JP2001144037A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び製造装置

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JP2001144037A
JP2001144037A JP32711699A JP32711699A JP2001144037A JP 2001144037 A JP2001144037 A JP 2001144037A JP 32711699 A JP32711699 A JP 32711699A JP 32711699 A JP32711699 A JP 32711699A JP 2001144037 A JP2001144037 A JP 2001144037A
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flat plate
adhesive sheet
wafer
double
sided adhesive
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Masahiro Murata
正博 村田
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 極薄ウェーハをダイシングする際の、チップ
の品質低下、作業性低下及びダイシング装置の損傷を防
止する。 【解決手段】 多数の貫通孔3Aを有する平板3上に両面
粘着シート2でウェーハ1を貼着し、これをダイシング
装置のダイシングテーブル4に固定した後、ウェーハ1
をレーザ光で全厚切断して多数のチップ1Aに分割し、チ
ップ1A上に片面粘着シート6を貼着した後、剥離工具8
の剣山状のピン8Aを平板3の各貫通孔3Aと嵌合させてチ
ップ1Aが貼着された該両面粘着シート2を平板3から突
き離し、その両面粘着シート2の平板3から剥離した面
に粘着テープ9を貼着した後、粘着テープ9に貼着され
た両面粘着シート2を片面粘着シート6に貼着されたチ
ップ1Aから剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及び製造装置に係り、特に半導体ウェーハを個々の
半導体チップに分割する方法(ダイシング方法)、及び
その際に使用する工具に関する。
【0002】
【従来の技術】ウェーハの分割方法としては、ウェーハ
を粘着シートに貼着してダイシングテーブルに固定し、
高速で回転するダイシングブレードにより、ウェーハの
全厚を切断する(フルカットする)方式が主流となって
いる。この方式では、ウェーハの切断部分にクラックが
入って微小な欠けを生じること(チッピング)が知られ
ている。その他、レーザ光でウェーハの全厚を切断する
方式や、ダイシングブレードでウェーハに切り溝を入れ
た後に切り残した溝底部をレーザ光で切断する方式など
が提案されている。
【0003】レーザ光で切断する場合、図4の従来例を
示す断面図に示すように、ウェーハ1をリングフレーム
7に貼着支持された保持シート10に貼着してこれをダ
イシング装置のダイシングテーブル4上に固定した状態
でウェーハ1にレーザ光5を照射し、ウェーハ1をチッ
プ1Aに分割していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、LSIパッケー
ジの薄型化の要求に対応してウェーハの薄板化が進み、
極薄ウェーハが使用されるようになっている。このよう
な極薄ウェーハを分割する場合、前述のダイシングブレ
ードによるフルカット方式ではチッピングを生じた際の
チップへのダメージが大きく、抗折強度が低下する、と
いう問題があった。また、レーザ光で切断する場合に
は、保持シートまでフルカットされてその後のハンドリ
ングが面倒になって量産に不適である上、ダイシング装
置のダイシングテーブルの表面を傷つける、という問題
があった。
【0005】本発明は、このような問題を解決して、極
薄ウェーハであってもチップの抗折強度低下を生じるこ
となく、且つ切断後の作業性も確保され、ダイシングテ
ーブルを傷つけることのないダイシング方法とそのため
の工具を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、ウェーハを両面粘着シートによ
り平板上に貼着する工程と、該ウェーハの表面側からレ
ーザ光を照射して該ウェーハを全厚にわたり切断する工
程と、該ウェーハの表面側全面に片面粘着シートを貼着
する工程と、該両面粘着シートを該平板から剥離する工
程と、該両面粘着シートの該平板から剥離した面に粘着
テープを貼着する工程と、該両面粘着シートを該ウェー
ハから剥離する工程とを有する半導体装置の製造方法と
している。
【0007】また、本発明においては、前記平板は複数
の貫通孔を備えており、前記両面粘着シートを該平板か
ら剥離する工程では、該平板の各貫通孔にピンを挿入し
て該ピンにより該両面粘着シートを突き離す半導体装置
の製造方法としている。
【0008】また、本発明においては、複数の貫通孔を
備えた平板と、該貫通孔の径より細く且つ該平板の厚さ
より長いピンが複数の該貫通孔の配置と同じ配置でピン
支持板の片面に剣山状に植設されてなる剥離工具とを含
む半導体装置の製造装置としている。
【0009】即ち、ウェーハをフルカットしてもチップ
は平板に貼着されており、その状態でチップを従来の保
持シートに相当する片面粘着シートに貼着するから、フ
ルカットであってもチップを整列した状態でハンドリン
グできる。また、切断時にはウェーハを平板を介してダ
イシングテーブル上に載置するから、フルカットであっ
てもダイシングテーブルが傷つくことはなく、平板が傷
ついたとしても平板は補修・交換が容易に行える。
【0010】また、この平板には多数の貫通孔を設けて
あり、この貫通孔と嵌合し且つ平板の厚さより大きい長
さのピンが剣山状に植設された剥離工具を使用するか
ら、ウェーハが貼着された両面粘着シートから平板を剥
離するのが容易である。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を参照しながら説明する。図1は本発明の製造方法の実
施例を示す断面図、図2は本発明に係る平板を示す斜視
図、図3は本発明に係る剥離工具を示す斜視図である。
【0012】先ず、ウェーハ1の裏面側全面に両面粘着
シート2を貼着し、これを平板3の片面に貼着する。こ
の状態が図1(a) である。この両面粘着シート2として
は、厚さが大で(例えば 0.1〜0.5 mm)、粘着剤の粘着
力が比較的弱いものが良い。平板3は図2に示したよう
に、硬質で耐熱性のある材料(金属,セラミック,プラ
スチック)からなる円板(例えば厚さ2mm、直径220
mmの金属板)であり、略全面に同一径(例えば1mm)の
多数の貫通孔3aが一定のピッチ(例えば3mmピッチ)
で設けられている。
【0013】次に、このウェーハ1が貼着された平板3
をダイシング装置のダイシングテーブル4上にウェーハ
1表面を上に向けて固定した後、ウェーハ1表面のダイ
シングラインに沿ってレーザ光5を照射し、ウェーハ1
をフルカットして多数のチップ1Aに分割する。この状
態が図1(b) である。尚、この際、両面粘着シート2は
ハーフカットとなる方が望ましい。フルカットとなって
もよいが、切断が平板3にも及んでその表面に溝が生じ
るようならば、より厚い両面粘着シート2を使用するな
どして、平板3の切断をなるべく防止する。
【0014】次に、リングフレーム7に貼着された片面
粘着シート6を、総てのチップ1Aの表面側をカバーす
るように貼着する。この状態が図1(c) である。尚、こ
の片面粘着シート6としては、チップ1A表面との接着
強度がウェーハ1裏面と両面粘着シート2との接着強度
より大であるものを使用する。
【0015】次に、多数のチップ1Aと片面粘着シート
6が貼着された平板3をダイシングテーブル4から外し
た後、平板3の下面が上向きとなるように反転し、剥離
工具8の各ピン8aを平板3の各貫通孔3aに挿入す
る。更に剥離工具8を下方に押圧して各ピン8aを平板
3の両面粘着シート2貼着面から突出させることで、チ
ップ1Aが貼着された両面粘着シート2を平板3から剥
離する。この状態が図1(d) である。尚、この剥離工具
8は図2に示したように、平板3の貫通孔3aの径より
細く(例えば、0.6 mm)且つ平板3の厚さより長い(例
えば、3mm)ピン8aが、平板3における貫通孔3aの
配置と同じ配置でピン支持板8bの片面に剣山状に植設
されたものである。このピン8aの端面は平坦もしくは
平坦に近い球面とする。
【0016】次に、両面粘着シート2の平板3から剥離
した露出面に新たに粘着テープ9を貼着した後、この粘
着テープ9に貼着された両面粘着シート2を片面粘着シ
ート6に貼着されたチップ1Aから剥離する。尚、この
粘着テープ9としては、両面粘着シート2との接着強度
がチップ1A裏面と両面粘着シート2との接着強度より
大であるものを使用する。図1(e) は剥離中の状態を、
図1(f) は剥離後の状態をそれぞれ示している。この図
1(f) の状態で次工程に送られる。
【0017】本発明は以上の例に限定されることなく、
更に種々変形して実施することができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
極薄ウェーハであってもチップの抗折強度低下を生じる
ことなく、且つ切断後の作業性も確保され、ダイシング
テーブルを傷つけることのないダイシング方法とそのた
めの工具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す断面図である。
【図2】 本発明に係る平板を示す斜視図である。
【図3】 本発明に係る剥離工具を示す斜視図である。
【図4】 従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ウェーハ 2 両面粘着シート 3 平板 3a 貫通孔 4 ダイシングテーブル 5 レーザ光 6 片面粘着シート 7 リングフレーム 8 剥離工具 8a ピン 8b ピン支持板 9 粘着テープ 10 保持シート

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハを両面粘着シートにより平板上
    に貼着する工程と、 該ウェーハの表面側からレーザ光を照射して該ウェーハ
    を全厚にわたり切断する工程と、 該ウェーハの表面側全面に片面粘着シートを貼着する工
    程と、 該両面粘着シートを該平板から剥離する工程と、 該両面粘着シートの該平板から剥離した面に粘着テープ
    を貼着する工程と、 該両面粘着シートを該ウェーハから剥離する工程と、を
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記平板は複数の貫通孔を備えており、
    前記両面粘着シートを該平板から剥離する工程では、該
    平板の各貫通孔にピンを挿入して該ピンにより該両面粘
    着シートを突き離すことを特徴とする請求項1記載の半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 複数の貫通孔を備えた平板と、該貫通孔
    の径より細く且つ該平板の厚さより長いピンが複数の該
    貫通孔の配置と同じ配置でピン支持板の片面に剣山状に
    植設されてなる剥離工具と、を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241568A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板脱着装置、基板脱着方法及び基板処理システム
WO2006036038A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Eo Technics Co., Ltd. Laser processing apparatus and method using tec module
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
US7135384B2 (en) 2003-02-28 2006-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer dividing method and apparatus
EP1800792A1 (de) * 2005-12-21 2007-06-27 Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Trennen mittels laser von Scheiben aus sprödem Material, insbesondere von Wafern
JP2007214417A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR100834381B1 (ko) 2007-03-06 2008-06-04 삼성전기주식회사 반도체 디바이스 제조방법
WO2009085463A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Freescale Semiconductor Inc. Electronic assembly manufacturing method
KR100937721B1 (ko) 2008-03-28 2010-01-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Wss를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
CN102825384A (zh) * 2012-09-28 2012-12-19 黄石瑞视光电技术股份有限公司 电阻类触控面板双面胶的激光加工方法
JP2014168033A (ja) * 2012-06-29 2014-09-11 Nitto Denko Corp 反射層−蛍光体層被覆led、その製造方法、led装置およびその製造方法
CN109786310A (zh) * 2019-01-14 2019-05-21 东莞记忆存储科技有限公司 粘晶胶纸随晶粒分离的方法
TWI722642B (zh) * 2019-11-07 2021-03-21 長豐光學科技股份有限公司 薄型線路雷射加工方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004241568A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板脱着装置、基板脱着方法及び基板処理システム
JP4614626B2 (ja) * 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 薄肉半導体チップの製造方法
US7135384B2 (en) 2003-02-28 2006-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer dividing method and apparatus
WO2006036038A1 (en) * 2004-09-30 2006-04-06 Eo Technics Co., Ltd. Laser processing apparatus and method using tec module
JP2006245487A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Lintec Corp レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
US7816626B2 (en) 2005-12-21 2010-10-19 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Method and apparatus for severing disks of brittle material, in particular wafers
EP1800792A1 (de) * 2005-12-21 2007-06-27 Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Trennen mittels laser von Scheiben aus sprödem Material, insbesondere von Wafern
JP2007214417A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR100834381B1 (ko) 2007-03-06 2008-06-04 삼성전기주식회사 반도체 디바이스 제조방법
JP2011508448A (ja) * 2007-12-27 2011-03-10 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電子アセンブリ製造方法
US7802359B2 (en) 2007-12-27 2010-09-28 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic assembly manufacturing method
WO2009085463A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Freescale Semiconductor Inc. Electronic assembly manufacturing method
CN101904003B (zh) * 2007-12-27 2012-08-08 飞思卡尔半导体公司 电子组件制造方法
KR100937721B1 (ko) 2008-03-28 2010-01-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Wss를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
JP2014168033A (ja) * 2012-06-29 2014-09-11 Nitto Denko Corp 反射層−蛍光体層被覆led、その製造方法、led装置およびその製造方法
CN102825384A (zh) * 2012-09-28 2012-12-19 黄石瑞视光电技术股份有限公司 电阻类触控面板双面胶的激光加工方法
CN109786310A (zh) * 2019-01-14 2019-05-21 东莞记忆存储科技有限公司 粘晶胶纸随晶粒分离的方法
TWI722642B (zh) * 2019-11-07 2021-03-21 長豐光學科技股份有限公司 薄型線路雷射加工方法

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