JP6264862B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6264862B2
JP6264862B2 JP2013247566A JP2013247566A JP6264862B2 JP 6264862 B2 JP6264862 B2 JP 6264862B2 JP 2013247566 A JP2013247566 A JP 2013247566A JP 2013247566 A JP2013247566 A JP 2013247566A JP 6264862 B2 JP6264862 B2 JP 6264862B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
manufacturing
resin
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013247566A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015106620A (ja
Inventor
公博 宮本
公博 宮本
篤史 板東
篤史 板東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2013247566A priority Critical patent/JP6264862B2/ja
Publication of JP2015106620A publication Critical patent/JP2015106620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6264862B2 publication Critical patent/JP6264862B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。
集合基板を個片化して複数の発光装置とする発光装置の製造方法が知られている(特許文献1、2参照)。
特開2012−182180号公報 特開2013−058695号公報
ところで、発光装置の光の取り出し効率は、光取り出し面(例:封止部材の表面)がレンズ状に形成されることにより高められることが一般に知られている。しかしながら、集合基板を個片化して複数の発光装置とする上記従来の製造方法では、光取り出し面が平面状に形成されてしまい、これをレンズ状に形成することができないという問題があった。
そこで、本発明は、集合基板を個片化して複数の発光装置とする発光装置の製造方法において、光取り出し面がレンズ状に形成された発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。すなわち、本発明は、集合基板を個片化して複数の発光装置とする発光装置の製造方法であって、発光素子載置領域が溝部に囲まれた集合基板を準備する工程と、前記発光素子載置領域に樹脂を滴下することにより前記溝部に縁が位置する凸レンズを形成する工程と、前記溝部で集合基板を個片化する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
本発明によれば、集合基板を個片化して複数の発光装置とする発光装置の製造方法において、光取り出し面がレンズ状に形成されるため、光取り出し面での全反射が抑制された光取り出し効率に優れる発光装置を容易に製造することができる。
本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。 本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。 本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。
[本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法]
図1−1、1−2、1−3は、本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。
図1に示すように、本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法は、集合基板10を個片化して複数の発光装置100とする発光装置の製造方法であって、発光素子載置領域12が溝部14に囲まれた集合基板10を準備する工程(第1工程)と、発光素子載置領域12に樹脂20を滴下することにより溝部14に縁が位置する凸レンズYを形成する工程(第2工程)と、溝部14で集合基板10を個片化する工程(第3工程)と、を有する発光装置の製造方法である。
以下、順に説明する。
(第1工程)
まず、図1−1に示すように、発光素子載置領域12が溝部14に囲まれた集合基板10を準備する。集合基板10は樹脂成形体16を含むリードフレーム基板で、溝部14は樹脂成形体16に形成されている。樹脂成形体16は凹部Xを有しており、発光素子載置領域12は樹脂成形体16が有する凹部Xの内部底面に形成されている。他方、溝部14は、樹脂成形体16が有する凹部Xの外部上面に形成されている。樹脂成形体16が有する凹部Xの形状や発光素子載置領域12の形状は特に限定されない。
リードフレーム基板の材料は特に限定されないが、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子から発生する熱を効率的に逃がすことができる。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、打ち抜き加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。リードフレームは、通常、均一な膜厚で形成されているが、部分的に厚く又は薄く形成されていてもよい。
樹脂成形体16を含む集合基板10としては、リードフレーム等の金属基板のほかに、セラミック、ガラスエポキシ、ガラス等の絶縁性基板を用いることもできる。
樹脂成形体16の成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、樹脂成形体16の凹部X内における光の反射率を高めることもできる。なお、本実施形態のように、樹脂成形体16が凹部Xを有する場合においては、樹脂成形体16を光の反射率の高い材料とすることで、光取り出し面での反射光が樹脂20に覆われている凹部Xの外部上面で反射されやすくなるため、光取り出し効率が向上する。
樹脂成形体16は、例えば射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形したものを用いることができる。
発光素子載置領域12には、発光素子30が載置される。発光素子載置工程は、第1工程に含まれてもよいし、第1工程と第2工程の間に発光素子載置工程を有することもできる。発光素子載置領域12に載置される発光素子30には、例えば発光ダイオードチップを用いることができる。発光ダイオードは、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSe、窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y<1)、GaP等を用いることができる。溝部14に囲まれる発光素子載置領域12の数は、1つであってもよいし、複数であってもよい。1つである場合は、1つの発光素子載置領域12に対して1つの凸レンズYが形成され、複数である場合は、複数の発光素子載置領域12に対して1つの凸レンズYが形成される。
溝部14は、ブレードの刃先角や刃幅を適宜選定することにより、様々な形状に形成することができる。溝部14の内壁上端の角は、多少のR形状を有していてもよいが、直角あるいは直角に近い形状であることが好ましい。このようにすれば、溝部14の内壁上端をエッジ部分としてより一層機能させ後述する樹脂20を堰止めることが容易になるため、凸レンズYを十分な高さに容易に形成することができる。
溝部14は、樹脂成形体16を成形する際に、金型にてあらかじめ形成しておいてもよいが、樹脂成形体16の成形後にブレード等を用いて形成することが好ましい。ブレードを用いて形成された溝部14は、金型にてあらかじめ形成する場合よりも溝部14の内壁上端の角を直角あるいは直角に近い形状にすることができるため(換言すると、R形状になることを抑制できるため)、凸レンズYを十分な高さに容易に形成することができる。
(第2工程)
次に、図1−2に示すように、発光素子載置領域12に樹脂20を滴下する。滴下された樹脂20は、樹脂成形体16の凹部Xの内部に充填され、発光素子30を封止する。樹脂20は、樹脂成形体16の凹部Xの内部が充たされると、凹部Xの内部から溢れ出し、凹部Xの外部上面に拡がる。しかし、凹部Xの外部上面に形成されている溝部14にまで達すると、自らの表面張力により拡がりを止め、発光素子載置領域12の上方に向けて凸状に盛り上がる。これにより、凹部Xの外部上面の溝部14に縁が位置する凸レンズYが形成される。溝部14に縁が位置する凸レンズYは、上面視における発光装置100の外形寸法が、凸レンズYの外形寸法とほぼ等しくなるため、発光装置100の外形寸法に対して最大限大きな凸レンズを設けることが可能となり、光の取り出し効率が向上するとともに、発光装置100を小型化することができる。
発光素子載置領域12が凹部Xの内部底面に形成されている場合、樹脂20の滴下は、樹脂成形体16の凹部Xの内部が充たされた時点で一度中断してもよい。この場合は、樹脂成形体16の凹部Xの内部に充填された樹脂20を硬化した後、樹脂20の滴下を再開する。このようにすれば、樹脂成形体16の凹部Xの内部に充填される樹脂とこの樹脂の上において凸状に盛り上がる樹脂とに別個の材料を用いたり、一方の樹脂にのみフィラーを含有させたり、双方の樹脂に異なるフィラーを含有させたりすることが可能となり、双方の樹脂層で効率よく個別の機能を発揮させることができる。
樹脂20の材料は、絶縁性を有し、発光素子30から出射される光を透過可能であり、固化前は流動性を有する材料であればよい。具体的には、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネイト樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐候性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため好ましい。
樹脂20に含有させることができるフィラーには、例えば蛍光体や拡散材などを用いることができる。
蛍光体としては、当該分野で公知のものを使用することができる。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al−SiO)、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)SiO)などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。特に、青色発光素子に組み合わせて白色発光させる蛍光体としては、青色で励起されて黄色のブロードな発光を示す蛍光体を用いることが好ましい。
蛍光体は、複数の種類の蛍光体を組み合わせて用いても良い。例えば、Si6−ZAl8−Z:Eu、LuAl12:Ce、BaMgAl1017:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Zn,Cd)Zn:Cu、(Sr,Ca)10(POl2:Eu,Mn、(Sr,Ca)Si:Eu、CaAlSiB3+x:Eu、KSiF:Mn及びCaAlSiN:Euなどの蛍光体を所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することもできる。
拡散剤としては、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラック等が挙げられる。
ここで、蛍光体は樹脂20に含有させるのみに限らず、第2工程の前に、発光素子30の表面に蛍光体を含む蛍光体層を形成する工程を別に設けてもよい。この場合、蛍光体層を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スプレー法、電着法、静電塗装法を用いることができる。あるいは樹脂20に蛍光体を分散させた材料から成る蛍光体シート、蛍光体含有ガラス板等を、接着剤等を用いて発光素子30に接着してもよい。蛍光体としては、上述したように、当該分野で公知のものを使用することができる。
(第3工程)
次に、図1−3に示すように、溝部14で集合基板10を個片化する。個片化は、例えば、図1−3にて切断線Zで示した箇所をブレードなどで切断することにより行う。個片化の態様は特に限定されないが、溝部14の一部領域を残して個片化すれば、凸レンズYの表面に傷を付けることがなく個片化を行うことができる。なお、溝部14の一部領域を残して個片化する場合は、例えば、個片化に際して、溝部14の形成時に用いたブレードよりも細いブレードを用いる。
溝部形成時と個片化時の切断を、それぞれブレードでの切断により行う場合において、溝部14の一部領域を残して集合基板10を個片化すれば、溝部14以外の位置で個片化するよりも、ブレードの消耗を低減することができる。また、図面上では溝部14の幅を誇張して図示しているが、実際には溝部14の幅は狭いので、上面視における発光装置100の外形寸法が凸レンズY(樹脂20)の大きさにほぼ等しくなる。このため、発光装置100を小型化することができるとともに、集合基板10から得ることができる発光装置100の数を増やすことができるため、量産性を向上させることができる。
以上説明した本発明の実施形態1によれば、集合基板10を個片化して複数の発光装置100とする発光装置の製造方法において、発光素子載置領域12の上方に凸レンズYを形成することができる。したがって、光取り出し面が曲面状に形成された発光装置100を提供することが可能となる。よって、光取り出し面での全反射が抑制された光取り出し効率に優れる発光装置100を製造することができる。
[本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法]
図2−1、2−2、2−3は、本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法を説明する模式図である。各図において、(a)は平面図、(b)は断面図(平面図中のA−A断面の一部を拡大した図)である。
図2−1、2−2、2−3に示すように、本発明の実施形態2に係る発光装置の製造方法は、集合基板10がセラミック基板18を含み、溝部14がセラミック基板18に形成されている点で、本発明の実施形態1に係る発光装置の製造方法と相違する。
(第1工程)
図2−1に示すように、発光素子載置領域12が溝部14に囲まれた集合基板10を準備する。集合基板10はセラミック基板18を含んでおり、溝部14はセラミック基板18に形成されている。溝部14は、例えばブレードを用いて形成する。
溝部14の側面は、溝部14の側面の上部から溝部14の側面の中間まで鉛直面が形成されており、該中間から溝部14の底部まで断面視V字状の傾斜面が形成されている。このような形状を有する溝部14は、溝部14の略半分の深さに相当する高さだけ側面が傾斜しているベベルカット用刃を入れてハーフダイシングすることにより形成することができる。
(第2工程)
次に、図2−2に示すように、発光素子載置領域12に樹脂20を滴下する。滴下された樹脂20は、集合基板10の上面に拡がる。しかし、集合基板10の上面に形成されている溝部14にまで達すると、自らの表面張力により拡がりを止め、発光素子載置領域12の上方に向けて凸状に盛り上がる。これにより、発光素子載置領域12の上方に凸レンズYが形成される。
(第3工程)
図2−3に示すように、溝部14で集合基板10を個片化する。個片化は、切断線Zで示した箇所(V字状の最深部)をブレイク加工で切断することにより行う。個片化をブレイク加工で行うことにより個片化時に切削粉が発生しないため、凸レンズへの切削粉等のごみの付着が抑制される。
実施形態2の場合によっても、実施形態1の場合と同様に、発光素子載置領域12の上方に凸レンズYを形成して、光取り出し面がレンズ状に形成された発光装置200を提供することが可能となり、光取り出し面での全反射が抑制された光取り出し効率に優れる発光装置200を製造することができる。
なお、上記のとおり、本発明の実施形態1、2に係る発光装置の製造方法によれば、凸レンズYを個片化された後に個別に形成するのではなく、個片化される前に連続的に形成することができるため、凸レンズYが形成された発光装置の製造コストを抑制することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。
10 集合基板
12 発光素子載置領域
14 溝部
16 樹脂成形体
18 セラミック基板
20 樹脂
30 発光素子
100 発光装置
200 発光装置
X 凹部
Y 凸レンズ
Z 切断線

Claims (5)

  1. 集合基板を個片化して複数の発光装置とする発光装置の製造方法であって、
    発光素子載置領域が溝部に囲まれた集合基板を準備する工程と、
    前記発光素子載置領域に樹脂を滴下することにより前記溝部に縁が位置する凸レンズを形成する工程と、
    前記溝部で集合基板を個片化する工程と、を有し、
    前記集合基板は樹脂成形体を含み、
    前記溝部は、前記樹脂成形体に形成されている発光装置の製造方法。
  2. 前記溝部で集合基板を個片化する工程は、前記溝部の一部領域を残して個片化する工程である請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記集合基板はセラミック基板を含む請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記集合基板はリードフレーム基板を含む請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記集合基板は、前記発光素子載置領域を有する底面を備えた凹部を有し、
    前記凸レンズを形成する前に、前記凹部に蛍光体を含む樹脂を充填する工程を有する請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
JP2013247566A 2013-11-29 2013-11-29 発光装置の製造方法 Active JP6264862B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013247566A JP6264862B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 発光装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013247566A JP6264862B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015106620A JP2015106620A (ja) 2015-06-08
JP6264862B2 true JP6264862B2 (ja) 2018-01-24

Family

ID=53436587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013247566A Active JP6264862B2 (ja) 2013-11-29 2013-11-29 発光装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6264862B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2934003T3 (es) 2014-12-04 2023-02-15 Breakthrough Tech Llc Intercambiador térmico y de presión híbrido
JP6409818B2 (ja) * 2016-04-26 2018-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7111939B2 (ja) * 2017-04-28 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6819645B2 (ja) 2018-04-10 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法
JP7179413B2 (ja) * 2018-08-30 2022-11-29 株式会社ディスコ 保護カバー及び被加工物の加工方法
JP2021141274A (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 シチズン電子株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0416456Y2 (ja) * 1985-11-19 1992-04-13
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
JP2012156198A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2013004923A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用後付リフレクタ、半導体発光装置用樹脂パッケージ及び半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015106620A (ja) 2015-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6264862B2 (ja) 発光装置の製造方法
TWI712189B (zh) 發光裝置及其製造方法
US9954153B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing same
JP6179555B2 (ja) 発光装置
JP6702280B2 (ja) 発光装置、被覆部材の製造方法及び発光装置の製造方法
US10186646B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
US9847466B2 (en) Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same
US10804449B2 (en) Method for manufacturing package, and method for manufacturing light emitting device
US10084120B2 (en) Method of producing light transmissive element and method of producing light emitting device
JP2017201666A (ja) 発光装置の製造方法
US10439097B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
KR102161069B1 (ko) 발광 장치
JP5493389B2 (ja) 発光素子用回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法
JP2019208038A (ja) 発光装置とその製造方法
JP5444816B2 (ja) 線状光源装置及びこれを用いたバックライト装置
JP5825376B2 (ja) 発光装置
JP6036103B2 (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6264862

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250