CN101867003A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置(100)，具备：发光元件(101)，以及透射从发光元件(101出射的光并向外部射出的透光性部件(102)，透光性部件(102)的外周侧面具有从上表面向下表面扩展的倾斜面(107)，透光性部件的下表面的面积形成为比上述发光元件的上表面的面积大，上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及倾斜面(107)被光反射性树脂(103)覆盖。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种具备能够透射来自发光元件的光的光透射部件的发光装置。
背景技术
半导体发光元件能够发出颜色鲜艳的光，并且半导体发光元件体积小且功率利用效率高。此外，作为半导体元件的半导体发光元件不存在灯泡爆裂等的危险。另外，还具有初期驱动特性优异、耐振动、善于反复的点亮熄灭的特征。此外，已经开发了这样的发光装置：通过组合从半导体发光元件射出的光源光和被该光源光激发而能够射出与光源光不同色相的光的波长变换部件，利用光混色的原理，能够射出多样的色彩的光的发光装置。由于具有这样优异的特性，发光二极管(Light Emitting Diode：LED)、激光二极管(Laser Diode：LD)等的半导体发光元件作为各种光源而被利用。特别是近年来，作为取来了荧光灯的照明用的光源，作为更低耗电、更长寿命的次世代照明而被广泛瞩目，因此也希望能够进一步提高发光输出，改善发光效率。此外，还希望获得如车的前大灯等的投光灯、泛光照明(floodlight)那样的指向性优异且高亮度的光源。
作为这样的发光装置，例如在日本特开2007-19096号公报专利文献1中记载了发光装置900，该发光装置900的剖视图如图10所示。发光装置900包括LED元件901和搭载该LED元件901的壳体904。壳体904在光发射(light emitting，取り出し)侧具有开口，在开口内部放置有LED元件901。另外，在壳体904内，填充有含有光反射粒子的涂层(coating)材料903，LED元件901的除了光发射面之外的外面区域被该涂层材料903覆盖。
而且，在成形的涂层材料903的外面上并且也在光发射面上设置有片状的荧光体层902。荧光体层902由包括YAG(Yttrium Aluminum Gamet：钇铝石榴石)等的荧光体的树脂构成，该荧光体接收来自LED元件901的放射光(蓝色光)而被激发，并放射波长变换光(黄色光)。
此外，荧光体层902构成为覆盖LED元件901的整个光发射面，并且具有露出于光发射侧的发光面。由此，来字LED元件901的一次光(蓝色光)和该一次光的一部分被波长变换后的二次光(黄色光)进行混色，从发光面获得白色光。
然而，对于上述这样的发光装置，因制造时的热历史(thermal history)或使用时的温度上升而发光装置的各构成部件发生热变形时，荧光体层902被位于其下面的涂层材料903向上推压，会出现剥离、脱落的问题。此外，由于从荧光体层902的发光面向大气中的散热量较轻微，因此虽然需要增大作为热传达路线的涂层材料903和荧光体层902的接触面积，但若增大荧光体层902则发光面也变大，从而会导致亮度低下的问题。
发明内容
因此本发明目的在于提供一种能够高亮度地发光且具有优异的可靠性的发光装置。
为了达成上述目的，本发明的发光装置具备：发光元件，将上表面作为光发射面；透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分。上述透光性部件的外周侧面具有从上表面方向朝向下表面方向扩展的、与下表面相接的倾斜面，上述透光性部件的下表面的面积形成为比上述发光元件的上表面的面积大，上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。由此，实现能够高亮度的发光的、具有优异的可靠性的发光装置。
此外，上述透光性部件的外周侧面可以全部形成为倾斜面。
上述透光性部件的外周侧面可以从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为铅垂面，从该中间开始直到下表面为止形成为上述倾斜面。
另外，上述透光性部件的上表面以及下表面可以形成为分别是大致平坦面，并且相互大致平行。
此外，上述透光性部件的上表面可以形成为与上述光反射性树脂大致同一平面。
此外，上述倾斜面可以是大致平坦面。
另外，可以构成为上述透光性部件的下表面具有：与上述发光元件的上表面接合的接合面；以及从上述接合面露出的露出面，上述透光性部件的露出面和上述倾斜面所成的角度θ2是锐角，上述透光性部件的上表面与上述倾斜面所成的角度θ1为钝角。
另外，上述露出面的面积可以相对于接合面是所述接合面的10％～100％。
另外，发光装置还可以具备衬底，该衬底用于放置上述发光元件以及光反射性树脂。
此外，上述透光性部件可以构成为含有荧光体。
另外，上述发光元件的侧面可以被上述光反射性树脂覆盖。
或者，上述发光元件可以在与其上表面相对的下表面上设置有一对电极。
另外，上述倾斜面可以占上述透光性部件的外周侧面的约50％以上。
另一种发光装置具备：发光元件，将上表面作为光发射面；透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分。在此，上述透光性部件的外周侧面从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为倾斜面，从该中间开始直到下表面为止形成为铅垂面，上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。
另一种发光装置具备：发光元件，将上表面作为光发射面；透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分，上述透光性部件的外周侧面从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为倾斜面，从该中间开始直到下表面为止形成为向与上述倾斜面相反的方向倾斜的反倾斜面，上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。
此外，上述倾斜面和上述反倾斜面所成的角度可以为锐角。
通过以下的详细描述并结合附图，会对本发明的上述内容和进一步的实物及其特点更清楚。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的发光装置的概略剖视图。
图2是表示本发明的实施方式2的发光装置的概略剖视图。
图3是表示本发明的实施方式3的发光装置的概略剖视图。
图4是表示本发明的实施方式4的发光装置的概略剖视图。
图5是表示本发明的实施方式5的发光装置的概略剖视图。
图6是表示本发明的实施方式1的透光性部件的制造方法的图。
图7是表示本发明的实施方式2的透光性部件的制造方法的图。
图8是表示本发明的实施方式3的透光性部件的制造方法的图。
图9是表示本发明的实施方式4的透光性部件的制造方法的图。
图10是表示以往的发光装置的概略剖视图。
符号说明
100、200、300、400、500、900发光装置
101发光元件
102透光性部件
103光反射性树脂
104衬底
105导电部件
106a接合部
106b露出部
107倾斜面
108上表面
109侧面
110反倾斜面
111垂直面
112斜角切割(bevel cut)用刀
具体实施方式
以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。
<实施方式1>
图1是表示本实施方式1的发光装置100的概略剖视图。图1所示的发光装置100具备发光元件101、透射从发光元件101出射的光并向外部射出的透光性部件102，透光性部件102的外周侧面具有从上表面向下表面扩展(広がる)的倾斜面107，透光性部件102的下表面的面积形成为比发光元件101的上表面的面积大，透光性部件102的下表面以及发光元件101的上表面接合，透光性部件102的下表面中的与发光元件101不接合的部分以及倾斜面107被光反射性树脂103覆盖着。下表面，对本发明的发光装置100的各部件以及构造进行说明。
(发光元件101)
本发明中所使用的发光元件101并不特别限定于此，可以利用公知的元件，在本发明中，作为发光元件101优选使用发光二极管。
发光元件可以选择任意波长的元件。例如，作为蓝色、绿色的发光元件，可以使用使用了ZnSe、氮化物系半导体(InxAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X+Y≤1)、GaP的元件。此外，作为红色的发光元件，可以使用GaAlAs，AlInGaP等。另外，也可以使用由除此之外的材料构成的半导体发光元件。所使用的发光元件的组成、发光色、大小、个数等可以根据目的来适当选择。
在采用具有荧光体的发光装置的情况下，优选发出能够高效地激发荧光体的短波长的光的氮化物半导体(InxAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X+Y≤1)。可以根据半导体层的材料、混晶度来选择多种发光波长。
本实施方式1的发光元件101是在同一面侧具有正负一对电极，一对电极经由导电部件105而被倒装片式地安装在衬底104的导体布线(未图示)上，将与形成了电极的面相对的面作为光发射面。发光元件101是在透光性的成长用蓝宝石衬底上层积氮化物半导体而形成的发光元件，蓝宝石衬底成为发光元件101的上表面侧，成为光发射面。蓝宝石衬底在与氮化物半导体层的接合面具有凹凸，由此能够有意图地改变从氮化物半导体层出射的光遇到蓝宝石衬底时的临界角，能够使光容易从蓝宝石衬底的外部被发射。另外，也可以除去成长用衬底，例如通过研磨、LLO(Laser LiftOff：激光剥离)等方法来除去。另外，这样的成长用衬底也不局限于蓝宝石衬底，可以适当地变更。
(透光性部件102)
本发明中的透光性部件102是能够透射从发光元件101出射的光并向外部射出的材料，可以具有能够对入射的光的至少一部分进行波长变换的荧光体。具体地讲，例如，可以是荧光体的单结晶、多结晶，或从荧光体粉末的烧结体等的荧光体结晶块(ingot)切出的荧光体，或向树脂、玻璃、无机物等掺杂荧光体粉末并烧结而成的荧光体。透明度越高，在后述的与光反射性树脂103之间的界面越容易反射光，因此优选这种能够提高亮度的荧光体。透光性部件102的厚度也不仅限定于此，可以适当变更，例如，50～300μm左右。
作为与蓝色发光元件适当组合而能够发出白色光的、波长变换部件中所使用的代表性的荧光体，例如，优选使用YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系、BOS(Barium ortho-Silicate)系等的荧光体等。在能够发出白色光的发光装置的情况下，以利用透光性部件102中含有的荧光体的浓度而成为白色的方式进行调整。荧光体的浓度是可以适当变更的，例如，5％～50％左右。由于透光性部件102的厚度薄一些其光发射效率好因此本应优选薄的透光性部件102，但由于越薄则强度越低，因此优选在上述的荧光体浓度和厚度的优选范围内适当调整。
另外，通过在接合透光性部件102和蓝色发光元件的接合构件中含有红色荧光体，可以成为按照JIS规格的发出电球色的光的发光装置，其中所述接合透光性部件102含有波长变换部件。即，通过从发光元件101发出的蓝色光和来自荧光体的黄色光～红色光混色，从而发出暖色系的白色光。从发光元件101附近开始配置从长波到短波的荧光体，因此光发射效率好，通过在距离发光元件近的接合构件中含有红色荧光体，从而能够高效地发射光。由于配置在发光元件101的附近，因此优选耐热的荧光体。
透光性部件102具有成为入射来自发光元件的光的面的下表面(图1中的接合面106a以及露出面106b)，以及成为出射来自发光元件的光的面的上表面108。透光性部件的上表面以及下表面可以是大致互相平行的平坦面，也可以是在平坦面上具有凹凸形状的构造，也可以具有曲面。例如，可以在光出射面侧构成透镜形状。例如，使透光性部件102的上表面为透镜形状，从而能够聚光来自发光元件101的光，作为凹凸构造能够使来自发光元件101的光扩散。也可以在成为入射面侧的透光性部件102的下表面上设置凹凸。
通过在透光性部件102的下表面上形成的凹凸，能够使来自发光元件101的入射光散射，从而能够容易地减少亮度不均、色相不均。特别是在1个透光性部件102与多个发光元件101接合的情况下，各发光元件102的配置的影响、由此产生的配光、亮度不均、色相不均的影响大，因此优选能够减少这些影响的结构。
(发光元件101和透光性部件102的接合)
例如如图1所示，发光元件101的成为光发射面的发光元件101的上表面和透光性部件102的下表面在接合面106a处接合。接合可以是例如压着、烧结，利用环氧树脂或者硅那样的公知的粘接剂的粘接、利用高折射率的有机粘接剂的粘接、利用低融点玻璃的粘接等。另外，这里的“接合”不仅指直接接合，也包含利用粘接剂、其他部件而进行的接合。在此，透光性部件102的下表面的面积形成为比发光元件101的上表面的面积大。由此，透光性部件102利用比发光元件101的光出射面大的面来受光，从而能够减少光的损失。此外，在将透光性部件102配置在发光元件101的上方时，即使产生一定程度的位置偏离，也能够使发光元件的上表面都被透光性部件的下表面106覆盖，因此因安装偏差而产生的亮度的变化几乎不存在，能够提高生产效率。此处的所谓“面积”，在透光性部件102的下表面以及发光元件101的上表面是平坦面时，则是指表面积，在不是平坦面的情况下，则是指从透光性部件102的上表面侧看到的、透光性部件102和发光元件101重叠的部分的面积。即，从透光性部件的上表面108侧看，发光元件101的上表面的大小形成为被透光性部件102内包，并且发光元件101的上表面被透光性部件102覆盖着。若这样形成，则透光性部件102具有其下表面中的与上述发光元件不接合的部分，换言之，从发光元件101的上表面和透光性部件102的下表面接合的接合面106a露出的部分(以下，也称为露出面106b)。露出面106b的面积相对于接合面106a是10％～100％。
在露出面106b和倾斜面107连结的情况下，如图1所示，透光性部件102的露出面106b和后述的倾斜面107所成的角度θ2为锐角，成为在接合面侧向外方向突出的形状。由此，即使在发光元件101和透光性部件102的接合中使用接合构件的情况下，也能够通过具有露出面106b来抑制接合构件朝向倾斜面107的向上蠕动(這い上がり)。接合构件由于吸收或者散射来自发光元件的光，因此为了使光反射性树脂103高效地反射来自发光元件101的光，优选在接合面106a以外的面上不设置接合构件等的接合部件。但是，这并不妨碍接合部件从接合面106a开始经露出面106b延伸至倾斜面107。此外，露出面106b也可以被反射光的部件，例如金属膜等覆盖。由此，即使接合部件延伸至露出面106b，也在露出面106b高效地反射光。
(倾斜面107)
如图1所示，本发明中的透光性部件102的外周侧面具有从上表面向下表面扩展的倾斜面107。这样的倾斜面107和上述的露出面106b被光反射性树脂103覆盖，由此能够利用光反射性部件103来卡止透光性部件102，因此不用担心透光性部件102剥离或脱落。
另外，由于透光性部件102和光反射性树脂103的接合面积变大，因此能够提高透光性部件102的散热性。
此外，在使透光性部件102中含有荧光体的情况下，由于透光性部件102的剥离，位于从发光元件101开始到光出射面的距离上的荧光体的分布量发生变化，有时会产生色偏差(色ずれ)，不希望这种情况发生。根据本发明，透光性部件102被光反射性树脂103卡止，因此透光性部件102不会剥离，因此不用担心产生色偏差。
这样，通过设置倾斜面107，使得透光性部件102在上表面108侧露出于外部的部分形成得较小，使光反射性树脂103中嵌入的部分形成得较大，因此在不会导致亮度低下的前提下能够提高透光性部件102的散热性，能够减少发光装置的热阻。特别是，在透光性部件102中含有荧光体并对来自发光元件的光进行波长变换时，荧光体会因能量损失(stokes loss)而引起自身发热，基于该热量会使荧光体的光变换效率降低，因此需要高效地对荧光体的热量进行散热。因此，使透光性部件102中含有荧光体，使作为透光性部件102的散热路线的与光反射性树脂103的接触面积变大，从而能够提高透光性部件102甚至荧光体的散热性。通过设置倾斜面107，与垂直连接透光性部件102的上表面108和透光性部件102的下表面而形成的情况相比，侧面的面积变大，能够获得更大的与光反射性树脂103的接触面积。
在此，倾斜面107也可以不连结上表面108以及下表面，只要在其外周侧面的至少一部分具有从上表面向下表面扩展的倾斜面107即可。因此，透光性部件102的侧面也可以具有不同于倾斜面107的不同的面。另外，若倾斜面107的面积设定为比上述的露出面106b的面积大，则卡止的效果大，因此优选这样的结构。
在对透光性部件102进行切割(dicing)而单片化形成时，通过适当选定切割刀(dicing blade)的进刀角、刀宽，或者作为切割方法而使用半切割，能够比较容易地形成这样的倾斜面107。例如，如图6(a)所示，使用斜角切割用刀112来对透光性部件102实施斜角切割，如图6(b)所示，能够在透光性部件102的侧面形成倾斜面107。倾斜面107的表面被光反射性树脂103覆盖，因此凹凸越少则越容易反射光，从而能够提高亮度，优选这种结构。
实施方式1中的透光性部件102的与发光元件101接合的下表面以及成为出光面的上表面108形成为大致平坦大致平行的板状，在侧面具有从上表面向下表面扩展的倾斜面107。在图1中，换言之，倾斜面107形成为与平坦形成的上表面108所成的角度θ1为钝角，露出面106b和倾斜面107被光反射性树脂103一体覆盖。由此，透光性部件102被光反射性树脂103在上下方向上卡止，能够防止透光性部件102剥离或脱落。另外，由于能够增大透光性部件102和光反射性树脂103的接合面积，因此能够增大来自透光性部件102的热向光反射性树脂103传递的面的面积，能够提高透光性部件102的散热性。
(光反射性树脂103)
本发明中，如图1所示，光反射性树脂103覆盖透光性部件102的倾斜面107以及露出面106b。至少使发光元件101的光发射面从光反射性树脂103露出，使得向透光性部件102的入光成为可能。光反射性树脂103由能够反射来自发光元件101的光的部件构成，在透光性部件102和光反射性树脂103之间的界面，使来自发光元件101的光反射至透光性部件102内。这样，光在透光性部件102内传播，最终从透光性部件102的上表面108向外部射出。
在此，优选光反射性树脂103的上表面比透光性部件102的上表面108的高度低。从成为光出射面的透光性部件102的上表面108出射的光在横方向上也扩散。在光反射性树脂103的上表面比透光性部件102的上表面的高度高的情况下，从透光性部件102的上表面出射的光遇到光反射性树脂103而被反射，由此会产生配光的不均。因此，通过一边使透光性部件的侧面被光反射性树脂103覆盖，一边使覆盖侧面的外周的光反射性树脂103的高度低，能够使出射的光直接向外部发射，因此优选这样的结构。
此外，光反射性部件103不仅覆盖透光性部件102以及露出面106b，还优选覆盖发光元件101的侧面。从发光元件101向侧面方向的出射光被光反射性树脂103反射至发光元件内，从而向透光性部102的下表面入射光。
作为光反射性树脂103的材料，可以是硅树脂、变性硅树脂、环氧树脂、变性环氧树脂、丙烯树脂，此外，也可以是使至少包含这些树脂中的一种以上的混合树脂等的树脂中含有反射性物质而形成的材料。作为反射性物质的材料，可以使用氧化钛、二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、多铝红柱石等。由于按照其含有浓度、密度而光的反射量、透射量不同，因此可以根据发光装置的形状、大小，调整适当的浓度、密度。例如，在比较小的发光装置的情况下，需要使第1光反射部件的壁厚小，为了抑制在该薄壁部的光的泄漏，优选提高反射性物质的浓度。另一方面，在光反射性树脂103的涂敷、成形等的制造工序中，在若反射性物质的浓度变高则存在制造上的困难性的情况下，可以适当调整浓度。例如，优选反射性物质的含有浓度为30wt％以上，其壁厚为20/μm以上。
此外，若采用了一并具有反射性和散热性的材料，则既能够具备反射性能，又能够提高散热性。作为这样的材料，可以举出热传导率高的氮化铝或氮化硼。此外，也可以在反射性物质之外，为了提高散热性而添加散热性物质。优选这些散热材料的相对于树脂的含有浓度例如是5wt％以上，由此，使得光反射性树脂103的热传导率为3W/m·K以上。另外，光反射性部件优选具有与后述的衬底104的主材料相同的材料，由此能够得到耐热应力的发光装置。
光反射性树脂103的成形方法并不作特别限定，例如，可以采用射出成形、浇注成形、树脂印刷法、传递模(transfer mould)法、压缩成形等来成形。
此外，在本发明的发光装置中，也可以搭载齐纳二极管等的保护元件。通过将这些保护元件埋设在光反射性树脂103中，能够防止因来自发光元件的光被保护元件吸收或者被保护元件遮挡而引起的光发射的低下。
(衬底104)
发光元件101被放置在衬底104上。作为衬底104的材料，可以举出环氧玻璃、树脂、陶瓷等的绝缘性部件。此外，也可以是形成了绝缘部件的金属，也可以是在金属部件上形成有绝缘部件的结构。特别是，优选能够在其表面形成用于与发光元件101连接的导体布线(未图示)，作为这样的材料，优选由耐热性以及耐气候性高的陶瓷构成。作为陶瓷材料，优选氧化铝、氮化铝、多铝红柱石等。另外，即使是由陶瓷构成的支承衬底，可以在其一部分上具有由陶瓷以外的绝缘性材料构成的绝缘层。作为这样的材料，例如，可以举出BT树脂(双马来酰亚胺三嗪树脂：bismaleimidetriazine resin)、环氧玻璃、环氧系树脂等。为了使来自发光元件101的热被适当地散热，优选热传导率为150W/m·K以上。
此外，衬底104也可以是具有腔(cavity)的构造。由此，可通过滴下、固化等能够容易地形成上述的光反射性树脂103。作为形成这样的腔的构造，例如，可以举出衬底的贴合构造、树脂材料的射出成形、立体电路衬底(Molded Interconnect Device，MID)等。
此外，在实施方式1中，虽然在衬底104上实装了1个发光元件101，但发光元件101的搭载个数不仅限定于此，可以根据所希望的发光装置的大小和/或必要的亮度来适当变更。在搭载多个发光元件101的情况下，可以对每个发光元件接合透光性部件102，也可以对多个发光元件接合一个透光性部件102。
<实施方式2>
图2示出了本实施方式2的发光装置200。本实施方式2的发光装置200与实施方式1的发光装置100不同之处在于，透光性部件102的侧面上具有倾斜面107以及反倾斜面110。这样，通过具有以朝向上方扩展的方式倾斜的反倾斜面110，能够高效地向上表面108方向反射来自发光元件101的光，从而能够成为亮度高的发光装置。此外，通过将透光性部件102的整个外周侧面都形成为倾斜面，从而能够扩大外周侧面的面积，能够增大与光反射性树脂103的接合面积，因此散热性好，优选这种结构。
本实施方式2所示的透光性部件102可以如图7所示那样来形成。即，通过从透光性部件的上表面108开始将斜角切割用刀112伸入大致一半的厚度的位置为止来进行半切割(图7(a))，从透光性衬底102的相反侧进行同样的切割(图7(b))来形成。
该透光性部件102如图2及图7(c)所示，由与透光性部件的上表面108连结的倾斜面107、与倾斜面107连结且以与倾斜面107对称的形状倾斜的反倾斜面110、和反倾斜面110和透光性部件的下表面106连结而成。换言之，透光性部件102形成为与其厚度方向正交的截面积在厚度方向的大致中央处最大，从上表面108开始直到大致中央部逐渐变大，从大致中央部开始直到下表面106逐渐变小。此外，如图2所示，倾斜面107和反倾斜面110所成的角度优选锐角。
<实施方式3>
图3示出了本实施方式3的发光装置300。本实施方式3的发光装置300与实施方式1的发光装置100的不同点在于，透光性部件102在其侧面上具有相对于透光性部件102的下表面大致垂直的垂直面111，在透光性部件的上表面108侧的角部形成有倾斜面107。本实施方式3所示的透光性部件102不具有形成为锐角的角部。若透光性部件102上形成有锐角的角部，则在因制造时的热历史、使用时的温度上升而导致发光装置的各构成部件产生热变形时，应力会集中在该角部，存在透光性部件102破损等的危险。如本实施方式所示，由于透光性部件102形成为不具有锐角的角部，因此能够缓和应力集中于特定的位置的情况。
本实施方式3所示的透光性部件102可以如图8所示那样来形成。即，从透光性部件的上表面108开始将斜角切割用刀112伸入大致一半的厚度的位置来进行半切割，从而形成断面形状为V字状的槽(图8(a))，接着，在通过V字状的槽的最深部的、与透光性部件的下表面106大致垂直的直线(虚线113所示)上用切割刀切断(图8(b))，从而获得在上表面108侧的角部形成了倾斜面107的透光性部件102(图8(c))。
<实施方式4>
图4示出了本实施方式4的发光装置400。本实施方式4的发光装置400与实施方式1的发光装置100的不同点在于，透光性部件102在其侧面具有倾斜面107以及相对于上表面108大致垂直的垂直面111，以及，衬底104不是平板而是腔结构。通过具有这样的腔，能够容易的形成光反射性树脂103。
本实施方式4的透光性部件102在透光性部件的下表面106侧的角部形成有向外侧突出的倾斜面107。这样，通过在透光性部件102的下表面侧设置卡止部，上表面侧形成为上表面和外周侧面垂直。由此，上表面108，即发光部的轮郭不会被树脂覆盖，能够形成分型(見切り)好的发光部。
本实施方式4所示的透光性部件102可以如图9所示那样来形成。即，从透光性部件的上表面108将倾斜的斜角切割用刀112伸入透光性部件102的厚度的大致一半的厚度来进行切割(图9(a))，从而获得在其侧面具有倾斜面107以及相对于透光性部件的上表面108大致垂直的垂直面111的透光性部件102(图9(b))。
<实施方式5>
图5示出了本实施方式5的发光装置500。本实施方式5的发光装置500的透光性部件102在其侧面上具有倾斜面107以及相对于上表面108大致垂直的垂直面111。倾斜面107形成为对平板状的透光性部件的角部进行了倒角那样的形状。在本实施方式中，与实施方式3相同，由于不具有锐角的角部，因此能够缓和作用在透光性部件102上的应力。此外，由于角部被进行了倒角，能够抑制在光反射性树脂103中产生空隙(void)。由于在形成光反射性树脂103时，在角部容易产生空隙，因此在透光性部件102和光反射性树脂103的界面处容易产生空隙。然而，若在透光性部件102和光反射性树脂103之间的界面处产生空隙，则应该被界面反射的光不会被空隙反射，光发射效率降低。如本实施方式的透光性部件102所述，通过对角部进行倒角，能够抑制空隙的产生。
【实施例】
以下，按照本发明的制造方法对本发明的实施例进行详细说明。另外，当然本发明不仅限于以下所示的实施例。
<实施例1>
实施例1用于制造图1所示的发光装置。
(第一工序)
首先，将发光元件101放置在衬底104上。在本实施例中，衬底104使用氮化铝。在热传导率为170W/m·K左右的氮化铝板材的表面上，在进行了钨的图案印刷后，烧成形成与发光元件101电连接的布线，在其上依次形成镍、钯、镀金。在该氮化铝集合衬底的布线上，使用由金构成的凸部(bumps)105，将在蓝宝石衬底上层积半导体层而形成的1mm×1mm的发光元件101以蓝宝石衬底侧作为光出射面的方式进行倒装片式的实装。另外，图1示出了单个发光装置，在制造时通过对集合衬底进行下述第二～三工序，最后进行个片化，从而制作各个发光装置。
(第二工序)
接着，在发光元件101的上表面结合在侧面具有倾斜面107的透光性部件102。在透光性部件102的外周侧面具有从上表面向下表面扩展的倾斜面107。透光性部件102的上表面以及下表面形成为大致平坦，透光性部件102的上表面108和倾斜面107所成的角度θ1形成为45°。在本实施例中，接合构件使用硅树脂，在接合面106a通过热固化来粘接透光性部件102和发光元件101的蓝宝石衬底。本实施例中的透光性部件102是通过混合YAG和氧化铝并烧结而形成的荧光体板。透光性部件102由无机材料形成，因此能够获得劣化少、可靠性高的发光装置。由于透光性部件102的下表面的面积形成为比发光元件的上表面的面积大，透光性部件102以具有从接合面106a露出的露出面106b的方式被接合。
(第三工序)
接着，通过传递模成形，露出面106b以及透光性部件的倾斜面107被光反射性树脂103一体覆盖。在本实施例中，光反射性树脂103构成为在硅树脂中含有30wt％的氧化钛。此外，含有氧化钛的本实施例的光反射性树脂103的热传导率为1W/m·K左右。透光性部件102的热可以经由光反射性树脂103高效地散热。另外，发光元件101的侧面109也与露出面106b以及透光性部件的倾斜面107一起被光反射性树脂103一体覆盖。
(第四工序)
最后，对经上述第一工序～第三工序加工后的集合衬底进行切割来逐个切断，从而获得实施例1的发光装置100。
这样，在所制造的发光装置100中，透光性部件102被光反射性树脂103卡止，透光性部件102不会脱落，另外，透光性部件102的热可以经由光反射性树脂103高效地散热，因此，能够降低发光装置的热阻。此外，一方面使透光性部件102的上表面108的面积即透光性部件102的光出射面较小，另一方面使透光性部件102和光反射性树脂103的接触面积较大，从而能够获得高亮度且散热性优异的发光装置。此外，即使含有荧光体，也能够获得色相不均少的发光装置。
工业实用性
本发明可以在多种光源中使用，例如照明用光源、各种指示器(indicator)用光源、车载用光源、显示器用光源、液晶的背光灯用光源、信号灯、车载部件、广告牌用发光字(channel letter)等。
在示出和描述各种首选的实施例后，本发明对于那些具有一般技能的技术人员应是显而易见的。可预见本发明并不限于所揭示的特定的实施例，它被认为只是说明本发明的概念，而不应被解释为本发明的限定范围。本发明适合在权利要求所定义的发明范围内进行各种修改和变化。本申请是基于在2009年4月20日提交的日本特开2009-101519号公报以及在2010年3月31日提交的日本特开2010-80156号公报，与此有关的内容作为参考。

Claims (16)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，将上表面作为光发射面；
透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及
光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分，
上述透光性部件的外周侧面具有从上表面方向朝向下表面方向扩展的、与下表面相接的倾斜面，上述透光性部件的下表面的面积形成为比上述发光元件的上表面的面积大，
上述透光性部件的下表面和上述发光元件的上表面接合，
上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件的外周侧面全部形成为倾斜面。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件的外周侧面从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为铅垂面，从该中间开始直到下表面为止形成为上述倾斜面。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件的上表面以及下表面分别是大致平坦面，并且形成为相互大致平行。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件的上表面形成为与上述光反射性树脂大致同一平面。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述倾斜面为大致平坦面。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件的下表面具有：
与上述发光元件的上表面接合的接合面；以及
从上述接合面露出的露出面，
上述透光性部件的露出面和上述倾斜面所成的角度θ2是锐角，
上述透光性部件的上表面与上述倾斜面所成的角度θ1为钝角。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，
上述露出面的面积相对于接合面是所述接合面的10％～100％。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备衬底，该衬底用于放置上述发光元件以及光反射性树脂。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述透光性部件构成为含有荧光体。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述发光元件的侧面被上述光反射性树脂覆盖。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述发光元件在与其上表面相对的下表面上设置有一对电极。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
上述倾斜面占上述透光性部件的外周侧面的约50％以上。
14.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，将上表面作为光发射面；
透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及
光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分，
上述透光性部件的外周侧面从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为倾斜面，
从该中间开始直到下表面为止形成为铅垂面，
上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，
上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。
15.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，将上表面作为光发射面；
透光性部件，具有上表面和下表面，从上述发光元件出射的光从该透光性部件的下表面入射，并经由该透光性部件的上表面向外部射出；以及
光反射性树脂，覆盖上述透光性部件的至少一部分，
上述透光性部件的外周侧面从上表面开始直到外周侧面的中间为止形成为倾斜面，
从该中间开始直到下表面为止形成为向与上述倾斜面相反的方向倾斜的反倾斜面，
上述透光性部件的下表面以及上述发光元件的上表面接合，
上述透光性部件的下表面中的没有与上述发光元件接合的部分以及上述倾斜面被上述光反射性树脂覆盖。
16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于，
上述倾斜面和上述反倾斜面所成的角度为锐角。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738368A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法
CN102800775A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有该发光器件的发光设备
CN104576882A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 丰田合成株式会社 发光装置
CN104916759A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 西铁城电子株式会社 发光装置
CN105493301A (zh) * 2013-07-08 2016-04-13 皇家飞利浦有限公司 波长转换的半导体发光器件
CN105990498A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 芯片封装结构及其制造方法
CN105990505A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 半导体发光元件及其制作方法
CN106257695A (zh) * 2015-06-19 2016-12-28 三星电子株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
CN107017241A (zh) * 2015-11-30 2017-08-04 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN107706279A (zh) * 2011-06-01 2018-02-16 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法
JP2019050430A (ja) * 2018-12-27 2019-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN109802015A (zh) * 2018-12-25 2019-05-24 广东晶科电子股份有限公司 一种半导体器件及其封装方法
CN109817784A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10497681B2 (en) 2015-09-18 2019-12-03 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
CN110767793A (zh) * 2015-05-05 2020-02-07 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN111490146A (zh) * 2014-11-18 2020-08-04 首尔半导体株式会社 发光装置
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
TWI447969B (zh) * 2010-10-20 2014-08-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US9112123B2 (en) 2010-10-29 2015-08-18 National Institute For Materials Science Light-emitting device
KR20120066973A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광 디바이스 및 그 제조방법
KR20120100193A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 칩
JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5700544B2 (ja) * 2011-04-14 2015-04-15 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
WO2012144030A1 (ja) * 2011-04-20 2012-10-26 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
KR20120119350A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
JP5680472B2 (ja) * 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
KR101798884B1 (ko) * 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
JP5840388B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-06 日東電工株式会社 発光ダイオード装置
JP5744643B2 (ja) * 2011-06-28 2015-07-08 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
JP5893888B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-23 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP5856816B2 (ja) * 2011-11-14 2016-02-10 株式会社小糸製作所 発光装置
DE102012202555A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Osram Gmbh Led-anordnung
DE102012102420B4 (de) * 2012-03-21 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP5816127B2 (ja) * 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
JP5837456B2 (ja) * 2012-05-28 2015-12-24 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光モジュール
JP6179516B2 (ja) * 2012-08-02 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 波長変換装置
JP2014078678A (ja) 2012-09-18 2014-05-01 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
KR101980230B1 (ko) * 2012-10-09 2019-09-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판과, 이의 제조 방법
CN104854716B (zh) * 2012-12-10 2017-06-20 西铁城时计株式会社 Led装置及其制造方法
JP6097084B2 (ja) 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US9324971B2 (en) * 2013-03-20 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module and light-emitting device
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
MX349884B (es) 2013-04-17 2017-08-17 Nichia Corp Dispositivo de emision de luz.
DE102013207111B4 (de) 2013-04-19 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement
CZ304579B6 (cs) * 2013-04-22 2014-07-16 Crytur Spol. S R. O. Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby
US9287472B2 (en) 2013-06-27 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6349904B2 (ja) * 2014-04-18 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
EP3158594A1 (en) 2014-06-19 2017-04-26 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device with small source size
JP6387773B2 (ja) * 2014-09-30 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 透光部材の製造方法及び発光装置の製造方法
TWI698974B (zh) * 2014-12-08 2020-07-11 荷蘭商露明控股公司 波長轉換半導體發光裝置
TWI677113B (zh) * 2014-12-24 2019-11-11 晶元光電股份有限公司 發光元件以及其製造方法
TWI649900B (zh) * 2015-02-04 2019-02-01 億光電子工業股份有限公司 Ｌｅｄ封裝結構及其製造方法
JP6179555B2 (ja) * 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6481559B2 (ja) 2015-08-18 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6327220B2 (ja) 2015-08-31 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6249002B2 (ja) * 2015-09-30 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN106601898A (zh) * 2015-10-19 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
EP3174110B1 (en) 2015-11-30 2020-12-23 Nichia Corporation Light emitting device
JP6399017B2 (ja) 2016-02-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6754206B2 (ja) * 2016-03-28 2020-09-09 シチズン時計株式会社 発光装置
JP2017183427A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 豊田合成株式会社 発光装置
CN109155258B (zh) * 2016-04-08 2022-04-26 赫普塔冈微光有限公司 具有孔径的薄光电模块及其制造
JP6432559B2 (ja) * 2016-05-17 2018-12-05 カシオ計算機株式会社 蛍光体デバイス、照明装置及びプロジェクタ装置
JP6724639B2 (ja) 2016-08-01 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
JP6789778B2 (ja) * 2016-11-25 2020-11-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP6579141B2 (ja) 2017-03-24 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP7082270B2 (ja) * 2017-08-28 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6575576B2 (ja) * 2017-10-12 2019-09-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6897729B2 (ja) * 2017-10-12 2021-07-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7221659B2 (ja) 2017-11-17 2023-02-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP7235944B2 (ja) * 2018-02-21 2023-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN110323213B (zh) * 2018-03-30 2024-05-03 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
JP7117127B2 (ja) 2018-04-02 2022-08-12 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6989782B2 (ja) * 2018-08-06 2022-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
EP3608959B1 (en) 2018-08-06 2023-11-15 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
JP6940776B2 (ja) * 2018-11-05 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2020212111A1 (en) 2019-04-18 2020-10-22 Lumileds Holding B.V. Lighting device
JP7288343B2 (ja) 2019-05-16 2023-06-07 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7257247B2 (ja) * 2019-05-16 2023-04-13 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP7267836B2 (ja) * 2019-05-16 2023-05-02 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2020188185A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 スタンレー電気株式会社 発光装置
EP3905316B1 (en) * 2019-11-14 2023-08-30 Nuvoton Technology Corporation Japan Light-emitting device
JP6793899B1 (ja) * 2019-11-14 2020-12-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 発光装置
JP7060810B2 (ja) 2019-11-19 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP7108196B2 (ja) * 2019-12-26 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置、波長変換部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP7060819B2 (ja) * 2020-07-01 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6989807B2 (ja) * 2020-07-08 2022-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
DE102020125056A1 (de) * 2020-09-25 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
US20220102597A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31 Tek Beng Low Light emitting devices having profiled side surfaces
JP7044990B2 (ja) * 2020-12-03 2022-03-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20230288037A1 (en) * 2022-03-14 2023-09-14 Usai, Llc Flush Glass Adjustable Lighting Fixture

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN1971956A (zh) * 2005-11-21 2007-05-30 夏普株式会社 发光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
JP4020092B2 (ja) 2004-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 半導体発光装置
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP4948818B2 (ja) 2005-10-28 2012-06-06 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP5155555B2 (ja) 2006-12-07 2013-03-06 日本電気硝子株式会社 光部品及びそれを用いた発光装置
US9024340B2 (en) * 2007-11-29 2015-05-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN1971956A (zh) * 2005-11-21 2007-05-30 夏普株式会社 发光装置

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738368A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法
CN102800775A (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有该发光器件的发光设备
CN102800775B (zh) * 2011-05-27 2015-08-05 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有该发光器件的发光设备
CN107706279A (zh) * 2011-06-01 2018-02-16 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法
CN107706279B (zh) * 2011-06-01 2020-10-30 亮锐控股有限公司 发光器件以及将发光器件附着到支撑衬底的方法
CN105493301A (zh) * 2013-07-08 2016-04-13 皇家飞利浦有限公司 波长转换的半导体发光器件
US10790417B2 (en) 2013-07-08 2020-09-29 Lumileds Llc Wavelength converted semiconductor light emitting device
CN104576882A (zh) * 2013-10-16 2015-04-29 丰田合成株式会社 发光装置
CN104576882B (zh) * 2013-10-16 2017-05-31 丰田合成株式会社 发光装置
CN104916759A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 西铁城电子株式会社 发光装置
CN104916759B (zh) * 2014-03-14 2018-12-21 西铁城电子株式会社 发光装置
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
CN111509110A (zh) * 2014-11-18 2020-08-07 首尔半导体株式会社 发光装置
CN111509111A (zh) * 2014-11-18 2020-08-07 首尔半导体株式会社 发光装置及包括该发光装置的车灯
CN111490146A (zh) * 2014-11-18 2020-08-04 首尔半导体株式会社 发光装置
CN105990505A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 半导体发光元件及其制作方法
CN105990498A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 芯片封装结构及其制造方法
CN110767793A (zh) * 2015-05-05 2020-02-07 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN106257695A (zh) * 2015-06-19 2016-12-28 三星电子株式会社 发光二极管封装件及其制造方法
US10971662B2 (en) 2015-06-19 2021-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US10497681B2 (en) 2015-09-18 2019-12-03 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
US10957674B2 (en) 2015-09-18 2021-03-23 Genesis Photonics Inc Manufacturing method
CN107017241B (zh) * 2015-11-30 2021-11-09 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN107017241A (zh) * 2015-11-30 2017-08-04 日亚化学工业株式会社 发光装置
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN110050207A (zh) * 2016-12-09 2019-07-23 日本电气硝子株式会社 波长转换部件的制造方法、波长转换部件和发光设备
US11322659B2 (en) 2016-12-09 2022-05-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for manufacturing wavelength conversion member, wavelength conversion member, and light-emitting device
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
CN109817784A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN109802015A (zh) * 2018-12-25 2019-05-24 广东晶科电子股份有限公司 一种半导体器件及其封装方法
CN109802015B (zh) * 2018-12-25 2024-02-20 广东晶科电子股份有限公司 一种半导体器件及其封装方法
JP2019050430A (ja) * 2018-12-27 2019-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY163993A (en) 2017-11-15
US20130056781A1 (en) 2013-03-07
MY168492A (en) 2018-11-12
JP5482378B2 (ja) 2014-05-07
JP2010272847A (ja) 2010-12-02
US20130313602A1 (en) 2013-11-28
US8525218B2 (en) 2013-09-03
US8921882B2 (en) 2014-12-30
US8330182B2 (en) 2012-12-11
US20100264438A1 (en) 2010-10-21
CN101867003B (zh) 2013-01-16

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