JP2013098562A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013098562A5
JP2013098562A5 JP2012237130A JP2012237130A JP2013098562A5 JP 2013098562 A5 JP2013098562 A5 JP 2013098562A5 JP 2012237130 A JP2012237130 A JP 2012237130A JP 2012237130 A JP2012237130 A JP 2012237130A JP 2013098562 A5 JP2013098562 A5 JP 2013098562A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
electrode
emitting device
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012237130A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013098562A (ja
JP6133040B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020110111308A external-priority patent/KR101888604B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2013098562A publication Critical patent/JP2013098562A/ja
Publication of JP2013098562A5 publication Critical patent/JP2013098562A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6133040B2 publication Critical patent/JP6133040B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (22)

  1. 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
    前記複数の発光領域上に配置される第1分散ブラッグ反射層と、
    前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
    前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
    前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第2半導体層上に配置される中間パッドと、
    前記複数の発光領域を直列連結するように前記第1分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。
  2. 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域を有する発光構造物と、
    前記複数の発光領域上に配置される第1分散ブラッグ反射層と、
    前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
    前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
    前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第1半導体層上に配置される中間パッドと、
    前記複数の発光領域を直列連結するように前記第1分散ブラッグ反射層上に配置される連結電極と、を含む、発光素子。
  3. 前記連結電極は、
    隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する、請求項1又は2に記載の発光素子。
  4. 前記第1電極部及び前記第2電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子。
  5. 前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項1、3、及び4のいずれかに記載の発光素子。
  6. 前記同一の発光領域内で、前記第1分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と離隔した、請求項1ないし5のいずれかに記載の発光素子。
  7. 前記同一の発光領域内で、前記第1分散ブラッグ反射層上において前記中間パッドは前記連結電極と一体化された、請求項1、3ないし6に記載の発光素子。
  8. 前記連結電極は、
    前記第1分散ブラッグ反射層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第2半導体層と接触する第1部分を含む、請求項1ないし7のいずれかに記載の発光素子。
  9. 前記連結電極は、
    第1分散ブラッグ反射層、前記第2半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第1半導体層と接触する第2部分を含み、
    前記第1分散ブラッグ反射層は、前記第2部分と前記第2半導体層との間、及び前記第2部分と前記活性層との間に配置される、請求項8に記載の発光素子。
  10. 前記発光構造物の下に配置される基板と、
    前記発光領域と前記第1分散ブラッグ反射層との間に配置される伝導層とをさらに含む、請求項1ないし9のいずれかに記載の発光素子。
  11. 前記連結電極の第2部分は前記伝導層を貫通する、請求項10に記載の発光素子。
  12. 前記第1分散ブラッグ反射層は、前記連結電極と前記伝導層との間に配置される、請求項11に記載の発光素子。
  13. 前記第1分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第2分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項1ないし12のいずれかに記載の発光素子。
  14. 前記第2分散ブラッグ反射層は、前記第1電極部、前記第2電極部、及び前記中間パッドを露出する、請求項13に記載の発光素子。
  15. 前記第1分散ブラッグ反射層及び前記第2分散ブラッグ反射層のそれぞれは、屈折率が互いに異なる第1層及び第2層が交互に少なくとも1回以上積層された絶縁物質である、請求項14に記載の発光素子。
  16. 前記第1電極部は第1電源の印加を受け、前記中間パッド及び前記第2電極部のうち少なくとも一つは第2電源の印加を受ける、請求項1、及び3ないし15のいずれかに記載の発光素子。
  17. 前記中間パッド及び前記第1電極部のうち少なくとも一つは第1電源の印加を受け、前記第2電極部は第2電源の印加を受ける、請求項2ないし4、6、及び8ないし15のいずれかに記載の発光素子。
  18. サブマウントと、
    前記サブマウント上に互いに離隔して配置される第1金属層及び第2金属層と、
    前記サブマウント上に配置される請求項1又は2に記載の発光素子と、
    前記発光素子と前記サブマウントを電気的に連結する第1バンプ部及び第2バンプ部と、を含み、
    前記第1バンプ部は、前記第1金属層と前記発光素子の第1電極部とを電気的に連結し、前記第2バンプ部は、前記第2金属層と、前記発光素子の第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとを電気的に連結する、発光素子パッケージ。
  19. 前記第1バンプ部は、
    前記第1金属層と前記第1電極部との間に位置する第1バンパーと
    前記第1バンパーと前記第1電極部との間に位置する第1拡散防止接着層と、
    前記第1バンパーと前記第1金属層との間に位置する第2拡散防止接着層と、を含み、
    前記第2バンプ部は、
    前記第2金属層と、第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第2バンパーと、
    前記第2バンパーと、前記第2電極部及び中間パッドのいずれか一つとの間に位置する第3拡散防止接着層と、
    前記第2バンパーと前記第2金属層との間に位置する第4拡散防止接着層と、を含む、請求項18に記載の発光素子パッケージ。
  20. 前記発光素子は、
    前記第1分散ブラッグ反射層上に配置され、前記連結電極を覆う第2分散ブラッグ反射層をさらに含む、請求項18又は19に記載の発光素子パッケージ。
  21. 前記連結電極は、前記第1半導体層と点接触する、請求項1ないし17のいずれかに記載の発光素子。
  22. 前記連結電極は、前記伝導層と点接触する、請求項10ないし17のいずれかに記載の発光素子。
JP2012237130A 2011-10-28 2012-10-26 発光素子及び発光素子パッケージ Active JP6133040B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110111308A KR101888604B1 (ko) 2011-10-28 2011-10-28 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR10-2011-0111308 2011-10-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013098562A JP2013098562A (ja) 2013-05-20
JP2013098562A5 true JP2013098562A5 (ja) 2016-01-21
JP6133040B2 JP6133040B2 (ja) 2017-05-24

Family

ID=47115528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012237130A Active JP6133040B2 (ja) 2011-10-28 2012-10-26 発光素子及び発光素子パッケージ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9165977B2 (ja)
EP (1) EP2587542B1 (ja)
JP (1) JP6133040B2 (ja)
KR (1) KR101888604B1 (ja)
CN (1) CN103094435B (ja)
TW (1) TWI575775B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7339559B2 (ja) 2021-05-20 2023-09-06 日亜化学工業株式会社 発光素子

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666764B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
JP2014127565A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
CN103390713B (zh) * 2013-07-19 2016-04-13 深圳大道半导体有限公司 带光反射层的半导体发光器件
US9847457B2 (en) 2013-07-29 2017-12-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same
WO2015016561A1 (en) * 2013-07-29 2015-02-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode, method of fabricating the same and led module having the same
TWI597864B (zh) 2013-08-27 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 具有複數個發光結構之發光元件
TWI678001B (zh) * 2013-08-27 2019-11-21 晶元光電股份有限公司 具有複數個發光結構之發光元件
CN110047865B (zh) * 2013-09-03 2024-02-23 晶元光电股份有限公司 具有多个发光结构的发光元件
TWI478387B (zh) * 2013-10-23 2015-03-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體結構
KR102156376B1 (ko) * 2014-02-21 2020-09-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102156375B1 (ko) * 2014-02-21 2020-09-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR102162437B1 (ko) * 2014-05-15 2020-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
WO2015190817A1 (ko) * 2014-06-10 2015-12-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
WO2016177333A1 (zh) * 2015-05-05 2016-11-10 湘能华磊光电股份有限公司 Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法
DE102015112538B4 (de) * 2015-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9806152B2 (en) * 2016-03-04 2017-10-31 Pakal Technologies Llc Vertical insulated gate turn-off thyristor with intermediate p+ layer in p-base
KR101760317B1 (ko) * 2016-05-02 2017-07-21 순천대학교 산학협력단 발광장치
JP7051131B2 (ja) * 2016-07-20 2022-04-11 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 半導体素子
KR102550007B1 (ko) * 2016-11-30 2023-07-03 서울바이오시스 주식회사 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드
KR20180073866A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
KR20180076066A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US10553759B2 (en) * 2017-07-13 2020-02-04 Epistar Corporation Light-emitting device
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
DE102018101393A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
JP6717324B2 (ja) * 2018-02-27 2020-07-01 日亜化学工業株式会社 発光素子
TWI818070B (zh) * 2019-08-30 2023-10-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
JP2023130977A (ja) * 2022-03-08 2023-09-21 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光装置モジュール

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5996221A (en) * 1996-12-12 1999-12-07 Lucent Technologies Inc. Method for thermocompression bonding structures
US6573537B1 (en) * 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
JP2007517378A (ja) 2003-12-24 2007-06-28 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
JP3802911B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
US7723736B2 (en) * 2004-12-14 2010-05-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
KR100974923B1 (ko) * 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
ES2391916T3 (es) * 2007-04-02 2012-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Excitación de diodos emisores de luz
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8536584B2 (en) 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8575633B2 (en) * 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
KR101428053B1 (ko) * 2007-12-13 2014-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TWI466266B (zh) * 2009-02-24 2014-12-21 Epistar Corp 陣列式發光元件及其裝置
JP5614938B2 (ja) * 2009-02-26 2014-10-29 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US9093293B2 (en) * 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
JP5246199B2 (ja) * 2010-03-31 2013-07-24 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5793292B2 (ja) * 2010-02-17 2015-10-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5494005B2 (ja) * 2010-02-26 2014-05-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
CN102859726B (zh) * 2010-04-06 2015-09-16 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
TW201238043A (en) * 2011-03-11 2012-09-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
KR101115539B1 (ko) * 2011-06-10 2012-02-28 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US8759847B2 (en) * 2011-12-22 2014-06-24 Bridgelux, Inc. White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals
US9276166B2 (en) * 2012-04-13 2016-03-01 Epistar Corporation Method for forming light-emitting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7339559B2 (ja) 2021-05-20 2023-09-06 日亜化学工業株式会社 発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013098562A5 (ja)
JP2014093532A5 (ja)
JP2011171739A5 (ja)
JP2013098561A5 (ja)
JP2017041653A5 (ja) 発光ダイオード
JP2016082231A5 (ja)
JP2014239247A5 (ja)
JP2013106048A5 (ja)
JP2008544540A5 (ja)
JP2013135234A5 (ja)
JP2015226056A5 (ja)
JP2011061244A5 (ja)
WO2011083923A3 (en) Light emitting diode having electrode pads
JP2014096591A5 (ja)
JP6318004B2 (ja) Ledモジュール、ledモジュールの実装構造
JP2014053606A5 (ja)
JP2018509758A5 (ja)
WO2009154383A3 (ko) 반도체 발광소자
JP2010171443A5 (ja)
JP2016127289A5 (ja)
EP2613370A3 (en) Light emitting diode and light emitting diode package having the same
WO2011126248A3 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2016163045A5 (ja)
WO2010114250A3 (en) Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
WO2016129873A3 (ko) 발광소자 및 발광 다이오드