JP2016533030A - 波長変換材料を組み込む発光ダイおよび関連方法 - Google Patents
波長変換材料を組み込む発光ダイおよび関連方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016533030A JP2016533030A JP2016529859A JP2016529859A JP2016533030A JP 2016533030 A JP2016533030 A JP 2016533030A JP 2016529859 A JP2016529859 A JP 2016529859A JP 2016529859 A JP2016529859 A JP 2016529859A JP 2016533030 A JP2016533030 A JP 2016533030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- binder
- reflective layer
- light emitting
- die
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 224
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 230
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 509
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 393
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 371
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 108
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 148
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 54
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 30
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 21
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 18
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 15
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 13
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 10
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 10
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 9
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000123 paper Substances 0.000 claims description 7
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006126 semicrystalline polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 281
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 157
- 230000008569 process Effects 0.000 description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 53
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 32
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 20
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 19
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 18
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 11
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 9
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 5
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 5
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- 229920002261 Corn starch Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 229920006358 Fluon Polymers 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000008120 corn starch Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- UGFMBZYKVQSQFX-UHFFFAOYSA-N para-methoxy-n-methylamphetamine Chemical compound CNC(C)CC1=CC=C(OC)C=C1 UGFMBZYKVQSQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 235000013550 pizza Nutrition 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000004834 spray adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
発光要素（ＬＥＥ）等の半導体ダイは、ポリマー結合剤でコーティングされ、その後、ポリマー結合剤は硬化させられ、固体結合剤とその中に吊るされたダイとの複合ウエハを形成する。複合ウエハは、各々がダイとダイを少なくとも部分的に包囲する硬化させられた結合剤とから成る独立「白色ダイ」に分割され得る。結合剤は、有利にも、燐光体または量子ドット集合等の波長変換材料を含み得る。さまざまな型基板および／または型が、半導体ダイを固定するため、および／または、コーティング中のダイの接点のコーティングを防止するために利用され得る。
Description
（関連出願）
本願は、米国特許出願第１３／９４９，５４３号（２０１３年７月２４日出願）に基づく優先権を主張し、その各々の開示全体は、参照によって本明細書中に援用される。
本願は、米国特許出願第１３／９４９，５４３号（２０１３年７月２４日出願）に基づく優先権を主張し、その各々の開示全体は、参照によって本明細書中に援用される。
（発明の分野）
種々の実施形態では、本発明は、概して、光源に関し、より具体的には、燐光体変換光源に関する。
種々の実施形態では、本発明は、概して、光源に関し、より具体的には、燐光体変換光源に関する。
（背景）
発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源は、そのより高い効率、より小さい形状因子、より長い寿命、および向上した機械的ロバスト性のため、電照素子における白熱電球および蛍光電球に対する魅力的な代替である。しかしながら、ＬＥＤベースの照明システムの高コストは、特に、広範な一般的照明用途における、その幅広い利用を制限している。
発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源は、そのより高い効率、より小さい形状因子、より長い寿命、および向上した機械的ロバスト性のため、電照素子における白熱電球および蛍光電球に対する魅力的な代替である。しかしながら、ＬＥＤベースの照明システムの高コストは、特に、広範な一般的照明用途における、その幅広い利用を制限している。
ＬＥＤベースの照明システムの高コストは、いくつかの誘因を有する。ＬＥＤは、典型的には、パッケージ内に封入され、複数のパッケージ化されたＬＥＤが、各照明システムにおいて使用され、所望の光強度を達成する。白色光を利用する、一般的電照の場合、そのような白色光は、いくつかの方法で発生させられ得る。アプローチの１つは、異なる波長で動作する２つ以上のＬＥＤを利用するものであり、異なる波長が組み合わさり、ヒトの眼に白色に見える。例えば、赤色、緑色、および青色波長範囲内で放出するＬＥＤが、一緒に利用され得る。そのような配列は、典型的には、結果として生じる波長の組み合わせが、経時的に、および異なる動作条件（例えば、温度）にわたって安定するように、各ＬＥＤの動作電流の慎重な制御を要求する。異なるＬＥＤはまた、異なる材料、例えば、赤色ＬＥＤに対してＡｌＩｎＧａＰ、および青色および緑色ＬＥＤに対してＡｌＩｎＧａＮから形成され得る。これらの異なる材料は、異なる動作電流要件、ならびに光出力電力および波長の異なる温度依存性を有し得る。さらに、経時的光出力電力の変化は、各ＬＥＤのタイプに対して異なり得る。したがって、そのようなシステムは、典型的には、各ＬＥＤ内の電流のいくつかの形態の能動的制御を利用し、各ＬＥＤの光出力電力を所望のレベルに維持する。いくつかの実装では、１つ以上のセンサ（例えば、光強度、光色、温度等を感知するため）が、フィードバックを電流制御システムに提供するために使用され得る一方、いくつかの他の実装では、電流は、ルックアップテーブル内の値に基づいて、経時的に調節され得る。そのような制御システムは、コストおよび複雑性を照明ソリューションに追加し、かつ追加の故障点を生成する。多重ＬＥＤ配列のさらなる不利点は、典型的には、眼によって、異なるＬＥＤの各々の個別の異なる色ではなく、白色光が観察されるように、いくつかの形態の光結合器、拡散器、または混合チャンバを要求することである。そのような光混合システムは、典型的には、照明システムにコストおよび容積を追加し、かつその効率を低下させる。
白色光はまた、燐光体等の光変換材料を用いて、一般的電照のためにＬＥＤベースの配列において産生され得る。ＬＥＤは、概して、比較的に狭い波長範囲、例えば、約２０〜１００ｎｍ内で放出する。より広いスペクトル（例えば、「白色」光）またはＬＥＤのものと異なる色が、所望されるとき、ＬＥＤは、１つ以上の光変換材料と組み合わせられ得る。１つ以上の燐光体と組み合わせられたＬＥＤは、典型的には、半導体ＬＥＤからの短波長放出と燐光体からの長波長放出を組み合わせることによって、白色光を発生させる。これは、ＬＥＤ光の一部が、燐光体を通して変換されずに通過し、燐光体変換光と組み合わさるために生じる。燐光体は、典型的には、光学エポキシまたはシリコーン等の透明結合剤中に埋め込まれ、層として適用される、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（セリウム賦活イットリウムアルミニウムガーネット、またはＹＡＧ：Ｃｅ）等の燐光性粒子から成る。しかしながら、燐光体統合は、特に、結果として生じる光の均一性および再現性の観点から、多くの場合、困難である。
いくつかの燐光体実装では、燐光体層は、入射短波長放射束の一部を吸収し、長波長放射束を再放出する。例示的ＹＡＧ：Ｃｅ燐光体では、図１のグラフによって描写されるように、青色ＬＥＤは、典型的には、燐光体励起スペクトルのピークに対応する、ピーク波長４５０ｎｍ〜４６０ｎｍを有する一方、燐光体放出は、ピーク約５６０ｎｍの広帯域スペクトルを有する。青色ＬＥＤ放出と黄色燐光体放出の組み合わせは、青色と黄色光の比率に依存する特定の色度（色）を伴う、可視白色光をもたらす。本明細書では、「白色光」は、１つ以上の光エミッタおよび１つ以上の光変換材料からの光の組み合わせによって産生される、白色または任意の他の色であり得る。
ＬＥＤに対する燐光体の幾何学形状は、概して、光特性の均一性に非常に大きな影響を及ぼす。例えば、ＬＥＤは、２つ以上の表面から、例えば、ＬＥＤの上部および側面から放出し、燐光体組成が、これらのＬＥＤ表面を覆って均一ではない場合、非均一色を産生し得る。より複雑な構造が、本問題を緩和する試みとして使用され得るが、これらは、コストおよび複雑性を追加し、信頼性の問題に対するさらなる源となり得る。
さらに、結合剤中に均一に分散された燐光体から形成される、燐光体層の厚さが、ＬＥＤの表面を覆って均一ではない場合、燐光体が注入された結合剤層がより薄い場所には、比較的に大量の青色光が存在し、燐光体が注入された結合剤がより厚い場所には、比較的に少量の青色光が存在することになるであろう。前述に照らして、燐光体とＬＥＤの均一かつ低コストの統合を可能にする、構造、システム、および手技の必要性が存在する。
（概要）
ある実施形態によると、発光要素（ＬＥＥ）等の半導体ダイは、ポリマー結合剤でコーティングされ、その後、ポリマー結合剤は硬化させられ、固体結合剤とその中に吊るされたダイとの複合ウエハを形成する。複合ウエハは、各々がダイとダイを少なくとも部分的に包囲する硬化させられた結合剤とから成る独立「白色ダイ」に分割され得る。結合剤は、有利にも、燐光体または量子ドット集合等の波長変換材料を含み得る。さまざまな型基板および／または型が、半導体ダイを固定するため、および／または、コーティング中のダイの接点のコーティングを防止するために利用され得る。
ある実施形態によると、発光要素（ＬＥＥ）等の半導体ダイは、ポリマー結合剤でコーティングされ、その後、ポリマー結合剤は硬化させられ、固体結合剤とその中に吊るされたダイとの複合ウエハを形成する。複合ウエハは、各々がダイとダイを少なくとも部分的に包囲する硬化させられた結合剤とから成る独立「白色ダイ」に分割され得る。結合剤は、有利にも、燐光体または量子ドット集合等の波長変換材料を含み得る。さまざまな型基板および／または型が、半導体ダイを固定するため、および／または、コーティング中のダイの接点のコーティングを防止するために利用され得る。
本明細書で利用される場合、用語「発光要素」（ＬＥＥ）は、素子にわたって電位差を印加するか、または素子を通して電流を通過させることによって活性化されると、着目波長領域、例えば、可視、赤外線または紫外線領域内で電磁放射を放出する、任意の素子を指す。ＬＥＥの実施例として、固体、有機、ポリマー、燐光体コーティングまたは高束ＬＥＤ、マイクロＬＥＤ（以下に説明される）、レーザダイオード、あるいは容易に理解されるであろう他の類似素子が挙げられる。ＬＥＥから放出される放射は、赤色、青色、または緑色等の可視、あるいは赤外線または紫外線等の非可視であり得る。ＬＥＥは、ある広がりの波長の放射を産生し得る。ＬＥＥは、その放出の一部を一式の波長から別の波長に変換するために、燐光性または蛍光性材料を特徴とし得る。ＬＥＥは、それぞれ、本質的に、同一のまたは異なる波長を放出する、複数のＬＥＥを含み得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥは、電気接点が位置決めされる、その表面の全部または一部を覆う反射体を特徴とし得る、ＬＥＤである。反射体はまた、接点自体の全部または一部を覆って形成され得る。いくつかの実施形態では、接点自体が、反射性である。
ＬＥＥは、任意のサイズであり得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥは、５００μｍ未満の１つの横寸法を有する一方、他の実施形態では、ＬＥＥは、５００ｕｍより大きい１つの横寸法を有する。比較的に小型のＬＥＥの例示的サイズとして、約１７５μｍ×約２５０μｍ、約２５０μｍ×約４００μｍ、約２５０μｍ×約３００μｍ、または約２２５μｍ×約１７５μｍが挙げられ得る。比較的に大型のＬＥＥの例示的サイズとして、約１０００μｍ×約１０００μｍ、約５００μｍ×約５００μｍ、約２５０μｍ×約６００μｍ、または約１５００μｍ×約１５００μｍが挙げられ得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥは、本質的に、「マイクロＬＥＤ」とも称される、小型ＬＥＤダイを含むか、またはそれから成る。マイクロＬＥＤは、概して、約３００μｍ未満の１つの横寸法を有する。いくつかの実施形態では、ＬＥＥは、約２００μｍ未満またはさらに約１００μｍ未満の１つの横寸法を有する。例えば、マイクロＬＥＤは、約２２５μｍ×約１７５μｍまたは約１５０μｍ×約１００μｍまたは約１５０μｍ×約５０μｍのサイズを有し得る。いくつかの実施形態では、マイクロＬＥＤの上部表面の表面積は、５０，０００μｍ２未満または１０，０００μｍ２未満である。ＬＥＥのサイズは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥは、比較的により大きくあり得、例えば、ＬＥＥは、少なくとも約１０００μｍまたは少なくとも約３０００μｍの１つの横寸法を有し得る。
本明細書で使用される場合、「燐光体」は、それを照射する光の波長を偏移させる、および／または蛍光性および／または燐光性である、任意の材料を指す。本明細書で使用される場合、「燐光体」は、（１つ以上の異なるタイプの）粉末または粒子のみ、あるいは結合剤を伴う粉末または粒子を指し得、いくつかの状況では、結合剤のみを含む領域を指し得る（例えば、燐光体がＬＥＥから間隔を置かれる、遠隔燐光体構成において）。用語「波長変換材料」および「光変換材料」は、本明細書では、「燐光体」と同じ意味で利用される。光変換材料は、ＬＥＥによって放出される光の少なくとも一部の１つ以上の波長を他の（すなわち、異なる）所望の波長に偏移させるために組み込まれる（次いで、より大きな素子から、単独で、またはＬＥＥによって放出される元々の光の別の部分と色混合されて、放出される）。光変換材料は、透明結合剤中に、燐光体粉末、量子ドット等を含み得るか、あるいは本質的にそれから成る。燐光体は、典型的には、粉末または粒子の形態で利用可能であり、そのような場合、結合剤と混合され得る。例示的結合剤は、シリコーン、すなわち、ポリオルガノシロキサンであり、最も一般的には、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。燐光体は、組成において変動し、ルテチウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧまたはＧＡＬ）、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、または当技術分野において公知の他の燐光体が挙げられ得る。ＧＡＬ、ＬｕＡＧ、ＹＡＧ、および他の材料は、例えば、Ｃｅ、Ｅｕ等を含む、種々の材料でドープされ得る。燐光体および／またはマトリクス材料の具体的構成要素および／または調合は、本発明の限定では、ない。
結合剤はまた、封止剤またはマトリクス材料とも称され得る。一実施形態では、結合剤は、１．３５より大きい屈折率を有する、透明材料、例えば、シリコーンベースの材料またはエポキシを含むか、またはそれから本質的に成る。一実施形態では、結合剤および／または燐光体は、他の材料、例えば、ヒュームドシリカまたはアルミナを含むか、またはそれから本質的に成り、他の特性を達成し、例えば、光を散乱させるか、または結合剤中の粉末の沈降を低減させる。結合剤材料の実施例として、Ｓｈｉｎ Ｅｔｓｕ製シリコーンフェニルのＡＳＰシリーズ、またはＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ製Ｓｙｌｇａｒｄシリーズからの材料が挙げられる。
本明細書では、互に「整列」または「関連付けられる」発光要素および／または光学要素等の２つの構成要素は、そのような構成要素が、機械的におよび／または光学的に整列されることを指し得る。「機械的に整列される」とは、同軸または平行軸に沿って位置することを意味する。「光学的に整列される」とは、一方の構成要素によって放出されるか、またはそれを通して通過する、少なくともいくつかの光（または、他の電磁信号）が、他方を通して通過する、および／またはそれによって放出されることを意味する。
ある側面では、本発明の実施形態は、硬化された結合剤中に吊るされた複数の個別の半導体ダイを備えている、複合ウエハを形成する方法を特徴とする。複数の個別の半導体ダイが、型基板上に配置され、各半導体ダイは、型基板に隣接する、少なくとも２つの間隔を置かれた接点を有する。半導体ダイは、結合剤でコーティングされ、結合剤は、硬化され、複合ウエハを形成する。各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、結合剤によってコーティングされないまま残される。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。複合ウエハは、それぞれ、硬化された結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成る、複数の個別の部分に分離され得る。分離後、各半導体ダイを包囲する結合剤の体積は、実質的に、等しくあり得る。分離後、各半導体ダイに隣接する結合剤の厚さは、約１０μｍ〜約５０００μｍの範囲内であり得る。複合ウエハの分離は、レーザ切断、ナイフ切断、回転式ナイフ切断、剪断、水ジェット切断、アブレシブ水ジェット切断、型抜き、および／または鋸切断を含むか、またはそれから本質的に成り得る。複合ウエハの各個別の部分は、１つのみの半導体ダイを含み得る。複合ウエハの各個別の部分は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、長方形固体であり得る。複合ウエハの形成後、半導体ダイのうちの少なくともいくつかは、電気的に試験され得、分離された部分は、電気試験に基づいて、ビン分けされ得る。個別の部分のうちの１つにおける少なくとも１つの半導体ダイの接点は、基板上の間隔を置かれた伝導性トレースに電気的に結合され得る。例えば、接点は、伝導性接着剤、ワイヤ接合、および／またははんだで伝導性トレースに接着され得る。伝導性接着剤は、第１の接点を第１のトレースのみに、および第２の接点を第２のトレースのみに電気的に接続する、実質的等方伝導性接着剤を含むか、またはそれから本質的に成り得、非伝導性接着剤材料が、伝導性トレース間の間隙内に提供され得る。伝導性接着剤は、第１の接点を第１のトレースのみに、および第２の接点を第２のトレースのみに電気的に接続する、異方伝導性接着剤（ＡＣＡ）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。ＡＣＡの一部は、第１の接点と第２の接点との間の間隙内に配置され得、実質的に、第１の接点を第２の接点から隔離し得る。伝導性トレースは、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、および／または炭素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。基板は、ポリエチレンナフタレート、テレフタル酸ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、および／または紙を含むか、またはそれから本質的に成り得る。少なくとも１つの半導体ダイは、発光要素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。発光要素および／または硬化された燐光体によって放出される波長に対する基板の反射率または透過率は、８０％を上回り得る。少なくとも１つの半導体ダイは、少なくとも１つの半導体ダイに給電するための回路に電気的に接続され得る。複合ウエハを分離後、追加の材料は、個別の部分のそれぞれから除去され得、それによって、各部分は、その後、所望の形状を有する。所望の形状は全て、実質的に、同一であり得る。
複合ウエハは、型基板から分離され得る。第２の基板は、結合剤でコーティングされた複数の半導体ダイと接触して配置され得、型基板は、結合剤でコーティングされた複数の半導体ダイから除去され得、結合剤でコーティングされた複数の半導体ダイは、第２の基板に取り着けられたまま残される。複合ウエハは、第２の基板から分離され得る。結合剤を硬化させる前に、複数の半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、例えば、少なくとも２μｍだけ、型基板内に埋め込まれ得る。結合剤を硬化させた後、複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、硬化された結合剤から突出し得る。結合剤を硬化させた後、その接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された結合剤から突出し得る。結合剤を硬化させた後、少なくとも１つの半導体ダイの少なくとも１つの接点は、硬化された結合剤から突出しないこともある。各半導体ダイの接点は、実質的に、結合剤によって全体的にコーティングされないまま残される。結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、またはそれから本質的に成り得る。
複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることは、結合剤を型内に分配することと、型基板を型の上に配置することとを含むか、またはそれから本質的に成り得、それによって、複数の半導体ダイは、結合剤中に吊るされる。結合剤を硬化させることは、少なくとも部分的に、結合剤を硬化させることと、その後、型基板を型から除去することとを含むか、またはそれから本質的に成り得る。型基板と反対の型の表面は、テクスチャ（例えば、硬化された結合剤からの光抽出を向上させるように構成されるもの）を有し得、硬化された結合剤の少なくとも一部は、型基板が型から除去された後、テクスチャを有する。硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャは、型基板を型から除去した後、型基板と反対の結合剤の表面の少なくとも一部に適用され得る。型は、結合剤が配置される、複数の個別の区画を含むか、またはそれから本質的に成り得、１つ以上の半導体ダイは、結合剤を硬化させることに先立って、各区画内またはその上方に吊るされ得る。各区画は、補完形状を結合剤の一部に与え得、補完形状は、実質的に、互に同じである。型基板は、それを通して１つ以上の開口部を画定し得る。結合剤の少なくとも一部は、少なくとも１つの該開口部を通して、型内に分配され得る。結合剤の一部は、型基板が型の上に配置されるとき、少なくとも１つの該開口部を通して流動し得る。
複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることは、結合剤を型基板を覆って分配することを含むか、またはそれから本質的に成り得、結合剤は、型基板の表面より上に延びている１つ以上の障壁によって、型基板を覆って含有される。硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャは、型基板と反対の結合剤の表面の少なくとも一部に適用され得、それによって、硬化された結合剤は、テクスチャを保持する。結合剤を硬化させることは、少なくとも部分的に、結合剤を硬化させることと、その後、型基板を複数の半導体ダイから除去することとを含むか、またはそれから本質的に成り得る。型カバーは、結合剤の少なくとも一部を覆って、かつそれと接触して配置され得る。型カバーは、複数の個別の区画を含むか、またはそれから本質的に成り得、１つ以上の半導体ダイは、結合剤を硬化させることに先立って、各区画内またはその真下に吊るされ得る。各区画は、補完形状を結合剤の一部に与え得、補完形状は、実質的に、互に同じである。結合剤は、波長変換材料、例えば、燐光体および／または量子ドットを含み得る。各半導体ダイは、発光半導体ダイ（例えば、ベアダイ発光ダイオード）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、発光半導体ダイによって放出される光の波長に対して透明であり得る。発光半導体ダイの各々は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／あるいはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれから本質的に成る、半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料を含み得、変換された光および発光半導体ダイによって放出される変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。実質的に白色の光は、複合ウエハにわたって、４またはさらに２未満のマクアダム楕円の色温度変動を有し得る。
複合ウエハは、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有し得、第１および第２の表面は、実質的に、平坦かつ平行であり得る。複合ウエハは、１５％未満、１０％未満、またはさらに５％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有し得る。複合ウエハは、５μｍ〜４０００μｍの実質的に均一な厚さを有し得る。厚さに垂直な複合ウエハの寸法は、５ｍｍ〜１０００ｍｍであり得る。隣接する半導体ダイ間の間隔は、複合ウエハにわたって、実質的に、一定であり得る。間隔は、約２５μｍ〜約１０，０００μｍの範囲内であり得る。半導体ダイのそれぞれの上方の結合剤の厚さは、実質的に、同一であり得る。半導体ダイのそれぞれの上方の結合剤の厚さは、約２５μｍ〜約４０００μｍの範囲内であり得る。半導体ダイのそれぞれの上方の結合剤の厚さは、５％以内まで同一であり得る。複数の半導体ダイは、少なくとも１００、少なくとも１０００、またはさらに少なくとも４０００個の半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成り得る。半導体ダイは、少なくとも第１の方向において、半導体ダイ間に実質的等距離を有するアレイに配列され得る。アレイは、第１の方向と異なる少なくとも第２の方向において、半導体ダイ間に実質的等距離を有し得る。半導体ダイは、規則的周期的アレイに配列され得る。剥離材料（例えば、離型膜）は、結合剤の少なくとも一部を覆って配置され得る。離型膜は、硬化された結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャでテクスチャ処理され得る。型基板は、ガラス、金属、シリコーン、ファイバガラス、セラミック、水溶性テープ、熱剥離テープ、ＵＶ剥離テープ、テレフタル酸ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、プラスチック膜、テープ、接着剤、アクリル、ポリカーボネート、ポリマー、および／またはポリテトラフルオロエチレンを含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤を硬化させることは、熱、空気、湿気、過圧、および／または紫外線放射への露出を含むか、またはそれから本質的に成り得る。複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することは、（ｉ）接着力、（ｉｉ）磁力、および／または（ｉｉｉ）真空の印加を含むか、またはそれから本質的に成り得る。複数の個別の半導体ダイを型基板上に配置することに先立って、半導体ダイ群は、試験され、実質的に等しい特性を有する半導体ダイを識別し得、複数の半導体ダイは、識別された半導体ダイから選択され得る。
複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることに先立って、半導体ダイの位置に対応する開口部を画定する、ステンシルが、型基板を覆って配置され得る。ステンシルは、約０．５μｍ〜約２５μｍの範囲内の厚さを有し得る。ステンシルは、可撓性箔および／または薄型プレートを含むか、またはそれから本質的に成り得る。複数の半導体ダイは、型基板内のくぼみの中に配置され得る。くぼみは、約０．５μｍ〜約２５μｍの範囲内の深度を有し得る。型基板は、真空チャックおよび／または静電チャックを含むか、またはそれから本質的に成り得、半導体ダイの位置は、少なくとも部分的に、真空または静電気力によって維持され得る。複合ウエハが形成された後、真空または静電気力は、除去され得、その後、複合ウエハは、型基板から除去され得る。複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることは、フィードバック信号に応答して、半導体ダイを覆って分配される結合剤の量を制御することを含むか、またはそれから本質的に成り得る。複合ウエハは、熱および／または紫外線放射への露出によって、型基板から除去され得る。結合剤は、ヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、および／またはＴｉＯ２を含み得る。結合剤は、粒子沈降を制御するため、および／または結合剤粘度を制御するための少なくとも１つの添加剤を含み得る。結合剤は、複数の個別の領域を備え得、そのうちの少なくとも１つは、結合剤および少なくとも１つの波長変換材料を含むか、またはそれから本質的に成る。領域のうちの少なくとも１つは、本質的に、結合剤のみから成り得る。少なくとも１つの半導体ダイは、基板を覆って１つ以上の活性層を含むか、またはそれから本質的に成り得、基板は、結合剤でコーティングする前に、部分的または完全に、除去され得る。少なくとも１つの半導体ダイの基板は、少なくとも１つの半導体ダイを型基板上に配置後、部分的または完全に、除去され得る。半導体ダイの各々は、光検出半導体ダイ（例えば、光起電性ダイ等、電荷が初期光に応答して形成される、ダイ）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、光検出半導体ダイによって検出された（すなわち、その中に電解形成をもたらす）光の波長に対して透明であり得る。光検出半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／あるいはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれから本質的に成る半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、その上に入射する光の少なくとも一部の吸収および（ｉ）異なる波長を有し、（ｉｉ）光検出半導体ダイによって検出するために変換された光の放出のための波長変換材料を含み得る。
光学要素は、半導体ダイのうちの１つ以上に関連付けられ得る（例えば、整列される）。光学要素のアレイは、硬化に先立って、結合剤上に配置され得る。結合剤を硬化させることは、光学要素のアレイを硬化された結合剤に接着し得る。複合ウエハは、光学要素のアレイを含み得、複合ウエハは、それぞれ、少なくとも１つの光学要素を含む、個別の部分に分離され得る。複数の半導体ダイは、発光半導体ダイおよび／または光検出半導体ダイを含み得る。反射層（例えば、反射膜）は、複合ウエハの少なくとも一部を覆って、またはその中に、（例えば、結合剤を覆って、またはその中に）形成され得る。反射膜は、アルミニウム、銅、金、銀、および／またはチタンを含むか、またはそれから本質的に成り得る。反射層は、複数の粒子（例えば、ヒュームドシリカ粒子、ヒュームドアルミナ粒子、および／またはＴｉＯ２粒子）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。反射層を形成することは、複数の半導体ダイを結合剤でコーティングする前に、型基板および複数の半導体ダイを覆って、複数の粒子を配置することを含むか、またはそれから本質的に成り得る。複数の半導体ダイを結合剤でコーティングすることに先立って、半導体ダイの位置に対応する開口部を画定する、反射膜が、型基板を覆って配置され得る。半導体ダイは、発光または光検出半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成り得、反射層は、複合ウエハの表面の少なくとも一部を覆って形成され得、反射層は、（ｉ）半導体ダイおよび／または（ｉｉ）結合剤によって放出あるいは吸収される光の波長に対して、少なくとも２５％の反射率を有する。
別の側面では、本発明の実施形態は、硬化された結合剤中に吊るされた複数の個別の半導体ダイを備えている、複合ウエハを形成する方法を特徴とする。複数の個別の半導体ダイは、型基板上に配置され、各半導体ダイは、型基板と反対の少なくとも２つの間隔を置かれた接点を有する。複数の半導体ダイは、第１の結合剤でコーティングされ、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、コーティングされないまま残される。第１の結合剤は、少なくとも部分的に、硬化される。第２の基板は、少なくとも部分的に、硬化された第１の結合剤でコーティングされた複数の半導体ダイと接触して配置される。その後、型基板は、複数の半導体ダイから除去され、それによって、第１の結合剤によってコーティングされない各半導体ダイの一部を露出し、複数の半導体ダイは、第２の基板に取り着けられたまま残される。複数の半導体ダイのそれぞれの少なくともコーティングされない部分は、第２の結合剤でコーティングされ、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、コーティングされないまま残される。第２の結合剤は、硬化され、複合ウエハを形成する。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。第１の結合剤および第２の結合剤は、同一の材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。複合ウエハは、それぞれ、硬化された第１の結合剤および硬化された第２の結合剤でコーティングされた少なくとも１つの半導体ダイを含む、複数の個別の部分に分離され得る。複合ウエハは、第２の基板から分離され得る。複数の半導体ダイの接点のそれぞれの複合ウエハの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤および／または硬化された第２の結合剤から突出し得る。その接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤および／または硬化された第２の結合剤から突出し得る。第１の結合剤および／または第２の結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、またはそれから本質的に成り得る。複数の半導体ダイのそれぞれの少なくともコーティングされない部分を第２の結合剤でコーティングすることは、第２の結合剤を型内に分配することと、型基板を型を覆って配置することとを含むか、またはそれから本質的に成り得、それによって、複数の半導体ダイは、第２の結合剤と接触して配置される。第２の結合剤を硬化させることは、少なくとも部分的に、第２の結合剤を硬化させることと、その後、型基板を型から除去することとを含むか、またはそれから本質的に成り得る。型基板と反対の型の表面は、テクスチャ（例えば、硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるように構成される、テクスチャ）を有し得、硬化された第２の結合剤の少なくとも一部は、型基板が型から除去された後、テクスチャを有し得る。硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャは、型基板を型から除去した後、型基板と反対の第２の結合剤の表面の少なくとも一部に適用され得る。型は、第２の結合剤が配置される、複数の個別の区画を含むか、またはそれから本質的に成り得、（ｉｉ）１つ以上の半導体ダイは、第２の結合剤の硬化に先立って、各区画内またはその上方に吊るされ得る。各区画は、補完形状を第２の結合剤の一部に与え得、補完形状は、実質的に、互に同じである。
複数の半導体ダイのそれぞれの少なくともコーティングされない部分を第２の結合剤でコーティングすることは、第２の結合剤を型基板を覆って分配することを含むか、またはそれから本質的に成り得、第２の結合剤は、型基板の表面より上に延びている１つ以上の障壁によって、型基板を覆って含有される。硬化された第２の結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャは、型基板と反対の第２の結合剤の表面の少なくとも一部に適用され得、それによって、硬化された第２の結合剤は、テクスチャを留保する。第２の結合剤を硬化させることは、少なくとも部分的に、第２の結合剤を硬化させることと、その後、型基板を複数の半導体ダイから除去することとを含むか、またはそれから本質的に成り得る。型カバーは、少なくとも第２の結合剤の一部を覆って、かつそれに接触して配置され得る。型カバーは、複数の個別の区画を含むか、またはそれから本質的に成り得、１つ以上の半導体ダイは、第２の結合剤の硬化に先立って、各区画内またはその真下に吊るされ得る。各区画は、補完形状を第２の結合剤の一部に与え得、補完形状は、実質的に、互に同じである。第１の結合剤および／または第２の結合剤は、波長変換材料（例えば、燐光体および／または量子ドット）を含み得る。各半導体ダイは、発光半導体ダイ（例えば、ベアダイ発光ダイオード）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。第１の結合剤および／または第２の結合剤は、発光半導体ダイによって放出される光の波長に対して透明であり得る。各発光半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／あるいはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれから本質的に成る半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。第１の結合剤および／または第２の結合剤は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料を含み得、発光半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。実質的に白色の光は、複合ウエハにわたって、４またはさらに２未満のマクアダム楕円の色温度変動を有し得る。
さらに別の側面では、本発明の実施形態は、電子素子を形成する方法を特徴とする。複数の個別の半導体ダイが、型基板上に配置され、各半導体ダイは、型基板に隣接する少なくとも２つの間隔を置かれた接点を有する。複数の半導体ダイは、結合剤でコーティングされる。結合剤は、硬化され、硬化された結合剤中に吊るされる複数の半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成る、複合ウエハを形成し、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、結合剤でコーティングされないまま残される。複合ウエハは、それぞれ、硬化された結合剤中に吊るされた少なくとも１つの半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成る、複数の個別の部分に分離される。その後、複合ウエハの個別の部分は、型基板から除去される。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。結合剤は、（ｉ）シリコーンおよび／またはエポキシと、（ｉｉ）波長変換材料とを含むか、またはそれから本質的に成り得、半導体ダイの各々は、発光ダイオードを含むか、またはそれから本質的に成り得る。波長変換材料は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出し得、変換された光および発光半導体ダイによって放出される変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。結合剤を硬化させた後、複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、硬化された結合剤から突出し得る。結合剤を硬化させた後、その接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された結合剤から突出し得る。
追加の側面では、本発明の実施形態は、電子素子を形成する方法を特徴とする。複数の個別の半導体ダイが、型基板上に配置され、各半導体ダイは、型基板と反対の少なくとも２つの間隔を置かれた接点を有する。複数の半導体ダイは、第１の結合剤でコーティングされ、各半導体ダイの接点は、少なくとも部分的に、コーティングされないまま残される。第１の結合剤は、少なくとも部分的に、硬化される。第２の基板は、少なくとも部分的に、硬化された第１の結合剤でコーティングされる複数の半導体ダイと接触して配置される。その後、型基板は、複数の半導体ダイから除去され、それによって、第１の結合剤によってコーティングされない各半導体ダイの一部を露出し、複数の半導体ダイは、第２の基板に取り着けられたまま残される。複数の半導体ダイのそれぞれの少なくともコーティングされない部分は、第２の結合剤でコーティングされる。第２の結合剤は、硬化され、複数の半導体ダイおよび硬化された第１および第２の結合剤を含むか、またはそれから本質的に成る、複合ウエハを形成する。複合ウエハは、それぞれ、少なくとも１つの半導体ダイおよび硬化された第１および第２の結合剤を含むか、またはそれから本質的に成る、複数の個別の部分に分離される。その後、複合ウエハの個別の部分は、型基板から除去される。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。第１の結合剤および第２の結合剤は、同一の材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。第１の結合剤および／または第２の結合剤は、（ｉ）シリコーンおよび／またはエポキシおよび（ｉｉ）波長変換材料を含むか、またはそれから本質的に成り得、半導体ダイの各々は、発光ダイオードを含むか、またはそれから本質的に成り得る。波長変換材料は、発光半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出し得、変換された光および発光半導体ダイによって放出される変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。第２の結合剤を硬化させた後、複数の半導体ダイの接点のそれぞれの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤および／または硬化された第２の結合剤（すなわち、複合ウエハ）から突出し得る。第２の結合剤を硬化させた後、その接点に近接する各半導体ダイの少なくとも一部は、硬化された第１の結合剤および／または硬化された第２の結合剤から突出し得る。
さらに追加の側面では、本発明の実施形態は、硬化された結合剤中に吊るされる複数の個別の半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成る、複合ウエハを形成する方法を特徴とする。複数の個別の半導体ダイが、型基板上に配置され、各半導体ダイは、少なくとも２つの間隔を置かれた接点を有する。複数の半導体ダイは、結合剤でコーティングされる。結合剤は、硬化され、複合ウエハを形成する。少なくとも２つの接点に近接する結合剤の少なくとも一部は、除去され、少なくとも２つの接点のそれぞれの少なくとも一部を露出させる。複合ウエハは、それぞれ、硬化された結合剤中に吊るされた少なくとも１つの半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成る、複数の個別の部分に分離され得る。その後、複合ウエハの個別の部分は、型基板から除去され得る。
ある側面では、本発明の実施形態は、固形体積のポリマー結合剤と、結合剤中に吊るされる、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有する、半導体ダイとを含むか、またはそれから本質的に成る、電子素子を特徴とする。少なくとも２つの間隔を置かれた接点は、半導体ダイの第１の面上に配置される。接点の各々は、（ｉ）結合剤によって被覆されず、（ｉｉ）電気接続のために利用可能である、自由端子端を有する。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。接点の少なくとも一部は、結合剤から突出し得る。各該側壁の少なくとも一部は、結合剤から突出し得る。結合剤は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、長方形固体を画定し得る。結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、またはそれから本質的に成り得る。１つ以上の追加の半導体ダイが、結合剤中に吊るされ得る。結合剤は、その中に波長変換材料（例えば、燐光体および／または量子ドット）を含み得る。半導体ダイは、発光要素（例えば、ベアダイ発光ダイオード）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、発光要素によって放出される光の波長に対して透明であり得る。発光要素は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／あるいはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれから本質的に成る半導体材料を含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。結合剤は、発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料を含み得、変換された光および発光要素によって放出される変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。結合剤は、厚さ５μｍおよび４０００μｍを有し得る。厚さに垂直な結合剤の寸法は、２５μｍおよび５０ｍｍであり得る。結合剤の表面の少なくとも一部は、結合剤からの光の抽出を向上させるためのテクスチャを有し得る。
半導体ダイは、光検出要素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、光検出要素によって検出される光の波長に対して透明であり得る。光学要素は、半導体ダイから光を受光し、そこに光を送光するように位置決めされ得る。反射層は、結合剤の少なくとも一部を覆って、またはその中に配置され得る。反射層は、（ｉ）反射膜および／または（ｉｉ）複数の粒子を含むか、またはそれから本質的に成り得る。半導体ダイは、発光要素または光検出要素を含むか、またはそれから本質的に成り得、反射層は、（ｉ）半導体ダイによって放出または検出されるか、または（ｉｉ）結合剤によって放出される、光の波長に対して少なくとも２５％の反射率を有し得る。結合剤は、複数の個別の領域を含むか、またはそれから本質的に成り得、そのうちの少なくとも１つは、結合剤および少なくとも１つの波長変換材料を含むか、またはそれから本質的に成る。領域の別のものは、本質的に、結合剤のみから成り得る。半導体ダイは、半導体基板上に配置されない、１つ以上の活性半導体層を含むか、またはそれから本質的に成り得る。１つ以上の整列マークが、半導体ダイの整列および／または向きのために、結合剤の表面上に配置され得る。
別の側面では、本発明の実施形態は、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、固体体積のポリマー結合剤と、結合剤中に吊るされる、それぞれ、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有する、複数の半導体ダイとを含むか、またはそれから本質的に成る、複合ウエハを特徴とする。少なくとも２つの間隔を置かれた接点は、各半導体ダイの第１の面上に配置される。接点の各々は、（ｉ）結合剤によって被覆されず、（ｉｉ）電気接続のために利用可能である、自由端子端を有する。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。半導体ダイの接点の少なくとも一部は、結合剤から突出し得る。半導体ダイのそれぞれの各該側壁の少なくとも一部は、結合剤の第１の表面から突出し得る。結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。結合剤は、その中に波長変換材料（例えば、燐光体および／または量子ドット）を含み得る。各半導体ダイは、発光要素（例えば、ベアダイ発光ダイオード）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、半導体ダイによって放出される光の波長に対して透明であり得る。各半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／またはそれらの合金あるいは混合物を含むか、もしくはそれから本質的に成る、半導体材料を含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。結合剤は、発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料を含み得、変換された光および発光要素によって放出される変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。実質的に白色の光は、複合ウエハにわたって、４またはさらに２未満のマクアダム楕円の色温度の変動を有し得る。結合剤の第１および第２の表面は、実質的に、平坦かつ平行であり得る。結合剤は、１０％未満またはさらに５％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有し得る。結合剤は、厚さ１５μｍ〜４０００μｍを有し得る。厚さに垂直な結合剤の寸法（例えば、辺の長さまたは直径）は、１００μｍ〜１０００ｍｍであり得る。各対の複数の半導体ダイ間の間隔は、実質的に、同一であり得る。各対の複数の半導体ダイ間の間隔は、約２５μｍ〜約１０，０００μｍの範囲内であり得る。複数の半導体ダイのそれぞれの上方の結合剤の厚さは、実質的に、同一であり得る。複数の半導体ダイのそれぞれの上方の結合剤の厚さは、５％以内で同一であり得る。
複数の半導体ダイは、少なくとも５００個の半導体ダイ、またはさらに少なくとも２０００個の半導体ダイを含むか、またはそれから本質的に成り得る。半導体ダイは、少なくとも第１の方向において、半導体ダイ間に実質的等距離を有するアレイに配列され得る。半導体ダイのアレイは、第１の方向と異なる第２の方向において、半導体ダイ間に実質的等距離を有し得る。半導体ダイは、規則的周期的（例えば、２次元）アレイに配列され得る。結合剤の表面の少なくとも一部は、結合剤からの光抽出を向上させるためのテクスチャでテクスチャ処理され得る。各半導体ダイは、光検出要素（例えば、光起電性ダイ）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、半導体ダイによって検出された光の波長に対して透明であり得る。少なくとも１つの光学要素は、半導体ダイのうちの少なくとも１つから光を受光し、そこに光を送光するように位置決めされ得る。少なくとも１つの光学要素は、それぞれ、少なくとも１つの半導体ダイに関連付けられた複数の個別の光学要素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。反射層（例えば、反射膜および／または複数の粒子）は、結合剤の少なくとも一部を覆って、またはその中に配置され得る。各半導体ダイは、発光要素または光検出要素を含むか、あるいはそれから本質的に成り得、反射層は、（ｉ）半導体ダイによって放出または検出されるか、もしくは（ｉｉ）結合剤によって放出される、光の波長に対して少なくとも２５％の反射率を有し得る。結合剤は、複数の個別の領域を含むか、またはそれから本質的に成り得、そのうちの少なくとも１つは、結合剤および少なくとも１つの波長変換材料を備えている。少なくとも１つの他の領域は、本質的に、結合剤から成り得る。各半導体ダイは、半導体基板上に配置されていない１つ以上の活性半導体層を含むか、またはそれから本質的に成り得る。１つ以上の整列マークが、結合剤の第１の表面または第２の表面上に配置され得る。結合剤は、複数の造形された領域を含むか、またはそれから本質的に成り得、各造形された領域は、（ｉ）少なくとも１つの半導体ダイに関連付けられ、（ｉｉ）実質的に、他の造形された領域の形状と同じ形状を有する。
さらに別の側面では、本発明の実施形態は、（ｉ）その上に第１および第２の伝導性トレースと、その間の間隙によって、基板上で分離される、第１および第２の伝導性トレースを有する基板と、（ｉｉ）間隙を覆って配置される、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁と、第１の面上の２つの間隔を置かれた接点とを有する、半導体ダイであって、接点の各々は、異なる伝導性トレースに電気的に結合される、半導体ダイと、（ｉｉｉ）第２の面および半導体ダイの各該側壁の少なくとも一部を封入する、その隣接する面間に約９０°の角を有する長方形固体を画定する、固体ポリマー結合剤とを含むか、または本質的にそれらから成る、電子素子を特徴とする。接点のそれぞれの少なくとも一部は、結合剤によって被覆されない。
本発明の実施形態は、種々の組み合わせのいずれかにおいて、以下のうちの１つ以上を含み得る。接点のそれぞれの少なくとも一部は、結合剤から突出し得る。各該側壁の少なくとも一部は、結合剤から突出し得る。結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。結合剤は、その中に波長変換材料（例えば、燐光体および／または量子ドット）を含み得る。基板と反対の結合剤の上部表面は、上部表面からの光抽出を助長するためのテクスチャを有し得る。半導体ダイは、発光要素（例えば、ベアダイ発光ダイオード）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、半導体ダイによって放出される光の波長に対して透明であり得る。半導体ダイは、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／またはそれらの合金あるいは混合物を含むか、もしくはそれから本質的に成る半導体材料を含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。結合剤は、半導体ダイから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料を含み得、半導体ダイによって放出される変換された光および変換されていない光は、組み合わさり、実質的に白色の光を形成する。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。
半導体ダイは、光検出要素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。結合剤は、半導体ダイによって検出された光の波長に対して透明であり得る。光学要素は、半導体ダイに関連付けられ得る（例えば、整列される）。反射層は、結合剤の少なくとも一部を覆って、またはその中に配置され得る。結合剤は、複数の個別の領域を含むか、またはそれから本質的に成り得、そのうちの少なくとも１つは、結合剤および少なくとも１つの波長変換材料を含むか、またはそれから本質的に成る。別の領域は、本質的に、結合剤から成り得る。半導体ダイは、半導体基板上に配置されない、１つ以上の活性半導体層（すなわち、半導体基板は、ダイ内に存在しない）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。接点は、伝導性接着剤で伝導性トレースに電気的に結合され得る。伝導性接着剤は、第１の接点を第１のトレースのみに、および第２の接点を第２のトレースのみに電気的に接続する、実質的等方伝導性接着剤を含むか、またはそれから本質的に成り得、非伝導性接着剤材料が、間隙内に配置され得る。伝導性接着剤は、第１の接点を第１のトレースのみに、および第２の接点を第２のトレースのみに電気的に接続する、異方伝導性接着剤（ＡＣＡ）を備えている。ＡＣＡの一部は、間隙内に配置され得、実質的に、第１の接点を第２の接点から隔離し得る。接点は、ワイヤ接合および／またははんだによって、伝導性トレースに電気的に結合され得る。伝導性トレースは、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、および／または炭素を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。基板は、ポリエチレンナフタレート、テレフタル酸ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、および／または紙を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。半導体ダイは、発光要素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。発光要素または結合剤のうちの少なくとも１つによって放出される波長に対する基板の反射率は、８０％を上回り得る。発光要素または結合剤のうちの少なくとも１つによって放出される波長に対する基板の透過率は、８０％を上回り得る。半導体ダイに給電するための回路が、半導体ダイに電気的に接続され得る。
ある側面では、本発明の実施形態は、硬化された結合剤中に吊るされている複数の個別のベアダイ発光ダイオードを備えている、複合ウエハを形成する方法を特徴とする。複数の個別のベアダイ発光ダイオードが、提供される。各ベアダイ発光ダイオードは、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁と、第１の面上の少なくとも２つの間隔を置かれた接点とを有する。ベアダイ発光ダイオードは、各接点が型基板と接触するように、型基板上に配置される。ベアダイ発光ダイオードは、各接点の少なくとも一部が結合剤によって被覆されないように、結合剤でコーティングされる。結合剤は、ベアダイ発光ダイオードによって放出される光の波長に対して透明である、シリコーンおよび／またはエポキシを含み、結合剤は、燐光体および／または量子ドットを含むか、またはそれらから本質的に成る、波長変換材料をその中に含む。結合剤は、複合ウエハを形成するために硬化される。型基板は、各ベアダイ発光ダイオードの接点が、少なくとも部分的に、結合剤によってコーティングされない状態にあり、型基板の除去の後に、結合剤から突出するように、除去される。複合ウエハは、それぞれ、硬化された結合剤中に吊るされた少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードを含むか、またはそれから本質的に成る、複数の個別の部分に個片化される。
本発明の実施形態は、以下の様々な組み合わせのいずれかの１つ以上のものを含み得る。複合ウエハは、型基板が除去されることに先立って、個片化され得る。型基板は、複合ウエハの部分から除去され得る個別の部分に複合ウエハとともに個片化され得る。複合ウエハは、型基板が複合ウエハから除去されることの後に、個片化され得る。結合剤を硬化させる前に、ベアダイ発光ダイオードの接点は、少なくとも部分的に、例えば、少なくとも２μｍだけ、型基板内に埋め込まれ得る。結合剤を硬化させることの後に、ベアダイ発光ダイオードの接点のそれぞれの少なくとも一部は、少なくとも１μｍだけ、硬化された結合剤から突出し得る。結合剤を硬化させることの後に、その接点に近接する各ベアダイ発光ダイオードの該各側壁の少なくとも一部は、少なくとも１μｍだけ、硬化された結合剤から突出し得る。各ベアダイ発光ダイオードの接点は、ベアダイ発光ダイオードをコーティングすることおよび結合剤を硬化させることの間、結合剤によって実質的に全体的にコーティングされない状態であり得る。型基板を除去することは、複合ウエハと接触する第２の基板を、ベアダイ発光ダイオードの接点と反対のその表面上に配置することと、型基板を複合ウエハから除去することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得、複合ウエハは、第２の基板に取り着けられた状態にある。複合ウエハは、第２の基板から分離され得る。
ベアダイ発光ダイオードを結合剤でコーティングすることは、（ｉ）複数の個別の区画を含む型を提供することと、（ｉｉ）結合剤を型の中に分注することと、（ｉｉｉ）型の上に、型基板を配置することであって、それによって、１つ以上のベアダイ発光ダイオードは、結合剤内に、各区画の中または上方に吊るされる、ことと、（ｉｖ）結合剤を硬化または部分的に硬化させることと、（ｖ）型基板を型から除去することを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。型の各区画は、硬化させることの後に、補完形状（すなわち、区画の形状に補完する）を結合剤の一部に与え得る。結合剤の部分の補完形状は、互に実質的同一であり得る。型の表面は、テクスチャを含み得る。硬化された結合剤の少なくとも一部は、結合剤を硬化させることの後に、テクスチャを含み得る。テクスチャは、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲から選択される、結合剤の表面を上回る高さを含み得る。
ベアダイ発光ダイオードを結合剤でコーティングすることは、型基板の上に結合剤を分注することを含むか、またはそれから本質的に成り得、結合剤は、型基板の表面より上に延びている１つ以上の障壁によって、型基板の上に含まれる。ベアダイ発光ダイオードは、それぞれ、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／もしくはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれらから本質的に成る、半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。波長変換材料は、少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードから放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出し得、変換された光および少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードによって放出される変換されていない光は、実質的に白色の光を形成するように組み合わさる。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。実質的に白色の光は、複合ウエハにわたり、４マクアダム楕円より小さい、または複合ウエハにわたり、さらに２マクアダム楕円より小さい、色温度変動を有し得る。
複合ウエハは、第１の表面と、第１の表面と反対の第２の表面とを有し得、第１および第２の表面は、実質的に平坦かつ平行であり得る。複合ウエハは、１０％未満、またはさらに５％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有し得る。厚さに垂直である複合ウエハの寸法が、５ｍｍ〜１０００ｍｍであり得る。ベアダイ発光ダイオードのそれぞれより上の結合剤の厚さは、５％以内で同一であり得る。少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードは、基板の上に１つ以上の活性層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。基板は、結合剤でコーティングすることの前に、部分的または完全に除去され得る。少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードの基板は、少なくとも１つのベアダイ発光ダイオードを型基板上に配置することの後に、部分的または完全に除去され得る。反射層が、複合ウエハの少なくとも一部を覆い、またはその内に形成され得る。反射層は、反射膜および／または複数の粒子（例えば、反射粒子）を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。型基板の表面は、テクスチャを含み得る。硬化された結合剤の少なくとも一部は、結合剤を硬化させることの後に、テクスチャを含み得る。テクスチャは、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲から選択される、結合剤の表面より上の高さを含み得る。
ある側面では、本発明の実施形態は、ポリマー結合剤の固形体積と、ポリマー結合剤内に吊るされる半導体ダイと、半導体ダイの第１の面上に配置される少なくとも２つの間隔を置かれた接点と、第１および第２の導電性反射層とを含むか、またはそれらから本質的に成る、電子素子を特徴とする。半導体ダイは、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有する。半導体ダイは、光を協働して放出する複数の活性半導体層を含むか、またはそれらから本質的に成る、ベアダイ発光要素である。ポリマー結合剤の少なくとも一部は、発光要素によって放出される光の波長に対して透明である。ポリマー結合剤は、発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料をその中に含み、変換された光および発光要素によって放出される変換されていない光は、組み合わされ、混合光を形成する。各接点は、末端を有し、各末端の少なくとも一部は、ポリマー結合剤によって被覆されない。接点は、それぞれ、半導体ダイの異なる活性半導体層に接する。第１の導電性反射層は、（ｉ）発光要素または波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合される。第２の導電性反射層は、（ｉ）発光要素または波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）第１の接点と異なる少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合され、（ｉｖ）第１の反射層から電気的に絶縁される。
本発明の実施形態は、以下の様々な組み合わせのいずれかの１つ以上のものを含み得る。第１の導電性反射層は、半導体ダイの第１の面の一部を覆って配置され得る、および／または第２の導電性反射層は、半導体ダイの第１の面の一部を覆って配置され得る。第１および第２の反射層は、それらの間の間隙によって分離され得る。第１および第２の反射層の反射性は、発光要素または波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも７５％であり得るか、またはさらに、少なくとも９０％であり得る。第１の面と第２の面との間における半導体ダイの厚さは、（ｉ）第１の反射層の厚さより大きい、および／または（ｉｉ）第２の反射層の厚さより大きくあり得る。第１および／または第２の反射層は、それぞれ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、銀インク、炭素インク、および／または銅インクを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１および／または第２の反射層は、それぞれ、ブラッグ反射体を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
第２の半導体ダイが、ポリマー結合剤内に吊るされ得る。第２の半導体ダイは、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有し得る。各々は、末端を有し、少なくとも２つの間隔を置かれた接点は、第２の半導体ダイの第１の面上に配置され得、各末端の少なくとも一部は、ポリマー結合剤によって被覆されないこともある。第３の導電性反射層が、（ｉ）第２の半導体ダイまたは波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有する、（ｉｉ）ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置される、（ｉｉｉ）第２の半導体ダイの少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合される、ならびに／もしくは（ｖ）第１の反射層から電気的に絶縁され得る。第４の導電性反射層が、（ｉ）第２の半導体ダイまたは波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有する、（ｉｉ）ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置される、（ｉｉｉ）第２の半導体ダイの第１の接点と異なる第２の半導体ダイの少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合される、ならびに／もしくは（ｉｖ）第２および第３の反射層から電気的に絶縁され得る。第３の導電性反射層は、第２の半導体ダイの第１の面の一部を覆って配置され得る、および／または第４の導電性反射層は、第２の半導体ダイの第１の面の一部を覆って配置され得る。第３の反射層は、第２の反射層から電気的に絶縁されるか、またはそれに電気的に結合され得る。第４の反射層は、第１の反射層から電気的に絶縁されるか、またはそれに電気的に結合され得る。ポリマー結合剤内において、半導体ダイと第２の半導体ダイとの間の間隔は、０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であり得る。
第１の反射層および／または第２の反射層の少なくとも一部は、パターン化またはテクスチャ処理され得る。パターンまたはテクスチャは、０．１μｍ〜５０μｍの範囲内の高さを有する表面特徴を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１の反射層は、はんだ、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤または異方伝導性膜のうちの少なくとも１つを介して、第１の接点に電気的に結合され得る。第１のおよび／または第２の反射層の各々は、１μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さを有し得る。第１のおよび／または第２の反射層は、それぞれ、複数の個別の積層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。ポリマー結合剤の少なくとも一部は、パターン化またはテクスチャ処理され得る。第１の反射層の第１の接点と反対の表面は、第２の反射層の第２の接点と反対の表面と実質的に同一の平面上にあり得る。ポリマー結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。波長変換材料は、燐光体および／または量子ドットを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。発光要素は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／もしくはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれらから本質的に成る、半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。混合光は、実質的に白色の光であり得る。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。光学要素が、光を半導体ダイから受信し、（光学要素を通して、そのような光の少なくとも一部を伝送する）するように位置付けられ得る。半導体ダイの活性半導体層は、半導体基板上に配置されないこともある。
ポリマー結合剤および半導体ダイは、その隣接する面間において約９０°の角を有する長方体を集合的に画定し得る。ポリマー結合剤は、５μｍ〜４０００μｍの厚さを有し得る。厚さに垂直であるポリマー結合剤の寸法（例えば、幅または直径）は、２５μｍ〜１０００ｍｍであり得る。第１および第２の反射層は、互に実質的に同一の平面上にあり得る。第１および第２の反射層は、ポリマー結合剤の第１の面と反対のポリマー結合剤の第２の面に対して実質的に同一の平面上にあり得る。第１の反射層は、実質的に一定の厚さを有し得る。第２の反射層は、第１の反射層の厚さにほぼ等しい実質的に一定の厚さを有し得る。電子素子は、その上に配置されている複数の導体要素を有する、基板を含み得る。第１の反射層は、第１の導体要素に電気的に結合され得る。第２の反射層は、第１の導体要素と異なる第２の導体要素に電気的に結合され得る。第１および第２の反射層は、伝導性接着剤、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、異方伝導性膜、ワイヤ接合、および／またははんだを介して、第１および第２の導体要素に電気的に結合され得る。基板は、半結晶性または非晶質ポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、アクリル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、および／または紙を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
別の側面では、本発明の実施形態は、硬化ポリマー結合剤内に吊るされている複数の個別のベアダイ発光要素を含むか、またはそれらから本質的に成る、複合ウエハを形成する方法を特徴とする。複数の個別のベアダイ発光要素は、各々、第１の面と、第１の面と反対の第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁と、第１の面上の少なくとも２つの間隔を置かれた接点とを有する。複数のベアダイ発光要素は、接点が型基板と接触するように、型基板上に配置される。複数のベアダイ発光要素は、各発光要素の各接点の少なくとも一部が結合剤によって被覆されないように、結合剤でコーティングされる。ポリマー結合剤の少なくとも一部は、発光要素によって放出される光の波長に対して透明である。ポリマー結合剤は、発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料をその中に含み、変換された光および発光要素によって放出される変換されていない光は、組み合わされ、混合光を形成する。各発光要素に対して、第１および第２の導電性反射層が、形成される。第１の反射層は、発光要素および／または波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、第１の反射層は、ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、かつ、少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆って配置され、それに電気的に結合される。第２の反射層は、発光要素および／または波長変換材料によって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、第２の反射層は、ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、かつ、第１の接点と異なる少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆って配置され、それに電気的に結合される。第２の導電性反射層は、第１の導電性反射層から電気的に絶縁される。結合剤は、複合ウエハを形成するために硬化される。型基板が除去され、そのような第１および第２の導電性反射層の各々の少なくとも一部は、結合剤によって被覆されず、電気的接続のために利用可能である。
本発明の実施形態は、以下の様々な組み合わせのいずれかの１つ以上のものを含み得る。各発光要素は、ベアダイ発光ダイオードを含むか、またはそれから本質的に成り得る。複合ウエハは、それぞれ、少なくとも１つ発光要素を含む、複数の個別の部分に個片化され得る。複合ウエハは、型基板が除去されることに先立って、または型基板が除去されることの後に、個片化され得る。複合ウエハは、個片化領域に沿って、かつ個片化することに先立って、個片化され得、第１および第２の反射層の部分は、個片化領域内において除去され得る。複合ウエハの各個別の部分は、その隣接する面間に約９０°の角を有する長方体であり得る。第１の反射層は、基板を覆って配置される、第１の導体要素に電気的に結合され得、第２の反射層は、基板を覆って配置される、第１の導体要素と異なる第２の導体要素に電気的に結合され得る。第１および第２の反射層は、伝導性接着剤、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、異方伝導性膜、ワイヤ接合、および／またははんだを介して、第１および第２の導体要素に電気的に結合され得る。結合剤は、シリコーンおよび／またはエポキシを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。波長変換材料は、燐光体および／または量子ドットを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。各発光要素の接点は、発光要素をコーティングすることおよび結合剤を硬化させることの間に、結合剤によって実質的に全体的にコーティングされない状態であり得る。型基板を除去することは、複合ウエハと接触する第２の基板を、発光要素の接点と反対のその表面上に配置することと、型基板を複合ウエハから除去することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得、複合ウエハは、第２の基板に取り着けられた状態にある。複合ウエハは、第２の基板から分離され得る。
複数の発光要素を結合剤でコーティングすることは、複数の個別の区画を含む型を提供することと、結合剤を型の中に分注することと、型の上に、型基板を配置することであって、それによって、１つ以上のベアダイ発光要素は、結合剤内に、各区画の中または上方に吊るされる、ことと、結合剤を硬化または部分的に硬化させることと、型基板を型から除去することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。各区画は、硬化させることの後に、補完形状を結合剤の一部に与え得る。結合剤の部分の補完形状は、互に実質的同一であり得るか、または相互と異なる。型の表面は、テクスチャを含み得る。硬化された結合剤の少なくとも一部は、結合剤を硬化させることの後に、テクスチャを含み得る。テクスチャは、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲から選択される、結合剤の表面を上回る高さを含み得る。複数のベアダイ発光要素を結合剤でコーティングすることは、型基板の上に結合剤を分注することを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。結合剤は、型基板の表面より上に延びている１つ以上の障壁によって、型基板の上に含まれ得る。ベアダイ発光要素は、各々、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、および／もしくはそれらの合金または混合物を含むか、またはそれらから本質的に成る、半導体材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。
混合光は、実質的に白色の光を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有し得る。実質的に白色の光は、複合ウエハにわたり、４マクアダム楕円より小さい、または複合ウエハにわたり、さらに２マクアダム楕円より小さい、色温度変動を有し得る。複合ウエハは、第１の表面と、第１の表面と反対の第２の表面とを有し得、第１および第２の表面は、互に実質的に平坦かつ平行であり得る。複合ウエハは、１０％未満、またはさらに５％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有し得る。複合ウエハのポリマー結合剤は、５μｍ〜４０００μｍの厚さを有し得る。厚さに垂直である複合ウエハの寸法（例えば、幅または直径）が、５ｍｍ〜１０００ｍｍであり得る。第１および第２の反射層の各々は、１μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さを有し得る。第１および第２の反射層の各々は、複数の個別の積層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。複合ウエハのポリマー結合剤内において、複数の発光要素の各対の間の間隔は、０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であり得る。複合ウエハの発光要素の各々より上の結合剤の厚さは、５％以内で同一であり得る。少なくとも１つのベアダイ発光要素は、基板の上に１つ以上の活性層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。基板は、少なくとも１つの該ベアダイ発光要素を結合剤でコーティングすることの前に、部分的または完全に除去され得る。少なくとも１つのベアダイ発光要素の基板は、少なくとも１つのベアダイ発光要素を型基板上に配置することの後に、部分的または完全に除去され得る。テクスチャ処理またはパターン化は、第１のまたは第２の反射層の少なくとも一部内において、形成され得る。パターンまたはテクスチャは、０．１μｍ〜５０μｍの範囲内の高さを有する表面特徴を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、発光要素および／または波長変換材料によって放出される光の波長に対して、少なくとも７５％またはさらに少なくとも９０％の反射性を有し得る。第１および／または第２の反射層は、薄膜および／または複数の粒子を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１および／または第２の反射層は、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、銀インク、炭素インク、および／または銅インクを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１の反射層は、はんだ、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、および／または異方伝導性膜を介して、第１の接点に電気的に結合され得る。第１の反射層は、物理的蒸着、化学的蒸着、蒸発、スパッタリング、めっき、ラミネーション、散布、印刷、および／またはスクリーン印刷を使用して、形成され得る。光学要素は、光を発光要素から受信するように、発光要素にわたって位置付けられ得、そのような光の少なくとも一部は、光学要素を通して伝送され得る。発光要素は、各々、半導体基板上に配置されていない複数の活性層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
結合剤は、第１および第２の導電性反射層を形成することの前に、硬化され得る。第１および第２の導電性反射層の形成は、ポリマー結合剤の第１の面の少なくとも一部を覆い、かつ少なくとも２つの接点の少なくとも一部を覆う層を形成することと、層の一部を除去し、第１および第２の導電性反射層を形成することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１および第２の導電性反射層の形成は、ポリマー結合剤の第１の面の実質的に全てを覆い、かつ少なくとも２つの接点を覆う層を形成することと、層の一部を除去し、第１および第２の導電性反射層を形成することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。第１および第２の導電性反射層の形成は、複合ウエハの一部を覆ってマスキング材料を配置し、第１および第２の導電性反射層の所望の位置に対応する開口部を形成することと、マスキング材料および開口部のうちの少なくとも一部を覆う層を形成することと、マスキング材料を除去し、第１および第２の導電性反射層を形成することとを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。複数のベアダイ発光要素を型基板上に配置することは、少なくとも部分的に、ベアダイ発光要素の接点を型基板内に埋め込むことを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。ベアダイ発光要素の接点は、少なくとも２μｍだけ、型基板内に埋め込まれ得る。結合剤を硬化させることの後に、ベアダイ発光要素の接点の各々は、少なくとも１μｍだけ、硬化された結合剤から突出し得る。結合剤を硬化させることの後に、その接点に近接する各ベアダイ発光要素の該各側壁の少なくとも一部は、少なくとも１μｍだけ、硬化された結合剤から突出し得る。
これらおよび他の目的は、本発明の利点および特徴とともに、以下の説明、付随の図面、および請求項の参照を通して、より明白となるであろう。さらに、本明細書に説明される種々の実施形態の特徴は、互に排他的ではなく、種々の組み合わせおよび順列で存在することができることを理解されたい。本明細書を通して、「一実施例」、「ある実施例」、「一実施形態」、または「ある実施形態」という言及は、実施例に関連して説明される特定の特徴、構造、または特性が、本技術の少なくとも一実施例に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体を通した種々の場所における、語句「一実施例では」、「ある実施例では」、「一実施形態」、または「ある実施形態」の表出は、必ずしも、全て同一の実施例を参照するわけでは、ない。さらに、特定の特徴、構造、ルーチン、ステップ、または特性は、本技術の１つ以上の実施例において、任意の好適な様式で組み合わせられ得る。用語「光」は、限定ではないが、可視光、紫外線放射、および赤外線放射を含む、電磁スペクトル内の任意の波長または波長帯域を広く含意する。同様に、「照度」、「光束」、および「光度」等の測光用語は、「放射照度」、「放射束」、および「放射強度」等のその放射測定均等物まで拡張し、かつそれらを含む。本明細書で使用されるように、用語「実質的に」、「およそ」、および「約」は、±１０％、いくつかの実施形態では、±５％を意味する。用語「本質的に成る」は、本明細書に別様に定義されない限り、機能に寄与する他の材料を除外することを意味する。それでもなお、そのような他の材料は、集合的または個々に、微量に存在し得る。
図面中、同様の参照文字は、概して、異なる図全体を通して、同一の部品を指す。また、図面は、必ずしも、正確な縮尺ではなく、代わりに、本発明の原理を図示する際、概して、強調されている。以下の説明では、本発明の種々の実施形態は、以下の図面を参照して説明される。
本発明の実施形態は、白色のパッケージ化されたＬＥＤの現在の製造において存在する、いくつかの欠点および難点に対処する、ＬＥＤダイ等の燐光体および発光要素の統合に対する新しいアプローチを提供する。有利には、燐光体は、パッケージ内に配置される前に（または、従来のようにパッケージ化される代わりに）、ダイと統合され、それによって、パッケージのない白色ダイを産生し得る。実施例は、図２Ａに、白色ダイ２００として描写される。白色ダイ２００は、１つ以上のＬＥＥ２１０を含み、それらの各々は、少なくとも１つの接点２２０を特徴とする。示されるように、ＬＥＥ２１０は、燐光体２３０によって部分的に包囲される。接点２２０の少なくとも一部は、典型的には、燐光体２３０によって被覆されない。図２Ａに示される構成では、ＬＥＥ２１０は、ＬＥＥ２１０の同一の面または側面２４０上に位置する、２つの接点２２０を特徴とする。示されるように、接点２２０の各々は、好ましくは、燐光体２３０によって被覆されず、電気接続のために利用可能である、自由端子端を有する。本明細書では、「電気接続のために利用可能である」とは、接点が、例えば、伝導性トレース、回路基板等への取り付けを可能にするための十分な自由面積を有することを意味し、「自由」とは、そこへの任意の電気接続（および、好ましい実施形態では、任意の機械的接続）を欠いていることを意味する。
ＬＥＥ２１０の面２４０は、単一平面表面であるように示されるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、面２４０は、複数の非同一平面表面から成るか、または他の構成を有し得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、３つ以上の接点２２０を有する。白色ダイ２００は、図２Ａでは、面２４０を被覆する燐光体２３０を有していないように示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０は、面２４０の全部または一部を被覆する。前述のように、本明細書では、燐光体は、結合剤またはマトリクス材料単独、あるいは結合剤および波長変換材料の混合物を指し得る。図２Ａでは、ＬＥＥ２１０の側面の周囲の燐光体２３０の幅は、幅２５０として識別される一方、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０の厚さは、厚さ２６０として識別され、ＬＥＥ２１０に隣接する燐光体２３０の厚さは、厚さ２７０として識別される。
図２Ａおよび２Ｂは、１つのＬＥＥ２１０を含む、白色ダイ２００を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイ２００は、２つ以上のＬＥＥ２１０を含む。いくつかの実施形態では、単一白色ダイ２００の複数のＬＥＥ２１０は全て、同一である一方、他の実施形態では、少なくとも２つの異なるタイプのＬＥＥ２１０から構成される。一実施形態では、異なるタイプのＬＥＥ２１０は、異なる波長で放出する。例えば、白色ダイ２００は、３つの異なるタイプのＬＥＥ２１０の各々の１つ以上を含み得、少なくとも１つのタイプは、青色波長範囲内で、少なくとも１つは、緑色波長範囲内で、少なくとも１つは、赤色波長範囲内で放出する。一実施形態では、白色ダイ２００は、２つの異なるタイプのＬＥＥ２１０の各々の１つ以上を含み得、少なくとも１つのタイプは、青色波長範囲内で、少なくとも１つは、赤色波長範囲内で放出する。白色ダイ２００におけるＬＥＥ２１０の具体的構成ならびにその動作特性および特性は、本発明の限定ではない。一実施形態では、異なるタイプのＬＥＥ２１０は、異なる光出力電力を有する。一実施形態では、燐光体２３０は、複数の部分または体積から成り得、各部分または体積は、別の部分における１つ以上の燐光体と異なる１つ以上の燐光体を含むか、またはそれから本質的に成る。本実施例の一実施形態では、１つ以上の部分は、透明結合剤材料のみを含むか、または本質的にそれから成る一方、１つ以上の他の部分は、結合剤および１つ以上の燐光体を含むか、または本質的にそれから成る。
いくつかの実施形態では、燐光体２３０の表面２８０は、ＬＥＥ２１０の表面２４２に平行または実質的に平行である。いくつかの実施形態では、燐光体２３０の表面２９０は、ＬＥＥ２１０の表面２４４に平行または実質的に平行である。いくつかの実施形態では、燐光体２３０は、実質的に、立方体または長方形固体形状を形成する（その輪郭は、ＬＥＥ２１０の一部および／またはＬＥＥ２１０の接点によって断絶され得る）。ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０の厚さ２６０は、ＬＥＥ２１０の全体を覆って、同一または実質的に同一として示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０の厚さ２６０は、異なる。ＬＥＥ２１０に隣接する燐光体２３０の厚さ２７０は、白色ダイ２００に対して同一または実質的に同一として示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０に隣接する燐光体２３０の厚さ２７０は、異なる。図２Ａは、平坦または実質的に平坦として、燐光体２３０の表面２８０および側面表面２９０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、表面２８０および／または表面２９０は、規則的、周期的、またはランダムパターンにおいて、湾曲、粗面化、パターン化、またはテクスチャ処理される。いくつかの実施形態では、燐光体２３０は、少なくとも部分的に、平滑かつ実質的連続形状を有する。いくつかの実施形態では、表面の造形および／またはパターン化あるいはテクスチャ処理は、形成または成形プロセスの際に達成される一方、他の実施形態では、造形および／またはパターン化あるいはテクスチャ処理は、燐光体が造形された後、あるいはそれが硬化された後または部分的に硬化された後、行なわれる。
図２Ｂは、ＬＥＥ２１０の接点側に面する、白色ダイ２００の図を示す。図２ＢにおけるＬＥＥ２１０は、長方形断面として示されるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、正方形、六方晶、円形、三角形、または何らかの任意の形状であり、および／または白色ダイ２００の表面２８０に対して、任意の角度を形成する側壁を有し得る。図２Ｂでは、ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体２３０の幅２５０は、ＬＥＥ２１０の全側面上において、同一または実質的に同一として示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０の幅２５０は、ＬＥＥ２１０の１つ以上または全側面上で異なる。図２Ｂは、ＬＥＥ２１０の各側面にわたって、同一または実質的に同一の燐光体２３０の幅２５０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０の幅２５０は、ＬＥＥ２１０の１つ以上の側面に沿って異なる。
前述のように、本発明の実施形態は、パッケージまたは基板への取り着け（電気および／または機械的）に先立って、ＬＥＥ２１０上に燐光体２３０を形成する。白色ダイ２００は、次いで、以下に論じられるように、種々のパッケージ内に統合され得る。図３は、白色ダイ２００を形成するためのプロセス３００の流れ図を示す。プロセス３００は、６つのステップを有するように示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、本発明は、より多いまたはより少ないステップを有する、および／またはステップは、異なる順序で行なわれ得る。ステップ３１０では、第１の表面または基部が、提供される。ステップ３２０では、１つ以上のＬＥＥが、基部上に配置または形成される。ステップ３３０では、燐光体が、提供される。ステップ３４０では、燐光体が、ＬＥＥおよび基部を覆って形成される。ステップ３５０では、燐光体が、硬化される。ステップ３６０では、燐光体がコーティングされたＬＥＥが、白色ダイ２００に分離または個片化される。基部を除去するステップ（図３に図示されない）が、本明細書に議論されるように、プロセス内の異なる点において実装され得る。白色ダイ２００を製造し、それを使用する種々のアプローチが、下記に議論される。
図４Ａ−４Ｅは、プロセス３００の一実施形態を描写する。本実施形態では、基部４１０が、提供され（ステップ３１０）、ＬＥＥ２１０が、基部４１０に隣接する接点２２０とともに、基部４１０上に配置されるか、またはそこに接着される（ステップ３２０）（図４Ａ）。基部４１０はまた、「型基板」とも称され得る。一実施形態では、基部４１０は、接着性膜またはテープを含むか、またはそれから本質的に成る。いくつかの実施形態では、基部４１０は、燐光体２３０に対して比較的に低接着力を有し、すなわち、基部４１０からの硬化された燐光体２３０の除去を可能にする材料を含むか、またはそれから本質的に成る。いくつかの実施形態では、基部４１０は、ダイの個片化および／または移転のために半導体産業において使用される、ダイシングまたは移転テープ、例えば、Ｎｉｔｔｏ Ｄｅｎｋｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製ＲｅｖａｌｐｈａまたはＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製テープと同一または類似する。いくつかの実施形態では、基部４１０は、水溶性材料または接着剤を含むか、またはそれから本質的に成るか、あるいは水溶性材料で被覆または部分的に被覆され得る。例えば、基部４１０あるいはライナまたは両方の接着剤は、水溶性であり得る。いくつかの実施形態では、水溶性材料は、水溶性テープ、例えば、３Ｍタイプ５４１４を含むか、またはそれから本質的に成る。いくつかの実施形態では、基部４１０は、シリコーンまたはシリコーンベースの材料、例えば、Ｇｅｌ−Ｐａｋ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製ＰＤＭＳまたはＧｅｌＰａｋ材料を含むか、またはそれから本質的に成る。
いくつかの実施形態では、基部４１０は、可変接着力を伴う材料を含むか、またはそれから本質的に成る。本実施形態では、接着力は、燐光体の形成および硬化後、変化させられ、白色ダイまたは白色ダイウエハを基部４１０から除去することをより容易にし得る。（複合ウエハとも称される、白色ダイウエハは、本明細書では、結合剤中に吊るされる複数の半導体ダイとして定義される。）一実施形態では、そのような可変接着力材料は、熱剥離テープまたはＵＶ剥離テープであり得る。一実施形態では、可変接着力材料は、水溶性テープであり得る。一実施形態では、可変接着力材料は、静電チャックであり得る（ＬＥＥ２１０は、図４Ａに示される構造に類似する、静電チャック上に形成または配置される）。本実施形態では、ＬＥＥ２１０は、電気的に活性化または非活性化され得る、静電気力によって、静電チャック上の定位置に保持される。
いくつかの実施形態では、接点２２０の面の全部または一部が、白色ダイ２００の形成後、さらされ、すなわち、燐光体２３０によって被覆されないことが望ましい。いくつかの実施形態では、接点２２０の面の全部または一部を基部４１０に隣接して配置あるいは接着させることは、接点２２０の全部または一部を覆って、あるいは接点２２０の面の全部または一部を覆っての燐光体２３０の被覆もしくは形成を防止する。いくつかの実施形態では、基部４１０上のコーティングの厚さ、硬度、および／または他の特性、あるいは基部４１０の特性、例えば、接着剤の厚さ、化学組成、表面エネルギー、硬度、弾性等は、例えば、基部４１０への近接性、あるいは基部４１０内への接点２２０の部分的または完全な埋め込みによって、接点２２０の所望のレベルの露出を確保するように異なり得る。
いくつかの実施形態では、基部４１０は、表面、すなわち、型（例えば、非平坦表面）を含むか、またはそれから本質的に成る。一実施形態では、障壁４５０が、基部４１０内の陥凹によって形成される。図４Ｂでは、障壁４５０は、表面４３５に垂直または実質的に垂直として示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、障壁４５０は、表面４３５と任意の角度を形成する。基部４１０は、種々の材料、例えば、ガラス、ＰＥＴ、ＰＥＮ、プラスチック膜、テープ、プラスチック膜上の接着剤、金属、アクリル、ポリカーボネート、ポリマー、シリコーン、ポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ）等のうちの１つ以上を含むか、またはそれから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、基部４１０は、剛体または実質的に剛体である一方、他の実施形態では、基部４１０は、可撓性である。いくつかの実施形態では、基部４１０が、Ｔｅｆｌｏｎ等の「非粘性」材料、またはＡｓａｈｉ Ｇｌａｓｓ製Ｆｌｕｏｎ ＥＴＦＥ等のフッ素化材料を含むか、または本質的にそれから成るか、あるいは燐光体２３０が基部４１０に粘着しないように、燐光体２３０と接着し得る表面または表面の一部を覆って、非粘性コーティング（例えば、燐光体２３０中の結合剤）を含むことが有利である。いくつかの実施形態では、基部４１０は、表面４３５および／または障壁４５０上に、結合剤材料にあまり接着しない材料の層を含むか、またはそれから本質的に成る。いくつかの実施形態では、基部４１０は、水溶性材料または接着剤を含むか、またはそれから本質的に成るか、あるいは基部４１０は、部分的または完全に、水溶性材料で一面を覆われ、基部４１０内に形成される材料からの基部４１０の剥離を支援する。一実施形態では、基部４１０は、水溶性テープ、例えば、３Ｍタイプ５４１４を含むか、または本質的にそれから成るか、あるいは部分的もしくは完全にそれで一面を覆われる。いくつかの実施形態では、基部４１０は、光、例えば、可視またはＵＶ放射に透明である。いくつかの実施形態では、障壁４５０の高さは、約１０μｍ〜約１０００μｍの範囲である。しかしながら、障壁４５０の高さは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、障壁４５０は、任意の高さを有する。いくつかの実施形態では、基部４１０の面積は、約０．２５ｍｍ２〜約９００ｃｍ２の範囲内である。しかしながら、基部４１０の面積は、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、基部４１０の面積は、より小さいかまたはより大きい。障壁４５０が、基部４１０の一部ではないとき、障壁４５０は、基部４１０のものに類似するか、またはそれと異なる材料を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、障壁４５０は、ＬＥＥ２１０を包囲するリングまたはステンシルであり得る。
図４Ａにおいて間隔４０５として識別される、隣接するＬＥＥ２１０間の間隔は、ＬＥＥ２１０の側面の周囲の燐光体２３０の幅を制御するために調節され得る。一実施形態では、ＬＥＥ２１０間の間隔４０５は、近似的に、燐光体の所望の側壁厚２５０の２倍と切り口の幅との和によって決定される（切り口の幅は、白色ダイ２００の個片化プロセスの際に除去される領域の幅であり、例えば、図４Ｄにおける切り口の幅４７０として識別される）。他の実施形態では、本明細書に論じられるように、間隔４０５は、ＬＥＥ２１０を包囲する燐光体２３０の量から独立する。ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０の厚さは、形成または分配される、燐光体４２０の厚さ４２５を制御することによって制御され得る。一実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０の厚さ２６０は、近似的に、厚さ４４５を除く、厚さ４２５によって求められる。
いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０の間における間隔４０５は、約０．１０ｍｍ〜約５ｍｍの範囲内であるか、または好ましくは、約０．２ｍｍ〜約１．５ｍｍの範囲内である。いくつかの実施形態では、コストを削減させるために、ＬＥＥ２１０の間における間隔４０５を低減させることが有益である。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０の間における間隔４０５を低減させることは、単位面積あたり、より多くのＬＥＥ２１０の製造を可能にし、したがって、製造コストを削減させる。いくつかの実施形態では、コストを削減させるために、各ＬＥＥ２１０の周囲に形成される燐光体２３０の量を低減させることが有益となる。いくつかの実施形態では、これは、体積と、ひいては、各ＬＥＥ２１０に関連付けられる結合剤のコストとを低減させる。
プロセス３００における次のステップ（ステップ３３０）は、燐光体（硬化されていないまたは部分的に硬化された燐光体４２０）を提供する。一実施形態では、燐光体４２０は、燐光体および結合剤を含むか、またはそれから本質的に成る。いくつかの実施形態では、燐光体および結合剤は、適用に先立って、例えば、混合物を覆う部分的真空を用いて、または用いずに、遠心混合器内で混合される。
プロセス３００の次のステップ（ステップ３４０）では、燐光体４２０が、図４Ｂに示されるように、基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って形成される。いくつかの実施形態では、燐光体４２０は、図４Ｂに示されるように、基部４１０の表面４３５および随意の側面または障壁４５０によって、含まれるか、あるいは範囲を定められる。本実施例では、燐光体４２０は、底部表面または面４６０および上部表面または面４４０を有する。いくつかの実施形態では、表面４６０および４４０は、実質的に、互に平行である。いくつかの実施形態では、表面４６０および４４０は、実質的に平坦かつ平行である。
燐光体４２０は、種々の技法、例えば、鋳造、分注、鋳込、注入、射出、圧縮、移転、または他の形態の成形、メーヤバーまたはドローバー、ドクターブレード等によって形成され得る。燐光体４２０の形成の方法は、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、基部４１０は、燐光体４２０が基部４１０上に形成されると、表面４３５、燐光体４２０の底部表面４６０、および燐光体４２０の上部表面４４０が、平行または実質的に平行であり、燐光体４２０の面積の全部あるいは大部分にわたって均一または実質的に均一な厚さを有する、燐光体４２０の薄層を形成するように、表面４３５が水平であるように位置付けられる。いくつかの実施形態では、１つ以上の障壁４５０は、燐光体４２０の拡散を防止または部分的に防止するために使用される。いくつかの実施形態では、表面４３５および障壁４５０は、燐光体４２０のための型を形成する。いくつかの実施形態では、障壁４５０は、ＬＥＥ２１０を包囲するために基部４１０の上に配置される別個の構成要素の部分である。いくつかの実施形態では、障壁４５０は、使用されない。本発明のいくつかの実施形態は、水平基部４１０および重力を利用して、自動的に、均一または実質的に均一な厚さを伴う、燐光体層４２０を産生する。一実施形態では、燐光体４２０の厚さ均一性は、約±１５％以内、約±１０％以内、約±５％以内、もしくは約±１％以下以内である。一実施形態では、燐光体４２０は、約５μｍ〜約２０００μｍの範囲内の厚さを有する一方、他の実施形態では、燐光体は、約５０μｍ〜約５００μｍの範囲内の厚さを有する。いくつかの実施形態では、燐光体４２０は、燐光体および結合剤を含むか、またはそれらから本質的に成り、使用される結合剤の合計体積を低減させ、ひいては、結合剤のコストを削減させるために、結合剤の厚さが比較的低くなること（例えば、約５００μｍ未満、または約３００μｍ未満、または約２００μｍ未満）を可能にするために、燐光体の濃度を調節することが望ましくあり得る。
一実施形態では、結合剤および燐光体粉末を含むか、またはそれから本質的に成る、燐光体４２０の混合と、基部４１０を覆っての燐光体４２０の形成との間の時間は、燐光体および結合剤が、結合剤中の燐光体粉末の均一かつ均質に分散された、または実質的に均一かつ均質に分散された組み合わせを形成するように、結合剤中の粉末の沈降のために要求される時間と比較して、比較的に短い。一実施形態では、結合剤中の燐光体粉末の分散である、燐光体４２０の組成均一性は、約±１５％以内、約±１０％以内、約±５％以内、または約±１％以内まで均一である。燐光体および粉末の混合物のいくつかの実施形態では、沈降は、約１０〜約３０分以内に生じ始める一方、基部４１０を覆っての燐光体４２０の形成は、約０．２５分〜約５分以内に生じる。いくつかの実施形態では、図４Ｂに示される構造は、部分的真空にさらされ、燐光体４２０中のいかなる溶解ガスも脱気し、あるいはその全部または一部を除去し、燐光体４２０内の気泡の数を低減もしくは排除する。いくつかの実施形態では、燐光体４２０は、基部４１０上への形成前に、部分的真空にさらされる。いくつかの実施形態では、燐光体４２０は、部分的真空内において、基部４１０を覆って形成される。本発明のいくつかの実施形態では、基部４１０は、水平ではなく、本明細書により詳細に論じられるように、基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って非均一厚を有する、燐光体４２０をもたらす。
燐光体４２０は、次いで、硬化され、図４Ｃに示されるように、硬化された燐光体２３０（ステップ３５０）を産生する。硬化は、加熱、種々の源、例えば、可視、ＵＶ、および／またはＩＲ光の放射への露出、あるいは化学硬化（すなわち、燐光体結合剤の架橋結合を助長する、化学剤の導入）を含むか、またはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、燐光体４２０は、ＵＶまたは他の放射によって硬化される。一実施形態では、基部４１０は、図３のステップ３５０に先立って、またはその直後に、硬化用機器内に保持される。結合剤および粉末の混合物のいくつかの実施形態では、沈降は、約１０〜約３０分以内に生じ始める一方、基部４１０を覆っての燐光体４２０の硬化は、約０．１０分〜約５分以内に生じる。一実施形態では、ステップ３４０および３５０は、約３０分未満、約１０分未満、約５分未満、または約１分未満かかり得る。いくつかの実施形態では、硬化ステップ３５０は、複数の副次的硬化ステップを含むか、またはそれから本質的に成る。例えば、第１の副次的硬化ステップは、燐光体粒子をマトリクス内に「凍結」させるために行なわれ得、この後、第２の副次的硬化ステップが続き、結合剤を完全に硬化させ得る。いくつかの実施形態では、形成および硬化プロセスは両方とも、約０．２５分〜約７分以内で生じ得る。いくつかの実施形態では、形成および硬化プロセスは両方とも、約４分未満かかり得る。
図３のステップ３６０では、白色ダイ２００は、図４Ｃに示される構造（すなわち、白色ウエハ、白色ダイウエハ、または複合ウエハ）から分離または個片化され、図４Ｄに示される構造をもたらす。図４Ｄは、１つのＬＥＥ２１０を含む、各白色ダイ２００を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイ２００は、２つ以上のＬＥＥ２１０を含む。個片化プロセスは、個々の白色ダイ２００への分離をもたらし、各白色ダイ２００は、図２Ａに示されるように、燐光体の一部２３０および少なくとも１つのＬＥＥ２１０を特徴とする。個片化は、ＬＥＥ２１０の間において行われ、したがって、いくつかの実施形態では、個片化ツールをＬＥＥ２１０の間の間隔（また、通りとも呼ばれる）と整列させることが可能である必要がある。いくつかの実施形態では、白色ウエハは、ＬＥＥ２１０との個片化ツールの比較的簡単な整列を可能にし、正確な個片化を可能にするために、接点を上方に向けた状態で仮の基板４３０上に搭載される。
いくつかの実施形態では、白色ダイ２００は、約０．１５ｍｍ〜約５ｍｍのサイズを有し得る。しかしながら、白色ダイ２００のサイズは、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０を包囲する燐光体２３０の厚さは、異なるサイズのＬＥＥ２１０に対して、実質的同一であり得る。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００のサイズは、複数のＬＥＥ２１０の組み込みによって増加し得る。いくつかの実施形態では、複数のＬＥＥ２１０を含むか、またはそれらから本質的に成る白色ダイ２００のサイズは、ＬＥＥ２１０のサイズおよび数と、各ＬＥＥ２１０を包囲する燐光体２３０の厚さとによって決定され、いくつかの実施形態では、複数のＬＥＥ白色ダイ２００における各ＬＥＥ２１０を包囲する燐光体２３０の厚さは、単一のＬＥＥ白色ダイ２００を包囲する燐光体２３０の厚さと実質的同一であり得る。例えば、大きなアレイのＬＥＥ２１０を含む、白色ダイは、少なくとも３ｍｍまたは少なくとも７ｍｍまたは少なくとも２５ｍｍの側方寸法を有し得る。いくつかの白色ダイ２００に対して、分離は、例えば、大きなアレイのＬＥＥ２１０の場合、随意であり得る。燐光体２３０の分離は、種々の技法、例えば、レーザ切断、ナイフを用いた切断、型抜き、ダイシング、鋸切断、水ジェット切断、アブレーション等によって行なわれ得る。いくつかの実施形態では、切り口の幅は、約２００μｍ未満、または約１００μｍ未満、または約５０μｍ未満、またはさらに２５μｍ未満であり得る。いくつかの実施形態では、切り口の幅がより小さくなるにつれて、単位面積内において製造され得る白色ダイ２００の数がより大きくなり、したがって、切り口の幅を減少させることが、コストの削減をもたらす。これは、非常に大きなアレイの白色ダイ２００が、比較的に高処理量および比較的に低コストで、比較的に小面積内に形成されることを可能にする。好ましい実施形態では、ＬＥＥの上、およびその周囲に燐光体を形成するプロセスは、比較的再現可能かつ非常に均一な燐光体厚を産生するように制御され、均一光学特性をもたらす。燐光体の比較的に小面積から、比較的に短時間で、非常に多数の白色ダイ２００を形成し、比較的に高厚さ均一性と結合される、結合剤中の燐光体粉末の沈降を回避または最小化する能力は、色度、色温度、演色評価数（ＣＲＩ）、光束等の光学特性の比較的に狭い分布を有する非常に大きなアレイの白色ダイ２００、および非常に低製造コストにつながる。一実施形態では、ＬＥＥ２１０のウエハ全体は、本アプローチを使用して、同時にバッチ処理され得る。例えば、いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、例えば、２インチまたは４インチまたは６、または８インチの直径ウエハ上に、ウエハ形態で産生され得る。ＬＥＥ２１０が製作され、個片化された後に（ここでは、個片化は、ＬＥＥ２１０が形成されるウエハの個片化を指す）、本明細書に詳述されるさらなる処理のために（例えば、白色ダイを形成するために）、型基板４１０に移転され得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０のウエハ量全体が、バッチモードにおいて（すなわち、一緒に）、型基板４１０に移転され得る。他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ダイ毎に、またはダイのグループで、型基板４１０に移転され得る。
いくつかの実施形態では、分離（すなわち、白色ダイの分離）は、基部４１０からの除去の前に生じる一方、他の実施形態では、基部４１０は、本明細書により詳細に論じられるように、分離前に除去される。いくつかの実施形態では、燐光体２３０は、ＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して透明の透明結合剤を含むか、またはそれから本質的に成る。
いくつかの実施形態では、図４Ｄに示される構造は、接点２２０が、図４Ｅに示されるように、アクセス可能であるように、別の基板４１１に移転され得る。そのような移転は、移転テープ、ダイフリッパを用いたピックアンドプレースツール、または任意の他の技法を使用して行なわれ得る。いくつかの実施形態では、この移転は、バッチモードで行なわれ得る一方、他の実施形態では、ダイ毎で、またはダイのグループで、行なわれ得る。いくつかの実施形態では、移転は、白色ダイウエハの個片化前に行なわれ得る。本プロセスの結果は、図２Ａおよび２Ｂに示されるような白色ダイ２００である。本プロセスは、ダイが、任意の種類のパッケージ内または回路基板上に配置あるいは統合される前に、費用効果的方法において、各ダイを覆って均一燐光体を伴う、燐光体と統合されたダイを産生するためのバッチ方法を提供する。
白色ダイ２００は、次いで、パッケージ内に配置するために、基部４１０から除去され得る。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００は、例えば、可撓性または剛体の回路あるいは配線板上、または電照システムの他の照明内に搭載することによって、パッケージを伴わずに、そのまま使用され得る。白色ダイ２００は、異なる向き、例えば、図４Ｄまたは図４Ｅに示されるものに配置され得る。
一実施形態では、１つのみの燐光体４２０が、使用される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、複数の燐光体が、使用される。一実施形態では、燐光体４２０は、複数の異なる燐光体粉末を含むか、またはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、第１の燐光体４２０が、堆積され、硬化または部分的に硬化された後、１つ以上の連続した燐光体の堆積および硬化が続く。一実施形態では、結合剤が、堆積され、硬化または部分的に硬化され、結合剤は、ＬＥＥ２１０および／または燐光体４２０または２３０によって放出される光の波長に透明であり、その後、１つ以上の燐光体４２０の堆積および硬化が続き、１つ以上の層が、互に異なる燐光体組成、タイプ、および／または厚さを有する、層状構造を形成する。このように、遠隔燐光体白色ダイ４００が、図５に示されるように、製作され得る。図５は、遠隔燐光体白色ダイ５００の一実施形態を示し、燐光体２３０は、透明結合剤またはマトリクス材料５１０によって、ＬＥＥ２１０から空間的に分離される。そのような構造では、ＬＥＥ２１０の縁を越える燐光体を含む層２３０の張り出しの程度は、燐光体２３０によって吸収されるＬＥＥ２１０からの光の量を最適化するように異なり得る。そのようなアプローチはまた、ＬＥＥ２１０の複数の燐光体および／または透明結合剤の層を形成するために使用され得る。
以下の実施例は、本発明のいくつかの実施形態を提示する。しかしながら、これらは、白色ダイの製造または構造の方法の限定ではない。
（実施例１）
本実施例では、ＬＥＥ２１０は、ウエハ形態で（すなわち、半導体ウエハの一部として）製作される。ウエハは、約５０００個以上のＬＥＥ２１０を含み得る。いくつかの実施形態では、ウエハは、約２０，０００個より多い、１００，０００個より多い、または５００，０００個より多いＬＥＥ２１０を含む。ＬＥＥ２１０の製作後、ＬＥＥ２１０は、図６のステップ６１０、６２０に示されるように、試験され、ビン（ｂｉｎ）に分類される。ビンは、例えば、放出波長、順電圧、光出力電力等を含み得る。１つ以上のビンまたは１つ以上のビン内の値の範囲の特定の選択肢は、本発明の限定ではない。一実施形態では、ＬＥＥ２１０は、放出波長によってビン分けされる。図３に示されるプロセスは、次いで、ＬＥＥ２１０の各ビンにおいて実施され得る。基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って適用される燐光体の組成および量が、各ビンの放出波長に基づいて、所望の色点、色度、色温度、ＣＲＩ、または他の光学特性を達成するために、事前に決定される。本実施形態では、各ビンは、所望の光学特性を達成するために、異なる組成および／または厚さの燐光体を有し得る。一実施形態では、燐光体組成および厚さは、ビン情報に基づいて、光学特性（例えば、色温度）において、ビン分けを行なわずに達成可能であろうものより比較的に狭い分布を達成するように調節される。
本実施例では、ＬＥＥ２１０は、ウエハ形態で（すなわち、半導体ウエハの一部として）製作される。ウエハは、約５０００個以上のＬＥＥ２１０を含み得る。いくつかの実施形態では、ウエハは、約２０，０００個より多い、１００，０００個より多い、または５００，０００個より多いＬＥＥ２１０を含む。ＬＥＥ２１０の製作後、ＬＥＥ２１０は、図６のステップ６１０、６２０に示されるように、試験され、ビン（ｂｉｎ）に分類される。ビンは、例えば、放出波長、順電圧、光出力電力等を含み得る。１つ以上のビンまたは１つ以上のビン内の値の範囲の特定の選択肢は、本発明の限定ではない。一実施形態では、ＬＥＥ２１０は、放出波長によってビン分けされる。図３に示されるプロセスは、次いで、ＬＥＥ２１０の各ビンにおいて実施され得る。基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って適用される燐光体の組成および量が、各ビンの放出波長に基づいて、所望の色点、色度、色温度、ＣＲＩ、または他の光学特性を達成するために、事前に決定される。本実施形態では、各ビンは、所望の光学特性を達成するために、異なる組成および／または厚さの燐光体を有し得る。一実施形態では、燐光体組成および厚さは、ビン情報に基づいて、光学特性（例えば、色温度）において、ビン分けを行なわずに達成可能であろうものより比較的に狭い分布を達成するように調節される。
例えば、図７では、ウエハ７１０は、ウエハまたは成長工程あるいは一連の成長工程ならびに１つ以上のプロセス工程から製作されたＬＥＥ２１０の総特性分布を含む、ウエハを表す。エピタキシャル構造のための成長または堆積プロセスおよびＬＥＥ２１０を形成するための後続製作ステップにおいて、光学および電気特性の変動が、導入され得る。ＬＥＥ２１０は、試験され、ビンに分類され、各ビンは、１つ以上の特性の比較的に狭い分布を有する。例えば、波長ビンは、約５ｎｍまたは約２．５ｎｍ分布を有し得る。ビンの他の実施例は、順電圧および光出力電力を含む。ビン７２０、７３０、および７４０は、異なるビン、例えば、３つの異なる波長ビンを表す。図７では、ビン７２０、７３０、および７４０を表す、ボックスは、そのビンにおける特定の特性に関するダイの分布を表す、小グラフを有する。３つのビンが、図７に示されるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、３つより少ないまたは多いビンが、利用される。２１０’、２１０’’、および２１０’’’として指定される、各ビンからのＬＥＥ２１０は、燐光体２３０の特性を決定（すなわち、ＬＥＥおよび燐光体の組み合わせの最終光学特性を達成）するために使用され、２３０’、２３０’’および２３０’’’として識別される、対応する数の異なる燐光体混合物をもたらす。これは、２００’、２００’’、および２００’’’として指定される、白色ダイ２００の対応する数のビンをもたらす。このように、製造プロセス全体から、比較的により大きな割合の分布のＬＥＥ２１０が、光学特性、例えば、色温度の比較的に狭い分布を有する白色ダイ２００に製作され得る。
本プロセスの流れ図が、図６に示される。ＬＥＥ２１０は、最初に、試験され（ステップ６１０）、次いで、分類され、ビンに分離される（ステップ６２０）。ＬＥＥ２１０のあるビンが、選定され（ステップ６３０）、燐光体が、ＬＥＥ２１０のその特定のビンに対する所望の光学特性を達成するように準備される（ステップ６４０）。この燐光体は、１つ以上の燐光体粉末または光変換材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。最後に、ステップ６５０では、図３に示されるプロセス３００は、ＬＥＥ２１０の選択されたビンおよびＬＥＥ２１０のそのビンのために準備された燐光体を使用して、実施される。これは、他のビンに対しても繰り返され得る。
（実施例２）
本実施例では、ＬＥＥ２１０は、ウエハ形態で製作される。ウエハは、約５０００個以上のＬＥＥ２１０を含み得る。いくつかの実施形態では、ウエハは、約２０，０００または１００，０００個より多いＬＥＥ２１０を含み得る。ＬＥＥ２１０の製作後、ＬＥＥ２１０は、試験されるか、または各ウエハ上のＬＥＥ２１０のうちのいくつかが、試験される。一実施形態では、図３に示されるプロセスが、次いで、ウエハからの全ＬＥＥ２１０に対して実施される。基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って適用される燐光体の組成および量は、そのウエハにおける全てまたはいくつかのＬＥＥ２１０の試験結果に基づいて、所望の色点、色温度、ＣＲＩ、または他の光学特性を達成するために、事前に決定される。この燐光体は、１つ以上の燐光体粉末または光変換材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。
本実施例では、ＬＥＥ２１０は、ウエハ形態で製作される。ウエハは、約５０００個以上のＬＥＥ２１０を含み得る。いくつかの実施形態では、ウエハは、約２０，０００または１００，０００個より多いＬＥＥ２１０を含み得る。ＬＥＥ２１０の製作後、ＬＥＥ２１０は、試験されるか、または各ウエハ上のＬＥＥ２１０のうちのいくつかが、試験される。一実施形態では、図３に示されるプロセスが、次いで、ウエハからの全ＬＥＥ２１０に対して実施される。基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って適用される燐光体の組成および量は、そのウエハにおける全てまたはいくつかのＬＥＥ２１０の試験結果に基づいて、所望の色点、色温度、ＣＲＩ、または他の光学特性を達成するために、事前に決定される。この燐光体は、１つ以上の燐光体粉末または光変換材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。
本実施例の一実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体の形成に先立って、ＬＥＥ２１０に対して試験が行われない。本実施例の一実施形態では、開始ウエハが、ダイシングテープに適用され、その後、ウエハは、ＬＥＥ２１０に個片化される。テープは、ＬＥＥ２１０を覆う所望のサイズの燐光体を達成するために、ＬＥＥ２１０間で要求される間隔を提供するように拡張する能力を有し、そのように拡張される。一実施形態では、ＬＥＥ２１０間の間隔は、燐光体の側壁厚（ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体の厚さ）の２倍と切り口の幅との和によって、近似的に求められる。そのような拡張テープの実施例は、Ｎｉｔｔｏ Ｄｅｎｋｏ製ＳＷＴ２０＋である。
個片化が、接点がテープ上に下向きの状態で行なわれる場合、テープは、基部４１０として使用され得る。個片化が、接点が上向きの（テープに隣接しない）状態で行なわれる場合、ＬＥＥ２１０は、移転テープまたは他の移転方法を使用して移転され得る。テープ移転動作では、第２の基板またはテープが、ＬＥＥ２１０の露出された側面（ここでは、接点側）に適用され、第１のテープは、除去される。種々の技法が、例えば、異なる粘着度レベルのテープ、熱剥離テープ、および／またはＵＶ剥離テープを使用して、そのような移転のために使用され得る。本アプローチの利点は、ＬＥＥ２１０が、次いで、連続ピックアンドプレースプロセスのいかなる必要性も伴わずに、基部４１０上に正確に位置決めされ、時間および費用を節約することである。別の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、半バッチまたは連続技法、例えば、ピックアンドプレースを使用して、正確な間隔において、基部４１０上に配置され得る。
図８Ａ−８Ｄは、本プロセスの一実施形態の概略図を描写する。図８Ａでは、テープ８２０は、ウエハ８１０の裏面に適用される（本実施例では、接点は、表向きである）。図８Ｂは、製造の後の段階における、図８Ａの構造を示す。図８Ｂでは、ウエハ８１０は、個片化され、テープ８２０上にＬＥＥ２１０をもたらす。ＬＥＥ２１０間の間隔８３０は、個片化プロセスによって決定される。いくつかの実施形態では、間隔８３０は、約１５μｍ〜約１００μｍの範囲内である。図８Ｃは、製造の後の段階における図８Ｂの構造を示す。図８Ｃでは、テープ８２０は、随意に、拡張または伸展されている。間隔８３０（拡張後、間隔８３０’として識別される）は、前述のように、拡張プロセスによって、白色ダイを作製するための正確な値に設定される。すなわち、テープ８２０は、隣接するＬＥＥ２１０間の間隔が、その上に所望の厚さの燐光体を有する白色ダイ２００を作製するために適切となるまで、拡張される。図８Ｄは、製造の後の段階における図８Ｃの構造を示す。図８Ｄでは、第２のテープ８４０が、ＬＥＥ２１０の接点側に適用される。最後に、第１のテープ８２０は、除去され、図４Ａに示される構造が残され、それに応じて、図３および図４Ａ−４Ｄに示される前述のプロセスが、実施され得る。いくつかの実施形態では、テープ８４０は、図４Ａに示される基部または型基板４１０である。
（実施例３）
本実施形態では、プロセスは、図４Ｃまたは図４Ｄに示される構造から開始する。本実施例のいくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ビン分けされている一方、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ビン分けされていないか、または試験されていない。本実施例のいくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０のうちのいくつかは、試験されている。図４Ｃに示される構造のためにＬＥＥ２１０が選択されるプロセスは、本発明の限定ではない。図４Ｃに示される構造は、白色ウエハまたは白色ダイウエハと呼ばれ、個片化の前の複数のＬＥＥ２１０および燐光体２３０を特徴とし得る。図４Ｄにおける構造は、型基板４１０上に複数の白色ダイ２００を含む。
本実施形態では、プロセスは、図４Ｃまたは図４Ｄに示される構造から開始する。本実施例のいくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ビン分けされている一方、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ビン分けされていないか、または試験されていない。本実施例のいくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０のうちのいくつかは、試験されている。図４Ｃに示される構造のためにＬＥＥ２１０が選択されるプロセスは、本発明の限定ではない。図４Ｃに示される構造は、白色ウエハまたは白色ダイウエハと呼ばれ、個片化の前の複数のＬＥＥ２１０および燐光体２３０を特徴とし得る。図４Ｄにおける構造は、型基板４１０上に複数の白色ダイ２００を含む。
白色ダイ２００は、白色ウエハ形態（例えば、図４Ｃに示される）または個片化された形態（例えば、図４Ｄに示される）のいずれかにおいて試験される。本明細書に使用されるように、「白色ウエハ」または「複合ウエハ」は、燐光体２３０およびＬＥＥ２１０（例えば、図４Ｃに示されるように（基部４１０を含まない））を含むか、またはそれらから本質的に成る構造である。試験は、電流および電圧を接点２２０に印加し、放出される光を測定することによって行なわれ得る。一実施形態では、接点２２０は、テープ４１０を通して穿刺または穿通するプローブまたは針によって、試験のためにアクセスされる。他の実施形態では、試験は、最初に、接点２２０が、表向きであり、直接、アクセス可能であるように、図４Ｃにおける構造または図４Ｄにおける白色ダイ２００を別のキャリアに移転することによって行なわれる。そのような移転は、図８Ａ−８Ｄに関連して説明される移転テープを使用するものと同様に、バッチプロセスにおいて行なわれ得るか、あるいはピックアンドプレース等の半バッチプロセスまたは連続プロセスにおいて行なわれ得る。図４Ｃからの構造または白色ダイ２００が、接点がアクセス可能な状態で向けられると、電流および電圧をＬＥＥ２１０に印加する、従来の試験機器、例えば、手動、半自動、または完全自動試験機器を使用して試験され、白色ダイ２００の光特性を測定し得る。一実施形態では、図４Ｃの白色ウエハまたは図４Ｄの白色ダイ２００は、従来の半導体ウエハで行なわれるものと同様に、ウエハ形態において処理され得る。いくつかの実施形態では、白色ウエハは、半導体ウエハのために使用されるものと同様の方式において、かつそのような機器を使用して、取り扱われ、試験され得るように、そのような処理のために十分に剛体であり得、他の実施形態では、追加の裏材材料あるいはプレートまたはキャリアが、追加の剛性を提供するために使用され得る。
一実施形態では、試験後、白色ダイ２００は、物理的に分類およびビン分けされる。これは、次いで、異なる製品のために使用され得る、異なる光学特性を有する、複数のビンをもたらす。一実施形態では、ビンは、色温度の異なる値に対応する。
一実施形態では、試験後、白色ダイ２００は、事実上、分類およびビン分けされる。好ましい実施形態によると、事実上分類することおよびビン分けすることは、各白色ダイ２００の特性のマップが作成され、白色ダイ２００が、その光学および／または電気特性、例えば、色温度または順電圧に基づいて、事実上のビンに入れられるか、あるいは割り当てられることを意味する。異なる特性を要求する製品のために、これらの事実上ビン分けされた白色ダイ２００を使用する場合、ビンマップは、その特定の製品のために、適切な１つ以上のビンから、白色ダイ２００を選択するために使用される。他のビンからの残りの白色ダイ２００は、次いで、異なる時点において、異なる製品において使用され得る。一実施形態では、白色ダイ２００は、試験またはビン分けを伴わずに使用される。
いずれのアプローチでも、プロセスの開始点が、図４Ｃに示される構造である場合、構造は、試験の前または後に、白色ダイ２００を形成するために個片化され得る。さらに、物理的または事実上の白色ダイ２００ビン分けのいずれかの前に、白色ウエハ（図４Ｃまたは４Ｄ）はまた、物理的または事実上のいずれかにおいて、ビン分けされ得る。
（実施例４）
一実施形態では、ＬＥＥ２１０の本体は、図９Ａに示されるように、基部またはテープ４１０の上方に立設される。燐光体の形成後、白色ダイ構造は、図９Ｂに示されるように、白色ダイの縁の全部または一部の周囲およびそれを被覆する燐光体の一部を含み得る。そのような白色ダイの拡大図が、図９Ｃに示される。いくつかの実施形態では、基部４１０は、１つ以上の接点２２０の一部が、構造９１０に関して示されるように、テープ４１０内に埋め込まれるように、変形可能または可撓性である。構造９１０は、同一平面接点を有するが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、構造９２０および９３０に示されるように、非同一平面接点を有する。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、図９Ａにおける構造９３０に関して示されるように傾斜され、図９Ｃに示される類似する構造をもたらし得るが、１つ以上の接点２２０が基部またはテープ４１０内に部分的または実質的に埋め込まれる必要はない。
一実施形態では、ＬＥＥ２１０の本体は、図９Ａに示されるように、基部またはテープ４１０の上方に立設される。燐光体の形成後、白色ダイ構造は、図９Ｂに示されるように、白色ダイの縁の全部または一部の周囲およびそれを被覆する燐光体の一部を含み得る。そのような白色ダイの拡大図が、図９Ｃに示される。いくつかの実施形態では、基部４１０は、１つ以上の接点２２０の一部が、構造９１０に関して示されるように、テープ４１０内に埋め込まれるように、変形可能または可撓性である。構造９１０は、同一平面接点を有するが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、構造９２０および９３０に示されるように、非同一平面接点を有する。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、図９Ａにおける構造９３０に関して示されるように傾斜され、図９Ｃに示される類似する構造をもたらし得るが、１つ以上の接点２２０が基部またはテープ４１０内に部分的または実質的に埋め込まれる必要はない。
そのような構造は、収率の向上をもたらし得る。この理由は、ダイ個片化プロセス、すなわち、半導体ウエハが、個々のダイに分離される場合、ダイの縁における不動態化に対して欠けまたは他の損傷をもたらし得るためである。縁における不動態化に対する欠けまたは損傷が、下層伝導性半導体材料の露出をもたらす場合、この伝導性半導体材料への望ましくない電気結合が、白色ダイ２１０の取り着けプロセスにおいて生じ、不良素子性能および／または素子の短絡をもたらし得る。
いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０の本体の一部は、図９Ｄに示されるように、燐光体で被覆されない。図９Ｄは、図２Ａに示されるものに類似するが、ＬＥＥ２１０の本体の側壁の一部が、燐光体で被覆されていない、白色ダイ２００を示す。ＬＥＥ２１０が、燐光体２３０の縁を越えて延びる程度は、ダイ浮き上り９５０として識別され得る。いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りは、９Ｄに示されるように、正であるが、他の実施形態では、ダイ浮き上りは、図２Ａに示されるように、実質的に、ゼロ、またはさらに、図９Ｅに示されるように、負であり得る。いくつかの実施形態において、ダイ浮き上りは、約０〜約３０μｍの範囲内であり得る。有利には、制御され得る、別の寸法は、接点浮き上り９６０である。接点浮き上り９６０は、燐光体の隣接する表面から突出する接点の量である。いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りは、実質的に、ゼロであり得、接点浮き上りは、正である。好ましい実施形態では、接点浮き上りは、正である。いくつかの実施形態では、ダイおよび接点浮き上りは両方とも、正数である。いくつかの実施形態では、接点浮き上りは、正数であって、約１μｍ〜約１５μｍの範囲内である。
いくつかの実施形態では、燐光体２３０は、ＬＥＥ２１０によって放出される光の一部を吸収し、１つ以上の異なる波長において、それを再放出し、ＬＥＥ２１０および燐光体２３０によって放出される光の組み合わせは、構造２００の１つ以上の光学特性（例えば、色温度、演色評価数（ＣＲＩ）等）を定義する。いくつかの実施形態では、複数の白色ダイ２００が同一または実質的同一光学特性を有するように、ダイ浮き上りおよび／または接点浮き上りを制御することが有益である。例えば、いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りが比較的大きい場合、ＬＥＥ２１０によって放出される光の比較的より大きい比率が、燐光体２３０を通過することなく、直接観察され得る。したがって、いくつかの実施形態では、比較的小さい正のダイ浮き上りが、ＬＥＥ２１０から燐光体２３０を通過しない直接放出される光の量を低減させるので、有益である。いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りは、約０〜約３０μｍの範囲内であり得る一方、他の実施形態では、ダイ浮き上りは、約０〜約１０μｍまたは０〜約５μｍの範囲内であり得る。いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りは、ＬＥＥ２１０の高さの約２０％未満である一方、他の実施形態では、ダイ浮き上りは、ＬＥＥ２１０の高さの約１０％未満、またはわずか約５％未満、または約１％未満である。いくつかの実施形態では、白色ウエハ内および／または白色ウエハの間でダイ浮き上りの変動を低減させることが、白色ダイの１つ以上の光学特性の変動を低減させるので、有益であり得る。いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りの変動は、約２５％未満、または約１０％未満、または約５％未満、またはわずか約１％未満である。
正の接点浮き上りが、接点２２０に対する電気接点を作製する観点から、有益である。接点浮き上りが負である場合、接点２２０に対する電気接点（例えば、接点２２０と下にある基板上の伝導性トレースまたはパッドとの間）を作製することが困難であり得る。いくつかの実施形態では、接点浮き上りは、正であり、約０〜約３０μｍの範囲内である。いくつかの実施形態では、接点浮き上りは、正であり、約１μｍ〜約８μｍの範囲内である。いくつかの実施形態では、接点浮き上りは、少なくとも、接点２２０の高さ（すなわち、接点２２０がＬＥＥ２１０の包囲表面の上方に延びる高さ）である。
いくつかの実施形態では、ダイ浮き上りおよび接点浮き上りの値は、関連する。例えば、図９Ｄに示される実施形態では、接点浮き上りは、ダイ浮き上りと接点の高さとの総和によって近似的に与えられ、接点の高さは、接点がＬＥＥ２１０の表面の上方に延びる量である。いくつかの実施形態では、接点浮き上りおよび／またはダイ浮き上りは、ＬＥＥ接点２２０に対して信頼性があり、かつ堅固な電気接点を産生し、かつ構造２００の信頼性があり、かつ堅固な機械的取り着け（例えば、下にある基板または回路ボードへの）を産生するために、十分な接点および／またはダイ浮き上りを提供しながら、燐光体２３０を通過しないＬＥＥ２１０によって放出される光の量を最小化するように決定または最適化され、かつ制御され得る。
いくつかの実施形態では、白色ウエハ上または白色ウエハ間において、ダイ浮き上りおよび／または接点浮き上りの変動を制御することが有益となり、例えば、いくつかの実施形態では、ダイおよび／または接点浮き上りの変動は、約３０％未満、または約１５％未満、または約１０％未満である。ダイおよび／または接点浮き上りは、いくつかの異なる技法によって制御され得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、図９Ｆに示されるように、部分的に、型基板４１０内に埋め込まれる。浮き上り９７０の量（ここでは、浮き上りは、ダイまたは接点の浮き上りのいずれか、もしくはその組み合わせを指し得る）は、ＬＥＥ２１０が、図９Ｆに示されるように、型基板４１０内に埋め込まれる寸法９７０の値によって決定され得る。
（実施例５）
図１０Ａ−１０Ｃは、本発明の種々の実施形態による、白色ダイ２００を製作するための別の技法を描写する。そのような実施形態では、ＬＥＥ２１０は、型基板または一時的キャリア４１０に取り着けられ、接点は、一時的キャリア４１０に隣接する。型１０３０はその中に、ＬＥＥ２１０が挿入されるか、または部分的に、挿入されるであろう、あるいはそれを覆って、またはその下方に、ＬＥＥ２１０が吊るされるであろう（例えば、区画を分離する障壁が、完全に閉鎖された区画を形成するように十分に深くまで延びていない場合）、１つ以上の区画、くぼみ、またはウェル１０２０を含むか、またはそれから本質的に成る。別の実施形態では、ウェル１０２０は、開放型（図４Ｂに示されるもの等）内への型板の挿入によって形成される。ウェル１０２０は、例えば、分配、ドクターブレード方法、ステンシル印刷、または他の手段によって、燐光体４２０で充填または部分的に充填される。ウェル１０２０内に燐光体４２０を形成後、一時的キャリアまたは基部４１０は、ＬＥＥ２１０が、図１０Ｂに示されるように、完全または部分的に、燐光体４２０内に浸漬されるように、型１０３０と嵌合される。接点２２０は、一時的キャリア４１０に接着され、燐光体４２０が、接点２２０の少なくとも一部を被覆することを防止する。一実施形態では、燐光体４２０は、型１０３０が基部４１０と嵌合された後、ウェル１０２０内に導入または注入される。本実施形態の一側面では、部分的真空が、全ウェル１０２０への燐光体４２０の移送を向上させ、部分的または完全に、硬化前に、燐光体４２０を脱気するために使用され得る。プロセスは、射出造形、トランスファー成形、圧縮成形、ケーシング等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。圧縮成形は、Ｔｏｗａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製ＦＦＴ−１０３等の機器を使用して実施され得る。いくつかの実施形態では、型１０３０は、平坦であり、すなわち、複数のＬＥＥ２１０が嵌め入る１つのみのくぼみ４２０を効果的に含む。一実施形態では、図１０Ｂの構造は、ひっくり返され、燐光体４２０が、基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って形成されるように、基部４１０が、下に来て、型１０３０が、上に来て、ＬＥＥ２１０を覆って、型１０３０の上部部分１０３１が、形成され、本実施例の一実施形態では、型１０３０は、平坦表面である。例えば、図４Ｂの構造は、燐光体４２０で充填または過充填され得、その後、型上部またはカバー１０３１が、図１０Ｄに示されるように、適用される。型１０３０の形状は、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、型１０３０は、任意の形状を有する。いくつかの実施形態では、基部４１０および型１０３０は両方とも、隆起した障壁または側壁を有する。本明細書に論じられるように、燐光体２３０の外側表面の全部または一部におけるパターン、粗度、またはテクスチャは、それらの特徴を型の表面の全部または一部の表面中に導入することによって、形成され得る。いくつかの実施形態では、基部４１０上の異なるＬＥＥ２１０は、その周囲に形成される、異なるように造形された燐光体を有する。
図１０Ａ−１０Ｃは、本発明の種々の実施形態による、白色ダイ２００を製作するための別の技法を描写する。そのような実施形態では、ＬＥＥ２１０は、型基板または一時的キャリア４１０に取り着けられ、接点は、一時的キャリア４１０に隣接する。型１０３０はその中に、ＬＥＥ２１０が挿入されるか、または部分的に、挿入されるであろう、あるいはそれを覆って、またはその下方に、ＬＥＥ２１０が吊るされるであろう（例えば、区画を分離する障壁が、完全に閉鎖された区画を形成するように十分に深くまで延びていない場合）、１つ以上の区画、くぼみ、またはウェル１０２０を含むか、またはそれから本質的に成る。別の実施形態では、ウェル１０２０は、開放型（図４Ｂに示されるもの等）内への型板の挿入によって形成される。ウェル１０２０は、例えば、分配、ドクターブレード方法、ステンシル印刷、または他の手段によって、燐光体４２０で充填または部分的に充填される。ウェル１０２０内に燐光体４２０を形成後、一時的キャリアまたは基部４１０は、ＬＥＥ２１０が、図１０Ｂに示されるように、完全または部分的に、燐光体４２０内に浸漬されるように、型１０３０と嵌合される。接点２２０は、一時的キャリア４１０に接着され、燐光体４２０が、接点２２０の少なくとも一部を被覆することを防止する。一実施形態では、燐光体４２０は、型１０３０が基部４１０と嵌合された後、ウェル１０２０内に導入または注入される。本実施形態の一側面では、部分的真空が、全ウェル１０２０への燐光体４２０の移送を向上させ、部分的または完全に、硬化前に、燐光体４２０を脱気するために使用され得る。プロセスは、射出造形、トランスファー成形、圧縮成形、ケーシング等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。圧縮成形は、Ｔｏｗａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製ＦＦＴ−１０３等の機器を使用して実施され得る。いくつかの実施形態では、型１０３０は、平坦であり、すなわち、複数のＬＥＥ２１０が嵌め入る１つのみのくぼみ４２０を効果的に含む。一実施形態では、図１０Ｂの構造は、ひっくり返され、燐光体４２０が、基部４１０およびＬＥＥ２１０を覆って形成されるように、基部４１０が、下に来て、型１０３０が、上に来て、ＬＥＥ２１０を覆って、型１０３０の上部部分１０３１が、形成され、本実施例の一実施形態では、型１０３０は、平坦表面である。例えば、図４Ｂの構造は、燐光体４２０で充填または過充填され得、その後、型上部またはカバー１０３１が、図１０Ｄに示されるように、適用される。型１０３０の形状は、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、型１０３０は、任意の形状を有する。いくつかの実施形態では、基部４１０および型１０３０は両方とも、隆起した障壁または側壁を有する。本明細書に論じられるように、燐光体２３０の外側表面の全部または一部におけるパターン、粗度、またはテクスチャは、それらの特徴を型の表面の全部または一部の表面中に導入することによって、形成され得る。いくつかの実施形態では、基部４１０上の異なるＬＥＥ２１０は、その周囲に形成される、異なるように造形された燐光体を有する。
いくつかの実施形態では、型１０３０の全部または一部は、離型材料によって被覆される。いくつかの実施形態では、離型材料は、離型膜である。いくつかの実施形態では、離型材料または離型膜は、パターン化、粗面化、またはテクスチャ処理され、例えば、燐光体２３０の外側表面の全部または一部に、類似特徴を与え得る。いくつかの実施形態では、離型材料または離型膜は、平滑または実質的に平滑であり得る。
燐光体４２０の硬化および型１０３０からの除去後、構造は、図１０Ｃに示されるようなものである。図１０Ｃは、燐光体２３０が、ＬＥＥ２１０の側面および底部を被覆しており、ＬＥＥ２１０の接点２２０が、一時的キャリア４１０に接着され、燐光体２３０で被覆されていない、白色ダイ２００を示す。明確にするために、図１０Ａ−１０Ｃ、図１１において、ダイおよび接触浮き上りの詳細は描かれていない。一実施形態では、一時的キャリア４１０は、前述のように、テープまたは膜を含むか、あるいはそれから本質的に成り、そこから、白色ダイ２００は、照明または他のシステム内に配置するために抜き取られ得る。ＬＥＥ２１０の縁または側面の周囲の燐光体２３０の幅２５０（図２Ａ）は、ＬＥＥ２１０のサイズに対して、くぼみ１０２０の幅１０４０を制御することによって制御され得る。一実施形態では、ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体２３０の厚さは、ＬＥＥ２１０の幅１０４０と幅１０６０との間の差異の半分によって近似的に求められる。（ＬＥＥ２１０の幅１０６０は、全寸法において一定でなくてもよい。）一実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０（図２Ａ）の厚さ２６０は、ＬＥＥ２１０の厚さに対して、くぼみ１０２０の深度１０５０を制御することによって制御され得る。一実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０（図２Ａ）の厚さ２６０は、成形プロセスの種々の動作パラメータ、例えば、燐光体成形ステップの間の存在する燐光体の量によって制御され得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体２３０（図２Ａ）の厚さ２６０は、２つ以上の要因によって制御される。一実施形態では、厚さ２６０は、近似的に、ウェル１０２０の深度１０５０から、基部４１０（図４Ｂ）の上方のＬＥＥ２１０の高さ４４５を引いたものである。いくつかの実施形態では、複数のＬＥＥ２１０が、各くぼみ内に形成される場合、または型１０３０が、１つのみのくぼみを有する場合、白色ダイ２００は、複数のＬＥＥ２１０を含み得るか、あるいは白色ダイ２００は、燐光体２３０の個片化によって形成され得る。言い換えると、図４Ｃに示される構造はまた、成形プロセスによって産生され得る。
いくつかの実施形態では、過剰燐光体４２０は、基部４１０と型１０３０との間の型の外側、例えば、くぼみ１０２０の外側の領域内に絞り出され得る。本実施例の一実施形態では、型の１つ以上の部分は、図１１に示されるように、嵌合プロセスの間、燐光体４２０のための溢流路を提供する、１つ以上の開口部または貫通孔１１００を有する。燐光体４２０は、前述のように、ウェル１０２０内に形成される。基部４１０および型１０３０が嵌合されるとき、孔１１００は、過剰燐光体４２０が逃散するための経路を提供し、それによって、過剰燐光体を型の側面に絞り出すことなく、完全または実質的に、燐光体で満杯のウェル１０２０を伴う白色ダイ２１０の製造を可能にする。いくつかの実施形態では、これは、燐光体２３０の厚さの改良された制御ならびにより再現性のある製造プロセスを提供する。本アプローチは、他の実施形態に、例えば、図１０Ｄに示されるもの、または燐光体４２０が、基部４１０および型１０３０の嵌合後、型内に形成される構成に適用され得る。前述のように、燐光体厚さ２６０および２７０の制御は、均一光学特性の維持に非常に重要であり得る。ここで論じられる配列では、燐光体厚は、燐光体４２０をウェル１０２０内に分配または形成するためのプロセスパラメータから独立したウェル１０２０の寸法によって制御され得る。本実施形態では、少量の過剰燐光体４２０が、ウェル１０２０内に形成され、基部４１０が、型１０３０と接触されると、過剰燐光体４２０は、孔１１００内に移動し得る。テープ４１０および型１０３０の嵌合後、燐光体４２０は、ＬＥＥ２１０を形成するように硬化され得、それを覆う燐光体の量は、形成または分配パラメータによってではなく、構造の幾何学形状によって制御される。一実施形態では、基部４１０および型１１３０は、硬化動作の全部または一部の間、真空あるいは圧力によって一緒に保持される。いくつかの実施形態では、燐光体４２０は、孔１１００を通して型内に注入される。
図１０Ｃは、任意の追加の個片化プロセスを伴わずに、成形プロセス後、完全に分離されるような白色ダイ２００を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイ２００は、図１２Ｆを参照して本明細書に論じられるように、成形プロセスの結果、燐光体２３０の薄いウェブによって、一緒に接続され得る。いくつかの実施形態では、ウェブは、約５μｍ〜約２００μｍの範囲内の厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００は、以下に論じられるように造形されるが、成形後、接続され、後続個片化プロセスを要求し得る。
（実施例６）
実施例６は、実施例５に非常に類似するが、型１０３０内のウェル１０２０が、いかなる任意の形状も有するように修正され得ることが異なる。そのような造形は、例えば、光抽出を改善するために行なわれ得る。図１２Ａ−１２Ｄは、造形された型を用いて製作され得る、白色ダイ２００のいくつかの実施形態を描写する。図１２Ａの構造は、平坦な上部と、ＬＥＥ２１０の中心を覆うより減少された、ＬＥＥ２１０の角を覆う燐光体の量を有している。図１２Ｂの構造は、非平滑であり、例えば、テクスチャ処理、粗面化、またはパターン化された表面１２１０を有する。一実施形態では、非平滑表面１２１０は、燐光体２３０内の全内部反射（ＴＩＲ）を減少させ、改良された光抽出を達成する。一実施形態では、表面１２１０は、周期的構造を有し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、構造は、ランダムであり得る。一実施形態では、表面１２１０は、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲内の寸法を有する光抽出特徴（例えば、隆起した凸凹および／またはくぼみ）を含み得る。一実施形態では、光抽出特徴は、半球または錐体形状であり得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、光抽出特徴は、任意の形状を有し得る。一実施形態では、光抽出特徴は、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲内の平均粗度を伴う、ランダムなテクスチャまたは粗度である。図１２Ｃの構造では、燐光体は、丸い形状に造形される。そのような丸い形状は、半球、放物体、フレネル光学、または任意の他の形状であり得る。図１２Ｄの構造は、上部表面上に形成される、光結晶１２２０を有する。一実施形態では、光結晶１２２０は、特定の方向に、例えば、白色ダイ２００の面に垂直に、白色ダイ２００から出射する光の強度を増加させる。他の実施形態では、光結晶は、白色ダイ２００の任意の表面の全部または一部上に形成される。図１２Ｅは、ＬＥＥ２１０を覆って連続的造形された形状を有する、白色ウエハの一部を示す。いくつかの実施形態では、図１２Ｅに示される構造は、図１２Ｆに示される構造よりも、単位面積あたり比較的多くの白色ダイ２００を産生し得、これは、製造コストの視点から有益であり得る。いくつかの実施形態では、図１２Ｅの構造は、例えば、個々の白色ダイ２００を形成するための接合線１２３０において、個片化される。図１２Ｆに示されるように、造形された燐光体２３０は、薄い領域１２５０によって接続され得る。いくつかの実施形態では、領域１２５０は、有利には、例えば、領域１２５０の厚さおよび／または側方範囲を最小化することによって、未使用燐光体の消費を低減させるように最小限にされ得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、領域１２５０は、本明細書に説明されるように、任意の形状またはサイズを有し得るか、あるいは無いこともある。
実施例６は、実施例５に非常に類似するが、型１０３０内のウェル１０２０が、いかなる任意の形状も有するように修正され得ることが異なる。そのような造形は、例えば、光抽出を改善するために行なわれ得る。図１２Ａ−１２Ｄは、造形された型を用いて製作され得る、白色ダイ２００のいくつかの実施形態を描写する。図１２Ａの構造は、平坦な上部と、ＬＥＥ２１０の中心を覆うより減少された、ＬＥＥ２１０の角を覆う燐光体の量を有している。図１２Ｂの構造は、非平滑であり、例えば、テクスチャ処理、粗面化、またはパターン化された表面１２１０を有する。一実施形態では、非平滑表面１２１０は、燐光体２３０内の全内部反射（ＴＩＲ）を減少させ、改良された光抽出を達成する。一実施形態では、表面１２１０は、周期的構造を有し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、構造は、ランダムであり得る。一実施形態では、表面１２１０は、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲内の寸法を有する光抽出特徴（例えば、隆起した凸凹および／またはくぼみ）を含み得る。一実施形態では、光抽出特徴は、半球または錐体形状であり得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、光抽出特徴は、任意の形状を有し得る。一実施形態では、光抽出特徴は、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲内の平均粗度を伴う、ランダムなテクスチャまたは粗度である。図１２Ｃの構造では、燐光体は、丸い形状に造形される。そのような丸い形状は、半球、放物体、フレネル光学、または任意の他の形状であり得る。図１２Ｄの構造は、上部表面上に形成される、光結晶１２２０を有する。一実施形態では、光結晶１２２０は、特定の方向に、例えば、白色ダイ２００の面に垂直に、白色ダイ２００から出射する光の強度を増加させる。他の実施形態では、光結晶は、白色ダイ２００の任意の表面の全部または一部上に形成される。図１２Ｅは、ＬＥＥ２１０を覆って連続的造形された形状を有する、白色ウエハの一部を示す。いくつかの実施形態では、図１２Ｅに示される構造は、図１２Ｆに示される構造よりも、単位面積あたり比較的多くの白色ダイ２００を産生し得、これは、製造コストの視点から有益であり得る。いくつかの実施形態では、図１２Ｅの構造は、例えば、個々の白色ダイ２００を形成するための接合線１２３０において、個片化される。図１２Ｆに示されるように、造形された燐光体２３０は、薄い領域１２５０によって接続され得る。いくつかの実施形態では、領域１２５０は、有利には、例えば、領域１２５０の厚さおよび／または側方範囲を最小化することによって、未使用燐光体の消費を低減させるように最小限にされ得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、領域１２５０は、本明細書に説明されるように、任意の形状またはサイズを有し得るか、あるいは無いこともある。
一実施形態では、燐光体は、図２Ａに示されるように、白色ダイ、または図４Ｃに示されるように、白色ダイウエハを形成し、次いで、燐光体の１つ以上の部分を除去し、開始形状と異なる形状を産生することによって、造形され得る。燐光体の１つ以上の部分の除去は、種々の手段、例えば、ナイフ切断、ダイシング、レーザ切断、型抜き等を使用して達成され得る。
（実施例７）
本発明の本実施形態では、プロセスは、前述のように、基部４１０を提供することから開始する。一実施形態では、基部４１０は、膜またはテープを含むか、あるいはそれから本質的に成る。一実施形態では、基部４１０は、接着剤テープ、例えば、接着剤テープを含むか、またはそれから本質的に成り、接着剤は、例えば、熱剥離接着剤、ＵＶ剥離接着剤、水溶性接着剤等である。ＬＥＥ２１０は、次いで、図１３Ａに示されるように、基部４１０上またはそれを覆って形成あるいは配置される。本実施例では、接点２２０が基部４１０上に配置された前述の実施定とは対照的に、ＬＥＥ２１０は、接点２２０が、表向き、すなわち、基部４１０に隣接しないように配置される。
本発明の本実施形態では、プロセスは、前述のように、基部４１０を提供することから開始する。一実施形態では、基部４１０は、膜またはテープを含むか、あるいはそれから本質的に成る。一実施形態では、基部４１０は、接着剤テープ、例えば、接着剤テープを含むか、またはそれから本質的に成り、接着剤は、例えば、熱剥離接着剤、ＵＶ剥離接着剤、水溶性接着剤等である。ＬＥＥ２１０は、次いで、図１３Ａに示されるように、基部４１０上またはそれを覆って形成あるいは配置される。本実施例では、接点２２０が基部４１０上に配置された前述の実施定とは対照的に、ＬＥＥ２１０は、接点２２０が、表向き、すなわち、基部４１０に隣接しないように配置される。
図１３Ｂは、製造の後の段階における、図１３Ａの構造を示す。ＬＥＥ２１０を基部４１０上に配置後、燐光体４２０は、前述のように、提供され、ＬＥＥ２１０および基部４１０を覆って形成される。図１３Ｂに示されるように、燐光体レベルは、ＬＥＥ２１０の表面１３１０と同一平面または実質的に同一平面であり、接点２２０は露出されたままにする。他の実施形態では、燐光体レベルは、所望の接点および／またはダイ浮き上りを達成するように制御され得る。燐光体４２０は、種々の技法、例えば、分配、鋳込、注入、成形等によって形成され得る。ＬＥＥ２１０および基部４１０を覆う燐光体４２０の形成の方法は、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、基部４１０は、燐光体４２０が基部４１０を覆って形成されるとき、ＬＥＥ２１０の表面１３１０が水平であり、表面１３１０と表面４６０とが、平行または実質的に平行であり、燐光体４２０の面積の全部または大部分にわたって、均一または実質的に均一な厚さを有する燐光体４２０の薄層を形成するように位置決めされる。いくつかの実施形態では、燐光体４２０の形成は、燐光体４２０の均一層を達成するために、メーヤバーまたはドローバーを使用して達成される。しかしながら、そのように形成されるが、本発明の一側面では、水平な型および重力が、自動的に、均一または実質的に均一な厚さを伴う燐光体層４２０を産生するために使用される。本発明の他の側面では、均一または実質的に均一な厚さは、前述のように、成形プロセスを通して達成される。一実施形態では、燐光体４２０の厚さ均一性は、約±１５％以内、約±１０％以内、約±５％以内、または約±１％以内である。一実施形態では、燐光体４２０は、約１μｍ〜約２０００μｍの範囲内の厚さを有する。しかしながら、燐光体４２０の厚さは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体４２０は、より薄いかまたはより厚い。
図１３Ｂに示されるように、一実施形態では、燐光体４２０の表面１３２０は、ＬＥＥ２１０の表面１３１０と同一平面または実質的に同一平面である。本実施例では、燐光体４２０は、ＬＥＥ２１０の側壁の全部または実質的全部を被覆する。一実施形態では、燐光体４２０は、そのような高さまで、基部４１０上に形成される。別の実施形態では、燐光体４２０は、ＬＥＥ２１０の上部表面１３１０を覆って形成され、燐光体４２０（または、硬化後の燐光体２３０）の一部は、続いて、除去され、接点２２０に対して電気アクセスを提供する。別の実施形態では、燐光体４２０は、ＬＥＥ２１０の上部表面１３１０の下方に形成され、例えば、正のダイ浮き上りを達成する。一実施形態では、ダイ浮き上りの量は、ＬＥＥ２１０の上部表面１３１０に対する燐光体４２０の高さを変動させることによって制御され得る。
燐光体４２０は、次いで、硬化されるか、または部分的に、硬化され、硬化された燐光体は、硬化された燐光体２３０として識別される。硬化は、前述のように、加熱、種々の源の放射への露出、例えば、可視、ＵＶおよび／またはＩＲ光、あるいは化学硬化を含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、燐光体４２０は、ＵＶまたは他の放射によって硬化され、基部４１０は、そのような放射に対して透明である。
一実施形態では、燐光体４２０は、光硬化型結合剤を含むか、またはそれから本質的に成る。本実施形態では、燐光体４２０は、最初に、図１３Ｃに示されるように、ＬＥＥ２１０を上回る高さまで形成される。光に対して透明または部分的に透明である、ＬＥＥ２１０の裏面（ＬＥＥ２１０が取り着けられる側と反対側）を通した光（照射）への燐光体４２０の露出は、接点２２０を覆う部分を除き、燐光体４２０を硬化させるであろう（接点２２０は、図１３Ｄに示されるように、そのような照射に不透明または実質的に不透明である）。硬化されていない燐光体４２０は、次いで、除去され、図１３Ｅに示されるように、電気結合するために、接点２２０へのアクセスを提供し得る。硬化された燐光体２３０は、次いで、不透明または実質的不透明接点２２０を除き、ＬＥＥ２１０の全部を被覆する。接点２２０の外側のＬＥＥ２１０の表面が、照射に対して不透明または部分的不透明の材料、例えば、鏡または他の反射材料で被覆または部分的に被覆される場合、不透明または部分的不透明領域の上方に位置する、燐光体４２０は、光にさらされず、同様に、除去されるであろう。
図１３Ｂまたは１３Ｅに示される構造は、プロセスにおいて、この時点で使用されるか、またはこの時点において、個片化されて使用され得る。しかしながら、これらの構造は、典型的には、接点面と反対の面が燐光体で被覆されていない。これは、望ましくないことに、スペクトル中に高青色放出、および／または総放出光の損失、したがって、効率の低下をもたらし得る。いくつかの方法が、燐光体内により完全に封入された白色ダイを形成するために使用され得る。好ましい実施形態では、図１３Ｂまたは１３Ｅに示される構造は、接点２２０が、図１３Ｆに示されるように、第２の基部１３３０に隣接するように、例えば、前述の移転方法を使用して、第２の基部１３３０に移転される。
いくつかの実施形態では、第２の基部１３３０は、基部４１０と同様または同一である。この移転プロセス後、燐光体４２０’の１つ以上の追加の層が、図１３Ｇに示されるように、図１３Ｆに示される構造を覆って形成され得る。燐光体４２０は、次いで、硬化され、ダイは、前述のように、分離され、図１４Ａに示されるように、白色ダイ１４１０をもたらし得る。白色ダイ１４１０は、図２Ａに示される白色ダイ２００に類似するが、封入燐光体が、白色ダイ１４１０のために、少なくとも２つのステップにおいて形成される一方、１つのみのステップが、白色ダイ２００の燐光体形成のために要求され得ることが異なる。図１４Ａは、燐光体２３０（硬化された燐光体）の両方の部分が同一である、白色ダイ１４１０の実施例を示す一方、図１４Ｂは、燐光体２３０が燐光体２３０’と異なる、白色ダイ１４１０’の実施例を示す。図１４Ａおよび１４Ｂにおける白色ダイ１４１０および１４１０’は、燐光体２３０（または、２３０’）の２つの部分を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体４３０は、３つ以上の部分または層から成り得る。
図１４Ｃは、図１４Ａおよび１４Ｂに示されるものに類似する構造を示すが、この場合、燐光体４３０の表面１３２０は、ＬＥＥ２１０の底部表面の上方にあり、正のダイ浮き上り９６０をもたらす。
（実施例８）
本実施例では、白色ダイ１５１０は、図１５Ｅに示されるように、複数の共形、実質的に共形または半共形燐光体コーティングを含む。白色ダイ１５１０を作製するためのプロセスは、図１５Ａに示される構造から開始し、基部４１０と、基部４１０の上に搭載されたＬＥＥ２１０とを特徴とし、接点２２０は、基部４１０に隣接する。図１５Ｂにおいて障壁１５２０として識別されたステンシル、型、型板、障壁、または他の構造が、次いで、ＬＥＥ２１０間で基部４１０の上に形成される。燐光体４２０が、次いで、図１５Ｂに示されるように、障壁１５２０間の領域内に形成される。燐光体４２０は、次いで、硬化または部分的に硬化され、障壁１５２０が除去され（燐光体４２０の部分的または完全硬化後）、図１５Ｃに示される構造を残す。図１５Ｃにおける構造の各々は、基本的に、白色ダイ２１０であるが、前述のものと異なるプロセスで製造されている。別の実施形態では、図１５Ｃの構造は、他の方法において、例えば、図４Ｃに示されるものに類似する構造から開始し、ＬＥＥ２１０間の燐光体２３０の一部を除去することによって形成される。燐光体２３０の除去は、種々の技法、例えば、切断、レーザアブレーション、レーザ切断、エッチング、サンドブラスティング等によって行なわれ得る。燐光体２３０の除去の方法は、本発明の限定ではない。
本実施例では、白色ダイ１５１０は、図１５Ｅに示されるように、複数の共形、実質的に共形または半共形燐光体コーティングを含む。白色ダイ１５１０を作製するためのプロセスは、図１５Ａに示される構造から開始し、基部４１０と、基部４１０の上に搭載されたＬＥＥ２１０とを特徴とし、接点２２０は、基部４１０に隣接する。図１５Ｂにおいて障壁１５２０として識別されたステンシル、型、型板、障壁、または他の構造が、次いで、ＬＥＥ２１０間で基部４１０の上に形成される。燐光体４２０が、次いで、図１５Ｂに示されるように、障壁１５２０間の領域内に形成される。燐光体４２０は、次いで、硬化または部分的に硬化され、障壁１５２０が除去され（燐光体４２０の部分的または完全硬化後）、図１５Ｃに示される構造を残す。図１５Ｃにおける構造の各々は、基本的に、白色ダイ２１０であるが、前述のものと異なるプロセスで製造されている。別の実施形態では、図１５Ｃの構造は、他の方法において、例えば、図４Ｃに示されるものに類似する構造から開始し、ＬＥＥ２１０間の燐光体２３０の一部を除去することによって形成される。燐光体２３０の除去は、種々の技法、例えば、切断、レーザアブレーション、レーザ切断、エッチング、サンドブラスティング等によって行なわれ得る。燐光体２３０の除去の方法は、本発明の限定ではない。
図１５Ｄは、製造の随意の後の段階における、図１５Ｃの構造を示す。図１５Ｄでは、燐光体２３０’が、図１５Ｃの構造を覆って形成されている。いくつかの実施形態では、燐光体２３０’は、燐光体４２０または燐光体２２０と同一である一方、他の実施形態では、燐光体２３０’は、燐光体４２０または燐光体２２０と異なる。燐光体２３０’は、次いで、硬化または部分的に硬化され、硬化された燐光体２３０’を形成し、図１５Ｄの構造をもたらす。図１５Ｅは、白色ダイ１５１０が、燐光体２３０’の分離によって形成される、製造の後の段階における、図１５Ｄの構造を示す。図１５Ｅは、燐光体２３０および２３０’の２つの層またはレベルを示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、３つ以上の層またはレベルの燐光体が、利用される。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０に最も近い燐光体の層は、透明結合剤を含むか、またはそれから本質的に成り、燐光体を含まない。図１５Ｅは、ＬＥＥ２１０の周囲に実質的に同一の共形形状を有する、燐光体の各層またはレベルを示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、各燐光体層またはレベルの形状は、例えば、図１２Ａ-１２Ｄに示されるように、異なる。いくつかの実施形態では、燐光体の異なる層は、異なる目的を果たし、例えば、ＬＥＥ２１０および／または燐光体２３０からの光抽出を改善するか、あるいはＬＥＥ２１０からの光を異なる波長に変換する。
図１５Ａ−１５Ｅは、複数の燐光体コーティングの実施例を示すが、長方形固体体積を有する、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、複数の造形されたコーティングが、図１５Ｆに示されるように、形成され得る。図１５Ａ−１５Ｅは、複数の共形燐光体コーティング（すなわち、各コーティングは、その下方の前のコーティングの形状を有する）の実施例を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、種々のコーティングは、図１５Ｇに示されるように、共形ではない。
（実施例９）
本実施例は、図−４Ｄを参照して論じられるものに類似するプロセスを使用する。しかしながら、本実施例では、白色ダイ２００あたり１つのＬＥＥ２１０の代わりに、本実施形態は、各白色ダイ２００内に複数のＬＥＥ２１０を特徴とする。図１６Ａ−１６Ｃは、白色ダイ１６１０のいくつかの実施例を示し、それぞれ、複数のＬＥＥ２１０を特徴とする。図１６Ａは、５つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの断面図を示す。図１６Ｂは、３×３アレイとして、９つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの平面図を示す。図１６Ｃは、１×４アレイとして、４つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの平面図を示す。図１６Ａ−１６Ｃにおける実施例は、長方形白色ダイを示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイは、正方形、三角形、六方晶、丸形、または任意の他の形状である。図１６Ａ−１６Ｃにおける実施例は、規則的周期的アレイにおけるＬＥＥ２１０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、任意の方式において、配列または間隔を置かれる。
本実施例は、図−４Ｄを参照して論じられるものに類似するプロセスを使用する。しかしながら、本実施例では、白色ダイ２００あたり１つのＬＥＥ２１０の代わりに、本実施形態は、各白色ダイ２００内に複数のＬＥＥ２１０を特徴とする。図１６Ａ−１６Ｃは、白色ダイ１６１０のいくつかの実施例を示し、それぞれ、複数のＬＥＥ２１０を特徴とする。図１６Ａは、５つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの断面図を示す。図１６Ｂは、３×３アレイとして、９つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの平面図を示す。図１６Ｃは、１×４アレイとして、４つのＬＥＥ２１０を備えている多ＬＥＥ白色ダイの平面図を示す。図１６Ａ−１６Ｃにおける実施例は、長方形白色ダイを示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイは、正方形、三角形、六方晶、丸形、または任意の他の形状である。図１６Ａ−１６Ｃにおける実施例は、規則的周期的アレイにおけるＬＥＥ２１０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、任意の方式において、配列または間隔を置かれる。
（実施例１０）
図１７Ａおよび１７Ｂは、本発明の実施形態において使用するための例示的ＬＥＥ１７００を描写する。図１７Ａは、断面図を示す一方、図１７Ｂは、ＬＥＥ１７００の上部平面図を示す。ＬＥＥ１７００は、典型的には、それを覆って配置される１つ以上の半導体層を伴う、基板１７１０を含む。本例示的実施形態では、ＬＥＥ１７００は、ＬＥＤまたはレーザ等の発光素子を表すが、本発明の他の実施形態は、異なるまたは追加の機能性、例えば、プロセッサ、センサ、光起電太陽電池、検出器等を伴う、１つ以上の半導体ダイを特徴とする。非ＬＥＤダイが、本明細書に説明されるように接合され得るか、またはそうでなくてもよく、ＬＥＤのものと異なる接点幾何学形状を有し得る。図１７Ａおよび１７Ｂは、非同一平面接点１７６０および１７７０を有するＬＥＥ１７００を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ１７００は、図１７Ｃに示されるように、同一平面または実質的に同一平面接点を有し得る（図１７Ｃでは、種々の層を接触させる内部構造は、明確にするために、示されていない）。
図１７Ａおよび１７Ｂは、本発明の実施形態において使用するための例示的ＬＥＥ１７００を描写する。図１７Ａは、断面図を示す一方、図１７Ｂは、ＬＥＥ１７００の上部平面図を示す。ＬＥＥ１７００は、典型的には、それを覆って配置される１つ以上の半導体層を伴う、基板１７１０を含む。本例示的実施形態では、ＬＥＥ１７００は、ＬＥＤまたはレーザ等の発光素子を表すが、本発明の他の実施形態は、異なるまたは追加の機能性、例えば、プロセッサ、センサ、光起電太陽電池、検出器等を伴う、１つ以上の半導体ダイを特徴とする。非ＬＥＤダイが、本明細書に説明されるように接合され得るか、またはそうでなくてもよく、ＬＥＤのものと異なる接点幾何学形状を有し得る。図１７Ａおよび１７Ｂは、非同一平面接点１７６０および１７７０を有するＬＥＥ１７００を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ＬＥＥ１７００は、図１７Ｃに示されるように、同一平面または実質的に同一平面接点を有し得る（図１７Ｃでは、種々の層を接触させる内部構造は、明確にするために、示されていない）。
基板１７１０は、１つ以上の半導体材料、例えば、シリコン、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮを含むか、またはそれから本質的に成り得、ドープされ得るか、あるいは実質的にドープされなくてもよい（例えば、意図的にドープされない）。いくつかの実施形態では、基板１７１０は、サファイアまたは炭化ケイ素を含むか、あるいはそれから本質的に成る。基板１７１０は、ＬＥＥ１７００によって放出される光の波長に対して実質的に透明であり得る。発光素子に対して示されるように、ＬＥＥ１７００は、第１および第２のドープ層１７２０、１７４０を含み得、好ましくは、反対極性でドープされる（すなわち、一方は、ｎ−型ドープであって、他方は、ｐ−型ドープである）。１つ以上の発光層１７３０、例えば、１つ以上の量子井戸が、層１７２０、１７４０間に配置され得る。層１７２０、１７３０、１７４０の各々は、１つ以上の半導体材料、例えば、シリコン、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、Ｇａｓｂ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、および／またはそれらの混合物ならびに合金（例えば、三元または四元等の合金）を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。好ましい実施形態では、ＬＥＥ１７００は、ポリマーまたは有機ではなく、無機素子である。いくつかの実施形態では、基板１７１０の実質的に全部または一部は、以下に説明されるように、燐光体の形成に先立って除去される。そのような除去は、例えば、化学エッチング、レーザリフトオフ、剥離、機械的研削および／または化学−機械的研磨等によって行なわれ得る。いくつかの実施形態では、基板１７１０の全部または一部は、除去され得、第２の基板、例えば、ＬＥＥ１７００によって放出される光の波長に対して透明であるか、またはそれを反射するものが、以下に説明されるように、燐光体の形成に先立って、基板１７１０または半導体層１７２０に取り着けられる。いくつかの実施形態では、基板１７１０は、シリコンを備え、シリコン基板１７１０の全部または一部は、以下に説明されるように、燐光体形成に先立って、除去され得る。そのような除去は、例えば、化学エッチング、レーザリフトオフ、機械的研削および／または化学機械的研磨等によって行なわれ得る。いくつかの実施形態では、基板１７１０は、素子、例えば、層１７２０、１７３０、および１７４０の活性層の成長のための型板として使用される。いくつかの実施形態では、使用時、基板１７１０は、機械的支持を提供するが、電気または光学機能を提供せず、除去され得る。いくつかの実施形態では、白色ダイのための形成プロセスの間の基板１７１０の除去は、電気機能性を提供しない（例えば、光の放出または検出に寄与しない）、基板１７１０の全部または一部の除去を含む。
図１７Ａおよび１７Ｂに示されるように、いくつかの実施形態では、ＬＥＥ１７００は、層１７２０の一部がＬＥＥ１７００の同一の側面上の層１７２０および層１７４０への電気接点を促進するために（および、例えば、基板１７１０を通して層１７２０への接点を作製する必要なく、または層１７４０を覆う接点パッドを層１７２０に電気的に接続する分路とともに、接点を層１７２０に作製する必要なく）露出されるように、パターン化およびエッチングされる（例えば、従来のフォトリソグラフィおよびエッチングプロセスを介して）。層１７３０、１７４０の１つ以上の部分は、層１７２０の一部を露出させるために除去され（または、形成されない）、したがって、図１７Ａは、非平面であり、すなわち、互に非同一平面の露出された部分を含む、ＬＥＥ１７００の表面１７２５を描写する。表面１７２５は、存在しない層の部分から生じる任意の輪郭またはトポグラフィを含む、ＬＥＥ１７００の外側表面に対応する。ＬＥＥ１７００に対する電気接点を促進するために、個別の電気接点１７６０、１７７０は、それぞれ、層１７４０、１７２０上に形成される。電気接点１７６０、１７７０の各々は、好適な伝導性材料、例えば、１つ以上の金属または金属合金導電性酸化物、あるいは他の好適な伝導性材料を含み、同一平面であるか、または非同一平面である（特に、略等しい厚さを有するときの実施形態では）。いくつかの実施形態では、表面１７２５は、平面または実質的に平面である。いくつかの実施形態では、電気接点１７６０および１７７０の上部表面は、同一平面または実質的に同一平面である。図１７Ａおよび１７Ｂに示される構造は、例証目的のためのものである。ＬＥＥ２１０またはＬＥＥ１７００のための種々の設計が存在し、ＬＥＥ２１０またはＬＥＥ１７００の具体的設計は、本発明の限定ではない。例えば、いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０またはＬＥＥ１７００は、異なる造形された接点、異なる面積接点、半導体材料に接触するための異なるアプローチ等を有し得る。
いくつかの実施形態では、ＬＥＥ１７００は、正方形形状を有する一方、他の実施形態では、ＬＥＥ１７００は、長方形形状を有する。しかしながら、形状および縦横比は、本発明に重要ではなく、ＬＥＥ１７００は、任意の所望の形状を有し得る。種々の実施形態では、１つの寸法（例えば、直径または辺長）における接点１７６０、１７７０の一方または両方の範囲は、約１００μｍ未満、約７０μｍ未満、約３５μｍ未満、またはさらに約２０μｍ未満である。一実施形態では、接点１７６０、１７７０は、長方形であり、約１０μｍ〜約２５０μｍの範囲内の長さおよび約５μｍ〜約２５０μｍの範囲内の幅を有し得る。いくつかの実施形態では、接点１４６０、１４８０は、少なくとも２００μｍまたは少なくとも５００μｍである、１つの寸法を有する。他の実施形態では、接点１７６０、１７７０は、任意の形状またはサイズを有し、いくつかの実施形態では、ＬＥＥ１７００は、２つより多い接点を有する。接点の数、形状、および縦横比は、本発明に重要ではない。しかしながら、接点１７６０、１７７０は、任意の所望の数、形状、および／またはサイズを有し得る。いくつかの実施形態では、接点１７６０と１７７０との間の分離は、少なくとも５０μｍ、または少なくとも１００μｍ、または少なくとも２００μｍである。いくつかの実施形態では、接点１７６０と１７７０とは、ＬＥＥ１７００の幾何学形状内で可能な限り分離される。例えば、一実施形態では、接点１７６０と１７７０との間の分離は、ＬＥＥ１７００の長さの約７５％〜９０％超の範囲内であるが、しかしながら、接点間の分離は、本発明の限定ではない。
いくつかの実施形態において、接点１７６０、１７７０への電気接点が、例えば、ワイヤ接合、はんだ付け、超音波接合、サーモソニック接合等ではなく、伝導性接着剤の使用を介して促進される場合、接点１７６０、１７７０は、比較的に小さい幾何学的範囲を有し得る。なぜなら、接着剤が、ワイヤまたはボール接合（典型的には、側面上に約８０μｍの接合面積を要求する）と接続不可能なほど非常にわずかな面積を接触させるために利用され得るからである。ダイ取り着けの方法は、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、任意のダイ取り着け方法、例えば、はんだ、ワイヤ接合、はんだバンプ、スタッドバンプ、サーモソニック接合、超音波接合等が、使用され得る。いくつかの実施形態では、１つ以上の接点、例えば、接点１７６０および／または１７７０は、スタッドバンプまたははんだバンプを含み得る。
特に、ＬＥＥ１７００が、ＬＥＤまたはレーザ等の発光素子を含むか、またはそれから本質的に成る場合、接点１７６０、１７７０は、ＬＥＥ１７００によって放出される光の波長に対して反射性であり、放出された光を基板１７１０に向かって戻るように反射させ得る。いくつかの実施形態では、反射性接点１７６０は、層１７４０の一部または実質的に全部を被覆する一方、反射性接点１７７０は、層１７２０の一部または実質的に全部を被覆する。反射性接点に加え、またはその代わりに、反射体（明確にするために本図には図示せず）が、接点１７６０、１７７０の間の一部またはその一部の上方、ならびに層１７４０および１７２０の一部または実質的に全部を覆って、配置され得る。反射体は、ＬＥＥ１７００によって放出される光の少なくとも一部または全部の波長に反射性であり、種々の材料を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、反射体は、接点１７６０、１７７０に電気的に接続しないように、非伝導性である。一実施形態では、反射体は、ブラッグ反射体であり得る。一実施形態では、反射体は、１つ以上の伝導性材料、例えば、アルミニウム、銀、金、白金等の金属を含むか、またはそれから本質的に成り得る。反射体の代わりに、またはそれに加え、接点１７６０、１７７０を除く半導体ダイの露出された表面は、例えば、窒化ケイ素等の窒化物または二酸化ケイ素等の酸化物を含む絶縁材料の１つ以上の層でコーティングされ得る。いくつかの実施形態では、接点１７６０、１７７０は、回路基板または電力供給源等への接続のための接合部分と、ＬＥＥ１７００を通したより均一な電流を提供するための電流拡散部分とを含むか、もしくは本質的にそれから成り、いくつかの実施形態では、絶縁材料の１つ以上の層が、接点１７６０、１７７０の接合部分を除く、ＬＥＥ１７００の全部または一部を覆って形成される。絶縁材料１７５０は、例えば、ポリイミド、窒化ケイ素、酸化ケイ素、および／または二酸化ケイ素を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。そのような絶縁材料１７５０は、ＬＥＥ１７００の上部および側面の全部または一部、ならびに層１７２０、１７３０、および１７４０の上部および側面の全部または一部を被覆し得る。絶縁材料１７５０は、接点１７６０と１７７０との間、および、接点１７６０および１７７０が電気的に結合され得る導体間の短絡を防止するように作用し得る。
図１８は、前述のように、ＬＥＥ１７００を備えている、白色ダイ２００の一実施形態を示す。白色ダイ２００は、図１８に示されるように、本発明の種々の実施形態のいずれかに従って製造され得る。図１８に示されるように、ＬＥＥ１７００は、随意の反射層１８１０を含む。図１８に示される構造では、ダイおよび接点浮き上り値は、２つの異なる接点１７６０、１７７０に対して異なるが、両方の場合において、接点浮き上りは、正および非ゼロである。
有利には、本発明の実施形態は、制御された結合剤厚、ＬＥＥ２１０の周囲の結合剤中の燐光体粒子の均一性および分布（例えば、結合剤中の燐光体粒子の均一または実質的に均一な厚さおよび均一または実質的均一分布）、あるいは均一または規定された光学特性を達成するために操作された燐光体粒子の厚さおよび分布を有する白色ダイ２００を産生する。燐光体粒子の厚さおよび分布または装填は、光の色温度の均一性に大きな影響を及ぼし得る。複数のＬＥＥを伴うシステム、特に、数十から数千個のＬＥＥを伴うアレイでは、従来の燐光体統合技法を利用する場合、ＬＥＥの全部を覆ってそのような燐光体コーティングを達成することは困難であり、非均一光学特性をもたらし得る。図１９は、黒体軌跡１９１０と１つ以上のマクアダム楕円を表す楕円形１９２０とを伴う、ＣＩＥ色度図の概略図である。マクアダム楕円１９２０の長軸は、１９４０として標識される一方、短軸は、１９３０として標識される。マクアダム楕円は、色度図上の色の領域を表し、２第１ステップマクアダム楕円は、平均的ヒトの眼にとって、楕円形の中心における色と区別不可能である、楕円形の中心の周囲の色の範囲を表す。第１ステップマクアダム楕円の輪郭は、したがって、色度のほとんど目立たない差異を表す。
多ステップマクアダム楕円は、中心点の周囲のより大きな範囲の色を包含するように構築され得る。黒体軌跡は、一般に、マクアダム楕円の長軸と整列され、眼が、黒体線に垂直な差異（緑色／マゼンタ偏移に相当する）より、黒体線に沿った色差異（赤色／青色偏移に相当する）にあまり敏感ではないことを意味する。さらに、燐光体変換白色光源に関して、短軸方向１９３０における変動は、大部分が、ＬＥＥ（典型的には、ＬＥＤ）波長変動によって決定される一方、長軸方向１９４０における変動は、燐光体濃度および厚さによって主に決定され得る。色温度均一性がどの程度密接するはずであるか関して多くの提案が存在するが（マクアダム楕円または他の単位によって測定されるように）、より小さいステップ番号のマクアダム楕円（より小さい楕円形）内に包含される変動は、より大きいステップ番号のマクアダム楕円（より大きな楕円形）内に包含されるものより均一であることは明白である。例えば、第４ステップマクアダム楕円は、３２００Ｋを中心として、黒体軌跡に沿って約３００Ｋの色温度変動を包含する一方、第２ステップマクアダム楕円は、３２００Ｋを中心として、黒体軌跡に沿って約１５０Ｋの色温度変動を包含する。
白色ダイ２００における均一および／または制御あるいは操作された厚さならびに燐光体濃度の重要性は、図１９の色度図上のマクアダム楕円に関連して見られ得る。長軸長は、燐光体濃度および厚さによって主に決定されるため、これらのパラメータの変動は、マクアダム楕円の長軸の増加、したがって、色温度の変動の増加をもたらす。白色ダイ２００の一部として均一厚および組成燐光体の製作のための前述の方法は、色温度の変動の減少、したがって、燐光体変換ＬＥＥのアレイを特徴とする照明システム内、ならびにそのような照明システム間の両方において、より均一な色温度光源をもたす。ＬＥＥの大型のアレイを特徴とする、照明システム内の前述のＬＥＥの使用は、均一色温度を有する、多数の照明システムの製造を可能にする。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００は、約５００Ｋ未満、または約２５０Ｋ未満、または約１２５Ｋ未満、または約７５Ｋ未満の色温度の分布を有するように製造される。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００は、約４マクアダム楕円未満、または約２マクアダム楕円未満、または約１マクアダム楕円未満の色温度または色度の変動を有するように製造される。いくつかの実施形態では、そのような緊密分布は、１つの白色ウエハ内、または白色ウエハのバッチ内、または製造分布全体内において達成される。
本発明のいくつかの実施形態の製造の方法における１つのステップは、基部上のＬＥＥを覆って燐光体を分配、鋳造、鋳込み、または別様に形成することである。本発明の一実施形態では、形成される燐光体の量は、分配プロセスを制御することによって手動で制御される。例えば、燐光体は、ＬＥＥおよび基部を覆って鋳込みされ得る。しかしながら、本アプローチは、形成される燐光体の量の所望のレベルの制御を提供しない場合がある。種々の方法が、形成プロセスの制御および正確度を改善するために使用され得る。例えば、一実施形態では、型または障壁壁が、ＬＥＥの周囲に形成される。これは、型の面積と所望の燐光体の高さとによって画定されるある体積をもたらす。燐光体は、体積、例えば、目盛り付き注入器、ピペット、または他の体積分配システムから、体積単位で分配され、型面積内に燐光体の所望の体積を提供し得る。別の実施例では、型は、はかり上にあり得、燐光体は、燐光体のある重量が形成されるまで分配され得る。型体積は、燐光体密度とともに、所望の燐光体量または被覆率を達成するための燐光体の要求される重量を計算するために使用され得る。
別の実施形態では、型の高さは、形成される燐光体の所望の量に整合するように準備され、燐光体形成プロセスは、燐光体が、型の上部または型の側壁のある高さに到達すると停止され得る。そのようなプロセスは、手動でまたは自動的に、行なわれ得る。例えば、自動制御は、型の縁を視認し、燐光体が、型壁に対してある高さまたは型の上部表面に到達すると、燐光体充填プロセスを変調および／または停止させるカメラを使用して達成され得る。
一実施形態では、燐光体の厚さは、充填または分配プロセスの間、フィードバックによって制御される。一実施形態では、燐光体は、適切なポンプ源、例えば、ＬＥＤまたはレーザ等のＬＥＥおよび測定される結果として生じる白色光色温度（すなわち、燐光体または燐光体およびＬＥＥからの放出から）によって励起される。標的白色光色温度に到達すると、充填機構は、充填または分配プロセスを停止するように通知される。図２０は、そのような実施形態の実施例を示し、基部または型４１０、燐光体４２０のリザーバ２０４０、型４１０内の燐光体４２０、弁２０３０、ポンプ源２０１０、および検出器２０２０を特徴とする。標的色温度は、検出器２０２０によって測定されるものと比較され、標的色温度に到達すると、検出器２０２０は、信号を送信し、弁２０３０を閉鎖させ、型４１０内への燐光体４２０のさらなる分配を停止する。いくつかの実施形態では、検出器２０２０および弁２０３０は、オン−オフ構成において制御する一方、他の実施形態では、割合制御、例えば、計測弁が使用される。いくつかの実施形態では、タイミングまたは弁制御信号におけるオフセットが、型充填プロセスにおけるヒステリシスまたは遅延に対応するために含まれる。型４１０は、ポンプ源２０１０によって放出される光の波長に対して透明であり得るか、あるいは透明領域または窓を有し得る。一実施形態では、燐光体４２０は、型４１０を通してではなく、上部から励起される。一実施形態では、ポンプ源２０１０は、ＬＥＥ２１０のものと同一、実質的に同一、またはそれに類似する、スペクトルパワー分布を有する。一実施形態では、ポンプ源２０１０は、１つ以上のＬＥＥ２１０を含むか、またはそれから本質的に成る。一実施形態では、型４１０は、本質的に、基部４１０から成る。一実施形態では、型４１０は、図４に示されるように、基部４１０および側壁または障壁４５０を含むか、またはそれから本質的に成る。一実施形態では、リザーバ２０４０および弁２０３０は、圧力補助分配システムによって置き換えられる。図２０は、１つのポンプ源２０１０、１つの検出器２０２０、および弁２０３０を伴う１つのリザーバ２０４０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、複数のこれらの特徴のうちの任意の１つ以上が、利用され得る。分配および／または制御の方法は、本発明の限定ではない。図２０はそのような充填制御方式の構成の１つを示す。しかしながら、他の構成が、採用され得、具体的構成は、本発明の限定ではない。
一実施形態では、１つ以上のＬＥＥ２１０自体が励起され、ポンプ放射源を提供する。燐光体４２０が、堆積または分配された後、硬化され、結果として生じる構造は、本明細書に説明される種々の実施形態のいずれかに従って説明されるように処理され得る。いくつかの実施形態では、形成技法の組み合わせが、使用される。例えば、一実施形態では、燐光体４２０の一部は、手動方式において、またはフィードバックを伴わずに、形成あるいは分配される。この第１の部分は、硬化または部分的に硬化され得る。次いで、燐光体４２０の第２の部分が、フィードバック制御下、分配または形成される。
いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体４２０の均一層を確実にするために燐光体４２０レベルを保つことが望ましい。一実施形態では、これは、基部または型４１０等が位置決めされる、機械的水平面を提供することによって行なわれる。一実施形態では、水平面は、燐光体４２０を硬化または部分的に硬化するために使用される炉内で形成される。一実施形態では、基部または型４１０等は、より大きな容器内の液体上に浮遊させられる。図２１は、容器２１００、型４１０、燐光体４２０、ＬＥＥ２１０、および液体２１２０を特徴とする、本実施形態の実施例を示す。容器２１００が水平ではない場合でも、液体２１２０の表面２１１０は、重力のため水平となり、水平である浮遊型４１０をもたらすであろう。これは、次いで、水平である型４１０中の燐光体４２０をもたらすであろう。一実施形態では、燐光体４２０は、水平化プロセスを補助するように活性化される。そのような活性化として、震盪、振動、揺動、撹拌、超音波撹拌等が挙げられ得る。
一実施形態では、能動的フィードバック水平化システムが、基部または型４１０等が水平であることを確実にするために使用される。そのようなシステムは、一実施例では、図２２に示されるように、１つ以上のレベルセンサ２２１０、随意のコントローラ２２２０、および基部または型４１０あるいは基部または型４１０が配置される支持体を水平化するように作用する、１つ以上のアクチュエータ２２３０を含む。レベルセンサ２２１０は、基部または型４１０の向きを感知し、信号をコントローラ２２２０に送信する。コントローラ２２２０は、１つ以上のレベルセンサ２２１０からの信号を利用し、適切な作動信号を決定し、アクチュエータ２２３０に送信し、基部または型４１０を水平または実質的に水平にする。レベルセンサ２２１０は、例えば、物理的レベルセンサあるいは固体またはマイクロ機械加工レベルセンサもしくは同等物であり得る。アクチュエータ２２３０は、圧電変換器、機械変換器、電気機械変換器等を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。レベルセンサおよび／またはアクチュエータおよび／またはコントローラのタイプは、本発明の限定ではない。
いくつかの実施形態では、本明細書で論じられる白色ダイ２００の物理的レイアウトは、複数のユニットの移転またはピックアンドプレース動作を１度に受けることができるようにする。前述のように、本発明のいくつかの実施形態は、基部、例えば、基部４１０上に白色ダイ２００の規則的周期的アレイをもたらし、それから、アレイ内の全白色ダイ２００の略１００％の利用で複数のツールのピックアンドプレースまたはスタンプ動作が送給され得、取り上げまたはスタンプピッチは、源アレイ内の白色ダイ２００のピッチの整数倍である。
図２３−２５は、ＬＥＥ２１０に関連付けられた基板の処理および／または除去あるいは部分的除去に関連する、本発明の追加の実施形態を示す。図１７Ａに示されるように、ＬＥＥ１７００は、基板１７１０を含み得る。前述のように、基板１７１０は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、ＧａＡｓ等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。
いくつかの実施形態では、基板１７１０の全部または一部をＬＥＥ１７００から除去することが有利であり得る。いくつかの実施例では、基板１７１０は、ＬＥＥ１７００によって放出される光の波長を吸収または部分的に吸収し（例えば、基板１７１０は、シリコン、炭化ケイ素、またはＧａＡｓを含む）、基板１７１０の除去または部分的除去は、基板１７１０内の吸収減または無吸収のため、ＬＥＥ１７００から放出されるより大量の光をもたらし得る。一実施形態では、ＬＥＥ１７００は、シリコン基板上に成長されたＩＩＩ族窒化物系光エミッタを含み得る。基板１７１０が、ＬＥＥ１７００によって放出される光の波長に対して透明または部分的に透明である実施例（例えば、基板１７１０は、サファイアまたは炭化ケイ素を含む）でも、基板１７１０の除去は、有利となり得る。例えば、基板１７１０の除去または部分的除去は、基板１７１０内の散乱および吸収の低減または排除をもたらし得、ＬＥＥ１７００からの光が、実質的に、体積（体積放出は、主に、基板１７１０から生じる）ではなく、平面から放出される結果を伴う。これはまた、燐光体２３０の体積が、図２３Ｂに示されるように、ＬＥＥ１７００の周縁の周囲において低減され得るか、または図２３Ａに示されるように取り除かれる得るため、より小さい白色ダイ２００をもたらし得る。
基板１７１０は、例えば、ラッピング、研削、研磨、剥離、アブレーション、湿式化学エッチング、乾式エッチング（例えば、反応イオンエッチング）、レーザリフトオフ、放射線増強リフトオフ等を含む種々の技法を使用して除去され得る。基板１７１０の除去の方法は、本発明の限定ではない。一実施形態では、基板１７１０は、サファイアを含むか、またはそれから本質的に成り、層１７２０は、ＧａＮを含むか、またはそれから本質的に成り、基板１７１０は、レーザリフトオフまたは他の技法を使用して除去される。一実施形態では、基板１７１０は、シリコンを含むか、またはそれから本質的に成り、層１７２０は、ＧａＮを含むか、またはそれから本質的に成り、基板１７１０は、剥離、研削、ラッピング、研磨、湿式化学エッチングまたは乾式化学エッチング、あるいは他の技法のうちの１つ以上を使用して除去される。一実施例では、基板除去のプロセスは、図４Ａおよび４Ｂに関連付けられたステップ間に挿入され得る。図２４Ａは、図４Ａの構造を示すが、基板１７１０および素子２４１０をＬＥＥ２１０またはＬＥＥ１７００の一部として識別する（一実施形態では、図１７Ａに関して、素子２４１０は、基板１７１０を含まないＬＥＥ１７００を備えている）。図２４Ｂは、製造の後の段階であるが、図４Ｂに示されるステップ前における図２４Ａの構造を示す。図２４Ｂは、例えば、レーザリフトオフを使用することによる、基板１７１０の除去後の図２４Ａの構造を示す。他の実施形態は、基板１７１０の部分的除去のみを含み得る。図２４Ｃは、燐光体４２０が素子２４１０および基部４１０を覆って形成された後の図４Ｂに示されるステップに対応する製造の後の段階における、図２４Ｂの構造を示す。この時点で、プロセスは、図４Ｂ−４Ｅを参照して前述のように継続し得る。いくつかの実施形態では、複数のステップが、基板１７１０を除去するために使用される。例えば、基板１７１０の一部は、ＬＥＥ２１０の個片化および基部４１０上への搭載に先立って、研削および／またはラッピングによって除去され得る。基板１７１０の残りの部分は、次いで、湿式または乾式化学エッチングを使用して除去され得る。いくつかの実施形態では、基板除去は、基板の一部のみの除去を含み得る一方、他の実施形態では、基板除去は、基板の全部または実質的全部の除去を含む。明確性のために、図２４Ａ〜２４Ｃでは、ダイ浮き上りおよび／または接点浮き上りの詳細は示されていない。
いくつかの実施形態では、光は、基板１７１０および／または層１７２０、特に、基板１７１０が除去されている場合、層１７２０内において、内部反射される。そのような反射は、全内部反射（ＴＩＲ）と呼ばれ、ＬＥＥから出射する光の量を減少させ得る。ＴＩＲは、典型的には、隣接する層および／または基板間、あるいは、外部層または基板と隣接する材料（例えば、結合剤、燐光体、空気等）との間の屈折率差のために生じる。
種々のアプローチが、例えば、これらの層の外部表面をパターン化または粗面化することによって、あるいは基板１７１０と層１７２０との間の界面をパターン化または粗面化することによって、あるいは２つの隣接する材料の屈折率の間にある屈折率を有する、外側表面を覆う層を形成することによって、ＴＩＲを減少させ、基板１７１０および／または層１７２０からの光抽出の増加を提供するために使用され得る。一実施形態では、基板１７１０は、層１７２０の形成の前にパターン化される。基板１７１０がサファイアを含む場合、これは、パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）と呼ばれ得る。ＰＳＳは、エッチングまたはパターン化およびエッチングの組み合わせを使用して形成され得る。エッチングは、湿式化学エッチング、乾式エッチング（例えば、ＲＩＥ）、アブレーション等によって行なわれ得る。ＰＳＳの形成の方法は、本発明の限定ではない。図２５は、ＰＳＳ２５１０を特徴とする、白色ダイ２００の実施形態を示す。層１７２０の形成前の基板１７１０のパターン化は、典型的には、層１７２０の隣接する表面にパターンの鏡像の形成をもたらす。
ＰＳＳはまた、レーザリフトオフと組み合わせて使用され図２３Ａまたは図２３Ｂに示されるものと類似するが、図２６に示されるように、層１７２０のパターン化された外部表面を伴う、構造を形成し得る。前述のように、ＰＳＳ１７１０上の層１７２０の成長は、典型的には、層１７２０の隣接する表面内に鏡像パターンを形成する。レーザリフトオフは、次いで、ＰＳＳ１７１０を除去するために使用され、パターン化された表面２６１０を残し得る。そのようなプロセスは、図２４Ａ−２４Ｃを参照して説明されるアプローチを使用して実施され得、図２４ＡにおけるＬＥＥ２１０は、前述のように、ＰＳＳを特徴とする基板１７１０を備えている。基板１７１０は、次いで、図２４Ｂに示されるように、除去され、燐光体２３０が、前述のように、形成され、図２６に示される白色ダイ構造をもたらす。
燐光体２３０に隣接するＬＥＥ２１０の外部表面のパターン化または粗面化は、他の技法によって達成され得、基板１７１０を伴うものと、伴わないものとの両方のＬＥＥ２１０に適用され得る。一実施形態では、基板１７１０の外側表面は、燐光体２３０の形成前に、パターン化または粗面化される。そのようなパターン化または粗面化は、プロセスにおける種々の時点において、例えば、ＬＥＥ２１０がウエハ形態にあるとき、または個片化後、行なわれ得る。そのようなパターン化または粗面化はまた、基板１７１０が除去された場合に燐光体２３０に隣接する層、例えば、図２３Ａおよび２３Ｂ内の層１７２０に適用され得る。そのようなパターン化または粗面化は、単独でまたは組み合わせて、あるいはパターン化と組み合わせてのいずれかにおいて、例えば、アブレーション、湿式化学エッチング、乾式エッチング（例えば、反応イオンエッチング）、レーザエッチング等を使用して行なわれ得る。前述のように、燐光体２３０の外部表面もまた、パターン化または粗面化され、燐光体２３０内のＴＩＲを減少させ得る。そのようなパターン化または粗面化は、前述のように、燐光体２３０の形成プロセスの間に、または燐光体２３０の形成後に行なわれ得、例えば、単独でまたは組み合わせて、あるいはパターン化と組み合わせてのいずれかにおける、アブレーション、湿式化学エッチング、乾式エッチング（例えば、反応イオンエッチング）、成形、インプリンティング、圧入、切断、レーザエッチング等が挙げられる。いくつかの実施形態では、そのようなパターン化および／または粗面化は、基板側面以外のＬＥＥ２１０の部分、例えば、側壁および／または上部の全部または一部に適用され得る。
さらに別の実施形態では、基板１７１０は、複数の層または材料、例えば、サファイア上のシリコン、ＳｉＣまたはＡｌＮ等のセラミック材料上のシリコン、サファイア上のＧａＮ、ＳｉＣまたはＡｌＮ等のセラミック材料上のＧａＮ等を含み得る。この場合、前述のプロセスのうちの１つ以上が、多層基板１７１０に適用され、例えば、基板１７１０の１つ以上の部分または層を除去するか、あるいはＴＩＲを減少させることによって、光抽出を増加させ得る。
本発明の実施形態は、比較的狭い出力特性を伴って、経済的様式において、白色ダイ２００の非常に大型のアレイの製造を可能にする。いくつかの実施形態では、アレイ内のＬＥＥ２１０間の間隔は、ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体の所望の量および白色ダイ２００を分離するために使用される方法の切り口の幅によって決定される。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体の量は、約１０μｍ〜約１０００μｍの範囲であり得る一方、切り口の幅は、約２μｍ〜約２００μｍの範囲であり得る。ＬＥＥ２１０のサイズは、約１０μｍ〜約２０００μｍ以上の範囲であり得る。ＬＥＥ２１０のサイズ、は、本発明の限定ではない。実施例として、一実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ある側面上に約３７５μｍのサイズを有し、ＬＥＥ２１０の側面上の燐光体厚は、約１００μｍであり、切り口の幅は、約２５μｍであり、約２２５μｍのＬＥＥ２１０間の空間をもたらす。これは、約５７５μｍの白色ダイサイズおよび約６００μｍのピッチをもたらす。これは、約２．７７／ｍｍ２の白色ダイの密度またはｃｍ２あたり約２７５個の白色ダイにつながる。前述の製造アプローチは、いかなる任意のサイズ面積上でも実践され得る。一実施形態では、面積は、約１０ｃｍ×約１０ｃｍまたは約１０００ｃｍ２であり、これは、２７５，０００個の白色ダイ２６１０をこの面積において同時に製造する能力につながる。これは、一実施例にすぎず、本発明の限定を意味するものではない。一般に、白色ダイ２００の密度は、ＬＥＥ２１０のサイズ、切り口の幅、およびＬＥＥ２１０の側面上に要求される燐光体の量に伴って変動するであろう。別の実施例では、白色ダイ２００は、９７５μｍのサイズおよび約１０００μｍまたは約１ｍｍのピッチを有し、ｃｍ２あたり約１００個の白色ダイ２００の密度および約１０ｃｍ×約１０ｃｍの面積内に約１００，０００個の白色ダイ２００を同時に製造する能力をもたらす。いくつかの実施形態では、白色ダイ２００の各々は、複数のＬＥＥ２１０、例えば、１つの燐光体２３０に関連付けられた５×５または１０×１０または１０×２０のアレイを備え得る。ＬＥＥの数または白色ダイのサイズは、本発明の限定ではない。
当業者によって理解されるであろうように、白色ダイ２１０は、広範囲のプロセスを使用して作製され得るが、依然として、本発明の境界内にある。例えば、以下の表は、白色ダイ２００を製造するために選択され、種々の順序において使用され得る、プロセスステップの非排他的リストを示す。
ＬＥＥ基板２７２０は、半晶質または非晶質材料、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、アクリル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、および／または紙を含むか、またはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、ＬＥＥ基板２７２０は、ＰＥＴを含むか、またはそれから本質的に成り、約１０μｍ〜約１５０μｍの範囲内の厚さを有する。ＬＥＥ基板２７２０はまた、剛体または可撓性の回路基板、例えば、ＦＲ４、金属コア印刷回路基板（ＭＣＰＣＢ）、ポリイミド等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。ＬＥＥ基板２７２０は、実質的に可撓性、実質的に剛体、または実質的に曲がりやすくあり得る。いくつかの実施形態では、基板は、力および弾力に応答して柔軟であるという意味において「可撓性」であり、すなわち、力の除去に応じて、元々の構成に弾性的に復元する傾向にある。基板は、力に対して共形的に曲がるという意味において、「変形可能」であり得るが、変形は、恒久的であり得るか、またはそうでないこともある。すなわち、基板は、弾力的でないこともある。本明細書で使用される可撓性材料は、変形可能であり得るか、またはそうでないこともあり（すなわち、例えば、構造的歪を受けることなく曲がることによって、弾性的に応答し得る）、変形可能基板は、可撓性であり得るか、またはそうでないこともある（すなわち、力に応答して、恒久的に構造的歪を受け得る）。用語「曲がりやすい」は、本明細書では、可撓性または変形可能または両方である、材料を指すために使用される。
ＬＥＥ基板２７２０は、複数の層、例えば、剛体層を覆う変形可能層含み得る（例えば、半晶質または非晶質材料、例えば、ＡｌＮ等のセラミック、ＦＲ−４等のファイバガラス、金属コア印刷回路基板、アクリル、アルミニウム、鋼鉄等を含む剛性または実質的剛性基板を覆って形成される、例えば、ＰＥＮ、ＰＥＴ、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、塗料、プラスチック膜、および／または紙）。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ基板２７２０は、剛体または実質的に剛体であり、例えば、ＡｌＮ等のセラミック、ＦＲ−４等のファイバガラス、金属コア印刷回路基板、アクリル、アルミニウム、鋼鉄等を含む。
本発明の実施形態が利用される所望の用途に応じて、ＬＥＥ基板２７２０は、実質的に、光学的に透明、半透明、または不透明である。例えば、ＬＥＥ基板２７２０は、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの範囲の光学波長に対して、約８０％より大きい透過率または反射率を呈し得る。いくつかの実施形態では、反射ＬＥＥ基板２７２０が、有利には、所望の方向に光を向かわせることを補助する一方、いくつかの実施形態では、透過型ＬＥＥ基板２７２０は、比較的透明な外観を提供し得るか、またはＬＥＥ基板２７２０の両側からの光放出を可能にし得る。
ＬＥＥ基板２７２０はまた、実質的に、絶縁であり得、約１００ｏｈｍ−ｃｍより大きい、約１×１０６ｏｈｍ−ｃｍより大きい、またはさらに約１×１０１０ｏｈｍ−ｃｍより大きい電気抵抗率を有し得る。
伝導性トレース２７３０は、例えば、金、銀、アルミニウム、銅、炭素等の金属、導電性酸化物、炭素等の任意の伝導性材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。伝導性トレース２７３０は、種々の技法、例えば、蒸着、スパッタリング、物理的堆積、化学蒸着、めっき、電気めっき、印刷、ラミネート、接着剤を使用した糊着、ラミネートおよびパターン化等によって、ＬＥＥ基板２７２０上に形成され得る。一実施形態では、伝導性トレース２７３０は、印刷、例えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷、フレキソ、グラビア、インクジェット等を使用して形成される。伝導性トレース２７３０は、銀、アルミニウム、銅、金、炭素インク、あるいは他の伝導性インク等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。伝導性トレース２７３０は、透明導体、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電性酸化物を含むか、またはそれから本質的に成り得る。伝導性トレース２７３０は、複数の材料を含むか、またはそれから本質的に成り得る。伝導性トレース２７３０は、随意に、特徴スタッドバンプを特徴とし、接点２２０への伝導性トレース２７３０の電気結合を補助し得る。伝導性トレース２７３０は、約０．０５μｍ〜約１００μｍの範囲内の厚さを有し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、伝導性トレース２７３０は、任意の厚さを有し得る。伝導性トレース２７３０のうちの１つ以上の厚さは、変動し得るが、厚さは、概して、伝導性トレース２７３０の長さに沿って、実質的に均一であり、処理を簡略化する。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、伝導性トレース厚さまたは材料は、異なる。一実施形態では、ＬＥＥ基板２７２０は、約１０μｍ〜約１５０μｍの範囲内の厚さを有するＰＥＴを含むか、またはそれから本質的に成り、伝導性トレース２７３０は、銅および／またはアルミニウムを含むか、またはそれらから本質的に成り、約５μｍ〜約１００μｍの範囲内の厚さを有する。
一実施形態では、１つ以上の白色ダイ２００が、伝導性接着剤、例えば、等方的に伝導性の接着剤および／または異方的に伝導性の接着剤（ＡＣＡ）を使用して、伝導性トレース２７３０に電気的に結合される。ＡＣＡは、垂直方向にのみ、伝導を可能にするが、伝導性トレース２７３０を互から絶縁する、材料である。ここで使用されるように、ＡＣＡは、任意の形態、例えば、ペースト、ゲル、液体、膜、またはその他における、異方伝導性材料であり得る。ＡＣＡは、スタッドバンプを伴って、または伴わずに、利用され得る。
前述のシステムは、図２８に示されるように、電子素子２８００を形成するために、追加の電子機器と組み合わせられ得る。一実施形態では、素子は、トレース２７３０に電気的に結合される複数の白色ダイ２００を含む。示されるように、電子素子２８００は、白色ダイ２００の３つの直列に接続されたストリング２８１０を含む。電子素子２８００はまた、ストリング２８１０のうちの１つ以上に電気的に接続された回路２８２０を含む。回路２８２０は、駆動回路、センサ、制御回路、調光回路、および／または電力供給回路等の一部または実質的に全部を含むか、またはそれから本質的に成り得、基板２７２０に接着（例えば、接着剤を介して）または別様に取り着けられ得る。一実施形態では、電力供給源とドライバとは、分散され、例えば、素子２８００は、中央電力供給源を有し、駆動回路の全部または一部は、異なる場所に分散され得る。回路２８２０は、それ自体が基板２７３０に機械的におよび／または電気的に取り着けられ得る回路基板（例えば、印刷回路基板）上に配置される場合さえあり得る。他の実施形態では、回路２８２０は、基板２７３０と別個である。いくつかの実施形態では、回路２８２０は、基板２７３０上に形成される。図２８は、直列に接続されたストリング２８１０として電気的に結合され、ストリング２８１０が、並列に接続または接続可能である、白色ダイ２００を描写するが、他のダイ相互接続方式も可能性であり、本発明実施形態の範囲内である。
図２８に示されるように、照明システム２８００は、複数のストリングを特徴とし得、各ストリング２８１０は、随意のヒューズ、アンチヒューズ、電流制限レジスタ、ツェナーダイオード、トランジスタ、および他の電子構成要素と、直列、並列、または直列−並列の組み合わせにおいて、電気的に接続された１つ以上の白色ダイ２００の組み合わせを含むか、またはそれから本質的に成り、白色ダイ２００を電気障害条件および限界から保護するか、または個々の白色ダイ２００を通る電流を制御する。一般に、そのような組み合わせは、ＤＣまたはＡＣ電力の印加のための少なくとも２つの電気接続を有する、電気ストリングを特徴とする。ストリングはまた、追加の電子構成要素を伴わずに、白色ダイ２００の直列、並列、または直列−並列の組み合わせにおいて電気的に接続される１つ以上の白色ダイ２００の組み合わせを含み得る。図２８は、白色ダイ２００の３つのストリングを示し、各ストリングは、３つの白色ダイ２００を直列に有する。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ストリングの数は、３つ未満または４つ以上であり、ストリング内の白色ダイ２００の数は、４つ以上または３つ未満である。一実施形態では、ストリングは、少なくとも１０個の白色ダイ２００を含む。一実施形態では、ストリングは、少なくとも４５個の白色ダイ２００を含む。一実施形態では、システム２８００は、少なくとも１０個のストリングを含む。一実施形態では、システム２８００は、少なくとも５０個のストリングを含む。
いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０の光学特性における変動は、白色ダイ２００の製作の間に対応される。一実施形態では、光学特性、例えば、波長における変動が、比較的に単調であるか、あるいはＬＥＥ２１０の物理的レイアウトにわたって既知または予測可能である場合、型３１１０は、燐光体４２０の硬化前に、図２９に概して示されるように、ＬＥＥ２１０を覆う燐光体４２０の厚さに変動を提供するように傾斜させられるか、段状にされるか、または勾配をつけられ得る。図２０に示されるものに類似するフィードバックシステムは、最適傾斜値を決定するために使用され得る。別の実施形態では、傾斜は、ＬＥＥ２１０のアレイの特性のマップから決定される。別の実施形態では、傾斜は、手動で導入される。別の実施形態では、底部表面は、例えば、段状化されたチャック、例えば、段状にされた真空チャックに適合させることによって段状にされる。図２９では、ＬＥＥ２１０’は、ＬＥＥ２１０’’より厚いそれを覆う燐光体層を受け取る。適切な傾斜が達成された後、燐光体４２０は、硬化され、結果として生じる構造は、本説明のいずれかに説明されるように処理され得る。図２９に示される実施例は、傾斜された型４１０を示すが、しかしながら、他の実施形態では、型４１０は、段状にされる。
本発明の本側面の一実施形態では、ＬＥＥ２１０間の間隔、したがって、ＬＥＥ２１０の側面を包囲する燐光体２３０の量は、実質的に、一定である。一実施形態では、ＬＥＥ２１０間の間隔、したがって、ＬＥＥ２１０の側面を包囲する燐光体２３０の量は、製作中のＬＥＥ２１０のアレイのために要求される最大値に選定される。一実施形態では、切断または分離プロセスは、フィードバックシステムまたは事前の入力、例えば、１つ以上の光学特性のマップに関連して、異なるサイズの燐光体２３０を産生する。例えば、レーザベースの切断システムは、ある形態の入力、例えば、フィードバック、マップ等に基づいて、異なるＬＥＥ２１０の周囲に異なるサイズの燐光体２３０を切断するように指示され得る。
図３０は、燐光体およびＬＥＥの組み合わせを最適化するためのシステムの別の実施形態を示す。ＬＥＥ２１０は、膜または基部３０１０上に配置され得る。障壁３０１５が、随意に、燐光体４２０を含むために存在する。ＬＥＥ２１０は、励起され、検出器３０３０に信号を提供する。信号は、次いで、アクチュエータ基部３０２５上の一連のアクチュエータピン３０２０を制御する、コントローラ３０４０に送信される。より多くの燐光体が、特定のＬＥＥ２１０の上方に所望される場合、関連付けられたアクチュエータピン３０２０は、下方に移動するか、または定位置に留まり得る。より少ない燐光体をそれらの上方に要求するＬＥＥ２１０の場合、関連付けられたアクチュエータピン３０２０は、上方に移動するか、または定位置に留まり得る。一実施形態では、全てのＬＥＥ２１０は、同時に作動させられ、検出器３０３０は、同時に、各ＬＥＥ２１０およびその包囲燐光体４２０から光を検出する。一実施形態では、各ＬＥＥ２１０は、別個に励起される。したがって、検出器３０３０は、固定または可動検出器であり得るか、あるいはアクチュエータ基部３０１０が位置決めされるステージが、検出器３０３０に対して移動させられ得る。全アクチュエータピン３０２０が、その正確な位置に来た後、燐光体４２０は、硬化され、結果として生じる構造は、本説明のいずれかに説明されるように処理され得る。一実施形態では、アクチュエータピン３０２０は、ＬＥＥ２１０の特性のマップに応答して制御される。
図１２に関連して論じられるもの、あるいは造形またはテクスチャ処理された燐光体を利用する構造はまた、白色ダイ２００の形成の間またはその後の実施される、加法的または減法的プロセスによって製造され得る。例えば、いくつかの実施形態では、任意の形状を有する白色ダイ２００が、続いて、白色ダイ２００の一部を覆って均一的または選択的のいずかにおいて、より多くの燐光体の添加によって造形される。いくつかの実施形態では、任意の形状を有する白色ダイ２００は、続いて、白色ダイ２００の一部を覆って均一的または選択的のいずかにおいて、燐光体の１つ以上の部分の除去によって造形される。
本発明のいくつかの実施形態では、型基板４１０からの白色ダイまたは白色ダイウエハの除去を促進することが望ましくあり得る。例えば、ある場合には、型基板４１０への燐光体の接着力は、比較的に強くあり得、接着力の低減は、製造プロセスを促進し得る。いくつかの実施形態では、型基板４１０は、プロセスの種々の側面を促進するように、異なるレベルの接着力を有するように調合または処理され得る。例えば、型基板４１０は、ＬＥＥ２１０の下に比較的に強い接着力の領域およびＬＥＥ２１０間の面積に比較的に低い接着力の領域を有し得る。いくつかの実施形態では、これは、プロセスにおける初期ステップの間の型基板４１０へのＬＥＥ２１０の接着力を促進する一方、燐光体が硬化または部分的に硬化された後、型基板４１０からの白色ダイまたは白色ダイウエハの除去を促進し得る。図３１Ａ−３１Ｃは、ＬＥＥ２１０が型基板４１０の上に形成される図３１Ａから開始するそのようなアプローチの一実施形態を示す。図３１Ｂは、製造の後の段階における、図３１Ａの構造を示し、構造は、処理３１００を使用して処理され、全般的または特に燐光体２３０に対して、型基板４１０の接着力レベルを低減させる。図３１Ｃは、処理３１００後の図３１Ｂの構造を示し、領域３１１０は、処理３１００後、比較的に低減された接着力を有する。いくつかの実施形態では、処理３１００は、プラズマ処理、湿式化学処理、放射への露出等であり得る。いくつかの実施形態では、処理３１００は、燐光体が硬化された後の白色ダイまたは白色ダイウエハの除去を促進するための材料（例えば、型基板４１０上の離型化合物）の形成を含み得る。本実施形態のいくつかの実施例では、処理３１０の間にＬＥＥ２１０の上部に形成された材料（該当する場合）は、定位置に残され得る一方、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０の上部に形成された材料は、燐光体２３０の形成前に除去され得る。具体的処理３１００は、本発明の限定ではない。
図３１Ａ−３１Ｃは、処理３１００のためのマスクとしてＬＥＥ２１０を使用する一実施形態を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、他のアプローチが、使用され得る。例えば、ステンシルまたはマスクが、型基板４１０にまたはそれを覆って適用され、処理３１００の適用のためのパターンを提供し得る。一実施形態では、処理３１００は、ステンシルまたはマスクの必要性なく、選択的に適用される。例えば、処理３１００は、型基板４１０を覆って移動させられる、ｘ−ｙステージ上のアプリケータによって適用され得るか、または型基板４１０が、固定されたアプリケータの下方で移動させられ得る。一実施形態では、接着力は、型基板４１０上の接着剤層または構成要素の全部あるいは一部の除去によって低減され得る。異なる実施形態では、これは、噴霧、分配、削ること等によって行なわれ得る。いくつかの実施形態では、処置３１００は、例えば、プライマの適用、金型剥離材料、プラズマ処置、オゾン処置の適用、および／または粒子の適用のうちの１つ以上のものを含むか、または本質的にそれらから成り得る。
別の実施形態では、膜が、硬化された燐光体２３０への接着力が低減した型基板４１０に選択的に適用され得る。図３２Ａおよび３２Ｂは、そのようなアプローチの一実施形態を示す。図３２Ａは、型基板４１０上のＬＥＥ２１０を示す。膜３２１０、例えば、離型膜が、選択的に、本構造に適用されている。適用は、型基板４１０上へのＬＥＥ２１０の提供前または後に行なわれ得る。いくつかの実施形態では、膜３２１０は、直接、型基板４１０上にＬＥＥ２１０を位置決めするための開放面積を残す、カットアウトまたは孔を含む一方、他の場合には、カットアウトは、ＬＥＥ２１０が型基板４１０上に形成された後、型基板４１０上に膜３２１０を上置することを可能にする。図３２Ｂは、燐光体３２０の適用および硬化後の図３２Ａの構造を示す。図から分かるように、本構造は、膜３２１０を含む領域が、燐光体２３０への接着力が低減したため、白色ダイ（個片化後）または白色ダイウエハの除去を促進し得る。
一実施形態では、膜３２１０は、図３３Ａおよび３３Ｂに図式的に示されるように、ダイおよび／または接点浮き上りを制御する方法として使用され得る。図３３Ａは、ＬＥＥ２１０の縁に対する膜３２１０の厚さを示す、図３２Ｂからの１つのダイの拡大図を示す。膜３２１０の厚さは、個片化および型基板４１０から除去後図３３Ａの白色ダイに対して、図３３Ｂに示されるように、あるダイ浮き上り９６０を達成するように調節され得る。一実施形態では、膜３２１０は、図３３Ｃに示されるように、ＬＥＥ２１０の縁から間隔を置かれ、図３３Ｄに示されるように、段付きダイ浮き上り９６０を伴う、白色ダイを産生し得る。
いくつかの実施形態では、型基板４１０は、２つ以上の材料から成り得、材料の各々は、具体的目的のために最適化される。例えば、図３４は、部分３４１０および３４２０を有する型基板４１０を示す。一実施形態では、部分３４１０は、プロセスの間、ＬＥＥ２１０を定位置に保持するために適切な接着レベルを有するように最適化される一方、部分３４２０は、硬化された燐光体２３０の容易な除去を可能にするために十分に低い接着レベルを有するように最適化される。
さらに別の実施形態では、型基板４１０は、接点の全部あるいは一部および／またはＬＥＥ２１０の一部が、図３５Ａおよび３５Ｂに示されるように、埋め込まれ得る、圧縮性または変形可能材料を含むか、またはそれから本質的に成る。図３５Ａは、型基板４１０内に埋め込まれる接点の全部または一部を示す一方、図３５Ｂは、型基板４１０内に埋め込まれる接点およびダイの側壁の一部を示す。いくつかの実施形態では、これは、ダイおよび／または接点浮き上りを制御する方法として使用され得る。いくつかの実施形態では、変形可能層は、型基板４１０上に接着剤層を備え得る一方、他の実施形態では、変形可能層は、ＬＥＥ２１０に対して実質的接着力を有しないこともある。一実施形態では、型基板は、ダイ浮き上りを制御するようにパターン化または構造化される。例えば、型基板は、図３６に示されるように、ＬＥＥ２１０の一部が挿入されるくぼみを有し得る。
前述の議論は、ＬＥＥ２１０に隣接する領域における接着力の低減に焦点を当てているが、他のアプローチが、利用され、例えば、ＬＥＥ２１０の下方の領域内の接着力を増加させ得る。例えば、型基板４１０は、特に、燐光体２３０に対して、比較的に低接着力を有し得るが、したがって、プロセスの間、ＬＥＥ２１０を定位置に保持するために十分な接着力を有していない場合がある。いくつかの実施形態では、そのような型基板４１０は、ＬＥＥ２１０の下方の領域の接着レベルを増加させるように処理され得る。例えば、一実施形態では、接着剤は、選択的に、「非粘着」型基板４１０上に堆積され得る。いくつかの実施形態では、接着剤の選択的適用は、スクリーン印刷、ステンシル印刷、選択的噴霧、接着性テープの適用等によって行なわれ得る。
一実施形態では、型基板４１０は、真空が印加される、複数の孔を含む。ＬＥＥ２１０は、孔を覆って配置され、図３７に示されるように、孔に印加された真空によって、定位置に保持される。図３７は、真空源または真空ポンプへの接続３７２０を介して接続される孔３７１０を伴う型基板４１０を示す。ＬＥＥ２１０は、真空の印加によって定位置に保持され、次いで、白色ダイまたは白色ダイウエハの形成後、真空は、除去され、白色ダイまたは白色ダイウエハの除去を促進する。図３７の概略図は、各ＬＥＥ２１０に対する１つの真空孔３７１０を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、各ＬＥＥ２１０は、２つ以上の真空孔３７１０に関連付けられ得る。いくつかの実施形態では、随意の材料が、真空孔３７１０間の型基板４１０上に位置決めされ得る。随意の材料は、燐光体２３０が型基板４１０にくっつくことを防止する、離型化合物、離型膜、あるいは他の材料または膜を含み得る。
いくつかの実施形態では、第２の材料、例えば、柔軟性または変形可能材料を、型基板４１０と各ＬＥＥ２１０の全部または一部との間に位置決めすることが有利であり得る。一実施形態では、柔軟性または変形可能材料は、ＬＥＥ２１０への真空シールを促進し、型基板４１０に対するＬＥＥ２１０の接着力を改善し得る。一実施形態では、柔軟性または変形可能材料は、型基板４１０からの硬化された白色ダイまたは白色ダイウエハの除去を促進する。
一実施形態では、型基板４１０は、図３８に示されるように、真空孔および段付き構造を組み合わせる。図３８はまた、随意の第２の材料３８１０を示す。一実施形態では、図３８の構造は、ダイおよび／または接点浮き上りを制御するために使用され得る。いくつかの実施形態では、型基板に関連して説明されるアプローチの種々の要素は、本明細書で論じられるものと異なる組み合わせまたは順序で使用され得る。
前述の構造では、ＬＥＥ２１０は、基板、例えば、図１７Ａの基板１７１０を含むように示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、基板は、部分的または完全に、除去され得る。図３９Ａおよび３９Ｂは、白色ダイ３９００、３９０１の２つの可能性な実施形態の概略図を示し、ＬＥＥ３９１０は、基板が部分的または完全に除去されている。図３９Ａでは、燐光体２３０は、上部表面の全部または実質的に全部を被覆するが、ＬＥＥ３９１０の側面は殆どまたは全く被覆しない一方、図３９Ｂでは、燐光体２３０は、上部表面の全部または実質的に全部ならびにＬＥＥ３９１０の側面の少なくとも一部を被覆する。いくつかの実施形態では、基板の除去は、ＬＥＥ３９１０から全くまたは殆ど側面放出をもたらさず、したがって、光は全て、ＬＥＥ３９１０の上部表面から放出される。この場合、図３９Ａに示されるように、ＬＥＥ３９１０の上部表面の全部または一部のみ燐光体２３０で被覆することによって、所望の光学特性を達成することが可能であり得る。ある実施形態では、側面放出が依然として生じる場合、燐光体が、図３９Ｂに示されるように、ＬＥＥ３９１０の側壁の全部または一部上に形成され得る。
いくつかの実施形態では、基板１７１０は、例えば、シリコンまたはサファイアまたはガリウムヒ素を含むか、またはそれから本質的に成り得る。一実施形態では、開始構造は、シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物系ＬＥＤを備えている。一実施形態では、開始構造は、ガリウムヒ素基板上のＩＩＩ族ヒ化物／リン化物系ＬＥＤを備えている。
図４０Ａ−４０Ｃは、図３９Ａおよび３９Ｂに示されるものに類似する構造の製造のための方法の１つを示す。図４０Ａは、型基板４１０を覆って形成される、基板１７１０および素子層４０１０を含むＬＥＥのウエハを示す。いくつかの実施形態では、素子層４０１０は、図１７Ａからの層１７２０、１７３０、および１７４０を備え得る。図４０Ａでは、ＬＥＥ３９１０は、包囲破線によって識別され、いくつかの実施形態では、基板１７１０の全部または一部を除く、図１７Ａからの構造１７００の全てを備えている。図４０Ｂは、基板１７１０が除去された後の製造の後の段階における、図４０Ａの構造を示す。他の実施形態では、図４０Ｂの構造は、基板１７１０の一部を含み得る。図４０Ｃは、燐光体２３０の形成および硬化および白色ダイ３９００への個片化後の製造の後の段階における、図４０Ｂの構造を示す。
基板１７１０は、種々の手段、例えば、化学エッチング、乾式エッチング、反応イオンエッチング、レーザリフトオフ、ラッピング、研磨、剥離等を使用して除去され得る（基板１７１０の除去の方法は、本発明の限定ではない）。いくつかの実施形態では、方法の組み合わせが、基板１７１０を除去するために使用され得る。いくつかの実施形態では、選択的除去プロセス、例えば、選択的エッチングまたはエッチング停止層が、基板１７１０の除去を促進するために使用され得る。
図４０Ｄは、図３９Ｂの白色ダイ３９０１を作製する方法の一実施形態の一部を示す。本実施形態では、層４０１０の全部または一部が、隣接するＬＥＥ間で除去される。いくつかの実施形態では、基板１７１０の一部もまた、除去され得る。本実施形態では、型基板４１０を覆う形成前に、層４０１０の全部または一部の除去が生じる。図から分かるように、基板１７１０が、完全にまたは部分的に、除去された後、燐光体２３０が、形成、硬化、および個片化され、結果として生じる構造は、図３９Ｂに示されるような白色ダイ３９０１の構造である。別の実施形態では、その上にＬＥＥ２１０を伴う基板１７１０が、型基板４１０（図４Ａに示される構造に類似）への移転前に個片化され、次いで、基板１７００が、完全にまたは部分的に、除去される一方、ＬＥＥは、型基板４１０上にある。燐光体２３０の形成に対する基板１７１０の除去の方法および順序は、本発明の限定ではない。
図３９Ａおよび３９Ｂに示される構造の各々は、１つのＬＥＥ３９１０を含むが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイ３９００および３９０１の各々は、図４０Ｅおよび４０Ｆに示されるように、複数のＬＥＥ３９０１を含み得る。さらに、基板１７１０を伴う白色ダイ２１０に関して本明細書に説明される技法およびアプローチの一部または全部は、基板１７１０の全部または一部を伴わない白色ダイに適用され得る。
いくつかの実施形態では、白色ダイウエハは、バッチまたは半バッチモードで個片化され得る。一実施形態では、白色ダイは、回転式カッタ、例えば、ピザ切断ツールのものに類似する円形ブレードを使用して、個片化される。一実施形態では、複数のブレードが、共通シャフト上に一緒に群化され、複数の切断を同時に行い、個片化時間を短縮し得る。いくつかの実施形態では、複数の切断表面を有する、あつらえの一体型ブレードが、利用され得る。そのような並列化は、他のアプローチ、例えば、ダイシングまたは鋸切断またはレーザ切断または水ジェット切断のために使用され得る。白色ダイの全部または群を同時に個片化する、ダイが製造される型抜きは、本発明の実施形態において利用され得る、別のバッチ個片化技法である。
いくつかの実施形態では、個片化のために使用されるブレードは、白色ダイの勾配のつけられた側壁を形成するように角度付けられ得る。いくつかの実施形態では、造形されたブレードが、図４１Ａおよび４１Ｂに示されるように、白色ダイにある形状を与えるために使用され得、ここでは、ブレード４１００は、燐光体２３０に補完形状をもたらす、２つの例示的形状を有するように示される。
いくつかの実施形態では、燐光体は、移転動作、例えば、ピックアンドプレース動作を促進するための表面または表面の一部を提供するように造形され得る。例えば、湾曲燐光体表面を伴う構造は、真空ツールを使用して、取り上げを促進するための平坦部分を有し得る。いくつかの実施形態では、１つ以上の特徴が、燐光体内に形成され、半自動または自動機器によって認識され得る識別マークまたは基準マークとして作用し得る。例えば、いくつかの実施形態では、そのような基準マークの整列は、自動ピックアンドプレースツールによって使用され、取り上げならびに配線板上への配置のために、白色ダイを識別し、向きを合わせ得る。そのような向き合わせは、白色ダイの中心、接点の位置、または白色ダイの極性（すなわち、どの接点が、ｐ−接点であり、どの接点が、ｎ−接点であるか）の特定を含み得る。図４２Ａ−４２Ｄは、面取り（図４２Ａ）、溝（図４２Ｂ）、隆起領域（図４２Ｃ）、および勾配付き表面（図４２Ｄ）を含む、そのような基準マークのいくつかの実施例を描写する。これらの実施例は、概念を実証することを意味し、本発明の限定ではない。そのような特徴は、カメラまたは視覚システムによって可視であるか、あるいは白色ダイ２１０の表面の残部と異なる光を反射し、したがって、白色ダイならびにその向きおよび位置の識別を促進するように設計され得る。そのような基準特徴の整列は、白色ダイ形成プロセスの一部として形成され得る。例えば、そのような特徴は、型の一部であり得るか、あるいは燐光体２３０の硬化または部分的硬化後に、例えば、レーザ切断、圧入、アブレーション等によって、形成され得る（基準マークの形成の方法は、本発明の限定ではない）。
本発明の一実施形態では、反射層は、白色ダイ２００の表面の全部または一部上に形成され、光を反射し、接点から離れる方向に戻す。いくつかの実施形態では、光の一部は、部分的に、白色ダイ２００の下の１つ以上の材料によって吸収され得、光が吸収されることを可能にするのではなく、光を反射することが有益であり得る。図４３Ａは、反射層４３１０を含む白色ダイ４３００を示す。反射層４３１０は、燐光体２３０および／またはＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して反射性であり得る。いくつかの実施形態では、反射層４３１０は、燐光体２３０および／またはＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して２５％より大きい反射率を有する。いくつかの実施形態では、反射層４３１０は、燐光体２３０および／またはＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して５０％より大きい反射率を有する。いくつかの実施形態では、反射層４３１０は、燐光体２３０および／またはＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して７５％より大きい反射率を有する。図４３Ｂは、反射層４３１０の反射率が０〜１００％変動される、白色ダイのシミュレーションを示す。示されるように、いくつかの実施形態では、反射率を増加させることが、光出力電力（ＬＯＰ）の実質的増加をもたらす。本実施例に関して、反射層４３１０が反射性をほとんど有しない場合、光出力電力が約０．９ｌｍである一方、反射層４３１０が約１００％の反射性を有する場合、光出力電力が約１．８ｌｍであり、これは、約２倍の増加である。
反射層が形成され得る、いくつかの方法が存在する。一実施形態では、燐光体２３０および／またはＬＥＥ２１０によって放出される光の波長に対して反射性である材料の粉末が、図４４Ａに示されるように、型基板４１０上におけるＬＥＥ２１０の形成後、型基板４１０の上に分散される。図４４Ａに見られるように、これは、ＬＥＥ２１０の上部の粉末の部分４４１０と、型基板４１０の直接上の粉末の部分４４２０とをもたらし得る。いくつかの実施形態では、粉末４４２０は、型基板４１０に接着し得るが、ＬＥＥ２１０の上部にはあまり接着せず、図４４に示される構造は、ＬＥＥ２１０の上部の粉末４４１０を除去するために、傾斜させられ、反転され、ガス噴流に露出され、振られ、または別様に処理され得る。白色ダイ形成プロセスは、次いで、図４４Ａに示される構造に適用され、反射層４３１０が反射粉末から成る、白色ダイ４３００（図４３Ａ）をもたらし得る。いくつかの実施形態では、反射粉末は、ポリスチレン、ポリエステル、ガラス、チタン酸バリウムガラス、金、銀、アルミニウム、雲母、シリカ、ＰＭＭＡ、ヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、ＴｉＯ２等のうちの少なくとも１つを含み得る。しかしながら、反射粉末の組成は、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、粉末４４１０、４４２０は、約０．０１μｍ〜約１００μｍの範囲内、または好ましくは、約１μｍ〜約５０μｍの範囲内の寸法を有する粒子から形成される。いくつかの実施形態では、粉末４４２０が接着され、埋め込まれ、または注入される燐光体の層は、約０．１μｍ〜約３０μｍの範囲内の厚さを有する。いくつかの実施形態では、燐光体の層の厚さがＬＥＥ２１０側から放出される光を塞がないように、粉末４４２０がＬＥＥ２１０の厚さより小さいように接着されるか、埋め込まれるか、または注入されることが有益である。いくつかの実施形態では、粉末４４２０を接着されるか、埋め込まれるか、または注入される燐光体層は、ＬＥＥ２１０の厚さの約５０％未満、またはＬＥＥ２１０の厚さの約２５％未満、またはＬＥＥ２１０の厚さの約１０％未満の厚さを有する。
いくつかの実施形態では、材料４３１０は、反射または部分的反射ビーズ（例えば、球状または実質的球状を有する）を含むか、またはそれらから本質的に成る。いくつかの実施形態では、粒子またはビーズは、中実であり得る一方、他の実施形態では、粒子またはビーズは、中空であり得る。いくつかの実施形態では、ビーズ４３１０は、約０．１μｍ〜約１５０μｍの範囲内の直径を有し得る一方、他の実施形態では、約１μｍ〜約７５μｍの範囲内の直径を有し得る。いくつかの実施形態では、ビーズは、白色であり、約７０％より大きい、ＬＥＥ２１０および／または燐光体２３０によって放出される光の波長に対する反射性を有し得る。いくつかの実施形態では、ビーズまたは粒子は、少なくとも１．３５、または少なくとも１．５、または少なくとも１．９の屈折率を有し得る。いくつかの実施形態では、ビーズまたは粒子は、燐光体または結合剤の屈折率より少なくとも１０％大きい、もしくは燐光体または結合剤の屈折率より少なくとも２５％大きい屈折率を有する。いくつかの実施形態では、粒子は、２つ以上の材料を含むか、またはそれらから成り得る。例えば、いくつかの実施形態では、粒子は、中実または中空であり得る、コアと、１つ以上のコーティングとを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。例えば、いくつかの実施形態では、粒子は、アルミニウム、金、銀等でコーティングされるガラスまたはポリマービーズもしくは球を含むか、またはそれらから成り得る。いくつかの実施形態では、粒子または球は、例えば、ブラッグミラーを形成するために、複数のコーティングでコーティングされ得る。一実施形態では、ビーズは、ビーズに入射された方向に戻るように、光を実質的に方向変化させる再帰反射器として作用し得る。
いくつかの実施形態では、ビーズまたは粒子の一部は、図４４Ｂおよび４４Ｃに示されるように、燐光体２３０から突出し得る。いくつかの実施形態では、粒子４４３０または４４４０は、燐光体２３０から突出するか、またはそこから延び得る。いくつかの実施形態では、粒子の少なくとも５％は、燐光体２３０から突出し得る。いくつかの実施形態では、粒子の少なくとも２０％は、燐光体２３０から突出し得る。いくつかの実施形態では、粒子の少なくとも４０％は、燐光体２３０から突出し得る。いくつかの実施形態では、粒子の突出部は、燐光体または結合剤材料の比較的薄層によって被覆されるか、または部分的に被覆され得る。いくつかの実施形態では、粒子の突出部は、接着剤またはＡＣＡと接触し得る。
本アプローチの別の側面は、本明細書のいずれかに説明されたものに類似する、型基板４１０への硬化された燐光体２３０の接着力を修正するために使用され得ることである。例えば、反射層が、粉末から形成される場合、粉末もまた、型基板４１０への硬化された燐光体２３０の接着力を低減させ得る。反射層が、膜である場合、以下に論じられるように、離型膜に関する議論と同様に、型基板４１０への硬化された燐光体２３０の接着力を低減させるように作用し得るか、または改変され得る。
本アプローチの別の実施形態では、反射層は、反射膜を使用して形成される。例えば、離型膜に類似する反射膜４５１０が、図４５Ａに示されるように、型基板４１０の一部の上に位置付けられ得る。燐光体２３０の形成および硬化（図４５Ｂ）ならびに個片化（図４５Ｃ）後、反射膜４５１０は、離型膜の場合のように、硬化された燐光体２３０と型基板４１０との間の接着力を低減させるように作用する代わりに、白色ダイの硬化された燐光体２３０に接着し、および／またはその中に埋め込まれる。本明細書に論じられるように、膜は、ダイおよび接点浮き上りを制御するために、単独または他のアプローチと組み合わせて使用され得る。いくつかの実施形態では、反射膜４５１０は、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属膜または箔を含むか、またはそれらから本質的に成る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、２つ以上の層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、金属の複数の層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。一実施形態では、反射薄膜４５１０は、約０．２５μｍ〜約５０μｍの範囲内、または好ましくは、約５μｍ〜約３５μｍの範囲内の厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、反射膜４５１０の厚さは、ＬＥＥ２１０側から放出される光の実質的一部を塞ぐほど十分に厚くないように、選ばれる。一実施形態では、反射膜４５１０は、型基板４１０上のＬＥＥ２１０の位置に対応する孔を伴って、パターン化された箔である。いくつかの実施形態では、反射薄膜または粒子の厚さは、有利には、ＬＥＥ２１０の厚さより小さく、例えば、ＬＥＥ２１０の厚さより約５０％小さいか、またはＬＥＥ２１０の厚さより約２５％小さいか、またはＬＥＥ２１０の厚さより約１０％小さい。
一実施形態では、反射層４５１０は、型基板４１０上に堆積およびパターン化され、型基板４１０の直接上にＬＥＥ２１０を位置付けることを可能にする。一実施形態では、反射層４５１０は、例えば、シャドウマスクを通して、型基板４１０に選択的に適用され得るか、あるいは蒸着、スパッタリング、噴霧等によって、選択的に適用され得る。一実施形態では、反射層は、印刷、例えば、スクリーン、ステンシル、インクジェット、グラビア、フレキソ印刷等によって形成され得る。一実施形態では、反射層４５１０は、材料の２つ以上の層、例えば、キャリアおよび反射層から成り得る。例えば、いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、半結晶性または非晶質材料、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、アクリル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、および／または紙を含むか、またはそれらから本質的に成る支持基板を含むか、またはそれから本質的に成り得、反射薄膜は、アルミニウム、金、銀、銅、インク等を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。別の実施形態では、反射層４５１０は、白色ウエハが形成された後、白色ウエハに適用され得る。例えば、反射層４５１０は、白色ウエハの底部上への反射層の選択的堆積によって形成され得、反射材料は、ＬＥＥ２１０の電気接点のいかなる部分とも電気接触しないように形成される。いくつかの実施形態では、これは、例えば、蒸着、物理的蒸着、スパッタリング、化学蒸着、めっき等によって、金属層、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ等の堆積によって行なわれ得る。いくつかの実施形態では、それは、パターン化された箔のラミネートによって達成され得る。
図４５Ｄは、ＬＥＥ２１０および燐光体２３０を含むか、またはそれらから本質的に成る、白色ウエハの一実施形態の実施例を示す。本実施例では、燐光体２３０は、ドーム状形状を有する。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０は、任意の形状を有し得る。図４５Ｅは、製造の後の段階における、図４５Ｄの構造を示し、反射層４５１０は、燐光体２３０の一部を覆って形成されている。図４５Ｅに示される実施例では、反射層４５１０は、ＬＥＥ２３０の接点２２０を囲む、燐光体２３０の面の実質的に全てにわたって形成される。図４５Ｆは、反射層４５１０に対面する側から、図４５Ｅの構造の平面図を示す。本実施例では、反射層４５１０は、ＬＥＥ２１０周囲の領域を除き、この面上の燐光体の実質的に全てを被覆する。図４５Ｆでは、反射層４５１０は、斜交平行領域として識別され、燐光体２３０のドームの縁部は、４５２０として識別される。後続のステップでは、構造は、個片化され、図４５Ｇは、個片化の後の構造の実施例を示す。本実施例では、反射層４５１０および燐光体２３０の一部は、個々の白色ダイを形成するために分離されている。
４５３０として図４５Ｆに識別される、ＬＥＥ２１０と反射層４５１０の間における間隙は、ＬＥＥ２１０の周縁全体の周囲において、同一または実質的同一として示される。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、間隙は、変動し得る。いくつかの実施形態では、間隙は、約０μｍ〜約３００μｍの範囲内の値を有し得る一方、他の実施形態では、間隙は、約２５μｍ〜約１００μｍの範囲内の値を有し得る。しかしながら、いくつかの実施形態では、間隙は、好ましくは、反射層４５１０によって反射される光の量を増加させるために、可能な限り小さく保たれる。いくつかの実施形態では、間隙は、負であり得、これは、反射層４５１０は、ＬＥＥ２１０の一部を被覆し得る。本明細書に議論されるであろうように、いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、接点２２０の全てまたは一部を被覆し得る。
いくつかの実施形態では、白色ダイウエハの個片化の前に、反射層４５１０の別個の領域を形成することが、有益であり得る。例えば、個片化技法および処理パラメータは、複数組の材料（例えば、反射層４５１０が、金属を含むか、またはそれから本質的に成り、燐光体２３０が、ポリマーを含むか、またはそれから本質的に成る場合）のために最適化することが比較的困難であり得る。図４５Ｈは、図４５Ｅのものに類似する構造の実施例を示すが、反射層４５１０が白色ダイの間の領域にないことを例外とし、白色ダイの間の領域は、図４５Ｈの４５４０として識別され、通り領域としても既知であり、白色ダイウエハの個片化がそこで生じる。図４５Ｈに示される実施例では、反射層４５１０は、量４５５０だけ通り領域４５４０の中に延びる。いくつかの実施形態では、延長量４５５０は、正であり得、図４５Ｈに示されるように反射層４５１０が通り領域４５４０の中に延びるが、他の実施形態では、延長量４５５０は、負であり得、すなわち、反射層４５１０と通り領域４５４０との間に間隙がある。いくつかの実施形態では、正の延長部４５５０は、通り領域４５４０の幅の約０〜約２５％の範囲内の値を有し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、延長部２４２０は、任意の値を有し得る。いくつかの実施形態では、負の延長部４５５０は、白色ダイの幅の約０〜約２５％の範囲内の値を有し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、延長部４５５０は、任意の値を有し得る。しかしながら、負の延長部４５５０は、反射面積を減少させ、いくつかの実施形態では、負の延長部２４２０は、好ましくは、最小限にされるか、または取り除かれる。いくつかの実施形態では、通り領域４５４０は、有利には、単位面積あたりの製造されるデバイスの数を増加させ、コストを最小化するために、最小限にされる。図４５Ｄ−４５Ｈを参照した議論は、ドーム形状燐光体２３０に関してされているが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０は、任意の形状を有し得る。
図４５Ｈは、接点２２０に対する低接触抵抗、接点２２０への堅固な接続を作製することを補助するために、接点浮き上り９６０より小さい厚さ４５６０を有する反射層４５１０を示す。しかしながら、本明細書に議論されるように、他の実施形態では、特に、反射層４５１０が、接点２２０と電気接触する場合、反射層４５１０は、接点浮き上り９６０より大きい厚さを有し得る。
いくつかの実施形態では、反射層４３１０は、絶縁または比較的に絶縁であり得る。例えば、反射層４３１０は、異なる屈折率を伴う材料の交互層から成る、誘電体鏡またはブラッグ反射体を含み得る。そのような材料の実施例として、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、またはこれらの材料の混合物が挙げられる。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、絶縁膜を覆って形成される伝導性反射金属膜を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、鏡面または拡散反射体を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。例えば、粉末から作製される反射層４５１０は、より拡散性の反射体を提供し得る一方、金属箔または膜から作製される反射層４５１０は、より鏡面性の反射体を提供し得る。反射層４５１０はまた、白色膜、例えば、白色ＰＥＴ、他の白色プラスチック膜、ＷｈｉｔｅＯｐｔｉｃｓ ＬＬＣ製Ｗｈｉｔｅ９７、またはＦｕｒｕｋａｗａ製ＭＣＰＥＴ等の拡散反射膜を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、白色インクまたは塗料が、白色ウエハの背面に選択的に適用され、反射層４５１０を形成し得る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、比較的高い反射性を伴う、ポリエチレン、シリコーンまたはエポキシ等のポリマーまたはプラスチック（例えば、Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ ＭＳ−２００２等の白色拡散反射体）を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、シリコーンまたはエポキシは、約９５％より大きい、または約９５％より大きい、または約９７％より大きい反射性を有し得る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、白色エポキシを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、続いてその上に燐光体２３０が形成される、反射エポキシまたはシリコーンの薄層を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。この議論は、白色ウエハに対する反射材料または層の形成に焦点が当てられるが、そのようなアプローチはまた、個片化された白色ダイにも適用され得る。
いくつかの実施形態では、材料２７４０（図２７）は、ＬＥＥ２１０および／または燐光体２３０によって放出される光の波長に対して反射性であり得る。例えば、材料２７４０は、ＬＥＥ２１０および／または燐光体２３０によって放出される光の波長に対して反射性である、伝導性接着剤または異方伝導性接着剤を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、材料２７４０は、ＬＥＥ２１０および／または燐光体２３０によって放出される光の波長に対して、約５０％より大きい、または約７０％より大きい、または約８５％より大きい反射性を有し得る。一実施形態では、材料２７４０は、反射ＡＣＡを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
いくつかの実施形態では、ダイへの燐光体の成形は、１つ以上の他のプロセスと組み合わせられ得る。例えば、一実施形態では、光学要素（例えば、レンズ）が、白色ダイと共造形されるか、またはそれと同時に造形され得る。そのような構造は、図４６Ａ−４６Ｃに示される。図４６Ａは、光学要素４６１０を組み込む、白色ダイの実施例を示す一方、図４６Ｂおよび４６Ｃは、発光要素の基板が、部分的または完全に、除去されている、光学要素４６１０を伴う、白色ダイの実施例を示す。
一実施形態では、図４６Ａ−４６Ｃに示されるものに類似する構造は、白色ダイ製作のためのプロセスの間、光学要素のアレイを型上部１０３１に追加することによって形成され得る。図４７Ａは、型上部１０３１と燐光体２３０との間の光学要素の光学アレイ４７１０を示す。図４７Ｂは、燐光体２３０の硬化および個片化後、光学要素４６１０を組み込む、型基板４１０上の白色ダイを示す。いくつかの実施形態では、光学要素４６１０は、フレネルレンズまたは屈折レンズであり得る。いくつかの実施形態では、光学要素４６１０は、最初は、前述のように、光学アレイ４７１０等の光学要素のアレイの一部であり得る一方、他の実施形態では、１つ以上の光学要素４６１０は、形成プロセスにおいて、個々に位置決めされ得る。一実施形態では、光学アレイ４７１０は、型上部１０３１の全部または一部であり得る。
別の実施形態では、光学アレイ４７１０は、図４８に示されるように、白色ダイウエハ４８１０の製作後、白色ダイウエハ４８１０に接合され得る。一実施形態では、白色ダイウエハ４８１０の燐光体２３０は、部分的に、硬化され、光学アレイ４７１０に嵌合され、次いで、光学アレイ４７１０を白色ダイウエハ４８１０に物理的に取り着けるように、追加の硬化を受け得る。一実施形態では、接着剤が、光学アレイ４７１０を白色ダイウエハ４８１０に取り着けるために使用され得る。接着剤の実施例として、光学接着剤、噴霧接着剤、接着剤テープ、ポリウレタン、燐光体２３０のための結合剤として使用される同一の材料等が挙げられる。白色ダイウエハ４８１０への光学アレイ４７１０の取り着けの方法は、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、接着剤は、燐光体２３０と光学アレイ４７１０との間の屈折率整合を提供する屈折率を有する。いくつかの実施形態では、白色ダイウエハ４８１０への光学アレイ４７１０の取り着け後、個片化が、構造をより小さい要素に分離するために行なわれ、各々は、少なくとも１つのＬＥＥ２１０および１つの光学要素４６１０を含む。
示されるように、光学アレイ４７１０は、図４７Ａおよび５０では、白色ダイ２００と整列または実質的に整列された１つ以上の光学要素４６１０を含むか、またはそれから本質的に成る。光学アレイ４７１０は、典型的には、光学要素４６１０のアレイを特徴とする。いくつかの実施形態では、１つの光学要素４６１０が、各白色ダイ２００に関連付けられる一方、他の実施形態では、複数の白色ダイ２００が、１つの光学要素４６１０に関連付けられるか、または複数の光学要素４６１０が、単一白色ダイ２００に関連付けられるか、または改変された光学要素は、いかなる白色ダイ２００とも関連付けられず、例えば、光学アレイ４７１０の全部または一部は、平坦または粗面化表面を伴うプレートであり得る。一実施形態では、光学アレイ４７１０は、白色ダイ２００によって発生させられる光を散乱、拡散、および／または広げる要素あるいは特徴を含む。
光学アレイ４７１０は、実質的に、光学的に透明または半透明であり得る。例えば、光学アレイ４７１０は、約４００ｎｍ〜約６００ｎｍの範囲の光学波長に対して８０％より大きい透過率を呈し得る。一実施形態では、光学アレイ４７１０は、白色ダイ２００によって放出される光の波長に対して透明である材料を含むか、またはそれから本質的に成る。光学アレイ４７１０は、実質的に、可撓性または剛体であり得る。いくつかの実施形態では、光学アレイ４７１０は、複数の材料および／または層を含む。光学要素４６１０は、光学アレイ４７１０内または上に形成され得る。光学アレイ４７１０は、例えば、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、シリコーン、ポリウレタン、ガラス等を含むか、あるいはそれから本質的に成り得る。光学要素４６１０は、エッチング、研磨、研削、機械加工、成形、エンボス加工、押出、鋳造等によって形成され得る。光学要素４６１０の形成の方法は、本発明の実施形態の限定ではない。
光学アレイ４７１０に関連付けられた光学要素４６１０は全て、同一であり得るか、または互に異なり得る。光学要素４６１０は、例えば、屈折光学要素、回折光学要素、全内部反射（ＴＩＲ）光学要素、フレネル光学要素等、あるいは異なるタイプの光学要素の組み合わせを含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。光学要素４６１０は、光エミッタ、燐光体、および光学要素のアレイから特定の光分布パターンを達成するように造形または改変され得る。
本明細書で使用され場合、「整列」および「整列された」とは、ある構造、例えば、白色ダイ２００の中心が、別の構造、例えば、光学要素４６１０の中心と整列されることを意味し得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、整列とは、複数の構造の幾何学形状間の規定された関係を指す。
前述の議論は、主に、燐光体を含む発光素子に焦点が当てられているが、本アプローチは、燐光体を伴わない発光素子を経済的に作製するアプローチとして使用され得、ＬＥＥを包囲する材料は、図４９Ａ−４９Ｅに示されるように、光変換材料を伴わない、透明材料４９１０である。これは、「クリアなダイ（ｃｌｅａｒ ｄｉｅ）」４９００と呼ばれ得る。この場合、透明材料は、結合剤または封止剤と呼ばれ得る。この場合、構造は、前述の実施例に類似して見えるが、光変換材料が存在せず、そのような素子によって放出される光は、ＬＥＥによって放出されるものであることが異なる。いくつかの実施形態では、他の材料、例えば、光を散乱させるための材料が、結合剤中に存在し得る。図４９Ａ−４９Ｅは、ＬＥＥ２１０および結合剤または封止剤４９１０を含む、クリアなダイ４９００の実施例を示す。本発明に関して論じられる変形例の一部または全部は、クリアなダイを産生するために使用され得る。本アプローチは、非常に大きな体積における、クリアなダイの低コスト製造を可能にする。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、ＬＥＤを含むか、またはそれから本質的に成り得る。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、任意の可視色範囲、例えば、赤色、橙色、黄色、緑色、琥珀色、青色等、または可視範囲外の波長、例えば、赤外線および紫外線において、光を放出し得る。図４９Ａ−４９Ｃは、結合剤４９１０の種々の形状を伴う、クリアなダイ４９００の実施例を示す一方、図４９Ｄは、共造形された光ファイバ４９２０を伴う、クリアなダイの実施例を示す。光ファイバ４９２０は、例えば、光の結合の除去（ｏｕｔ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ）またはＬＥＥ２１０光学特性の監視のために使用され得る。そのような光ファイバ結合はまた、白色ダイとともに使用され得る。図４９Ｅは、白色ダイに関して上で議論されたような、光学要素４６１０と統合されたクリアなダイ４９００を示す。
図５０−５８は、１つ以上の光学要素を特徴とする、本発明の異なる実施形態を表す。図５０は、統合された光学要素を伴う、図２７および２８の構造を示す。図５０では、各白色ダイ２００は、それに関連付けられた光学要素４６１０を有する。
示されるように、光学部５０１０は、図５０では、白色ダイ２００と整列または実質的に整列される、１つ以上の光学要素４６１０を含むか、またはそれから本質的に成る。光学部５０１０は、典型的には、光学要素のアレイ４６１０を特徴とする。いくつかの実施形態では、１つの光学要素４６１０が、各白色ダイ２００に関連付けられる一方、他の実施形態では、複数の白色ダイ２００が、１つの光学要素４６１０に関連付けられ、あるいは複数の光学要素４６１０が、単一白色ダイ２００に関連付けられ、もしくは改変された光学要素は、いかなる白色ダイ２００とも関連付けられず、例えば、光学部５０１０は、平坦または粗面化表面を伴う、プレートであり得る。一実施形態では、光学部５０１０は、白色ダイ２００によって発生させられる光を散乱、拡散、および／または広げるための要素あるいは特徴を含む。
光学部５０１０は、実質的に、光学的に透明または半透明であり得る。例えば、光学部５０１０は、約４００ｎｍ〜約６００ｎｍの範囲の光学波長に対して８０％より大きい透過率を呈し得る。一実施形態では、光学部５０１０は、白色ダイ２００によって放出される光の波長に対して透明である材料を含むか、またはそれから本質的に成る。光学部５０１０は、実質的に、可撓性または剛体であり得る。いくつかの実施形態では、光学部５０１０は、複数の材料および／または層から成る。光学要素４６１０は、光学部５０１０内または上に形成され得る。光学部５０１０は、例えば、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、テレフタル酸ポリエチレン（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、シリコーン、ガラス等を含むか、またはそれから本質的に成り得る。光学要素４６１０は、エッチング、研磨、研削、機械加工、成形、エンボス加工、押出、鋳造等によって形成され得る。光学要素４６１０の形成の方法は、本発明の実施形態の限定ではない。
光学部５０１０に関連付けられた光学要素４６１０は全て、同一であり得るか、または互に異なり得る。光学要素４６１０は、例えば、屈折光学要素、回折光学要素、全内部反射（ＴＩＲ）光学要素、フレネル光学要素等、あるいは異なるタイプの光学要素の組み合わせを含むか、もしくはそれから本質的に成り得る。光学要素４６１０は、光エミッタ、燐光体、および光学要素のアレイからの特定の光分布パターンを達成するように造形または改変され得る。
図５０に示される、光学部５０１０の背面と白色ダイ２００との間の空間５０２０は、部分的に真空であるか、あるいは空気で充填されるか、流体または他のガスで充填されるか、もしくは１つ以上の他の材料で充填または部分的に充填され得る。一実施形態では、領域５０２０は、燐光体２３０のための結合剤として使用される材料と類似または同じ透明材料で充填あるいは部分的に充填され、白色ダイ２００内のＴＩＲ損失を低減させ、白色ダイ２００と光学４６１０との間の光結合の向上を提供する。いくつかの実施形態では、領域５０２０は、白色ダイ２００と光学部５０１０との間の屈折率整合を提供する材料で充填される。
図５１に示される構造は、図５０に示されるものに類似する。しかしながら、図５１では、くぼみ５１００が、光学部５０１０内に形成され、白色ダイ２００を収容または部分的に収容する。白色ダイ２００は、例えば、バッチプロセスにおいて、またはピックアンドプレースツールを使用して、くぼみ５１００内に形成または挿入され得る。白色ダイ２００は、機械的に、あるいは接着剤または糊を用いて、くぼみ５１００内に保持され得る。一実施形態では、白色ダイ２００は、燐光体２３０とともに使用される結合剤またはマトリクスと類似のまたは同じ透明材料によって、定位置に保持される。一実施形態では、くぼみ５１００は、白色ダイ２００より大きい。一実施形態では、くぼみ５１００は、白色ダイ２００をちょうど収容するようにサイズ決定される。図５２および５３は、製造の初期段階における、図５１の構造の構成要素を示す。図５２は、くぼみ５１００を伴う、光学部５０１０を示す。図５３は、ＬＥＥ基板２７２０、伝導性トレース２７３０、および白色ダイ２００を示す。図５２および５３に示されるこれらの２つの構造は、図５１における構造を形成するために、一緒に嵌合される。
図５４に示される構造は、図５１に示されるものに類似する。しかしながら、図５４の構造の場合、白色ダイ２００は、接点が外に向いた状態で光学部５０１０内のくぼみ５１００の中に形成または配置され、伝導性トレース２７３０は、光学部５０１０および接点２２０を覆って形成され、白色ダイ２００を電気的に結合する。本実施形態では、ＬＥＥ基板２７２０は、排除される。伝導性トレース２７３０は、種々の方法、例えば、物理的蒸着、蒸着、スパッタリング、化学蒸着、ラミネート、ラミネートおよびパターン化、めっき、印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷等を使用して形成され得る。一実施形態では、反射表面５４１０が、白色ダイ２００の背面から放出される光の全部あるいは実質的または制御された部分が、光学４６１０に向かって反射し戻されるように、光学部５０１０の背面を覆って形成される。反射表面５４１０は、金、銀、アルミニウム、銅等の金属を含み得、蒸着、スパッタリング、化学蒸着、めっき、電気めっき等によって堆積され得るか、あるいは塗料、インク等、例えば、白色インクまたは白色塗料等の反射コーティングを含み得る。反射コーティングが、電気的に伝導性である場合、それは、伝導性トレース２７３０から分離され得るか、または伝導性トレース２７３０によって占有される領域から分離（例えば、除去）され得る。反射コーティングは、非伝導性であり得る。反射コーティングは、伝導性トレース２７３０を覆って、またはその下方に形成され得る。反射コーティングは、白色ダイ２００および／または伝導性トレース２７３０の全部または一部を被覆し得る。反射コーティングはまた、他の材料、例えば、ブラッグ反射体、あるいは鏡面または拡散反射材料の１つ以上の層を含み得る。一実施形態では、光学部５０１０は、反射材料、例えば、ＷｈｉｔｅＯｐｔｉｃｓ ＬＬＣ製Ｗｈｉｔｅ９７またはＦｕｒｕｋａｗａ製ＭＣＰＥＴ、あるいは任意の他の反射材料で一面を覆われる。一実施形態では、伝導性トレース２７３０は、白色ダイ２００によって放出される光の波長に対して反射性の材料を含むか、またはそれから形成され、白色ダイ２００を包囲する反射材料の領域を提供するようにパターン化される。そのような反射材料または反射ＬＥＥ基板２７２０の使用は、光システムの任意の構成、例えば、図５０−５７に示されるものに適用され得る。図５５は、伝導性トレース２７３０および随意の反射層５４１０の形成に先立った製造の初期段階における、図５４の構造を示す。
図５６および５７に示される構造は、図５４に示されるものに類似する。しかしながら、この場合、伝導性トレース２７３０は、図５６に示されるように、白色ダイ２００の形成または配置の前に、光学部５０１０を覆って形成される。くぼみ５１００内への白色ダイ２００の形成または配置後、白色ダイ２００上の接点２２０は、ジャンパ（すなわち、個別の導体）５７１０を使用して、伝導性トレース２７３０に電気的に結合される。ジャンパ５７１０は、種々の異なる技法によって形成され得る。一実施形態では、伝導性材料は、例えば、蒸着、スパッタリング、ラミネート、めっき等によって、光学部５０１０の表面を覆って形成およびパターン化され、パターン化は、フォトリソグラフィ、シャドウマスク、ステンシルマスク等を使用して行なわれ得る。一実施形態では、ジャンパ５７１０は、印刷、例えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷、インクジェット印刷等によって、形成される。一実施形態では、ジャンパ５７１０は、ワイヤ接合によって形成される。ジャンパ５７１０は、長方形形状を有し得るが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ジャンパ５７１０は、台形、正方形、または任意の形状を有する。ジャンパ５７１０は、１つ以上の伝導性材料、例えば、アルミニウム、金、銀、白金、銅、炭素、導電性酸化物等を含み得る。ジャンパ５７１０は、約５０ｎｍ〜約１００μｍの範囲内の厚さを有し得る。一実施形態では、ジャンパ５７１０は、約５μｍ〜約３０μｍの範囲内の厚さを有する。一実施形態では、ジャンパ５７１０は、伝導性トレース２７３０のために使用される材料を含み、および／または伝導性トレース２７３０を形成するために使用される方法を使用して形成される。ジャンパ５７１０の形成の方法および組成は、本発明の限定ではない。
白色ダイ２００に関する前述の実施例は、各白色ダイ２００内に１つのＬＥＥ２１０を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、各白色ダイ２００は、複数のＬＥＥ２１０を含む。
白色ダイ２００に関して前述の実施例は、正方形であり、ＬＥＥ２１０の接点面に垂直な側壁を有するような白色ダイ２００を示す。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、白色ダイ２００は、長方形、六方晶、円形、三角形であるか、あるいは任意の形状を有し、および／または接点２２０を含むＬＥＥ２１０の表面に対して任意の角度を形成する側壁を有する。例えば、白色ダイ２００に関連する、用語「白色ダイ」は、白色光を産生する構造を説明するために使用されているが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、異なる色ＬＥＥ２１０および異なる燐光体（１つ以上）が、他の色、例えば、琥珀色、緑色、あるいは任意の色またはスペクトルパワー分布を産生するために使用され得る。他の実施形態では、白色ダイ２００は、複数のＬＥＥ２１０を含む。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は全て同一であるが、他の実施形態では、ＬＥＥ２１０は、例えば、異なる波長を放出する、異なるＬＥＥ２１０の２つ以上の群を含む。いくつかの実施形態では、ＬＥＥ２１０は、有機光エミッタを含むか、またはそれから本質的に成り得る。
前述の議論は、主に、発光素子に焦点を当てているが、本発明の実施形態は光を吸収する素子、例えば、検出器または光起電素子のためにも使用され得る。図５８Ａは、光吸収要素（ＬＡＥ）５８１０および結合剤５８２０を含む、例示的素子５８００を示す。一実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、フリップチップ幾何学形状で構成され、接点２２０は、検出面５８３０と反対の面上に位置決めされる。一実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、図１７Ａに示されるＬＥＥ１７００に対するものに類似する構造を有する。一実施形態では、ＬＡＥ５８１０のための基板は、部分的または完全に、除去される。ＬＡＥ５８１０は、可視光スペクトル内および／または外の広範囲の波長範囲にわたる１つ以上の波長を検出するように構成され得る。種々の実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、ＵＶ光、ＩＲ光、Ｘ線、可視光、または検出器が利用可能な電磁スペクトルの任意の部分を検出するように構成され得る。いくつかの実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＡｌＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＺｎＯ、ＩＩ−ＶＩ材料等またはこれらの材料の２つ以上の種々の組み合わせを含み得る。ＬＡＥ５８１０が構成される材料は、本発明の限定ではない。
いくつかの実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、ショトキー検出器、ｐ−ｎ接合検出器、光電気検出器、光電セル、フォトレジスタ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、電荷結合素子、ＣＭＯＳ撮像機等であり得る。ＬＡＥ５８１０のタイプおよびＬＡＥ５８１０が動作する方法は、本発明の限定ではない。
一実施形態では、結合剤５８２０は、ＬＡＥ５８１０によって検出された光の波長に対して透明である。一実施形態では、結合剤５８２０は、部分的に、吸収性であり得、結合剤５８２０の吸収帯域は、入射波長範囲の範囲からＬＡＥ５８１０によって検出されるべき１つ以上の波長範囲を選択するために使用され得る。例えば、結合剤５８２０は、低域フィルタ、高域フィルタ、帯域通過フィルタ、またはこれらの種々の組み合わせとして効果的に作用し得る。
いくつかの実施形態では、結合剤５８２０はさらに、素子５８００の性能の１つ以上の側面を向上させるための他の材料を含み得る。例えば、一実施形態では、結合剤５８２０は、１つ以上の光の波長を吸収し、フィルタとして作用するための材料を含み得る。一実施形態では、結合剤５８２０は、前述のものに類似する波長変換材料を含む。一実施形態では、これは、入射波長をＬＡＥ５８１０によって検出されるべき異なる波長に偏移させるために使用され得る。例えば、燐光体が、結合剤５８２０に添加され、入射光の１つ以上の波長（例えば、青色光）を、ＬＡＥ５８１０に衝突する１つ以上の異なる波長（例えば、黄色光）に偏移させ得る。このように１つまたは少数のＬＡＥ５８１０が、いくつかの波長変換材料と組み合わせて使用され、比較的に多数の異なるＬＡＥ５８１０を有する必要なく、広波長範囲に及ぶ、検出器群を産生し得る。
白色ダイに関して本明細書に論じられるように、結合剤５８２０が、造形され得る。いくつかの実施形態では、結合剤５８２０は、ＬＡＥ５８１０による光の収集を増加させるように造形される。図５８Ｂは、ドーム状形状を有するように造形された結合剤５８２０を有する素子５８００の実施例を示す。いくつかの実施形態では、造形された結合剤５８２０は、結合剤５８２０への１つ以上の添加剤、例えば、波長変換材料と組み合わせられる。
いくつかの実施形態では、素子５８００は、２つ以上のＬＡＥ５８１０を含み得る。一実施形態では、素子５８００は、図５８ＣにおけるＬＡＥ５８１０、５８１０’、および５８１０’’として識別される、３つのＬＡＥ５８１０を含む。一実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、赤色波長を検出し、ＬＡＥ５８１０’は、緑色波長を検出し、ＬＡＥ５８１０’’は、青色波長を検出し、組み合わせは、３つの異なるＬＡＥからの相対的出力信号を評価することによって、色センサとして使用され得る。
いくつかの実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、光起電素子または太陽電池であり、入射放射（典型的には、但し、必ずしも、可視範囲内ではない）から電力を産生するように設計される。そのような光起電素子は、種々の材料から作製され得る。いくつかの実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＡｌＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＺｎＯ、ＩＩ−ＶＩ材料等またはこれらの材料の２つ以上の種々の組み合わせを含み得る。ＬＡＥ５８１０が作製される材料は、本発明の限定ではない。いくつかの実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、単一接合太陽電池であるが、他の実施形態では、ＬＡＥ５８１０は、多接合太陽電池である。本明細書に論じられるように、発光要素および検出器に関して、本発明の実施形態を使用して産生される光起電素子は、種々の実施形態では、透明結合剤、結合剤への添加剤、波長変換材料、造形された結合剤、光学部、素子あたり複数のＬＡＥ５８１０等を含み得る。
いくつかの実施形態では、本発明を使用して作製される光起電素子は、加えて、１つ以上の光学部を含み、例えば、図５９Ａに示されるように、収集を増加させるか、または集光器として作用し得る。図５９Ａは、太陽電池５９１０、結合剤５８２０、および光学部４６１０を含む、素子５９００を示す。一実施形態では、収集または集光のための光学機能は、素子５９０１のための図５９Ｂに示されるように、造形された結合剤５８２０を使用して実施される。
いくつかの実施形態では、結合剤５８２０はさらに、素子５９００、５９０１の性能の１つ以上の側面を向上させるための他の材料を含み得る。例えば、一実施形態では、結合剤５８２０は、光の１つ以上の波長を吸収し、フィルタとして作用するための材料を含み得る。一実施形態では、結合剤５８２０は、白色ダイに関して前述のものに類似する波長変換材料を含む。一実施形態では、これは、入射波長を太陽電池５９１０によって吸収されるべき異なる波長に偏移させるために使用され得る。例えば、燐光体が、結合剤５８２０に添加され、１つ以上の入射光の波長を、太陽電池５９１０に衝突する、１つ以上の異なる光の波長に偏移させ得る。このように、太陽スペクトルのより大きな部分が、太陽電池５９１０によって有用に吸収され得る。いくつかの実施形態では、これは、より低コスト太陽電池５９１０、例えば、より少ない接合を伴うものの使用を可能にし得る。一実施形態では、各々が異なる波長範囲内の光を吸収する、２つ以上の異なる太陽電池が、図５８Ｃに示される構造に類似する、１つのパッケージ化された素子内に組み込まれ得る。
本発明の実施形態は、電子専用素子として識別される、光を放出も、検出もしない素子に適用され得、その場合、本発明の用途の目的は、いくつかの実施形態では、コスト削減である。種々の実施形態では、比較的に多数の電子素子、特に、チップまたは個別の素子または集積回路が、大量かつ低コストの基本プロセスを使用して、ポリマー系材料（上記に詳細された結合剤のように）内にパッケージ化され得る。本アプローチのいくつかの実施形態では、結合剤５８２０は、透明である必要はなく、半透明または不透明であり得る。本明細書に論じられるように、発光要素、検出器、および光起電素子に関して、本発明の実施形態に従って産生される、電子専用素子は、結合剤への添加剤、造形された結合剤、複数の素子等を含み得る。
一実施形態では、本発明の電子専用素子は、図６０Ａに示されるもの等、パッケージ化された電子専用素子であって、素子６０００は、電子専用素子６０１０および結合剤６０２０を含む。いくつかの実施形態では、電子専用素子６０１０は、光エミッタまたは検出器より多数の接点を有し得る。例えば、電子専用素子６０１０は、１０個より多い接点、または１００個より多い接点、またはさらに多数の接点を含み得る。
図６０Ｂは、ヒートスプレッダ６０３０を組み込む、別の例示的素子６００１を示す。ヒートスプレッダは、本明細書で利用されるように、比較的高熱伝導性、特に、結合剤６０２０より高い高熱伝導性を伴うある量の材料であり、これは、電子専用素子６０１０から周囲または追加の熱管理システムに熱を伝達するために使用され得る。いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、金属、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ等である。いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、セラミック、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、多結晶ＳｉＣ、多結晶ＡｌＮ等である。いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、モノリシック構成要素であるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、図６０Ｃおよび６０Ｄにそれぞれ示されるように、複数の個別の部分および別個の部分を備え得る。ヒートスプレッダ６０３０は、図６０Ｃおよび６０Ｄでは、正方形または長方形として示されるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、任意の形状またはサイズを有し得る。一実施形態では、ヒートスプレッダ６０３０は、ヒートパイプである。
別の実施形態では、コネクタが、素子、例えば、電子専用素子に追加され得る。一実施形態では、コネクタ６０４０は、図６０Ｅに示されるように、電子専用素子６０１０の上に追加され、結合剤６０２０の存在によって、少なくとも部分的に、定位置に保持される。
別の実施形態では、１つ以上の素子が、図６１に示されるように、互の上部に積層され得る。図６１は、電子専用素子６０１０の上に形成される電子専用素子６０１０’を示す。図６１はまた、電子専用素子６０１０を通しての随意のビア６１００を示し、電子専用素子６０１０’と６０１０との間の電気結合をもたらす。例えば、ワイヤ接合、はんだ、伝導性接着剤等、他の方法が、素子を電気的に結合するために使用され得る。図６１は、異なるサイズを有する、電子専用素子６０１０と６０１０’とを示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、電子専用素子６０１０と電子専用素子６０１０’とは、同一または実質的に同一サイズを有し得る。
別の実施形態では、電子専用および他の（例えば、光検出および／または発光）素子は、図６２に示されるように、同一の結合剤内にパッケージ化され得る。図６２は、光検出素子５８１０に隣接する電子専用素子６０１０を示す。本アプローチは、いくつかの追加の能力、例えば、信号調整、通信、メモリ等を提供するために使用され得る。一実施形態では、電子専用素子６０１０および光検出素子５８１０は、それらが最終的には搭載される回路基板上の接続を介して、それらのそれぞれの接点の各々を通して通信する。一実施形態では、内部接続が、例えば、図６１に示されるビアまたはワイヤ接合等と同様に使用される。
いくつかの実施形態では、接点２２０の全てまたは一部は、図６３Ａに示されるように、反射層４５１０によって被覆され得る。そのような実施形態では、反射層４５１０は、電流が、接点２２０から反射層４５１０を通して、例えば、下にある伝導性トレースまたは基板まで流動し得るように、伝導性であることが好ましい。伝導性反射材料の実施例は、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ等、銀インク、炭素インク、銅インク等の伝導性インクを含み得る。図６３Ａは、接点２２０が反射層４５１０によって被覆される白色ダイの実施例を示す。図６３Ａの構造は、反射層４５１０によって完全に被覆される接点２２０を示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、接点２２０の一部のみが、反射層４５１０によって被覆され得る。図６３Ｂは、製造の初期段階における、図６３Ａの構造の一実施形態を示す。図６３Ｂは、ＬＥＥ２１０および燐光体２３０を含むか、またはそれらから本質的に成る白色ウエハを示す。図６３Ｃは、製造の後の段階における、図６３Ｂの構造を示し、反射層４５１０は、ＬＥＥ２１０の接点２２０が反射層４５１０によって被覆されるように、燐光体２３０およびＬＥＥ２１０の一部を覆って形成されている。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、接点２２０を含む白色ウエハの表面全体にわたって形成され、続いて、反射層４５１０の一部を除去し、図６３Ｃの構造を産生し得る。例えば、反射層４５１０は、物理的蒸着、化学的蒸着、蒸発、スパッタリング、めっき、ラミネーション、散布、印刷、スクリーン印刷等によって形成され得る。この層は、次いで、例えば、リソグラフィによってパターン化され得、一部は、例えば、エッチング、ウェット化学エッチング、ドライエッチング、ＲＩＥ、アブレーション等によって、除去され得る。別の実施形態では、反射層は、選択的に堆積され得る。例えば、反射層４５１０は、蒸発、スパッタリング等を使用して、物理的またはシャドウマスクを通して堆積されるか、もしくは特定の領域内にのみ形成する反射層４５１０をもたらす選択的堆積プロセスを使用して堆積されるか、もしくは燐光体２３０上の反射層４５１０のパターン化された薄膜または箔のラミネーションまたは形成によって達成され得る。
図６３Ｃに示される実施例では、反射層４５１０は、６３１０として識別される、通りまたは個片化領域内に、形成されない。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、反射層４５１０は、通りまたは個片化領域６３１０内に形成され得る。いくつかの実施形態では、通りまたは個片化領域内に反射層４５１０を形成しないことが、個片化プロセスを簡略化し得るため、有益であり得る。図６３Ｃから分かり得るように、各接点２２０に結合される反射層４５１０の一部は、ＬＥＥ２１０を短絡させることを回避するために、互に電気的に結合されない。図６３Ｄは、個片化の後に、図６３Ａの構造をもたらす、製造の後の段階における、図６３Ｃの構造を示す。
いくつかの実施形態では、反射材料４５１０のパターン化された伝導性膜または箔が、図４５Ａに示されるものに類似する方式で、型基板４１０または別の基部上に形成され得るが、伝導性箔は、電流が伝導性箔４５１０および接点２２０を通して、ＬＥＥ２１０まで流動するように図６３Ｅに示されるように、接点２２０の全てまたは一部の下にある。伝導性箔の一部は、例えば、はんだ、低温はんだ、伝導性エポキシ、ＡＣＡ、ＡＣＦ、物理的嵌合等を使用して、接点２２０に電気的に結合され得る。図６３Ｆは、燐光体２３０の形成および個片化の後の製造の後の段階における、図６３Ｅの構造の実施例を示す。図６３Ｇは、接点２２０がＡＣＡまたはＡＣＦ６３２０を使用して伝導性箔４５１０に電気的に結合される、実施形態の実施例を示す。いくつかの実施形態では、伝導性膜は、アルミニウム、金、銀、チタン、銅等を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。一実施形態では、伝導性膜４５１０は、アルミニウムまたは銅を含むか、またはそれらから本質的に成り、約１μｍ〜約２５０μｍの範囲内、またはより好ましくは、約５μｍ〜約４０μｍの範囲内の厚さを有する。
いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、鏡面反射体であり得るが、他の実施形態では、拡散反射体であり得る。いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、伝導性インク、例えば、白色伝導性インクを含むか、またはそれから本質的に成り得る。
別の実施形態では、反射材料に関して本明細書に説明されるものに類似する材料の使用は、例えば、図２７に示されるようなＡＣＡを使用して、他の目的のために、例えば、型基板４１０への硬化された燐光体２３０または下にある伝導性トレースへの硬化された燐光体２３０の接着等の他の特性を修正するために使用され得る。いくつかの実施形態では、他の性質の修正は、反射性と組み合わせられ得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、実質的に反射性ではない材料であり得る。例えば、硬化されていない燐光体４２０（図４Ｂ）の形成の前に、型基板４１０上に形成される材料は、型基板４１０への硬化された燐光体２３０の接着を低減させる、燐光体／型基板界面にまたはそれらの近傍に層をもたらし得る。いくつかの実施形態では、これは、反射材料であり得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、実質的に反射性ではない材料であり得る。いくつかの実施形態では、これは、本明細書に議論されるように、粉末であり得る一方、他の実施形態では、これは、薄膜であり得る。いくつかの実施形態では、これは、いくつかの実施形態において、材料が硬化された燐光体に組み込まれることを除いて、本明細書に議論される金型剥離材料または薄膜のように作用し得る。
いくつかの実施形態では、反射層４５１０は、２つ以上の材料または層を含むか、またはそれらから成り得、各層は、異なる目的の役割を果たす。例えば、一実施形態では、反射層４５１０は、白色ダイ２００に隣接する第１の反射層と、下にある基板または接点への反射層の接着の改良をもたすための第１の反射層に隣接する第２の接着層とを含むか、またはそれらから本質的に成り得る。
本明細書に議論されるように、いくつかの実施形態では、燐光体２３０の表面の全てまたは一部は、例えば、ＴＩＲを低減させ、光出力を増加させるか、もしくは、燐光体２３０と隣接材料との間の接着を増加させるために（例えば、ＡＣＡ６３２０またはＡＣＡ２７４０への接着を増加させるために）、粗面化またはテクスチャ処理され得る。いくつかの実施形態では、粗面化またはテクスチャ処理は、成形プロセスの間に行われ得る。いくつかの実施形態では、燐光体４２０と接触する型基板表面の全てまたは一部は、そのような粗面化またはテクスチャ処理される特徴を硬化された燐光体２３０に与えるために、粗面化またはテクスチャ処理され得る。いくつかの実施形態では、そのような粗面化またはテクスチャ処理は、例えば、アブレーション、レーザアブレーション、エッチングまたは化学的アブレーション、インプリンティング、刻み付け等によって、成形の後に達成され得る。粗面化またはテクスチャ処理の方法は、本発明の限定ではない。
一実施形態では、テクスチャの特徴は、約０．１μｍ〜約５０μｍの範囲内、より好ましくは、約０．５μｍ〜約２５μｍの範囲内のサイズを有し得る。一実施形態では、テクスチャは、半球またはピラミッド形状であり得る。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、テクスチャは、任意の形状を有し得る。一実施形態では、テクスチャは、規則的または実質的規則的パターンを含むか、またはそれらから本質的に成る一方、他の実施形態では、テクスチャは、ランダムまたは実質的ランダム特徴を含むか、またはそれらから本質的に成る。いくつかの実施形態では、テクスチャのスケールは、有利には、ＬＥＥ２１０によって放出される光の閉塞または吸収を低減させるために、ＬＥＥ２１０の高さより約１０％低いか、またはＬＥＥ２１０の高さより５％低いか、またはＬＥＥ２１０の高さより２％低い。
図６４Ａおよび６４Ｂは、テクスチャ処理された燐光体を組み込む、実施形態の２つの実施例を示す。図６４Ａでは、６４１０として識別されるテクスチャは、規則的周期構造を有する一方、図６４Ｂに示される実施形態では、テクスチャ６４１０は、不規則的または実質的ランダム構造を有する。図６４Ｂの構造はまた、反射層４５１０を含む。図６４Ｂは、反射層４５１０の燐光体２３０と反対の側を平坦として示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、反射層４５１０の燐光体２３０と反対の側は、平坦ではないことがあり得るか、または反射層４５１０は、燐光体２３０のテクスチャ処理された表面に一致または実質的に一致させることによって、テクスチャ処理され得る。例えば、図６４Ｃは、テクスチャ処理された外部表面を伴う反射層４５１０を含むか、またはそれらから本質的に成る、実施形態を示す一方、図６４Ｄは、燐光体２３０に隣接するテクスチャ処理された表面およびテクスチャ処理された外部表面を伴う反射層４５１０を含むか、またはそれらから本質的に成る実施形態を示す。いくつかの実施形態では、テクスチャを構成する個々の特徴の全ては、同一または実質的同一形状を有する一方、他の実施形態では、テクスチャを構成する個々の特徴は、異なる形状を有する。図６４Ａおよび６４Ｂに示される構造は、接点２２０を囲む、燐光体２３０の面の全てまたは実質的に全てをテクスチャ処理されるものとして示すが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、燐光体２３０の表面または面の一部のみが、テクスチャ処理され得る。
図６４Ａに示される実施形態の場合、テクスチャは、次に燐光体に移転される、型内に形成される規則的周期構造を有する型を使用して形成され得る。いくつかの実施形態では、各個々の特徴は、実質的同一形状を有し得るが、その特徴は、周期的アレイを形成しない。いくつかの実施形態では、そのような構造は、それらの特性を有する型を使用して成形することによって、もしくは型基板４１０上の粒子またはビーズの形成によって形成され得、各粒子またはビーズは、実質的同一形状を有するが、ビーズの位置は、規則的周期的アレイおよびビーズにわたる成形を形成しない。
図６４Ｂに示される実施形態の場合、テクスチャは、次いで燐光体に移転される、型内に形成される異なる形状の不規則的または実質的ランダム構造を有する型を使用して形成され得る。いくつかの実施形態では、そのような構造は、型基板４１０上の粒子またはビーズの形成によって形成され得、各粒子またはビーズは、同一形状（例えば、粉末、薄片、または斑点）を有さず、粒子の位置は、規則的周期的アレイを形成しない。
いくつかの実施形態では、テクスチャは、燐光体上にテクスチャ処理されたプレートの刻み付けまたはスタンプによって、硬化または部分的に硬化された燐光体に与えられ得る。
いくつかの実施形態では、材料は、硬化されない燐光体４２０の形成の前に、またはその一部として、型基板４１０上に形成され得、燐光体の硬化の後に、この材料の全てまたは一部は、除去され、硬化された燐光体２３０の一部内において、空隙、くぼみ、または刻み付けを残し得る。図６５Ａ−６５Ｃは、燐光体の硬化の後に、材料の除去によってテクスチャを産生する、プロセスの一実施形態の実施例を示す。図６５Ａは、ＬＥＥ２１０および粒子６５１０が形成されている、型基板４１０を示す。図６５Ｂは、製造の後の段階における、図６５Ａの構造を示す。図６５Ｂでは、硬化されていない燐光体４２０は、型基板４１０、ＬＥＥ２１０、および粒子６５１０を覆って形成されており、硬化され、型基板４１０が除去され、粒子６５１０が、燐光体２３０内に埋め込まれまたは部分的に埋め込まれている構造を残す。図６５Ｃは、製造の後の段階における、図６５Ｂの構造を示す。図６５Ｃでは、粒子６５１０の全てまたは一部が、硬化された燐光体２３０から除去され、テクスチャ６４１０を残す。いくつかの実施形態では、粒子６５１０は、燐光体２３０およびＬＥＥ２１０に影響を及ぼさないか、または実質的に影響を及ぼさない溶液中でのエッチングまたは分解によって、除去され得る。例えば、一実施形態では、粒子６５１０は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム、粉、コーンスターチ、スクロース等の１つ以上の水溶性材料を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。一実施形態では、粒子６５１０は、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、カンファ、キャスターオイル、塩化リチウム、ヨウ化リチウム等の１つ以上のアルコール可溶性材料を含むか、またはそれらから本質的に成り得る。一実施形態では、粒子６５１０は、金属を含むか、またはそれらから本質的に成り、好適なウェットまたはドライエッチング液中のエッチングによって除去され得る。例えば、一実施形態では、粒子６５１０は、アルミニウムを含むか、またはそれらから本質的に成り、塩酸中のエッチングによって除去され得る。粒子６５１０の組成およびそれを燐光体２３０から除去するための技法は、本発明の限定ではない。
いくつかの実施形態では、燐光体２３０は、燐光体の一部のエッチングまたは除去によって、テクスチャ処理され得る。一実施形態では、燐光体２３０は、マスクを用いないで処置されるように、自由にエッチングされ得る一方、他の実施形態では、マスクは、テクスチャ処理プロセスの一部として使用され得る。シリコーン材料は、例えば、ジメチルアセトアミド系化学物質または他の有機溶媒（例えば、Ｄｙｎａｓｏｌｖｅ製のＤｙｎａｌｏｙ）を使用する、様々な技法を使用して、エッチングされ得る。いくつかの実施形態では、燐光体は、テクスチャの特定のスケールの形成を助長するために、エッチングに先立ってマスクされ得る。本明細書に議論されるように、そのようなテクスチャは、規則的または不規則的であり得る。テクスチャの形成は、例えば、パターン化およびエッチングによって、例えば、マスクと組み合わせられるリソグラフィを使用して、達成され得る。マスク材料は、フォトレジスト、金属、または他の好適な材料を含み得る。いくつかの実施形態では、形成は、物理マスクまたはステンシルを通したエッチングによって達成され得る。いくつかの実施形態では、マスクは、例えば、燐光体上の金属（例えば、金）の比較的薄層を形成し、次いで、金属内における合体を誘発させるために加熱し、次いでテクスチャ形成のために使用され得る比較的ランダムなマスクを形成することによる凝集作用によって形成され得る。
本明細書に議論されるように、いくつかの実施形態では、白色ダイは、テクスチャを有する燐光体の一部、もしくは反射層で被覆または被着される燐光体の一部、もしくはそれら両方を含み得る。いくつかの実施形態では、反射層自体は、テクスチャ処理され得るが、他の実施形態では、テクスチャは、反射層から分離している。
本明細書における議論は、主に、短波長からより長い波長に偏移させるための波長変換材料または燐光体の使用である下方変換に焦点を当てるが、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、上方変換または上方変換および下方変換の組み合わせが、使用され得る。
本発明の他の実施形態は、追加のあるいはより少ないステップまたは構成要素を有し得、もしくは修正されるか、または異なる順序で実施され得る。一般に、前述の議論では、光エミッタ、ウェル、光学等のアレイは、正方形または長方形アレイとして示されている。しかしながら、これは、本発明の限定ではなく、他の実施形態では、これらの要素は、他のタイプのアレイ、例えば、六角形、三角形、またはいかなる任意のアレイにも形成される。いくつかの実施形態では、これらの要素は、単一基板上において、異なるタイプのアレイに群化される。
本明細書で採用される用語および表現は、限定ではなく、説明の用語および表現として使用され、そのような用語および表現の使用において、図示および説明される特徴またはその一部のいかなる均等物も排除することを意図しない。加えて、本発明のある実施形態が説明されたが、本明細書に開示される概念を組み込む、他の実施形態も、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、使用され得ることは、当業者に明白となるであろう。故に、説明される実施形態は、あらゆる観点において、例証にすぎず、限定ではないと見なされるべきである。
Claims (88)
- 電子素子であって、
固形体積のポリマー結合剤と、
前記ポリマー結合剤内に吊るされている半導体ダイであって、前記半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有し、前記半導体ダイは、光を協働して放出する複数の活性半導体層を備えているベアダイ発光要素であり、（ｉ）前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、前記発光要素によって放出される光の波長に対して透明であり、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤は、前記発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料をその中に含み、変換された光と、前記発光要素によって放出される変換されていない光とは、組み合わされ、混合光を形成する、半導体ダイと、
前記半導体ダイの第１の面上に配置されている少なくとも２つの間隔を置かれた接点であって、各々は、末端を有し、各末端の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤によって被覆されておらず、前記接点は、各々、前記半導体ダイの異なる活性半導体層に接触している、少なくとも２つの間隔を置かれた接点と、
第１の導電性反射層であって、前記第１の導電性反射層は、（ｉ）前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）前記少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合されている、第１の導電性反射層と、
第２の導電性反射層であって、前記第２の導電性反射層は、（ｉ）前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）前記第１の接点と異なる前記少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合され、（ｉｖ）前記第１の反射層から電気的に絶縁されている、第２の導電性反射層と
を備えている、電子素子。 - （ｉ）前記第１の導電性反射層は、前記半導体ダイの前記第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉ）前記第２の導電性反射層は、前記半導体ダイの前記第１の面の一部を覆って配置されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層は、それらの間の間隙によって分離されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層の反射性は、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも７５％である、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層の反射性は、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも９０％である、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１の面と第２の面との間における前記半導体ダイの厚さは、（ｉ）前記第１の反射層の厚さより大きく、（ｉｉ）前記第２の反射層の厚さより大きい、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、銀インク、炭素インク、または銅インクのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、ブラッグ反射体を備えている、請求項１に記載の電子素子。
-
前記ポリマー結合剤内に吊るされている第２の半導体ダイであって、前記第２の半導体ダイは、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁とを有する、第２の半導体ダイと、
前記第２の半導体ダイの第１の面上に配置されている少なくとも２つの間隔を置かれた接点であって、各々は、末端を有し、各末端の少なくとも一部は、前記ポリマー結合剤によって被覆されていない、少なくとも２つの間隔を置かれた接点と、
第３の導電性反射層であって、前記第３の導電性反射層は、（ｉ）前記第２の半導体ダイまたは前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）前記第２の半導体ダイの少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合され、（ｖ）前記第１の反射層から電気的に絶縁されている、第３の導電性反射層と、
第４の導電性反射層であって、前記第４の導電性反射層は、（ｉ）前記第２の半導体ダイまたは前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉｉ）前記第２の半導体ダイの第１の接点と異なる前記第２の半導体ダイの少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆って配置され、かつそれに電気的に結合され、（ｉｖ）前記第２および第３の反射層から電気的に絶縁されている、第４の導電性反射層と
をさらに備えている、請求項１に記載の電子素子。 - （ｉ）前記第３の導電性反射層は、前記第２の半導体ダイの前記第１の面の一部を覆って配置され、（ｉｉ）前記第４の導電性反射層は、前記第２の半導体ダイの前記第１の面の一部を覆って配置されている、請求項９に記載の電子素子。
- 前記第３の反射層は、前記第２の反射層から電気的に絶縁されている、請求項９に記載の電子素子。
- 前記第３の反射層は、前記第２の反射層に電気的に結合されている、請求項９に記載の電子素子。
- 前記第４の反射層は、前記第１の反射層から電気的に絶縁されている、請求項９に記載の電子素子。
- 前記第４の反射層は、前記第１の反射層に電気的に結合されている、請求項９に記載の電子素子。
- 前記ポリマー結合剤内において、前記半導体ダイと前記第２の半導体ダイとの間の間隔は、０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内である、請求項９に記載の電子素子。
- 前記第１の反射層または前記第２の反射層のうちの少なくとも１つの少なくとも一部は、パターン化またはテクスチャ処理されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記パターンまたはテクスチャは、０．１μｍ〜５０μｍの範囲内の高さを有する表面特徴を備えている、請求項１６に記載の電子素子。
- 前記第１の反射層は、はんだ、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、または異方伝導性膜のうちの少なくとも１つを介して、前記第１の接点に電気的に結合されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層の各々は、１μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層の各々は、複数の個別の積層を備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、パターン化またはテクスチャ処理されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１の反射層の前記第１の接点と反対の表面は、前記第２の反射層の前記第２の接点と反対の表面と実質的に同一の平面上にある、請求項１に記載の電子素子。
- 前記ポリマー結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記発光要素は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、またはそれらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを備えている半導体材料を備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記混合光は、実質的に白色の光である、請求項１に記載の電子素子。
- 前記実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、請求項２６に記載の電子素子。
- 光を前記半導体ダイから受信するように位置付けられている光学要素をさらに備えている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記半導体ダイの前記活性半導体層は、半導体基板上に配置されていない、請求項１に記載の電子素子。
- 前記ポリマー結合剤および前記半導体ダイは、長方体を集合的に画定し、前記長方体は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、請求項１に記載の電子素子。
- 前記ポリマー結合剤は、５μｍ〜４０００μｍの厚さを有する、請求項１に記載の電子素子。
- 前記厚さに垂直な前記ポリマー結合剤の寸法は、２５μｍ〜１０００ｍｍである、請求項３１に記載の電子素子。
- （ｉ）前記第１の反射層と第２の反射層とは、互に実質的に同一の平面上にあり、（ｉｉ）前記第１および第２の反射層は、前記ポリマー結合剤の第１の面と反対のポリマー結合剤の第２の面に対して実質的に同一の平面上にあり、（ｉｉｉ）前記第１の反射層は、実質的に一定の厚さを有し、（ｉｖ）前記第２の反射層は、前記第１の反射層の厚さにほぼ等しい実質的に一定の厚さを有する、請求項１に記載の電子素子。
- その上に配置されている複数の導体要素を有する基板をさらに備え、（ｉ）前記第１の反射層は、第１の導体要素に電気的に結合され、（ｉｉ）前記第２の反射層は、前記第１の導体要素と異なる第２の導体要素に電気的に結合されている、請求項１に記載の電子素子。
- 前記第１および第２の反射層は、伝導性接着剤、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、異方伝導性膜、ワイヤ接合、またははんだのうちの少なくとも１つを介して、前記第１および第２の導体要素に電気的に結合されている、請求項３４に記載の電子素子。
- 前記基板は、半結晶性または非晶質ポリマー、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、アクリル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、もしくは紙のうちの少なくとも１つを備えている、請求項３４に記載の電子素子。
- 硬化ポリマー結合剤内に吊るされている複数の個別のベアダイ発光要素を含む複合ウエハを形成する方法であって、前記方法は、
前記複数の個別のベアダイ発光要素を提供することであって、前記複数の個別のベアダイ発光要素の各々は、第１の面と、前記第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面と第２の面とをつなぐ少なくとも１つの側壁と、前記第１の面上の少なくとも２つの間隔を置かれた接点とを有する、ことと、
前記接点が型基板と接触するように、前記複数のベアダイ発光要素を前記型基板上に配置することと、
各発光要素の各接点の少なくとも一部が結合剤によって被覆されないように、前記複数のベアダイ発光要素を前記結合剤でコーティングすることであって、（ｉ）前記ポリマー結合剤の少なくとも一部は、前記発光要素によって放出される光の波長に対して透明であり、（ｉｉ）前記ポリマー結合剤は、前記発光要素から放出される光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長を有する変換された光を放出するための波長変換材料をその中に含み、変換された光と、前記発光要素によって放出される変換されていない光とは、組み合わされ、混合光を形成する、ことと、
各発光要素に対して、第１の導電性反射層を形成することであって、前記第１の導電性反射層は、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、前記第１の導電性反射層は、前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆い、かつ、前記少なくとも２つの接点のうちの第１の接点を覆い、前記第１の接点に電気的に結合されている、ことと、
各発光要素に対して、第２の導電性反射層を形成することであって、前記第２の導電性反射層は、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して少なくとも５０％の反射性を有し、前記第２の導電性反射層は、前記ポリマー結合剤の第１の面の一部を覆い、かつ、前記第１の接点と異なる前記少なくとも２つの接点のうちの第２の接点を覆い、前記第２の接点に電気的に結合され、前記第２の導電性反射層は、前記第１の導電性反射層から電気的に絶縁されている、ことと、
前記結合剤を硬化させ、前記複合ウエハを形成することと、
前記型基板を除去することと
を含み、
そのような前記第１および第２の導電性反射層の各々の少なくとも一部は、前記結合剤によって被覆されず、電気的接続のために利用可能である、方法。 - 各発光要素は、ベアダイ発光ダイオードを含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハを複数の個別の部分に個片化することをさらに含み、前記複数の個別の部分の各々は、少なくとも１つ発光要素を含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハは、前記型基板が除去される前に個片化される、請求項３９に記載の方法。
- 前記複合ウエハは、前記型基板が除去された後に個片化される、請求項３９に記載の方法。
- （ｉ）前記複合ウエハは、個片化領域に沿って個片化され、（ｉｉ）個片化することに先立って、前記第１および第２の反射層の部分は、前記個片化領域内において除去される、請求項３９に記載の方法。
- 前記複合ウエハの各個別の部分は、長方体であり、前記長方体は、その隣接する面間に約９０°の角を有する、請求項３９に記載の方法。
-
基板を覆って配置されている第１の導体要素に、前記第１の反射層を電気的に結合することと、
前記基板を覆って配置されている、前記第１の導体要素と異なる第２の導体要素に、前記第２の反射層を電気的に結合することと
をさらに含む、請求項３９に記載の方法。 - 前記第１および第２の反射層は、伝導性接着剤、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、異方伝導性膜、ワイヤ接合、またははんだのうちの少なくとも１つを介して、前記第１および第２の導体要素に電気的に結合されている、請求項４４に記載の方法。
- 前記結合剤は、シリコーンまたはエポキシのうちの少なくとも１つを含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記波長変換材料は、燐光体または量子ドットのうちの少なくとも１つを含む、請求項３７に記載の方法。
- 各発光要素の前記接点は、前記発光要素のコーティングおよび前記結合剤の硬化中、結合剤によって実質的に全体的にコーティングされないままである、請求項３７に記載の方法。
- 前記型基板を除去することは、
前記複合ウエハと接触する第２の基板を、前記複合ウエハの前記発光要素の接点と反対の表面上に配置することと、
前記型基板を前記複合ウエハから除去することであって、前記複合ウエハは、前記第２の基板に取り着けられたままである、ことと
を含む、請求項３７に記載の方法。 - 前記複合ウエハを前記第２の基板から分離することをさらに含む、請求項４９に記載の方法。
- 前記複数の発光要素を前記結合剤でコーティングすることは、
複数の個別の区画を含む型を提供することと、
前記結合剤を前記型の中に分注することと、
前記型の上に前記型基板を配置することであって、それによって、１つ以上のベアダイ発光要素は、前記結合剤内に、各区画の中または上方に吊るされる、ことと、
前記結合剤を硬化または部分的に硬化させることと、
前記型基板を前記型から除去することと、
を含み、
各区画は、硬化の後、補完形状を前記結合剤の部分に与える、請求項３７に記載の方法。 - 前記結合剤の部分の前記補完形状は、互に実質的に同一である、請求項５１に記載の方法。
- （ｉ）前記型の表面は、テクスチャを含み、（ｉｉ）前記硬化された結合剤の少なくとも一部は、前記結合剤の硬化後、前記テクスチャを含み、（ｉｉｉ）前記テクスチャは、約０．２５μｍ〜約１５μｍの範囲から選択される、前記結合剤の表面より上の高さを含む、請求項５１に記載の方法。
- 前記複数のベアダイ発光要素を前記結合剤でコーティングすることは、前記型基板の上に前記結合剤を分注することを含み、前記結合剤は、前記型基板の表面より上に延びている１つ以上の障壁によって、前記型基板の上に含まれる、請求項３７に記載の方法。
- 前記ベアダイ発光要素は、各々、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、シリコン、もしくはそれらの合金または混合物のうちの少なくとも１つを含む、半導体材料を含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記混合光は、実質的に白色の光を含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記実質的に白色の光は、２０００Ｋ〜１０，０００Ｋの範囲内の相関色温度を有する、請求項５６に記載の方法。
- 前記実質的に白色の光は、前記複合ウエハにわたり、４マクアダム楕円より小さい色温度変動をもたらす、請求項５６に記載の方法。
- 前記実質的に白色の光は、前記複合ウエハにわたり、２マクアダム楕円より小さい色温度変動をもたらす、請求項５６に記載の方法。
- 前記複合ウエハは、第１の表面と、前記第１の表面と反対の第２の表面とを有し、前記第１および第２の表面は、実質的に平坦かつ平行である、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハは、１０％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハは、５％未満の厚さ変動を伴う実質的に均一な厚さを有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハのポリマー結合剤は、５μｍ〜４０００μｍの厚さを有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記厚さに垂直な前記複合ウエハの寸法は、５ｍｍ〜１０００ｍｍである、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１および第２の反射層の各々は、１μｍ〜２５０μｍの範囲内の厚さを有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１および第２の反射層の各々は、複数の個別の積層を含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハのポリマー結合剤内において、前記複数の発光要素の各々の間における間隔は、０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内である、請求項３７に記載の方法。
- 前記複合ウエハの発光要素の各々より上の結合剤の厚さは、５％以内で同一である、請求項３７に記載の方法。
- （ｉ）少なくとも１つのベアダイ発光要素は、基板の上に１つ以上の活性層を含み、（ｉｉ）前記基板は、前記結合剤でコーティングする前に部分的または完全に除去される、請求項３７に記載の方法。
- 前記少なくとも１つのベアダイ発光要素の前記基板は、前記少なくとも１つのベアダイ発光要素を前記型基板上に配置した後に部分的または完全に除去される、請求項６９に記載の方法。
- 前記第１または第２の反射層の少なくとも一部において、テクスチャまたはパターンを形成することをさらに含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記パターンまたはテクスチャは、０．１μｍ〜５０μｍの範囲内の高さを有する表面特徴を含む、請求項７１に記載の方法。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも７５％の反射性を有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、前記発光要素または前記波長変換材料のうちの少なくとも１つによって放出される光の波長に対して、少なくとも９０％の反射性を有する、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、薄膜または複数の粒子のうちの少なくとも１つを含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１または第２の反射層のうちの少なくとも１つは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、銀インク、炭素インク、または銅インクのうちの少なくとも１つを含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１の反射層は、はんだ、伝導性エポキシ、異方伝導性接着剤、または異方伝導性膜のうちの少なくとも１つを介して、前記第１の接点に電気的に結合されている、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１の反射層は、物理的蒸着、化学的蒸着、蒸発、スパッタリング、めっき、ラミネーション、散布、印刷、またはスクリーン印刷のうちの少なくとも１つを使用して、形成される、請求項３７に記載の方法。
- 光を前記発光要素から受信するように、前記発光要素を覆って光学要素を位置付けることをさらに含む、請求項３７に記載の方法
- 前記発光要素は、各々、半導体基板上に配置されていない複数の活性層を含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記結合剤は、前記第１および第２の導電性反射層を形成する前に硬化される、請求項３７に記載の方法。
- 前記第１および第２の導電性反射層の形成は、
前記ポリマー結合剤の第１の面の少なくとも一部を覆い、かつ前記少なくとも２つの接点の少なくとも一部を覆う層を形成することと、
前記層の一部を除去し、前記第１および第２の導電性反射層を形成することと
を含む、請求項３７に記載の方法。 - 前記第１および第２の導電性反射層の形成は、
前記ポリマー結合剤の第１の面の実質的に全てを覆い、かつ前記少なくとも２つの接点を覆う層を形成することと、
前記層の一部を除去し、前記第１および第２の導電性反射層を形成することと
を含む、請求項３７に記載の方法。 - 前記第１および第２の導電性反射層の形成は、
前記複合ウエハの一部を覆ってマスキング材料を配置し、前記第１および第２の導電性反射層の所望の位置に対応する開口部を形成することと、
前記マスキング材料および前記開口部のうちの少なくとも一部を覆う層を形成することと、
前記マスキング材料を除去し、前記第１および第２の導電性反射層を形成することと
を含む、請求項３７に記載の方法。 - 前記複数のベアダイ発光要素を前記型基板上に配置することは、前記ベアダイ発光要素の接点を前記型基板内に少なくとも部分的に埋め込むことを含む、請求項３７に記載の方法。
- 前記ベアダイ発光要素の接点は、少なくとも２μｍだけ、前記型基板内に埋め込まれる、請求項８５に記載の方法。
- 前記結合剤の硬化後、前記ベアダイ発光要素の接点の各々は、少なくとも１μｍだけ、前記硬化された結合剤から突出している、請求項３７に記載の方法。
- 前記結合剤の硬化後、その前記接点に近接する各ベアダイ発光要素の各側壁の少なくとも一部は、少なくとも１μｍだけ、前記硬化された結合剤から突出している、請求項３７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/949,543 | 2013-07-24 | ||
| US13/949,543 US8907362B2 (en) | 2012-01-24 | 2013-07-24 | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
| PCT/US2014/047805 WO2015013399A1 (en) | 2013-07-24 | 2014-07-23 | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016533030A true JP2016533030A (ja) | 2016-10-20 |
Family
ID=52393808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016529859A Pending JP2016533030A (ja) | 2013-07-24 | 2014-07-23 | 波長変換材料を組み込む発光ダイおよび関連方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (2) | EP3025379B1 (ja) |
| JP (1) | JP2016533030A (ja) |
| KR (1) | KR102237168B1 (ja) |
| CN (2) | CN105580144B (ja) |
| WO (1) | WO2015013399A1 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018092989A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| WO2019026858A1 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
| JP2019028370A (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-21 | 大日本印刷株式会社 | 表示装置用前面板及び表示装置 |
| JP2019028308A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネル及び表示装置 |
| JP2019066613A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネルおよびタイリング表示装置 |
| KR20190112675A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈 |
| JP2019175847A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| JP2020027778A (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
| JP2020057662A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2020188178A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| CN112106129A (zh) * | 2018-04-25 | 2020-12-18 | 拉修姆有限公司 | 用于光场显示器中的发光元件的架构 |
| US11073725B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-07-27 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module |
| JP2022087001A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び面状光源 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8907362B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-12-09 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
| WO2013112435A1 (en) | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
| US9343443B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-05-17 | Cooledge Lighting, Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
| DE102015102699A1 (de) * | 2015-02-25 | 2016-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| US20180277727A1 (en) * | 2015-10-07 | 2018-09-27 | Lumileds Llc | Reflective coating for flip-chip chip-scale package leds improved package efficiency |
| CN106098697B (zh) * | 2016-06-15 | 2019-04-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN106098903A (zh) * | 2016-08-03 | 2016-11-09 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 多面出光csp光源及其制造方法 |
| KR102113374B1 (ko) * | 2016-12-26 | 2020-05-20 | 김용일 | 광확산층을 갖는 조명용 led 모듈 |
| DE102017107234A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| CN111279496A (zh) * | 2017-08-04 | 2020-06-12 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子半导体器件的方法 |
| KR102471688B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2022-11-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 |
| US10453827B1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-10-22 | Cree, Inc. | LED apparatuses and methods |
| CN110579933B (zh) | 2018-06-11 | 2022-06-14 | 中强光电股份有限公司 | 波长转换元件、投影装置及波长转换元件的制作方法 |
| CN110579932B (zh) | 2018-06-11 | 2023-12-05 | 中强光电股份有限公司 | 波长转换元件、投影装置及波长转换元件的制作方法 |
| CN109619751B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-03-02 | 莆田市城厢区福瑞科技电子有限公司 | 一种鞋灯的封装方法 |
| CN110854212B (zh) * | 2019-11-05 | 2022-03-22 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种光伏电池及其制备方法 |
| US11961373B2 (en) | 2020-07-01 | 2024-04-16 | Pepsico, Inc. | Method and system of touch-free vending |
| CN113488456A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-10-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1197570A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置の実装方法 |
| JP3809760B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2006-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| KR20080087049A (ko) * | 2001-09-03 | 2008-09-29 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 형광체 층, 반도체발광장치, 반도체발광소자의 제조방법 |
| TWI246780B (en) * | 2003-03-10 | 2006-01-01 | Toyoda Gosei Kk | Solid-state component device and manufacturing method thereof |
| US9000461B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic element and manufacturing method thereof |
| KR100557549B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-03-03 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 범프 패드 형성 방법 및 그 구조 |
| US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
| JP4228303B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2009-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子搭載部材と、それを用いた半導体発光装置 |
| WO2006041178A2 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Luminescent light source, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus |
| TW200637033A (en) * | 2004-11-22 | 2006-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device |
| CN1943029A (zh) * | 2005-03-23 | 2007-04-04 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件及其制造方法 |
| EP1899435A4 (en) * | 2005-07-01 | 2010-06-02 | Lamina Lighting Inc | LIGHTING DEVICE WITH WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND DIODE ARRANGEMENTS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THEM |
| US7847302B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
| CN1988188A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 香港应用科技研究院有限公司 | 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法 |
| US20070272930A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Huan-Che Tseng | Light-emitting diode package |
| CN101140963A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-03-12 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 一种提高倒装焊芯片亮度的方法 |
| US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| JP2008309828A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 光波長変換素子の製造方法および光波長変換素子 |
| TWI387077B (zh) * | 2008-06-12 | 2013-02-21 | Chipmos Technologies Inc | 晶粒重新配置之封裝結構及其方法 |
| JP2010003978A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| CN101630707A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 先进开发光电股份有限公司 | 光电元件的制造方法及其封装结构 |
| US8802505B2 (en) * | 2008-09-30 | 2014-08-12 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming a protective layer on a backside of the wafer |
| US7897419B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Color correction for wafer level white LEDs |
| JP2011009572A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Citizen Electronics Co Ltd | フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。 |
| US8431423B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective substrate for LEDS |
| JP5775002B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-09-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| WO2011099384A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| TWI492422B (zh) * | 2010-03-18 | 2015-07-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法 |
| US8329482B2 (en) * | 2010-04-30 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | White-emitting LED chips and method for making same |
| KR101230619B1 (ko) * | 2010-05-18 | 2013-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩, 그것을 제조하는 방법 및 그것을 갖는 패키지 |
| CN103003966B (zh) * | 2010-05-18 | 2016-08-10 | 首尔半导体株式会社 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法 |
| US9159892B2 (en) * | 2010-07-01 | 2015-10-13 | Citizen Holdings Co., Ltd. | LED light source device and manufacturing method for the same |
| CN201773864U (zh) * | 2010-09-08 | 2011-03-23 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管 |
| JP2012069645A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| KR20120032899A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 삼성엘이디 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2012094578A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2012150282A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 光波長変換素子の製造方法およびその製造装置 |
| JP2012222011A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | Ｌｅｄ発光モジュール及びそれを用いた照明装置 |
| JP5670249B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2015-02-18 | 日東電工株式会社 | 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置 |
| JP5680472B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2015-03-04 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US20130056749A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Michael Tischler | Broad-area lighting systems |
| CN102593327A (zh) * | 2012-03-19 | 2012-07-18 | 连云港陆亿建材有限公司 | 圆片级发光二级管倒装封装工艺 |
| CN102738370B (zh) * | 2012-07-04 | 2015-03-18 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | Led封装方法 |
-
2014
- 2014-07-23 CN CN201480052312.5A patent/CN105580144B/zh active Active
- 2014-07-23 EP EP14829939.9A patent/EP3025379B1/en active Active
- 2014-07-23 WO PCT/US2014/047805 patent/WO2015013399A1/en active Application Filing
- 2014-07-23 JP JP2016529859A patent/JP2016533030A/ja active Pending
- 2014-07-23 CN CN201910621002.5A patent/CN110350069B/zh active Active
- 2014-07-23 KR KR1020167004733A patent/KR102237168B1/ko active IP Right Grant
- 2014-07-23 EP EP20205847.5A patent/EP3796402A1/en active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10680149B2 (en) | 2016-11-30 | 2020-06-09 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting device |
| US10186646B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-01-22 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light-emitting device |
| JP7011143B2 (ja) | 2016-11-30 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2018092989A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| WO2019026858A1 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
| JP2019028308A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネル及び表示装置 |
| JP2019028370A (ja) * | 2017-08-02 | 2019-02-21 | 大日本印刷株式会社 | 表示装置用前面板及び表示装置 |
| JP2019066613A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネルおよびタイリング表示装置 |
| US11073725B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-07-27 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module |
| US11886078B2 (en) | 2018-03-26 | 2024-01-30 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting module, and light emitting module |
| KR102512369B1 (ko) * | 2018-03-26 | 2023-03-20 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈 |
| JP2019175846A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール |
| JP2019175847A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
| KR20190112675A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈 |
| TWI750466B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-12-21 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 發光模組之製造方法及發光模組 |
| KR102522694B1 (ko) * | 2018-04-25 | 2023-04-17 | 구글 엘엘씨 | 광 필드 디스플레이에서 발광 소자를 위한 아키텍처 |
| KR20210022549A (ko) * | 2018-04-25 | 2021-03-03 | 라시움, 아이엔씨. | 광 필드 디스플레이에서 발광 소자를 위한 아키텍처 |
| CN112106129A (zh) * | 2018-04-25 | 2020-12-18 | 拉修姆有限公司 | 用于光场显示器中的发光元件的架构 |
| US11694605B2 (en) | 2018-04-25 | 2023-07-04 | Google Llc | Architecture for light emitting elements in a light field display |
| JP2020027778A (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
| JP7208478B2 (ja) | 2018-09-28 | 2023-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2020057662A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2020188178A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP7257247B2 (ja) | 2019-05-16 | 2023-04-13 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP7285439B2 (ja) | 2020-11-30 | 2023-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源 |
| JP2022087001A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び面状光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160037964A (ko) | 2016-04-06 |
| WO2015013399A1 (en) | 2015-01-29 |
| CN105580144B (zh) | 2019-08-02 |
| EP3025379B1 (en) | 2020-11-11 |
| EP3796402A1 (en) | 2021-03-24 |
| CN110350069A (zh) | 2019-10-18 |
| KR102237168B1 (ko) | 2021-04-07 |
| EP3025379A4 (en) | 2017-05-24 |
| EP3025379A1 (en) | 2016-06-01 |
| CN110350069B (zh) | 2023-06-30 |
| CN105580144A (zh) | 2016-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9472732B2 (en) | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods | |
| CN110350069B (zh) | 包含波长转换材料的发光管芯及其制作方法 | |
| US11677047B2 (en) | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods | |
| US9276178B2 (en) | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods | |
| US9496472B2 (en) | Wafer-level flip chip device packages and related methods |