JP6940776B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6940776B2 JP6940776B2 JP2018208460A JP2018208460A JP6940776B2 JP 6940776 B2 JP6940776 B2 JP 6940776B2 JP 2018208460 A JP2018208460 A JP 2018208460A JP 2018208460 A JP2018208460 A JP 2018208460A JP 6940776 B2 JP6940776 B2 JP 6940776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- translucent member
- emitting element
- translucent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 52
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 europium-activated silicate Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明の実施形態は、より高輝度な発光装置及びその製造方法を提供することを課題と
する。
実施形態に係る発光装置の構成の一例を、図1乃至図4を参照しながら説明する。なお、図2Bは、断面形状を拡大して示しているが、引き出し線等の位置を明確にするために断面で示すハッチングを省略している。
発光装置100は、発光素子30と、発光素子30の上面31に接合して設けられ、波長変換部材11を含有し、発光素子30の上面31の面積よりも大きな面積の下面7を有する第1透光性部材1と、第1透光性部材1の上面5に接合して設けられ、第1透光性部材1の上面5の面積よりも大きな面積の下面8と、発光素子30の上面31の面積よりも小さな面積の上面31とを有する第2透光性部材2と、発光素子30の側面32と発光素子30の上面3よりも周縁に張り出した第1透光性部材1の下面周縁に亘って設けた第1導光性部材15Aと、第1透光性部材1の側面6と第1透光性部材の上面5よりも周縁に張り出した第2透光性部材2の下面周縁に亘って設けた第2導光性部材15Bと、を備えている。なお、図3では、光反射性部材20が形成されていない状態で基板40に発光素子30が実装され透光性部材10が発光素子30に設置されている状態を示している。以下、発光装置100の各構成について説明する。
発光素子30は、接合部材を介して基板40の導体配線にフリップチップ実装されている。発光素子30は、同一面側に一対の電極を有し、一対の電極の形成された面を下面として、下面と対向する上面31を主な光取り出し面としている。発光素子30は、公知のものを利用でき、例えば、発光ダイオードやレーザダイオードを用いるのが好ましい。また、発光素子30は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。さらに、赤色の発光素子としては、窒化物系半導体素子の他にもGaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。なお、発光素子30は、前記した以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。発光素子30は、組成や発光色、大きさや形状、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
透光性部材10は、発光装置100が備える発光素子30の上面31と接合して設けられている。透光性部材10は、それぞれ上面と下面とを有する第1透光性部材1及び第2透光性部材2を備えている。そして、透光性部材10は、第1透光性部材の上面5と第2透光性部材の下面8とが接合して構成されている。透光性部材10は、例えば、第1透光性部材1が、波長変換部材11を含有する透光板であり、第2透光性部材2が、波長変換部材11を含有していない透光板である。透光性部材10は、第1透光性部材1の下面7より第2透光性部材2の上面3の面積が小さい凸形状に形成されており、第1透光性部材1の側面6は、平面視において第2透光性部材2の側面4よりも内側に位置する大きさに形成されている。
透光性部材10の厚みは、例えば、60〜1000μmとすることができる。透光性部材10の前記した厚みのうち、第2透光性部材2の厚みは、例えば、透光性部材10の厚みの50〜90%であることが好ましい。
第1透光性部材1は、発光素子30の上面31に接合するように設けられている。第1透光性部材1は、波長変換部材11(図4参照)を含み、無機材料を主成分としている。第1透光性部材1は、例えば、波長変換部材11を含有するガラスを用いることができる。第1透光性部材1は、例えば、平板状であり、上面5と、上面5と対向する下面7と、上面5及び下面7に接する側面6と、を有している。
第1透光性部材の下面7は、発光装置100が備える少なくとも一つ以上の発光素子30からの光が入射される面である。この下面7は、下面7と接合される一つ以上の発光素子30の上面31の面積の和よりも大きな面積となるように形成されている。また、第1透光性部材の下面7は、略平坦になるように形成されている。
第1透光性部材1の平面視形状は、後述する発光素子の形状、数及び配置等によって適宜設定することができ、円又は楕円、多角形及びこれらに近似する形状が挙げられる。なかでも、発光素子30の外縁形状に合わせた形状(例えば共に略矩形状)であることが好ましい。また、第1透光性部材1と第2透光性部材2の平面視形状は略相似形としてもよいし、それぞれ異なる形状としてもよい。
さらに、第1透光性部材1は、光拡散材を含有してもよい。光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。第1透光性部材1中において波長変換部材11は、第1透光性部材1の全体に分散されてもよいし、第1透光性部材1の上面あるいは下面側に偏在していてもよい。
第2透光性部材2は、第1透光性部材1と接合するように設けられている。第2透光性部材2は無機材料を主成分としている。第2透光性部材2は、例えば、ガラスを用いることができる。第2透光性部材2は、例えば上面3が下面8よりも面積が小さく形成された形状であり、上面3と、上面3に対向する下面8と、上面3及び下面8に接する側面4と、を備えている。第2透光性部材の下面8は、第1透光性部材の上面5より大きな面積で形成される。すなわち、第2透光性部材2は、第2透光性部材の下面8周縁が、平面視において第1透光性部材の上面5周縁よりも外側に位置し、第2等透光性部材の上面3周縁が、平面視において第1透光性部材の上面5周縁よりも内側に位置している。第2透光性部材の上面3の面積は、発光装置100が備える一つ以上の発光素子30の上面31の面積の和よりも小さいことが好ましい。さらに、第2透光性部材の上面3の面積は、第1透光性部材の下面7の面積に対して、70%以下であることが好ましく、50%以下であることがより好ましく、30%であることがさらに好ましい。このように第2透光性部材の上面3の面積を第1透光性部材の下面7の面積に対して小さい面積とすることにより、第1透光性部材の下面7から入射された発光素子30からの出射光を、発光素子30の上面31より小さな面積で第2透光性部材の上面3(発光装置100の光取り出し面)から放出させることができる。つまり、発光装置100は、第2透光性部材2により光取り出し面の面積が絞られて、より高輝度な発光装置として、より遠くを照らすことが可能となる。
なお、図1乃至図3の発光装置100では、第1透光性部材1及び発光素子30、さらに、第1透光性部材1及び第2透光性部材2が、接着材を使用し、接着材として第1導光性部材15A及び第2導光性部材15Bが用いられた例としている。
発光素子30と透光性部材10とは、例えば接着材として使用する第1導光性部材15Aで接合することができる。第1導光性部材15Aは、発光素子30の上面31から側面32の少なくとも一部に連続して形成されている。第1導光性部材15Aが発光素子30の側面32に設けられる場合は、光反射性部材20と発光素子30の側面32との間に介在して設けられることになる。光反射性部材20と発光素子30の側面32との間に介在する第1導光性部材15Aの上面は、第1透光性部材の下面7と接して設けられている。発光素子30と透光性部材10とを接合部材として第1導光性部材15Aを用いる場合、発光素子30から出射される光は、第1導光性部材15Aを介して透光性部材10の下面へと伝搬される。このため、第1導光性部材15Aには、発光素子30から出射される光を透光性部材10へと有効に導光できる部材を用いることが好ましい。このように導光性及び接着性に優れる材料として、第1導光性部材15Aは、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂のような周知の樹脂材料、高屈折率の有機接着材、無機系接着材、低融点ガラスによる接着材などを用いることができる。第1導光性部材15Aは、発光素子30の上面31から側面32にまで延在し、第1フィレット16Aとして設けられることが好ましい。第1フィレット16Aは、第1透光性部材の下面7と発光素子30の側面32との双方に接し、光反射性部材20側に凹の曲面であることが好ましい。このような形状によって、発光素子30から出射される光は第1導光性部材15Aのフィレット面により反射され、第1透光性部材1へと導光されやすくなる。
光反射性部材20は、図1、図2及び図4に示すように、第2透光性部材の上面3以外に向かう光を、第2透光性部材の上面3から放出するように反射させると共に、発光素子30の側面を覆って、発光素子30を外力、埃、ガスなどから保護するものである。この光反射性部材20は、透光性部材10の上面3(つまり第2透光性部材の上面3)を発光装置100の光取り出し面として露出させて、透光性部材10及び発光素子30並びに基板40の上面の一部を覆うように設けられている。光反射性部材20は、具体的には、第2透光性部材の側面4、第1透光性部材1の側面側、発光素子30の側面32側及び下面33側を覆うように設けられている。ここでは、光反射性部材20は、第1導光性部材15Aの第1フィレット16Aを介して発光素子30の側面32を覆っている。そして、光反射性部材20は、第2導光性部材15Bの第2フィレット16Bを介して第1透光性部材の側面6を覆っている。発光素子30の光取り出し面は、光反射性部材20から露出して第1透光性部材の下面7と接合されていることにより、透光性部材10に光を入射することが可能となる。光反射性部材20は、発光素子30からの光を反射可能な部材からなり、透光性部材10と光反射性部材20との界面で、発光素子30からの光を反射させて、透光性部材10内へと入射させる。このように、発光素子30から出射された光は、光反射性部材20で反射して透光性部材10内を通過し、発光装置100の光取り出し面である第2透光性部材の上面3から、外部へと出射する。
基板40は、少なくとも1つ以上の発光素子30を実装し、発光装置100を電気的に外部と接続する。基板40は、平板状の支持部材及び支持部材の表面及び/又は内部に配置された導体配線を備えて構成されている。なお、基板40は、発光素子30の電極の構成、大きさに応じて電極の形状、大きさ等の構造が設定される。
また、基板40の支持部材は、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子30から出射される光や外光などを透過しにくい材料を用いることが好ましい。基板40は、ある程度の強度を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどのセラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフタルアミド(PPA)などの樹脂が挙げられる。なお、支持部材は、キャビティを有する構造としてもよい。これにより、前述の光反射性部材20を滴下して硬化するなどして、容易に形成することができる。
導体配線及び放熱用端子は、例えば、Cu,Ag,Au,Al,Pt,Ti,W,Pd,Fe,Niなどの金属又はこれらを含む合金などを用いて形成することができる。このような導体配線は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。
次に図5のフローチャートに示す発光装置の製造方法S10について、図6A〜図6Fを中心に参照しながら説明する。
発光装置の製造方法S10は、発光素子30と、波長変換部材を含有し発光素子の上面の面積よりも大きな面積の下面を有する第1透光性部材1と、第1透光性部材1の上面の面積よりも大きな面積の下面と発光素子30の上面31の面積よりも小さな面積の上面とを有する第2透光性部材2と、を準備する工程(準備工程S11)と、第1導光性部材15Aが発光素子30の側面32と第1透光性部材1の下面周縁に亘るように、第1透光性部材1を発光素子30の上面31に第1導光性部材15Aを介して接合する工程(第1接合工程S13)と、第2導光性部材15Bが第1透光性部材の側面6と第2透光性部材2の下面周縁とに亘るように、第2透光性部材2を第1透光性部材の上面5に第2導光性部材15Bを介して接合する工程(第2接合工程S14)と、を含むこととする。
ちなみに、ここでは、準備工程S11、発光素子実装工程S12、第1接合工程S13、第2接合工程S14、光反射性部材形成工程S15、個片化工程S16を順に行うこととして説明するが、順番はこの限りではなく、前後してもよい。なお、図6A〜図6Eでは、説明を簡単にするために発光装置の1つが製造されるように図示し、図6Fでは複数の発光装置の連続している部分を切断する状態として図示している。
準備工程S11は、発光素子30と第1透光性部材1と第2透光性部材2とを準備する工程である。準備工程S11において、第1透光性部材1として、波長変換部材11を含有し発光素子30の上面31の面積よりも大きな面積の下面7を有するものを準備する。また、準備工程S11において、第2透光性部材2として、第1透光性部材の上面5の面積よりも大きな面積の下面8と発光素子30の上面31の面積よりも小さな面積の上面3とを有するものを準備する。なお、準備工程S11では、第1透光性部材1及び第2透光性部材2がすでに発光素子30に接合できる大きさに切断された状態であることが好ましい。そして、第2透光性部材2は、断面が台形状になるように加工されている。
発光素子実装工程S12は、準備した発光素子30を基板40に実装する工程である。この発光素子実装工程S12で使用される基板40は、平面視略矩形状の平板状に形成され、例えば、支持部材に導体配線及び放熱用端子が設けられている。そして、発光素子実装工程S12では、一つの発光装置100につき一つの発光素子30が基板40の導体配線上にバンプ等の接合部材を介して実装される。
図6B及び図6Cに示すように、第1接合工程S13は、第1透光性部材1と発光素子30とを接合する工程である。第1接合工程S13では、第1透光性部材1の下面周縁が発光素子30の上面31の周縁よりも外側に位置するように、第1透光性部材の下面7と発光素子30の上面31とを接合する。
発光素子30と第1透光性部材1とは、一例として、接着材である第1導光性部材15Aで接合している。第1導光性部材15Aによる接合は、まず発光素子30の上面31に第1導光性部材15Aを滴下し、第1導光性部材15A上に第1透光性部材1を配置する。滴下された第1導光性部材15Aは、第1透光性部材1により押圧され、発光素子30の側面32まで濡れ広がる。そして、第1導光性部材15Aは、第1透光性部材の下面7と発光素子30の側面32との間に第1フィレット16Aを形成するように設けられる。滴下する第1導光性部材15Aの量及び粘度は、発光素子30の側面32に第1フィレット16Aが設けられ、かつ第1導光性部材15Aが基板40まで濡れ広がらない程度に適宜調整される。
図6D及び図6Eに示すように、第2接合工程S14は、第1透光性部材1と第2透光性部材2とを接合する工程である。第2接合工程S14では、第2透光性部材2の下面周縁が第1透光性部材の上面5の周縁よりも外側に位置するように、第2透光性部材の下面8と第1透光性部材の上面5とを結合する。
第2透光性部材2と第1透光性部材1とは、一例として、接着材である第2導光性部材15Bで接合している。第2導光性部材15Bによる接合は、まず第1透光性部材の上面5に第2導光性部材15Bを滴下し、第2導光性部材15B上に第2透光性部材2を配置する。滴下された第2導光性部材15Bは、第2透光性部材2により押圧され、第1透光性部材の側面6まで濡れ広がる。そして、第2導光性部材15Bは、第2透光性部材の下面8と第1透光性部材の側面6との間に第2フィレット16Bを形成するように設けられる。滴下する第2導光性部材15Bの量及び粘度は、第1透光性部材の側面6に第2フィレット16Bが設けられ、かつ第2導光性部材15Bが発光素子30の側面32まで濡れ広がらない程度に適宜調整される。
そのため、透光性部材10は、発光素子30の上面31から出た光を、第1透光性部材の下面7及び第1フィレット16A側から、第2透光性部材の下面8及び第2フィレット16B側に取り込み、さらに、発光素子30の上面31より小さな面積となる第2透光性部材の上面3へとロスが少ない状態で導光することができる構成となる。
続いて、光反射性部材形成工程S15は、基板40に設けた発光素子30及び透光性部材10の周囲に光反射性部材20を設ける工程である。光反射性部材形成工程S15では、図6Fに示すように、発光素子30と透光性部材10と基板40とを覆う光反射性部材20が設けられる。
光反射部材形成工程S15では、基板40の上面と、第1導光性部材15Aの側面、第2導光性部材15Bの側面及び第2透光性部材の側面4と、を覆う光反射性部材20が供給される。光反射性部材20は、第2透光性部材の側面4を覆い、第2透光性部材の上面3を露出する位置まで供給される。なお、光反射性部材20は、第2透光性部材の上面3が光反射性部材20から露出するように、透光性部材10から離間した基板40上面に滴下するように供給されることが好ましい。
光反射性部材20は、例えば、シリコーン樹脂に酸化チタンが含有されている樹脂をここでは使用している。また、発光装置100においては、1種類又は2種類以上の光反射性部材20を積層するようにしてもよい。
光反射性部材形成工程S15では、供給された後に、自然乾燥あるいは強制的に加熱等することで光反射性部材20を硬化させて、発光素子30及び透光性部材10の周囲に光反射性部材20が形成される。
個片化工程S16は、発光装置100の単位に個片化する工程である。個片化工程S15では、図6Fの仮想線で示すように、光反射性部材20の形成後に基板40が各発光装置の単位ごとにレーザ照射あるいはブレード等の工具により切断され、発光装置100が形成される。
前記のような各工程により製造された発光装置100は、図4に示すように、一つ以上の発光素子30から出る光を、発光素子30の上面31における面積の和よりも大きな第1透光性部材の下面7から入射し、第1透光性部材の下面7よりも小さな第2透光性部材の上面3から外部に高輝度な光として放出することができる。また、第1導光性部材15Aで形成された第1フィレット16A及び第2導光性部材15Bで形成された第2フィレット16Bを有することから、発光素子30からの光を、ロスを少なくして第2透光性部材の上面3から取り出すことができる。また、透光性部材10をガラス材料で形成した場合は、発光装置100としても光照射面が劣化しにくく製品品質に優れている。
すなわち、発光素子30と、波長変換部材を含有し発光素子30の上面31の面積よりも大きな面積の下面を有する第1透光性部材1と、第1透光性部材の上面5の面積よりも大きな面積の下面8と発光素子30の上面31の面積よりも小さな面積の上面3とを有する第2透光性部材2と、を準備する工程(準備工程S21)と、第1透光性部材の上面5と第2透光性部材の下面8とを直接接合する工程(第1直接接合工程S23)と、透光性部材10における第1透光性部材1側の下面周縁が発光素子30の上面周縁よりも外側に位置するように、第1透光性部材1側の下面7と発光素子30の上面31とを直接接合する工程(第2直接接合工程S24)と、第1透光性部材の側面6と、第2透光性部材の下面周縁と、に亘るように第2導光性部材15Bを設ける工程(S241)と、発光素子の側面32と、第1透光性部材の下面周縁と、に亘るように第1導光性部材15Aを設ける工程(S241)とを含むこととする。
第2接接合工程S24は、第1透光性部材の下面7に発光素子30の上面31を直接接合する工程である。第2直接接合工程S24では、前記工程S23と同様な直接接合を行うことができる。なお、発光素子30は、第1透光性部材1と同様に無機材料であるサファイア基板の部分を第1透光性部材の下面8と接合することとなる。
なお、図9A及び図9Bに示すように、発光装置100Bにおいて、複数の発光素子30を備える発光素子群30Bの構成とすることとしてもよい。以下、各構成について説明する。なお、すでに説明した発光装置100の構成及び製造方法については同じ符号を付して説明を適宜省略する。
発光装置100Bでは、発光素子30を複数配置する発光素子群30Bの構成としてもよい。例えば、発光素子群30Bは、同じ大きさの3つの発光素子30が隣り合せに配置され直線上に整列した状態とする。発光素子30が隣り合って配置された場合には、透光性部材10は、第1透光性部材の下面7を、発光素子30を並列させた合計面積となる発光素子群30Bの領域よりも大きくなるように形成されることになる。なお、発光素子群30Bの面積は、3つの発光素子30の外周を直線で矩形に囲む領域として発光素子30の間の領域も発光素子群30Bの上面面積の一部としている。そして、透光性部材10は、第2透光性部材の上面3Bが、発光素子群30Bの面積よりも小さくなるように形成されている。このような構成の発光装置100Bでは、複数の発光素子30からの光を第1透光性部材の下面7Bから入射し、第1透光性部材の下面7Bの合計面積よりも小さな面積の第2透光性部材の上面3Bから外部に放出することができるので、より高輝度で遠くまで光を照射することができる。
また、複数の発光素子30を備える場合、発光素子群(つまり複数の発光素子30)は、全体として平面視形状が略矩形状となるように配置されることが好ましい。
さらに、第2透光性部材2は、略角錐台として説明したが、側面4が傾斜を有していれば、例えば、円錐台、楕円錐台、角を面取りした多角形錐台としてもよい。
また、第2透光性部材2は、平面視したときの角を丸めるように形成してもよい。なお、第2透光性部材2は、平面視したときの角の面取りした部分の形状は曲線であることや、1本の直線あるいは複数の直線で多角形となるように面取りした形状であってもよい。また、本開示の製造方法では、加工された第2透光性部材2と第1透光性部材1とを予め接合した状態で発光素子30に接合することとしてもよい。
さらに、2つの発光素子30を用いる場合には、2つの発光素子30の間隔は、2つの発光素子30の間に、第1フィレット16A、16A1、第2フィレット16B、16B1が連続して形成されるような間隔であることが好ましい。具体的には、発光装置100、100A、100Bが2つ以上の発光素子30を備える場合、隣接する発光素子30間の距離は、発光素子30の厚みの2倍以下であることが好ましい。
さらに、第1フィレット16A,16A1及び第2フィレット16B,16B1は、それぞれ発光素子30の側面32の上端から下端まで、あるいは、第1透光性部材の側面6の上端から下端までにおいて、全部に亘って形成されることが好ましいが、それぞれの側面32あるいは側面6の垂直方向の半分以上であっても構わない。
そして、図10Aに示すように、第2透光性部材2は、側面4の傾斜角度を所定の範囲にするために、第1透光性部材1側に垂直側面4c1を形成し、その垂直側面4c1を介して傾斜面4c2を形成して側面4Cとすることとしても構わない。さらに、図10Bに示すように、第2透光性部材2は、第1傾斜面4d1と第2傾斜面4d2とにより側面4Dを形成することとしてもよい。第1傾斜面4d1と第2傾斜面4d2とはそれぞれ傾斜角度を異ならせて形成している。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、製造作業中に部品破損が極めて少なく、さらに光取り出し面の周囲からの光の漏れがない。
2 第2透光性部材
3 第2透光性部材の上面
4,4C,4D 第2透光性部材の側面
5 第1透光性部材の上面
6 第1透光性部材の側面
7 第1透光性部材の下面
8 第2透光性部材の下面
10 透光性部材
15A 第1導光性部材
15B 第2導光性部材
16A 第1フィレット
16B 第2フィレット
20 光反射性部材
30 発光素子
30B 発光素子群
31 発光素子の上面(光取り出し面)
40 基板
100、100A、100B 発光装置
S10 発光装置の製造方法
S11、S21 準備工程
S12 発光素子実装工程
S13、23 第1接合工程
S14、24 第2接合工程
S15、25 光反射性部材形成工程
S16、26 個片化工程
S22 第2透光性部材支持工程
S214 第1導光性部材及び第2導光性部材形成工程
Claims (14)
- 基板と、
前記基板の上面にフリップチップ接続された発光素子と、
前記発光素子の上面に接合して設けられ、波長変換部材を含有し、前記発光素子の上面の面積よりも大きな面積の下面を有する第1透光性部材と、
前記第1透光性部材の上面に接合して設けられ、前記第1透光性部材の上面の面積よりも大きな面積の下面と、前記発光素子の上面の面積よりも小さな面積の上面とを有する第2透光性部材と、
前記発光素子の側面と前記発光素子の上面よりも周縁に張り出した前記第1透光性部材の下面周縁に亘って設けた第1導光性部材と、
前記第1透光性部材の側面と前記第1透光性部材の上面よりも周縁に張り出した前記第2透光性部材の下面周縁に亘って設けた第2導光性部材と、
前記基板の上面と、前記第1導光性部材の側面、前記第2導光性部材の側面及び前記第2透光性部材の側面と、を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置。 - 前記基板の側面と前記光反射性部材の側面とが略面一である請求項1に記載の発光装置。
- 前記第2透光性部材の上面及び下面の間となる側面は、前記上面に向かって傾斜する傾斜面である請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第2透光性部材の上面及び下面の間となる側面は、上面又は下面に直交する垂直側面と前記垂直側面に連続する傾斜面とであり、前記傾斜面が前記上面に向かって傾斜する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第2透光性部材の上面及び下面の間となる側面は、角度の異なる第1傾斜面及び第2傾斜面を有し、前記第1傾斜面及び前記第2傾斜面はそれぞれ前記上面に向かって傾斜する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第1透光性部材及び前記第2透光性部材は、ホウ珪酸ガラス、サファイアガラス、又は、石英ガラスである請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1透光性部材と前記第2透光性部材とは直接接合により接合されている請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第2透光性部材の側面は反射膜で覆われている請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第1透光性部材の下面には前記発光素子の複数の上面が接合されている請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 基板と、発光素子と、波長変換部材を含有し前記発光素子の上面の面積よりも大きな面積の下面を有する第1透光性部材と、前記第1透光性部材の上面の面積よりも大きな面積の下面と前記発光素子の上面の面積よりも小さな面積の上面とを有する第2透光性部材と、を準備する工程と、
前記基板の上面に前記発光素子をフリップチップ接続する工程と、
第1導光性部材が前記発光素子の側面と前記第1透光性部材の下面周縁に亘るように、
前記第1透光性部材を前記発光素子の上面に前記第1導光性部材を介して接合する工程と、
第2導光性部材が前記第1透光性部材の側面と前記第2透光性部材の下面周縁とに亘るように、前記第2透光性部材を前記第1透光性部材の上面に前記第2導光性部材を介して接合する工程と、
前記基板の上面、前記第2透光性部材の側面、前記第2導光性部材の側面、前記第1導光性部材の側面を覆う光反射性部材を設ける工程と、を含む発光装置の製造方法。 - 基板と、発光素子と、波長変換部材を含有し前記発光素子の上面の面積よりも大きな面積の下面を有する第1透光性部材と、前記第1透光性部材の上面の面積よりも大きな面積の下面と前記発光素子の上面の面積よりも小さな面積の上面とを有する第2透光性部材と、を準備する工程と、
前記第1透光性部材の上面と前記第2透光性部材の下面とを直接接合する工程と、
前記第1透光性部材側の下面周縁が前記発光素子の上面周縁よりも外側に位置するように、前記第1透光性部材側の下面と前記発光素子の上面とを直接接合する工程と、
第2導光性部材を前記第1透光性部材の側面と、前記第2透光性部材の下面周縁と、に亘るように設ける工程と、
第1導光性部材を前記発光素子の側面と、前記第1透光性部材の下面周縁と、に亘るように設ける工程と、
前記基板の上面に前記発光素子をフリップチップ接続する工程と、
前記基板の上面、前記第2透光性部材の側面、前記第2導光性部材の側面、前記第1導光性部材の側面を覆う光反射性部材を設ける工程と、を含む発光装置の製造方法。 - 前記光反射性部材を設ける工程は、前記基板の側面と前記光反射性部材の側面とが略面一となるように設けられる請求項10または11に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1透光性部材と前記第2透光性部材とを準備する工程において、前記第1透光性部材及び前記第2透光性部材は、ホウ珪酸ガラス、サファイアガラス、又は、石英ガラスである請求項10乃至請求項12のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1透光性部材の下面と前記発光素子の上面とに接合する工程において、前記第1透光性部材に接合する前記発光素子は、複数である請求項10又は請求項11に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018208460A JP6940776B2 (ja) | 2018-11-05 | 2018-11-05 | 発光装置及びその製造方法 |
US16/673,875 US10991859B2 (en) | 2018-11-05 | 2019-11-04 | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018208460A JP6940776B2 (ja) | 2018-11-05 | 2018-11-05 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020077676A JP2020077676A (ja) | 2020-05-21 |
JP6940776B2 true JP6940776B2 (ja) | 2021-09-29 |
Family
ID=70458740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018208460A Active JP6940776B2 (ja) | 2018-11-05 | 2018-11-05 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10991859B2 (ja) |
JP (1) | JP6940776B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019041044A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7257247B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-04-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
KR102607323B1 (ko) | 2020-08-28 | 2023-11-29 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
US20220173283A1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device and planar light source |
JP7508358B2 (ja) | 2020-12-10 | 2024-07-01 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
DE102021006411A1 (de) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Lichtemittierendes bauelement |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5326705B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5482378B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5326837B2 (ja) * | 2009-06-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5569942B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-08-13 | 学校法人東京理科大学 | 発光ガラス、当該発光ガラスを備えた発光装置及び発光ガラスの製造方法 |
JP5463901B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-04-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JPWO2014081042A1 (ja) | 2012-11-26 | 2017-01-05 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
WO2014171277A1 (ja) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6477001B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6484982B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2016094422A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
JP6448365B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-01-09 | シチズン時計株式会社 | 発光装置および投射装置 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6481559B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6327220B2 (ja) | 2015-08-31 | 2018-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6332294B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6399017B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017183427A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2017228604A (ja) | 2016-06-21 | 2017-12-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
EP3491679B1 (en) * | 2016-07-26 | 2023-02-22 | CreeLED, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
TWI599078B (zh) | 2016-08-05 | 2017-09-11 | 行家光電股份有限公司 | 具濕氣阻隔結構之晶片級封裝發光裝置 |
JP2018022844A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6934712B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-09-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び車両用灯具 |
JP6579159B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6520996B2 (ja) | 2016-11-01 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
DE102017125413A1 (de) * | 2016-11-01 | 2018-05-03 | Nichia Corporation | Lichtemitierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
JP7046493B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2022-04-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP7111939B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-11-05 JP JP2018208460A patent/JP6940776B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-04 US US16/673,875 patent/US10991859B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019041044A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7082270B2 (ja) | 2017-08-28 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020077676A (ja) | 2020-05-21 |
US10991859B2 (en) | 2021-04-27 |
US20200144466A1 (en) | 2020-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10944030B2 (en) | Light emitting device | |
JP6332294B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6940776B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN109860381B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP6982233B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN110323213B (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP6777127B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6399017B2 (ja) | 発光装置 | |
CN109817784B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP6520996B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6387954B2 (ja) | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 | |
JP6481559B2 (ja) | 発光装置 | |
CN117457830A (zh) | 发光装置 | |
JP7448805B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2020188265A (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
CN112582384A (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP6428353B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7060819B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7343763B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2022054275A (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210803 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6940776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |