KR20180005450A - 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기 - Google Patents

플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기 Download PDF

Info

Publication number
KR20180005450A
KR20180005450A KR1020160085560A KR20160085560A KR20180005450A KR 20180005450 A KR20180005450 A KR 20180005450A KR 1020160085560 A KR1020160085560 A KR 1020160085560A KR 20160085560 A KR20160085560 A KR 20160085560A KR 20180005450 A KR20180005450 A KR 20180005450A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
frame
light
disposed
Prior art date
Application number
KR1020160085560A
Other languages
English (en)
Inventor
정장훈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020160085560A priority Critical patent/KR20180005450A/ko
Publication of KR20180005450A publication Critical patent/KR20180005450A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • G03B15/04—Combinations of cameras with non-electronic flash apparatus; Non-electronic flash units
    • G03B15/0442—Constructional details of the flash apparatus; Arrangement of lamps, reflectors, or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0514—Separate unit
    • G03B2215/0517—Housing
    • G03B2215/0546—Housing modular
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564—Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0567—Solid-state light source, e.g. LED, laser

Abstract

실시 예는 플래시 모듈 및 이를 포함하는 카메라 모듈 및 단말기이다.
실시 예에 개시된 플래시 모듈은, 복수의 패드; 상기 복수의 패드 상에 개구부 및 상기 개구부의 하부 둘레에 리세스를 갖는 프레임; 상기 프레임의 하부에 투광성 기판, 및 상기 투광성 기판 상에 상기 개구부와 대응되는 복수의 발광부를 갖는 발광 소자; 및 상기 프레임의 개구부 상에 렌즈부를 포함하며, 상기 투광성 기판의 외곽부는 상기 리세스에 배치된다.

Description

플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기{FLASH MODULE, CAMERA MODULE AND MOBILE DEVICE INCLUDING THE SAME}
실시 예는 플래시 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈에 관한 것이다.
실시 예는 플래시 모듈을 갖는 단말기에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.
따라서, 광통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
최근에는 카메라 기능이 함께 제공되는 휴대용 단말기가 늘고 있다. 이와 같은 휴대용 단말기에는 카메라 촬영시 필요로 하는 광량을 제공하기 위해 카메라 플래시(camera flash)가 내장되고 있다. 이와 관련하여 카메라 플래시의 광원으로서 발광 모듈이 채용되고 있다. 이러한 발광 모듈로는 반도체 소자, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)의 사용이 증가하고 있다.
한편, 최근 휴대용 단말기, 예를 들어 휴대폰의 카메라가 광각과 일반각의 카메라인 듀얼(Dual) 카메라로 전환되는 기술발전이 있으며, 이러한 휴대폰 카메라의 기술적 발전의 추세에 대응하기 위해, 카메라 플래시(Flash)도 카메라 화각(FOV: field of view)에 대응하도록 광각 구현이 매우 필요한 상황이다. 그런데, 이러한 광각의 화각을 요구하는 업계의 요구와 함께 휴대용 단말기의 슬림화(slim)와 트렌드는 지속화되고 있는데, 종래 카메라 플래시 모듈은 플래시 렌즈가 일정 이상의 두께를 유지해야 장착, 결합될 수 있는 상태라서 광각을 유지하면서 동시에 슬림화(slim) 트렌드 요구에 만족시키지 못하는 문제가 있다. 또한 종래기술의 카메라 플래시의 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 발열에 따른 신뢰성 저하의 문제가 있다.
또한 종래기술에 의하면 발광모듈 패키지를 SMT(Surface Mounting Technology) 진행하고, 플래시 렌즈를 별도의 단말기 커버에 부착하는 공정이 진행됨에 따라, SMT공차와 렌즈 부착시 공차 등이 가중됨에 따라 발광모듈의 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 낮아져서 균일한 광 분포를 구현하지 못하는 문제가 있다.
또한 종래기술의 카메라 플래시에 의하면, 발광 모듈과 프레임간의 결합관계가 견고하지 못해 기계적 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
실시 예는 슬림(slim)한 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 한다.
실시 예는 회로 기판을 갖지 않는 플래시 모듈을 제공할 수 있다.
실시 예는 프레임 하부에 투광성 기판과 상기 투광성 기판의 위 또는 아래에 복수의 발광부를 갖는 발광 소자를 배치하여, 연색성(CRI, Color Rendering Index)을 개선한 플래시 모듈을 제공한다.
실시 예는 프레임의 하부에 복수의 발광부를 갖는 발광 소자가 결합된 플래시 모듈을 제공한다.
실시 예는 프레임 하부의 투광성 기판으로부터 서로 분리된 복수의 발광부를 갖는 발광 소자를 배치하여, 슬림한 플래시 모듈을 제공할 수 있다.
실시 예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 한다.
실시 예는 발광 소자의 발광부와 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 한다.
실시 예는 발광 소자와 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 한다.
실시 예에 따른 플래시 모듈은, 복수의 패드; 상기 복수의 패드 상에 개구부 및 상기 개구부의 하부 둘레에 리세스를 갖는 프레임; 상기 프레임의 하부에 투광성 기판, 및 상기 투광성 기판 상에 상기 개구부와 대응되는 복수의 발광부를 갖는 발광 소자; 및 상기 프레임의 개구부 상에 렌즈부를 포함하며, 상기 투광성 기판의 외곽부는 상기 리세스에 배치된다.
실시 예에 따른 플래시 모듈은, 복수의 패드; 개구부 및 상기 개구부의 둘레에 돌기를 갖는 프레임; 상기 복수의 패드 상에 복수의 발광부, 및 상기 복수의 발광부 상에 배치되고 상기 돌기와 마주하는 투광성 기판을 갖는 발광 소자; 및 상기 프레임의 개구부 상에 렌즈부를 포함하며, 상기 개구부는 상기 프레임의 상면 및 하면을 관통하며, 상기 돌기는 상기 프레임의 개구부의 중심 방향으로 돌출된다.
실시 예에 따른 단말기는 상기 플래시 모듈을 포함할 수 있다.
실시 예는 광각을 유지하면서 초 슬림한(super slim) 발광 소자, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시 예는 회로 기판을 제거한 발광 소자를 갖는 카메라 모듈 또는 플래시 모듈을 제공한다.
실시 예는 카메라 플래시 기술영역에서는 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광모듈에서 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 소자, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다
실시 예는 발광 칩과 플래시 렌즈의 얼라인 정확도가 높아 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광 소자와 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 발광 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 사시도이다.
도 2는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 분해 사시도이다.
도 3은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 평면도이다.
도 4는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 저면도이다.
도 5는 도 1의 플래시 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 6은 도 5의 플래시 모듈에서 발광 소자의 상세 구성도이다.
도 7은 도 6의 발광 소자의 상세 구성도이다.
도 8은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 프레임의 평면도이다.
도 9는 도 8의 프레임의 B-B측 단면도이다.
도 10은 도 8의 프레임의 C-C측 단면도이다.
도 11은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 렌즈부의 확대도이다.
도 12는 도 11의 렌즈부를 갖는 플래시 모듈의 측 단면의 예를 나타난 도면이다.
도 13은 도 5의 플래시 모듈의 부분 확대도이다.
도 14는 도 13의 플래시 모듈에서 프레임의 제1리세스의 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 도 13의 플래시 모듈에서 발광 소자의 제1변형 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 도 13의 플래시 모듈에서 발광모듈의 제2변형 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 도 13의 플래쉬 모듈에서 발광 소자의 제3변형 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 다른 예이다.
도 19는 도 18의 플래시 모듈에서 발광 소자의 제1예를 나타낸 도면이다.
도 20은 도 18의 발광 소자의 제1변형 예를 나타낸 도면이다.
도 21은 도 18의 발광 소자의 제2변형 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자의 다른 예이다.
도 23은 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 저면도의 예이다.
도 24는 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 다른 예이다.
도 25는 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 다른 예이다.
도 26은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자의 변형 예이다.
도 27은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자의 변형 예이다.
도 28은 실시 예에 따른 플래시 모듈이 탑재된 카메라 모듈의 측 단면도이다.
이하 상기의 과제를 해결하기 위한 구체적으로 실현할 수 있는 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
반도체 소자는 발광소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자 포함할 수 있으며, 발광소자와 수광소자는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 반도체 소자는 발광소자일 수 있다. 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.
<플래시 모듈>
도 1은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 사시도이며, 도 2는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 분해 사시도이고, 도 3은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 평면도이며, 도 4는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 저면도이고, 도 5는 도 1의 플래시 모듈의 A-A측 단면도이며, 도 6은 도 5의 플래시 모듈에서 발광 소자의 상세 구성도이고, 도 7은 도 6의 발광 소자의 상세 구성도이고, 도 8은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 프레임의 평면도이며, 도 9는 도 8의 프레임의 B-B측 단면도이며, 도 10은 도 8의 프레임의 C-C측 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 프레임(220), 발광 소자(100)와 렌즈부(230)를 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 카메라용 플래시(FLASH) 모듈, 휴대용 플래시 모듈, 단말기용 플래시 모듈, 조명용 플래시 모듈, 전동차용 플래시 모듈 중 적어도 하나에 적용될 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해, 카메라용 또는 단말기용 플래시 모듈에 적용된 예로 설명하기로 한다. 또한 후술되는 발광 소자(100)는 실시 예의 플래시 모듈(200)에 한정되지 않고, 다른 단말기나 이동장치와 같은 디바이스에 적용될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 프레임(220)의 하부에 결합되며, 상기 렌즈부(230)은 프레임(220)의 상부에 결합된다. 상기 발광 소자(100)와 상기 렌즈부(230)는 상기 프레임(220) 내에서 서로 마주보게 결합된다. 상기 발광 소자(100)와 상기 렌즈부(230)는 상기 프레임(220) 내의 서로 반대측에 결합될 수 있다. 상기 발광
예를 들어, 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 하부에 배치되는 프레임(220)과, 상기 프레임(220) 상부에 배치되는 렌즈부(230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)와 상기 렌즈부(230)는 상기 프레임(220)의 개구부(210)를 통해 서로 대응될 수 있다. 실시 예는 광각을 유지하면서 초 슬림(super slim)한 발광 소자, 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다. 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 회로 기판(PCB)이 제거된 발광 소자(100)를 가질 수 있다. 실시 예에 따른 플래시 모듈은, 프레임(220) 내에 발광 소자(100)가 결합될 수 있다.
도 1 및 도 5와 같이, 상기 프레임(220)은 개구부(210), 제1리세스(216) 및 제2리세스(214)를 포함하며, 상기 개구부(210)는 상기 프레임(220)의 상면(201)과 하면(202)에 대해 수직하게 관통될 수 있다. 상기 개구부(210)는 탑뷰 형상이 원 형상이거나 타원 형상이거나 다각형 형상일 수 있다. 이하, 실시 예의 개구부(210)는 원 형상의 예로 설명하기로 한다. 상기 제1리세스(216)는 상기 프레임(220)의 하부에 배치되며, 상기 제2리세스(214)는 상기 프레임(220)의 상부에 배치된다. 상기 제1리세스(216)는 상기 개구부(210)의 하부 둘레에 배치되며, 상기 제2리세스(214)는 상기 개구부(210)의 상부 둘레에 배치된다. 상기 제1리세스(216)의 테두리는 바텀뷰 형상은 상기 개구부(210)의 바텀뷰 형상과 다른 형상일 수 있으며, 예컨대 다각형 형상을 가질 수 있다. 상기 제2리세스(214)의 테두리는 탑뷰 형상은 상기 개구부(210)의 탑뷰 형상과 다른 형상일 수 있으며, 예컨대 다각형 형상을 가질 수 있다. 상기 제1,2리세스(216,214) 중 적어도 하나 또는 모두는 상기 개구부(210)와 다른 사이즈를 갖는 원 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5 및 도 9와 같이, 상기 제1리세스(216)는 상기 프레임(220)의 하면(202)과 상기 개구부(210) 사이에 단차진 구조이며, 제1깊이(B1)를 가질 수 있다. 상기 제2리세스(214)는 상기 프레임(220)의 상면(201)과 상기 개구부(210) 사이의 단차진 구조이며, 제2깊이(B2)를 가질 수 있다. 상기 제1깊이(B1)는 제2깊이(B2)보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1리세스(216)에 회로 기판 없이 발광 소자(100)가 프레임(220)의 하부에 결합됨으로써, 상기 제1깊이(B1)를 작게 제공할 수 있다. 상기 제1깊이(B1)는 230㎛ 이하 예컨대, 200㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1깊이(B1)는 160㎛ 내지 200㎛의 범위를 가질 수 있으며, 상기 제1깊이(B1)가 상기 230㎛을 초과할 경우, 프레임(220)의 두께(T0)가 증가하게 되어 플래시 모듈(200)의 슬림화 및 단말기의 슬림화에 어려움이 있다. 상기 제1깊이(B1)가 160㎛미만인 경우 발광 소자(100)의 핸들링에 어려움이 있고 발광 소자(100)의 결합 후의 파손 문제가 발생될 수 있다. 상기 제1깊이(B1)는 상기 발광 소자(100)의 두께(도 2의 T1)와 동일하거나, 상기 발광 소자(100)의 두께의 ±5㎛의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제2리세스(214)는 상기 발광 소자(100)의 하면이 돌출되지 않는 두께이거나, 상기 발광 소자(100)의 하면이 프레임(220)의 하면(202)을 기준으로 ±5㎛의 범위로 배치될 수 있다. 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 두께(도 2의 T1)는 230㎛ 이하 예컨대, 200㎛ 이하이거나 160㎛ 내지 200㎛의 범위를 가질 수 있다.
상기 제2깊이(B2)는 상기 제1깊이(B1)보다 클 수 있다. 상기 제2깊이(B2)는 상기 렌즈부(230)의 외곽부의 두께(도 2의 T2)일 수 있다. 상기 제2리세스(214)는 상기 렌즈부(230)의 외곽부 상면이 프레임(220)의 상면으로 돌출되지 않는 깊이를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1리세스(216) 및 상기 제2리세스(214) 중 적어도 하나 예컨대, 제1리세스(216)는 단층 단차 구조로 설명하였으나, 이중 또는 다층 단차 구조로 형성될 수 있다. 또는 제2리세스(214)는 단층 단차 구조로 설명하였으나, 이중 또는 다층 단차 구조로 형성될 수 있다.
도 9 및 도 10과 같이, 상기 제1리세스(216)의 너비 즉, 제1축 방향(X)의 최소 너비(B4)는 상기 개구부(210)의 측면으로부터 프레임 외측 방향으로의 깊이로서, 200㎛ 이상 예컨대, 200㎛ 내지 400㎛의 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(216)의 제1축 방향의 최소 너비(B4)가 상기 범위보다 작은 경우 상기 발광 소자(100)의 결합 후 상기 발광 소자(100)가 분리되는 문제가 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자(100)에서의 투광성 기판(105)의 재료 손실 문제가 발생될 수 있다. 상기 제1리세스(216)의 제2축 방향의 최소 너비(B5)는 상기 B4보다 작을 수 있다.
상기 개구부(210) 내에서 상기 발광 소자(100)와 상기 렌즈부(230) 사이의 거리는 150㎛ 이상 예컨대, 200㎛±50㎛의 범위를 가질 수 있다. 상기 거리가 상기 범위를 초과하면 프레임(220)의 두께(T0)가 증가하게 되고 상기 범위 미만이면 광 추출 효율이 저하될 수 있다.
도 8 내지 도 10과 같이, 상기 프레임(220)의 개구부(210)는 제2리세스(214)의 영역 내에 위치하며, 상기 제2리세스(214)는 제1리세스(216)의 영역과 오버랩될 수 있다. 제1축 방향(X)에서 개구부(210), 제2리세스(214), 및 제1리세스(216)의 크기를 비교할 경우, X0<X1<X2의 관계를 가지며, X0는 개구부(210)의 너비이며, X1는 제2리세스(214)의 너비이며, X2는 제2리세스(216)의 너비가 될 수 있다. 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향(Y)에서 개구부(210), 제2리세스(214), 및 제1리세스(216)의 길이를 비교할 경우, X0<Y1<Y2의 관계를 가지며, X0는 개구부(210)의 너비이며, X1는 제2리세스(214)의 길이이며, X2는 제2리세스(216)의 길이가 될 수 있다.
여기서, 상기 개구부(210)의 하부에 배치된 복수의 형광 필름(100A,100B)는 제1축 방향(X)으로 배열될 수 있으며, 프레임(220)의 외측에는 오목부(R)이 배치되어, 전극의 식별 마크로 사용될 수 있다.
상기 프레임(220)의 재질은 반사 재질일 수 있다. 상기 프레임(220)은 예컨대, 발광 소자(100)로부터 방출된 광에 대해 반사율이 투과율보다 높은 재질 예컨대, 770% 이상의 반사율을 갖는 재질을 포함할 수 있다. 상기 프레임(220)의 재질에 의해 발광 소자(100)로부터 방출된 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 프레임(220)은 수지 재질, 절연 재질, 및 반사 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 프레임(220)은 사출 성형될 수 있다.
상기 프레임(220)은 수지 계열의 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 프레임(220)은 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기 실리콘 계열의 프레임(220)는 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 프레임(220) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 상기 프레임(220)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 프레임(220)은 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 프레임(220)은 반사 재질 예컨대, 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가된 수지 재질을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, 및 Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 프레임(220)은 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다.
도 1과 같이, 상기 프레임(220)의 상부에는 하나 또는 복수의 결합 돌기(218)가 형성될 수 있으며, 상기 결합 돌기(218)는 제1리세스(216)의 외측에서 상 방향으로 돌출될 수 있어, 카메라 모듈을 갖는 디바이스의 커버나 케이스에 결합될 수 있다.
도 5 및 도 6과 같이, 실시 예에 따른 발광 소자(100)는, 상기 프레임(220)의 개구부(210)에 대응되고 상기 제1리세스(216)에 결합된다. 상기 발광 소자(100)는 투광성 기판(105), 상기 투광성 기판(105) 위 또는 아래에 복수의 발광부(101A,101B), 및 페시베이션층(101)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)는 상기 투광성 기판(105)과 페시베이션층(101) 사이에 배치될 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은, 투명한 재질로 형성되며, 50㎛ 이하 예컨대, 20㎛ 내지 50㎛의 범위의 두께를 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 발광 소자(100) 전체를 잡아주게 된다.
상기 투광성 기판(105)은, 절연성 기판, 반도체 기판 또는 전도성 기판 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은, 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, 그리고 GaAs으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 반도체층이 형성된 성장 기판일 수 있다. 상기 투광성 기판(105)의 상면 및 하면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 돌출부(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 복수의 돌출부는 상기 투광성 기판(105)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 반도체층과 동일한 재질로 형성되거나, 상기 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 재질로 형성될 수 있다.
상기 투광성 기판(105)은 상기 개구부(210)의 너비(8의 X0)보다 넓은 너비를 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 상기 제1리세스(216)에 결합되므로, 제1축 방향(X) 및 제2축 방향(Y)에서 개구부(210)의 너비(X0)보다 큰 길이를 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(105)의 제1축 방향(X)의 길이는 X1의 길이보다는 크고 X2의 길이보다는 작을 수 있으며, 제2축 방향(Y)의 길이는 Y1의 길이와 같거나 클 수 있고 Y2의 길이보다는 작을 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 길이 X2의 80% 이상 및 Y2의 80% 이상의 길이를 가질 수 있고, 이러한 크기로 인해 제1리세스(216)의 삽입되고 견고하게 접착될 수 있다.
상기 투광성 기판(105)은 상기 개구부(210)의 바닥 면적보다 더 넓은 상면 면적을 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(105)의 외곽부는 상기 제1리세스(216)에 대면하게 배치되며, 도 13과 같이 접착제(171)에 의해 접착될 수 있다. 상기 접착제(171)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질을 포함할 수 있다. 도 13과 같이 상기 접착제(171)는 상기 투광성 기판(105)과 상기 제1리세스(216)의 표면에 접착될 수 있다. 상기 접착제(171)는 발광 소자(100)의 페시베이션층(101)의 측면과 제1리세스(216)의 외 측면 사이에 접착될 수 있다. 상기 접착제는 상기 페시베이션층(101)의 상면 외측 둘레가 투광성 기판(105)으로부터 노출될 경우, 상기 페시베이션층(101)의 상면 외측 둘레에 접착될 수 있다.
상기 복수의 발광부(101A,101B)는 상기 투광성 기판(105)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)는 상기 투광성 기판(105)의 중심으로부터 분리되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)는 적어도 2개가 상기 투광성 기판(105)의 중심 라인을 기준으로 동일한 간격을 갖고 배치될 수 있다. 이러한 복수의 발광부(101A,101B)는 상기 투광성 기판(105)에 형성되고, 상기 복수의 발광부(101A,101B) 사이의 영역(R2)은 에칭되어 제거됨으로써, 상기 발광부(101A,101B) 사이의 중심과 상기 렌즈부(230) 중심 간의 얼라인의 정확도를 높여줄 수 있어, 각 발광부(101A,101B)로부터 방출된 광의 균일도를 높여줄 수 있고, 서로 간의 광 간섭을 줄여줄 수 있다.
상기 발광부(101A,101B)는 제1형광 필름(100A) 아래에 배치된 제1발광부(101A), 상기 제2형광 필름(100B) 아래에 배치된 제2발광부(101B)를 포함하며, 상기 제1,2발광부(101A,101B)는 서로 이격될 수 있다.
상기 제1발광부(101A)의 광축(Z1)과 상기 제1발광부(101B)의 광축(Z2)은 서로 소정 거리(D1)로 이격되며, 제1,2형광 필름(100A,100B) 사이의 중심 사이의 거리와 정렬되도록 배치될 수 있다. 또한 상기 제1발광부(101A)의 광축(Z1)과 상기 제1발광부(101B)의 광축(Z2)은 도 11과 같은 렌즈부(230)의 각 입사부(P1,P2)의 중심 축과 정렬될 수 있다.
상기 각 발광부(101A,101B)는 복수의 반도체층(12,13,14)을 갖는 발광 구조물(11)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(11)은, 상기 투광성 기판(105)의 위 또는 아래에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 투광성 기판(105)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(11)은 상기 투광성 기판(105) 아래에 성장된 반도체 구조물일 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)의 발광 구조물(11)은, 동일한 반도체층(12,13,14)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1발광부(101A)의 발광 구조물(11)과 상기 제2발광부(101B)의 발광 구조물(11)은 서로 분리될 수 있다. 여기서, 상기 제1,2형광 필름(100A,100B) 간의 거리(D2)는 각 발광부(101A,101B)의 발광 구조물(11) 간의 거리보다 크고, 발광부(101A,101B) 사이의 영역(R2)의 너비보다는 클 수 있다.
상기 각 발광 구조물(11)에서 동일 위치의 각 반도체층(12,13,14)은 동일한 반도체로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(11)은 제1도전성 반도체층(12), 활성층(13) 및 제2도전성 반도체층(14)을 포함한다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 상기 투광성 기판(105) 아래에 배치되며, 상기 활성층(13)은 상기 제1도전성 반도체층(12) 아래에 배치되며, 상기 제2도전성 반도체층(14)은 상기 활성층(13) 아래에 배치될 수 있다.
상기 반도체층(12,13,14)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(12)이 n형 반도체인 경우, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함한다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(13)은 상기 제1도전성 반도체층(12) 아래에 배치되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조, 양자 선 구조, 양자 점 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(13)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층/장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/InAlGaN 또는 InGaN/AlGaN의 주기로 형성될 수 있다. 상기 활성층(13)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층이 형성될 수 있으며, 상기 도전성 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다. 상기 제2도전성 반도체층(14)은 상기 활성층(13) 아래에 배치되며, 제2도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2도전성 반도체층(14)이 p형 반도체인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 Mg, Ze 등과 같은 p형 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전성 반도체층(14)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 각 발광부(101A,101B)의 제1도전성 반도체층(12)은 동일한 재질 및 동일한 두께일 수 있고, 상기 활성층(13)은 서로 동일한 재질 및 동일한 두께일 수 있다. 상기 제2도전성 반도체층(14)은 동일한 재질 및 동일한 두께일 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)로부터 방출된 광은 동일한 피크 파장의 광이 방출될 수 있다. 이는 투광성 기판(105) 상에 동일한 공정으로 제조되므로, 서로 다른 발광 부(131,133,135)에 배치된 반도체층(12,13,14) 간의 적층 구조 및 두께는 서로 동일할 수 있다.
상기 발광 구조물(11)은 제1도전성 반도체층(12) 및 제2도전성 반도체층(14) 중 적어도 하나의 상면 또는/및 하면에 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 구조물(11)은 예컨대, 복수의 반도체층의 적층 구조에 의해 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광부(101A,101B)는 자외선, 적색, 녹색, 청색, 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있으며, 예컨대 동일한 청색 광을 발광할 수 있다.
상기 투광성 기판(105)의 상면 또는 하면의 면적은 상기 복수의 발광부(101A,101B)의 상면 면적들의 합보다 클 수 있다. 상기 투광성 기판(105)은 상기 복수의 발광부(101A,101B)의 면적보다 큰 면적을 갖고, 프레임(220)의 제1리세스(216)에 결합됨으로써, 상기 복수의 발광부(101A,101B)에 별도의 회로 기판(PCB)을 이용하지 않을 수 있다. 여기서, PCB는 소정 두께를 갖는 수지 재질의 PCB, 금속 재질의 PCB, 세라믹 재질의 PCB일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 프레임(220)의 하부에 발광 소자(100)가 결합됨으로써, 프레임(220)의 두께를 더 얇게 제공할 수 있고, 이 경우 플래시 모듈 및 이를 갖는 카메라 모듈의 두께를 슬림화할 수 있다. 또한 발광부(101A,101B)를 갖는 투광성 기판(105)을 프레임(220)에 직접 결합시켜 줌으로써, PCB 상에 LED 칩을 마운팅하는 공차 문제를 제거할 수 있다. 예컨대, PCB 상에 LED 칩을 탑재할 때, 10㎛ 정도 어긋나는 얼라인 문제를 제거할 수 있다. 이에 따라 투광성 기판(105) 상의 발광부(101A,101B)와 렌즈부(230)의 중심들 간의 얼라인 정확도를 높여줄 수 있다.
상기 각 발광부(101A,101B)는 전극층(21)을 포함할 수 있다. 상기 전극층(21)은 각 발광부(101A,101B)의 제1 또는 제2도전성 반도체층(12,14) 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극층(21)은 제2도전성 반도체층(14)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극층(21)은 투명한 재질로 형성되거나, 불투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(21)은 상기 제2도전성 반도체층(14)의 방향으로 진행되는 광의 확산을 위해 투명한 재질로 형성되며, 상기 투명한 재질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있다. 상기 전극층(21)은 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(21)은 단층 또는 다층일 수 있으며, 예컨대 다층인 경우 투명한 전도층/금속층의 적층 구조일 수 있다. 상기 투명한 전도층은 금속 산화물 또는 금속 질화물 재질일 수 있으며, 상기 금속층은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 각 발광부(101A,101B)는 반사 부재(31,41)를 포함할 수 있다. 반사 부재(31,41)는 상기 발광부(101A,101B)의 하 방향 및 측 방향을 진행되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 반사 부재(31,41)는 상기 발광부(101A,101B)의 하부에 배치된 제1반사 부재(31)와, 상기 발광부(101A,101B)의 둘레에 배치된 제2반사 부재(41)를 포함할 수 있다. 상기 제1반사 부재(31)는 절연성 반사 재질 및 금속성 반사 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반사 부재(31)는 복수의 층 구조를 포함하며, 예컨대 상기 발광 구조물(11) 아래에 제1층(32), 상기 제1층(32) 아래에 제2층(33) 및 상기 제2층(33) 아래에 제3층(34)을 포함한다. 상기 제1층(32)은 절연성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 포토 레지스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1층(32)은 유전체층 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 적어도 하나를 갖는 층으로 형성될 수 있다. 상기 제2층(33)은 반사층을 포함하며, 상기 반사층은 금속 재질의 반사 재질을 포함할 수 있으며, 예컨대 Ag, Au 또는 Al 중 적어도 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 제3층(34)은 서로 다른 굴절률을 갖는 층들이 교대로 적층된 반사 구조를 포함할 수 있다. 상기 제3층(34)은 예컨대, 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함한다. 상기 유전체층은 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 상기 제1반사 부재(31)는 상기 발광부(101A,101B)의 하부에서 하 방향으로 누설된 광을 반사시켜 줄 수 있으며, 예컨대 발광 구조물(11)의 하부에서 누설되는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1반사 부재(31)에 의해 발광부(101A,101B) 하부에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다.
상기 제2반사 부재(41)는 발광 구조물(11)의 외측 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)는 절연성 반사 재질 및 금속성 반사 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)는 복수의 층을 포함하며, 상기 발광 구조물(11)의 측면 상에 제1층(42), 상기 제1층(42)의 외측에 제2층(44)이 배치된다. 상기 제1층(42)은 상기 제1반사 부재(31)의 제1층(32)과 동일한 재질일 수 있으며, 상기 제2층(44)은 상기 제1반사 부재(31)의 제2층(33)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)의 상면은 상기 투광성 기판(105)의 하면에 배치되고 하면은 상기 발광 구조물(11)의 하면보다 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)의 하면은 상기 제1반사 부재(31)의 제2층(33)보다 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)는 상기 제1반사 부재(31)의 측면에 접촉될 수 있다. 이에 따라 제2반사 부재(41)는 상기 발광 구조물(11)의 측 방향으로 누설된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제2반사 부재(41)는 하부에 DBR 구조를 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물(11)과 상기 제2반사 부재(41) 사이의 영역에는 절연층(51)이 배치되며, 상기 절연층(51)은 상기 발광 구조물(11)의 측면을 보호할 수 있다. 상기 절연층(51)은 상기 제1반사 부재(31)의 측면 예컨대, 제1반사 부재(31)의 제1,2층(32,33)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 절연층(51)은 유전체 재질로서, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 페시베이션(Passivation) 층(101)을 포함하며, 상기 페시베이션층(101)은 상기 복수의 발광부(101A,101B)의 표면에 형성될 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 상기 발광부(101A,101B)의 하부 및 측부에 배치되어, 상기 발광부(101A,101B)들을 보호할 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 상기 복수의 발광부(101A,101B)와 복수의 패드(150:152,154,156) 사이에 배치되어, 상기 발광부(101A,101B)의 하부를 통한 습기 침투나 전기적인 간섭을 차단할 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 상기 발광부(101A,101B)의 외측에 배치된 투광성 기판(105)의 하면 아래에 배치될 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 상기 제1,2반사 부재(31,41)의 표면과, 상기 투광성 기판(105)의 하면에 배치되어, 습기 침투 및 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
상기 페시베이션층(101)의 일부(R2)는 상기 복수의 발광부(101A,101B) 사이에 배치되어, 복수의 발광부(101A,101B) 사이를 이격시켜 줄 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함하거나, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 페시베이션층(101)은 상기 복수의 패드(150:152,154,156)를 구성하는 접착 물질의 접합이 용이한 물질일 수 있다.
상기 투광성 기판(105)과 상기 페시베이션층(101) 사이에는 반사층(104)을 포함하며, 상기 반사층(104)은 상기 투광성 기판(105)을 통해 진행하는 광의 누설을 방지할 수 있다. 상기 반사층(104)은 상기 투광성 기판(105)과 상기 페시베이션층(101)에 접착될 수 있다. 상기 반사층(104)은 절연성 재질 예컨대, 실리콘, 또는 에폭시와 같은 수지 재질에 SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반사층(104)은 제거될 수 있다. 이 경우, 상기 페시베이션층(101)은 반사 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 페시베이션층(101)은 열 전도성 재질 예컨대, 폴리머를 포함하는 재질로 형성되어, 발광부(101A,101B)로부터 전도된 열을 방열시켜 줄 수 있다. 이러한 페시베이션층(101)은 하부의 패드(152,154,156)의 본딩시 크랙이 발광부(101A,101B)에 전달되는 것을 차단할 수 있다.
실시 예의 발광 소자(100)는 복수의 발광부(101A,101B)의 상부에 투광성 기판(105) 및 하부에 페시베이션층(101)을 가지게 된다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)는 200㎛ 이하의 두께(도 2의 T1) 예컨대, 160㎛ 내지 200㎛의 두께로 제공될 수 있고, 상기 발광 소자(100)의 슬림한 두께로 인해 상기 프레임(220)의 두께(T0)를 줄여줄 수 있다. 이러한 프레임(220)의 두께(T0)가 감소됨으로써, 플래시 모듈 및 이를 갖는 카메라 모듈의 두께를 줄여줄 수 있다. 또한 발광 소자(100) 아래에서 회로 기판(PCB) 자체의 두께 예컨대, 300㎛±30㎛ 정도의 두께를 제거해 줌으로써, 슬림한 발광 소자(100) 및 이를 갖는 플래시 모듈을 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 이러한 기술적 한계를 비약적으로 넘어서 플래시 모듈의 두께를 약 1mm 이하의 두께로 초 슬림화(super slim)할 있다. 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임(220)의 두께(T0)일 수 있으며, 예를 들어, 플래시 모듈의 두께를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있다. 또한, 플래시 모듈의 두께를 약 0.65 mm이하까지도 줄일 수 있다. 물론, 프레임(220) 자체의 두께(T0)를 줄이는 경우, 플래시 모듈의 두께는 더욱 혁신적으로 줄일 수 있다.
상기 플래시 모듈(200)은, 상기 프레임(220)의 하면 아래에 복수의 패드 (150:152,154,156)를 포함한다. 상기 복수의 패드 (150:152,154,156)는 상기 발광 소자(100) 아래에 배치되며, 상기 복수의 발광부(101A,101B)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 패드 (150:152,154,156)는 상기 발광부(101A,101B)의 개수보다 많은 개수로 배치될 수 있다. 상기 복수의 패드(150)는 제1패드(152), 제2패드(154) 및 제3패드(156)를 포함하며, 상기 제1패드(152)는 제1발광부(101A)의 아래에 배치되며, 제2패드(154)는 제2발광부(101B) 아래에 배치되며, 상기 제3패드(156)는 제1,2패드(152,154) 사이에 배치되며 상기 제1,2발광부(101A,101B) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1패드(152) 및 제3패드(156)는 제1발광부(101A)와 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(154) 및 제3패드(156)는 제2발광부(101B)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 복수의 패드 (150:152,154,156) 또는 그 하면은 상기 프레임(220)의 하면(202)보다 낮게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 복수의 패드 (150:152,154,156)의 본딩이 용이할 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자(100)는 상기 프레임(220)의 하면(202)와 동일 수평 면에 배치되거나, 상기 프레임(220)의 하면(202) 보다 높게 배치될 수 있다.
도 4 및 도 6과 같이, 상기 제1패드(152)와 제2패드(154)는 각 발광부(101A,101B)의 제1도전성 반도체층(12)에 연결 부재(91,93)로 연결되며, 제3패드(156)는 각 발광부(101A,101B)의 제2도전성 반도체층(14) 및 전극층(21) 중 적어도 하나와 연결 부재(95,96)로 연결될 수 있다. 상기 연결 부재(91,93,95,96)는 비아 전극 구조를 포함하며, 상기 비아 전극 구조는 비아 홀 내의 절연층으로 다른 층들과 선택적으로 절연될 수 있다.
상기 복수의 패드(150:152,154,156) 각각은 상기 각 발광부(101A,101B)의 하면 면적보다는 큰 면적을 가질 수 있다. 이에 따라 상기 각 발광부(101A,101B)로부터 발생된 열을 효과적으로 방열할 수 있다. 상기 복수의 패드(150:152,154,156) 각각은 상기 투광성 기판(105)의 하면 면적보다는 작을 수 있다. 상기 투광성 기판(105)의 하면 면적은 상기 복수의 패드(150:152,154,156)의 하면 면적들의 합보다 클 수 있다. 상기 복수의 패드(150:152,154,156)의 하면 면적의 합은 상기 투광성 기판(105)의 하면 면적의 50% 이상 예컨대, 60% 이상으로 배치되어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 이는 투광성 기판(105) 또는 제1리세스(216)의 영역을 증가시켜 줌으로써, 복수의 패드(150:152,154,156)를 형성할 수 있는 면적도 증가될 수 있어, 발광 소자(100)의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 복수의 패드(150:152,154,156)는 복수의 발광부(101A,101B)에 전원을 공급해 주고, 상기 복수의 발광부(101A,101B)를 병렬로 연결해 줄 수 있다. 상기 패드는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금으로 형성될 수 있다. 상기 패드가 다층인 경우, 최하층은 금(Au)로 형성될 수 있다.
상기 연결 부재(91,93,95,96)는 상기 제1패드(152) 및 제1발광부(101A)에 연결된 제1연결 부재(91)와, 상기 제2패드(154) 및 제2발광부(110B)에 연결된 제2연결 부재(93)와, 상기 제3패드(156) 및 제1발광부(101A)에 연결된 제3연결 부재(95) 및 상기 제3패드(156) 및 제2발광부(101B)에 연결된 제4연결 부재(96)를 포함한다. 상기 제1 내지 제4연결 부재(91,93,95,96) 각각은 하나 이상 예컨대 복수로 배치될 수 있다. 상기 제1연결 부재(91) 및 제3연결 부재(95)는 제1발광부(101A) 내에서 서로 이격되며, 상기 제4연결 부재(96) 및 제2연결 부재(93)는 제2발광부(101B) 내에서 서로 이격되게 배치된다. 상기 연결 부재(91,93,95,96)는 절연층(미도시) 내에 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적 합금을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(100) 상에는 복수의 형광 필름(100A,100B)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 형광 필름(100A,100B)은 발광부(101A,101B)의 개수와 동일할 수 있다. 상기 복수의 형광 필름(100A,100B)은 상기 투광성 기판(105)을 기준으로 상기 각 발광부(101A,101B)의 반대측에 배치될 수 있다. 상기 복수의 형광 필름(100A,100B)은 제1발광부(101A) 상에 제1형광 필름(100A), 및 상기 제2발광부(101B) 상에 제2형광 필름(100B)을 포함한다. 상기 제1형광 필름(100A) 및 제2형광 필름(100B)은 상기 투광성 기판(105)의 상면에 접착되며, 상기 제1 및 제2발광부(101A,101B)에 각각 대응될 수 있다.
상기 제1형광 필름(100A)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질 내에 녹색, 적색, 청색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 제1형광 필름(100A)으로 방출된 광은 복수의 광이 혼합된 백색 광일 수 있다. 상기 제1형광 필름(100A)은 제1발광부(101A)로부터 방출된 제1광과 상기 제1형광 필름(100A)에 의해 여기된 제2광이 방출되며, 상기 제1,2광에 의해 백색 광으로 혼합될 수 있다.
상기 제2형광 필름(100B)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지 재질 내에 녹색, 적색, 청색, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 제2형광 필름(100B)으로 방출된 광은 복수의 광이 혼합된 백색 광일 수 있다. 상기 제2형광 필름(100B)은 제2발광부(101B)로부터 방출된 제1광과 상기 제2형광 필름(100B)에 의해 여기된 제2광이 방출되며, 상기 제1,2광에 의해 백색 광으로 혼합될 수 있다. 상기 제1형광 필름(100A)과 상기 제2형광 필름(100B)은 형광체 예컨대, 황색 형광체의 함량이 서로 다를 수 있다.
상기 황색 형광체는 N 원소를 포함하고, Mg, Ca, Sr, Ba, 및 Zn 원소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함한다. 이러한 황색 형광체의 조성물에 형광체 모체로서, 예를 들면, Eu2 + 이온을 활성제로 첨가한 경우, 상기 황색 형광체의 조성물은 자외, 근자외, 자색, 청색 광으로 여기하고, 황색의 난색계의 광을 발광하게 된다. 상기 황색 형광체의 예로서, (Sr,Ba)1Si2O2N2:Eu2 +를 포함할 수 있으며, 다른 예로서, (SrXCa1-X)2Si5N8:Eu2 +, Sr2Si5N8:Eu2 +, Ca2Si5N8:Eu2 +, SrXCa1 -XSi7N10:Eu2+, SrSi7N10:Eu2 +, CaSi7N10:Eu2 +, Ca1 . 5A13Si9N16:Eu2 +, CaSiA12O3N2:Eu2 +, YAG:Ce로 표현되는 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 녹색 형광체 예컨대, 예컨대, (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Eu, BaAl8O13:Eu, (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu, (Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, Zn2SiO4:Mn, (Y,Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr,Ca)2Si5N8:Eu, (Li,Na,K)3ZrF7:Mn, (Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn, Ba0 . 65Zr0 .35F2. 7:Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)(V,P)O4:Eu, Y2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu, 3.5MgOㆍ0.5MgF2ㆍGeO2:Mn 등 중에서 한 종류 또는 2종류 이상이 선택될 수 있다.
상기 제1형광 필름(100A)과 제2형광 필름(100B) 중 적어도 하나 또는 모두는 양자점(quantum dot) 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
상기 제1형광 필름(100A)과 제2형광 필름(100B)으로부터 방출된 광의 색 온도는 서로 다를 수 있으며, 예컨대 각각의 형광 필름은 웜 화이트(Warm white), 쿨 화이트(Cool white) 또는 뉴트럴 화이트(Neutral white) 중 적어도 하나의 색 온도를 가질 수 있다. 상기 제1형광 필름(100A)으로부터 방출된 백색 광은 웜 화이트일 수 있으며, 상기 제2형광 필름(100B)으로부터 방출된 백색 광은 쿨 화이트일 수 있다. 실시 예에 따른 플래시 모듈은 연색성을 개선시켜 줄 수 있고, 감성조명 구현이 가능한 웜-화이트(warm-white)와 쿨-화이트(cool-white) 일체형의 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
상기 제1형광 필름(100A)의 하면 면적 또는 상면 면적은 상기 제1발광부(101A)의 발광 구조물(도 7의 11)의 상면 면적 또는 활성층(13)의 면적과 같거나 더 넓을 수 있다. 이에 따라 상기 제1형광 필름(100A)은 상기 제1발광부(101A)로부터 방출된 광의 입사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1형광 필름(100A)은 상기 제1발광부(101A)의 제2반사 부재(41)의 상면 상에 오버랩되게 배치되어, 상기 제2반사 부재(41)로부터 반사된 광을 입사 받을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2형광 필름(100B)의 하면 면적 또는 상면 면적은 상기 제2발광부(101B)의 발광 구조물(11)의 상면 면적 또는 활성층(13)의 면적과 같거나 더 넓을 수 있다. 이에 따라 상기 제2형광 필름(100B)은 상기 제2발광부(101B)로부터 방출된 광의 입사 효율이 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제2형광 필름(100B)은 상기 제2발광부(101B)의 제2반사 부재(41)의 상면 상에 오버랩되게 배치되어, 상기 제2반사 부재(41)로부터 반사된 광을 입사 받을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11 및 도 12와 같이, 상기 렌즈부(230)는 프레임(220)의 제2리세스(214)에 결합되며 상기 프레임(220)의 개구부(210) 상에 배치된다. 상기 렌즈부(230)는 광학 렌즈(232) 및 렌즈 지지부(234)를 포함한다. 상기 렌즈부(230)은 개구부(210)으로 입사되는 광을 굴절시켜 출사할 수 있다.
상기 광학 렌즈(232)는 하부에 입사부(P1,P2) 및 광학 패턴(P3)이 배치되며, 상기 광학 패턴(P3)은 입사부(P1,P2)의 둘레에 볼록한 철 패턴이 동심원 형상으로 형성될 수 있다. 상기 광학 패턴(P3)은 삼각형과 같은 다각형 형상의 철 패턴을 가지며, 입사된 광의 임계각을 변화시켜 출사면 방향으로 굴절시켜 주어, 광의 출사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 입사부(P1,P2)는 하 방향으로 볼록한 곡면이거나 평탄한 면일 수 있다. 상기 입사부(P1,P2)는 상기 각 발광부(101A,101B)에 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(232)의 출사면(P3)은 평탄한 면이거나, 오목한 곡면 또는 볼록한 곡면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 광학 렌즈(232)는 각 발광부(101A,101B)로부터 방출된 광을 확산시켜 주어, 화각(FOV) 내에서 균일한 광 분포를 얻을 수 있다. 상기 광학 렌즈(232)는, 투광성 재료를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(232)는 폴리카보네이트(PC), 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 실리콘 또는 에폭시 수지, 또는 글래스(Glass) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(232)는 굴절률이 2이하일 수 있으며 예컨대, 1.4 내지 1.7 범위의 투명 재료를 포함할 수 있다.
상기 렌즈 지지부(234)는 내부에 구멍(234A)을 가지며, 상기 광학 렌즈(232)의 외측 둘레를 지지하게 된다. 상기 렌즈 지지부(234)는 금속 또는 플라스틱과 같은 비 금속 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 렌즈 지지부(234)는 광 추출을 위해 폴리카보네이트(PC), 또는 에폭시 수지(EP)의 투명 수지로 형성될 수 있다.
상기 광학 렌즈(232)의 외곽부는 상기 렌즈 지지부(234)와 상기 프레임(220)의 제2리세스(214) 사이에 배치된다. 상기 광학 렌즈(232)의 외곽부 및 렌즈 지지부(232)는 접착제(미도시)로 프레임(220)에 접착되고 고정될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에서 렌즈부(230)의 각 입사부(P1,P2)의 중심과 각 발광부(101A,101B)의 광축(Z1,Z2)가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시 예는 회로 기판 상에 발광 칩을 마운팅할 때 발생되는 공차를 제거할 수 있어, 상기 렌즈부(230)의 입사부(P1,P2)와 발광부(101A,101B)의 광축(Z1,Z2) 간의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하 예컨대, 15㎛ 이하로 제어함으로써 발광부(101A,101B)에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부(230)의 입사부(P1,P2)의 편차를 줄여줌에 따라 화각(FOV) 구현과 더불어 배광 특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다. 실시 예는 렌즈부(230)의 각 입사부(P1,P2)의 중심과 각 발광부(101A,101B)의 광축(Z1,Z2) 사이의 편차는 25㎛ 이하로 줄여줄 수 있다.
실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 2개 이상의 발광부(101A,101B)를 갖는 투광성 기판(105) 상에 형광 필름(100A,100B)을 각각 배치하여, 광각의 화각을 구현할 수 있다. 광각 카메라기술에 따라, 업계에서 요구되는 플래시 모듈의 화각(FOV)은 듀얼 카메라(Dual Camera)가 지속 개발됨에 따라 약 120° 이상의 광각을 지속 요구하는 상황이며, 나아가 광각에서의 균일한 광분표 특성도 동시에 구현해야 한다. 실시 예에 의하면, 카메라 플래시의 화각(FOV)은 120도 이상 예컨대, 120도 내지 135도의 범위로 구현이 가능하다.
도 2를 참조하면, 실시 예에서 발광 소자(100)의 두께(T1)는 프레임(220)의 두께의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 실시 예에서 발광 소자(100)는 발광 소자(100) 자체에 회로기판이 없는 상태로 형성이 가능하므로 발광 소자(100)의 두께(T1)를 혁신적으로 줄일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(100)의 두께(T1)는 약 0.2mm 이하로 제어할 수 있다. 실시 예는 상기 발광 소자(100)의 두께(T2)를 약 0.18mm 이하까지 초 슬림하게 제어할 수 있다.
실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 발광 소자(100) 및 렌즈부(230)을 갖는 프레임(220)을 이용하여, 1mm 이하 예컨대, 0.85mm 이하 또는 0.65mm 이하의 두께(예: T0)로 초 슬림화(super slim)할 수 있다. 이는 플래시 모듈(200)에서 발광 소자(100)의 두께를 투광성 기판(105) 아래에 셀 타입의 발광 구조물(11)과 페시베이션층(101)을 적층한 구조로 제공함으로써, 발광 소자(100)의 두께(T1)를 혁신적으로 줄여줄 수 있다. 이러한 발광 소자(100)를 프레임(220) 내측에 배치되고 프레임(220) 상측 내부에 렌즈부(230)가 배치되도록 함으로써, 플래시 모듈의 두께를 감소시켜 줄 수 있다. 실시 예에서 렌즈부(230)의 두께(T2)는 프레임(220)의 두께(T0)의 약 1/3 이하의 두께로 제어할 수 있다. 예를 들어, 렌즈부(230)의 두께(T2)는 약 0.30mm 이하로 제어할 수 있다. 실시 예는 상기 렌즈부(230)의 두께(T2)를 약 0.20mm 이하까지 제어할 수 있다.
도 13을 참조하면, 접착제(171)는 발광 소자(100)를 프레임(220)에 접착시켜 준다. 상기 접착제(171)는 제1리세스(216)에서 발광 소자(100)를 프레임(220)의 표면에 접착시켜 줄 수 있다. 상기 접착제(171)의 일부(171A)는 개구부(210)의 내부에 노출되거나 돌출될 수 있다. 이러한 상기 접착제(171)의 일부(171A)는 발광부(101A,101B)의 영역 외측에 배치되어, 광 효율에 영향을 주지 않을 수 있다.
도 14는 도 13의 플래시 모듈에서 프레임(220)의 제1리세스(216)의 예를 나타낸 도면이다. 도 14를 참조하면, 상기 제1리세스(216)는 외측 면이 경사진 면(216B)으로 형성될 수 있으며, 상기 경사진 면(216B)을 갖는 제1리세스(216)에는 발광 소자(100)의 삽입이 용이할 수 있다. 상기 경사진 면(216B)에 의해 발광 소자(100)의 측면과의 간격이 위로 갈수록 점차 좁아지도록 하여, 발광 소자(100)의 유동을 최소화하고 접착제에 의한 접착 면적을 증가시켜 줄 수 있다.
도 15 내지 도 17은 도 13의 플래시 모듈에서 발광 소자의 변형 예들을 나타낸 도면이다.
도 15 내지 도 17과 같이, 발광 소자(100)의 투광성 기판(105)은 상면 및 하면 중 적어도 하나 또는 양면에 오목한 형상의 반사패턴(105A)이 형성될 수 있다. 상기 반사패턴(105A)은 상기 발광부(101A,101B)의 영역 또는/및 영역 외측 상에 배치될 수 있다. 도 15와 같이, 투광성 기판(105)의 하면으로부터 소정 깊이(C1)를 갖고 형성될 수 있으며, 상기 깊이(C1)는 상기 투광성 기판(105) 두께의 1/2이하일 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 제2반사 부재(41)의 제1층(42) 및 제2층(44) 중 적어도 하나에 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 제1층(42) 및 제2층(44) 상에 형성되어, 상기 반사 패턴(105A) 내부에 제1층(42)의 일부(42A) 및 제2층(44)의 일부(44A)가 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 발광부(101A,101B)를 통해 방출된 광의 일부가 상기 투광성 기판(105)을 따라 투과될 때, 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 대면적의 투광성 기판(105)에 의한 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 각 발광부(101A,101B)의 제2반사 부재(41) 상에 하나 또는 복수개가 배치되어, 투광성 기판(105) 내에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 측 단면이 다각형, 예컨대 삼각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있다.
상기 접착제(171)는 발광 소자(100)의 상면과 제1리세스(216)의 표면에 접착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 16과 같이, 투광성 기판(105)의 반사 패턴(105B)은 발광부(101A,101B)의 절연층(51) 상에 형성될 수 있으며, 그 깊이(C1)는 상기 투광성 기판(105)의 두께의 1/2이하일 수 있다. 상기 반사 패턴(105B)은 측 단면이 다각형, 예컨대 삼각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있다. 상기 절연층(51)의 일부(51A)는 상기 반사 패턴(105B)에 채워질 수 있다. 다른 예로서, 상기 반사 패턴(105B)은 발광 구조물(11)의 일부가 배치될 수 있다.
도 17과 같이, 투광성 기판(105)은 하면 중에서 상기 각 발광부(101A,101B)의 외곽 둘레에 반사 패턴(105c)을 가지며, 상기 반사 패턴(105c)은 상기 발광부(101A,101B)의 영역 외에 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(105c)은 페시베이션층(101)의 일부가 배치되거나, 절연성 반사층(104)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴은 상기 투광성 기판(105)을 통해 측 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
도 18은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 다른 예이며, 도 19는 도 18의 플래시 모듈에서 발광 소자의 제1예를 나타낸 도면이다. 도 18 및 도 19를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 설명과 동일한 구성은 상기의 설명을 참조하기로 한다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 플래시 모듈은 프레임(220)의 개구부(210)에 상기 개구부(210)의 중심 방향으로 돌출된 돌기(211)를 가지며, 상기 돌기(211)는 상기 프레임(220)의 하부의 제1리세스(216) 및 상부의 제2리세스(214) 사이에 배치될 수 있다. 상기 돌기(211)는 탑뷰 형상이 원 형상이거나, 다각형 형상일 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 투광성 기판(105)의 외곽부는 상기 돌기(211)와 마주하게 된다.
상기 렌즈부(230)의 제1축 방향의 너비(X1)와 상기 발광 소자(100)의 제1축 방향의 너비(X2)가 동일하거나 더 작을 수 있다. 이는 상기 렌즈부(230)의 사이즈를 증가할 경우, 광 분포에 영향을 줄 수 있어, 상기 렌즈부(230)의 사이즈는 화각을 고려한 사이즈로 형성될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 제1축 방향의 너비(X1)는 최소 너비로서, 상기 제2리세스(214)의 최소 너비 이상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 200㎛ 이상일 수 있다.
여기서, 상기 발광 소자(100)의 아래에는 복수의 패드(152,154,156)가 배치되며, 상기 복수의 패드(152,154,156) 중 제1패드(152)는 상기 돌기(211)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 복수의 패드(152,154,156) 중 제1패드(152)와 제2패드(154)는 상기 제1리세스(216)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제1패드(152)와 제2패드(154)는 상기 프레임(220)의 하면에 연장되거나, 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 19와 같이, 발광 소자(100)는 프레임(220)의 제1리세스(216)에 접착제(171)로 접착될 수 있다. 상기 접착제(171)는 상기 발광 소자(100)의 상면 및 측면에 접착될 수 있다. 상기 접착제(171)는 상기 투광성 기판(105)의 상면 및 측면, 상기 페시베이션층(101)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 접착제(171)의 하면은 상기 제1패드의 상면 또는 측면에 배치될 수 있으며, 습기 침투를 차단할 수 있다. 상기 투광성 기판(105)의 하면 또는 상면에는 상기에 개시된 반사 패턴이 배치될 수 있다.
도 20 및 도 21은 도 18의 발광 소자의 변형 예들을 나타낸 도면이다.
도 20을 참조하면, 프레임(220)의 제1리세스(216)는 외측 둘레에 경사진 면(216B)을 제공하며, 상기 경사진 면(216B)은 발광 소자(100)의 삽입을 용이하게 할 수 있고, 접착제와의 접착 면적을 증가시켜 줄 수 있다.
도 20과 같이, 상기 발광 소자(100)의 투광성 기판(105)은 상면 및 하면 중 적어도 하나 또는 양면에 오목한 형상의 반사패턴(105A)이 형성될 수 있다. 상기 반사패턴(105A)은 홈 또는 오목부로서, 도 20과 같이, 투광성 기판(105)의 하면으로부터 소정 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 상기 깊이는 상기 투광성 기판(105) 두께의 1/2이하일 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 제2반사 부재(41)의 제1층(42) 및 제2층(44) 중 적어도 하나에 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 제1층(42) 및 제2층(44) 상에 형성되어, 상기 반사 패턴(105A) 내부에 제1층(42)의 일부(42A) 및 제2층(44)의 일부(44A)가 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 상기 발광부(101A,101B)를 통해 방출된 광의 일부가 상기 투광성 기판(105)을 따라 투과될 때, 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 대면적의 투광성 기판(105)에 의한 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 각 발광부(101A,101B)의 제2반사 부재(41) 상에 하나 또는 복수개가 배치되어, 투광성 기판(105) 내에서의 광 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 반사 패턴(105A)은 측 단면이 다각형, 예컨대 삼각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있다.
도 21과 같이, 투광성 기판(105)의 반사 패턴(105B)은 발광부(101A,101B)의 절연층(51) 상에 형성될 수 있으며, 그 깊이는 상기 투광성 기판(105)의 두께의 1/2이하일 수 있다. 상기 반사 패턴(105B)은 측 단면이 다각형, 예컨대 삼각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있다. 상기 절연층(51)의 일부는 상기 반사 패턴(105B)에 채워질 수 있다. 다른 예로서, 도 17과 같이, 투광성 기판(105)은 하면 중에서 상기 각 발광부(101A,101B)의 외곽 둘레에 반사 패턴을 가지며, 상기 반사 패턴은 상기 발광부(101A,101B)의 영역 외에 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 페시베이션층(101)의 일부가 배치되거나, 절연성 반사층(104)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 반사 패턴은 상기 투광성 기판(105)을 통해 측 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 줄 수 있다.
도 22는 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자의 다른 예이다. 도 23은 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 저면도의 예이며, 도 24는 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 다른 예이고, 도 25는 도 22의 발광 소자를 갖는 플래시 모듈의 다른 예이다.
도 22를 참조하면, 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자(100)는 투광성 기판(105) 및 상기 투광성 기판(105) 아래에 복수의 발광부(101A,101B)를 포함한다. 상기 발광부(101A,101B)는 발광 구조물(11), 전극층(21), 하부의 제1반사 부재(31), 측면의 제2반사 부재(41)를 포함한다. 상기 발광 구조물(11)은 제1도전성 반도체층(12), 활성층(13) 및 제2도전성 반도체층(14)을 포함한다. 실시 예에 따른 발광 구조물(11)의 제1도전성 반도체층(12)은 활성층(13) 또는 제2도전성 반도체층(14)의 면적이나 너비보다 더 넓은 너비를 가질 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 상기 제2반사 부재(41) 및 페시베이션층(101) 중 적어도 하나에 예컨대, 페시베이션층(101)의 위에 연장될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 페이베이션층(101)과 투광성 기판(105) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1도전성 반도체층(12)은 다른 발광부(101A,101B)로부터 분리되어, 서로 간의 전기적인 연결을 차단할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1,2발광부(101A,101B)를 병렬로 연결할 경우, 제1도전성 반도체층(12)이 제1,2발광부(101A,101B) 상에 하나의 층이 상기 영역(R2)을 통해 연장되어 서로 다른 발광 구조물(11)에 연결될 수 있으며, 상기 제1도전성 반도체층(12)은 공통 전극에 연결시켜 줄 수 있다.
도 22 및 도 23과 같이, 제1도전성 반도체층(12)은 제1축 방향의 너비가 발광부(101A,101B)의 너비(Q1)와 동일할 수 있다. 발광 소자(100) 하부에 배치된 제1패드(152)에 연결된 제1연결 부재(91A)와 제3패드(156)에 연결된 제3연결 부재(95) 간의 간격은 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 더 이격되고, 제2패드(154)에 연결된 제2연결 부재(93)는 제3패드(156)에 연결된 제4연결 부재(96) 간의 간격이 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 더 이격되어, 공급되는 전류를 확산시켜 발광 구조물(도 22의 11)에 공급해 줄 수 있다.
도 22 및 도 24과 같이, 제1도전성 반도체층(도 22의 12)은 제1축 방향의 너비(Q2)가 발광부(101A,101B)의 너비(Q1)보다 더 넓을 수 있다. 이 경우, 발광 소자(100) 하부에 배치된 제1패드(152)에 연결된 제1연결 부재(91A)와 제3패드(156)에 연결된 제3연결 부재(95) 간의 간격(Q3)은 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 더 이격되고, 제2패드(154)에 연결된 제2연결 부재(93)는 제3패드(156)에 연결된 제4연결 부재(96) 간의 간격(Q4)이 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 이격될 수 있어, 공급되는 전류를 확산시켜 발광 구조물(11)에 공급해 줄 수 있다.
도 22 및 도 25와 같이, 제1도전성 반도체층(도 22의 12)은 제1축 방향의 너비(Q2)가 발광부(101A,101B)의 너비(Q1)보다 더 넓을 수 있다. 이 경우, 발광 소자(100) 하부에 배치된 제1패드(152)에 연결된 제1연결 부재(91A,91B)와 제3패드(156)에 연결된 제3연결 부재(95) 간의 간격(Q3)은 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 더 이격되고, 제2패드(154)에 연결된 제2연결 부재(93A,93B)는 제3패드(156)에 연결된 제4연결 부재(96) 간의 간격(Q4)이 상기 발광 구조물(도 22의 11)의 너비보다 이격될 수 있다. 또한 제1연결 부재(91A,91B)와 제3연결 부재(93A,93B)를 제1도전성 반도체층(도 22의 12)의 코너부에 더 배치하여, 각 발광 구조물(11)의 코너부를 통해서도 전류를 공급토록 하여, 전류를 확산시켜 발광 구조물(11)에 공급해 줄 수 있다. 이러한 전류 확산에 의해 발광 구조물(11)에서의 내부 양자 효율은 개선될 수 있고, 광 추출 효율은 증가될 수 있다.
도 26 및 도 27은 실시 예에 따른 플래시 모듈의 발광 소자의 변형 예들이다.
도 16과 같이 발광 소자(100)는 투광성 기판(105) 아래에 3개의 발광부(E1,E2,E3)가 배치될 수 있어, 상기 3개의 발광부는 삼각형 형태로 배열될 수 있다. 상기 각 발광부는 렌즈부(230)의 입광부의 중심과 동일 축 상에 배치될 수 있다. 이러한 플래시 모듈은 광각의 화각을 제공할 수 있다.
도 17과 같이, 발광 소자(100)는 투광성 기판(105) 아래에 4개의 발광부(E1,E2,E3,E4)가 배치될 수 있어, 상기 4개의 발광부는 사각형 형태로 배열될 수 있다. 상기 각 발광부는 렌즈부(230)의 입광부의 중심과 동일 축 상에 배치될 수 있다. 이러한 플래시 모듈은 광각의 화각을 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 투광성 기판(105) 위 또는 아래에는 발광부 이외에 보호 소자 예컨대 보호 칩이 배치될 수 있다. 상기 보호 칩은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 보호 칩은 상기 발광부를 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 칩은 발광부의 발광 구조물(11)의 형성 시 형성되거나, 별도로 배치될 수 있다.
도 28은 실시 예에 따른 플래시 모듈이 탑재된 카메라 모듈의 측 단면도이다.
도 28를 참조하면, 카메라 모듈은 카메라부(미도시)가 장착된 회로 기판(400) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 본딩 패드(401,403,405)를 갖고, 상기 본딩 패드(401,403,405) 상에 접합 부재(411,413,415)를 통해 플래시 모듈(200)의 패드(152,154,156)과 본딩될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 플래시 모듈(200)의 영역 아래에 배치되어, 전원 온/오프 신호를 공급할 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 수지 기판 예컨대, 플렉시블 기판을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
종래기술에서 렌즈부를 포함한 플래시 모듈의 두께는 약 2.5 mm 이상이며, 그 이하로 두께를 줄이기 어려운 점이 있었다. 이는 종래기술에서 발광모듈을 패키지 기판에 SMT 작업 후, 렌즈를 별도로 카메라 커버 케이스(Cover Case)에 붙임에 따라 카메라 플래시 모듈의 두께를 슬림화하는데 한계가 있었기 때문이다. 나아가 이건 출원인의 최근 미공개 내부 기술에 따라 렌즈부를 프레임(220)에 사출 구조로 형성하여 카메라 플래시 모듈의 두께를 최대한 슬림화하여도 약 1.4mm 수준이 내부 기술적 한계인 상태였다. 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)은 이러한 기술적 한계를 비약적으로 넘어서 플래시 모듈의 두께를 약 1mm 이하의 두께로 초 슬림화(super slim)할 있다. 이는 플래시 모듈(200)에서 발광 소자의 두께를 혁신적으로 줄임과 아울러, 프레임(220) 내측에 발광 소자(100)이 배치되도록 하고, 프레임(220) 상측 내부에 렌즈부(230)가 배치되도록 함으로써 달성할 수 있다. 즉, 실시 예에 따른 플래시 모듈(200)의 두께는 프레임(220)의 두께가 되도록 하여 플래시 모듈의 두께를 혁신적으로 슬림화할 수 있다. 예를 들어, 플래시 모듈의 두께를 약 0.85 mm이하로 줄일 수 있었다. 또한, 실시 예는 플래시 모듈의 두께를 약 0.65 mm이하까지도 극초 슬림화(ultra slim)할 수 있다. 이를 통해, 실시 예는 광각의 화각을 유지하면서도 초 슬림한(super slim) 발광 소자, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광 소자 아래에 대면적의 패드를 배치함으로써, 플래시 작동시 높은 방열효과에 따라 신뢰성이 우수한 발광 소자, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다. 실시 예는 발광 소자와 프레임간의 결합관계가 견고하여 기계적 신뢰성이 향상된 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다. 또한 실시 예는 발광 소자의 발광부와 플래시 렌즈의 얼라인 정확도를 높여 균일한 광 분포를 구현할 수 있는 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다. 실시 예에서 렌즈부(230)의 탑뷰(top view)에서 각 광 확산 패턴의 중심과 각 발광 칩의 센터가 일치될 수 있다. 예를 들어, 실시 예는 렌즈부(230)의 광 확산 패턴과 발광 칩의 얼라인 공차를 약 25㎛ 이하로 제어함으로써 발광 칩에서 발광되는 광의 지향각 특성과 렌즈부의 광 확산패턴의 일치성을 현저히 향상시킴에 따라 광각의 화각(FOV) 구현과 더불어 배광특성을 향상시켜 균일한 광 분포를 얻을 수 있다.
실시 예는 카메라 플래시 기술영역에서 감성조명을 고려한 일체형의 발광 소자, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기를 제공하고자 함을 기술적 해결과제 중으로 하나로 한다.
실시 예에서 복수의 발광부(101A,10B) 및 형광 필름(100A,100B)로부터 방출된 광의 색온도(CCT)는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 웜-화이트(warm-white) 및 쿨-화이트(cool-white)를 발광할 수 있다.
실시 예에 따른 플래시 모듈은 단말기에 채용될 수 있다. 상기 단말기는 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC, 노트북, PDA(Personal Digital Assistant) 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11: 발광 구조물 21: 전극층
31: 제1반사 부재 41: 제2반사 부재
51: 절연층 100: 발광 소자
100A,100B: 형광 필름 101A,101B: 발광부
101: 페시베이션층 104: 반사층
105: 투광성 기판 200: 플래시 모듈
210: 개구부 211: 돌기
216: 제1리세스 214: 제2리세스
220: 프레임 230: 렌즈부
232: 광학 렌즈 234: 렌즈 지지부

Claims (16)

  1. 복수의 패드;
    상기 복수의 패드 상에 개구부 및 상기 개구부의 하부 둘레에 리세스를 갖는 프레임;
    상기 프레임의 하부에 투광성 기판, 및 상기 투광성 기판 상에 상기 개구부와 대응되는 복수의 발광부를 갖는 발광 소자; 및
    상기 프레임의 개구부 상에 렌즈부를 포함하며,
    상기 투광성 기판의 외곽부는 상기 리세스에 배치되는 플래시 모듈.
  2. 복수의 패드;
    개구부 및 상기 개구부의 둘레에 돌기를 갖는 프레임;
    상기 복수의 패드 상에 복수의 발광부, 및 상기 복수의 발광부 상에 배치되고 상기 돌기와 마주하는 투광성 기판을 갖는 발광 소자; 및
    상기 프레임의 개구부 상에 렌즈부를 포함하며,
    상기 개구부는 상기 프레임의 상면 및 하면을 관통하며,
    상기 돌기는 상기 프레임의 개구부의 중심 방향으로 돌출되는 플래시 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 제1축 방향의 너비와 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향의 너비는, 상기 개구부의 너비보다 큰 플래시 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광부는 상기 렌즈부 아래에 적어도 2개가 서로 이격되며,
    상기 각 발광부는 상기 투광성 기판의 아래에 복수의 반도체층을 갖는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 아래에 상기 복수의 패드 중 적어도 하나와 연결된 전극층, 및 상기 전극층 아래에 제1반사 부재를 포함하는 플래시 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1반사 부재는, 상기 전극층 아래에 절연성 재질의 제1층, 상기 제1층 아래에 금속성 재질의 제2층, 상기 제2층 아래에 서로 다른 유전체층이 교대로 반복된 제3층을 갖는 플래시 모듈.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 각 발광부는 상기 발광 구조물의 둘레에 제2반사 부재를 포함하는 플래시 모듈.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 투광성 기판은 절연성 기판, 사파이어 기판 또는 반도체 기판 중 적어도 하나를 포함하는 플래시 모듈.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 발광부와 상기 복수의 패드 사이에 페시베이션층, 및 상기 페시베이션층과 상기 투광성 기판 사이에 절연성의 반사층을 포함하는 플래시 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 페시베이션층 및 상기 투광성 기판 중 적어도 하나의 표면을 상기 프레임에 접착시켜 주는 접착제를 포함하는 플래시 모듈.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자는 상기 프레임의 하면보다 위에 배치되며,
    상기 복수의 패드의 하면은 상기 프레임의 하면보다 낮게 배치되는 플래시 모듈.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투광성 기판의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 반사 패턴을 가지며,
    상기 반사 패턴은 상기 각 발광부의 영역 또는 영역 외측 상에 배치되는 플래시 모듈.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반사 패턴은 상기 각 발광부의 외측 둘레를 따라 배치되는 플래시 모듈.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 발광부 중 적어도 하나와 상기 복수의 패드 중 적어도 하나를 각각 연결하는 복수의 연결 부재를 포함하며,
    상기 복수의 패드의 하면은 상기 복수의 발광부의 하면 면적의 합보다는 큰 면적을 갖는 플래시 모듈.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 발광부 각각은, 제1도전성 반도체층, 활성층 및 제2도전성 반도체층을 포함하며,
    상기 제1도전성 반도체층은 상기 각 발광 구조물의 하면 면적보다 더 넓은 면적을 갖는 플래시 모듈.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 각 발광부의 제1도전성 반도체층은, 상기 페시베이션층과 상기 투광성 기판 사이로 연장되고 상기 복수의 연결 부재 중 적어도 하나와 연결되는 플래시 모듈.
  16. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광부 상에 복수의 형광 필름을 포함하며,
    상기 복수의 형광 필름과 상기 복수의 발광부 사이에 상기 투광성 기판이 배치되는 플래시 모듈.

KR1020160085560A 2016-07-06 2016-07-06 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기 KR20180005450A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160085560A KR20180005450A (ko) 2016-07-06 2016-07-06 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160085560A KR20180005450A (ko) 2016-07-06 2016-07-06 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180005450A true KR20180005450A (ko) 2018-01-16

Family

ID=61066710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160085560A KR20180005450A (ko) 2016-07-06 2016-07-06 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180005450A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110848597A (zh) * 2019-10-31 2020-02-28 维沃移动通信有限公司 灯光组件、终端设备及工作状态控制方法
WO2022149714A1 (ko) * 2021-01-07 2022-07-14 삼성전자 주식회사 전자 장치의 플래시 렌즈

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110848597A (zh) * 2019-10-31 2020-02-28 维沃移动通信有限公司 灯光组件、终端设备及工作状态控制方法
WO2022149714A1 (ko) * 2021-01-07 2022-07-14 삼성전자 주식회사 전자 장치의 플래시 렌즈

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8916887B2 (en) Light emitting device package and lighting system using the same
KR101114719B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8519426B2 (en) Light emitting device and lighting system having the same
CN103928596B (zh) 发光器件
KR101114197B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US10680143B2 (en) Optical plate, lighting device, and light source module
US10217918B2 (en) Light-emitting element package
US11342486B2 (en) Light-emitting device package and lighting device having same
KR101163901B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102153082B1 (ko) 발광 장치
KR20180005450A (ko) 플래시 모듈, 카메라 모듈 및 이를 포함하는 단말기
KR101125437B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102629894B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
KR101655464B1 (ko) 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템
KR101977279B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102086126B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR101946831B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR20120014956A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102432219B1 (ko) 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
KR20120014415A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20180017450A (ko) 발광 모듈, 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
KR20170142045A (ko) 플래시 모듈 및 이를 포함하는 단말기
KR20130006807A (ko) 발광 소자 패키지
KR20130018071A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant