JP2016127289A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層及び前記活性層上の第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極と、
   前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
   前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極とを含み、
   前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出するように設けられる第１部分を含み、
   前記第１電極は第１電極線と接続され、前記第２電極は第２電極線と接続され、
   前記第１電極線と前記第２電極線は互いに交差し、前記第１電極上で電気的及び物理的に互いに隔離される、発光素子。
2. 前記第１導電型半導体層は第１メサ領域及び第２メサ領域を含み、前記第１メサ領域上に前記活性層及び前記第２導電型半導体層が配置される、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１電極の前記第１部分は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面から突出して配置される、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面に配置される第２部分をさらに含む、請求項２又は３に記載の発光素子。
5. 前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の上部面に配置される第３部分をさらに含む、請求項２乃至４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記第１電極の前記第１部分の下部面の高さは、前記第１導電型半導体層の底面の高さと同一である、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
7. 回路基板と、
   前記回路基板上に配置され、第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極、及び前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極を含み、前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出する第１部分を含む、複数個の発光素子と、
   前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
   前記回路基板と前記複数個の発光素子との間に充填される絶縁性レジン層と、
   前記複数個の発光素子のうち第１方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第１電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第１電極線と、
   前記複数個の発光素子のうち前記第１方向と交差する第２方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第２電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第２電極線とを含み、
   前記少なくとも１つの第１電極線の下面は、前記第１電極の前記第１部分の上面に接触する、発光素子アレイ。
8. 前記発光素子の前記第１導電型半導体層は第１メサ領域及び第２メサ領域を含み、前記第１メサ領域上に前記活性層及び前記第２導電型半導体層が配置され、
   前記第１電極の前記第１部分は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面から突出して配置される、請求項７に記載の発光素子アレイ。
9. 前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面に配置される第２部分をさらに含み、
   前記第１電極線は、前記第１電極の前記第２部分の少なくとも一部の領域と接触するように設けられる、請求項８に記載の発光素子アレイ。
10. 前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の上部面に配置される第３部分をさらに含み、
    前記第１電極線の上部面の高さは、前記第１電極の前記第３部分の上部面の高さよりも低くなるように設けられる、請求項８又は９に記載の発光素子アレイ。
11. 前記絶縁層はＤＢＲ（ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ ＢＲＡＧＧ ＲＥＦＬＥＣＴＯＲ）構造で設けられる、請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光素子アレイ。
12. 前記絶縁層は、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４またはポリイミド化合物のうち少なくとも１つを含む、請求項７乃至１１のいずれかに記載の発光素子アレイ。
13. 前記第１電極は、オーミック層、反射層及び結合層を含む、請求項７乃至１２のいずれかに記載の発光素子アレイ。
14. 前記第２電極は、オーミック層及び反射層を含む、請求項７乃至１３のいずれかに記載の発光素子アレイ。
15. 前記第１電極線は、
    第１面上で前記絶縁層と接触するように設けられ、
    前記第１面と対向する第２面は露出するように配置される、請求項７乃至１４のいずれかに記載の発光素子アレイ。
16. 前記第２電極線は、
    第１面で前記絶縁性レジン層に露出するように設けられ、
    前記第１面と対向する第２面で前記絶縁層と接触する、請求項７乃至１５のいずれかに記載の発光素子アレイ。
17. 前記第２導電型半導体層は前記第１メサ領域上に配置され、
    前記第２電極は前記第２導電型半導体層上に配置され、
    前記第１メサ領域の前記第２導電型半導体層上に導電層をさらに含む、請求項７乃至１６のいずれかに記載の発光素子アレイ。
18. 前記少なくとも１つ以上の第１電極線は、前記第１方向に対して所定の角度傾斜するように配置される、請求項７乃至１７のいずれかに記載の発光素子アレイ。
19. 回路基板と、
    前記回路基板上に配置され、第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極、及び前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極を含み、前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出する第１部分を含む、複数個の発光素子と、
    前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
    前記回路基板と前記複数個の発光素子との間に充填され、導電性ボールを有するレジン層と、
    前記複数個の発光素子のうち第１方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第１電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第１電極線と、
    前記複数個の発光素子のうち前記第１方向と交差する第２方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第２電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第２電極線とを含む、発光素子アレイと、
    前記発光素子アレイで励起される光の経路を変更する光学部材と、を含む、照明装置。