JP2011171739A5 - - Google Patents
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さらに他の例において、上記凹凸部は上記基板の下面に形成されることができる。
上記反射部材は上記連結部と電気的に絶縁されるように形成された反射金属層であることができる。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の上面に配列され、それぞれ前記基板の上面に順に形成された第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を有する複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成された連結部と、
前記複数の発光セルの間の分離領域の上面及び前記基板の下面のうち、少なくとも一面に形成された凹凸部と
を含む半導体発光装置。 - 前記分離領域は前記基板が露出した領域及び前記第1導電型半導体層が露出した領域のうち少なくとも一つを含み、
前記凹凸部は前記基板の露出領域及び前記第1導電型半導体層の露出領域の少なくとも1つに形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記凹凸部は、前記基板の下面に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 基板と、
前記基板上に配列され、それぞれ前記基板上に順に形成された第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を有する複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成された連結部と、
前記複数の発光セルの間の分離領域の間に提供された反射部材と
を含む半導体発光装置。 - 前記反射部材は、前記連結部と電気的に絶縁されるように形成された反射金属層及び高反射性粉末が含まれた絶縁性樹脂のうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置。
- 基板と、
それぞれ前記基板の上面に順に形成された第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を有し、少なくとも活性層が除去されて形成された分離領域により区分される複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成され、前記発光セルの第1及び第2導電型半導体層にそれぞれ電気的に連結された少なくとも1つの第1及び第2連結部と、
前記基板の上面の一角の隣接領域、または発光に加わらない半導体多層膜部分上に形成され、前記第1及び第2連結部にそれぞれ連結された少なくとも1つの第1及び第2ボンディングパッドと
を含む半導体発光装置。 - 前記複数の発光セルは、ほぼ同じ活性層面積を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。
- 特定発光セルは異なる発光セルの第1導電型半導体層の露出領域の面積より大きい面積の第1導電型半導体層の露出領域を有し、前記第1ボンディングパッドは前記特定発光セルの第1導電型半導体層の露出領域に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載された少なくとも1つの半導体発光装置を含む発光モジュール。
- 請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載の少なくとも1つの半導体発光装置を含む照明装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100015422A KR101601624B1 (ko) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
KR10-2010-0015422 | 2010-02-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011171739A JP2011171739A (ja) | 2011-09-01 |
JP2011171739A5 true JP2011171739A5 (ja) | 2014-04-10 |
JP5683994B2 JP5683994B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=44261711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011033514A Active JP5683994B2 (ja) | 2010-02-19 | 2011-02-18 | マルチセルアレイを有する半導体発光装置、発光モジュール及び照明装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8829540B2 (ja) |
EP (1) | EP2365527B1 (ja) |
JP (1) | JP5683994B2 (ja) |
KR (1) | KR101601624B1 (ja) |
CN (1) | CN102169933B (ja) |
TW (1) | TWI437702B (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101211733B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2012-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광소자 패키지용 기판 |
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2010
- 2010-02-19 KR KR1020100015422A patent/KR101601624B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-01-27 TW TW100103014A patent/TWI437702B/zh active
- 2011-02-17 US US13/029,739 patent/US8829540B2/en active Active
- 2011-02-18 JP JP2011033514A patent/JP5683994B2/ja active Active
- 2011-02-18 EP EP11155000.0A patent/EP2365527B1/en active Active
- 2011-02-21 CN CN201110048129.6A patent/CN102169933B/zh active Active
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