JPH06250591A - Ｌｅｄディスプレイ装置 - Google Patents
Ｌｅｄディスプレイ装置Info
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- JPH06250591A JPH06250591A JP3503193A JP3503193A JPH06250591A JP H06250591 A JPH06250591 A JP H06250591A JP 3503193 A JP3503193 A JP 3503193A JP 3503193 A JP3503193 A JP 3503193A JP H06250591 A JPH06250591 A JP H06250591A
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＥＤチップをマトリクス状に隙間なく並べ
ることでチップ間で発光部のピッチが広くなることを防
止し、また高精細、薄型で低コストのＬＥＤディスプレ
イ装置を実現する。 【構成】 ガラス基板１４の上面には透明電極１５が形
成されている。ＬＥＤチップ１０下面にはマトリクス状
に配列した複数の発光部と、各行、各列に対応したバン
プ電極を形成して、このバンプ電極と前記透明基板１５
とを位置合わせしてマイクロバンプボンディング（ＭＢ
Ｂ）方式にて接続する。 【効果】複数の発光部を有するＬＥＤチップと駆動用ド
ライバＩＣの実装を（ＭＢＢ）方式で行なうことによ
り、実装後の形態を薄型に、また発光部の配列ピッチを
狭く、高精細に、さらに複数のＬＥＤチップを近接させ
て実装できる。
ることでチップ間で発光部のピッチが広くなることを防
止し、また高精細、薄型で低コストのＬＥＤディスプレ
イ装置を実現する。 【構成】 ガラス基板１４の上面には透明電極１５が形
成されている。ＬＥＤチップ１０下面にはマトリクス状
に配列した複数の発光部と、各行、各列に対応したバン
プ電極を形成して、このバンプ電極と前記透明基板１５
とを位置合わせしてマイクロバンプボンディング（ＭＢ
Ｂ）方式にて接続する。 【効果】複数の発光部を有するＬＥＤチップと駆動用ド
ライバＩＣの実装を（ＭＢＢ）方式で行なうことによ
り、実装後の形態を薄型に、また発光部の配列ピッチを
狭く、高精細に、さらに複数のＬＥＤチップを近接させ
て実装できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤによるディスプ
レイ装置に関するものである。
レイ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１チップ内に１つの発光部を有するＬＥ
Ｄチップをマトリクス状に配したＬＥＤアレーサブスト
レートと、前記ＬＥＤチップを電気的に駆動させるドラ
イバＩＣとを基板に実装してなるＬＥＤディスプレイ装
置の一般的な構成について、図３、および図４を参照し
ながら説明する。
Ｄチップをマトリクス状に配したＬＥＤアレーサブスト
レートと、前記ＬＥＤチップを電気的に駆動させるドラ
イバＩＣとを基板に実装してなるＬＥＤディスプレイ装
置の一般的な構成について、図３、および図４を参照し
ながら説明する。
【０００３】例えばセラミック等の絶縁基板１上にＡｌ
等の導電体からなる複数本の列電極２を設け、前記列電
極２上に発光源となるＬＥＤチップ３のカソード側を一
定間隔へだてて導電性接着剤で接着する。前記ＬＥＤチ
ップ３の上面アノード側にはボンディングパッド４が設
けてあり、これをワイヤボンディングにより前記列電極
２に直交する行方向に連続接続する。各行一端は絶縁基
板１上の行電極５に接続する。
等の導電体からなる複数本の列電極２を設け、前記列電
極２上に発光源となるＬＥＤチップ３のカソード側を一
定間隔へだてて導電性接着剤で接着する。前記ＬＥＤチ
ップ３の上面アノード側にはボンディングパッド４が設
けてあり、これをワイヤボンディングにより前記列電極
２に直交する行方向に連続接続する。各行一端は絶縁基
板１上の行電極５に接続する。
【０００４】このように形成したＬＥＤアレーサブスト
レートと、行、列それぞれの駆動用ドライバＩＣ６を主
基板７に固着し、ＬＥＤアレーサブストレートの列電極
２、行電極５とドライバＩＣ６上の電極８を主基板７上
の導体配線９を介してワイヤボンディングで接続する。
レートと、行、列それぞれの駆動用ドライバＩＣ６を主
基板７に固着し、ＬＥＤアレーサブストレートの列電極
２、行電極５とドライバＩＣ６上の電極８を主基板７上
の導体配線９を介してワイヤボンディングで接続する。
【０００５】このような構成において、ドライバＩＣ６
によって列電極２、行電極５に選択的に駆動電圧を印加
し、交点部のＬＥＤチップ３を発光させて所望の形象を
表示する。
によって列電極２、行電極５に選択的に駆動電圧を印加
し、交点部のＬＥＤチップ３を発光させて所望の形象を
表示する。
【０００６】また例えば行方向にもう一つＬＥＤアレー
サブストレートを設ける場合、電極を介して（あるいは
直接）端部のＬＥＤチップ同志をワイヤボンディング接
続すればよく、列方向についてはもう一つ駆動用ドライ
バＩＣを固着し、第一のＬＥＤアレーサブストレートの
駆動のためのドライバＩＣとの接続時と同様に接続すれ
ばよい。
サブストレートを設ける場合、電極を介して（あるいは
直接）端部のＬＥＤチップ同志をワイヤボンディング接
続すればよく、列方向についてはもう一つ駆動用ドライ
バＩＣを固着し、第一のＬＥＤアレーサブストレートの
駆動のためのドライバＩＣとの接続時と同様に接続すれ
ばよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＬＥ
Ｄディスプレイ装置では、ＬＥＤチップ３の数が多くな
ると、あるいはＬＥＤアレーサブストレートが複数にな
ると、ＬＥＤアレーサブストレートとドライバＩＣとの
接続を図るためのワイヤボンディング工数が増大し、デ
ィスプレイの大型化、高解像度化、低コスト化が困難に
なるという問題があった。
Ｄディスプレイ装置では、ＬＥＤチップ３の数が多くな
ると、あるいはＬＥＤアレーサブストレートが複数にな
ると、ＬＥＤアレーサブストレートとドライバＩＣとの
接続を図るためのワイヤボンディング工数が増大し、デ
ィスプレイの大型化、高解像度化、低コスト化が困難に
なるという問題があった。
【０００８】またＬＥＤアレーサブストレート端部には
ワイヤボンディングのための電極を設けるだけの面積が
必要であり、複数個のＬＥＤアレーサブストレートを並
べる場合、各ＬＥＤアレーサブストレート間で端のＬＥ
Ｄチップ３同志の間隔Ａが、同一ＬＥＤアレーサブスト
レート上でのＬＥＤチップ３の間隔Ｂよりも広くなって
しまい、表示の連続性を欠くという問題があった。さら
に上記ＬＥＤチップ３同志の間隔Ｂは、接続がワイヤボ
ンディング方式であるため、最小寸法で５００μｍ程度
に短縮するのが限度であった。
ワイヤボンディングのための電極を設けるだけの面積が
必要であり、複数個のＬＥＤアレーサブストレートを並
べる場合、各ＬＥＤアレーサブストレート間で端のＬＥ
Ｄチップ３同志の間隔Ａが、同一ＬＥＤアレーサブスト
レート上でのＬＥＤチップ３の間隔Ｂよりも広くなって
しまい、表示の連続性を欠くという問題があった。さら
に上記ＬＥＤチップ３同志の間隔Ｂは、接続がワイヤボ
ンディング方式であるため、最小寸法で５００μｍ程度
に短縮するのが限度であった。
【０００９】さらにワイヤの破断防止など保護のための
樹脂封止やカバーの設置等が必要であり、ＬＥＤディス
プレイ装置自体が厚くなってしまった。
樹脂封止やカバーの設置等が必要であり、ＬＥＤディス
プレイ装置自体が厚くなってしまった。
【００１０】本発明は上記課題を解決するもので、並列
するＬＥＤアレーサブストレート間に隙間がなく、狭ピ
ッチ、薄型で低コストのＬＥＤディスプレイ装置を提供
することを目的としている。
するＬＥＤアレーサブストレート間に隙間がなく、狭ピ
ッチ、薄型で低コストのＬＥＤディスプレイ装置を提供
することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ワイヤレスのＬＥＤマトリクス表示チップ
と駆動用ドライバＩＣをマイクロバンプボンディング方
式によって透明基板に実装する構成である。
するために、ワイヤレスのＬＥＤマトリクス表示チップ
と駆動用ドライバＩＣをマイクロバンプボンディング方
式によって透明基板に実装する構成である。
【００１２】
【作用】本発明によると１チップ内に複数個の発光部を
有するＬＥＤチップと駆動用ドライバＩＣの実装を透明
基板上に、直接マイクロバンプボンディング方式で行っ
ているので、複数のＬＥＤチップを隙間なく並べること
ができ、発光部の配列ピッチを狭くして表示を高精細に
し、また、前述の従来例にくらべるとＬＥＤアレーサブ
ストレートの絶縁基板が不要であり、ディスプレイ装置
自体を小型、薄型、低コストにすることができるもので
ある。
有するＬＥＤチップと駆動用ドライバＩＣの実装を透明
基板上に、直接マイクロバンプボンディング方式で行っ
ているので、複数のＬＥＤチップを隙間なく並べること
ができ、発光部の配列ピッチを狭くして表示を高精細に
し、また、前述の従来例にくらべるとＬＥＤアレーサブ
ストレートの絶縁基板が不要であり、ディスプレイ装置
自体を小型、薄型、低コストにすることができるもので
ある。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１および
図２を参照しながら説明する。
図２を参照しながら説明する。
【００１４】Ｎ層基板上にＰ層を成長させ、さらにＮ層
を成長させた半導体基板上に、例えば亜鉛等を選択拡散
して複数個の発光部１１をマトリクス状に形成し、列電
極をアノード側、行電極をカソード側として各交点を選
択的に点灯できるようにしたＬＥＤチップ１０の、行、
列両電極の端部にはＡｕ等のバンプ電極１２が設けてあ
る。またＬＥＤチップ１０を駆動させるドライバＩＣ１
３下部にもバンプ電極１７が設けてある。ガラス基板１
４上には透明電極１５が配してあり、この透明電極１５
と前記ＬＥＤチップ１０のバンプ電極１２、またドライ
バＩＣ１３のバンプ電極１７とを位置合わせし、変性ア
クリレート樹脂１６を介してそれぞれを接着する。接着
後、ＬＥＤチップ１０、ドライバＩＣ１３上を治具等で
加圧しながら変性アクリレート樹脂１６に紫外線を照射
し、硬化させる。この硬化時の収縮力によってＬＥＤチ
ップ１０のバンプ電極１２、ドライバＩＣ１３のバンプ
電極１７とガラス基板１４上の透明電極１５を機械的、
電気的に接続する。
を成長させた半導体基板上に、例えば亜鉛等を選択拡散
して複数個の発光部１１をマトリクス状に形成し、列電
極をアノード側、行電極をカソード側として各交点を選
択的に点灯できるようにしたＬＥＤチップ１０の、行、
列両電極の端部にはＡｕ等のバンプ電極１２が設けてあ
る。またＬＥＤチップ１０を駆動させるドライバＩＣ１
３下部にもバンプ電極１７が設けてある。ガラス基板１
４上には透明電極１５が配してあり、この透明電極１５
と前記ＬＥＤチップ１０のバンプ電極１２、またドライ
バＩＣ１３のバンプ電極１７とを位置合わせし、変性ア
クリレート樹脂１６を介してそれぞれを接着する。接着
後、ＬＥＤチップ１０、ドライバＩＣ１３上を治具等で
加圧しながら変性アクリレート樹脂１６に紫外線を照射
し、硬化させる。この硬化時の収縮力によってＬＥＤチ
ップ１０のバンプ電極１２、ドライバＩＣ１３のバンプ
電極１７とガラス基板１４上の透明電極１５を機械的、
電気的に接続する。
【００１５】こうして各行、各列に選択的に駆動電圧を
印加し、交点の発光部１１を発光させる。変性アクリレ
ート樹脂１６は透明であるから、発せられた光は変性ア
クリレート樹脂１６、ガラス基板１４を透過して下方に
向けて所望の形象を表示するのである。
印加し、交点の発光部１１を発光させる。変性アクリレ
ート樹脂１６は透明であるから、発せられた光は変性ア
クリレート樹脂１６、ガラス基板１４を透過して下方に
向けて所望の形象を表示するのである。
【００１６】マイクロバンプボンディング方式ではＬＥ
Ｄチップ１０を隙間なく連続的に、またフェイスダウン
で実装することができるので、実装後の形態が小型、薄
型である。
Ｄチップ１０を隙間なく連続的に、またフェイスダウン
で実装することができるので、実装後の形態が小型、薄
型である。
【００１７】またバンプ電極同志の間隔Ｃも３０μｍ程
度にすることができるため、発光部のピッチＤも従来の
１０分の１の５０μｍ程度と、高精細にすることができ
る。
度にすることができるため、発光部のピッチＤも従来の
１０分の１の５０μｍ程度と、高精細にすることができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればＬＥＤチップと駆動用ドライバＩＣの実装をマ
イクロバンプボンディング方式で行っているので、複数
個のＬＥＤチップを隙間なく並べることができ、高精細
で薄型のＬＥＤディスプレイ装置を提供することができ
る。
によればＬＥＤチップと駆動用ドライバＩＣの実装をマ
イクロバンプボンディング方式で行っているので、複数
個のＬＥＤチップを隙間なく並べることができ、高精細
で薄型のＬＥＤディスプレイ装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例のＬＥＤディスプレイ装置を
示す側面図
示す側面図
【図２】同詳細図
【図３】従来のＬＥＤディスプレイ装置の外観斜視図
【図４】同側面断面図
１ 絶縁基板 ２ 列電極 ３ ＬＥＤチップ ４ ボンディングパッド ５ 行電極 ６ ドライバＩＣ ７ 主基板 ８ 電極 ９ 導体配線 １０ ＬＥＤチップ １１ 発光部 １２ バンプ電極 １３ ドライバＩＣ １４ ガラス基板 １５ 透明電極 １６ 変性アクリレート樹脂 １７ バンプ電極
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数個の発光
部と前記発光部に接続された突起電極を有するＬＥＤチ
ップと、前記ＬＥＤチップを駆動するドライバＩＣと、
導体配線を配設したガラス基板とで構成され、前記ＬＥ
Ｄチップと前記導体配線との接続、ならびに前記ドライ
バＩＣと前記導体配線との接続をマイクロバンプボンデ
ィング方式でなしたことを特徴とするＬＥＤディスプレ
イ装置。 - 【請求項２】 ＬＥＤチップから放射される光線を、ガ
ラス基板を透過させるように配置したことを特徴とする
請求項１に記載のＬＥＤディスプレイ装置。 - 【請求項３】 ＬＥＤチップを、複数個、一列、あるい
は複数列配置して実装したことを特徴とする請求項１記
載のＬＥＤディスプレイ装置。 - 【請求項４】 複数個のＬＥＤチップを各ＬＥＤチップ
間で発光部の隙間を均等になして配設したことを特徴と
する請求項１に記載のＬＥＤディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3503193A JPH06250591A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | Ｌｅｄディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3503193A JPH06250591A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | Ｌｅｄディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250591A true JPH06250591A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12430696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3503193A Pending JPH06250591A (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | Ｌｅｄディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06250591A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164012A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Siemens Ag | 照明装置 |
| WO2001082378A1 (de) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Schott Glas | Trägersubstrat für elektronische bauteile |
| US6333522B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
| EP1325521A1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-07-09 | Luminary Logic Limited | Semiconductor light emitting element formed on a clear or translucent substrate |
| JP2010147190A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 両面発光デバイス |
| US8796703B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-08-05 | Oki Data Corporation | Display device capable of emitting light from opposite sides |
| JP2016127289A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子、発光素子アレイ及びそれを含む照明装置 |
| JP2018528598A (ja) * | 2015-06-26 | 2018-09-27 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP3503193A patent/JPH06250591A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333522B1 (en) | 1997-01-31 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
| US6597019B2 (en) | 1997-01-31 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor light-emitting device comprising an electrostatic protection element |
| US6642072B2 (en) | 1997-01-31 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
| JP2000164012A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Siemens Ag | 照明装置 |
| WO2001082378A1 (de) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Schott Glas | Trägersubstrat für elektronische bauteile |
| EP1947694A1 (de) * | 2000-04-20 | 2008-07-23 | Schott AG | Trägersubstrat für elektronische Bauteile |
| EP1325521A1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-07-09 | Luminary Logic Limited | Semiconductor light emitting element formed on a clear or translucent substrate |
| EP1325521A4 (en) * | 2000-09-12 | 2006-08-23 | Luminary Logic Ltd | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT BASED ON A CLEAR OR TRANSPARENT SUBSTRATE |
| US8796703B2 (en) | 2008-08-29 | 2014-08-05 | Oki Data Corporation | Display device capable of emitting light from opposite sides |
| JP2010147190A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 両面発光デバイス |
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| JP2018528598A (ja) * | 2015-06-26 | 2018-09-27 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット |
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