ｂステージの第２反射層シート）を用意する。

次いで、第２反射層シートを、複数の複合機能層３の上面３１に配置する。具体的には、第２反射層シートを、複数の複合機能層３のそれぞれに接触する。

続いて、第２反射層シートが、上記したＢステージとなることができ、そのＢステージにおける加熱によって十分に軟化して変形することができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第２反射層シートを加熱する。

具体的には、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、Ｂステージの第２反射層シート５０を、平板プレス１８を用いて、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３に対して熱プレスする。熱プレスなどの条件は、第１反射層シート４０にて上記したのと同様である。

そうすると、第２反射層シート５０は、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）のそれぞれを埋没させる。具体的には、第２反射樹脂組成物が、隣接する複合機能層３の間、すなわち、切断溝４５に充填されるとともに、最外側に配置される複合機能層３の周側面３２を被覆する。これによって、複数の複合機能層３のすべての周側面３２が第２反射層５によって被覆される。また、第１反射層４の内側部４１の上部の外周面も第２反射層５によって被覆される。

これとともに、複合機能層３の上面３１も、第２反射樹脂組成物によって被覆され、第２付着部分５１が形成される。

第２付着部分５１は、機能層−反射層付素子１に本来不要な部分であって、第４−２工程によって不可避的に形成される部分である。

同時に、熱プレスにおいて、第２付着部分５１は、比較的硬い第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の複合機能層３の上面３１（樹脂面）に位置するから、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の周端部に位置する第２反射層端部５２に比べて、高い圧力で下側に圧縮される。そのため、図６Ｂに示すように、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３は、剥離基材８に向かってわずかに沈み込む。

続いて、上記した第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３へのプレスが解放されると、図６Ｃに示すように、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３は、復元し、つまり、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の下面が、周囲の剥離基材８の上面と同一位置に配置される。第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の復元に伴って、切断溝４５に充填されている第２反射樹脂組成物（第２反射層側部５３）も、第２反射層端部５２に流れ出る。そのため、第２付着部分５１の上面は、第２反射層端部５２や第２反射層側部５３の上面に対して、上側に位置する。例えば、第２反射層端部５２および第２反射層側部５３の上面は、複合機能層３の上面３１と同一位置に配置される。

これによって、第４−１工程において、第２反射層端部５２、第２反射層側部５３と、第２付着部分５１とを有する第２反射層５が形成される。

第２付着部分５１の上面は、図２Ｇでは、平坦状に描画されているが、実際には、第２反射樹脂組成物に含有される第２スペーサー粒子の形状に基づく、極めて微小な凹凸形状を有する。

そのため、第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａが上記した下限以上であれば、感圧接着シート９と第２付着部分５１との接触面積が向上する。また、算術平均粗さＲａが上記した上限以下であれば、感圧接着シート９を第２付着部分５１の上面に十分に広がらせることができる。その結果、次に説明する第４−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第２付着部分５１の厚みＴ２は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。第２付着部分５１の厚みＴ２が上記した上限以下であれば、剥離方向への第２付着部分５１の屈曲を円滑にできるので、第４−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第２付着部分５１の厚みＴ２は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上である。第２付着部分５１の厚みＴ２が上記した下限以上であれば、剥離時の屈曲変形に第２付着部分５１が追従できるので、第４−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第４−２工程では、図２Ｈに示すように、複合機能層３の上面３１に付着する第２反射層５、すなわち、第２付着部分５１を除去する。

第２付着部分５１を除去するには、例えば、図５Ａおよび図５Ｂが参照されるように、感圧接着シート９を用いる。

感圧接着シート９は、第１付着部分４３の除去で上記したものと同様のものが挙げられる。

この方法では、感圧接着シート９の感圧接着面を、第２付着部分５１の上面に対向配置し、第２付着部分５１に感圧接着し、続いて、第２付着部分５１を、複合機能層３の上面３１から引き剥がす。

具体的には、第１付着部分４３の除去方法と同様である。

すると、第２付着部分５１は、複合機能層３の上面３１から剥離され、感圧接着シート９に追従する。

その後、第２反射層５がＢステージである場合は、加熱などにより、Ｃステージ化する。加熱条件は、第１反射層４の場合と同様である。

これによって、複数の光半導体素子２と、複数の複合機能層３と、１つの第１反射層４と、１つの第２反射層５とを備える機能層−反射層−素子集合体１４を、剥離基材８に支持された状態で得る。

（５）第５工程
第５工程では、図２Ｉに示すように、機能層−反射層−素子集合体１４を個片化する。

すなわち、互いに隣接する光半導体素子２の間の第１反射層４および第２反射層５を切断して、複数の光半導体素子２を個片化する。

これにより、１つの光半導体素子２に対して、１つの複合機能層３、１つの第１反射層４および１つの第２反射層５がそれぞれ配置される。

具体的には、機能層−反射層−素子集合体１４を厚み方向に完全に切断する。すなわち、側断面視において、隣接する光半導体素子２の間の第１反射層４および第２反射層５を厚み方向に完全に切断する。また、平面視においては、図３Ｂに示すように、互いに隣接する光半導体素子２の間に面方向（前後方向および左右方向）に沿うように、すなわち、略碁盤目状に、機能層−反射層−素子集合体１４を切断する。

切断には、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。

ダイシングソーの刃厚は、第３−２工程で使用するダイシングソーの刃厚よりも狭く、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

これにより、図２Ｊに示す機能層−反射層付素子１を得る。

この機能層−反射層付素子１は、次に説明する光半導体装置１５（図７参照）ではなく、つまり、光半導体装置１５に備えられる基板１６を含まない。つまり、機能層−反射層付素子１は、光半導体装置１５の一部品、すなわち、光半導体装置１５を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

（６）実装工程
その後、図７に示すように、機能層−反射層付素子１を基板１６に実装する。具体的には、光半導体素子２を基板１６にフリップチップ実装する。

これによって、基板１６と、機能層−反射層付素子１とを備える光半導体装置１５を得る。

３．一実施形態の作用効果
この製造方法によれば、第２工程で、光半導体素子２の周側面２３に第１反射層４を配置し、第３工程で、光半導体素子２の上に複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）を配置し、第４工程で、複合機能層３の周側面３２に第２反射層５を配置する。すなわち、第１反射層４を、複合機能層３を配置していない光半導体素子２の周側面２３に対して第１反射層４を配置し、その後、複合機能層３を配置した第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の周側面３２に対して第２反射層５を配置する。このため、光半導体素子２および複合機能層３の周側面に、第１光反射層４および第２光反射層５をそれぞれ確実に配置することができる。すなわち、光半導体素子に対して機能層が面方向に大きく、隅部１９（図２Ｊ参照）が多い蛍光体層−反射層付きの光半導体素子に対して、直接、反射層を配置することを回避することができる。そのため、機能層−反射層付素子１において、反射層（第１反射層４および第２反射層５）の充填不十分による隙間の発生を抑制することができる。その結果、反射層における反射ムラを抑制し、発光装置から照射される光の均一性を良好にすることができる。

また、この製造方法によれば、第２工程において、光半導体素子２の上面２２に付着する第１反射層４を除去する。

このため、光半導体素子２の上面２２から発光される光が、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）に確実に到達することができ、複合機能層３による所望の特性を確実に奏することができる。すなわち、波長変換された色ムラのない光を取り出すことができる。

また、この製造方法によれば、第２工程において光半導体素子２の上面２２に付着する第１付着部分４３の厚みＴ１が、５０μｍ以下であり、第１付着部分４３の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下である。

すなわち、第１付着部分４３が、平滑である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、感圧接着剤を第１付着部分４３の上面に十分に広がらせて、感圧接着シート９の第１付着部分４３に対する被着面積の低下を抑制することができる。また、第１付着部分４３が、薄膜である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、剥離方向への第１付着部分４３の屈曲を円滑にすることができる。したがって、第２工程において第１付着部分４３を確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第２工程において、光半導体素子２の上面２２に付着する第１付着部分４３を、感圧接着シート９を用いて、光半導体素子２の上面２２から引き剥がす。

このため、第１付着部分４３を、簡易かつ確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第３工程では、光半導体素子２の上面２２および第１反射層４の上面を被覆するように、複合機能層３を配置し、続いて、複合機能層３を、光半導体素子２に対応するように、除去する。

このため、所望の形状の複合機能層３を光半導体素子２の上面に確実に配置することができる。

また、この製造方法によれば、第４工程では、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を除去する。

このため、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）による所望の特性を確実に奏することができる。すなわち、波長変換された色ムラのない光を取り出すことができる。

この製造方法によれば、第４工程において第２付着部分５１の厚みＴ２が、５０μｍ以下であり、第２付着部分５１の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下である。

すなわち、第２付着部分５１が、平滑である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、感圧接着剤を第２付着部分５１の上面に十分に広がらせて、感圧接着シート９の第２付着部分５１に対する被着面積の低下を抑制することができる。また、第２付着部分５１が、薄膜である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、剥離方向への第２付着部分５１の屈曲を円滑にすることができる。したがって、第４工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第４工程において、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を、感圧接着シートを用いて、上面から引き剥がす。

このため、第２付着部分５１を簡易かつ確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第２反射層５に含有される第２スペーサー粒子の平均粒子径が、第１反射層４に含有される第１スペーサー粒子の平均粒子径よりも大きい。

このため、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を除去する場合において、その第２付着部分５１が残存することを抑制できる。したがって、第２付着部分５１を確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第１反射層４に含有される第１スペーサー粒子の平均粒子径が、１０μｍ以下であるため、光半導体素子２の上面２２に付着する第１付着部分４３を所望の表面粗さに容易に調整することができる。したがって、例えば、第１付着部分４３を感圧接着シート９を用いて除去する際に、感圧接着シート９と十分に密着することができ、その第１付着部分４３が光半導体素子２の上面２２に残存することを抑制でき、第１付着部分４３を確実に除去できる。さらには、光半導体素子２の上面２２の周りの第１反射層側部４４に、第１付着部分４３の除去残余が大きな塊（例えば、第１スペーサー粒子の凝集物）となって堆積することを抑制することができるため、第１反射層側部４４の上面と、光半導体素子２の上面２２とを平坦にすることができる。そのため、複合機能層３（例えば、蛍光体層６）の厚みを均一および平坦とすることができ、光の色ムラを抑制することができる。さらには、第３工程において、複合機能層３を容易かつ確実に配置することができる。

一方、第２反射層５に含有される第２スペーサー粒子の平均粒子径が、１５μｍ以上であるため、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を所望の表面粗さに容易に調整することができる。したがって、例えば、第２付着部分５１を感圧接着シート９を用いて除去する際に、感圧接着シート９と十分に密着することができ、その第２付着部分５１が複合機能層３の上面３１に残存することを抑制でき、第２付着部分５１を確実に除去することができる。

これらにより、光半導体素子２の上面２２や複合機能層３の上面３１に余分な付着部分の残存を抑制できるため、光半導体素子２から発光され、複合機能層３によって所望の機能を奏する光を、確実に取り出すことができる。

また、この製造方法によれば、第１工程では、光半導体素子２を、互いに間隔を隔てて複数配置し、第２工程では、第１反射層４を、互いに隣接する光半導体素子２の間に充填し、第３工程では、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）を、それぞれ、複数の光半導体素子２の上に配置し、第４工程では、第２反射層５を、互いに隣接する複合機能層３の間に充填する。

このため、複数の機能層−反射層付素子１を効率よく製造することができる。

＜変形例＞
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

（１）一実施形態では、図１Ａ〜図１Ｂおよび図４Ａ〜図４Ｃに示すように、第２工程において、第１反射層シート４０から第１反射層４を形成しているが、これに限定されない。例えば、第１反射樹脂組成物をポッティングすることにより、第１反射層４を形成することもできる。

この実施形態では、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、光半導体素子２の上面２２に付着する第１反射層４（第１付着部分４３）の上面と、光半導体素子２の周側面２３に配置される第１反射層側部４４の上面とが面一となる。

この実施形態では、その後、第２−２工程を実施すると、すなわち、感圧接着シート９を、第１反射層４の上面に感圧接着し、剥離すると、光半導体素子２の上面２２に付着する第１反射層４（第１付着部分４３）のみが除去される。

これによって、図８Ｂに示すように、第１反射層−素子集合体１１において、第１反射層側部４４の上面は、光半導体素子２の上面２２よりも高くなる。

好ましくは、第１反射層シート４０から第１反射層４を形成する。第１反射層シート４０を用いる方法では、第１付着部分４３の厚みＴ１を５０μｍ以下、その算術平均粗さＲａを、１０μｍ以下に好適に調整することができ、第２−２工程において第１付着部分４３を確実に除去できる。また、第１反射層−素子集合体１１において、第１反射層側部４４の上面と光半導体素子２の上面２２とを面一にすることができる。すなわち、第１反射層−素子集合体１１の上面は平坦とすることができる。

（２）一実施形態では、図２Ｆおよび図２Ｇに示すように、第４工程において、第２反射層シート５０から第２反射層５を形成しているが、これに限定されない。例えば、第２反射樹脂組成物をポッティングすることにより、第２反射層５を形成することもできる。

この実施形態では、図示しないが、光半導体素子２の上面２２に付着する第２反射層５（第２付着部分５１）の上面と、複合機能層３の周側面３２に配置される第２反射層側部５３の上面とが面一となる。すなわち、第２反射層５の上面は平坦となる。

この実施形態では、その後、第４−２工程を実施すると、光半導体素子２の上面２２に付着する第２反射層５（第２付着部分５１）のみが除去される。

これによって、第１反射層−素子集合体１１において、第２反射層側部５３の上面は、複合機能層３の上面３１よりも高くなる。

好ましくは、第２反射層シート５０から第２反射層５を形成する。第２反射層シート５０を用いる方法では、第２付着部分５１の厚みＴ２を５０μｍ以下、その算術平均粗さＲａを、１μｍ以上、１０μｍ以下に好適に調整することができ、第２−２工程において第２付着部分５１を確実に除去できる。また、機能層−反射層付素子１において、第２反射層５の上面と複合機能層３の上面３１とを面一にして、第２反射層５の上面および複合機能層３の上面３１を平坦にすることができる。

（３）一実施形態では、図２Ｊに示すように、複合機能層３は、蛍光体層６および拡散層７からなる２層であるが、例えば、複合機能層３を構成する各層は、これに限定されない。例えば、拡散層７に代えて、透明層とすることもできる。また、有色層、熱伝導層などとすることもできる。

透明層は、上記した樹脂と、充填材とを適宜の割合で含有した透明樹脂組成物から形成される。充填材としては、上記した第１スペーサー粒子が挙げられ、上記した樹脂と屈折率が実質的に同一の屈折率を有する。

また、複合機能層３は、拡散層７および透明層からなる２層などであってもよい。

（４）一実施形態では、図２Ｊに示すように、複合機能層３は、２層からなるが、図９に示すように、複合機能層３は、例えば、蛍光体層６、拡散層７および透明層からなる３層とすることもできる。

（５）一実施形態では、図２Ｊに示すように、複合機能層３として、２層からなるが、例えば、図１０に示すように、単層の機能層とすることができる。具体的には、蛍光体層６、拡散層７および透明層のいずれの単層であってもよい。

（６）一実施形態では、図２Ｊに示すように、第１被覆層および第２被覆層として、第１反射層および第２反射層をそれぞれ用いているが、例えば、図示しないが、これらに代えて、蛍光体層６、拡散層７、透明層、有色層または熱伝導層とすることもできる。

（７）一実施形態では、図２Ｊに示すように、第２反射層５は、光半導体素子２と間隔を隔てているが、例えば、図１１に示すように、一方向（前後方向または前後方向）において、第２反射層５は、光半導体素子２の周側面２３と接触することもできる。

（８）一実施形態では、図２Ｊに示すように、第２反射層５の下面は、光半導体素子２の下面よりも上方に位置しているが、例えば、図１２に示すように、第２反射層５の下面は、光半導体素子２の下面と同じ高さとすることもできる。すなわち、この実施形態では、光半導体素子２の下面、第１反射層４の下面および第２反射層５の下面は、面一となる。この実施形態は、例えば、図２Ｆの第３−２工程において、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２をフルカットすることにより得ることができる。

（９）一実施形態では、図２Ｊに示すように、蛍光体層６は、面方向に平坦な平板形状であるが、例えば、図１３に示すように、蛍光体層６において、光半導体素子２よりも外側に位置する周端部を、上側に突出させることもできる。この実施形態は、例えば、上記した第２工程において、第１反射樹脂組成物のポッティングにより、第１反射層４の上面を光半導体素子２の上面２２よりも上方に位置させ、第３工程において、Ｂステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を第１反射層−素子集合体１１に順に配置し、熱プレスする工程により得られる。

好ましくは、図２Ｊに示す実施形態である。この実施形態によれば、複合機能層３（例えば、蛍光体層６）の厚みを均一および平坦とすることができ、光の色ムラを抑制することができる。また、第３工程において、複合機能層３を容易かつ確実に配置することができる。

（１０）一実施形態では、図５Ｂに示すように、第２工程および第４工程において、感圧接着シート９を好適には１８０度剥離しているが、剥離方向は特に限定されない。感圧接着シート９を、例えば、図示しないが、９０度剥離することもできる。好ましくは、第２工程および第４工程では、一実施形態のように、感圧接着シート９を１８０度剥離する。これにより、第１付着部分４３または第２付着部分５１に上方への引き剥がし力が付与されず、剥離基材ごと持ち上げることなく剥離できるので、各付着部分を各上面から確実に引き剥がすことができる。

（１１）一実施形態では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、第２工程および第４工程において、感圧接着シート９を用いて第１付着部分４３および第２付着部分５１を除去している。しかし、第１付着部分４３および第２付着部分５１の除去は、上記に限定されない。例えば、図示しないが、溶媒を用いる方法、研磨部材を用いる方法などを用いることもできる。

溶媒としては、例えば、反射樹脂組成物を完全または部分的に溶解または分散させることができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素が挙げられる。

この方法では、次いで、上記した溶媒を布に吸収させ、その布によって、第１付着部分４３または第２付着部分５１を含む反射層の上面を拭く。

研磨部材としては、バフなどの布、ブラシ、ウォーターブラストなどが挙げられる。

研磨部材によって、第１付着部分４３または第２付着部分５１を含む反射層の上面を研磨する。

また、上記した各方法は、適宜併用することができる。例えば、まず、溶媒によって、第１反射層４または第２反射層５の上面を拭き、その後、感圧接着シート９で付着部分を引き剥がす。

（１２）一実施形態では、第３−１工程において、Ｂステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を熱プレスにより第１反射層−素子集合体１１に配置しているが、例えば、図示しないが、Ｃステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を第１反射層−素子集合体１１に配置することもできる。この場合、好ましくは、光半導体素子２と蛍光体層６との間に透明接着剤を配置する。

好ましくは、透明接着剤を不要とし、蛍光体層６、拡散層７および光半導体素子２の密着性の観点から、Ｂステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を用いる。

（１３）一実施形態では、第２−１工程において、まず、第１反射層４を形成し、第１付着部分４３を含む第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、第１付着部分４３を除去し、その後、第１付着部分４３が除去された第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）している。

しかし、例えば、まず、第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）した後、第１付着部分４３を除去することもできる。

好ましくは、第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、第１付着部分４３を除去する。これにより、第１付着部分４３を簡易かつ確実に除去することができる。

この実施形態は、第４−１工程における、第２付着部分５１を含む第２反射層５についても同様である。

（１４）一実施形態では、蛍光体層６は、蛍光体樹脂組成物から略平板状に形成されているが、例えば、蛍光体層６は、蛍光体セラミックスプレートから形成されていてもよい。蛍光体セラミックスプレートは、例えば、特開２０１５−２１６３５５号公報などを参照に製造することができる。

（１５）一実施形態では、図１Ｄ〜図２Ｆに示すように、光半導体素子２の上に、１つの複合機能層３を配置し、その複合機能層３の一部を、光半導体素子２および第１反射層４の上面に対応するように、除去しているが、例えば、図示しないが、光半導体素子２に対応するように予め切断（除去）された複数の複合機能層３を光半導体素子２および第１反射層４の上面に配置することもできる。

好ましくは、光半導体素子２に対する複合機能層３の位置精度の観点から、光半導体素子２の上に、１つの複合機能層３を配置し、複合機能層３の一部を、光半導体素子２および第１反射層４の上面に対応するように、除去する。

（１６）一実施形態では、図１Ａ〜図２Ｄに示すように、複数の光半導体素子を剥離基材８の上に整列配置し、複数の機能層−反射層付素子１を製造しているが、例えば、図示しないが、１つの光半導体素子を剥離基材８の上に配置し、１つの機能層−反射層付素子１を製造することもできる。

好ましくは、生産効率の観点から、複数の光半導体素子２を剥離基材８の上に整列配置し、複数の機能層−反射層付素子１を製造する。

上記した各変形例は、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１
複数の光半導体素子２を、剥離基材８の上に互いに間隔を隔てて整列配置した（第１工程、図１Ａ、図３Ａ）
フェニル系シリコーン樹脂（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂）１００質量部に、光反射成分として酸化チタン粒子（平均二次粒子径０．３６μｍ）４０質量部、および、第１スペーサー粒子としてのガラス粒子（平均一次粒子径４μｍ）４０質量部を配合することにより、第１反射樹脂組成物を調製した。別途、剥離基材の表面に第１反射樹脂組成物を塗布および加熱して、Ｂステージの第１反射層シート４０を作製した。

続いて、第１反射層シート４０を、複数の光半導体素子２の上面２２に配置して、熱プレスした。これによって、光半導体素子２の周側面２３に第１反射層４を配置した（第２−１工程、図１Ｂ、図４Ａ〜図４Ｃ）。なお、光半導体素子２の上面２２には、第１反射層４の一部である第１付着部分４３が付着した。第１付着部分４３の厚みＴ１は、１０μｍであり、その上面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９））は、０．４５μｍであった。

アクリル系感圧接着シート９を第１付着部分４３の上面に接着し、１８０度剥離することにより、第１付着部分４３を光半導体素子２から剥離した（第２−２工程、図１Ｃ、図５Ａ〜図５Ｂ）。これによって、複数の光半導体素子２と第１反射層４とを備える第１反射層−素子集合体１１を、剥離基材で支持した状態で得た。

蛍光体およびシリコーン樹脂を含有するＢステージの蛍光体層シート６０、ならびに、光拡散成分およびシリコーン樹脂を含有するＢステージの拡散層シート７０を作製し、これらを順に第１反射層−素子集合体１１に熱プレスした。その後、第１反射層、蛍光体層および拡散層を加熱によりＣステージ化した（完全硬化させた）。これによって、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を得た（第３−１工程、図１Ｄ〜図１Ｅ）。

続いて、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を、幅広のダイシングソーを用いて、碁盤目状にハーフカットして、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３を得た（第３−２工程、図２Ｆ）。

フェニル系シリコーン樹脂（Ｂステージとなることができる１段反応硬化性樹脂）１００質量部に、光反射成分として酸化チタン粒子（平均二次粒子径０．３６μｍ）６０質量部、および、第２スペーサー粒子としてのガラス粒子（平均一次粒子径２０〜３０μｍ）４０質量部を配合することにより、第２反射樹脂組成物を調製した。第２反射樹脂組成物を剥離基材の表面に塗布および加熱して、Ｂステージの第２反射層シート５０を作製した。

続いて、Ｂステージの第２反射層シート５０を、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の上面に配置し、熱プレスした。これによって、Ｂステージの第２反射樹脂組成物を、蛍光体層６および拡散層７の周側面３２（ハーフカットの切断溝４５）に第２反射層５を配置した（第４−１工程、図２Ｇ、図６Ａ〜図６Ｃ）。なお、複合機能層３の上面３１には、第２反射層５の一部である第２付着部分５１が付着した。第２付着部分５１の厚みＴ２は、３０μｍであり、その上面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９））は、３．５μｍであった。

アクリル系感圧接着シート９を第２付着部分５１の上面に接着し、１８０度剥離することにより、第２付着部分５１を拡散層７から剥離した。その後、第２反射層を加熱によりＣステージ化した。これによって、機能層−反射層−素子集合体１４を得た（第４−２工程、図２Ｈ）。

機能層−反射層−素子集合体１４を、幅狭のダイシングソーを用いて、碁盤目状にフルカットして、個片化した（第５工程、図２Ｉ）。

このようにして、機能層−反射層付素子１を製造した（図２Ｊ）。

実施例２〜３
第１反射組成物の第１スペーサー粒子の平均粒子径を、表１に記載の平均粒子径に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、機能層−反射層付素子１を製造した。

実施例４〜５
第２反射組成物の第２スペーサー粒子の平均粒子径を、表１に記載の平均粒子径に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、機能層−反射層付素子１を製造した。

（光半導体素子の上面と、第１反射層側部の上面の段差）
各実施例において、第１付着部分４３を除去した第２−２工程後において、光半導体素子２の上面２２と、第１反射層側部４４の上面との段差をダイヤルゲージによって測定した。その結果を表１に示す。

（剥離性）
各実施例において、感圧接着シート９にて第２付着部分５１を除去した第４−２工程後において、剥離性を下記で評価した。

第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の複数の複合機能層３の上面３１に配置されている複数の第２付着部分５１について、９０％以上の割合で剥離できた場合を○と評価し、５０％以上９０％未満の割合で剥離できた場合を△と評価し、５０％未満の割合でしか剥離できなかった場合を×と評価した。結果を表１に示す。

１ 機能層−反射層付素子
２ 光半導体素子
３ 複合機能層
４ 第１反射層
５ 第２反射層
８ 剥離基材
９ 感圧接着シート
２１ 光半導体素子の下面
２２ 光半導体素子の上面
２３ 光半導体素子の周側面
３１ 複合機能層の上面
３２ 複合機能層の周側面
４３ 第１付着部分
５１ 第２付着部分

Claims (11)

1. 電極が設けられる下面、前記下面に対向する上面、および、前記下面と前記上面との周端縁を連結する側面を有する光半導体素子を、剥離基材の上に、前記下面と前記剥離基材とが接触するように、配置する第１工程、
   第１被覆層を、前記光半導体素子の側面に配置する第２工程、
   機能層を、前記光半導体素子の上に、前記光半導体素子を上下方向に投影したときに前記機能層が前記光半導体素子を含み、かつ前記機能層が前記光半導体素子よりも大きくなるように、配置する第３工程、ならびに、
   第２被覆層を、前記機能層の側面に配置する第４工程、
   を備えることを特徴とする、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
2. 前記第２工程では、前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層を除去する工程を備えることを特徴とする、請求項１に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
3. 前記第２工程において前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層の厚みＴ１が、５０μｍ以下であり、
   前記第１被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
4. 前記第２工程において前記光半導体素子の前記上面に付着する前記第１被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がすことを特徴とする、請求項２または３に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
5. 前記第３工程では、
   前記光半導体素子の前記上面および前記第１被覆層の上面を被覆するように、機能層を配置する工程、ならびに、
   前記機能層を、前記光半導体素子に対応するように、除去する工程
   を備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
6. 前記第４工程では、前記機能層の上面に付着する前記第２被覆層を除去する工程を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
7. 前記第４工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層の厚みＴ２が、５０μｍ以下であり、
   前記第２被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項６に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
8. 前記第４工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がすことを特徴とする、請求項６または７に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
9. 前記第２被覆層に含有される粒子の平均粒子径が、前記第１被覆層に含有される粒子の平均粒子径よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
10. 前記第１被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１０μｍ以下であり、
    前記第２被覆層に含有される前記粒子の平均粒子径が、１５μｍ以上であることを特徴とする、請求項９に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
11. 前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、
    前記第２工程では、第１被覆層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に充填し、
    前記第３工程では、前記機能層を、それぞれ、前記複数の光半導体素子の上に配置し、
    前記第４工程では、第２被覆層を、互いに隣接する前記機能層の間に充填することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。

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