JP2014042026A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層の下にある活性層、前記活性層の下にある第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記第１導電型半導体層の上に配置され、前記第１導電型半導体層に電気的に連結された第１電極と、
   前記第２導電型半導体層に電気的に連結され、前記第２導電型半導体層の底面に連結された第２電極と、
   前記発光構造物の下部の周りを囲むチャンネル層と、
   前記第２電極の下に配置され、前記第２電極と電気的に連結された第１伝導性支持部材と、
   前記第２電極の下に配置され、前記第１伝導性支持部材と電気的に絶縁された第２伝導性支持部材と、
   前記第１電極と前記第２伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部と、
   前記第２電極と前記第２伝導性支持部材との間に配置された第１絶縁層と、を含み、
   前記第２伝導性支持部材は、前記第１伝導性支持部材を囲むように配置され、
   前記第１絶縁層は、前記チャネル層を囲むように配置され、
   前記第１連結部は、前記第１導電型半導体層の側面に接触し、
   前記第１連結部は、前記第１絶縁層を貫通して前記第２伝導性支持部材に電気的に連結されたことを特徴とする、発光素子。
2. 前記チャンネル層の上部面は前記活性層の上部面に比べてより高く配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１伝導性支持部材の下部面と前記第２伝導性支持部材の下部面が同一平面に配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記チャンネル層が前記活性層の周りを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記チャンネル層が前記第２導電型半導体層の周りを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
6. 前記チャネル層は、エッチングストッパーであることを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記第２電極は前記第２導電型半導体層の下に配置された第１金属層を含み、前記第１金属層は前記第１伝導性支持部材と電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記第２電極は、前記第２導電型半導体層の下に配置されたオーミック接触層と、前記オーミック接触層と前記第１金属層との間に配置された反射層をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
9. 前記チャネル層の一端が、前記第２導電型半導体層と前記反射層との間に配置されたことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
10. 前記第１金属層と前記第２伝導性支持部材との間に配置された絶縁層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
11. 前記絶縁層の上部面は前記発光構造物の下部の周りに露出したことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
12. 前記発光構造物の上部面に配置されたラフネスを含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層の下に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層の下部面に接触したことを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
15. 前記第２電極の下に配置された拡散障壁層、ボンディング層を含むことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
16. 前記チャンネル層は酸化物または窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
17. 前記チャンネル層の一端が前記第２導電型半導体層と前記第２電極との間に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
18. 前記第１伝導性支持部材と前記第２伝導性支持部材は互いに離隔して配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
19. 前記第１伝導性支持部材と前記第２伝導性支持部材との間に配置された絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
20. 前記第２絶縁層は、前記第１伝導性支持部材を囲み、
    前記第２伝導性支持部材は、前記第２絶縁層を囲むことを特徴とする、請求項１９項に記載の発光素子。
21. 前記第１連結部と前記発光構造物との間に配置された保護膜を含むことを特徴とする、請求項１乃至２０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。