JP2011129920A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011129920A5
JP2011129920A5 JP2010277971A JP2010277971A JP2011129920A5 JP 2011129920 A5 JP2011129920 A5 JP 2011129920A5 JP 2010277971 A JP2010277971 A JP 2010277971A JP 2010277971 A JP2010277971 A JP 2010277971A JP 2011129920 A5 JP2011129920 A5 JP 2011129920A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
electrode
layer
diode unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010277971A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011129920A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW098143295A external-priority patent/TWI414088B/zh
Application filed filed Critical
Publication of JP2011129920A publication Critical patent/JP2011129920A/ja
Publication of JP2011129920A5 publication Critical patent/JP2011129920A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (10)

  1. 発光素子であって、
    第一電極、第二電極、及び前記第二電極の上に配置される能動層を含む第一発光ダイオードユニットと、
    第三電極及び第四電極を含む第二発光ダイオードユニットと、
    前記第一電極及び前記第二電極を覆わずに、前記第一発光ダイオードユニットと前記第二発光ダイオードユニットとを電気的に接続するための電気接続層と、
    前記能動層の上に配置され、且つ、前記第一電極に電気的に接続される第一外部電極と、を含む、発光素子。
  2. 請求項1に記載の発光素子であって、
    第一表面及び第二表面を有する成長基板を更に含み、
    前記第一表面には、前記第一発光ダイオードユニットが配置され、
    前記第二表面には、前記第一外部電極が配置される、発光素子。
  3. 請求項2に記載の発光素子であって、
    第一絶縁層を更に含み、
    前記第一絶縁層は、前記第一発光ダイオードユニットと前記第二発光ダイオードユニットとの間に形成され、且つ、前記成長基板を覆う、発光素子。
  4. 請求項3に記載の発光素子であって、
    第二絶縁層を更に含み、
    前記第二絶縁層は、前記第一絶縁層及び前記電気接続層を覆う、発光素子。
  5. 請求項1に記載の発光素子であって、
    第一通路を更に含み、
    前記第一通路は、前記第一電極と前記第一外部電極とを電気的に接続する、発光素子。
  6. 請求項1に記載の発光素子であって、
    接合層を更に含み、
    前記接合層は、前記電気接続層の下に配置される、発光素子。
  7. 請求項6に記載の発光素子であって、
    キャリアを更に含み、
    前記キャリアは、前記接合層に接続される、発光素子。
  8. 請求項6に記載の発光素子であって、
    反射層を更に含み、
    前記反射層は、前記第一発光ダイオードユニットと前記接合層との間に配置される、発光素子。
  9. 請求項8に記載の発光素子であって、
    第二外部電極を更に含み、
    前記第二外部電極は、前記能動層の上に配置され、且つ、前記第四電極に電気的に接続される、発光素子。
  10. 請求項9に記載の発光素子であって、
    第二通路を更に含み、
    前記第二通路は、前記第四電極と前記第二外部電極とを電気的に接続する、発光素子。
JP2010277971A 2009-12-16 2010-12-14 発光素子及びその製造方法 Pending JP2011129920A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098143295A TWI414088B (zh) 2009-12-16 2009-12-16 發光元件及其製造方法
TW098143295 2009-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011129920A JP2011129920A (ja) 2011-06-30
JP2011129920A5 true JP2011129920A5 (ja) 2014-02-06

Family

ID=44141901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010277971A Pending JP2011129920A (ja) 2009-12-16 2010-12-14 発光素子及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110140078A1 (ja)
JP (1) JP2011129920A (ja)
TW (1) TWI414088B (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8680551B1 (en) * 2006-10-18 2014-03-25 Nitek, Inc. High power ultraviolet light sources and method of fabricating the same
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
JP5932851B2 (ja) * 2011-03-14 2016-06-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Led構造体及びその形成方法
KR101766298B1 (ko) * 2011-03-30 2017-08-08 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI467807B (zh) * 2011-10-28 2015-01-01 Rgb Consulting Co Ltd 覆晶式之發光二極體
DE102011087887A1 (de) * 2011-12-07 2013-06-13 Osram Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US8928012B2 (en) * 2012-02-22 2015-01-06 Jianhua Hu AC LED device and its manufacturing process for general lighting applications
TWI575722B (zh) * 2012-03-12 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI523269B (zh) * 2012-03-30 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN103378254B (zh) * 2012-04-27 2017-07-21 晶元光电股份有限公司 发光元件
US20150187993A1 (en) 2012-06-14 2015-07-02 Sang Jeong An Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101928328B1 (ko) * 2012-07-26 2018-12-12 안상정 반도체 발광소자
CN104508841B (zh) * 2012-07-26 2018-05-22 安相贞 半导体发光器件
TWI484673B (zh) * 2012-08-22 2015-05-11 Phostek Inc 半導體發光裝置
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI661578B (zh) * 2013-06-20 2019-06-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置及發光陣列
TWI642874B (zh) * 2013-09-11 2018-12-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件以及相關之照明裝置
KR102135921B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-20 엘지디스플레이 주식회사 연성회로기판 및 이를 포함하는 영상표시장치
KR102227085B1 (ko) * 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI656300B (zh) 2014-03-06 2019-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI614920B (zh) 2014-05-19 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
JP6529223B2 (ja) * 2014-06-30 2019-06-12 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 光電部品
KR101529934B1 (ko) * 2014-07-01 2015-06-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
KR101771460B1 (ko) 2015-01-27 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI646706B (zh) * 2015-09-21 2019-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20180065162A (ko) * 2016-12-07 2018-06-18 서울바이오시스 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법
KR20180071743A (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 발광 다이오드 디스플레이 장치
JP6843916B2 (ja) * 2019-05-14 2021-03-17 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 光電部品
US11948922B2 (en) * 2020-01-03 2024-04-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and LED display apparatus including the same
JP7223046B2 (ja) * 2021-02-24 2023-02-15 晶元光電股▲ふん▼有限公司 光電部品
CN114759136B (zh) * 2022-06-14 2022-08-30 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种miniLED芯片及其制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121127A (en) * 1996-06-14 2000-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Methods and devices related to electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
JP4585014B2 (ja) * 2002-04-12 2010-11-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光装置
US7675075B2 (en) * 2003-08-28 2010-03-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2008523637A (ja) * 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
US8334155B2 (en) * 2005-09-27 2012-12-18 Philips Lumileds Lighting Company Llc Substrate for growing a III-V light emitting device
JP2008011285A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Fujitsu Ltd 送信電力制御装置及び送信電力制御方法
CN101144598A (zh) * 2006-09-11 2008-03-19 财团法人工业技术研究院 交流发光装置
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
EP3848970A1 (en) * 2007-01-22 2021-07-14 Cree, Inc. Multiple light emitting diode emitter
CN101652861B (zh) * 2007-01-22 2013-01-23 科锐公司 容错发光体、包含容错发光体的系统以及制造容错发光体的方法
US7985970B2 (en) * 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9117944B2 (en) * 2008-09-24 2015-08-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011129920A5 (ja)
JP2012238610A5 (ja)
EP2290690A3 (en) Light emitting device
EP2343744A3 (en) Light emitting diode with patterned electrodes
JP2011520270A5 (ja)
JP2014053606A5 (ja)
JP2013536592A5 (ja)
WO2009154383A3 (ko) 반도체 발광소자
EP2728632A3 (en) Light emitting device and light emitting device array
EP2355193A3 (en) Light emitting diode and package having the same
JP2011049600A5 (ja)
EP2333849A3 (en) Light emitting diode having electrode pads
EP2187454A3 (en) Semiconductor light-emitting device
EP2180532A3 (en) Semiconductor light emitting device
JP2011171739A5 (ja)
EP2362455A3 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and illumination system
JP2010165673A5 (ja) 発光装置
JP2010186814A5 (ja)
EP2410583A3 (en) Reflective electrode configuration for a light emitting diode
WO2009044698A1 (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
EP2378571A3 (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting system
JP2010245030A5 (ja)
JP2010245032A5 (ja)
WO2009125953A3 (ko) 발광 소자
EP2562815A3 (en) Light emitting device and light emitting device package