TW201318214A - 發光裝置及發光裝置封裝 - Google Patents
發光裝置及發光裝置封裝 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201318214A TW201318214A TW101139757A TW101139757A TW201318214A TW 201318214 A TW201318214 A TW 201318214A TW 101139757 A TW101139757 A TW 101139757A TW 101139757 A TW101139757 A TW 101139757A TW 201318214 A TW201318214 A TW 201318214A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light
- disposed
- light emitting
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 123
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 290
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本發明揭示了一種發光裝置，包括具有複數個發光區域之發光結構，發光區域具有第一半導體層、主動層及第二半導體層；設置在發光區域上的第一布拉格分佈反射層；設置在其中之一發光區域的第一半導體層上；設置在另一發光區域的第二半導體層上之第二電極單元；設置在另外至少一發光區域之第一或第二半導體層上之中間極板；以及設置在第一布拉格分佈反射層上之至少一連接電極，以便使連接電極依序地連接發光區域。
Description
本發明與一發光裝置、一發光裝置封裝、一照明設備以及一顯示設備有關。
目前已發展出可以實現高亮度及白光之紅光、綠光及藍光發光二極體(LED)，其係基於金屬有機化學汽相沉積法及GaN的分子束長成之發展。
此等發光二極體並未包含傷害環境的物質，例如使用在白熾燈泡或螢光燈管之傳統照明設備中的汞(Hg)，因此其係具有環保、壽命長及低耗電等優點，進而可以取代傳統光源。此等發光二極體具有競爭力之主要關鍵，係在於實現高亮度，其係基於具有高效率與高功率之晶片以及封裝技術。
為了實現高亮度，提升光萃取效率是重要的。為了提升光萃取效率，係已研究出許多使用方法，如覆晶結構(flip-chip structures)、表面織構(surface texturing)、圖形化藍寶石晶圓基板技術(patterned sapphire substrates，PSSs)、光子晶體技術(photonic crystal techniques)、抗反射層結構(anti-reflective layer structures)等等。
一般而言，一發光裝置係可包括具有設置在一基板上之一第一導電型半導體層、一主動層極一第二導電型半導體層之一發光結構；提供第一電力給第一導電型半導體層的一第一電極；以及與提供一第二電力給第二導電型半
導體層之一第二電極。
本發明係提供一發光裝置以及一發光裝置封裝，係可改善光萃取效率，並避免電極分離或損壞。
在一實施例中，一發光裝置包括：一發光結構，具有複數個發光區域以及至少一邊界區域，該等發光區域係包括一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層；一第一布拉格分佈反射層，係設置在該等發光區域上；一第一電極單元，係設置在該等發光區域中其中之一發光區域的該第一半導體層上；一第二電極單元，設置在該等發光區域中另一發光區域之該第二半導體層上；一中間極板，係設置在該等發光區域中至少其中另一發光區域的該第二半導體層上；以及至少一連接電極，係設置在該第一布拉格分佈反射層上，以便該至少一連接電極該等發光區域依序地連接。
在另一實施例中，一種發光裝置，係包含：一發光結構，具有複數個發光區域以及至少一邊界區域，該等發光區域係包括一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層；一第一布拉格分佈反射層，係設置在該等發光區域上；一第一電極單元，係設置在該等發光區域之其中之一發光區域的該第一半導體層上；一第二電極單元，係設置在該等發光區域中另一發光區域之該第二半導體層上；一中間極板，係設置在該等發光區域中至少其中另一發光區域的該第一半導體層上；以及至少一連接電極，係設置在該第
一布拉格分佈反射層上，以便該至少一連接電極該等發光區域依序地連接。
該中間極板係將相鄰之該等發光區域之其中之一發光區域的該第一半導體層，電性連接到相鄰之該等發光區域之另一發光區域的該第二半導體層。
該第一電極單元與該第二電極單元係均可包括一極板，其係接收一電力。
該中間極板係可電性連接到設置在相同發光區域之該連接電極。該中間極板係可與該連接電極相間隔，並在相同之發光區域的該第一布拉格分佈反射層上。或者是，該中間極板係可與該連接電極一體成型，並在相同之發光區域的該第一布拉格分佈反射層上。
該連接電極係可包括一第一部分，係穿經該第一布拉格分佈反射層，並接觸相鄰之發光區域其中之一發光區域的該第二半導體層；以及一第二部分，係穿經該第一布拉格分佈反射層、該第二半導體層以及該主動層，並接觸相鄰之發光區域中另一發光區域的該第一半導體層，其中，該第一布拉格反射層係設置在該第二部分與該第二半導體層之間，以及在該第二部分與該主動層之間。
所述的發光裝置係可更進一步包括：一基板，係設置在該發光結構之下；以及一導電層，係設置在該發光區域與該第一布拉格反射層之間。
該連接電極的該第二部分係可穿經該導電層。該第一布拉格分佈反射層係可設置在連接電極與該導電層之間。
所述的發光裝置係可更進一步包括：一第二布拉格分
佈反射層，係設置在該第一布拉格反射層之上，該第二布拉格分佈反射層係覆蓋該連接電極。
該第二布拉格分佈反射層係可使該第一電極單元、該第二電極單元以及該中間極板暴露。
該第一布拉格分佈反射層與該第二布拉格分佈反射層係均可包括一絕緣件，以及交互疊置至少一次的至少一第一層與至少第二層，其中，該第一層的一折射率係不同於該第二層的一折射率。
該第一電極單元係可接收一第一電力，且該第二電極單元與該中間極板其中至少其一係可接收一第二電力。
該第一電極單元與該中間極板其中至少其一係可接收一第一電力，且該第二電極單元係可接收一第二電力。
在另一實施例中，一種發光裝置封裝，係包括：一黏著基台(sunmount)；一第一金屬層及一第二金屬層，係相互間隔設置在該黏著基台上；依據申請專利範圍第1項或第2項所述的該發光裝置係設置在該黏著基台上；以及一第一凸塊單元(first bump unit)極一第二凸塊單元(second bump unit)，係將該發光裝置電性連接到該黏著基台；其中，該第一凸塊單元係將該第一金屬層電性連接到該發光裝置的該第一電極單元，且該第二凸塊單元係將該第二金屬層電性連接到該發光裝置之該第二電極與該中間極板其中之一。
該第一凸塊單元係可包括：一第一凸塊(first bumper)，係設置在該第一金屬層與該第一電極單元之間；一第一抗擴散貼合層(anti-diffusion bonding layer)，係設置
在該第一凸塊與該第一電極單元之間；以及一第二抗擴散貼合層，係設置在該第一凸塊與該第一金屬層之間；以及該第二凸塊單元係可包括：一第二凸塊(second bumper)，係設置在該第二金屬層與該第二電極單元與該中間極板其中之一之間；一第三抗擴散貼合層，係設置在該第二凸塊與該第二電極單元及該中間極板其中之一之間；以及一第四抗擴散貼合層，係設置在該第二凸塊與該第二金屬層之間。
所述的發光裝置封裝係可更進一步包括：一第二布拉格分佈反射層，係設置在該第一布拉格反射層上，該第二布拉格分佈反射層係覆蓋該連接電極。
雖然本發明使用了幾個較佳實施例進行解釋，但是下列圖式及具體實施方式僅僅是本發明的較佳實施例；應說明的是，下面所揭示的具體實施方式僅僅是本發明的例子，並不表示本發明限於下列圖式及具體實施方式。
每一層的厚度或尺寸係可被放大、忽略或示意表示，以方便及清楚說明。每一元件的尺寸可不一定表示其實際尺寸。
所需知道的是，當一元件提到在另一元件之「上」(on)或「下」(under)時，其係可直接地在元件之上/下，及/或可有一或更多元件存在其間。當一元件提到在「上」(on)或「下」(under)時，「在元件之下」係與「在元件之上」一樣可包括所依據的該元件。
圖1係表示本發明發光裝置一第一實施例的平面圖。圖2係表示圖1中發光裝置沿AA’方向之剖視圖。圖3係表示圖1中發光裝置沿BB’方向之剖視圖。圖4係表示圖1中發光裝置沿CC’方向之剖視圖。
請參考圖1至圖4，發光裝置100係包括一基板110、一緩衝層115、區分為複數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)的一發光結構120、一導電層130、一布拉格分佈反射層140-1、一第一電極單元150、至少一連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或一以上的一自然數)、至少一中間極板182與184、以及一第二電極單元170。
基板110係可用一載具晶圓所形成，其係為適用於半導體材料生長的一材料。再者，基板110係可用一高導熱材料(thermo-conductive material)所形成，並可為一導電基板或一絕緣基板。例如，基板110係可包含以下至少其一：藍寶石(sapphire，Al203)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga203以及GaAs。基板110的一上表面係可提供有一凹凸不平(roughness)圖案。
緩衝層115係插置在基板110與發光結構120之間，並可用III-V族化合物半導體所形成。緩衝層115係用於降低在基板110與發光結構120之間的晶格常數(lattice constant)差異。
發光結構120係可為產生光線的一半導體層，並包括一第一導電型半導體層122、一主動層124、以及一第二導電型半導體層126。發光結構120係可具有一結構，其係包括依序疊置在基板110上的第一導電型半導體層122、
主動層124、以及第二導電型半導體層126。
第一導電型半導體層122係可用一半導體化合物所形成。第一導電型半導體層122係可用III-V族或II-VI族等化合物半導體來實現，並可摻雜有一第一導電摻雜物。
例如，第一導電型半導體層122係可為一半導體，其係具有一複合公式：InxAlyGa1-x-yN(0x1，0y1，0x+y1)。例如，第一導電型半導體層122係可包含以下其中任一：InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN，並可摻雜有一n型摻雜物(例如Si、Ge或Sn)。
主動層124係插置在第一導電型半導體層122與第二導電型半導體層126之間，並可產生光線，此光線係經由在分別從第一導電型半導體層122與第二導電型半導體層126所提供之電子與電洞之結合期間所產生之能量所產生的。
主動層124係可用一半導體化合物所形成，例如，III-V族或II-VI族化合物半導體，並可具有一雙接面(double-junction)結構、一單一井結構、一多井結構、一量子線結構(quantum wire structure)或一量子點結構(quantum dot structure)。
當主動層124係為一單一井結構或一量子井結構時，其係可包括一井層及一阻障層，井層具有複合公式：InxAlyGa1-x-yN(0x1，0y，0x+y1)，阻障層具有複合公式：InaAlbGa1-a-bN(0a1，0b1，0a+b1)。井層係可由具有比阻障層較低的能帶隙(band gap)的一材料所製成。
第二導電型半導體層124係可用一半導體化合物所形
成。第二導電型半導體層124係可用III-V族或II-VI族化合物半導體所實現，並摻雜有一第二導電摻雜物。
例如，第二導電型半導體層124係可為一半導體，其係具有複合公式：InxAlyGa1-x-yN(0x1，0y1，x+y1)。例如，第二導電型半導體層126係可包含係下其中任一：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP，並摻雜有一p型摻雜物(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。
發光結構120係可將第一導電型半導體122的一部分暴露。亦即，發光結構120係藉由對第二導電型半導體層126、主動層124及第一導電型半導體層122的一部分進行蝕刻，可將第一導電型半導體層122的該部分暴露。在本例中，藉由高台蝕刻(mesa-etching)而暴露之第一導電型半導體層122的表面係可設置在低於主動層124之下表面處。
一導電包覆層(圖未示)係可插置在主動層124與第一導電型半導體層122之間，或者是在主動層124與第二導電型半導體層126之間，且導電包覆層係可用一氮化物半導體來形成(例如AlGaN)。
發光結構120係可更包括一第三導電半導體層(圖未示)，係設置在第二導電型半導體層126之下，且第三導電半導體層係可具有與第二導電型半導體層126相反之一極性。第一導電型半導體層122係可用一n型半導體層來實現，且第二導電型半導體層126係可用一p型半導體層來實現。於是，發光結構120係可包括以下至少其中之一：N-P、P-N、N-P-N及P-N-P接面結構。
發光結構120係可包括相互間隔的複數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)以及至少一邊界區域S。邊界區域S係可設置在發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)之間。或者是，邊界區域S係可設置在發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)的周邊上。邊界區域S係可包括一區域，其係發光結構120暴露之一部分，並由對發光區域120進行高台蝕刻(mesa-etching)所形成，其係為了將發光結構120區分為複數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)。發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)的面積係相同，但並不以此為限。
一單一晶片之發光結構120係可經由邊界區域S而區分成發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)。
導電層130係設置在第二導電型半導體層126上。導電層130係降低全反射與顯示出較佳的穿透率，因此增加從主動層124發射到第二導電型半導體層126之光線的萃取效率(extraction efficiency)。導電層130係可用一單一或多層結構來實現，此結構係使用一或以上具有高穿透率之透明氧化物來形成不同發光波長，例如：ITO、TO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO。
第一布拉格分佈反射層140-1係設置在發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)與邊界區域S之上。例如，第一布拉格分佈反射層140-1係可覆蓋發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)的上部與側邊，
並覆蓋邊界區域S。
第一布拉格分佈反射層140-1係反射從發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)所發射的光線。於是，第一布拉格分佈反射層140-1係避免發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)被第二電極單元170、連接電極160-1~160-n(其中，n係為大於一的一自然數)以及中間極板182與184所吸收。結果，在本實施例中，係可改善光萃取效率。
第一布拉格分佈反射層140-1係可具有一結構，其係為至少一第一層與至少一第二層相互疊置至少一次，其中，第一層的一折射率係不同於第二層的折射率。第一布拉格分佈反射層140-1係可為一電性絕緣材料。
例如，第一層係包括如TiO2的一第一介電層(first dielectric layer)，且第二層係包括如SiO2的一第二介電層(second dielectric layer)。例如，第一布拉格分佈反射層140-1係可具有一結構，其係疊置的至少一TiO2/SiO2層。第一層與第二層係均可具有λ/4的一厚度，其中，λ係為從發光區域發射之光線的波長。第一電極單元150係設置在發光區域P1~Pn(例如n=9)中之一發光區域(例如P1)的第一導電型半導體層122上，並可與第一導電型半導體層122接觸。第一電極單元150係可包括一第一極板，係貼合到一導線(圖未示)以提供一第一電力。在圖1的實施例中，第一電極單元150係可當作是第一極板。
第二電極單元170係設置在發光區域P1~Pn(例如n=9)間另一發光區域(例如P9)之第二導電型半導體層126上。
第二電極單元170係可接觸第二導電型半導體層126或者是導電層130。例如，第二電極單元170係可接觸依序連接之發光區域間之最後發光區域(例如P9)的導電層130。
第二電極單元170係可包括一第二極板172與一分支電極174，其係設置在第一布拉格反射層140-1上。第二極板172係貼合到一導線(圖未示)以提供一第二電力，且分支電極174係從第二極板172延伸，並包括至少一部分175，係穿經第一布拉格反射層140-1並接觸導電層130。
連接電極160-1~160-m(例如m=8)係設置在第一布拉格反射層140-1上，並依序地電性連接到發光區域P1~Pn(例如n=9)。例如，連接電極160-1~160-m(例如m=8)係依序地連接複數個發光區域P1~Pn，亦即，從設置有當作是一起始點的第一電極單元150之一第一發光區域P1，到設置有當作是一終端點的第二電極單元170之第九發光區域P9。
每一連接電極(例如160-1)係可將二相鄰發光區域(例如P1與P2)其中之一發光區域(例如P1)的導電層130電性連接到另一發光區域(例如P2)之第一導電型半導體層122。
不包括導電層130的另一實施例中，連接電極(例如160-1)係可將一發光區域P1的第二導電型半導體層126電性連接到另一發光區域(例如P2)之第一導電型半導體層122。
包括在發光裝置100中依序地相互連接之複數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)，係依序指定
為一第一發光區域到一第n發光區域。亦即，設置有第一電極單元150的發光區域係指定為一第一發光區域P1，且設置有第二電極單元170之發光區域係指定為一第n發光區域Pn。在此，「相鄰發光區域」係可為一第k發光區域與一第k+1發光區域，第k連接電極係可將第k發光區域依序電性連接到第k+1發光區域，其中，1k(n-1)。
亦即，第k連接電極係可將第k發光區域的第二導電型半導體層126或導電層130電性連接到第k+1發光區域之第一導電型半導體層122。
例如，請參考圖3，第k連接電極(例如k=1)係可設置在第k發光區域(例如k=1)、第k+1發光區域(例如k+1=2)以及其間的邊界區域S。而且，第k連接電極(例如160-1)係可包括至少一第一部分(例如101)，其係穿經第一布拉格分佈反射層140-1並接觸第k發光區域(例如P=1)之導電層130(或是第二導電型半導體層126)。在圖1中繪示之實線圓形係表示連接電極160-1~160-m(例如m=8)之一第一部分101。
而且，第一布拉格分佈反射層140-1係可設置在位在邊界區域S上之發光結構120與連接電極(例如160-1)之間。
再者，第k連接電極(例如160-1)係可包括至少一第二部分(例如102)，其係穿經第k+1發光區域(例如P2)的第一布拉格分佈反射層140-1、導電層130、第二導電型半導體層126以及主動層124，並接觸第一導電型半導體層122。在圖1中繪示的虛線圓形係表示連接電極160-1~160-m(例
如m=8)的第二部分102。
在本例中，第一布拉格分佈反射層140-1係可設置在第k連接電極(例如160-1)與導電層130之間、在第k連接電極(例如160-1)之第二部分102與第二導電型半導體層126間，以及在連接電極(例如160-1)之第二部分102與主動層124之間。
一般而言，為了形成連接到第一導電型半導體層之一電極，其係用高台蝕刻(mesa etching)將發光結構進行蝕刻以暴露第一導電型半導體層來實現。一般而言，發光裝置的發光區域係正比於高台蝕刻區域而降低。
然而，第k連接電極(例如160-1)的第二部分(例如102)係可具有一結構，此結構係為填滿一電極材料的一孔或溝槽。針對此一理由，係降低因高台蝕刻所失去的發光面積(light emitting area)，且在本實施例中，係可增加一發光面積。
第一布拉格分佈反射層140-1係用於將第k連接電極(例如160-1)對第k+1發光區域(例如P2)之導電層130、第二導電型半導體層126及主動層124電性絕緣。
第k連接電極(例如160-1)的第二部分102之一下表面103，係設置在低於主動層124之一下表面104處。第二部分102係可具有一結構，此結構係為填滿一電極材料之一孔或溝槽。
中間極板182與184係設置在發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一的一自然數)其中至少其一的第一布拉格分佈反射層140-1上，並可電性連接到第二導電性半導體層126
或導電層130。中間極板182與184係可為貼合到導線以提供一第二電力之區域。
例如，中間極板182與184係可設置在發光區域(例如P2~P8)間至少其一發光區域(例如P4及P7)的第一布拉格分佈反射層140-1上，而不是設置有第一電極單元150與第二電極單元170之發光區域(例如P1及P9)。
如圖4所示，第一布拉格分佈反射層140-1係插置在中間極板182或184與導電層130之間，且中間極板182或184係可連接到設置在相同發光區域(例如P4)之連接電極(例如160-3與160-4)其中任一連接電極(例如160-4)。
然而，在另一實施例中，中間極板的一部分係穿經第一布拉格分佈反射層，並直接地連接到導電層。在本例中，設置在相同發光區域之中間極板與連接電極係可連接或者是可不連接。
圖5係表示圖1中發光裝置100的電路架構圖。請同時參考圖1及圖5，發光裝置100係具有如第一極板150之一共同訊號(-)端子以及如第二極板172及至少一中間極板182與184之二或以上個(+)端子。
於是，在本實施例中，發光裝置係包括複數個(+)端子，即極板172、182與184，因此能夠使用不同驅動電壓，並能夠控制不同輝度(brightness levels)光線之發射。例如，在本例中，當提供給發光裝置100之一驅動電壓為13.6V(伏特)時，即一第二電力係提供給第一中間極板182用於驅動第一到第四發光區域P1~P4，則用於驅動一發光區域之一驅動電壓為3.4V(伏特)。
而且，當提供給發光裝置100的一驅動電壓為23.8V時，一第二電力係提供給第二中間極板184，以驅動第一到第七發光區域P1~P7。而且，當提供給發光裝置100之一驅動電壓為30.6V時，一第二電力係提供給第二極板172，以驅動第一到第九發光區域P1~P9。本實施例係可設計成發光區域的一部分或是全部係依據所提供之驅動電壓由提供一第二電力給中間極板182與184以及第二極板170其中任一所驅動。
再者，再本實施例中，因為連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)係點接觸(point-contact)導電層130或第一導電型半導體層122，係可增加發光面積、分散電流，且因此改善發光效率。
第一布拉格分佈反射層140-1係避免入射到第二電極單元170、連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)以及中間極板182與184之光線的吸收與損耗。結果，在本實施例中，係可改善發光效率。
圖6至圖8係表示第一實施例之不同實施態樣的剖視圖。圖6係表示圖1中發光裝置沿AA’方向之剖視圖。圖7係表示圖1中發光裝置沿BB’方向之剖視圖。圖8係表示圖1中發光裝置沿CC’方向之剖視圖。與圖1到圖4相同之元件編號係表示相同架構，且係省略或摘要前述的敘述。
請同時參考圖6至圖8，不同實施例係比前述第一實施例更進一步包括一第二布拉格分佈反射層140-2。第二布拉格分佈反射層140-2係設置在第一布拉格分佈反射層140-1上，並覆蓋連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或
以上的一自然數)。第二布拉格分佈反射層140-2係可使第一電極單元150的第一極板、第二電極170的第二極板172以及中間極板182與184暴露。
第二布拉格分佈反射層140-2係可由與第一布拉格分佈反射層140-1相同的材料所製成。第二布拉格分佈反射層140-2係可避免連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)分離或是損壞。
圖9係表示本發明發光裝置200一第二實施例的平面圖。圖10係表示圖9中發光裝置200沿DD’方向之剖視圖。圖11係表示圖9中發光裝置200沿EE’方向之剖視圖。與圖1到圖4相同之元件編號係表示相同架構，且係省略或摘要前述的敘述。
請同時參考圖9至圖11，發光裝置200係包括一基板110、一緩衝層115、區分為復數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一之一自然數)的一發光結構120、一導電層130、一第一布拉格分佈反射140-1、一第一電極單元250、至少一連接電極260-1~260-m(其中，m係為一或以上的一自然數)、至少一中間極板252與254、以及一第二電極單元272。
第一電極單元250係設置在發光區域P1~Pn(例如n=12)間之一發光區域(例如P9)的第一導電型半導體層122上，並可接觸第一導電型半導體層122。第一電極單元250係可包括一第一極板，係貼合到一導線(圖未示)以提供一第一電力。在圖6的實施例中，第一電極單元250係可當作是第一極板。
第二電極單元272係設置在發光區域P1~Pn(例如n=9)間之另一發光區域(例如P1)的第二導電型半導體層126。而且，第二電極單元272係可接觸第二導電型半導體層126或導電層130。
例如，第二電極單元272係設置在依序連接之發光區域間的第一發光區域P1之導電層130上，且第一電極單元250係可設置在最後一個發光區域P9之第一導電型半導體層122上。第二電極單元272係可包括一第二極板，其係貼合到一導線(圖未示)以提供一第二電力。在另一實施例中，電極單元係可包括一分支電極(圖未示)，其係從第二極板延伸。
第一布拉格分佈層140-1係可設置在複數個發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一之一自然數)以及在邊界區域S處。連接電極260-1~260-m(例如m=8)係設置在第一布拉格分佈層140-1上，並依序電性連接複數個發光區域P1~Pn(例如n=9)。
每一連接電極(例如260-1)係可將相鄰發光區域(例如P1與P2)其中一發光區域(例如P1)的第一導電型半導體層122，電性連接到另一發光區域(例如P2)之抵二導電型半導體層126或導電層130。
亦即，第k連接電極260-k係可將第k+1發光區域之第二導電型半導體層126或導電層130，電性連接到第k發光區域之第一導電型半導體層122。在此，1k(n-1)。例如，請參考圖10，第k連接電極260-k(例如k=2)係可設置在第k發光區域(例如k=2)、第k+1發光區域(例如k+1=3)
以及其間的邊界區域S。而且，第k連接電極260-k(例如k=2)係可具有至少一第一部分(例如201)，其係穿經第一布拉格分佈層140-1，並接觸第k+1發光區域(例如P3)之導電層130(或第二導電型半導體層126)。第一布拉格分佈層140-1係可插置在位於邊界區域S上的發光結構120與連接電極260-1~260-m(其中，m係為一或以上的一自然數)之間。
再者，第k連接電極260-k(例如k=2)係可包括至少一第二部分(例如202)，其係穿經第k發光區域(例如P2)之第一布拉格分佈層140-1、導電層130、第二導電型半導體層126以及主動層124，並接觸第一導電型半導體層122。第一布拉格分佈層140-1係可設置在第k連接電極260-k(例如k=2)與主動層130之間、在第k連接電極260-k(例如k=2)之第二部分202與第二導電型半導體層126之間，以及在第k連接電極260-k(例如k=2)之第二部分202與主動層124之間。
中間極板252與254係設置在發光區域P1~Pn(其中，n係為大於一之一自然數)其中至少其一發光區域的第一導電型半導體層122上。中間極板252與254係可貼合到導線(圖未示)以提供一第一電力。
如圖11所示，第一導電型半導體層122的一部分係透過對發光區域(例如P2~P12)間之其中至少其一發光區域進行高台蝕刻(mesa-etching)而暴露，且中間極板252與254係可設置在第一導電型半導體層122暴露的一部分上。
例如，中間極板252與254係可設置在發光區域(例如P2~P8)間之其中至少其一發光區域(例如P4與P7)的第一導
電型半導體層122上，而不是設置有第一電極單元250及第二電極單元272之發光區域(例如P1與P9)。
圖12係表示圖9中發光裝置200的電路架構圖。請同時參考圖9及圖12，發光裝置200係具有如第二極板272之一共同訊號(+)端子以及如第一極板250及至少一中間極板252與254之二或以上個(-)端子。
於是，在本實施例中，發光裝置係包括二或以上個(-)端子，即極板250、252與254，因此能夠使用不同驅動電壓，並能夠控制不同輝度(brightness levels)光線之發射。
圖13極圖14係表示前述第二實施例之不同實施態樣的剖視圖。圖13係表示圖9中發光裝置沿DD’方向之剖視圖。圖14係表示圖9中發光裝置沿EE’方向之剖視圖。
請參考圖13及圖14，不同實施例係比前述第二實施例更進一步包括一第二布拉格分佈反射層140-2。第二布拉格分佈反射層140-2係設置在第一布拉格分佈反射層140-1上，並覆蓋連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)。第二布拉格分佈反射層140-2係可使第一電極單元250的第一極板、第二電極270以及中間極板252與254暴露。
第二布拉格分佈反射層140-2係可由與第一布拉格分佈反射層140-1相同的材料所製成。第二布拉格分佈反射層140-2係可避免連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)分離或是損壞。
圖15係表示本發明包括一發光裝置之一發光裝置封裝400之一實施例的剖視圖。
請參考圖15，發光裝置封裝400係包括一黏著基台(submount)10、一發光裝置20、一第一金屬層15-1、一第二金屬層15-2、一第一凸點單元40以及一第二凸點單元50。
黏著基台10係供發光裝置20安裝。黏著基台10係可用一封裝本體或一印刷電路板等等所實現，並可具有不同形狀能讓發光裝置20覆晶貼合。
發光裝置20係設置在黏著基台10上，並透過第一凸點單元40與第二凸點單元50而電性連接到黏著基台10。雖然如圖15所示的發光裝置20係與圖6所示的不同實施態樣相關，即發光裝置20係可為發光裝置(例如100、200或200-1)，但並物以此為限。
黏著基台10係可包括如PPA(polyphthalamide)、LCP(liquid crystal polymer)或PA9T(polyamide9T)的一樹脂、一金屬、一感光玻璃、藍寶石(sapphire)、一陶瓷、一印刷電路板等等。然而，本實施例黏著基台10的材料並不以此為限。
第一金屬層15-1與第二金屬層15-2係相互間隔而設置在黏著基台10的上表面之上。在此，黏著基台10的上表面係可為面向發光裝置20的一表面。第一金屬層15-1與第二金屬層15-2係可由如Al或Rh的一導電金屬所形成。
第一凸點單元40與第二凸點單元50係設置在黏著基台10與發光裝置20之間。第一凸點單元40係可將第一電極單元150電性連接到第一金屬層15-1。
第二凸點單元50係可將第二電極單元170及中間極板182與184其中之一電性連接到第二金屬層15-2。
第一凸點單元40係包括一第一抗擴散貼合層41、一第一凸點42以及一第二抗擴散貼合層43。第一凸點42係設置在第一電極單元50與第一金屬層15-1之間。第一抗擴散貼合層41係設置在第一電極單元150與第一凸點42之間，並將第一凸點42黏合到第一電極單元150。亦即，第一抗擴散貼合層41係改善在第一凸點42與第一電極單元150之間的黏著強度(adhesion strength)，並避免存在第一凸點42中的離子經由第一電極單元150而滲透或擴散到發光裝置20。
第二抗擴散貼合層43係設置在第一凸點42與第一金屬層15-1之間，並將第一凸點42黏合到第一金屬層15-1。第二抗擴散貼合層43係改善第一凸點42與第一金屬層15-1之間的黏著強度，並避免存在第一凸點42中的離子經由第一電極單元150而滲透或擴散到黏著基台10。
第二凸點單元50包括一第三抗擴散貼合層51、一第二凸點52以及一第四抗擴散貼合層53。第二凸點52係設置在第二電極單元170及中間電極182與184其中之一與第二金屬層15-2之間。
第三抗擴散貼合層51係設置在第二電極單元170及中間極板182與184其中之一與第二凸點52之間，並將此二元件相互貼合。亦即，第三抗擴散貼合層51係用於改善黏著強度，並避免存在第二凸點52中的離子經由第二電極單元170或中間極板182與184而滲透或擴散到發光結構20。
第四抗擴散貼合層53係設置在第二凸點52與第二金屬層15-2之間，並將第二凸點52黏合到第二金屬層15-2。第四抗擴散貼合層53係改善第二凸點52與第二金屬層15-2之間的黏強度，並避免存在第二凸點52中的離子經由第二金屬層15-2而滲透或擴散到黏著基台10。
第一到第四抗擴散貼合層41、43、51、53係可由以下其中之一或其合金所製成，例如：Pt、Ti、W/Ti以及Au。而且，第一凸點42與第二凸點52係可包含以下至少其一：Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt以及Sn。
在本實施例中，第一布拉格分佈反射層140-1係避免入射到第二電極單元170、連接電極160-1~160-n(其中，n係為大於一的一自然數)以及中間極板182與184之光線的吸收與損耗，藉此，以改善發光效率。
而且，在本實施例中，第二布拉格分佈反射層140-2係保護連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)，因此當發光裝置20貼合到黏著基台10時，係避免連接電極160-1~160-m(其中，m係為一或以上的一自然數)分離或損壞。
在本實施例中發光裝置封裝的一陣列，係可裝設在一基板以及如一導光板、一稜鏡片、一擴散片等等的光學元件上，並可設置在發光裝置封裝的一光學路徑上。發光裝置封裝、基板以及光學元件係可當作是一背光單元。
依據另一實施例，依據前述實施例之發光裝置或發光裝置封裝係可架構出一顯示設備、一指向設備以及一照明系統，例如，照明系統係可包括一燈泡或一街燈。
圖16係表示本發明包括一發光裝置封裝之一照明設備的分解圖。請參考圖13，依據本實施例的照明設備係包括投射光線的一光源750、安裝有光源750的一外罩700、將光源750產生的熱散逸的一散熱單元740、以及將光源750與散熱單元740耦接到外罩700的一支架760。
外罩700係包括連接到一電性插槽(圖未示)的一母座連接器(socket connector)710以及連接到母座連接器710並容納光源750的一本體730。一氣流孔720係可穿經本體730而形成。
複數個氣流孔720係可設置在外罩700的本體730上。一氣流孔720係可形成或是複數個氣流孔720係可排設成放射狀或其他不同形狀。
光源750係包括設置在一基板754上的複數個發光裝置封裝752。在此，基板754係可具有一形狀，其係可插入到外罩700的一開孔，並可由具有高導熱性的材料所形成，以便將熱能傳送到如後所述的散熱單元740。複數個發光裝置封裝係可為如前述實施例之一發光裝置封裝。
支架760係設置在光源750之下。支架750係可包括一框架以及若干氣流孔。再者，雖然圖12並未繪示，但是光學元件係可設置在光源750之下，以便擴散、散射或集中從光源750之發光裝置封裝752所發射之光線。
圖17係表示本發明包括發光裝置封裝之一顯示設備800之一實施例的一分解透視圖。
請參考圖17，顯示設備800係包括一底蓋810、設置在底蓋810上的一反射板820、發射光線的發光模組830
與835、設置在導光板820之前表面以將從發光模組830與835發射之光線導引到顯示裝置之一前部分的一導光板840、設置在導光板840之前表面上包括稜鏡片850與860之一光學片、設置在光學片之前表面上的一顯示面板870、連接到顯示面板870以提供一影線訊號給顯示面板870的一影像訊號輸出電路872、以及設置在顯示面板870之前表面上的一彩色濾光片880。在此，底蓋810、反射板820、發光模組830與835、導光板840以及光學片係可架構成一背光單元。
發光模組係可包括在基板830上的一發光裝置裝835。在此，基板830係可由PCB等所形成。在此，基板830係可由PCB等所形成。發光裝置封裝835係可為前述實施例之發光裝置封裝。
底蓋810係可容納在影像顯示設備800內的元件。反射板820係可由一個自元件(separate component)形成，如圖所示，或者是藉由以具有高反射率之一材料塗佈在導光板840之後表面或底蓋810之前表面所形成。
反射板820係可由具有高反射率之一材料所形成，並可有用於一超薄型態，例如PET(polyethylene terephthalate)。
導光板840係可由具有高折射率與高穿透率之一材料所形成，例如PMMA(polymethylmethacrylate)、PC(polycarbonate)或PE(polyethylene)。
第一稜鏡片850係由在一支撐膜之一表面上的一透光與彈性聚合物所形成，且聚合物係可具有重複複數個三維
結構之一稜鏡層。在此，如此複數個圖案係可以條狀手段重複形成若干山脊及若干山谷，如圖所示。
形成在第二稜鏡片860之一支撐層的一表面上之若干山脊與若干山谷的一方向，係可垂直於形成在第一稜鏡片850之一支撐層的一表面上之若干山脊與若干山谷的一方向。此係當作均勻地分佈從光源模組與反射板820在面板870之所有方向發射之光線。
雖然圖未示，一擴散片係可設置在導光板840與第一稜鏡片850之間。擴散片係可由聚脂(polyester)及聚碳酸脂(polycarbonate)所製成，並使從背光單元經由折射與散設而發射之光線的一光線投射角度最大化。而且，擴散片係可包括具有一光擴散劑之一支撐層，以及一第一層與一第二層，其係形成在一光線投射表面(第一稜鏡片方向)以及一光線入射表面(反射片方向)，且並不包括一光線擴散劑。
雖然本實施例係繪示光學片包括擴散片、第一稜鏡片850與第二稜鏡片860，但是光學片係可包括其他組合，例如一微透鏡陣列、一擴散片與一微透鏡陣列之組合、或是一稜鏡片與一微透鏡陣列之組合。
如顯示面板870，係可提供一液晶顯示面板，或者是其他種需要一光源之顯示設備係可取代液晶顯示面板。
顯見如上所述，依據本實施例之發光裝置與發光裝置封裝係增加光面積，因此改善發光效率並避免電極或極板的分離或損壞。
雖然本發明以相關的較佳實施例進行解釋，但是這並不構成對本發明的限制。應說明的是，本領域的技術人員
根據本發明的思想能夠構造出很多其他類似實施例，這些均在本發明的保護範圍之中。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧第一部分
102‧‧‧第二部分
103‧‧‧下表面
104‧‧‧下表面
110‧‧‧基板
115‧‧‧緩衝層
120‧‧‧發光結構
122‧‧‧第一導電型半導體層
124‧‧‧主動層
126‧‧‧第二導電型半導體層
130‧‧‧導電層
140-1‧‧‧第一布拉格分佈反射層
140-2‧‧‧第二布拉格分佈反射層
150‧‧‧第一電極單元
160-1~160-m‧‧‧連接電極
170‧‧‧第二電極單元
172‧‧‧第二極板
174‧‧‧分支電極
175‧‧‧部分
182‧‧‧中間極板
184‧‧‧中間極板
200‧‧‧發光裝置
201‧‧‧第一部分
202‧‧‧第二部分
250‧‧‧第一電極單元
252‧‧‧中間極板
254‧‧‧中間極板
260-1~260-m‧‧‧連接電極
272‧‧‧第二電極單元
10‧‧‧黏著基台
15-1‧‧‧第一金屬層
15-2‧‧‧第二金屬層
20‧‧‧發光裝置
40‧‧‧第一凸點單元
41‧‧‧第一抗擴散貼合層
42‧‧‧第一凸點
43‧‧‧第二抗擴散貼合層
50‧‧‧第二凸點單元
51‧‧‧第三抗擴散貼合層
52‧‧‧第二凸點
53‧‧‧第四抗擴散貼合層
400‧‧‧發光裝置封裝
700‧‧‧外罩
710‧‧‧母座連接器
720‧‧‧氣流孔
730‧‧‧本體
740‧‧‧散熱單元
750‧‧‧光源
752‧‧‧發光裝置封裝
754‧‧‧基板
760‧‧‧支架
800‧‧‧顯示設備
810‧‧‧底蓋
820‧‧‧反射板
830‧‧‧發光模組(基板)
835‧‧‧發光模組(發光裝置封裝)
840‧‧‧導光板
850‧‧‧稜鏡片
860‧‧‧稜鏡片
870‧‧‧顯示面板
872‧‧‧影像訊號輸出電路
880‧‧‧彩色濾光片
P1~Pn‧‧‧發光區域
S‧‧‧邊界區域
圖1係表示本發明發光裝置一第一實施例的平面圖。
圖2係表示圖1中發光裝置沿AA’方向之剖視圖。
圖3係表示圖1中發光裝置沿BB’方向之剖視圖。
圖4係表示圖1中發光裝置沿CC’方向之剖視圖。
圖5係表示圖1中發光裝置的電路架構圖。
圖6至圖8係表示本發明發光裝置第一實施例之差異實施型態的剖視圖。
圖9係表示本發明發光裝置一第二實施例的平面圖。
圖10係表示圖9中發光裝置沿DD’方向之剖視圖。
圖11係表示圖9中發光裝置沿EE’方向之剖視圖。
圖12係表示圖9中發光裝置的電路架構圖。
圖13及圖14係表示本發明發光裝置第二實施例之差異實施型態的剖視圖。
圖15係表示本發明包括一發光裝置之一發光裝置封裝之一實施例的剖視圖。
圖16係表示本發明包括一發光裝置之一發光裝置封裝之一實施例的分解圖。
圖17係表示本發明包括發光裝置封裝之一顯示設備之一實施例的一視圖。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧第一部分
150‧‧‧第一電極單元
160-1~160-m‧‧‧連接電極
170‧‧‧第二電極單元
172‧‧‧第二極板
174‧‧‧分支電極
175‧‧‧部分
182‧‧‧中間極板
184‧‧‧中間極板
P1~Pn‧‧‧發光區域
S‧‧‧邊界區域
Claims (20)
- 一種發光裝置，係包含：一發光結構，具有複數個發光區域以及至少一邊界區域，該等發光區域係包括一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層；一第一布拉格分佈反射層，係設置在該等發光區域上；一第一電極單元，係設置在該等發光區域中其中之一發光區域的該第一半導體層上；一第二電極單元，設置在該等發光區域中另一發光區域之該第二半導體層上；一中間極板，係設置在該等發光區域中至少其中另一發光區域的該第二半導體層上；以及至少一連接電極，係設置在該第一布拉格分佈反射層上，以便該至少一連接電極該等發光區域依序地連接。
- 一種發光裝置，係包含：一發光結構，具有複數個發光區域以及至少一邊界區域，該等發光區域係包括一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層；一第一布拉格分佈反射層，係設置在該等發光區域上；一第一電極單元，係設置在該等發光區域之其中之一發光區域的該第一半導體層上；一第二電極單元，係設置在該等發光區域中另一發 光區域之該第二半導體層上；一中間極板，係設置在該等發光區域中至少其中另一發光區域的該第一半導體層上；以及至少一連接電極，係設置在該第一布拉格分佈反射層上，以便該至少一連接電極該等發光區域依序地連接。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置，其中，該中間極板係將相鄰之該等發光區域之其中之一發光區域的該第一半導體層，電性連接到相鄰之該等發光區域之另一發光區域的該第二半導體層。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置，其中，該第一電極單元與該第二電極單元係均包括一極板，其係接收一電力。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置，其中，該中間極板係電性連接到設置在相同發光區域之該連接電極。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中，該中間極板係與該連接電極相間隔，並在相同之發光區域的該第一布拉格分佈反射層上。
- 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中，該中間極板係與該連接電極一體成型，並在相同之發光區域的該第一布拉格分佈反射層上。
- 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中，該連接電極係包括一第一部分，係穿經該第一布拉格分佈反射層，並接觸相鄰之發光區域其中之一發光區域的該第二 半導體層。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光裝置，其中，該連接電極係包括一第二部分，係穿經該第一布拉格分佈反射層、該第二半導體層以及該主動層，並接觸相鄰之發光區域中另一發光區域的該第一半導體層，其中，該第一布拉格反射層係設置在該第二部分與該第二半導體層之間，以及在該第二部分與該主動層之間。
- 如申請專利範圍第9項所述的發光裝置，更進一步包括：一基板，係設置在該發光結構之下；以及一導電層，係設置在該發光區域與該第一布拉格反射層之間。
- 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中，該連接電極的該第二部分係穿經該導電層。
- 如申請專利範圍第11項所述的發光裝置，其中，該第一布拉格分佈反射層係設置在連接電極與該導電層之間。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置，更進一步包括：一第二布拉格分佈反射層，係設置在該第一布拉格反射層之上，該第二布拉格分佈反射層係覆蓋該連接電極。
- 如申請專利範圍第13項所述的發光裝置，其中，該第二布拉格分佈反射層係使該第一電極單元、該第二電極單元以及該中間極板暴露。
- 如申請專利範圍第13項所述的發光裝置，其中，該第一布拉格分佈反射層與該第二布拉格分佈反射層係均包括一絕緣件，以及交互疊置至少一次的至少一第一層與至少第二層，其中，該第一層的一折射率係不同於該第二層的一折射率。
- 如申請專利範圍第1項其所述的發光裝置，其中，該第一電極單元係接收一第一電力，且該第二電極單元與該中間極板其中至少其一係接收一第二電力。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中，該第一電極單元與該中間極板其中至少其一係接收一第一電力，且該第二電極單元係接收一第二電力。
- 一種發光裝置封裝，係包括：一黏著基台(sunmount)；一第一金屬層及一第二金屬層，係相互間隔設置在該黏著基台上；如申請專利範圍第1項或第2項所述的該發光裝置係設置在該黏著基台上；以及一第一凸塊單元(first bump unit)極一第二凸塊單元(second bump unit)，係將該發光裝置電性連接到該黏著基台；其中，該第一凸塊單元係將該第一金屬層電性連接到該發光裝置的該第一電極單元，且該第二凸塊單元係將該第二金屬層電性連接到該發光裝置之該第二電極與該中間極板其中之一。
- 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置封裝，其中， 該第一凸塊單元係包括：一第一凸塊(first bumper)，係設置在該第一金屬層與該第一電極單元之間；一第一抗擴散貼合層(anti-diffusion bonding layer)，係設置在該第一凸塊與該第一電極單元之間；以及一第二抗擴散貼合層，係設置在該第一凸塊與該第一金屬層之間；以及該第二凸塊單元係包括：一第二凸塊(second bumper)，係設置在該第二金屬層與該第二電極單元與該中間極板其中之一之間；一第三抗擴散貼合層，係設置在該第二凸塊與該第二電極單元及該中間極板其中之一之間；以及一第四抗擴散貼合層，係設置在該第二凸塊與該第二金屬層之間。
- 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置封裝，更進一步包括：一第二布拉格分佈反射層，係設置在該第一布拉格反射層上，該第二布拉格分佈反射層係覆蓋該連接電極。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110111308A KR101888604B1 (ko) | 2011-10-28 | 2011-10-28 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201318214A true TW201318214A (zh) | 2013-05-01 |
| TWI575775B TWI575775B (zh) | 2017-03-21 |
Family
ID=47115528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101139757A TWI575775B (zh) | 2011-10-28 | 2012-10-26 | 發光裝置及發光裝置封裝 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9165977B2 (zh) |
| EP (1) | EP2587542B1 (zh) |
| JP (1) | JP6133040B2 (zh) |
| KR (1) | KR101888604B1 (zh) |
| CN (1) | CN103094435B (zh) |
| TW (1) | TWI575775B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9768227B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-09-19 | Epistar Corporation | Light-emitting element having a plurality of light-emitting structures |
| TWI678001B (zh) * | 2013-08-27 | 2019-11-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有複數個發光結構之發光元件 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9666764B2 (en) * | 2012-04-09 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die |
| US10388690B2 (en) | 2012-08-07 | 2019-08-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Wafer level light-emitting diode array |
| US10804316B2 (en) * | 2012-08-07 | 2020-10-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Wafer level light-emitting diode array |
| JP2014127565A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| CN103390713B (zh) * | 2013-07-19 | 2016-04-13 | 深圳大道半导体有限公司 | 带光反射层的半导体发光器件 |
| US9847457B2 (en) | 2013-07-29 | 2017-12-19 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same |
| WO2015016561A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode, method of fabricating the same and led module having the same |
| CN110047865B (zh) * | 2013-09-03 | 2024-02-23 | 晶元光电股份有限公司 | 具有多个发光结构的发光元件 |
| TWI478387B (zh) * | 2013-10-23 | 2015-03-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體結構 |
| KR102156375B1 (ko) * | 2014-02-21 | 2020-09-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| KR102156376B1 (ko) * | 2014-02-21 | 2020-09-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| KR102162437B1 (ko) * | 2014-05-15 | 2020-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| WO2015190817A1 (ko) * | 2014-06-10 | 2015-12-17 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| KR101888608B1 (ko) | 2014-10-17 | 2018-09-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 조명 장치 |
| US10147849B2 (en) * | 2015-05-05 | 2018-12-04 | Xiangneng Hualei Optoelectronic Co., Ltd | Manufacturing method of flip-chip structure of group III semiconductor light emitting device |
| DE102015112538B4 (de) * | 2015-07-30 | 2023-08-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| US9806152B2 (en) * | 2016-03-04 | 2017-10-31 | Pakal Technologies Llc | Vertical insulated gate turn-off thyristor with intermediate p+ layer in p-base |
| KR101760317B1 (ko) * | 2016-05-02 | 2017-07-21 | 순천대학교 산학협력단 | 발광장치 |
| KR102550007B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-07-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드 |
| KR20180073866A (ko) * | 2016-12-23 | 2018-07-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
| KR20180076066A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| CN114464713A (zh) * | 2017-07-13 | 2022-05-10 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| US11552057B2 (en) * | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11355549B2 (en) * | 2017-12-29 | 2022-06-07 | Lumileds Llc | High density interconnect for segmented LEDs |
| DE102018101393A1 (de) * | 2018-01-23 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips |
| JP6717324B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2020-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| TWI818070B (zh) * | 2019-08-30 | 2023-10-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| JP7339559B2 (ja) | 2021-05-20 | 2023-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| JP2023130977A (ja) * | 2022-03-08 | 2023-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光装置モジュール |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5996221A (en) * | 1996-12-12 | 1999-12-07 | Lucent Technologies Inc. | Method for thermocompression bonding structures |
| US6573537B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
| WO2005062389A2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device |
| JP3802911B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| DE112005002889B4 (de) * | 2004-12-14 | 2015-07-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen und Baugruppen-Montage desselben |
| KR100974923B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| US8203284B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Driving light emitting diodes |
| US8575633B2 (en) * | 2008-12-08 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode with improved light extraction |
| US8536584B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | High voltage wire bond free LEDS |
| US8368100B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
| US7915629B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
| KR101428053B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2014-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI466266B (zh) * | 2009-02-24 | 2014-12-21 | Epistar Corp | 陣列式發光元件及其裝置 |
| JP5614938B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2014-10-29 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US8476668B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-07-02 | Cree, Inc. | High voltage low current surface emitting LED |
| US9093293B2 (en) * | 2009-04-06 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | High voltage low current surface emitting light emitting diode |
| JP5246199B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-07-24 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| KR101106151B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| JP5793292B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2015-10-14 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP5494005B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-05-14 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| CN102859726B (zh) * | 2010-04-06 | 2015-09-16 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
| TW201238043A (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-16 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode device and method for manufacturing the same |
| KR101115539B1 (ko) * | 2011-06-10 | 2012-02-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| US8759847B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-06-24 | Bridgelux, Inc. | White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals |
| US9276166B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-03-01 | Epistar Corporation | Method for forming light-emitting device |
-
2011
- 2011-10-28 KR KR1020110111308A patent/KR101888604B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-10-26 TW TW101139757A patent/TWI575775B/zh active
- 2012-10-26 US US13/662,348 patent/US9165977B2/en active Active
- 2012-10-26 EP EP12190234.0A patent/EP2587542B1/en active Active
- 2012-10-26 JP JP2012237130A patent/JP6133040B2/ja active Active
- 2012-10-29 CN CN201210421187.3A patent/CN103094435B/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9768227B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-09-19 | Epistar Corporation | Light-emitting element having a plurality of light-emitting structures |
| TWI678001B (zh) * | 2013-08-27 | 2019-11-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有複數個發光結構之發光元件 |
| US10930701B2 (en) | 2013-08-27 | 2021-02-23 | Epistar Corporation | Light-emitting element having a plurality of light-emitting structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013098562A (ja) | 2013-05-20 |
| TWI575775B (zh) | 2017-03-21 |
| CN103094435B (zh) | 2017-04-26 |
| JP6133040B2 (ja) | 2017-05-24 |
| US20130105845A1 (en) | 2013-05-02 |
| CN103094435A (zh) | 2013-05-08 |
| EP2587542B1 (en) | 2018-02-28 |
| KR101888604B1 (ko) | 2018-08-14 |
| EP2587542A1 (en) | 2013-05-01 |
| KR20130046754A (ko) | 2013-05-08 |
| US9165977B2 (en) | 2015-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI575775B (zh) | 發光裝置及發光裝置封裝 | |
| US9620682B2 (en) | Light emitting device | |
| TWI535061B (zh) | 發光裝置 | |
| US9640583B2 (en) | Light emitting device and light emitting device array | |
| KR102087935B1 (ko) | 발광 소자 | |
| JP2014116604A (ja) | 発光素子 | |
| KR101830719B1 (ko) | 발광 소자 | |
| KR20140092037A (ko) | 발광 소자 패키지 |