TWI678001B - 具有複數個發光結構之發光元件 - Google Patents

Abstract

一發光元件，包含︰一第一半導體層，包含一上表面以及與上表面相對的一下表面；一第一發光結構以及一第二發光結構，形成在第一半導體層上，其中第一半導體層是連續的；一第一溝槽，形成在第一發光結構和第二發光結構之間，包含一底部暴露第一半導體層的一表面；一第一電極，形成在第一半導體層上並與第一半導體層電連接；以及一第二電極，形成在第一發光結構上，包含一第二打線區以及從第二打線區延伸的複數個第二延伸部；其中，第二打線區形成在第一發光結構和第二發光結構之間，複數個第二延伸部分別延伸到第一發光結構和第二發光結構；其中，第一溝槽穿過第一半導體層的上表面但不延伸到第一半導體層的下表面；以及其中，第一溝槽由上視觀之具有一等寬的寬度。

Description

具有複數個發光結構之發光元件

本發明關於一種發光元件，特別是關於一種具有複數個發光結構之發光元件。

如第1A圖所示，光電元件，例如發光二極體1(Light-emitting Diode；LED)，目前已經廣泛地使用在光學顯示裝置、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材上。此外，上述之LED1可與其他元件組合連接以形成一發光裝置。第1B圖為習知之發光裝置結構示意圖，如第1B圖所示，一發光裝置10包含一具有一電路120之次載體(submount)12；一焊料14(solder)位於上述次載體12上，藉由此焊料14將LED1固定於次載體12上並使LED 1與次載體12上之電路120形成電連接；以及一電性連接結構16，以電性連接LED 1之電極11/13與次載體12上之電路120；其中，上述之次載體12可以是導線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)。

一發光元件，包含：一第一半導體層；一第一發光結構、一第二發光結構以及一第三發光結構，位於第一半導體層之上，其中第一半導體層為連續的；一第一溝槽，位於第一發光結構與第二發光結構之間，曝露 第一半導體層之一上表面；一第二溝槽，位於第二發光結構與第三發光結構之間，曝露第一半導體層之上表面；一第三溝槽，位於些發光結構其中之一之中，曝露第一半導體層，其中第三溝槽隨著一第一延伸方向延伸，第一延伸方向平行於第一半導體層；一絕緣橋接部，位於第一溝槽及第二溝槽中，連接些發光結構；一第一電極，位於第三溝槽中，且電性連接第一半導體層；以及一第二電極，包含一第二打線部，位於些發光結構其中之一之上，以及一第二延伸部，延伸自第二打線部；其中第二延伸部位於絕緣橋接部上，且延伸至些發光結構。

1‧‧‧LED

10‧‧‧發光裝置

11、13‧‧‧電極

12‧‧‧次載體

120‧‧‧電路

14‧‧‧焊料

16‧‧‧電性連接結構

2、2’、3、3’、4、4’、5、5’、6‧‧‧發光元件

20‧‧‧基板

200‧‧‧圖案化上表面

21‧‧‧第一電極

21A‧‧‧第一打線部

21B‧‧‧第一延伸部

22‧‧‧發光疊層

220‧‧‧第一半導體層

221‧‧‧第一上表面

222‧‧‧主動層

223‧‧‧第一側邊

224‧‧‧第二半導體層

225‧‧‧第二側邊

23‧‧‧第二電極

23A‧‧‧第二打線部

23B‧‧‧第二延伸部

24‧‧‧透明導電層

25、41、50、60‧‧‧第一溝槽

27、43、62‧‧‧第二溝槽

30、40、54‧‧‧第一橋接部

31、45、52‧‧‧第三溝槽

32‧‧‧電絕緣層

33‧‧‧第四溝槽

42‧‧‧第二橋接部

431‧‧‧第一區

432‧‧‧第二區

451‧‧‧第三區

452‧‧‧第四區

47、64‧‧‧曝露部

51‧‧‧第一連接線

53‧‧‧第二連接線

7‧‧‧燈泡

71‧‧‧燈罩

72‧‧‧透鏡

73‧‧‧載體

74‧‧‧照明模組

75‧‧‧燈座

76‧‧‧散熱槽

77‧‧‧連結部

78‧‧‧電連結器

〔第1A圖〕繪示習知LED之上視示意圖。。

〔第1B圖〕繪示習知之發光裝置結構示意圖。

〔第2A圖〕繪示本申請案一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第2B圖〕繪示第2A圖繪示之發光元件之剖面示意圖。

〔第2C至2D圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之製造流程圖。

〔第2E圖〕標示本申請案實施例之發光元件與習知LED之效率。

〔第3A圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第3B圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第4A圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第4B圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第4C圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第5A圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第5B圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第6圖〕繪示本申請案另一實施例之發光元件之上視示意圖。

〔第7圖〕繪示本申請案本申請案一實施例之燈泡分解示意圖。

本發明之實施例會被詳細地描述，並且繪製於圖式中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。

第2A圖繪示本申請案一實施例之發光元件之上視示意圖，第2B圖繪示沿第2A圖之AA剖面線所視之發光元件之剖面示意圖。如第2B圖所示，一發光元件2具有一基板20；一發光疊層22，位於基板20之上；以及一透明導電層24位於發光疊層22之上，其中發光疊層22具有一第一半導體層220、一主動層222與一第二半導體層224依序形成於基板20之上。一第一溝槽25形成於透明導電層24與發光疊層22之中，曝露第一半導體層220之一第一上表面221，使得第一半導體層220以上之發光疊層22與透明導電層24分離形成一第一發光結構X與一第二發光結構Y。換言之，第一發光結構X與第二發光結構Y具有共同的第一半導體層220，但在第一半導體層220不同的區域之上具有各自的主動層222、第二半導體層224與透明導電層24。如第2A圖所示，第二溝槽27分別形成於第一發光結構X與第二發光結構Y之中，曝露第一上表面221。第一電極21位於第二溝槽27之中的第一上表面221之上，第二電極23位於透明導電層24之上。第一溝槽25位於第一發光結構X與第二發光結構Y之間，第一電極21與第二電極23皆位於第一溝槽25之外，即無電極位於第一溝槽25之中，使電流可以分別均勻地於第一發光結構X與第二發光結構Y擴散，提升發光元件2的發光效率，如第2E圖所示。由上視圖觀之，第一發光結構X與第二發光結構Y具有相同的外觀圖案。以本實施例為例，相同的外觀圖案係具有相同尺寸的長方形結構，以及相同 的電極設計與對稱的電極放置位置，有利於電流平均分佈以及後續打線製程的對位辨識。

第一電極21及/或第二電極23用以接受外部電壓，可由透明導電材料或金屬材料所構成。透明導電材料包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鎢(IWO)、氧化鋅(ZnO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、氧化銦鋅(IZO)或類鑽碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限於鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、銻(Sb)、鈷(Co)或上述材料之合金等。第一電極21具有一第一打線部21A與自第一打線部21A延伸之複數個第一延伸部21B，第二電極23具有一第二打線部23A與自第二打線部23A延伸之複數個第二延伸部23B，其中第一打線部21A與第二打線部23A用以作為後續打線製程的打線位置，複數個第一延伸部21B與複數個第二延伸部23B用以傳導電流，增進電流擴散，提升發光元件2之發光效率。其中，至少一第一延伸部21B位於二第二延伸部23B之間，使電流均勻地擴散，避免電流聚集部分區域，減少發光的面積。第二半導體層224具有一第一側邊223與遠離第一側邊223之第二側邊225，其中第一打線部21A靠近第一側邊223，第二打線部23A靠近第二側邊225。第一打線部21A與第一側邊223之間具有一間距D，間距D約等於為第一打線部21A之尺寸。第一打線部21A之尺寸以圓形為例，D則為圓形之直徑大小，以長方型為例，間距D則約為長方形之長邊大小。因此，電流自第一打線部21A注入後可有效地擴散，提升發光元件2的發光效率。另一實施例中，間距D約為60微米至100微米。此外，至少一第一延伸部21B與其他第一延伸部21B延伸方向相異。以本實施例為例，一第一延伸部21B 向第一側邊223延伸，其他第一延伸部21B則向第二側邊225延伸，增進電流擴散，提升發光元件2之發光效率。

透明導電層24用以增加發光疊層22與第二電極23之間的歐姆接觸以及幫助電流擴散，以提升發光元件2之發光效率。透明導電層24對於發光疊層22所發之光為透明，其材料可為導電材料，包含但不限於氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)或氧化銦鋅(IZO)。發光疊層22之材料可為半導體材料，包含一種以上之元素，此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構成之群組。第一半導體層220與第二半導體層224的電性相異，用以產生電子或電洞。另一實施例中，第二半導體層224具有一粗糙上表面，用以降低全反射，提升發光元件2之發光效率。主動層222可發出一種或多種色光，可為可見光或不可見光，其結構可為單異質結構、雙異質結構、雙側雙異質結構、多層量子井或量子點。

基板20可用以支持位於其上之發光疊層22與其它層或結構，其材料可為透明材料或導電材料。透明材料包含但不限於藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧樹脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)或氮化鋁(AlN)等。導電材料包含但不限於銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎳(Ni)、鈷(Co)、類鑽碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨(Graphite)、碳纖維(Carbon fiber)、金屬基複合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基複合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、矽(Si)、磷化碘(IP)、硒化鋅(ZnSe)、砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、硒化鋅(ZnSe)、 磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)。其中可用以成長發光疊層之材料例如為藍寶石、砷化鎵、碳化矽(SiC)或矽。基板20具有一圖案化上表面200，用以改善自基板20生長之磊晶的品質與散射發光疊層22所發之光，提升發光元件2之發光效率。

第2C~2D圖繪示另一實施例之發光元件2’之製造流程圖。如第2C圖所示，基板20之上形成發光疊層22，移除部份第二半導體層224與主動層222，形成第一溝槽25與第二溝槽27，曝露第一半導體層220之第一上表面221，其中第一溝槽25將第二半導體層224與主動層222分隔為第一發光結構X與第二發光結構Y，二第二溝槽27分別位於第一發光結構X與第二發光結構Y之中。如第2D圖所示，形成透明導電層24於第二半導體層224之上，再形成第一電極21於第二溝槽27之中，以及第二電極23於透明導電層24之上，以形成發光元件2’。

第3A圖與第3B圖繪示另一實施例之發光元件3與3’之上視示意圖。如第3A圖所示，發光元件3具有發光元件2之類似結構，且更具有一第三溝槽31與一第四溝槽33，曝露第一上表面221，其中第三溝槽31與第四溝槽33不平行於第一溝槽25與第二溝槽27，所以第三溝槽31與第四溝槽33和第一溝槽25與第二溝槽27交錯，使得第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域。複數個第一橋接部30分別位於第一發光結構X與第二發光結構Y被分隔的複數個發光區域之間，且位於第三溝槽31與第四溝槽33之中，用以連接複數個發光區域，使得複數個第二延伸部23B可通過複數個第一橋接部30之上以延伸至複數個發光區域，將電流傳導至複數個發光區域。由於第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域，電流經由複數個第二延伸部23B傳導於每個發光區域，可於複數個面積較小的發光區域均勻地擴散，提升發光元件3的發 光效率。如第3B圖所示，發光元件3’具有發光元件2之類似結構，其中第二溝槽27將第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域，電絕緣層32形成於第二溝槽27之中與發光區域之上，遠離第一打線區21A，第二打線部23A形成於電絕緣層32之上，第二延伸部23B位於電絕緣層32之上且延伸至複數個發光區域。由於第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域，電流經由複數個第二延伸部23B傳導於每個發光區域，可於複數個面積較小的發光區域均勻地擴散，提升發光元件3’的發光效率。上述實施例中，第一橋接部30及/或電絕緣層32可電絕緣第二電極23與第一半導體層220，其材料可為電絕緣材料，例如為聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氮化矽(SiNx)、氟化鎂(MgF2)、旋塗玻璃(SOG)或四乙氧基矽烷(TEOS)。

第4A圖與第4B圖繪示另一實施例之發光元件4與4’之上視示意圖。一發光元件4之結構類似發光元件2，具有基板20；發光疊層22，位於基板20之上；以及透明導電層24位於發光疊層22之上，其中發光疊層22具有第一半導體層220、主動層222與第二半導體層224依序形成於基板20之上。如第4A圖所示，一第一溝槽41形成於透明導電層24與發光疊層22之中，曝露第一上表面221，使得第一半導體層220以上之發光疊層22與透明導電層24大致分離形成第一發光結構X與第二發光結構Y。本實施例中，形成第一溝槽41時未完全移除發光疊層22與透明導電層24，保留部分發光疊 層22與透明導電層24以形成一第一橋接部40，用以連接第一發光結構X與第二發光結構Y。第一電極21形成於第一溝槽41之中；第二電極23形成於第一橋接部40之上，將電流傳導至第一發光結構X與第二發光結構Y，因為第一發光結構X與第二發光結構Y之間具有較小的發光疊層面積，電流可分別均勻地擴散第一發光結構X與第二發光結構Y，提升發光元件4的發光效率。由上視圖觀之，第一發光結構X與第二發光結構Y具有相同的外觀圖案。以本實施例為例，相同的外觀圖案係具有具有相同尺寸的長方形結構，以及相同的電極設計與對稱的電極放置位置，有利於電流平均分佈以及後續打線製程的對位辨識。

如第4B圖所示，發光元件4’具有發光元件4之類似結構，且更具有一第二溝槽43與一第三溝槽45，曝露第一上表面221，其中第二溝槽43與第三溝槽45不平行於第一溝槽41，所以第二溝槽43與第三溝槽45和第一溝槽41交錯，使得第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域。複數個第二橋接部42位於第一發光結構X與第二發光結構Y被分隔的複數個發光區域之間，且分別位於第二溝槽43與第三溝槽45之中，用以連接複數個發光區域。第二溝槽43被複數個第二橋接部42分成一第一區431與一第二區432，第二橋接部42位於第一區431與第二區432之間。第三溝槽45被複數個第二橋接部42分成一第三區451與一第四區452，第二橋接部42位於第三區451與第四區452之間。本實施例中，形成第二溝槽43與第三溝槽45時未完全移除發光疊層22與透明導電層24，保留部分發光疊層22與透明導電層24以形成複數個第二橋接部42。複數個第二延伸部23B可通過複數個第二橋接部42之上以延伸至複數個發光區域，將電流傳導至複數個發光區域。由於第一發光結構X與第二發光結構Y分別被分隔成複數個面積較小的發光區域，電流經由複數個第二延伸部23B傳導於每個 發光區域，可於複數個面積較小的發光區域均勻地擴散，提升發光元件4’的發光效率。如第4C圖所示，發光元件4”，具有發光元件4之類似結構，更具有一曝露部47圍繞第一發光結構X與第二發光結構Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部47不平行於第一溝槽41，另一部分曝露部47平行於第一溝槽41。第二電極23形成於第一橋接部40、第一發光結構X與第二發光結構Y之上，第一電極21形成於曝露部47之中，複數個第一延伸部21B沿曝露部47延伸，電流可分別均勻地擴散第一發光結構X與第二發光結構Y，提升發光元件4”的發光效率。

第5A圖與第5B圖繪示另一實施例之發光元件5與5’之上視示意圖。如第5A圖所示，發光元件5具有發光元件2之類似結構，一第一溝槽50形成於透明導電層24與發光疊層22之中，曝露第一上表面221，使得第一半導體層220以上之發光疊層22與透明導電層24大致分離形成第一發光結構X與第二發光結構Y。本實施例中，形成第一溝槽50時未完全移除發光疊層22與透明導電層24，保留部分發光疊層22與透明導電層24以形成一第一橋接部54，用以連接第一發光結構X與第二發光結構Y。第二溝槽27分別形成於第一發光結構x與第二發光結構Y之中，曝露第一上表面221。第一電極21位於第二溝槽27之中的第一上表面221之上，第二電極23位於透明導電層24之上。一第三溝槽52形成於透明導電層24與發光疊層22之中，曝露第一上表面221，其中第三溝槽52不平行於第一溝槽50，所以第三溝槽52和第一溝槽50交錯。一第一連接線51形成於第三溝槽52之中，電連接分別位於第一發光結構X與第二發光結構Y之第一打線部21A。一第二連接線53形成於第一橋接部54、第一發光結構X與第二發光結構Y之上，電連接分別位於第一發光結構X與第二發光結構Y之第二打線部23A。第一連接線51與第二連接線53分別電連接位於第一發光結構X與第二發光結構Y之第一打線部21A 與第二打線部23A，導致電流均勻地分佈於第一發光結構X與第二發光結構Y，提升發光元件5的發光效率。由上視圖觀之，第一發光結構X與第二發光結構Y具有相同的外觀圖案。以本實施例為例，相同的外觀圖案係具有相同尺寸的長方形結構，以及相同的電極設計與對稱的電極放置位置，有利於電流平均分佈以及後續打線製程的對位辨識。如第5B圖所示，發光元件5’具有發光元件5之類似結構，第三溝槽52形成於第一發光結構X與第二發光結構Y，且靠近第一側邊223，減少形成第三溝槽52所需移除的發光疊層22，避免減少發光區域的面積。

第6圖繪示另一實施例之發光元件6之上視示意圖。如第6圖所示，發光元件6具有發光元件2之類似結構，一第一溝槽60形成於透明導電層24與發光疊層22之中，曝露第一上表面221，使得第一半導體層220以上之發光疊層22與透明導電層24大致分離形成第一發光結構X與第二發光結構Y。第二溝槽62分別形成於第一發光結構X與第二發光結構Y之中，曝露第一上表面221。一曝露部64圍繞第一發光結構X與第二發光結構Y而形成，曝露第一上表面221，其中部分曝露部64不平行於第一溝槽60，另一部分曝露部64平行於第一溝槽60。第二電極23形成於第一發光結構X與第二發光結構Y之上，第一打線部21A形成於曝露部64之上，複數個第一延伸部21B沿曝露部64與第一溝槽60延伸，電流可分別均勻地擴散第一發光結構X與第二發光結構Y，提升發光元件6整體的發光效率。由上視圖觀之，第一發光結構X與第二發光結構Y具有相同的外觀圖案。以本實施例為例，相同的外觀圖案係具有具有相同尺寸的長方形結構，以及相同的電極設計與對稱的電極放置位置，有利於電流平均分佈以及後續打線製程的對位辨識。

第7圖係繪示出一燈泡分解示意圖，一燈泡7具有一燈罩71；一透鏡72，置於燈罩71之中；一照明模組74，位於透鏡72之下；一燈座75，具 有一散熱槽76，用以承載照明模組74；一連結部77；以及一電連結器78，其中連結部77連結燈座75與電連結器78。照明模組74具有一載體73；以及複數個前述任一實施例之發光元件70，位於載體73之上。

惟上述實施例僅為例示性說明本申請案之原理及其功效，而非用於限制本申請案。任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本申請案之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。

Claims (10)

1. 一發光元件，包含：一第一半導體層，包含一上表面以及與該上表面相對的一下表面；一第一發光結構以及一第二發光結構，形成在該第一半導體層上，其中該第一半導體層是連續的，且該第一發光結構及該第二發光結構分別包含：一第二半導體層，位於該第一半導體層上；一第一溝槽，形成在第一發光結構和第二發光結構之間，包含一底部暴露該第一半導體層的一表面；一第一電極，形成在該第一半導體層上並與該第一半導體層電連接；以及一第二電極，形成在第一發光結構上，包含一第二打線部以及從第二打線部延伸的複數個第二延伸部；其中，該第二打線部形成在該第一發光結構和該第二發光結構之間，該些第二延伸部分別延伸到該第一發光結構和該第二發光結構；其中，該第二電極分別電性連接該第一發光結構的該第二半導體層及該第二發光結構的該第二半導體層；其中，該第一溝槽穿過該第一半導體層的該上表面但不延伸到該第一半導體層的該下表面；以及其中，該第一溝槽由上視觀之具有一等寬的寬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一暴露部，圍繞該第一發光結構與該第二發光結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一電極不位於該第一溝槽中。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該些第二延伸部不位於該第一溝槽中。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一電極包含一延伸方向平行於該第一溝槽。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一第三發光結構以及一第四發光結構，形成在該第一半導體層上，其中該第一溝槽更形成在該第三發光結構和該第四發光結構之間。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件，更包含一第一橋接部，位於該第一發光結構和該第三發光結構之間。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，更包含一第二橋接部，位於該第二發光結構和該第四發光結構之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一電極位於該些第二延伸部之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一發光結構及該第二發光結構分別更包含：一透明導電層，位於該第二半導體層上；其中該第二電極位於該透明導電層上。