JPS63142685A - Ｌｅｄアレ− - Google Patents
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- JPS63142685A JPS63142685A JP61289656A JP28965686A JPS63142685A JP S63142685 A JPS63142685 A JP S63142685A JP 61289656 A JP61289656 A JP 61289656A JP 28965686 A JP28965686 A JP 28965686A JP S63142685 A JPS63142685 A JP S63142685A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
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- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、例えば電子写真等の発光素子として用いられ
るＬＥＤ （発光ダイオード）アレーに係わり、特にＬ
ＥＤチップを基板に効率よく実装する事ができるＬＥＤ
アレーに関する。
るＬＥＤ （発光ダイオード）アレーに係わり、特にＬ
ＥＤチップを基板に効率よく実装する事ができるＬＥＤ
アレーに関する。
〈従来の技術〉
従来公知のこの種の技術として、例えば、電子写真学会
誌、第２３巻第２号（１９８４年発行）第１４５頁「発
光ダイオード・アレー」や、三菱電機技報・Ｖｏｌ、６
０・ＮＯ１２・１９８ｆ３ 、頁５６（１４２）〜５７
（１４３） ｒ小型ＬＥＤプリントヘッド」等がある
。以下これ等に記載される従来の技術を図面を用いて説
明する。
誌、第２３巻第２号（１９８４年発行）第１４５頁「発
光ダイオード・アレー」や、三菱電機技報・Ｖｏｌ、６
０・ＮＯ１２・１９８ｆ３ 、頁５６（１４２）〜５７
（１４３） ｒ小型ＬＥＤプリントヘッド」等がある
。以下これ等に記載される従来の技術を図面を用いて説
明する。
第６図はＬＥＤチップの一断面構成図、第７図はＬＥＤ
アレーの構成図、第８図はＬＥＤチップの接続図である
。
アレーの構成図、第８図はＬＥＤチップの接続図である
。
第６図乃至第８図において、各部分の記号９名称及び機
能等は次のとおりである。
能等は次のとおりである。
ＬＥＤチップ１の断面は、例えばｎ−ＧａＡｓＰ等にｚ
ｌを選択拡散することにより形成されたＰ領域１ａと、
ｎ−Ｇａ Ａｓ Ｐ／１ｌ−ＧａＡｓ等から成るｎ領域
１ｂと、これ等の、接触面で形成する発光面１Ｃとから
成る。この発光面１Ｃの近接する側にはＰ領１＃！１
ａに接触して例えば八２゛電極から成る発光面電極１ｄ
が配置される。発光面電極１ｄと離れた位置（ここでは
発光面１Ｃの背面部分側）には、例えばＡｕＧａ電極か
ら成る背面電１４１ ｅが設けられている。尚、１ｆは
拡散防止膜、１ｇはコンタクトＢｑ、ｉｈはパッシベイ
ション膜を夫々承り。
ｌを選択拡散することにより形成されたＰ領域１ａと、
ｎ−Ｇａ Ａｓ Ｐ／１ｌ−ＧａＡｓ等から成るｎ領域
１ｂと、これ等の、接触面で形成する発光面１Ｃとから
成る。この発光面１Ｃの近接する側にはＰ領１＃！１
ａに接触して例えば八２゛電極から成る発光面電極１ｄ
が配置される。発光面電極１ｄと離れた位置（ここでは
発光面１Ｃの背面部分側）には、例えばＡｕＧａ電極か
ら成る背面電１４１ ｅが設けられている。尚、１ｆは
拡散防止膜、１ｇはコンタクトＢｑ、ｉｈはパッシベイ
ション膜を夫々承り。
この様な構成のＬＥＤチップ１は配線電極３を右づる基
板２の上に複数個配置される。４はドライバＩＣである
。そして発光面電極１ｄは配線電極３を介してワイヤー
５でワイヤーボンデングされドライバＩＣ４から所定の
電圧が印加されることで、ＬＥＤチップ１の発光面１Ｃ
から所定の発光出力を得る事ができる。
板２の上に複数個配置される。４はドライバＩＣである
。そして発光面電極１ｄは配線電極３を介してワイヤー
５でワイヤーボンデングされドライバＩＣ４から所定の
電圧が印加されることで、ＬＥＤチップ１の発光面１Ｃ
から所定の発光出力を得る事ができる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、この従来のＬＥＤアレーは、ワイヤーボンデ
ングによる配線方法をとっているために生産性が著しく
悪化するという問題がある。
ングによる配線方法をとっているために生産性が著しく
悪化するという問題がある。
本発明は、この従来技術の問題点に鑑みてなされたもの
であって、配線が楽な構造とすることで高生産性を有す
るＬＥＤアレーを提供することを目的とする。
であって、配線が楽な構造とすることで高生産性を有す
るＬＥＤアレーを提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
上述の目的を達成するための本発明のＬＥＤアレーは、
Ｐ領域とｎ領域との接触面で形成する発光面を有し、該
発光面に近接する側に設けられた発光面電極と該発光面
電極から離れた位置に設けられた背面電極とに所定の電
圧を印加して前記発光面から所定の発光出力を得るＬＥ
Ｄチップを基板上に配置して成るＬＥＤアレーにおいて
、前記ＬＥＤチップは、前記発光面電極の少なくとも一
部を露出して構成し、前記発光面電極と前記基板の配線
電極とを対面して配した上で該露出した発光面電極と前
記配線電極とを直接的に接続するようにしたことを特徴
とするものである。
Ｐ領域とｎ領域との接触面で形成する発光面を有し、該
発光面に近接する側に設けられた発光面電極と該発光面
電極から離れた位置に設けられた背面電極とに所定の電
圧を印加して前記発光面から所定の発光出力を得るＬＥ
Ｄチップを基板上に配置して成るＬＥＤアレーにおいて
、前記ＬＥＤチップは、前記発光面電極の少なくとも一
部を露出して構成し、前記発光面電極と前記基板の配線
電極とを対面して配した上で該露出した発光面電極と前
記配線電極とを直接的に接続するようにしたことを特徴
とするものである。
〈実施（列〉
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。尚
、以下の図面において、第６図乃至第８図と重複する部
分は同一番号を何してその説明は省略する。
、以下の図面において、第６図乃至第８図と重複する部
分は同一番号を何してその説明は省略する。
第１図は本発明の具体的実施例を示す断面Ｎａ成図、第
２図は第１図の上面図である。
２図は第１図の上面図である。
第１図、第２図において、１０は本発明のＬＥＤチップ
である。その構造は、例えば、例えば透明性の良いＰＧ
ａＰ等より形成されて成るＰ領域１０ａと、同じく透明
性の良いｌｌ−ＧａＰ等から成る１１領域１０ｂと、こ
れ？７Ｆ領域とｎ領域との接触面で形成する発光面１０
ｃと、この発光面１０ｃに近接する側に設りられＰ領域
１０ａに接触し表面が露出した構成の例えばＡｌ電極か
ら成る発光面電極１０ｄど、発光面電極１０ｄとは離れ
た位置の背面部分側の少なくとも一部分の縦位置又は及
び横位置（図では横位置とする）に設けられた例えばＡ
ｕＧａ電極力目ら成る背面電極１０ｅと、発光面１０ｃ
を個々に分離させるために、例えばエツチング、切断及
びこれ等の組合せ等の手段により形成されたＶ型の発光
分離溝１０ｅどが設【ノられている。ここで背面電極１
０ｅをこの様な構造として差支えないのは、発光面１０
ｃからの距離があるために電流の偏りは起きにくり、加
えてコモン電極であり大面積に渡っているために電流の
集中が起こり憎いことによる。
である。その構造は、例えば、例えば透明性の良いＰＧ
ａＰ等より形成されて成るＰ領域１０ａと、同じく透明
性の良いｌｌ−ＧａＰ等から成る１１領域１０ｂと、こ
れ？７Ｆ領域とｎ領域との接触面で形成する発光面１０
ｃと、この発光面１０ｃに近接する側に設りられＰ領域
１０ａに接触し表面が露出した構成の例えばＡｌ電極か
ら成る発光面電極１０ｄど、発光面電極１０ｄとは離れ
た位置の背面部分側の少なくとも一部分の縦位置又は及
び横位置（図では横位置とする）に設けられた例えばＡ
ｕＧａ電極力目ら成る背面電極１０ｅと、発光面１０ｃ
を個々に分離させるために、例えばエツチング、切断及
びこれ等の組合せ等の手段により形成されたＶ型の発光
分離溝１０ｅどが設【ノられている。ここで背面電極１
０ｅをこの様な構造として差支えないのは、発光面１０
ｃからの距離があるために電流の偏りは起きにくり、加
えてコモン電極であり大面積に渡っているために電流の
集中が起こり憎いことによる。
本発明にあってはこのＬＥＤチップ１０を、発光面電極
１０ｄを基板２の配線電極３と対面配置し、その上で発
光面電極１０ｄの露出面と基板２の配線筒Ｖｉ３とを例
えば導電性接着剤や共晶（ダイボンディング）等の手段
を用いて直接的に接続させるＬＥＤ実装構成とする。
１０ｄを基板２の配線電極３と対面配置し、その上で発
光面電極１０ｄの露出面と基板２の配線筒Ｖｉ３とを例
えば導電性接着剤や共晶（ダイボンディング）等の手段
を用いて直接的に接続させるＬＥＤ実装構成とする。
従って発光面電極１０ｄは配線電極３にに直接接続され
た上でドライバＩＣ４に接続されることとなり、又各Ｌ
ＥＤチップ１０を複数個配置した場合、背面電極１０ｅ
の間はワイヤ６を用いて接続し、ＬＥＤチップ１０の両
端で配線電極３に接続しく勿論ワイヤ６を用いることな
く個別に各ＬＥＤチップ毎にワイヤーボンドで配線電極
３に接続されるよ・うに構成してもよい）、所定の電圧
をドライバ■Ｃ４から印加することでＬＥＤチップ１０
の発光面１０ｃから所定の発光出力を得るようになって
いる。
た上でドライバＩＣ４に接続されることとなり、又各Ｌ
ＥＤチップ１０を複数個配置した場合、背面電極１０ｅ
の間はワイヤ６を用いて接続し、ＬＥＤチップ１０の両
端で配線電極３に接続しく勿論ワイヤ６を用いることな
く個別に各ＬＥＤチップ毎にワイヤーボンドで配線電極
３に接続されるよ・うに構成してもよい）、所定の電圧
をドライバ■Ｃ４から印加することでＬＥＤチップ１０
の発光面１０ｃから所定の発光出力を得るようになって
いる。
〈その他の実施例〉
本発明は第１図、第２図の構成に限定されるものではな
い。
い。
例えば、Ｐ領域とｎ領域は逆でもよい。この場合は７１
領域に発光面電極１０ｄが設けられるようになる。
領域に発光面電極１０ｄが設けられるようになる。
又、第３図のその他の実施例を示す図のように、■型の
発光分離溝の面に例えば８．０２等の絶縁物を介してＣ
ｕ等の金属をコーテングしたり絶縁物を多層コーティン
グしたりする反射コーテイング膜７を設けるようにして
もよい。このようにすると発光面１０ｃから発光出力さ
れる光は、直接発光する光αとこの反射コーティングＢ
’Ａ ７で反射される光βとが１ｑられることとなり、
発光出力の効率向上どなる。
発光分離溝の面に例えば８．０２等の絶縁物を介してＣ
ｕ等の金属をコーテングしたり絶縁物を多層コーティン
グしたりする反射コーテイング膜７を設けるようにして
もよい。このようにすると発光面１０ｃから発光出力さ
れる光は、直接発光する光αとこの反射コーティングＢ
’Ａ ７で反射される光βとが１ｑられることとなり、
発光出力の効率向上どなる。
更に又、発光分離溝はＶ型に限定されるものではなく、
例えば、第４図のその伯の実施例を示ず図のように、Ｕ
型１００ｅとすることもできその構造は発光面１０ｃを
分離できるような構造であれば特別に限定されるもので
はない。
例えば、第４図のその伯の実施例を示ず図のように、Ｕ
型１００ｅとすることもできその構造は発光面１０ｃを
分離できるような構造であれば特別に限定されるもので
はない。
更に又、本発明の発光分離は第５図のその他の実施例を
示す図のように、従来のようにＺＴＬを選択拡散するこ
とによる構造としてもよい。この場合においては、発光
面電極１００ｄの少なくとも一部を露出して構成し、こ
の発光口筒１１００ｄを基板２の配線電極３と対面して
配した上で露出した発光面電極１００ｄと配線電極３と
を直接的に接続する構成とする。但しこの７１を選択拡
散する構造とした場合は、生産性の面で悪くなり、性能
のコントロールが容易でないという別の面の問題点があ
ることはいなめない。
示す図のように、従来のようにＺＴＬを選択拡散するこ
とによる構造としてもよい。この場合においては、発光
面電極１００ｄの少なくとも一部を露出して構成し、こ
の発光口筒１１００ｄを基板２の配線電極３と対面して
配した上で露出した発光面電極１００ｄと配線電極３と
を直接的に接続する構成とする。但しこの７１を選択拡
散する構造とした場合は、生産性の面で悪くなり、性能
のコントロールが容易でないという別の面の問題点があ
ることはいなめない。
〈発明の効果〉
以上、実施例と共に具体的に本発明を説明したように、
本発明のＬＥＤアレーによれば、ＬＥＤチップの発光面
電極を基板の配線電極とワイヤーボンデングによる接続
とすることなく直接導電性炙着剤等で接続する事ができ
るようにしたため、ＬＥＤアレー製作工程を大幅に減少
することができる。
本発明のＬＥＤアレーによれば、ＬＥＤチップの発光面
電極を基板の配線電極とワイヤーボンデングによる接続
とすることなく直接導電性炙着剤等で接続する事ができ
るようにしたため、ＬＥＤアレー製作工程を大幅に減少
することができる。
′ 発光分離溝を設けるようなＬＥＤアレー構成とした
場合は、更に予め各領域を一体で形成した後に発光力ｍ
ｌ溝で夫々発光而を分離・独立形成できるので製作工程
が簡単となり、又、発光面電極を一面に設けることがで
きるために均一な発光を得ることができるという効果を
得ることができる。
場合は、更に予め各領域を一体で形成した後に発光力ｍ
ｌ溝で夫々発光而を分離・独立形成できるので製作工程
が簡単となり、又、発光面電極を一面に設けることがで
きるために均一な発光を得ることができるという効果を
得ることができる。
第１図は本発明の具体的実施例を示すＬＥＤチップの一
断面構成図、第２図は第１図の上面図。 第３図乃至第５図は本発明のその他の実施例を示す図、
第６図は従来のＬＥＤチップの一断面構成図、第７図は
従来のＬＥＤアレーの構成図、第８図は従来のＬ Ｅ
Ｄチップの接続図である。 １．１０・・・ＬＥＤチップ、１ ｃ、 １０ｃ・・・
発光面、ｌｄ、１０ｄ・・・発光面電極、１ ｅ、 １
０ｅ・・・背面電極、１ｆ・・・発光分離溝、２・・・
基板、３・・・配線電極、４・・・ドライバＩＣ１７・
・・反射コーテイング膜。
断面構成図、第２図は第１図の上面図。 第３図乃至第５図は本発明のその他の実施例を示す図、
第６図は従来のＬＥＤチップの一断面構成図、第７図は
従来のＬＥＤアレーの構成図、第８図は従来のＬ Ｅ
Ｄチップの接続図である。 １．１０・・・ＬＥＤチップ、１ ｃ、 １０ｃ・・・
発光面、ｌｄ、１０ｄ・・・発光面電極、１ ｅ、 １
０ｅ・・・背面電極、１ｆ・・・発光分離溝、２・・・
基板、３・・・配線電極、４・・・ドライバＩＣ１７・
・・反射コーテイング膜。
Claims (1)
- Ｐ領域とｎ領域との接触面で形成する発光面を有し、該
発光面に近接する側に設けられた発光面電極と該発光面
電極から離れた位置に設けられた背面電極とに所定の電
圧を印加して前記発光面から所定の発光出力を得るＬＥ
Ｄチップを基板上に配置して成るＬＥＤアレーにおいて
、前記ＬＥＤチップは、前記発光面電極の少なくとも一
部を露出して構成し、前記発光面電極と前記基板の配線
電極とを対面して配した上で該露出した発光面電極と前
記配線電極とを直接的に接続するようにしたことを特徴
とするＬＥＤアレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289656A JPS63142685A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Ｌｅｄアレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289656A JPS63142685A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Ｌｅｄアレ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63142685A true JPS63142685A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17746054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61289656A Pending JPS63142685A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Ｌｅｄアレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63142685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185076A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-19 | Samsung Electron Co Ltd | 発光装置 |
| EP2365527A3 (en) * | 2010-02-19 | 2014-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell attray, light emitting module, and illumination apparatus |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61289656A patent/JPS63142685A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185076A (ja) * | 1988-12-17 | 1990-07-19 | Samsung Electron Co Ltd | 発光装置 |
| EP2365527A3 (en) * | 2010-02-19 | 2014-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell attray, light emitting module, and illumination apparatus |
| US8829540B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell array, light emitting module, and illumination apparatus |
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