JP2007059781A - サブマウント付発光素子および発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 サブマウントに光が吸収されることによって生じる光損失を低減し、光取り出し効率を高めたサブマウントを含むサブマウント付発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】 LED素子20と透明サブマウント21とAuバンプ22を含むサブマウント付発光素子2と、表裏に配置された回路パターン31および回路パターン32とビアホール33に配置されたビアパターン34を含む基板3と、光反射面40を有するリフレクタ4と、基板3とリフレクタ4とで囲まれた空間にサブマウント付発光素子2を封止し、光透過性を有する封止樹脂5により構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 LED素子20と透明サブマウント21とAuバンプ22を含むサブマウント付発光素子2と、表裏に配置された回路パターン31および回路パターン32とビアホール33に配置されたビアパターン34を含む基板3と、光反射面40を有するリフレクタ4と、基板3とリフレクタ4とで囲まれた空間にサブマウント付発光素子2を封止し、光透過性を有する封止樹脂5により構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、フリップチップ型の半導体発光素子とこれを導通搭載するサブマウントとで構成される、サブマウント付発光素子に関する。
従来の技術として、フリップチップ型LED(Light−Emitting Diode)素子を白色のアルミナセラミックからなるサブマウントの電極にフリップ実装した複合発光素子がある(例えば、特許文献1参照)。
この特許文献の複合発光素子によると、LED素子からサブマウント側へ向かう光を発光素子搭載面の白色のアルミナセラミックにより正光取り出し面側へ反射することにより、効率良く放射させることができる。
特開2003−60243
しかし、特許文献1に記載された複合発光素子によると、アルミナセラミック等の白色絶縁体の表面で光の反射と同時に吸収が生じるため、外部への光取り出し効率が低下するという問題がある。また、サブマウントにLED素子を搭載するものでは、工法上予め多数のサブマウントを平面に取り付け面出しした後、ダイシング等により分離する方法をとるため、サブマウントの側面が粗面となり、必ずしも反射に適したものとはいえず、反射と同時に吸収される光が大になる。
従って、本発明の目的は、サブマウントに光が吸収されることによって生じる光損失を低減し、光取り出し効率を高めたサブマウントを含むサブマウント付発光素子および発光装置を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、光透過性の材質からなるサブマウントと、サブマウント上に導通搭載した発光素子を含むサブマウント付発光素子を提供する。
前記サブマウントはシリカガラス、石英ガラス等、光透過性を有した加工が容易なものであればよい。
前記発光素子はフリップチップ型およびフェイスアップ型の半導体LEDを、単体もしくは複数個用いてもよい。
また、本発明は上記目的を達成するため、光透過性の材質からなるサブマウントと、前記サブマウント上に導通搭載される発光素子を含むサブマウント付発光素子を光源とする発光装置を提供する。
また、本発明は上記目的を達成するため、光透過性の材質からなるサブマウントと、前記サブマウント上に導通搭載した発光素子を含むサブマウント付発光素子と、前記サブマウント付発光素子を実装される実装基板と、前記サブマウント付発光素子から放射される光を反射する反射面を有するリフレクタと、前記サブマウント付発光素子を封止する光透過性の封止樹脂からなる発光装置を提供する。
前記サブマウントおよび前記封止樹脂の少なくとも一方に蛍光体を含んだものを使用して発光装置を構成してもよい。
前記サブマウントおよび前記封止樹脂の屈折率が同等であるものを使用して発光装置を構成してもよい。
本発明によれば、サブマウントに光が吸収されることによって生じる光損失を低減でき、光取り出し効率を高めることができる。
〔第1の実施の形態〕
以下に、本発明のサブマウント付発光素子の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
以下に、本発明のサブマウント付発光素子の実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
(発光装置1の構成)
図1は、LED素子とこれを導通搭載する透明サブマウントによるサブマウント付発光素子を含む発光装置の断面図である。
図1は、LED素子とこれを導通搭載する透明サブマウントによるサブマウント付発光素子を含む発光装置の断面図である。
この発光装置1は、LED素子20と透明サブマウント21とAuバンプ22を含むサブマウント付発光素子2と、表裏に配置された回路パターン31とビアホール33に配置されたビアパターン34を含む基板3と、光反射面40を有するリフレクタ4と、基板3とリフレクタ4とで囲まれた空間にサブマウント付発光素子2を封止し、光透過性を有する封止樹脂5により構成されている。
(サブマウント付発光素子2の構成)
図2は、図1におけるサブマウント付発光素子の詳細図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図である。
図2は、図1におけるサブマウント付発光素子の詳細図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図である。
LED素子20は、サファイア基板上にGaN系半導体化合物を結晶成長させることにより形成された青色LED素子である。
透明サブマウント21は、シリカガラスを用いて形成されており、表面に電極パターン210を有し、Auバンプ22を介してフリップチップ型LED素子20と導通接続される。
(第1の実施の形態の動作)
LED素子20は、図示しない電源部から回路パターン32、ビアパターン34、回路パターン31、Auワイヤ34、電極パターン210、およびAuバンプ22を介し、電力が供給されることにより発光する。LED素子20から発せられる光は主に正光取り出し方向へ放射されるが、一部の光はLED素子20の側面方向や透明サブマウント21側へ放射される。
LED素子20は、図示しない電源部から回路パターン32、ビアパターン34、回路パターン31、Auワイヤ34、電極パターン210、およびAuバンプ22を介し、電力が供給されることにより発光する。LED素子20から発せられる光は主に正光取り出し方向へ放射されるが、一部の光はLED素子20の側面方向や透明サブマウント21側へ放射される。
LED素子20の側面方向に発せられた光で、光反射面40において散乱された光のうち透明サブマウント21に入射した光は、透明サブマウント21と封止樹脂5との界面において、その入射角が臨界角の範囲であれば透明サブマウント21外へ放射される。LED素子20より直接透明サブマウント21側へ発せられ、透明サブマウント21内に入射した光についても同様であり、臨界角範囲にある光は透明サブマウント21外へ放射される。
(第1の実施の形態の効果)
上記した第1の実施の形態によると、透明サブマウント21に透光性を有するシリカガラスを用いることにより、LED素子20から発せられた光のうち、透明サブマウント21内に入射した光のほとんどを再び透明サブマウント21外に取り出すことができるようになる。その結果、発光装置1全体での発光効率が向上する。
上記した第1の実施の形態によると、透明サブマウント21に透光性を有するシリカガラスを用いることにより、LED素子20から発せられた光のうち、透明サブマウント21内に入射した光のほとんどを再び透明サブマウント21外に取り出すことができるようになる。その結果、発光装置1全体での発光効率が向上する。
なお、透明サブマウント21に使用する材料は、LED素子20が放射する光に対し、光透過性を有する樹脂であれば石英ガラスなどでもよい。また、LED素子20はフリップチップ型のものに限定されず、フェイスアップ型のものを搭載してもよい。また、サブマウント付発光素子2は、LED素子20を複数用いたものでもよい。
また、封止樹脂5は、透明サブマウント21との屈折率差が小なる材料からなるものを選択することにより、界面反射を低減でき、透明サブマウント21内に入射した光をより外へ取り出しやすくすることができる。また、封止樹脂5と透明サブマウント21に蛍光体を含有したもの、あるいは蛍光体含有ガラス材料を用いることにより、光取り出し性および波長変換性に優れる発光装置1が得られる。発光体としては、LED素子20から発せられる光で励起されて黄色光を生じるYAG(Yttrium,Aluminium, Garnet)蛍光体を用いることで青色光と黄色光の混合に基づく白色光を発することができる。
〔第2の実施の形態〕
(サブマウント付発光素子2の構成)
図3は、第2の実施の形態におけるサブマウント付発光素子を示す図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図、(c)は透明サブマウント側からの平面図である。なお、以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
(サブマウント付発光素子2の構成)
図3は、第2の実施の形態におけるサブマウント付発光素子を示す図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図、(c)は透明サブマウント側からの平面図である。なお、以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
電極パターン210は、透明サブマウント21に開穴されたビアホール212に作成されたビアパターン213を介して、透明サブマウント21の裏面に形成された電極パターン211と電気的に接続されている。
第2の実施の形態におけるサブマウント付発光素子2は、透明サブマウント21の裏側に作成された電極パターン211により基板3上の回路パターン31に導通搭載される。
(第2の実施の形態の効果)
上記した第2の実施の形態によると、透明サブマウント21の裏面に形成された電極パターン211により基板3上の回路パターン31に導通搭載されるので、Auワイヤを用いずに基板への電気的接続が可能になる。その結果、Auワイヤのボンディング工程を省略でき、生産性向上に貢献できる。またAuワイヤを省いたことで電気的な不具合も生じにくくなる。
上記した第2の実施の形態によると、透明サブマウント21の裏面に形成された電極パターン211により基板3上の回路パターン31に導通搭載されるので、Auワイヤを用いずに基板への電気的接続が可能になる。その結果、Auワイヤのボンディング工程を省略でき、生産性向上に貢献できる。またAuワイヤを省いたことで電気的な不具合も生じにくくなる。
〔第3の実施の形態〕
(第3の実施の形態の構成)
図4は、第3の実施の形態におけるサブマウント付発光素子を示す図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図、(c)は透明サブマウント側からの平面図である。
(第3の実施の形態の構成)
図4は、第3の実施の形態におけるサブマウント付発光素子を示す図であり、(a)はLED素子側からの平面図、(b)は(a)のA−A部における断面図、(c)は透明サブマウント側からの平面図である。
電極パターン210は、透明サブマウント21の側面から裏面にかけて連続的に形成されており、透明サブマウント21の底面には外部接続用パターン210Aが設けられている。
第3の実施の形態におけるサブマウント付発光素子2は、透明サブマウント21の裏側に作成された外部接続用パターン210Aにより基板3上の回路パターン31に導通搭載される。
(第3の実施の形態の効果)
上記した第3の実施の形態によると、透明サブマウント21の表面から連続的に形成された外部接続用パターン210Aにより基板3上の回路パターン31に導通搭載されるので、Auワイヤを用いずに基板への電気的接続が可能になる。その結果、Auワイヤのボンディング工程を省略でき、生産性向上に貢献できる。またAuワイヤを省いたことで電気的な不具合も生じにくくなる。
上記した第3の実施の形態によると、透明サブマウント21の表面から連続的に形成された外部接続用パターン210Aにより基板3上の回路パターン31に導通搭載されるので、Auワイヤを用いずに基板への電気的接続が可能になる。その結果、Auワイヤのボンディング工程を省略でき、生産性向上に貢献できる。またAuワイヤを省いたことで電気的な不具合も生じにくくなる。
また、第2の実施の形態における透明サブマウント21に比べ精密な加工が少なく、容易に作成することが可能である。
1、発光装置
2、サブマウント付発光素子
3、基板
4、リフレクタ
5、封止樹脂
20、LED素子
21、透明サブマウント
22、Auバンプ
31、回路パターン
32、回路パターン
33、ビアホール
34、ビアパターン
34、Auワイヤ
40、光反射面
210、電極パターン
210A、外部接続用パターン
211、電極パターン
212、ビアホール
213、ビアパターン
2、サブマウント付発光素子
3、基板
4、リフレクタ
5、封止樹脂
20、LED素子
21、透明サブマウント
22、Auバンプ
31、回路パターン
32、回路パターン
33、ビアホール
34、ビアパターン
34、Auワイヤ
40、光反射面
210、電極パターン
210A、外部接続用パターン
211、電極パターン
212、ビアホール
213、ビアパターン
Claims (7)
- 光透過性の材質からなるサブマウントと、
前記サブマウント上に導通搭載した発光素子を含むことを特徴とするサブマウント付発光素子。 - 前記サブマウントは、シリカガラス、石英ガラス等の光透過性材料からなることを特徴とする請求項1に記載のサブマウント付発光素子。
- 前記発光素子は、フリップチップ型およびフェイスアップ型の半導体LEDを、単体もしくは複数個用いることを特徴とする請求項1に記載のサブマウント付発光素子。
- 光透過性の材質からなるサブマウントと、前記サブマウント上に導通搭載される発光素子を含むサブマウント付発光素子を光源とすることを特徴とする発光装置。
- 光透過性の材質からなるサブマウントと、前記サブマウント上に導通搭載した発光素子を含むサブマウント付発光素子と、
前記サブマウント付発光素子が実装される実装基板と、
前記サブマウント付発光素子から発せられる光を反射する反射面を有するリフレクタと、
前記サブマウント付発光素子を封止する光透過性の封止樹脂からなることを特徴とする発光装置。 - 前記サブマウントおよび前記封止樹脂の少なくとも一方に蛍光体を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の発光装置。
- 前記サブマウントおよび前記封止樹脂の屈折率が同等であることを特徴とする請求項4または5に記載の発光装置。
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---|---|---|---|
JP2005245739A JP2007059781A (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | サブマウント付発光素子および発光装置 |
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JP2005245739A JP2007059781A (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | サブマウント付発光素子および発光装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007059781A true JP2007059781A (ja) | 2007-03-08 |
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ID=37922980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011007621A1 (ja) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2011222642A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
CN102945909A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-27 | 杭州天柱科技有限公司 | 一种全空间白光led器件 |
WO2013179625A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュールおよびその製造方法、照明器具 |
WO2013179623A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール |
WO2013179626A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール |
US8614109B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-12-24 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same |
JP2014132677A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2015076576A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電気装置、電気装置の製造方法 |
WO2018104170A3 (de) * | 2016-12-06 | 2018-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen bauelement |
JP2019536278A (ja) * | 2016-11-17 | 2019-12-12 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィSignify Holding B.V. | Uv ledを有する照明デバイス |
WO2023041338A1 (de) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, beleuchtungseinheit und verfahren zur herstellung eines optoelektronisches bauelements |
-
2005
- 2005-08-26 JP JP2005245739A patent/JP2007059781A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8614109B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-12-24 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same |
US8735934B2 (en) | 2008-11-13 | 2014-05-27 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same |
CN102473656A (zh) * | 2009-07-14 | 2012-05-23 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
CN102473656B (zh) * | 2009-07-14 | 2015-09-02 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
WO2011007621A1 (ja) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US8614544B2 (en) | 2009-07-14 | 2013-12-24 | Nichia Corporation | Light emitting device with electrode having recessed concave portion |
JP2011222642A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
WO2013179623A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール |
US9685594B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-06-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module and method of preparing the LED module, lighting device |
WO2013179624A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール、照明器具及びランプ |
WO2013179625A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュールおよびその製造方法、照明器具 |
WO2013179626A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール |
US9437581B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module |
JPWO2013179625A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ledモジュールおよびその製造方法、照明器具 |
JPWO2013179623A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ledモジュール |
CN102945909A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-27 | 杭州天柱科技有限公司 | 一种全空间白光led器件 |
JP2015076576A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電気装置、電気装置の製造方法 |
JP2014132677A (ja) * | 2014-03-06 | 2014-07-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2019536278A (ja) * | 2016-11-17 | 2019-12-12 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィSignify Holding B.V. | Uv ledを有する照明デバイス |
JP7155117B2 (ja) | 2016-11-17 | 2022-10-18 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィ | Uv ledを有する照明デバイス |
WO2018104170A3 (de) * | 2016-12-06 | 2018-08-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauteil mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen bauelement |
WO2023041338A1 (de) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, beleuchtungseinheit und verfahren zur herstellung eines optoelektronisches bauelements |
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