CN110050207A - 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备 - Google Patents

波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备 Download PDF

Info

Publication number
CN110050207A
CN110050207A CN201780075652.3A CN201780075652A CN110050207A CN 110050207 A CN110050207 A CN 110050207A CN 201780075652 A CN201780075652 A CN 201780075652A CN 110050207 A CN110050207 A CN 110050207A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wavelength convert
convert component
interarea
component
supporter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780075652.3A
Other languages
English (en)
Inventor
国本知道
浅野秀树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Publication of CN110050207A publication Critical patent/CN110050207A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供能够制造具有高的光取出效率的波长转换部件、能够抑制材料损失的波长转换部件的制造方法、由此得到的波长转换部件和波长转换设备。通过使波长转换部件的原材料10裂开制造多个波长转换部件的方法，特征在于，包括：准备具有彼此相反的第一主面11和第二主面12的原材料10的工序；在第一主面11形成分割槽13的工序；在形成有分割槽13的原材料10的第二主面12贴附支撑体20的工序；通过从支撑体20侧按压形成有分割槽13的区域，使原材料10沿分割槽13裂开，分割为多个波长转换部件的工序；通过使支撑体20膨胀，在支撑体20上的多个波长转换部件之间形成间隙的工序；和在形成间隙之后，将多个波长转换部件从支撑体20取下的工序。

Description

波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
技术领域
本发明涉及波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备。
背景技术
近年来，作为代替荧光灯、白炽灯的下一代光源，对于使用LED、LD的发光设备等的关注逐渐提高。作为这样的下一代光源的一例，公开了组合射出蓝色光的LED和吸收来自LED的光的一部分并转换为黄色光的波长转换部件的发光设备。该发光设备发出作为从LED射出且透过波长转换部件的蓝色光与从波长转换部件射出的黄色光的合成光的白色光。专利文献1中，作为波长转换部件的一例，提出了在玻璃基质中分散有荧光体粉末的波长转换部件。
在专利文献2中，公开了将波长转换部件的原材料通过切割(dicing)进行分割，制造波长转换部件的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－258308号公报
专利文献2：日本特开2011－238778号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的发明人发现，在如专利文献2那样利用切割来分割时，存在在波长转换部件的表面产生碎屑，因此波长转换部件中的光取出效率降低的问题。另外，存在由于切割发生材料损失的问题。
本发明的目的在于提供能够制造具有高的光取出效率的波长转换部件、能够抑制材料损失的波长转换部件的制造方法、由此得到的波长转换部件和发光设备。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的制造方法是通过使波长转换部件的原材料裂开制造多个波长转换部件的方法，该制造方法的特征在于，包括：准备具有彼此相反的第一主面和第二主面的原材料的工序；在第一主面形成分割槽的工序；在形成有分割槽的原材料的第二主面贴附支撑体的工序；通过从支撑体侧按压形成有分割槽的区域，使原材料沿分割槽裂开，分割为多个波长转换部件的工序；通过使支撑体膨胀，在支撑体上的多个波长转换部件之间形成间隙的工序；和在形成间隙之后，将多个波长转换部件从支撑体取下的工序。
优选通过刻划而形成分割槽。
优选通过从与原材料相反一侧按压支撑体，使支撑体膨胀。
优选在支撑体的表面设置包含紫外线固化树脂的粘接层，在粘接层贴附第二主面。此时，优选对粘接层照射紫外线使粘接性降低之后，将多个波长转换部件从支撑体取下。
优选使用具有刀片的按压部件，用刀片按压支撑体的与分割槽相对的部分，由此来使原材料裂开。
优选原材料是在无机基质中分散荧光体颗粒而成的。此时，优选无机基质为玻璃。
本发明的波长转换部件的特征在于，其是具有彼此相反的第一主面和第二主面的波长转换部件，在第一主面的周缘部形成有刻划线条。
本发明的波长转换部件的特征在于，其是具有彼此相反的第一主面和第二主面的波长转换部件，第一主面的周缘部中的缺损部相对于周缘部整体为10％以下。
优选波长转换部件是在无机基质中分散有荧光体颗粒的波长转换部件。
本发明的波长转换部件的特征在于，其是具有彼此相反的第一主面和第二主面并且在无机基质中分散有荧光体颗粒的波长转换部件，在连接第一主面和第二主面的侧面，形成有包含荧光体颗粒的凸部。
优选无机基质为玻璃。
本发明的发光设备的特征在于，具有：本发明的波长转换部件；光源，其设置于波长转换部件的第二主面侧，用于对波长转换部件照射激发光；和反射部件，其设置于波长转换部件的连接第一主面和第二主面的侧面的周围。
优选反射部件由含有白色颜料的树脂组合物形成。
发明的效果
根据本发明的制造方法，能够制造具有高的光取出效率的波长转换部件，能够抑制材料损失。
本发明的波长转换部件和发光设备具有高的光取出效率。
附图说明
图1是表示本发明的制造方法的一个实施方式中形成有分割槽的原材料的俯视图。
图2是将图1所示的分割槽放大表示的剖面图。
图3是表示本发明的制造方法的一个实施方式中的构成原材料的荧光体颗粒和无机基质的放大剖面图。
图4是表示本发明的制造方法的一个实施方式中在原材料的第二主面贴附有支撑体的状态的剖面图。
图5是用于说明支撑体的构造的剖面图。
图6是用于说明从支撑体侧按压形成有分割槽的区域而使原材料裂开的工序的剖面图。
图7是用于说明通过使支撑体膨胀而在波长转换部件之间形成间隙的工序的剖面图。
图8是用于说明通过使支撑体膨胀而在波长转换部件之间形成间隙的工序的剖面图。
图9是表示本发明的第一实施方式的波长转换部件的剖面图。
图10是表示本发明的第一实施方式的波长转换部件的俯视图。
图11是用于说明本发明的第一实施方式的波长转换部件的第一主面的周缘部中的缺损部的俯视图。
图12是表示使用本发明的第一实施方式的波长转换部件的发光设备的剖面图。
图13是表示使用本发明的第一实施方式的波长转换部件的发光设备的俯视图。
图14是用于说明波长转换部件的第一主面的周缘部中的缺损部对波长转换部件的光取出效率产生的影响的放大剖面图。
图15是表示本发明的第二实施方式的波长转换部件的剖面图。
图16是将本发明的第二实施方式的波长转换部件的侧面放大表示的剖面图。
图17是将使用本发明的第二实施方式的波长转换部件的发光设备中的波长转换部件与反射部件的界面放大表示的剖面图。
具体实施方式
以下，对优选的实施方式进行说明。但是，以下的实施方式仅仅是例示，本发明不限定于以下的实施方式。另外，在各附图中，有时对实质上具有相同功能的部件使用相同的符号。
(制造方法的实施方式)
图1是表示本发明的制造方法的一个实施方式中形成有分割槽的原材料的俯视图。图2是将图1所示的分割槽放大表示的剖面图。如图2所示，波长转换部件的原材料10具有彼此相反的第一主面11和第二主面12。如图1和图2所示，在原材料10的第一主面11形成有分割槽13。在本实施方式中，分割槽13如图1所示形成为格子状。因此，分割槽13形成为沿规定的方向(x方向)和与该规定方向大致垂直的方向(y方向)。在本实施方式的制造方法中，沿分割槽13分割原材料10，制造波长转换部件。因此，一般而言，分割槽13的图案选择与最终所要制造的波长转换部件的形状对应的图案。
图3是表示本发明的制造方法的一个实施方式中的原材料的放大剖面图。如图3所示，原材料10具有无机基质2和分散于无机基质2中的荧光体颗粒3。此外，在后述的图16和图17以外的附图中，省略荧光体颗粒3的图示。
荧光体颗粒3只要能通过激发光的入射而射出荧光即可，没有特别限定。作为荧光体颗粒3的具体例，例如，可以列举选自氧化物荧光体、氮化物荧光体、氮氧化物荧光体、氯化物荧光体、氯氧化物荧光体、硫化物荧光体、硫氧化物荧光体、卤化物荧光体、硫属化物荧光体、铝酸盐荧光体、卤磷酸盐化物荧光体和石榴石系化合物荧光体中的1种以上等。作为激发光使用蓝色光时，例如，能够使用作为荧光射出绿色光、黄色光或红色光的荧光体。荧光体颗粒3的平均粒径优选为1μm～50μm，更优选为5μm～25μm。荧光体颗粒3的平均粒径过小时，有时发光强度降低。另一方面，荧光体颗粒3的平均粒径过大时，有时发光色变得不均匀。
原材料10中的荧光体颗粒3的含量优选为1体积％以上、1.5体积％以上，特别优选为2体积％以上，优选为70体积％以下、50体积％以下，特别优选为30体积％以下。荧光体颗粒3的含量过少时，为了得到所期望的发光色需要增厚原材料10的厚度，其结果，由于所得到的波长转换部件的内部散射增加，有时光取出效率降低。另一方面，荧光体颗粒3的含量过多时，为了得到所期望的发光色需要减薄原材料10的厚度，因此，有时所得到的波长转换部件的机械强度降低。
作为无机基质2，可以列举玻璃等。玻璃只要能够作为荧光体颗粒3的分散介质使用即可，没有特别限定。例如，可以使用硼硅酸盐系玻璃、磷酸盐系玻璃、锡磷酸盐系玻璃、铋酸盐系玻璃等。作为硼硅酸盐系玻璃，可以列举以质量％计含有SiO2 30～85％、Al2O3 0～30％、B2O3 0～50％、Li2O+Na2O+K2O 0～10％、和MgO+CaO+SrO+BaO 0～50％的玻璃。作为锡磷酸盐系玻璃，可以列举以摩尔％计含有SnO 30～90％、P2O5 1～70％的玻璃。
此外，原材料10除了上述构成以外，也可以是包括YAG陶瓷等的陶瓷的物质。
参照图2，分割槽13的深度d优选为原材料10的厚度t的0.1％～20％的范围，更优选为0.5％～10％的范围。分割槽13的深度d过浅时，有时利用分割槽13的裂开变得困难。分割槽13的深度d过深时，形成分割槽时的荷重变得过大，有时导致裂纹在不想要的方向延伸(横向裂纹)而无法在与主面垂直的方向裂开。
分割槽13的宽度w优选为0.001mm以上，进一步更优选为0.002mm以上，并且优选为0.010mm以下，进一步更优选为0.005mm。宽度w过大时，在裂开时成为缺损部。宽度w过小时，有时利用分割槽13的裂开变得困难。
优选分割槽13通过刻划形成。作为形成分割槽13(刻划线条)的具体方法，能够根据无机基质2的材质适当选择，在无机基质2为玻璃时，优选利用使用金刚石颗粒等的刻划器等形成。另外，也可以根据无机基质2的材质，利用激光形成分割槽13。
图4是表示本发明的制造方法的一个实施方式中在原材料的第二主面贴附了支撑体的状态的剖面图。如图4所示，在分割槽13形成于第一主面11的原材料10的第二主面12贴附支撑体20。如图5所示，支撑体20具有膜21和设置于膜21上的粘接层22。在本实施方式中，粘接层22包含紫外线固化树脂。通过在第二主面12贴附粘接层22，支撑体20贴附于原材料10。
图6(a)～(c)是用于说明从支撑体侧按压形成有分割槽的区域而使原材料裂开的工序的剖面图。如图6(a)所示，在与用于裂开的分割槽13相对的位置，配置按压部件30。按压部件30具有刀片31。在本实施方式中，用于裂开的分割槽13在y方向以直线状延伸。按压部件30的刀片31也同样在y方向以直线状延伸。
在图6(a)所示的状态下，使按压部件30向上方(z方向)移动，用刀片31从支撑体20侧按压形成有分割槽13的区域。由此，如图6(b)所示，沿分割槽13在厚度方向(z方向)使原材料10裂开，形成裂开面14。形成裂开面14之后，如图6(c)所示，使按压部件30向下方(z方向)移动，使在分割槽13的部分弯曲的原材料10恢复原来的状态。接着，使按压部件30在横向(x方向)移动，在相邻的分割槽13的下方配置按压部件30，与上述同样使按压部件30向上方移动，沿相邻的分割槽13在厚度方向(z方向)使原材料10裂开。
如上所述操作，使按压部件30依次在横向(x方向)移动，配置于分割槽13之下，之后使其上下移动，由此，沿在x方向排列的分割槽13使原材料10裂开。参照图1，沿在x方向排列的全部的分割槽13使原材料10裂开之后，使用以刀片31在x方向延伸的方式取向的按压部件30，沿在y方向排列的分割槽13使原材料10裂开。这样操作，在x方向和y方向沿分割槽13使原材料10裂开，由此，使原材料10裂开成矩阵状。此外，以上使用在x方向和y方向延伸的刀片31使原材料10裂开为格子状，但是不限定于此。例如，可以在用刀片31在x方向或y方向使原材料10裂开之后，以刀片31的方向固定的状态，将原材料10在xy平面内旋转90度，接着在与最初的裂开方向正交的方向使原材料10裂开，由此裂开成格子状。
图7和图8是用于说明通过使支撑体膨胀而在波长转换部件之间形成间隙的工序的剖面图。如图7所示，在裂开为矩阵状的原材料10的下方(隔着支撑体20在原材料10的相反一侧)配置用于使支撑体20膨胀的压入部件32。压入部件32具有平板状的形状。在支撑体20上，载置有通过将原材料10裂开为矩阵状而形成的多个波长转换部件1。支撑体20的端部由框33固定。
接着，如图8所示，通过使压入部件32向上方移动，用压入部件32的上表面32a从下方按压支撑体20，使其向上方膨胀。支撑体20的周缘部利用框33固定了其位置，因而支撑体20在横向(x方向和y方向)膨胀。通过支撑体20在横向膨胀，在支撑体20上的多个波长转换部件1之间形成间隙15。以该状态从上方对支撑体20照射紫外线，使支撑体20表面的粘接层固化，使粘接层的粘接性降低。由此，能够容易地从支撑体20取下波长转换部件1。使用拾取装置等，从支撑体20将多个波长转换部件1取下。通过在多个波长转换部件1之间形成间隙15，将波长转换部件1从支撑体20取下时，能够防止取下的波长转换部件1与相邻的波长转换部件1接触。由此，能够抑制在波长转换部件1的侧面由于碎屑等形成缺损部。
如上所述操作，通过使原材料10沿分割槽13裂开，能够制造多个波长转换部件1。根据本实施方式的方法，能够使原材料10沿分割槽13高精度地裂开。因此，所得到的波长转换部件1存在第一主面的尺寸精度高于第二主面的尺寸精度的趋势。因此，在与光源组合而制作发光设备时，优选使波长转换部件1的第一主面形成为光出射面。
在本实施方式中，形成格子状的图案的分割槽，制造平面形状为矩形状的多个波长转换部件，但是本发明不限定于此。例如，波长转换部件的平面形状可以为三角形，也可以为五边形和六边形等多边形的形状。另外，也可以为圆形、椭圆形等的形状。另外，也可以为一部分包括圆弧形状的形状。
在本实施方式中，仅在原材料的第一主面形成分割槽，但是也可以在第二主面也形成分割槽。在本实施方式中，通过从下方按压支撑体并使其向上方膨胀，从而使支撑体膨胀，但是本发明不限定于此。也可以使用使支撑体在横向膨胀的其它方法。另外，作为支撑体，使用了设置有包含紫外线固化树脂的粘接层的支撑体，但是本发明不限定于此。
(第一实施方式的波长转换部件和发光设备)
图9是表示本发明的第一实施方式的波长转换部件的剖面图，图10是表示本发明的第一实施方式的波长转换部件的俯视图。图9和图10所示的波长转换部件1是通过上述实施方式的方法制造的波长转换部件。波长转换部件1具有对应于原材料10的第一主面11的第一主面4和对应于第二主面12的第二主面5。因此，第一主面4和第二主面5彼此相反。另外，波长转换部件1如图3所示，具有无机基质2和分散于无机基质2中的荧光体颗粒3。波长转换部件1具有连接第一主面4和第二主面5的侧面7，侧面7对应于裂开面14。
本实施方式的波长转换部件1是通过上述实施方式的方法制造的波长转换部件，在第一主面4的周缘部6形成有刻划线条。本实施方式的波长转换部件1与通过利用切割的切断所制造的现有的波长转换部件相比，第一主面4的周缘部6中的缺损部少。如上所述，分割槽13的宽度w小于以下所说明的本发明的缺损部，因此，分割槽13对波长转换部件1的光取出效率产生的影响小。
下面说明第一主面4的周缘部6中的缺损部对波长转换部件1的光取出效率产生的影响。
图11是用于说明波长转换部件1的第一主面4的周缘部6中的缺损部的俯视图。图11所示的周缘部6为在y方向延伸为直线状的部分，因此，设定与位于周缘部6的最外侧的最外部6a相接且在y方向延伸为直线状的第一假想线A。如图11所示，设定与第一假想线A平行并且与第一假想线A相距距离D位于内侧的第二假想线B。在本发明中，距离D为0.01mm。
在本发明中，将比第二假想线B位于内侧的周缘部6的部分作为缺损部6b。本发明中，特征在于缺损部6b相对于周缘部6整体为10％以下。这意指：相对于沿着周缘部6的第一假想线A的长度整体，缺损部6b的沿第二假想线B的长度L在周缘部6整体的合计值为10％以下。对本实施方式的波长转换部件1具体地进行说明，本实施方式中，波长转换部件1的平面形状为矩形状，由4个边构成。对于各边测定第一假想线A的长度和缺损部6b的长度L，求出4个边的第一假想线A的长度的合计值、和4个边的缺损部6b的长度L的合计值，判断长度L的合计值相对于第一假想线A的长度的合计值是否为10％以下。
波长转换部件1的平面形状由直线状的线段构成时，能够与上述同样操作，测定缺损部6b的长度L。波长转换部件1的平面形状包含圆弧状的部分时，设定圆弧状的第一假想线A，在其内侧设定同心圆的圆弧状的第二假想线B，能够与上述同样操作，测定缺损部6b的长度L。此时，第二假想线B设定为在径向与第一假想线A相距距离D位于内侧。
根据本发明，通过使缺损部6b相对于周缘部6整体为10％以下，能够提高波长转换部件1的光取出效率。以下，对此进行说明。
图12是表示使用本发明的第一实施方式的波长转换部件的发光设备的剖面图。图13是其俯视图。如图12和图13所示，本实施方式的发光设备50具有波长转换部件1和用于对波长转换部件1照射激发光的光源51。光源51设置于波长转换部件1的下方。此外，发光设备50还具有基板61，光源51设置于基板61与波长转换部件1之间。在波长转换部件1和光源51的周围设置反射部件41。
作为反射部件41，例如，能够使用包含树脂和陶瓷粉末的树脂组合物、或玻璃陶瓷。作为玻璃陶瓷的材料，能够使用玻璃粉末和陶瓷粉末的混合粉末、或结晶性玻璃粉末。
作为玻璃粉末，能够使用SiO2―B3O3系玻璃、SiO2－RO系玻璃(R表示碱土金属)、SiO2－Al2O3系玻璃、SiO2－ZnO系玻璃、SiO2－R2O系玻璃(R表示碱金属)、或SiO2－TiO2系玻璃等。这些玻璃粉末可以单独使用，也可以并用多种。
作为陶瓷粉末，能够使用二氧化硅、氧化铝、氧化锆或二氧化钛等。这些陶瓷粉末可以单独使用，也可以并用多种。
作为反射部件41，特别优选由含有白色颜料的白色树脂组合物形成。作为白色颜料，可以列举上述的二氧化硅、氧化铝、氧化锆或二氧化钛等的陶瓷粉末。
作为光源51，能够使用LED(Light Emitting Diode，发光二极管)、LD(LaserDiode，激光二极管)等。
作为基板61，例如，可以使用能够高效地反射从光源51发出的光的白色的LTCC(Low Temperature Co－fired Ceramics，低温共烧陶瓷)等。具体而言，可以列举氧化铝、氧化钛、氧化铌等的无机粉末与玻璃粉末的烧结体。或者，也能够使用氧化铝、氮化铝等的陶瓷等。
从光源51射出的激发光激发波长转换部件1中的荧光体颗粒，从荧光体颗粒射出荧光。从发光设备50射出该荧光与通过波长转换部件1的激发光的合成光。
图14是用于说明波长转换部件的第一主面的周缘部中的缺损部对波长转换部件的光取出效率产生的影响的放大剖面图。图14放大表示波长转换部件1与反射部件41的界面。在波长转换部件1的周缘部6存在缺损部6b时，如图14所示，周围的反射部件41容易侵入缺损部6b内。因此，在该部分中，来自波长转换部件1的出射光被反射，从波长转换部件1不射出光。因此，波长转换部件1的光取出效率降低。根据本发明，通过使波长转换部件1的第一主面的周缘部6中的缺损部6b相对于周缘部6整体为10％以下，能够改善波长转换部件1的光取出效率。此外，缺损部6b优选相对于周缘部6整体为5％以下，更优选为3％以下。
＜实施例1和比较例1＞
通过以根据本发明的裂开方法分割原材料来制造的方法(实施例1)和使用切割锯分割原材料来制造的方法(比较例1)制造平面形状为1.4mm×1.4mm的矩形状、厚度为0.2mm的波长转换部件。作为荧光体颗粒使用YAG：Ce，作为无机基质使用碱土硅酸盐玻璃，将原材料中的荧光体颗粒的含量设为10体积％。
(实施例1)
将分割槽的深度d设为0.004mm、分割槽的宽度w设为0.004mm，在原材料的第一主面形成分割槽，通过根据本发明的方法使原材料裂开，得到波长转换部件。所得到的波长转换部件的第一主面的周缘部中的缺损部相对于周缘部整体为3％。
用透明有机硅树脂使所得到的波长转换部件和光源粘接固化之后，在波长转换部件和光源的侧面设置反射部件，制作发光设备。使用包含有机硅树脂和二氧化钛粉末的白色树脂组合物制造反射部件。光源使用波长445nm的倒装芯片型的LED。对所得到的发光设备照射来自光源的激发光(电流值0.3A)，测定从发光设备射出的光通量值。光通量值为105a.u.。
(比较例1)
使用切割锯切断原材料而进行分割，除此以外，与实施例1同样操作，得到波长转换部件。作为切割锯，使用刃的宽度为0.1mm的切割锯。切断原材料时，相当于切割锯的刃的宽度的部分消失，为约14％的材料损失。所得到的波长转换部件的第一主面的周缘部中的缺损部相对于周缘部整体为20％。
与实施例1同样操作，制作发光设备，测定从发光设备射出的光通量值。光通量值为100a.u.。
从实施例1与比较例1的比较可知，根据本发明，通过将周缘部中的缺损部相对于周缘部整体设为10％以下，能够改善波长转换部件的光取出效率。
图9和图10所示的波长转换部件具有无机基质2和分散于无机基质2中的荧光体颗粒3，但是第一实施方式不限定于此。例如，也可以如荧光体陶瓷那样波长转换部件整体由荧光体构成。
(第二实施方式的波长转换部件和发光设备)
图15是表示本发明的第二实施方式的波长转换部件的剖面图。图15所示的波长转换部件1为通过上述实施方式的方法制造的波长转换部件。波长转换部件1具有对应于原材料10的第一主面11的第一主面4和对应于第二主面12的第二主面5。因此，第一主面4和第二主面5彼此相反。另外，波长转换部件1如图3所示，具有无机基质2和分散于无机基质2中的荧光体颗粒3。波长转换部件1具有连接第一主面4和第二主面5的侧面7，侧面7对应于裂开面14。
本实施方式的波长转换部件1的侧面7是通过如上所述使原材料裂开而形成的面。使原材料裂开时，无机基质2裂开，但是存在于裂开面的荧光体颗粒3不裂开。因此，如图16所示，在由裂开面形成的侧面7，形成由荧光体颗粒形成的凸部8。
图17是将使用本发明第二实施方式的波长转换部件的发光设备中的波长转换部件与反射部件的界面放大表示的剖面图。如图17所示，由荧光体颗粒形成的凸部8以进入反射部件41的方式配置。因此，由荧光体颗粒形成的凸部8对反射部件41发挥固定(anchor)作用。随着光源的开启和关闭，发光设备重复温度的上升和下降，发生由温度循环引起的膨胀收缩。在这种情况下，也因利用凸部8得到的固定效果，能够抑制反射部件41的剥离。
符号说明
1…波长转换部件、2…无机基质、3…荧光体颗粒、4…第一主面、5…第二主面、6…周缘部、6a…最外部、6b…缺损部、7…侧面、8…凸部、10…原材料、11…第一主面、12…第二主面、13…分割槽、14…裂开面、15…间隙、20…支撑体、21…膜、22…粘接层、30…按压部件、31…刀片、32…压入部件、32a…上表面、33…框、41…反射部件、50…发光设备、51…光源、61…基板、d…分割槽的深度、w…分割槽的宽度、D…第一假想线和第二假想线之间的距离、L…缺损部的长度。

Claims (15)

1.一种波长转换部件的制造方法，其是通过使波长转换部件的原材料裂开制造多个波长转换部件的方法，该制造方法的特征在于，包括：
准备具有彼此相反的第一主面和第二主面的所述原材料的工序；
在所述第一主面形成分割槽的工序；
在形成有所述分割槽的所述原材料的所述第二主面贴附支撑体的工序；
通过从所述支撑体侧按压形成有所述分割槽的区域，使所述原材料沿所述分割槽裂开，分割为所述多个波长转换部件的工序；
通过使所述支撑体膨胀，在所述支撑体上的所述多个波长转换部件之间形成间隙的工序；和
在形成所述间隙之后，将所述多个波长转换部件从所述支撑体取下的工序。
2.如权利要求1所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
通过进行刻划而形成所述分割槽。
3.如权利要求1或2所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：通过从与所述原材料相反一侧按压所述支撑体，使所述支撑体膨胀。
4.如权利要求1～3中任一项所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
在所述支撑体的表面设置包含紫外线固化树脂的粘接层，使所述第二主面贴附在所述粘接层。
5.如权利要求4所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
对所述粘接层照射紫外线使粘接性降低之后，将所述多个波长转换部件从所述支撑体取下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
使用具有刀片的按压部件，用所述刀片按压所述支撑体的与所述分割槽相对的部分，由此来使所述原材料裂开。
7.如权利要求1～6中任一项所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
所述原材料是在无机基质中分散荧光体颗粒而成的。
8.如权利要求7所述的波长转换部件的制造方法，其特征在于：
所述无机基质为玻璃。
9.一种波长转换部件，其特征在于：
其是具有彼此相反的第一主面和第二主面的波长转换部件，
在所述第一主面的周缘部形成有刻划线条。
10.一种波长转换部件，其特征在于：
其是具有彼此相反的第一主面和第二主面的波长转换部件，
所述第一主面的周缘部中的缺损部相对于所述周缘部整体为10％以下。
11.如权利要求9或10所述的波长转换部件，其特征在于：
所述波长转换部件是在无机基质中分散有荧光体颗粒的波长转换部件。
12.一种波长转换部件，其特征在于：
其是具有彼此相反的第一主面和第二主面并且在无机基质中分散有荧光体颗粒的波长转换部件，
在连接所述第一主面和所述第二主面的侧面，形成有包含所述荧光体颗粒的凸部。
13.如权利要求11或12所述的波长转换部件，其特征在于：
所述无机基质为玻璃。
14.一种发光设备，其特征在于，具有：
权利要求9～13中任一项所述的波长转换部件；
光源，其设置于所述波长转换部件的所述第二主面侧，用于对所述波长转换部件照射激发光；和
反射部件，其设置于所述波长转换部件的连接所述第一主面和所述第二主面的侧面的周围。
15.如权利要求14所述的发光设备，其特征在于：
所述反射部件由含有白色颜料的树脂形成。
CN201780075652.3A 2016-12-09 2017-11-21 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备 Pending CN110050207A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016239326A JP6776859B2 (ja) 2016-12-09 2016-12-09 波長変換部材の製造方法、波長変換部材及び発光デバイス
JP2016-239326 2016-12-09
PCT/JP2017/041765 WO2018105374A1 (ja) 2016-12-09 2017-11-21 波長変換部材の製造方法、波長変換部材及び発光デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110050207A true CN110050207A (zh) 2019-07-23

Family

ID=62491836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780075652.3A Pending CN110050207A (zh) 2016-12-09 2017-11-21 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10818825B2 (zh)
EP (1) EP3553573A4 (zh)
JP (1) JP6776859B2 (zh)
KR (1) KR102449025B1 (zh)
CN (1) CN110050207A (zh)
WO (1) WO2018105374A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD896994S1 (en) * 2017-10-03 2020-09-22 Alexander Lorenz Concrete slab
USD962484S1 (en) * 2017-10-03 2022-08-30 Alexander Lorenz Concrete slab
JP7206829B2 (ja) * 2018-11-15 2023-01-18 日本電気硝子株式会社 板状部材の製造方法及び積層体
JP7243423B2 (ja) * 2019-05-09 2023-03-22 日本電気硝子株式会社 板状部材の製造方法
JP7257247B2 (ja) * 2019-05-16 2023-04-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7352159B2 (ja) * 2019-09-30 2023-09-28 日本電気硝子株式会社 デバイスの製造方法
JP2021067797A (ja) 2019-10-23 2021-04-30 日本電気硝子株式会社 板状部材の製造方法、板状部材の中間体及び板状部材

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003258308A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
CN1480417A (zh) * 2002-07-24 2004-03-10 索尼株式会社 玻璃基底和玻璃切割方法
WO2006073098A1 (ja) * 2005-01-05 2006-07-13 Thk Co., Ltd. ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置
CN101099228A (zh) * 2005-01-05 2008-01-02 Thk株式会社 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置
CN101867003A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20110278616A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Takashi Washizu Manufacturing method of wavelength conversion element, wavelength conversion element, and light emitting device
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
EP2503606A2 (en) * 2011-03-25 2012-09-26 Samsung LED Co., Ltd. Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
WO2013018279A1 (ja) * 2011-08-04 2013-02-07 株式会社小糸製作所 光波長変換ユニット
EP2680328A2 (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered LED, producing method thereof, and LED device
EP2680329A2 (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered LED, producing method thereof, and LED device
CN103635438A (zh) * 2011-12-12 2014-03-12 日本电气硝子株式会社 平板玻璃的切割分离方法
US20140339573A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
US20140367729A1 (en) * 2012-06-29 2014-12-18 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
CN105006510A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 广州市鸿利光电股份有限公司 一种csp led的封装方法
CN105047786A (zh) * 2015-05-29 2015-11-11 广州市鸿利光电股份有限公司 芯片级封装led的封装方法
KR20160023052A (ko) * 2014-08-21 2016-03-03 엘지이노텍 주식회사 형광체 플레이트 및 이를 제조하는 방법
EP2680327A3 (en) * 2012-06-29 2016-03-09 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered LED, producing method thereof, LED device, and producing method thereof
CN105453281A (zh) * 2013-07-30 2016-03-30 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造覆盖元件和光电子组件的方法、覆盖元件和光电子组件
JP2016119402A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
DE102015103571A1 (de) * 2015-03-11 2016-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
WO2016148019A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 日東電工株式会社 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
WO2016194746A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日東電工株式会社 蛍光体プレートの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3978514B2 (ja) * 2002-12-24 2007-09-19 株式会社ナノテム 発光素子の製造方法および発光素子
JP4516378B2 (ja) * 2004-08-13 2010-08-04 ローム株式会社 半導体発光装置
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP5442375B2 (ja) * 2009-09-28 2014-03-12 京セラオプテック株式会社 光学素子の製造方法
US20130140592A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode with improved light extraction efficiency and methods of manufacturing same
DE102014102848A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Konversionselement, Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, optoelektronisches Bauelement umfassend ein Konversionselement
JP2015192100A (ja) 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2016119454A (ja) * 2014-12-17 2016-06-30 日東電工株式会社 蛍光体層被覆光半導体素子およびその製造方法
JP6762736B2 (ja) 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
US10573794B2 (en) 2015-05-29 2020-02-25 Hongli Zhihui Group Co.,Ltd. Method of packaging CSP LED and CSP LED
JP2016222902A (ja) 2015-06-02 2016-12-28 日東電工株式会社 蛍光体プレートの製造方法

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003258308A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Nippon Electric Glass Co Ltd 発光色変換部材
CN1480417A (zh) * 2002-07-24 2004-03-10 索尼株式会社 玻璃基底和玻璃切割方法
WO2006073098A1 (ja) * 2005-01-05 2006-07-13 Thk Co., Ltd. ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置
CN101099228A (zh) * 2005-01-05 2008-01-02 Thk株式会社 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置
CN101867003A (zh) * 2009-04-20 2010-10-20 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20110278616A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Takashi Washizu Manufacturing method of wavelength conversion element, wavelength conversion element, and light emitting device
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
EP2503606A2 (en) * 2011-03-25 2012-09-26 Samsung LED Co., Ltd. Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
WO2013018279A1 (ja) * 2011-08-04 2013-02-07 株式会社小糸製作所 光波長変換ユニット
CN103635438A (zh) * 2011-12-12 2014-03-12 日本电气硝子株式会社 平板玻璃的切割分离方法
EP2680329A2 (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered LED, producing method thereof, and LED device
EP2680328A2 (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered LED, producing method thereof, and LED device
US20140367729A1 (en) * 2012-06-29 2014-12-18 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
EP2680327A3 (en) * 2012-06-29 2016-03-09 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered LED, producing method thereof, LED device, and producing method thereof
US20140339573A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
CN105453281A (zh) * 2013-07-30 2016-03-30 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于制造覆盖元件和光电子组件的方法、覆盖元件和光电子组件
KR20160023052A (ko) * 2014-08-21 2016-03-03 엘지이노텍 주식회사 형광체 플레이트 및 이를 제조하는 방법
JP2016119402A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
DE102015103571A1 (de) * 2015-03-11 2016-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
WO2016148019A1 (ja) * 2015-03-16 2016-09-22 日東電工株式会社 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
CN105047786A (zh) * 2015-05-29 2015-11-11 广州市鸿利光电股份有限公司 芯片级封装led的封装方法
WO2016194746A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 日東電工株式会社 蛍光体プレートの製造方法
CN105006510A (zh) * 2015-07-29 2015-10-28 广州市鸿利光电股份有限公司 一种csp led的封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3553573A4 (en) 2020-07-15
KR102449025B1 (ko) 2022-09-28
WO2018105374A1 (ja) 2018-06-14
KR20190088964A (ko) 2019-07-29
US11322659B2 (en) 2022-05-03
US20190280164A1 (en) 2019-09-12
US10818825B2 (en) 2020-10-27
JP6776859B2 (ja) 2020-10-28
JP2018097060A (ja) 2018-06-21
EP3553573A1 (en) 2019-10-16
US20200411729A1 (en) 2020-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110050207A (zh) 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
JP5311281B2 (ja) 波長変換部材およびその製造方法
JP6044073B2 (ja) 波長変換装置及びそれを用いた発光装置
JP2014236202A (ja) 発光装置
KR20180052560A (ko) 파장 변환 부재 및 발광 디바이스
KR20090013167A (ko) 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치
JPWO2019102787A1 (ja) 波長変換部材及び発光装置
JP2017224667A (ja) 光透過部材の製造方法及び発光装置の製造方法
CN109841720A (zh) 一种白光led制备方法及白光led器件
CN201237164Y (zh) 一种白光led
TWI757521B (zh) 波長轉換構件及發光裝置
JPWO2011092934A1 (ja) 発光素子搭載用支持体及び発光装置
CN109564309A (zh) 波长变换部件及其制造方法
CN110494776B (zh) 波长变换部件和发光装置
JP7352159B2 (ja) デバイスの製造方法
WO2018142910A1 (ja) パッケージ及び波長変換部材の製造方法、パッケージ、波長変換部材、発光デバイス、パッケージの母材、並びに容器の母材
JP2012044037A (ja) 発光素子用基板および多数個取り基板
WO2020100552A1 (ja) 板状部材の製造方法及び積層体
JP7243423B2 (ja) 板状部材の製造方法
JP2019091849A (ja) パッケージ及び波長変換部材の製造方法
JP2019035886A (ja) 波長変換部材及びその製造方法、波長変換部材の母材、並びに発光デバイス
TW202046521A (zh) 波長轉換構件及其製造方法、以及發光裝置
CN104505450A (zh) 高光效的无极灯
WO2019024365A1 (zh) 荧光芯片及其制造方法和发光装置
KR20190012522A (ko) Pig 구조체 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination