JP2017041653A5

JP2017041653A5 - 発光ダイオード

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Publication number: JP2017041653A5
Application number: JP2016223502A
Authority: JP
Filing date: 2016-11-16
Publication date: 2017-06-22
Anticipated expiration: 2031-01-05

Claims

基板と、
前記基板上に位置する第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に介在された活性層と、
前記第１導電型半導体層上に位置し、前記第１導電型半導体層に電気的に接続される複数の第１電極パッドと、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２電極パッドと、
前記第１導電型半導体層と前記第２電極パッドとの間に介在され、前記第２電極パッドを前記第１導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、
前記第２電極パッドに接続され、前記第２導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部を含み、
前記第２電極パッドは、前記基板の一側端の中央部付近に配置され、
前記複数の第１電極パッドは、二つの第１電極パッドを含み、上記二つの第１電極パッドは、前記基板の一側端に対向する前記基板の他側端の両端に配置される発光ダイオード。
前記二つの第１電極パッドを接続する下部延長部をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
前記二つの第１電極パッドにそれぞれ接続され、前記基板の端に沿って延長する下部延長部をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１電極パッドの近くに端部を有する二つの上部延長部を含み、
前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側端から前記基板の他側端に延長する直線部を含み、
前記二つの第１電極パッドは、上記直線部の延長線上にそれぞれ位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
前記第１導電型半導体層は、前記第２導電型半導体層及び前記活性層がメサエッチングされて露出された少なくとも一つの領域を有し、
前記第２の電極パッドは、前記第１導電型半導体層の露出された領域上に位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
前記上部延長部と前記第２の電極パッドを接続する接続部をさらに含み、
前記メサエッチングされた第１導電型半導体層と活性層の側面は、前記絶縁層により前記接続部から絶縁されている、請求項５に記載の発光ダイオード。
前記第２の電極パッドの一部は、前記第２導電型半導体層上に位置し、
前記第２の電極パッドと前記第２導電型半導体層は、前記絶縁層により分離されている、請求項５に記載の発光ダイオード。
前記第２導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するために分割され、
前記少なくとも二つの発光領域上に、それぞれ前記第２の電極パッドに接続された上部延長部が位置する、請求項１に記載の発光ダイオード。
前記少なくとも二つの発光領域は、前記基板の一側端に垂直に前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有する、請求項８に記載の発光ダイオード。
発光領域の間に位置して前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項９に記載の発光ダイオード。
発光領域内に侵入し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項９に記載の発光ダイオード。
基板と、
前記基板上に位置する第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に位置する第２導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に介在された活性層と、
前記第１導電型半導体層上に位置し、前記第１導電型半導体層に電気的に接続された複数の第１電極パッドと、
前記基板上に位置する第２の電極パッドと、
前記複数の第１電極パッドから延長された下部延長部と、
前記第２の電極パッドに接続され、前記第２導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部を含み、
前記第２の電極パッドは、前記基板の一側端の中央部付近に配置され、
前記複数の第１電極パッドは二つの第１電極パッドを含み、前記二つの第１電極パッドは、前記基板の一側端に対向する前記基板の他側端に形成され、前記二つの第１電極パッドは下部延長部により互いに電気的に接続される発光ダイオード。
前記第２の電極パッドは、前記基板上に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が部分的に除去された領域上に形成される、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記第２の電極パッドを囲む第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層の側面を覆う絶縁層をさらに含む、請求項１３に記載の発光ダイオード。
前記基板は絶縁基板である、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記基板と前記第２の電極パッドとの間に介在された絶縁層をさらに含む、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記二つの第１電極パッドは、前記基板の他側端の両端に配置される、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記二つの第１電極パッドにそれぞれ接続され、前記基板の端に沿って延長する下部延長部をさらに含む、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記少なくとも一つの上部延長部は、前記二つの第１電極パッドの近くに端部を有する二つの上部延長部を含み、
前記二つの上部延長部は、それぞれ前記基板の一側端から前記基板の他側端に延長する直線部を含み、
前記二つの第１電極パッドは、上記直線部の延長線上にそれぞれ位置する、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記第２導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するために分割され、
前記少なくとも二つの発光領域上に、前記第２の電極パッドにそれぞれ接続された上部延長部が位置する、請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記少なくとも二つの発光領域は、前記基板の一側端に垂直に前記第２の電極パッドを横切る線に対して対称構造を有する、請求項２０に記載の発光ダイオード。
前記発光領域の間に位置し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項２１に記載の発光ダイオード。
前記発光領域内に侵入し、前記第１導電型半導体層に接続された下部延長部をさらに含む、請求項２１に記載の発光ダイオード。