JP2013098562A5 - - Google Patents
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Claims (22)
- 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
前記複数の発光領域上に配置される第1分散ブラッグ反射層と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第2半導体層上に配置される中間パッドと、
前記複数の発光領域を直列連結するように前記第1分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。 - 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
前記複数の発光領域上に配置される第1分散ブラッグ反射層と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第1半導体層上に配置される中間パッドと、
前記複数の発光領域を直列連結するように前記第1分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。 - 前記連結電極は、
隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する、請求項1又は2に記載の発光素子。 - 前記第1電極部及び前記第2電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子。
- 前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項1、3、及び4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記同一の発光領域内で、前記第1分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と離隔した、請求項1ないし5のいずれかに記載の発光素子。
- 前記同一の発光領域内で、前記第1分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と一体化された、請求項1、3ないし6に記載の発光素子。
- 前記連結電極は、
前記第1分散ブラッグ反射層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第2半導体層と接触する第1部分を含む、請求項1ないし7のいずれかに記載の発光素子。 - 前記連結電極は、
第1分散ブラッグ反射層、前記第2半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第1半導体層と接触する第2部分を含み、
前記第1分散ブラッグ反射層は、前記第2部分と前記第2半導体層との間、及び前記第2部分と前記活性層との間に配置される、請求項8に記載の発光素子。 - 前記発光構造物の下に配置される基板と、
前記発光領域と前記第1分散ブラッグ反射層との間に配置される伝導層とをさらに含む、請求項1ないし9のいずれかに記載の発光素子。 - 前記連結電極の第2部分は前記伝導層を貫通する、請求項10に記載の発光素子。
- 前記第1分散ブラッグ反射層は、前記連結電極と前記伝導層との間に配置される、請求項11に記載の発光素子。
- 前記第1分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第2分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項1ないし12のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第2分散ブラッグ反射層は、前記第1電極部、前記第2電極部、及び前記中間パッドを露出する、請求項13に記載の発光素子。
- 前記第1分散ブラッグ反射層及び前記第2分散ブラッグ反射層のそれぞれは、屈折率が互いに異なる第1層及び第2層が交互に少なくとも1回以上積層された絶縁物質である、請求項14に記載の発光素子。
- 前記第1電極部は第1電源の印加を受け、前記中間パッド及び前記第2電極部のうち少なくとも一つは第2電源の印加を受ける、請求項1、及び3ないし15のいずれかに記載の発光素子。
- 前記中間パッド及び前記第1電極部のうち少なくとも一つは第1電源の印加を受け、前記第2電極部は第2電源の印加を受ける、請求項2ないし4、6、及び8ないし15のいずれかに記載の発光素子。
- サブマウントと、
前記サブマウント上に互いに離隔して配置される第1金属層及び第2金属層と、
前記サブマウント上に配置される請求項1又は2に記載の発光素子と、
前記発光素子と前記サブマウントを電気的に連結する第1バンプ部及び第2バンプ部と、を含み、
前記第1バンプ部は、前記第1金属層と前記発光素子の第1電極部とを電気的に連結し、前記第2バンプ部は、前記第2金属層と、前記発光素子の第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとを電気的に連結する、発光素子パッケージ。 - 前記第1バンプ部は、
前記第1金属層と前記第1電極部との間に位置する第1バンパーと
前記第1バンパーと前記第1電極部との間に位置する第1拡散防止接着層と、
前記第1バンパーと前記第1金属層との間に位置する第2拡散防止接着層と、を含み、
前記第2バンプ部は、
前記第2金属層と、第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第2バンパーと、
前記第2バンパーと、前記第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第3拡散防止接着層と、
前記第2バンパーと前記第2金属層との間に位置する第4拡散防止接着層と、を含む、請求項18に記載の発光素子パッケージ。 - 前記発光素子は、
前記第1分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第2分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項18又は19に記載の発光素子パッケージ。 - 前記連結電極は、前記第1半導体層と点接触する、請求項1ないし17のいずれかに記載の発光素子。
- 前記連結電極は、前記伝導層と点接触する、請求項10ないし17のいずれかに記載の発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110111308A KR101888604B1 (ko) | 2011-10-28 | 2011-10-28 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
KR10-2011-0111308 | 2011-10-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013098562A JP2013098562A (ja) | 2013-05-20 |
JP2013098562A5 true JP2013098562A5 (ja) | 2016-01-21 |
JP6133040B2 JP6133040B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=47115528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012237130A Active JP6133040B2 (ja) | 2011-10-28 | 2012-10-26 | 発光素子及び発光素子パッケージ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9165977B2 (ja) |
EP (1) | EP2587542B1 (ja) |
JP (1) | JP6133040B2 (ja) |
KR (1) | KR101888604B1 (ja) |
CN (1) | CN103094435B (ja) |
TW (1) | TWI575775B (ja) |
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JP7339559B2 (ja) | 2021-05-20 | 2023-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
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US9847457B2 (en) | 2013-07-29 | 2017-12-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same |
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- 2012-10-26 EP EP12190234.0A patent/EP2587542B1/en active Active
- 2012-10-26 TW TW101139757A patent/TWI575775B/zh active
- 2012-10-26 US US13/662,348 patent/US9165977B2/en active Active
- 2012-10-26 JP JP2012237130A patent/JP6133040B2/ja active Active
- 2012-10-29 CN CN201210421187.3A patent/CN103094435B/zh active Active
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---|---|---|---|---|
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