JP2016119402A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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矢嶋 孝義
Takayoshi Yajima
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Abstract

【課題】蛍光体層を光出射側に貼付により形成した発光装置の製造工程において、信頼性を維持しつつ、製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して複数の発光素子の上面と接合させる工程と、基板と蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、樹脂を硬化させて複数の発光素子を封止する工程と、基板、樹脂及び蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程からなる。樹脂は、その自重や吸引により充填する。【選択図】図2

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関し、より詳しくは、発光素子からの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体からの波長変換光との混合光を得る発光装置の製造方法に関するものである。
近年、LEDチップからの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体からの波長変換光との混合光による白色光を得るLEDパッケージでは小型化が求められており、LEDチップと同等のサイズのパッケージであるCSP(Chip Size Package)が市場において見られるようになった。
上記のようなLEDパッケージにおいて、白色光の指向性を高めるために、LEDチップの周囲を白色樹脂で覆う形態を有するものも開発されている(例えば、特許文献1,2参照。)。
このようなLEDパッケージ(発光装置)の製造方法について、その断面図を図10(a),(b),(c),(d)に示す。まず、図10(a)に示すように、実装基板102の上に複数のLEDチップ101をフリップチップ実装により搭載し、次に、図10(b)に示すように、各々のLEDチップ101の上面に蛍光体層103を貼付する。そして、図10(c)に示すように、LEDチップ101が搭載されていない部分に、蛍光体層の上面と略同等程度の高さとなる所定量の白色樹脂をディスペンサ120から塗布し硬化させて封止層104を形成した後、図10(d)に示すように、ダイサー121にて個別のLEDパッケージに切り分ける。
特開2014−112635号公報 特開2014−207349号公報 特開2013−136671号公報 特開2013−138106号公報
上記のようなLEDパッケージの製造方法では、各々のLEDチップ101の上面に蛍光体層103を形成する工程が煩雑であり、製造工程が複雑化してしまう。これにより、LEDパッケージの製造コストが高くなってしまう。
また、特許文献3,4では、蛍光体含有樹脂フィルムと封止樹脂フィルムを積層した二層フィルムを用いて、圧縮成形により蛍光体層及び封止層を形成する方法が開示されているが、大気雰囲気下においては、二層フィルムと実装基板との間に空気が閉じ込められるため、真空雰囲気下でなければ複数のLEDチップの間の空隙を隙間なく二層フィルムで埋め込むことは困難である。従って、LEDチップの封止後に気泡が生じ、信頼性を向上させることができない。また、上記したような、封止層に白色樹脂を適用する場合には、LEDチップの上面に白色樹脂が残存し、LEDチップからの光取り出しが困難となる。
本発明は、このような従来技術の課題を鑑みてなされたものであって、蛍光体層を光出射側に貼付により形成した発光装置の製造工程において、信頼性を維持しつつ、製造工程の簡略化を図ることを目的とする。
上記の課題は、複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、前記複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して前記複数の発光素子の前記上面と接合させる工程と、前記基板と前記蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、前記樹脂を硬化させて複数の前記発光素子を封止する工程と、前記基板、前記樹脂及び前記蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法により解決される。
ここで、前記樹脂は白色であってもよく、前記蛍光体板は、母材が有機材料からなり、直接前記複数の発光素子の前記上面と接合していてもよいし、前記蛍光体板は、母材が無機材料からなり、接着材を介して前記複数の発光素子の前記上面と接合していてもよい。
また、前記樹脂は、前記基板を水平面から傾けて前記樹脂の自重により前記基板と前記蛍光体板との間に充填してもよく、前記樹脂は、吸引により前記基板と前記蛍光体板との間に充填してもよい。
本発明の発光装置の製造方法によれば、個別の発光装置を構成する蛍光体層及び封止層を複数の発光装置において一括して形成することができるため、発光装置の製造方法を簡略化することができる。また、基板と蛍光体層との間に軟化させた樹脂を注入して硬化させて封止層を形成するため、気泡が生じることなく封止層を形成することができる。
また、白色樹脂により封止すれば、発光装置の出射光の指向性が高まる。更に、蛍光体板の母材が有機材料であれば、直接発光素子の上面に蛍光体板を接合しやすくなり、蛍光体板の母材が無機材料であれば、発光装置の高寿命化を促進できる。
また、基板を水平面から傾けて樹脂の自重により基板と蛍光体板との間に充填することや、吸引により基板と蛍光体板との間に充填することにより、発光装置の製造方法を更に簡略化することができる。
図1(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図であり、図1(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置に用いる発光素子を示す断面図である。 図2(a),(b),(c),(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図であり、図2(a)は、発光素子搭載工程を示す断面図であり、図2(b)は、蛍光体層形成工程を示す断面図であり、図2(c)は、発光素子封止工程をしめす断面図であり、図2(d)は、発光装置個片化工程を示す断面図である。 図3(a),(b)は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子封止工程を示す断面図であり。図3(a)は、液状樹脂の自重により封止樹脂を充填させる方法を示す断面図であり、図3(b)は、ポンプによる吸引により封止樹脂を充填させる方法を示す断面図である。 図4は、本発明の第1の実施の形態に係る蛍光体形成工程の変形例を示す断面図である。 図5は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子搭載工程の変形例を示す断面図である。 図6は、本発明の第2の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。 図7は、本発明の第2の実施の形態の変形例に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。 図8は、本発明の第3の実施の形態に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。 図9は、本発明の第3の実施の形態の変形例に係る製造方法により得られる発光装置を示す断面図である。 図10(a),(b),(c),(d)は、従来の発光装置の製造方法を示す断面図であり、図10(a)は、発光素子の搭載工程を示す断面図であり、図10(b)は、蛍光体層の形成工程を示す断面図であり、図10(c)は、発光素子の封止工程を示す断面図であり、図10(d)は、個別の発光装置に切断する個片化工程を示す断面図である。
以下に、添付の図面に基づいて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
図1(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る製造方法により得られるLEDパッケージ(発光装置)を示す断面図である。
本実施の形態のLEDパッケージは、実装基板2と、基板に正負のバンプ1a,1bを介して電気的に接続されるLEDチップ1と、LEDチップ1の上面に直接接合された層厚が均一の蛍光体層3と、実装基板2と蛍光体層3との間を充填してLEDチップを封止する封止層4からなる。そして、実装基板2、封止樹脂4、蛍光体層3の端面は面一となるように形成されている。
実装基板2は、ガラスエポキシ基板や、アルミナ等のセラミック基板からなる。また、封止層4は、酸化チタン等の白色顔料を含有させたエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる。また、蛍光体層3は、蛍光体粒子が分散されたエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂等、母材が有機材料のものからなる。
本発明の実施の形態に用いる蛍光体粒子の種類としては、LEDチップ1からの出射光と、この出射光を励起光とする蛍光体粒子からの波長変換光との混合光により所望の色温度及び演色性の白色光を得るように、種々の選択が可能である。
例えば、紫色LEDチップと併用する場合、演色性の観点から、青色蛍光体粒子及び黄色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、青色蛍光体粒子,黄色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、青色蛍光体粒子,緑色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いることが好ましい。
また、青色LEDチップと併用する場合、上記と同様の観点から、黄色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、黄色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いるか、緑色蛍光体粒子及び赤色蛍光体粒子と組み合わせて用いることが好ましい。
青色蛍光体粒子(ピーク波長:450nm〜495nm)としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
(Ba,Sr)MgAl1017:Eu2+
(Ba,Ca,Mg)(POCl:Eu2+
(Ca,Sr,Ba)SiS:Ce3+
(Ca,Sr,Ba)10(PO)・Cl:Eu2+
緑色蛍光体粒子(ピーク波長:495nm〜570nm)としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
Si6−zAl8−z:Eu2+(但し、0<z≦4.0)
(Ca,Sr,Ba)Si:Eu2+
(Lu,Gd)(Al,Sc)12:Ce3+
(Sr,Ba)SiO:Eu2+(但し、Srの係数<Baの係数)
(Sr,Ba)SiO:Eu2+(但し、Srの係数<Baの係数)
(Ca,Sr,Ba)Ga:Eu2+
黄色蛍光体粒子(ピーク波長:570nm〜590nm)としては、例えば、以下の蛍光材料が挙げられる。
(Y,Gd)(Al,Sc)12:Ce3+
(Sr,Ba)SiO:Eu2+(但し、Srの係数>Baの係数)
(Sr,Ba)SiO:Eu2+(但し、Srの係数>Baの係数)
(Ca,Mg)(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+(但し、0<x≦2)
赤色光変換蛍光体(ピーク波長:590nm〜700nm)としては、例えば、以下の蛍光体が挙げられる。
(Ca,Sr)AlSiN:Eu2+
(Ca,Sr)Si:Eu2+
(Y,La)O:Eu2+
(Li,Na,K)(Si,Ge,Ti)F:Mn4+
次に、本実施の形態に用いるLEDチップについて説明する。
図1(b)は、本実施の形態に用いるLEDチップ(発光素子)を示す断面図である。本実施の形態のLEDチップ1は、サファイアからなる成長基板11と、成長基板11の上に設けられるバッファ層(図示せず。)と、n型層12と、発光層13と、p型層14が成長基板11側から順に形成された窒化ガリウム系化合物半導体(Al1−X−YInGaN、0≦X≦1,0≦Y≦1,0≦X+Y≦1)からなる半導体層積層体を備えている。p型層14の表面には、p型層14とオーミック接合するAgからなる反射性のp側オーミック電極15が形成され、LEDチップの所定の領域は、p型層からn型層が露出するまでドライエッチングされている。そして、露出したn型層の底面の所定の領域及びp側オーミック電極の所定の領域には、各々、Ni/Auからなるn側パッド電極16a及びn側パッド電極16bが形成されている。
半導体積層体の各層は、例えば、有機金属化学気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)、分子線エピタキシー法(Molecular Beam Epitaxy:MBE)、ハライド気相エピタキシー法(Halide Vapor Phase Epitaxy:HVPE)等によって形成される。また、p側オーミック電極15,n側パッド電極16a及びn側パッド電極16aは、スパッタリング法又は真空蒸着法等を用いて形成される。
成長基板11はサファイアに限らず、スピネル,窒化ガリウム,炭化珪素,酸化ガリウム等に代替してもよい。また、p側オーミック電極15は、Agに限定されず、Ag,Agを主成分とする合金,Rh,Rhを主成分とする合金等に代替してもよい。
p側パッド電極16aとn側パッド電極16bとの間に、上述した正負のバンプ1a,1bを介して実装基板から所定の電圧が印加されると、例えば、発光層13から紫色光〜青色光が出射され、p側オーミック電極15側への出射光は、p側オーミック電極15により成長基板11側に反射され、成長基板11側への出射光とともにLEDチップ1から外部へ放射されるようになっている。
次いで、本実施の形態のLEDパッケージの製造方法について説明する。
図2は、本実施の形態のLEDパッケージ(発光装置)の製造方法を示す断面図である。
まず、図2(a)に示すように、複数のLEDチップ1をバンプ1a,1bを介してフリップチップ実装により実装基板2に電気的に接続させて搭載する(発光素子搭載工程)。次に、図2(b)に示すように、LEDチップ1の上面に蛍光体粒子が分散されたシリコーン樹脂を母材とした蛍光体シート(蛍光体板)を貼付して、これを加熱により硬化させて蛍光体層3を形成するとともに、蛍光体層3をLEDチップ1の上面と接合させる(蛍光体層形成工程)。この際、LEDチップ1が搭載されていない領域であって、実装基板2と蛍光体シート3との間には、空隙が形成される。
その後、図2(c)に示すように、この空隙に、ディスペンサ20により酸化チタン等の白色顔料が含有された白色の液状シリコーン樹脂からなる封止樹脂を所定の温度で加熱して低粘度化させてから注入して充填した後、更に温度を上昇させて封止樹脂を硬化させてLEDチップ1を封止する封止層4を形成する(発光素子封止工程)。最後に、図2(d)に示すように、実装基板2の裏面に形成された外部接続用導体パターンにより位置認識をして、LEDチップ1が搭載されていない領域を実装基板2側からダイサー21により切断することにより、実装基板2、封止層4、蛍光体層3の端面が面一となった個別のLEDパッケージを得る(発光装置個片化工程)。
ここで、上述して発光素子封止工程について、更に、詳述する。
図3は、LEDチップ(発光素子)の封止工程を示す断面図である。
図3(a)は、実装基板2の一端辺側に、低粘度化させた液状の封止樹脂4aをできディスペンサ20により供給し、実装基板2の他端辺側を水平面から下方に傾け、液状の封止樹脂4aの自重により、実装基板2と蛍光体シート3との間の空隙に液状の封止樹脂4aを充填させる方法である。また、図3(b)は、実装基板2の一端辺側に、低粘度化させた液状の封止樹脂4aをできディスペンサ20により供給し、実装基板2の他端辺側から吸引ポンプや真空ポンプ等のポンプ22により吸引することにより、実装基板2と蛍光体シート3との間の空隙に液状の封止樹脂4aを充填させる方法である。
尚、上述した蛍光体形成工程では、LEDチップ1の上面に蛍光体シートを貼付して加熱により硬化させるのみで蛍光体層4を形成したが、図4に示すように、LEDチップ1の上面に蛍光体シート4aを馴染ませるために、ローラ23により蛍光体シート4aをその上面から印圧してもよい。これにより、LEDチップ1と蛍光体層4との接合性が増す。更に、蛍光体シート4aを加熱しながら印圧して、蛍光体シート4aの硬化を促進させてもよい。
また、上述した発光素子搭載工程において、LEDチップ1をフリップチップ実装した後、図5に示すように、LEDチップ1と実装基板2との間にエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなるアンダーフィル樹脂を注入し、アンダーフィル層6を形成してもよい。これにより、発光装置個片化工程におけるダイサーからの振動等によるLEDチップ1と実装基板2との間の断線等の電気的不具合の発生が抑制される。
本発明の第1の実施の形態のLEDパッケージ(発光装置)の製造方法によれば、発光装置個片化工程において、個別のLEDパッケージを構成する蛍光体層及び封止層を複数のLEDパッケージにおいて一括して形成することができるため、LEDパッケージの製造方法を簡略化することができる。また、発光素子封止工程において、実装基板と蛍光体層との間に軟化させた液状樹脂を注入して硬化させて封止層を形成するため、気泡が生じることなく封止層を形成することができる。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る製造方法により得られるLEDパッケージ(発光装置)を示す断面図である。
本実施の形態のLEDパッケージの製造方法では、第1の実施の形態のLEDパッケージの製造方法と比較して、蛍光体シート(蛍光体板)が可撓性を有する母材が有機材料である点において異なる。そのため、得られるLEDパッケージにおいて、蛍光体層4aがLEDチップ1の上面においては平坦となっているが、LEDチップ1の上面端部から外側にかけて、実装基板2に向かって下方に撓んでいる。
このような可撓性を有する蛍光体シートの特性を利用した例を図7に示す。図7に示す本実施の形態の変形例に係る製造方法により得られるLEDパッケージでは、実装基板2aにLEDチップ1だけでなくツェナダイオード等のLEDチップ1を保護するための保護チップ(保護素子)5を正負のバンプ5a,5bを介してフリップチップ実装により搭載しており、LEDチップ1と保護チップ5の上面の高さが異なる。
この場合、蛍光体シートの可撓性により、蛍光体シートが実装基板2aに向かって撓むため、高さの異なるLEDチップ1及び保護チップ5の双方の上面に蛍光体層3aを接合させることができる。これにより、LEDパッケージを動作させて白色光を出射させた際に、蛍光体粒子の波長変換ロスにより生じる発熱を、蛍光体層3aに直接接するLEDチップ1と保護チップ1の双方を介して実装基板2aに放熱することができるため、LEDパッケージの放熱性が向上する。
本実施の形態に係る製造方法により得られるLEDパッケージ(発光装置)によれば、蛍光体シートが実装基板に向かって下方に撓むため、蛍光体層と封止層との接合面積が増加し、蛍光体層と封止層との間の剥離が抑制され、LEDパッケージの信頼性が向上する。
(第3の実施の形態)
図3は、本発明の第3の実施の形態に係る製造方法により得られるLEDパッケージ(発光装置)を示す断面図である。
本実施の形態のLEDパッケージの製造方法では、第1,2の実施の形態のLEDパッケージの製造方法と比較して、蛍光体シート(蛍光体板)が接合性を有さない点において異なる。本実施の形態の蛍光体シートとしては、蛍光体粒子が分散されたガラスを母材とする蛍光体含有ガラスや、蛍光体の原料を焼結した蛍光体自体が母材である蛍光体焼結体等、母材が無機材料であるものが挙げられる。
本実施の形態の場合、蛍光体シートが接合性を有さないため、蛍光体シートとLEDチップ1の上面との接合はLEDチップ1からの出射光を透過する透明性を有する接着材からなる接合層6を介して行われる、また、蛍光体シートが硬化等を必要とせず、そのまま蛍光体層3bを形成する。
本実施の形態において、第2の実施の形態の変形例と同様に、実装基板2aにLEDチップ1とともに保護チップ5を搭載する場合、図9に示すように、保護チップ5の上面にも接着材を塗布して保護チップ5の上面を蛍光体シートと接合層6bを介して接合させることが好ましい。これにより、蛍光体層6bと保護チップ6bの上面との間に隙間が生じないため、封止層6bでの気泡の発生が抑制される。この際、接合層6bには透明性が要求されないため、AlN等の高い放熱性を有する粒子を接着材に含有させることが好ましい。これにより、蛍光体の波長変換ロスにより生じる発熱を、蛍光体層3bと高い放熱性を有する接合層6bから保護チップ1を介して実装基板2aに放熱することができるため、LEDパッケージの放熱性が向上する。
本実施の形態に係る製造方法により得られるLEDパッケージ(発光装置)によれば、蛍光体層を無機材料により形成するため、蛍光体層の劣化が抑制され、LEDパッケージの高寿命化を促進することができる。
(その他の実施の形態)
上記の実施の形態では、窒化ガリウム系化合物半導体からなるLEDチップについて例示したが、セレン化亜鉛系化合物半導体(Zn1−XCdSe1−Y、0≦X≦1,0≦Y≦1)等のその他の無機系化合物半導体からなるLEDチップについても本発明を採用することができる。また、上記の実施の形態では、LEDチップについて例示したが、レーザダイオードや発光サイリスタ等のその他の無機系発光素子についても本発明を採用することができる。
また、上記の実施の形態では、1つのパッケージ当たりに1つのLEDチップを用いる場合について示したが、1つのパッケージ当たりに複数の同色のLEDチップを含ませてもよいし、1つのパッケージ当たりに複数種のLEDチップを含ませてもよい。複数のLEDチップを併用する場合、例えば、青色LEDチップ及び緑色LEDチップと併用する場合、赤色蛍光体と組み合わせることが好ましいし、青色LEDチップ及び赤色LEDチップと併用する場合、緑色蛍光体粒子又は黄色蛍光体粒子と組み合わせることが好ましい。
本発明の発光装置の製造方法は、表示装置、照明装置、バックライト装置等の光源に採用することができる。
1,101 LEDチップ
1a,1b バンプ
2,2a,102 実装基板
3,3a,3b,103 蛍光体層
4,104 封止層
5 保護チップ
5a,5b バンプ
6 アンダーフィル層
20 ディスペンサ
21,121 ダイサー
11 成長基板
12 n型層
13 発光層
14 p型層
15 p側オーミック電極
16a,16b パッド電極

Claims (6)

  1. 複数の発光素子を所定の間隔で基板に搭載する工程と、
    前記複数の発光素子の上面に蛍光体板を配置して前記複数の発光素子の前記上面と接合させる工程と、
    前記基板と前記蛍光体板との間に、軟化させた樹脂を充填する工程と、
    前記樹脂を硬化させて複数の前記発光素子を封止する工程と、
    前記基板、前記樹脂及び前記蛍光体板を所定の位置で切断して個片化する工程と
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 前記樹脂は白色であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記蛍光体板は、母材が有機材料からなり、直接前記複数の発光素子の前記上面と接合していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記蛍光体板は、母材が無機材料からなり、接着材を介して前記複数の発光素子の前記上面と接合していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記樹脂は、前記基板を水平面から傾けて前記樹脂の自重により前記基板と前記蛍光体板との間に充填することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記樹脂は、吸引により前記基板と前記蛍光体板との間に充填することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018220932A1 (ja) * 2017-05-30 2018-12-06 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法。
US10186646B2 (en) 2016-11-30 2019-01-22 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
US10497686B2 (en) 2016-11-30 2019-12-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting element
WO2021166696A1 (ja) * 2020-02-20 2021-08-26 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法及び樹脂塗布装置
US11545603B2 (en) 2019-04-23 2023-01-03 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10680149B2 (en) 2016-11-30 2020-06-09 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
US10186646B2 (en) 2016-11-30 2019-01-22 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
US10497686B2 (en) 2016-11-30 2019-12-03 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting element
US11682662B2 (en) 2016-11-30 2023-06-20 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting element
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
US11322659B2 (en) 2016-12-09 2022-05-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for manufacturing wavelength conversion member, wavelength conversion member, and light-emitting device
JP7093432B2 (ja) 2017-05-30 2022-06-29 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法
WO2018220932A1 (ja) * 2017-05-30 2018-12-06 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法。
JPWO2018220932A1 (ja) * 2017-05-30 2020-04-02 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法。
JP2021093533A (ja) * 2017-05-30 2021-06-17 シャープ株式会社 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法
TWI771424B (zh) * 2017-05-30 2022-07-21 日商夏普股份有限公司 半導體模組、顯示裝置、以及半導體模組的製造方法
CN110741484A (zh) * 2017-05-30 2020-01-31 夏普株式会社 半导体模块、显示装置及半导体模块的制造方法
US11545603B2 (en) 2019-04-23 2023-01-03 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same
US11942582B2 (en) 2019-04-23 2024-03-26 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same
WO2021166696A1 (ja) * 2020-02-20 2021-08-26 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法及び樹脂塗布装置

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