JP2005116588A - チップ部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 極薄化されたウェーハを破損することなく容易に取り扱うことのできるチップ部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ウェーハ１表面１９を支持基板３によって支持する工程と、この支持状態でウェーハ１の裏面２０ａをその厚さ方向に研削してウェーハ１の厚さを薄くする工程と、ウェーハ１のダイシング時に用いるダイシングテープ４をウェーハ１の裏面２０に接合する工程と、この接合体２３（或いは、更に補強シート板２１を貼り付けた接合体２５）から支持基板３を分離する工程と、接合体２３又は２５においてウェーハ１を複数のチップ部品１２に切断する工程とを有する、チップ部品１２の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばガリウム砒素等からなる半導体チップ部品の作製に好適なチップ部品の製造方法に関するものである。

従来、電子機器の薄型化及び小型化の傾向に伴い、チップ部品を用いたデバイスの薄型化及び小型化等が求められている。例えば、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）を用いた半導体レーザーによるダイオードアレイ等において、薄型化及び小型化したチップ部品をプリント基板上に搭載することによって、薄型であって高精細及び高密度な発光装置を実現することができる。

このようなチップ部品は、ウェーハをダイシングすることによって作製するが、例えば、材質がＧａＡｓからなるウェーハを仕上げ厚さが１２０μｍ以上のチップ部品にダイシングする際には、まず所定厚さのウェーハの表面（デバイス面）に、ＢＧ（バックグラインド）テープを貼り付けた状態でウェーハ裏面を研磨して目的の厚さまで除去（以下、これを「研削」と称することがある。）する。更に、ウェーハ表面のＢＧテープを剥離した後に、ウェーハ裏面にダイシングフレーム付きのダイシングテープを貼り付け、自動モードにてウェーハをダイス状にダイシングしている。

ここで、例えば、材質がＳｉからなるウェーハの場合は、厚さが薄くても機械的強度が大きいために、割れや欠けは生じ難いが、ＧａＡｓウェーハの場合には、硬度は大きいが脆くて割れ、欠けが生じ易い性質を有しているために、仕上げ厚さが１２０μｍより薄く、１００μｍ以下が要求される場合には、ウェーハの割れ、欠け等が生じ易くなる。この問題を解決するために、ウェーハを強度的に補強するために、ＢＧテープに代えて例えばガラスからなる支持基板をウェーハ表面に貼り付け、工程フローに供している。以下に、この工程フローについて説明する。

まず、図８（ａ）に示すように、直径が例えば４インチの円形のＧａＡｓウェーハ５１を用意する。このウェーハ５１の図示された上面を研削前の裏面７０ａとし、図示された下面を表面（デバイス面）６９とする。

次に、図８（ｂ）に示すように、ウェーハ５１の表面６９に、所定厚さに粘着剤層（例えばワックス）５２を塗布し、更に、ウェーハ５１の裏面７０ａの後述する研磨工程及びそれ以降の工程においてウェーハ５１を支持するための支持基板５３を粘着剤層５２を介してウェーハ５１に接合する。

この接合を行うには、例えば、１００℃前後に加熱して粘着剤層５２を溶融状態とし、その上に支持基板５３を加圧して押圧しながら粘着剤層５２を冷却する。この支持基板５３の材質としては、例えばガラス又はサファイア等を用いることができる。

次に、図８（ｃ）に示すように、ウェーハ５１の裏面を上に向け、図示省略した立軸回転テーブル型研削盤を用いた裏面研削によって、支持基板５３に支持されているウェーハ５１の裏面７０ａを所定厚さだけ研削し、更に、ポリッシングによって鏡面化された裏面７０を形成する。この場合のウェーハ５１の仕上げ厚さは１００μｍ程度とする。

次に、図８（ｄ）に示すように、例えば１００℃に加熱して粘着剤層５２を溶融させ、ウェーハ５１から支持基板５３を分離する。即ち、予めウェーハ５１を所定の固定手段で固定した状態で、ウェーハ５１を支持基板５３と共に加熱することによって粘着剤層５２を溶融状態とし、支持基板５３をウェーハ５１に対してずらしながら分離する。

次に、図８（ｅ）に示すように、ウェーハ５１の表面６９上に付着している粘着剤層５２を洗浄処理により除去する。

次に、図８（ｆ）に示すように、外周部にリング状のダイシングフレーム５５を固定し、ウェーハ５１よりも大きい径で相似形のポリオレフィン系のダイシングテープ（ＤＧテープ）５４を、ウェーハ５１の裏面７０に貼り付け、ウェーハ５１とダイシングテープ５４との接合体７３を形成する。このダイシングテープ５４は、ベースフィルムの両面に例えば紫外線硬化型又は熱剥離型の粘着膜を設けた構造からなっていてよい。

次に、図９（ｇ）に示すように、ウェーハ５１とダイシングテープ５４との接合体７３をその裏面７４の側で、自動ウェーハ搬送装置５９の搬送用ガイド６７ａ上の搬送用ベルト６４ａ上にカートリッジ（図示せず）から移して載置する。

次に、例えば図９（ｈ）に平面図で概略図示するように、搬送用ベルト６４ａによって接合体７３を搬送用ターンテーブル６７ｂに向かって搬送する。しかる後に、搬送用ベルト６４ａから接合体７３を搬送用ターンテーブル６７ｂの搬送用ベルト６４ｂ上に載せ替え、更に搬送用ターンテーブル６７ｂを一点鎖線のように反時計回りに例えば９０度回転させた後に、接合体７３を搬送用ベルト６４ｂから搬送用ガイド６７ｃ上の搬送用ベルト６４ｃ上に載せ替え、搬送用ベルト６４ｃによってダイシングテーブル５８まで搬送する。接合体７３は、図示省略した手段によってダイシングテーブル５８上に載置する。

次に、図１０（ｉ）に示すように、ウェーハ吸着構造（例えば真空吸引用の多孔構造）を設けたダイシングテーブル５８の吸引面５７に接合体７３をその裏面７４にて真空吸着する。

次に、この状態で図１０（ｊ）に示すように、ダイシングテープ５４上のウェーハ５１をスクライブラインに沿ってダイシングブレード６０によってダイシングし、切断線６１によって複数のチップ部品６２に分割する。上記した搬送も含めてこのダイシング工程は自動モードで行なう。

なお、ダイシングテープ５４の外周部に設けられたダイシングフレーム５５によってダイシングテープ５４が保持されているため、上記した搬送をスムーズに行えると共に、ダイシング時もブレード６０とダイシングテープ５４との摩擦力でダイシングテープ５４の変形又は位置ずれ等が生じるのを防止することができる。

次に、図１０（ｋ）に示すように、ダイシングテーブル５８による吸引力を解除することにより、分割された複数のチップ部品６２が貼り付いたまま接合体７３をダイシングテーブル５８から分離した後に、例えばピン６３をダイシングテープ５４の裏面７４から押圧して持ち上げることにより、ダイシングテープ５４上から個々のチップ部品６２を図示省略した吸着手段によって分離して取り出すことができる。

図８〜図１０に示したＧａＡｓウェーハ５１からのチップ部品６２の製造においては、ウェーハの仕上げ厚さが１００μｍ程度であるために、搬送やダイシング工程を自動モードで行うことができたが、ウェーハ５１の仕上げ厚さを更に薄くし、特に５０μｍ以下とする極薄化の要求に対しては、上述と同様の工程を経る場合にはウェーハ５１に割れや欠けが生じ易くなることが判明した。

これは、ウェーハ５１の仕上げ厚さが５０μｍ以下となれば、ウェーハ厚が極薄となるために、ウェーハ５１の強度が著しく低下してしまい、この影響は、例えば図８（ｄ）で示したようにウェーハ５１から支持基板５３を分離し、更には粘着剤層５２を除去してウェーハ５１のみの状態になった時に著しくなる。即ち、ウェーハ５１のハンドリングが困難となり、ハンドリング時に掛かる振動等によりウェーハ５１が割れたり、欠けたりし易くなる。

また、極薄のウェーハ５１にダイシングテープ５４を接合し難くなるので、ウェーハ５１にダイシングテープ５４が十分に密着せずに皺が寄り易くなる。これは、図１０（ｊ）に示したダイシングに支障をきたすおそれがある。

更には、図９に示した自動ウェーハ搬送装置５９によるウェーハ５１の搬送時に、ダイシングテープ５４とウェーハ５１との間の段差等が原因となってウェーハ５１が振らついたり、振動等の影響を受け易くなり、これもウェーハ５１の割れや欠けを生じ易くする。

そこで、ウェーハ５１やダイシングテープ５４が振動等による外力の影響を受け難くするために、ウェーハ５１（接合体７３）を人手により搬送したり、ダイシングテーブル５８上に手でセットする必要がある。これでは、自動モードでの処理は極めて困難であるか或いは不可能であり、作業効率が著しく低下してしまう。

本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、ＧａＡｓ等のウェーハを極薄化しても、ウェーハの割れや欠け等の破損を生じることなく容易に搬送、ダイシング等を自動モードで行うことができるチップ部品の製造方法を提供することにある。

即ち、本発明は、
ウェーハの一方の主面側を支持体（例えば後述の支持基板３：以下、同様）によって 支持する工程と、
この支持状態で前記ウェーハの他方の主面を例えば後述の裏面研削によってその厚さ 方向に部分的に除去して前記ウェーハの厚さを薄くする工程と、
このウェーハの前記他方の主面に、ウェーハ切断時に用いるウェーハ支持部材（例え ば後述のダイシングテープ４：以下、同様）を接合する工程と、
この接合体から前記支持体を分離する工程と、
この接合体において前記ウェーハを複数のチップ部品に例えば後述のダイシングブレ ード１０によって（以下、同様）切断する工程と
を有する、チップ部品の製造方法に係るものである。

本発明のチップ部品の製造方法によれば、前記支持体によって支持された前記ウェーハの他方の主面をその厚さ方向に部分的に除去して前記ウェーハの厚さを薄くすると共に、前記ウェーハの前記他方の主面に、ウェーハ切断時に用いるウェーハ支持部材を接合しているので、前記支持体によって支持された状態で信頼性良く前記ウェーハの厚さを薄く加工でき、かつこの加工されたウェーハを前記他方の主面から前記ウェーハ支持部材によって十分に密着保持することができる。これによって、前記ウェーハが極薄化されていても前記支持体及び前記ウェーハ支持部材によってウェーハが保持されるために、ウェーハの割れや欠けが生じ難くなる。

しかも、前記支持体を極薄の前記ウェーハから分離する際には、前記ウェーハ支持部材によって前記ウェーハが支持されているので、前記支持体の分離が容易となるだけでなく、その分離後も前記ウェーハには前記ウェーハ支持部材がすでに接合されていることによって、前記ウェーハの搬送性が向上し、振動等によるウェーハの割れや欠けが生じ難くなって歩留が向上し、搬送やダイシング時のハンドリングが容易になり、自動モードでの処理が可能となり、生産性が向上する。

本発明においては、極薄の前記ウェーハを更に補強するために、前記ウェーハ支持部材上に補強部材（例えば後述の補強シート板２１：以下、同様）を更に接合して前記接合体を得るのが望ましい。

また、前記支持体の分離後は、前記ウェーハ支持部材によって既に強度保持された状態で、前記ウェーハを切断し、この切断後に、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離することができる。

或いは、前記切断後に、前記補強部材を前記ウェーハ支持部材から分離し、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離することもできる。

更に、前記切断後に、前記補強部材を前記ウェーハ支持部材に接合したまま（前記ウェーハが更に補強された状態で）、前記ウェーハ支持部材に前記ウェーハを接合している粘着剤に対し粘着力低下処理を施し、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離することもできる。

この場合、前記粘着力低下処理を容易に行うには、前記粘着剤を紫外線硬化型又は熱剥離型材料で形成し、紫外線照射又は加熱によって前記粘着力低下処理を施すのが望ましい。

また、製造コストの低減や廃棄による環境問題の観点から、前記補強部材を前記ウェーハ支持部材から分離した後に再利用するのが望ましい。

また、前記切断工程時において前記ウェーハを保持するために、前記ウェーハ支持部材として、フィルム基板の両面に粘着剤が設けられた構造のダイシングテープを用いるのが望ましい。

また、切断工程時等における前記ダイシングテープの変形等を防止するために、前記ダイシングテープの外周部にダイシングフレームを設けるのが望ましい。

また、前記ウェーハ支持部材と前記補強部材とを前記ウェーハよりも大きくてこのウェーハと相似形とするのがよい。

また、前記ウェーハを十分に支持し、かつ前記ウェーハ支持部材に前記ウェーハを接合する粘着剤の粘着力低下処理を施す際の加熱に対応するために、前記補強部材を腰のある耐熱性材料で形成するのが望ましい。

また、前記ウェーハはガリウム砒素ウェーハとする場合に、本発明の効果が顕著である。

また、チップ部品等の薄型化のために、前記接合体における前記ウェーハの厚さを５０μｍ以下、特に30μｍ程度とするのが望ましい。こうした極薄のウェーハに対し本発明の効果が顕著である。

次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に詳細に説明する。

第１の実施の形態
図１〜図４は、本発明の第１の実施の形態を示すものである。

本実施の形態においては、まず、図１（ａ）に示すように、例えば直径が４インチの円形のＧａＡｓウェーハ１を用意する。このウェーハ１の図示された上面を研削前におけるウェーハ１の裏面２０ａとし、図示された下面を表面（デバイス面）１９とする。

次に、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の表面１９に、所定厚さに粘着剤層（例えばワックス）２を塗布し、更に、ウェーハ１の裏面２０ａの後述する研磨工程及びそれ以降の工程においてウェーハ１を支持するための支持基板３を粘着剤層２を介してウェーハ１に接合する。

この接合を行うには、例えば、１００℃前後に加熱して粘着剤層２を溶融状態とし、その上に支持基板３を加圧して押圧しながら粘着剤層２を冷却する。この支持基板３の材質としては、例えばガラス又はサファイア等を用いることができる。

次に、図１（ｃ）に示すように、ウェーハ１の裏面を上に向け、図示省略した立軸回転テーブル型研削盤を用いた裏面研削によって、支持基板３に支持されているウェーハ１の裏面２０ａを所定厚さだけ研削し、更に、ポリッシングによって鏡面化された裏面２０を形成する。この場合、ウェーハ１の仕上げ厚さを５０μｍ前後と極薄にする。

次に、図１（ｄ）に示すように、支持基板３がウェーハ１の上方に位置するように配置した後に、ウェーハ１の裏面２０に、外周部にリング状のダイシングフレーム５を固定し、ウェーハ１よりも大きい径で相似形のポリオレフィン系のダイシングテープ４をウェーハ１の裏面２０に貼り付け、ウェーハ１とダイシングテープ４との接合体２３を形成する。このダイシングテープ４は、ベースフィルムの両面に例えば紫外線硬化型又は熱剥離型の粘着剤が設けられた構造からなっていてよい。

ダイシングテープ４は、薄くて柔軟性があるため、ウェーハ１の裏面２０に均一に貼り付けやすく、ウェーハ１に対して十分に密着させることができる。

また、こうしたダイシングテープ４は、図４（ａ）に破線で示すテープ材料４ａの被除去部分４ｂを図４（ｂ）に示すようにカッター等によって除去することによって、容易に加工することができる。

次に、図１（ｅ）に示すように、例えば１００℃に加熱して粘着剤層２を溶融させ、ウェーハ１から支持基板３を分離する。即ち、予めウェーハ１とテープ４との接合体２３を所定の固定手段で固定した状態で、ウェーハ１を支持基板３と共に加熱することによって粘着剤層２を溶融状態とし、支持基板３をウェーハ１に対してずらしながら分離する。

次に、図２（ｆ）に示すように、ウェーハ１の表面１９上に付着している粘着剤層２を洗浄処理により除去する。

次に、図９（ｇ）に示したと同様に、ウェーハ１とダイシングテープ４との接合体２３をその裏面２４の側で、自動ウェーハ搬送装置５９の搬送用ガイド６７ａ上の搬送用ベルト６４ａ上にカートリッジ（図示せず）から移して載置する。

次に、例えば図９（ｈ）に平面図で概略図示したように、搬送用ベルト６４ａによって接合体２３を搬送用ターンテーブル６７ｂに向かって搬送する。しかる後に、搬送用ベルト６４ａから接合体２３を搬送用ターンテーブル６７ｂの搬送用ベルト６４ｂ上に載せ替え、更に搬送用ターンテーブル６７ｂを一点鎖線のように反時計回りに例えば９０度回転させた後に、接合体２３を搬送用ベルト６４ｂから搬送用ガイド６７ｃ上の搬送用ベルト６４ｃ上に載せ替え、搬送用ベルト６４ｃによってダイシングテーブル８まで搬送する。接合体２３は、図示省略した手段によってダイシングテーブル８上に載置する。

次に、図２（ｇ）に示すように、ウェーハ吸着構造（例えば真空吸引用の多孔構造）を設けたダイシングテーブル８の吸引面７に接合体２３をその裏面２４にて真空吸着する。

次に、この状態で図２（ｈ）に示すように、ダイシングテープ４上のウェーハ１を、スクライブラインに沿ってダイシングブレード１０によってダイシングし、切断線１１によって複数のチップ部品１２に分割する。上記した搬送も含めてこのダイシング工程は自動モードで行なう。

なお、ダイシングテープ４の外周部に設けられたダイシングフレーム５によってダイシングテープ４が保持されているため、上記した搬送をスムーズに行えると共に、ダイシング時もブレード１０とダイシングテープ４との摩擦力でダイシングテープ４の変形又は位置ずれ等が生じるのを防止することができる。

次に、図３（ｉ）に示すように、ダイシングテーブル８による吸引力を解除することにより、分割された複数のチップ部品１２が貼り付いたまま接合体２３をダイシングテーブル８から分離した後に、例えばピン１３をダイシングテープ４の裏面２４から押圧して持ち上げることにより、ダイシングテープ４上から個々のチップ部品１２を図示省略した吸着手段によって分離して取り出すことができる。

本実施の形態によれば、図１（ｃ）の工程において支持基板３に支持されたウェーハ１の裏面２０ａを研削してウェーハ１を５０μｍ程度と極薄にした直後に、そのままの状態で図１（ｄ）のように、ウェーハ１の裏面２０に、ウェーハ１のダイシング時に用いるダイシングテープ４を接合しているので、支持基板３によって支持された状態で信頼性良くウェーハ１の厚さを極薄に加工でき、かつ、この加工されたウェーハ１を裏面２０からダイシングテープ４によって十分に密着保持することができる。これによって、ウェーハ１が極薄化されていても支持基板３及びダイシングテープ４によってウェーは１が保持されるために、ウェーハ１の割れや欠けが生じ難くなる。

しかも、支持基板３を極薄のウェーハ１から分離する際には、ダイシングテープ４によってウェーハ１が支持されているので、支持基板３の分離が容易となるだけでなく、その分離後もウェーハ１にはダイシングテープ４が既に接合されていることによって、ウェーハ１の搬送性が向上する。従って、図９に示した如き搬送時に接合体２３のウェーハ面に凹凸が存在していても振動等によるウェーハ１の割れや欠けが生じ難くなって歩留が向上し、また図２（ｈ）に示したダイシング工程も含めてハンドリングが容易になり、自動モードでの処理が可能となり、生産性が向上する。

第２の実施の形態
図５〜図７は、本発明の第２の実施の形態を示すものである。

本実施の形態においては、上述の第１の実施の形態と比べて、ウェーハ１の仕上げ厚さを更に薄くして３０μｍと超極薄化し、これに対応して、ダイシングテープ４の裏面２４に補強シート板２１を接合している。

まず、図５（ａ）〜図５（ｂ）に示すように、上述の図１（ａ）〜図１（ｂ）と同様の工程を経た後に、図５（ｃ）に示すように、例えば、立軸回転テーブル型研削盤を用いて、支持基板３によって支持されているウェーハ１の裏面２０ａを研磨し、更に、ポリッシングして鏡面化することにより、仕上げ厚さが３０μｍのウェーハ１を得る。

次に、図５（ｄ）に示すように、上述したと同様にダイシングフレーム５付きのダイシングテープ４をウェーハ１の裏面２０に貼り付け、ウェーハ１とダイシングテープ４との接合体２３を形成する。

次に、図６（ｅ）に示すように、ダイシングテープ４の裏面２４に、このダイシングテープ４と同形状に別工程で作製された補強シート板２１を接合する。このように、上記の接合体２３に補強シート板２１を接合したものを接合体２５と称する。補強シート板２１は、後述するように腰があって耐熱性も有する合成樹脂シートからなり、ダイシングテープ４のように図４に示した工程で切断加工するのではなく、別工程で作製されたものである。

次に、図６（ｆ）に示すように、支持基板３をウェーハ１の上側に向けて、例えば１００℃に加熱して粘着剤層２を溶融させ、ウェーハ１から支持基板３を分離する。

次に、図６（ｇ）に示すように、ウェーハ１の表面１９上に付着している粘着剤層２を洗浄処理により除去する。

次に、ウェーハ１とダイシングテープ４と補強シート板２１とからなる接合体２５を図９に示したと同様に搬送してダイシングテーブル８上に載置する。

次に、図６（ｈ）に示すように、ウェーハ吸着構造（例えば真空吸引用の多孔構造）を設けたダイシングテーブル８の吸引面７に接合体２５をその裏面２６にて真空吸着する。

次に、この状態で図７（ｉ）に示すように、ダイシングテープ４上のウェーハ１をスクライブラインに沿ってダイシングブレード１０によってダイシングし、切断線１１によって複数のチップ部品１２に分割する。上記した搬送も含めてこのダイシング工程は自動モードで行なう。

次に、図７（ｊ）に示すように、ダイシングテーブル８による吸引力を解除することにより、分割された複数のチップ部品１２が貼り付いたまま接合体２５をダイシングテーブル８から分離し、更に補強シート板２１をダイシングテープ４から分離した後に、例えばピン１３をダイシングテープ４の裏面２４から押圧して持ち上げることにより、ダイシングテープ４上から個々のチップ部品１２を図示省略した吸着手段によって分離して取り出すことができる。

或いは、図７（ｊ’）に示すように、複数のチップ部品１２が貼り付いた接合体２５をダイシングテーブル８から分離した後に、接合体２５の状態において、紫外線照射又は加熱によって粘着剤の粘着力を低下させることにより、個々のチップ部品１２を真空チャック２２等によってダイシングテープ４から分離することもできる。

なお、例えば補強シート板２１のチップ部品１２に対応する位置にピン１３を挿通可能な複数の孔（図示せず）を設け、この孔にピン１３を通してその先端でダイシングテープ４を突き上げることにより、上記の紫外線照射等ではなく、接合体２５の状態で個々のチップ部品１２をダイシングテープ４から分離することもできる。また、この複数の孔は図７（ｉ）に示した真空引き用の孔として用いてもよい。

本実施の形態によれば、図６（ｅ）において補強シート板２１を更に接合することによってウェーハ１が３０μｍと超極薄であってもその強度を十分に補強することができるので、振動による影響を一層受け難くし、ウェーハ１のハンドリングやダイシング時等に生じ易いウェーハ１の割れや欠けを更に減少して歩留を大きく向上することができる。また、補強シート板２１には粘着剤を設けず、ダイシングテープ４から分離した後に再利用可能であるため、作製コストの低減や廃棄処理不要による環境保全の面で有利である。

なお、上述のようにウェーハ１を超極薄化した場合には、例えウェーハ１の裏面に電極等を形成したとしても、ウェーハ１の強度はやはり不十分となるために割れや欠け等が生じる恐れがあるが、本実施の形態による上記の補強シート板２１によって、そうした問題を回避することができる。

このように重要な作用をなす補強シート板２１のベース材の材質は、耐熱性と共に腰があって曲げ易い合成樹脂（例えば、ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート）であるのが望ましく、その厚さは１ｍｍ前後であることが望ましい。また、その両面に粘着膜を設けないことによって再利用を可能とし、かつサイズ及び形状はダイシングテープ４と同等とするのが望ましい。ここで、「腰がある」とは、補強シート板２１が適度な硬さ、引っ張り強さ及び弾性を有することを意味する。

これにより、例えば、耐熱性を有することにより、補強シート板２１をダイシングテープ４から分離する際の加熱処理に耐えることができる。また、曲げやすいことにより柔軟性が生じて、変形しやすいダイシングシート４に接合し易くなると共に、ダイシングテーブル８による補強シート板２１の吸引固定の際にも、ダイシングテーブル８に密着して固定し易くなる。

また、この補強シート板２１は、ダイシングテープ４とは別の工程で作製するので、ダイシングテープ４の切断加工とは無関係に容易に作製できる。なお、仮にダイシングテープ４を用いずに、補強シート板２１をウェーハ１に直接貼り付ける場合には、その腰の強さゆえにウェーハ１に対し十分な密着状態で貼り付けることができないので、上記のようにウェーハ１にダイシングテープ４を十分に密着して接合した後に、ダイシングテープ４上に貼り付ける必要がある。

この場合、補強シート板２１が曲げることが比較的困難な材質からなっていると、ダイシングテープ４に対する接合又は分離を容易に行うことができないために、補強シート板２１の材質としてはポリエチレンテレフタレート等を用いることが望ましい。

その他、本実施の形態においては、上述の第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。

以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形が可能である。

例えば、ダイシングテープ４及び補強シート板２１の、形状、材質、厚さ、貼り付け方法、分離方法、及び加工方法等は、ウェーハ１の材質や厚さ等に応じて変更することは可能である。

また、本発明は、割れ及び欠けが生じ易いＧａＡｓウェーハに適用するのが好適であるが、極薄の仕上げ厚のＧａＰ、Ｓｉウェーハ等にも適用することができる。

本発明の第１の実施の形態によるチップ部品の作製工程を順次示す断面図である。 同、チップ部品の作製工程を順次示す平面図である。 同、チップ部品の作製工程を示す断面図である。 同、ダイシングテープの作製工程を順次示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態によるチップ部品の作製工程を順次示す断面図である。 同、チップ部品の作製工程を順次示す断面図である。 同、チップ部品の作製工程を順次示す断面図である。 従来例によるチップ部品の作製工程を順次示す断面図である。 同、自動ウェーハ搬送装置の部分断面図（ｇ）及び概略平面図（ｈ）である。 同、チップ部品の作製工程を順次示す断面図である。

符号の説明

１…ウェーハ、２…粘着剤層、３…支持基板、４…ダイシングテープ、
４ａ…ダイシングテープ材料、４ｂ…ダイシングテープ除去部分、
５…ダイシングフレーム、７…吸引面、８…ダイシングテーブル、１０…ブレード、
１１…切断線、１２…チップ部品、１３…ピン、１９…表面、
２０、２０ａ、２４、２６…裏面、２１…補強シート板、２２…真空チャック、
２３、２５…接合体

Claims (13)

1. ウェーハの一方の主面側を支持体によって支持する工程と、
   この支持状態で前記ウェーハの他方の主面をその厚さ方向に部分的に除去して前記ウ ェーハの厚さを薄くする工程と、
   このウェーハの前記他方の主面に、ウェーハ切断時に用いるウェーハ支持部材を接合 する工程と、
   この接合体から前記支持体を分離する工程と、
   この接合体において前記ウェーハを複数のチップ部品に切断する工程と
   を有する、チップ部品の製造方法。
2. 前記ウェーハ支持部材上に補強部材を更に接合して前記接合体を得る、請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
3. 前記切断後に、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離する、請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
4. 前記切断後に、前記補強部材を前記ウェーハ支持部材から分離し、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離する、請求項２に記載のチップ部品の製造方法。
5. 前記切断後に、前記補強部材を前記ウェーハ支持部材に接合したまま、前記ウェーハ支持部材に前記ウェーハを接合している粘着剤に対し粘着力低下処理を施し、前記複数のチップ部品をそれぞれ前記ウェーハ支持部材から分離する、請求項２に記載のチップ部品の製造方法。
6. 前記粘着剤を紫外線硬化型又は熱剥離型材料で形成し、紫外線照射又は加熱によって前記粘着力低下処理を施す、請求項５に記載のチップ部品の製造方法。
7. 前記補強部材を前記ウェーハ支持部材から分離した後に再利用する、請求項４又は５に記載のチップ部品の製造方法。
8. 前記ウェーハ支持部材として、フィルム基板の両面に粘着剤が設けられた構造のダイシングテープを用いる、請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
9. 前記ダイシングテープの外周部にダイシングフレームを設ける、請求項８に記載のチップ部品。
10. 前記ウェーハ支持部材と前記補強部材とを前記ウェーハよりも大きくてこのウェーハと相似形とする、請求項２に記載のチップ部品。
11. 前記補強部材を腰のある耐熱性材料で形成する、請求項２に記載のチップ部品。
12. 前記ウェーハをガリウム砒素ウェーハとする、請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
13. 前記接合体における前記ウェーハの厚さを５０μｍ以下とする、請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
    

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