JP2013098561A5 - - Google Patents
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Claims (26)
- 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第2半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。 - 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層上に配置される第2電極部と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第1半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。 - 前記中間パッドは、
前記第1電極部及び前記第2電極部が位置する発光領域を除外した残りの発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第2半導体層上に配置される、請求項1に記載の発光素子。 - 前記中間パッドは、
前記第1電極部及び前記第2電極部が位置する発光領域を除外した残りの発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第1半導体層上に配置される、請求項2に記載の発光素子。 - 前記第1電極部及び前記第2電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項1ないし4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項1、3、及び5のいずれかに記載の発光素子。
- 前記複数の発光領域及び前記境界領域上に配置される絶縁層をさらに含み、前記連結電極は、前記絶縁層上に配置される、請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。
- 同一の発光領域内に位置する前記中間パッドは、前記絶縁層上において前記連結電極と離隔して配置された、請求項7に記載の発光素子。
- 同一の発光領域内に位置する前記中間パッドは、前記絶縁層上において前記連結電極と一体に配置された、請求項7に記載の発光素子。
- 前記連結電極は、
前記絶縁層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第2半導体層と接触する第1部分を含む、請求項7ないし9のいずれかに記載の発光素子。 - 前記連結電極は、
前記絶縁層、前記第2半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第1半導体層と接触する第2部分をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第2部分と前記第2半導体層との間、及び前記第2部分と前記活性層との間に配置される、請求項10に記載の発光素子。 - 前記連結電極の第2部分の下面は、前記活性層の下面よりも下に位置する、請求項11に記載の発光素子。
- 前記発光構造物の下に配置される基板と、
前記発光領域と前記絶縁層との間に配置される伝導層とをさらに含む、請求項7ないし11のいずれかに記載の発光素子。 - 前記第2部分は、前記伝導層を貫通する、請求項13に記載の発光素子。
- 前記絶縁層は、前記第2部分と前記伝導層との間に配置された、請求項14に記載の発光素子。
- 前記第1電極部は第1電源の印加を受け、前記第2電極部及び前記中間パッドのうち少なくとも一つは第2電源の印加を受ける、請求項1、3、及び5ないし15のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第1電極部及び前記中間パッドのうち一つは第1電源の印加を受け、前記第2電極部は第2電源の印加を受ける、請求項2、4、及び5ないし15のいずれかに記載の発光素子。
- 第1半導体層、活性層、及び第2半導体層を含む複数の発光領域と、前記発光領域の間
に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記発光領域のうちいずれか一つの第1半導体層上に配置される第1電極部と、
前記複数の発光領域のそれぞれの第2半導体層の下に配置される金属層と、
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第2半導体層の下に配置される金属層と電気的に連結される第2電極部と、
前記金属層の相互間を電気的に絶縁させる絶縁層と、
隣接する発光領域のいずれか一方の第1半導体層と、残りの他方の第2半導体層とを電気的に連結する連結電極と、
前記発光領域のうち少なくとも一つの第1半導体層上に配置される中間パッドと
を含み、
前記発光領域は、前記連結電極により直列連結される、発光素子。 - 前記金属層は、
オーミック層(ohmic layer)及び反射層(reflective layer)のうち少なくとも一つを含む、請求項18に記載の発光素子。 - 前記中間パッドは、
前記第1電極部が位置する発光領域と、前記第2電極部と電気的に連結される発光領域とを除外した発光領域のうち少なくとも一つの発光領域の第1半導体層上に配置される、請求項18又は19に記載の発光素子。 - 前記複数の発光領域及び前記境界領域上に配置されるパッシベーション層(passivation)をさらに含み、前記連結電極は、前記パッシベーション層上に配置される、請求項18ないし20のいずれかに記載の発光素子。
- 前記連結電極は、
前記パッシベーション層、前記第1半導体層、及び前記活性層を貫通して、前記隣接する発光領域のいずれか一方の第2半導体層と接触する少なくとも一つの第1部分と、
前記パッシベーション層を貫通して、前記隣接する発光領域のうち残りの他方の第1半導体層と接触する少なくとも一つの第2部分とを含み、
前記パッシベーション層は、前記第1部分と前記第1半導体層との間、及び前記第1部分と前記活性層との間に配置される、請求項18ないし21のいずれかに記載の発光素子。 - 前記第2電極部は、
前記複数の発光領域のうち前記他のいずれか一つの第2半導体層の下に配置される金属
層と電気的に連結されるバリア層(barrier layer)と、
前記バリア層の下に配置される支持層とを含む、請求項18ないし22のいずれかに記載の発光素子。 - 前記連結電極、または中間パッドと対応して各発光領域の第2半導体層と金属層との間に配置され、垂直方向に前記連結電極または前記中間パッドと少なくとも一部がオーバーラップされる電流遮断層をさらに含む、請求項18ないし23のいずれかに記載の発光素子。
- 前記絶縁層は、
前記第2電極部と電気的に連結される前記他のいずれか一つの金属層を除外した金属層と前記第2電極部の相互間を電気的に絶縁させる、請求項18ないし24のいずれかに記載の発光素子。 - 前記連結電極は、前記第1の前記第1半導体層と点接触する、請求項1ないし25のいずれかに記載の発光素子。
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