JP2012142489A - 発光装置、照明装置および表示装置 - Google Patents

発光装置、照明装置および表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子の特性を簡単に測定することの可能な発光装置、ならびにそのような発光装置を備えた照明装置および表示装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、３つの発光素子１０と、各発光素子１０を覆う絶縁体２０と、各発光素子１０に電気的に接続された端子電極３０，４０を備える。端子電極３０，４０は、発光素子１０の電極（第１電極１４，第２電極１５）と電気的に接続されており、かつ絶縁体２０の周縁に突出する突出部３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａを有する。そのため、発光装置１の上面側、下面側のいずれの側にも端子電極３０，４０が露出している。
【選択図】図１

Description

本発明は、１または複数の発光素子を備えた発光装置、ならびに上記の発光装置を備えた照明表面および表示装置に関する。
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイでは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある。しかし、数百万個にも及ぶＬＥＤチップを配線基板上に歩留まり良く実装し、結線することが要求される。そのため、簡易なプロセスで高歩留まりを実現できる方法が必要とされている。
従来では、例えば、転写基板上の樹脂層にＬＥＤチップを保持させ、このＬＥＤチップを保持したままの樹脂層の側から、当該転写基板を配線基板に貼り合わせ、その樹脂層と転写基板との界面で剥離を行うことで、ＬＥＤチップを一括して配線基板へ転写する方法が開示されている（特許文献１参照）。
また、例えば、２つの電極パッドを表面に有する薄辺状のベース部材の表面に１つのＬＥＤチップが配置され、そのＬＥＤチップが保護部材で封止されたパッケージタイプの発光装置（特許文献２参照）を配線基板上にマトリクス状に実装することが考えられる。
特開２００４−２７３５９６号公報 特許３６４１１２２号
ところで、上記特許文献１において、ＬＥＤチップの電極が上面と下面に分かれて形成されている場合には、ＬＥＤチップの上面側の電極と配線基板との電気的な接続にはワイヤが使用される。また、上記特許文献２においても、ベース部材の表面の２つの電極と配線基板との電気的な接続にはワイヤが使用される。そのため、実装後に個々のＬＥＤチップの特性を測定しようとしたときに、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光素子の電極に接触させることが必要となる。従って、実装後に個々のＬＥＤチップの特性を測定することが容易ではないという問題がある。
また、上記特許文献１において、ＬＥＤチップの電極が上面と下面に分かれて形成されている場合には、実装前に個々のＬＥＤチップの特性を測定する際には、ＬＥＤチップの上面および下面の両面側からカンチレバーを接触させることが必要となる。従って、この場合には、実装前に個々のＬＥＤチップの特性を測定することが容易ではないという問題がある。また、上記特許文献２においては、発光装置を転写基板などに仮止めしている場合に、発光装置の下面しか露出していないときには、実装前に個々のＬＥＤチップの特性を測定することができないという問題がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子の特性を簡単に測定することの可能な発光装置を提供することにある。また、第２の目的は、そのような発光装置を備えた照明表面および表示装置を提供することにある。
本発明の発光装置は、複数の電極を有する１または複数の発光素子と、発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、各電極に１つずつ電気的に接続された複数の端子電極とを備えたものである。各端子電極は、絶縁体の周縁に突出する突出部を有している。
本発明の照明装置は、基板上に実装された複数の発光装置を備えたものである。各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示パネルと、映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の表示装置において、複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、各発光装置は、上記の発光装置と同一の構成要素を有している。
本発明の発光装置、照明装置および表示装置では、発光素子の電極と電気的に接続された端子電極に、絶縁体の周縁に突出する突出部が設けられている。そのため、発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも端子電極が露出している。
ところで、本発明において、各端子電極が、絶縁体の周縁において互いに接触する第１端子電極および第２端子電極からなっていてもよい。この場合に、第１端子電極が、例えば、絶縁体の上面および側面に沿って延在するか、または絶縁体の内部を延在し、かつ絶縁体の周縁に突出して形成されている。一方、第２端子電極が、例えば、絶縁体の下面に沿って延在し、かつ絶縁体の周縁に突出して形成されている。第２端子電極は、平坦な板形状となっていることが好ましい。
また、本発明において、各発光素子が、第１導電型層、活性層および第２導電型層をこの順に含む積層構造を有していてもよい。この場合に、各発光素子が、複数の電極として、発光素子の上面に形成されるとともに第２導電型層と電気的に接続された上部電極と、発光素子の下面に形成されるとともに第１導電型層と電気的に接続された下部電極とを有していてもよい。このとき、各端子電極のうち一部の端子電極が、上部電極と電気的に接続され、各端子電極のうち残りの端子電極が、前記下部電極と電気的に接続されている。
本発明の発光装置、照明装置および表示装置によれば、発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも露出する突出部を端子電極に設けるようにしたので、発光装置を基板に実装する際に、発光装置と基板との電気的な接続に、端子電極の突出部を用いることができる。これにより、ワイヤを使用せずに発光装置を基板に実装することができるので、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光装置の端子電極に接触させる必要がない。従って、実装後に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。また、端子電極の突出部が発光装置の上面側、下面側のいずれの側にも露出しているので、発光装置の上面側、下面側のいずれの側からも、カンチレバーを発光装置の端子電極に接触させることができる。これにより、例えば、発光素子の電極が発光素子の上面と下面にそれぞれ１つずつ形成されているような場合であっても、発光素子の電極に電気的に接続された端子電極の突出部に対して、発光装置の上面側からか、または発光装置の下面側からカンチレバーを接触させることができる。従って、実装前に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。このように本発明では、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子の特性を簡単に測定することができる。
本発明の第１の実施形態に係る発光装置の構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図１の発光素子の構成の一例を表す断面図である。 図１の発光素子の構成の他の例を表す断面図である。 図１の発光装置の製造に際して使用されるウェハの一例を表す斜視図である。 図１の発光装置の製造に際して使用される仮固定基板の一例を表す斜視図である。 図１の発光装置の製造に際して使用される配線基板の一例を表す斜視図である。 図１の発光素子と図６の配線基板との電気的な接続を得る方法の一例を表す断面図である。 図７に続く工程を説明する斜視図である。 図８に続く工程を説明する斜視図である。 図９に続く工程を説明する斜視図である。 図１０に続く工程を説明する斜視図である。 図１１に続く工程を説明する斜視図および断面図である。 図１２に続く工程を説明する斜視図および断面図である。 図１の発光装置の特性を測定する様子の一例を表す模式図である。 図１の発光装置の構成の第１変形例を表す斜視図および断面図である。 図１の発光装置の構成の第２変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第３変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第４変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第５変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第６変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第７変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第８変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第９変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第１０変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第１１変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第１２変形例を表す斜視図である。 図１の発光装置の構成の第１３変形例を表す斜視図である。 図１の発光素子の構成の一変形例を表す断面図である。 図２８の発光素子を用いた発光装置の構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図２９の発光装置の構成の一変形例を表す斜視図および断面図である。 図２９の発光装置の構成の他の変形例を表す上面図および下面図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を表す斜視図である。 図３２の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。 図３２の表示画素の構成の一例を表す斜視図および断面図である。 図３２の実装基板の表面のレイアウトの第１変形例を表す平面図である。 図３２の実装基板の表面のレイアウトの第２変形例を表す平面図である。 図３２の表示装置の構成の一変形例を表す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る照明装置の構成の一例を表す斜視図である。 図３８の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．第１の実施の形態（発光装置）
３つの発光素子が薄い肉厚の樹脂で被われている例
２．変形例（発光装置）
樹脂の上面に曲面が設けられている例
樹脂の側面に凹凸が設けられている例
端子電極にバンプが設けられている例
樹脂の側面が金属で覆われている例
樹脂の上面が保護膜で覆われている例
発光素子の数が異なる例
発光素子の形状が異なる例
発光素子の電極位置が異なる例
発光素子の発光装置内でのレイアウトが異なる例
３．第２の実施の形態（表示装置）
表示画素に第１の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例
４．第３の実施の形態（照明装置）
光源に第１の実施の形態およびその変形例の発光装置が用いられている例
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
まず、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１について説明する。図１（Ａ）は、発光装置１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の表示装置１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。発光装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示画素として好適に適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。
（発光素子１０）
発光装置１は、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０を備えている。各発光素子１０は、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さＨ2／幅Ｗ2）（図２参照）は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
各発光素子１０は、発光装置１内に配置されており、例えば、図１（Ａ）に示したように、他の発光素子１０と所定の間隙を介して一列に配置されている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては、各発光素子１０のサイズよりも狭くなっていてもよい。発光素子１０と発光装置１の側面との間隔は、例えば、各発光素子１０のサイズの１／２以上となっている。
各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図１（Ａ）に示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する発光素子１０Ｂとにより構成されている。発光素子１０Ｇは、例えば、発光装置１の辺部近傍に配置されている。発光素子１０Ｂは、例えば、発光装置１の辺部のうち発光素子１０Ｇの近接する辺部とは異なる辺部の近傍に配置されている。発光素子１０Ｒは、例えば、発光素子１０Ｇと発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。
各発光素子１０は、例えば、図２に示したように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなる積層構造を有している。発光素子１０Ｇ，１０Ｂにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。一方、発光素子１０Ｒにおいては、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。第１電極１４および第２電極１５は、例えば、Ａｇ（銀）などの高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、各発光素子１０は、図示しないが、側面と、上面のうち第１電極の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。
各発光素子１０の側面は、例えば、図２に示したように、積層方向と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、各発光素子１０の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図３に示したように、各発光素子１０は、側面に、当該発光素子１０の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。
第２導電型層１３の上面には第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、第２導電型層１３に接するとともに第２導電型層１３に電気的に接続されている。一方、第１導電型層１１の下面には第２電極１５が設けられている。第２電極１５は、第１導電型層１１に接するとともに第１導電型層１１に電気的に接続されている。第１電極１４および第２電極１５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２または図３に示したように、第１電極１４が単一の電極からなり、第２電極１５が２つの電極からなるものとする。
発光装置１は、さらに、図１（Ａ）に示したように、各発光素子１０を被うチップ状の絶縁体２０と、各発光素子１０に電気的に接続された複数の端子電極３０，４０とを備えている。
（絶縁体２０）
絶縁体２０は、各発光素子１０を、少なくとも当該発光素子１０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体２０は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体２０は、各発光素子１０の側面と、各発光素子１０の上面のうち第１電極１４の未形成領域に接して形成されている。絶縁体２０は、各発光素子１０の配列方向に延在する帯状の形状（例えば直方体形状）となっている。絶縁体２０の高さは、各発光素子１０の高さよりも高くなっており、絶縁体２０の横幅は、各発光素子１０の幅よりも広くなっている。絶縁体２０自体のサイズは、例えば１ｍｍ以下となっている。絶縁体２０は、薄片状となっている。絶縁体２０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光装置１を転写する際に発光装置１が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。
絶縁体２０は、例えば、図１（Ａ）に示したように、各発光素子１０の直上に対応する箇所に開口２０Ａを有している。各開口２０Ａの底面には、少なくとも第１電極１４が露出している。また、絶縁体２０は、例えば、図１（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の直下に対応する箇所にも開口２０Ｂを有している。各開口２０Ｂの底面には、少なくとも２つの第２電極１５が露出している。各開口２０Ｂの内部には、２つの第２電極１５と後述の下側電極３２とを電気的に接続する接続部５０と、第１導電型層１１の下面のうち少なくとも２つの第２電極１５の間の領域に接する仮固定部６０とが設けられている。接続部５０は、本発明の「金属部」の一具体例に相当する。接続部５０は、例えば、めっき処理によって形成されたものである。なお、接続部５０は、めっき処理以外の方法で形成されたものであってもよい。接続部５０は、第２電極１５および下側電極３２を互いに電気的に接続するだけでなく、活性層１２から発せられた光を第２導電型層１３側に反射する役割も有している。仮固定部６０は、製造過程において、各発光素子１０を仮固定するためのものであり、例えば、感光性樹脂を固化させたものである。
絶縁体２０は、さらに、例えば、図１（Ａ）に示したように、辺部に６つの切り欠き２０Ｃを有している。各切り欠き２０Ｃは、絶縁体の２つの長辺に形成されており、１つの発光素子１０を間にして、絶縁体２０の短軸方向に互いに対向する位置に形成されている。例えば、発光素子１０Ｇの両脇に２つの切り欠き２０Ｃが、発光素子１０Ｒの両脇に２つの切り欠き２０Ｃが、発光素子１０Ｂの両脇に２つの切り欠き２０Ｃがそれぞれ形成されている。発光素子１０Ｇの両脇の２つの切り欠き２０Ｃは、絶縁体２０の長辺の一方の端部に形成されており、発光素子１０Ｂの両脇の２つの切り欠き２０Ｃは、絶縁体２０の長辺の他方の端部に形成されている。発光素子１０Ｒの両脇の２つの切り欠き２０Ｃは、絶縁体２０の長辺の中央付近に形成されている。各切り欠き２０Ｃは、例えば、図１（Ａ）に示したように、直方体形状となっている。なお、各切り欠き２０Ｃの形状は、直方体形状とは異なる形状となっていてもよい。
（端子電極３０，４０）
複数の端子電極３０，４０は、各発光素子１０に１つずつ電気的に接続されている。各端子電極３０は、第２電極１５に１つずつ電気的に接続されており、各端子電極４０は、第１電極１４に１つずつ電気的に接続されている。各端子電極３０は、絶縁体２０の一方の長辺に形成されており、各端子電極４０は、絶縁体２０の他方の長辺に形成されている。
各端子電極３０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、上側電極３１および下側電極３２によって構成されている。なお、上側電極３１が本発明の「第１端子電極」の一具体例に相当し、下側電極３２が本発明の「第２端子電極」の一具体例に相当する。上側電極３１は、切り欠き２０Ｃに沿った形状となっている。上側電極３１は、絶縁体２０の上面および側面に沿って延在しており、かつ絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出して形成されている。上側電極３１のうち絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出している部分（突出部３１Ａ）（図１（Ｂ）参照）は、切り欠き２０Ｃからはみ出していてもよいが、切り欠き２０Ｃの中に収まっていることが好ましい。一方、下側電極３２は、平坦な板形状となっている。下側電極３２は、絶縁体２０の下面に沿って延在しており、かつ絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出して形成されている。下側電極３２のうち絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出している部分（突出部３２Ａ）が、上側電極３１の突出部３１Ａに接触している。突出部３１Ａ，３２Ａは、絶縁体２０の２つの長辺のうち一方の長辺に設けられている。突出部３１Ａは、発光装置１の上面側に露出しており、突出部３２Ａは、発光装置１の下面側に露出している。下側電極３２は、接続部５０に接続されており、接続部５０を介して第２電極１５と電気的に接続されている。下側電極３２は、第１導電型層１１の下面のうち少なくとも２つの第２電極１５の間の領域と対向する部分に開口３２Ｂを有している。開口３２Ｂは、例えば、上述の仮固定部６０によって充填されている。
各端子電極４０は、例えば、図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、上側電極４１および下側電極４２によって構成されている。なお、上側電極４１が本発明の「第１端子電極」の一具体例に相当し、下側電極４２が本発明の「第２端子電極」の一具体例に相当する。上側電極４１は、切り欠き２０Ｃに沿った形状となっている。上側電極４１は、絶縁体２０の上面および側面に沿って延在しており、かつ絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出して形成されている。上側電極４１のうち絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出している部分（突出部４１Ａ）（図１（Ｂ）参照）は、切り欠き２０Ｃからはみ出していてもよいが、切り欠き２０Ｃの中に収まっていることが好ましい。突出部４１Ａは、突出部３１Ａとともに、１つの発光素子１０を間にして互いに対向する位置に配置されている。上側電極４１は、さらに、絶縁体２０の上面から開口２０Ａの内部にまで延在する接続部４１Ｂ（図１（Ａ）参照）を有しており、接続部４１Ｂを介して第１電極１４と電気的に接続されている。一方、下側電極４２は、平坦な板形状となっている。下側電極４２は、絶縁体２０の下面に沿って延在しており、かつ絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出して形成されている。下側電極４２のうち絶縁体２０の周縁（具体的には切り欠き２０Ｃ）に突出している部分（突出部４２Ａ）が、上側電極３１の突出部４１Ａに接触している。突出部４１Ａ，４２Ａは、絶縁体２０の２つの長辺のうち突出部３１Ａ，３２Ａの形成されていない方の長辺に設けられている。突出部４１Ａは、発光装置１の上面側に露出しており、突出部４２Ａは、発光装置１の下面側に露出している。下側電極４２は、下側電極３２とともに、発光装置１の平坦な底面を構成している。
各端子電極３０，４０は、例えば、主にＣｕ（銅）を含んで構成されている。各端子電極３０，４０の表面の一部が、例えば、Ａｕ（金）などの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。例えば、各端子電極３０，４０のうち突出部３１Ａ，４１Ａの表面と、各端子電極３０，４０のうち絶縁体２０の側面に接する部分の表面が、ＡｕやＴｉなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。また、例えば、各端子電極３０，４０の表面全体が、ＡｕやＴｉなどの酸化しにくい材料で被覆されていてもよい。また、例えば、各端子電極３０，４０の表面全体が、同一の材料で構成されていてもよい。発光装置１のアスペクト比（高さＨ1／幅Ｗ1）は、１よりも小さくなっている。
［製造方法］
次に、本実施の形態の発光装置１の製造方法の一例について説明する。
まず、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｒのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｒ）を多数形成したウェハ１００Ｒを用意する（図４（Ａ））。また、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｇのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｇ）を多数形成したウェハ１００Ｇを用意する（図４（Ｂ））。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子１０Ｂのうち第２電極１５以外の部分（発光素子１１０Ｂ）を多数形成したウェハ１００Ｂを用意する（図４（Ｃ））。なお、発光素子１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂはそれぞれ、第１導電型層１１、活性層１２、第２導電型層１３および第１電極１４が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっている。
また、ウェハ１００Ｒ上の全ての発光素子１１０Ｒを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｒを用意する（図５（Ａ））。同様に、ウェハ１００Ｇ上の全ての発光素子１１０Ｇを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｇと、ウェハ１００Ｂ上の全ての発光素子１１０Ｂを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｂを用意する（図５（Ｂ），（Ｃ））。仮固定用基板２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。
次に、ウェハ１００Ｒおよび仮固定用基板２００Ｒを、ウェハ１００Ｒ上の各発光素子１１０Ｒが仮固定用基板２００Ｒ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｒの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第１導電型層１１を露出させる。その後、露出した第１導電型層１１上に第２電極１５を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｒ上に、複数の発光素子１０Ｒが形成される。
また、ウェハ１００Ｇおよび仮固定用基板２００Ｇを、ウェハ１００Ｇ上の各発光素子１１０Ｇが仮固定用基板２００Ｇ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｇの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第１導電型層１１を露出させる。その後、露出した第１導電型層１１上に第２電極１５を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｇ上に、複数の発光素子１０Ｇが形成される。
同様に、ウェハ１００Ｂおよび仮固定用基板２００Ｂを、ウェハ１００Ｂ上の各発光素子１１０Ｂが仮固定用基板２００Ｂ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｂの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第１導電型層１１を露出させる。その後、露出した第１導電型層１１上に第２電極１５を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｂ上に、複数の発光素子１０Ｂが形成される。
次に、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを実装する配線基板３００を用意する（図６）。配線基板３００は、例えば、透明基板３１０（例えば石英基板）上に、一対の下側電極３２および下側電極４２が複数配置された基板である。続いて、配線基板３００の下側電極３２上に、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを実装する。
図７（Ａ）は、図６のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表したものである。図７（Ｂ）〜（Ｇ）は、配線基板３００の下側電極３２上に、発光素子１０Ｇを実装する手順を模式的に表したものである。なお、発光素子１０Ｒ，１０Ｂを配線基板３００の下側電極３２上に実装する方法は、発光素子１０Ｇを配線基板３００の下側電極３２上に実装する方法と同様である。
まず、配線基板３００の表面に、感光性樹脂層３２０を、例えば、１．５μｍ程度の厚さで形成する（図７（Ｂ））。感光性樹脂層３２０は、加熱や光照射等の外的要因によって硬化する可塑性の樹脂からなり、例えば、熱硬化感光性樹脂からなる。感光性樹脂層３２０が熱硬化感光性樹脂からなる場合、感光性樹脂層３２０はシート状の樹脂を貼り付けることや、樹脂をスピンコート等により塗布しプリベークで溶剤を揮発させることなどにより形成される。
次に、感光性樹脂層３２０のうち開口３２Ｂの周囲に対応する部分だけ露光して、光硬化領域３２０Ａを形成する。光硬化領域３２０Ａは、後述のフィレット３２０Ｂを維持するために設けられたものであり、開口３２Ｂを完全に囲むように形成されていてもよいし、開口３２Ｂの周囲に断続的に形成されていてもよい。なお、このときの部分露光は、マスクによる通常の手法の他に、イオンビームなどによっても可能である。
次に、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子１０Ｇを配線基板３００の表面に転写する（図７（Ｃ））。具体的には、仮固定用基板２００Ｇおよび配線基板３００を、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子１０Ｇが感光性樹脂層３２０に接するように貼り合わせたのち、レーザ照射により発光素子１０Ｇを仮固定用基板２００Ｇから剥離する。このとき、仮固定用基板２００Ｇ上の全ての発光素子１０Ｇに対して同時にレーザ照射するのではなく、仮固定用基板２００Ｇ上の一部の発光素子１０Ｇに対してレーザ照射する。簡単に言えば、間引き転写を行う。例えば、図８に示したように、仮固定用基板２００Ｇ上の全ての発光素子１０Ｇを複数のブロックＧｉ（ｉは正の整数）に分け、ブロックＧｉごとに１つずつ、発光素子１０Ｇをレーザ照射により剥離する。このようにして、発光素子１０Ｇが、広いピッチで、感光性樹脂層３２０に転写される。このとき、発光素子１０Ｇは、感光性樹脂層３２０のうち所定の位置の下側電極３２の直上に配置される。発光素子１０Ｇの、下側電極３２に対する位置合わせは大まかでよい。
次に、発光素子１０Ｇを感光性樹脂層３２０上に載置した状態で、配線基板３００全体を、例えば、５０℃、３０分ほど加熱する。加熱温度や時間は感光性樹脂層３２０の樹脂特性に応じて適した範囲に決められる。配線基板３００全体の加熱により、感光性樹脂層３２０の粘性が低下するので、感光性樹脂層３２０が発光素子１０Ｇの側壁に這い上がってフィレット３２０Ｂが形成される（図７（Ｄ））。このとき、加熱された樹脂の分子はエネルギー的に一番小さなところに落ち着こうとするので、フィレット３２０Ｂが発光素子１０Ｇを透明基板３１０側に押し下げるように作用する。また、このとき、光硬化領域３２０Ａが、加熱された樹脂の分子が外側に逃げるのを抑制している。その結果、発光素子１０Ｇの第２電極１５が下側電極３２に近づく。
このような力の働きによって、発光素子１０Ｇの第２電極１５と下側電極３２とのギャップが小さくなり、さらにギャップの、発光素子１０Ｇごとのばらつきも小さくなる。なお、上記のギャップは完全にはゼロにはならない。以上のようにして、下側電極３２に対する発光素子１０Ｇのセルフアラインを実現することができる。
次に、透明基板３１０の裏面から、感光性樹脂層３２０に対して光Ｌ1を照射して、感光性樹脂層３２０を露光する（図７（Ｅ））。このとき、下側電極３２が自己整合マスク層として機能し、感光性樹脂層３２０のうち下側電極３２の開口３２Ｂと対向する部分が硬化される。この硬化した部分が、発光素子１０Ｇを配線基板３００に仮固定する仮固定部６０となる。
次に、感光性樹脂層３２０のうち未露光部分を現像により除去する（図７（Ｆ））。このとき、第２電極１５と下側電極３２とのギャップでは、感光性樹脂層３２０は下側電極３２に隠れて露光されていないので、現像液に溶解する。従って、現像により、第２電極１５と下側電極３２とのギャップは、空隙となる。
次に、電解めっきを行う。電解めっきでは、陰極となる下側電極３２と電解液とに例えば０．５〜１．０Ｖ程度の電圧を印加し、陽極板と電解めっき液を介して１０ｍＡ／ｃｍ2程度の電流を流す。これにより、めっき成長が始まり、図７（Ｇ）に示したように、最終的には、例えば０．５μｍ程度の電解めっきからなる接続部５０が形成される。その結果、第２電極１５と下側電極３２とが接続部５０を介して電気的および機械的に強固に接続される。このようにして、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子１０Ｇが配線基板３００の表面に転写される（図９）。さらに、同様の方法によって、仮固定用基板２００Ｒ上の発光素子１０Ｒと、仮固定用基板２００Ｂ上の発光素子１０Ｂが配線基板３００の表面に転写される（図１０）。
その後、絶縁層２０および端子電極３０，４０を形成する。これにより、配線基板３００上に複数の発光装置１が形成される（図１１）。
［実装方法］
次に、配線基板３００上に形成された各発光装置１を、ディスプレイパネルや照明パネルなどに含まれる配線基板上に実装する方法の一例について説明する。
まず、配線基板３００上の全ての発光装置１を一時的に仮固定するための仮固定用基板（図示せず）を用意する。ここで使用する仮固定基板は、例えば、透明基板（例えば石英基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。また、発光装置１の実装に使用する配線基板４００を用意する。配線基板４００は、支持基板４１０上に複数の電極パッド４２０などを備えたものである（図１２（Ａ）参照）。
次に、配線基板３００および仮固定用基板を、配線基板３００上の各発光装置１が仮固定用基板上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、透明基板３１０を除去して、発光装置１同士の素子分離を行う。次に、素子分離された個々の発光装置１を配線基板４００に実装する。具体的には、仮固定用基板および配線基板４００を、素子分離された個々の発光装置１が配線基板４００と接するように貼り合わせたのち、個々の発光装置１を仮固定用基板から剥離する。その結果、電極パッド４２０上に発光装置１が載置される（図１２（Ａ），（Ｂ））。
次に、配線層４３０を、各端子電極３０，４０の突出部３１Ａ，４１Ａの表面と、電極パッド４２０の表面とに接するように形成する（図１３（Ａ），（Ｂ））。このようにして、発光装置１が配線基板４００上に実装される。
［効果］
次に、本実施の形態の発光装置１の効果について説明する。
本実施の形態では、発光素子１０の電極（例えば、第１電極１４，第２電極１５）と電気的に接続された端子電極３０，４０に、絶縁体２０の周縁に突出する突出部３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａが設けられている。そのため、発光装置１の上面側、下面側のいずれの側にも端子電極３０，４０が露出しているので、発光装置１を基板に実装する際に、発光装置１と基板との電気的な接続に、突出部３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａを用いることができる（図１３（Ａ），（Ｂ）参照）。これにより、ワイヤを使用せずに発光装置１を基板に実装することができるので、ワイヤを避けながら、カンチレバーを発光装置１の端子電極３０，４０に接触させる必要がない。例えば、図１４（Ａ）に示したように、カンチレバー５００を、上側電極３１，４１のうち配線層４３０で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子１０の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子１０の特性を容易に測定することができる。
また、上述したように、カンチレバー５００を、上側電極３１，４１のうち配線層４３０で覆われていない部分に接触させて、実装後の個々の発光素子１０の特性を測定するようにした場合には、配線層４３０がカンチレバー５００によって傷ついたり、剥離したりする虞がない。従って、発光素子１０の特性の測定によって、歩留まりが低下する虞がなくなる。
また、本実施の形態では、端子電極３０，４０が発光装置１の上面側、下面側のいずれの側にも露出しているので、発光装置１の上面側、下面側のいずれの側からも、カンチレバーを発光装置１の端子電極３０，４０に接触させることができる。これにより、例えば、発光素子１０の電極（例えば、第１電極１４，第２電極１５）が発光素子１０の上面と下面にそれぞれ１つずつ形成されているような場合であっても、発光素子１０の電極に電気的に接続された端子電極３０，４０の突出部３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａに対して、発光装置１の上面側からか、または発光装置１の下面側からカンチレバーを接触させることができる。例えば、図１１に示したように、各発光装置１が配線基板３００上に形成された状態となっている場合には、図１４（Ｂ）に示したように、カンチレバー５００を、上側電極３１，４１に接触させるだけで、実装前の個々の発光素子１０の特性を測定することができる。また、例えば、図１４（Ｃ）に示したように、素子分離された各発光装置１が仮固定用基板６００に固定されている場合には、カンチレバー５００を、下側電極３２，４２に接触させるだけで、実装前の個々の発光素子１０の特性を測定することができる。従って、実装前に個々の発光素子の特性を容易に測定することができる。このように本実施の形態では、実装前、実装後にかかわらず、個々の発光素子１０の特性を簡単に測定することができる。
また、本実施の形態では、第１電極１４と電気的に接続された端子電極４０の突出部４１Ａ，４２Ａが、絶縁体２０の一方の長辺に配置され、第２電極１５と電気的に接続された端子電極３０の突出部３１Ａ，３２Ａが、絶縁体２０の２つの長辺のうち突出部４１Ａ，４２Ａが形成されていない方の長辺に配置されている。これにより、端子電極３０と端子電極４０との間のショートや、素子耐圧の低下を防止することができる。また、本実施の形態では、各突出部３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａが発光素子１０との関係で対称となるような位置に配置されているので、発光素子１０のＦＦＰ（Far Field Pattern）の乱れも防止することができる。
[変形例]
（第１変形例）
上記実施の形態では、絶縁体２０の上面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光素子１０の上面と対向する部分から各発光素子１０の周縁に向かって負方向に傾斜する傾斜面２０Ｄを有していてもよい。このようにした場合には、発光素子１０から斜め方向の射出された光が傾斜面２０Ｄで屈折透過しやすくなるので、光取り出し効率が向上する。
ところで、傾斜面２０Ｄを絶縁体２０の上面に設けるためには、互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間が、各発光素子１０のサイズと同等か、それよりも大きくなっていることが好ましい。また、発光素子１０と発光装置１の側面との間隔が、各発光素子１０のサイズの１／２以上となっていることが好ましい。
（第２変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、絶縁体２０の側面がほぼ平坦となっていたが、例えば、図１６に示したように、凹凸面２０Ｅとなっていてもよい。凹凸面２０Ｅは、例えば、図１６に示したように、縦方向に延在する帯状の複数の凸部が並列配置されたような形状となっていてもよいし、これとは異なる形状となっていてもよい。このようにした場合には、発光素子１０から斜め方向の射出された光が凹凸面２０Ｅで屈折透過しやすくなるので、光取り出し効率が向上する。
（第３変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例において、例えば、図１７に示したように、各端子電極３０，４０の上面に、発光素子１０の特性の計測時にカンチレバーを接触させるポイントとして、１つのバンプ７０を設けてもよい。バンプ７０は、例えば、Ａｕ（金）などの金属からなり、端子電極３０，４０と電気的に接続されている。このようにした場合には、配線層４３０や端子電極３０，４０がカンチレバーによって傷つく虞がなく、発光素子１０の特性の測定によって、歩留まりが低下する虞がなくなる。なお、バンプ７０は、例えば、図１８に示したように、端子電極４０の接続部４１Ｂ上に設けられていてもよい。
（第４変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光素子１０Ｇの両脇の２つの切り欠き２０Ｃと、発光素子１０Ｂの両脇の２つの切り欠き２０Ｃがそれぞれ、絶縁体２０の四隅に設けられていたが、例えば、図１９に示したように、絶縁体２０の四隅から少し離れた場所に設けられていてもよい。また、この場合に、例えば、図２０に示したように、各端子電極３０，４０の上面に、２つのバンプ７０を設けてもよい。
（第５変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、上側電極３１，４１は、絶縁体２０の側面の一部だけを覆っていたが、例えば、図２１に示したように、絶縁体２０の側面のほとんどを覆うようにしてもよい。このとき、絶縁体２０の側面は、上側電極３１と上側電極４１とを絶縁分離するための間隙４３と、上側電極３１同士を絶縁分離するための間隙４４と、上側電極４１同士を絶縁分離するための間隙４５だけしか露出していない。このようにした場合には、発光素子１０から斜め方向の射出された光が上側電極３１，４１で反射され、最終的には、絶縁体２０の上面から射出されるようになる。その結果、正面輝度が向上する。
（第６変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光素子１０の上面には、絶縁体２０や、上側電極３１，４１がそのまま露出していたが、例えば、図２２に示したように、発光素子１０の上面全体を覆う保護膜４６が設けられていてもよい。保護膜４６は、絶縁性の材料によって構成されている。保護膜４６は、例えば、図２２に示したように、上側電極３１，４１と対向する部分の一部に、カンチレバー接触用の開口４６Ａを有しており、さらに、上側電極３１，４１のうち配線層４３０との接続に用いる部分（具体的には突出部３１Ａ，４１Ａ）と対向する部分にも開口（または切り欠き）を有している。
（第７変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置１は、３つの発光素子１０を備えていたが、４つ以上の発光素子１０を備えていてもよいし、例えば、図２３（Ａ），（Ｂ）に示したように、１つまたは２つの発光素子１０を備えていてもよい。
（第８変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置１（または絶縁体２０）が直方体形状となっている場合が例示されていたが、他の形状となっていてもよい。例えば、発光装置１（または絶縁体２０）が、図２４に示したように、三角形状となっていたり、図２５に示したように、六角形状となっていたりしてもよい。また、上記実施の形態およびその変形例では、複数の発光素子１０が一列に配置されている場合が例示されていたが、他の並びになっていてもよい。例えば、図２４，図２５に示したように、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置されていてもよい。さらに、例えば、図２４に示したように、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置されている場合に、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形と相似する形状（つまり三角形状）となっていてもよい。また、例えば、図２５に示したように、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置されている場合に、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形とは異なる形状（例えば六角形状）となっていてもよい。
ところで、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置され、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形と相似する形状（つまり三角形状）となっている場合に、発光素子１０ごとに設けられた２つの端子電極３０，４０は、例えば、図２４に示したように、絶縁体２０の３つの辺部のうち発光素子１０に近接する２つの辺部に、辺部ごとに１つずつ配置されている。また、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置され、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形とは異なる形状（具体的には六角形状）となっている場合に、例えば、図２５に示したように、発光素子１０ごとに設けられた２つの端子電極３０，４０が、絶縁体２０の６つの辺部のうち共通する１つの辺部に配置されている。このとき、２つの端子電極３０，４０は、当該２つの端子電極３０，４０と発光素子１０とが最短距離で接続され得る辺部に配置されている。また、このとき、各端子電極３０，４０は、絶縁体２０の６つの辺部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。
なお、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置され、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形とは異なる形状（具体的には六角形状）となっている場合に、例えば、図２６に示したように、各端子電極３０，４０が、絶縁体２０の６つの辺部に１つずつ配置されていてもよい。このとき、各端子電極３０，４０は、絶縁体２０の６つの辺部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。また、３つの発光素子１０が三角形の３つの角に対応する位置にそれぞれ１つずつ配置され、発光装置１（または絶縁体２０）が、その三角形とは異なる形状（具体的には六角形状）となっている場合に、例えば、図２７に示したように、各端子電極３０，４０が、絶縁体２０の６つの角部（辺部同士が接する箇所）に１つずつ配置されていてもよい。このとき、各端子電極３０，４０は、絶縁体２０の６つの角部において、周回方向に交互に配置されていることが好ましい。
（第９変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、上面と下面に１つずつ電極を有する発光素子１０が用いられていたが、下面だけに電極を有する発光素子が用いられていてもよい。そのような発光素子としては、例えば、図２８（Ａ），（Ｂ）に記載されているような発光素子８０が挙げられる。
発光素子８０は、例えば、図２８（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１導電型層８１、活性層８２および第２導電型層８３を順に積層してなる半導体層を有している。発光素子８０の半導体層において、第２導電型層８３の一部と、活性層８２と、第１導電型層８１とを含む部分が、柱状のメサ部８０Ａとなっている。半導体層のうちメサ部８０Ａの裾野には、第２導電型層８３が露出する平坦面が広がっており、その平坦面の一部に第１電極８４が形成されている。第１電極８４は、第２導電型層８３に接するとともに第２導電型層８３に電気的に接続されている。つまり、第１電極８４は、第２導電型層８３とオーミック接触している。なお、第２導電型層８３の上面（つまり半導体のうちメサ部８０Ａとは反対側の面）は、光取り出し面となっており、電極などの遮光構造物は何も設けられていない。メサ部８０Ａの上面（つまり第１導電型層８１の表面）には第２電極８５が設けられている。第２電極８５は、第１導電型層８１に接するとともに第１導電型層８１に電気的に接続されている。つまり、第２電極８５は、第１導電型層８１とオーミック接触している。第１電極８４および第２電極８５はともに、金属材料によって構成されている。第１電極８４および第２電極８５はともに、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。なお、以下では、図２８（Ａ），（Ｂ）に示したように、第１電極８４および第２電極８５がともに、単一の電極からなるものとする。
発光素子８０（具体的にはメサ部８０Ａ）の側面は、例えば、図２８（Ａ）に示したように、積層方向と直交する垂直面となっている。なお、メサ部８０Ａの側面は、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。このとき、メサ部８０Ａの側面は、図２８（Ｂ）に示したように、メサ部８０Ａの断面が逆台形状となるような傾斜面となっていることが好ましい。このように、メサ部８０Ａの側面がテーパー状となっていることにより、正面方向の光取り出し効率を高くすることができる。
発光素子８０は、例えば、図２８（Ａ），（Ｂ）に示したように、メサ部８０Ａの側面および裾野に渡って形成された絶縁膜８６を有している。発光素子８０は、さらに、メサ部８０Ａを覆う埋め込み層８７と、埋め込み層８７内に形成されたバンプ８８，８９と、埋め込み層８７上に形成されたパッド電極９１，９２とを有している。バンプ８８，８９およびパッド電極９１，９２はともに、金属材料によって構成されている。バンプ８８は、第２電極８５と電気的に接続されており、バンプ８８の上面が、例えば、埋め込み層８７の上面と同一面内に形成されている。バンプ８９は、第１電極８４と電気的に接続されており、バンプ８９の上面が、例えば、埋め込み層８７の上面と同一面内に形成されている。パッド電極９１は、バンプ８８に接しており、バンプ８８を介して第２電極８５と電気的に接続されている。パッド電極９２は、バンプ８９に接しており、バンプ８９を介して第１電極８４と電気的に接続されている。
図２９（Ａ），（Ｂ）および図３０（Ａ），（Ｂ）は、上記の発光素子８０を上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１に適用したときの一例を表したものである。図２９（Ａ），図３０（Ａ）は、発光素子８０が搭載された発光装置１の構成の一例を斜視的に表したものである。図２９（Ｂ）は、図２９（Ａ）のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図３０（Ｂ）は、図３０（Ａ）のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。
図２９（Ａ），（Ｂ）および図３０（Ａ），（Ｂ）に示したように、下面だけに電極を有する発光素子８０が用いられている場合には、絶縁体２０上面に開口２０Ａを設ける必要がなく、接続部４１Ｂを設ける必要もない。ただし、その代わりに、下側電極４２の一端を発光素子の直下にまで延在させ、下側電極４２を第２導電型層８３と電気的に接続されたパッド電極９２に接続部９４を介して接続するとともに、下側電極３２を第１導電型層８１と電気的に接続されたパッド電極９１に接続部９３を介して接続することが必要となる。なお、上側電極３１、下側電極３２、上側電極４１および下側電極４２についてのその他の構成については、上記実施の形態と同様である。
（第１０変形例）
また、上記実施の形態およびその変形例では、複数の発光素子１０または複数の発光素子８０が一列に配列されていたが、行列状に配列されていてもよい。図３１（Ａ），（Ｂ）は、発光装置１において、複数の発光素子８０が行列状に配列された様子の一例を表したものである。図３１（Ａ）は、発光装置１の上面構成の一例を表したものであり、図３１（Ｂ）は、発光装置１の下面構成の一例を表したものである。
図３１（Ａ），（Ｂ）には、発光装置１内に、発光素子８０の一態様である赤色光を発する１つの発光素子８０Ｒと、発光素子８０の一態様である緑色光を発する２つの発光素子８０Ｇと、発光素子８０の一態様である青色光を発する１つの発光素子８０Ｂとが設けられている様子が示されている。図３１（Ａ），（Ｂ）において、発光素子８０ごとに設けられた２つの端子電極３０，４０は、絶縁体２０の４つの辺部のうち絶縁体２０の角部（辺部同士が接する箇所）を間にして、辺部ごとに１つずつ配置されている。各端子電極３０，４０は、例えば、絶縁体２０の４つの辺部において、同一種類の端子電極が２つずつ周回方向に交互に配置されるように配置されている。なお、図示しないが、各端子電極３０，４０は、絶縁体２０の４つの辺部において、周回方向に交互に配置されていてもよい。
＜３．第２の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置２について説明する。表示装置２は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１を表示画素として備えたものである。図３２は、表示装置２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置２は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。表示装置２は、例えば、図３２に示したように、表示パネル２１０と、表示パネル２１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
（表示パネル２１０）
表示パネル２１０は、実装基板２１０−１と、透明基板２１０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板２１０−２の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域２１０Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域２１０Ｂを有している。
図３３は、実装基板２１０−１の透明基板２１０−２側の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。
（実装基板２１０−１）
実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、例えば、図３３に示したように、複数のデータ配線２１１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線２１２がデータ配線２１１と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線２１１およびスキャン配線２１２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。
スキャン配線２１２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板２１０−１の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。一方、データ配線２１１は、スキャン配線２１２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線２１２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも後述のパッド電極２１５の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。
データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分の近傍が表示画素２１３となっており、複数の表示画素２１３が表示領域２１０Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素２１３には、例えば、図３３に示したように、複数の発光素子１０を含む発光装置１が実装されている。なお、図３３には、３つの発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）で一つの表示画素２１３が構成されており、発光素子１０Ｒから赤色の光を、発光素子１０Ｇから緑色の光を、発光素子１０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子１０は、例えばＬＥＤチップである。
発光装置１には、例えば、図３４（Ａ），（Ｂ）に示したように、発光素子１０ごとに一対の端子電極３０，４０が設けられている。そして、一方の端子電極３０がデータ配線２１１に電気的に接続されており、他方の端子電極４０がスキャン配線２１２に電気的に接続されている。例えば、端子電極３０は、データ配線２１１に設けられた分枝２１１Ａの先端のパッド電極４２０に配線層４３０を介して接続されている。また、例えば、端子電極４０は、スキャン配線２１２に設けられた分枝２１２Ａの先端のパッド電極４２０に配線層４３０を介して接続されている。
各パッド電極４２０は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図３３、図３４（Ａ），（Ｂ）に示したように、各発光装置１が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極４２０は、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。配線層４３０は、例えば、鉛とスズを主成分とする合金からなる。
実装基板２１０−１には、さらに、例えば、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域２１０Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域２１０Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。
（透明基板２１０−２）
透明基板２１０−２は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板２１０−２において、発光装置１側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域２１０Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素２１３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。
（駆動回路）
駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素２１３を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素２１３に接続されたデータ配線２１１を駆動するデータドライバと、表示画素２１３に接続されたスキャン配線２１２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板２１０−１上に実装されていてもよいし、表示パネル２１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板２１０−１と接続されていてもよい。
［表示パネル２１０の製造方法］
次に、表示パネル２１０の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば、図示しないが、基材上に、複数のデータ配線２１１を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線２１２およびパッド電極２１５）およびブラック２１８とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置１を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置１が実装される。その後、回路基板をリフローし、発光装置１の端子電極３０，４０を、配線層４３０を介してパッド電極４２０に接合させる。これにより、実装基板２１０−１が形成される。次に、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、表示パネル２１０が製造される。
［表示装置２の動作・効果］
本実施の形態では、発光装置１が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２を介して駆動（単純マトリクス駆動）される。これにより、データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分近傍に設けられた発光装置１に順次、電流が供給され、表示領域２１０Ａに画像が表示される。
ところで、本実施の形態では、表示画素２１３に使用されるＬＥＤが発光装置１に内蔵されており、この発光装置１が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、例えば、カンチレバーを、上側電極３１，４１のうち配線層４３０で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子１０の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子１０の特性を容易に測定することができる。
また、本実施の形態において、透明基板２１０−２の表面が粗面となっている場合には、発光装置１から斜め方向に発せられた光の一部が粗面で散乱される。これにより、散乱光の一部が透明基板２１０−２を透過し、外部に射出されるので、発光装置１から斜め方向に発せられた光が透明基板２１０−２の裏面で反射されたり、透明基板２１０−２内に閉じ込められ、迷光が発生したりするのを低減することができる。従って、透明基板２１０−２に起因する光取り出し効率の低下を抑制することができる。
また、本実施の形態において、実装基板２１０−１の表面にブラック２１８が設けられている場合には、透明基板１１０−２側にブラックを設ける必要がない。これにより、製造過程において、実装基板２１０−１と、透明基板２１０−２とを互いに貼り合わせる際にアライメントが不要となるので、生産性が向上する。
［第２の実施の形態の変形例］
第２の実施の形態では、発光装置１は３つの発光素子１０を含んでいたが、３つ未満の発光素子１０を含んでいてもよいし、４つ以上の発光素子１０を含んでいてもよい。例えば、図３５に示したように、発光装置１が１つの発光素子１０だけを含んでいてもよい。
また、第２の実施の形態では、発光装置１内の各発光素子１０が、互いに異なるデータ配線２１１に接続されていたが、例えば、図３６に示したように、互いに同一のデータ配線２１１に接続されていてもよい。この場合に、１つの表示画素２１３からは同一色の光が発せられるように、発光装置１内の全ての発光素子１０が同一種類のＬＥＤで構成されていてもよい。
また、第２の実施の形態では、３つの発光素子１０が互いに異なる波長帯の光を発するようになっていたが、互いに等しい波長帯の光を発するようになっていてもよい。ただし、この場合には、例えば、図３７に示したように、透明基板２１０−２の表面に、蛍光体２１５が設けられていることが好ましい。蛍光体２１５では、例えば、図３７に示したように、１つの発光装置１に対して３つの蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂが設けられている。蛍光体２１５Ｇは緑光用の蛍光体であり、蛍光体２１５Ｒは赤光用の蛍光体であり、蛍光体２１５Ｂは青光用の蛍光体である。このとき、各発光素子１０が、例えば、青色光を発するＬＥＤチップからなっている場合には、各発光素子１０から発せられた光が蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂに入射し、これにより蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂが励起し、入射光量に応じた輝度の色光が蛍光体２１５Ｇ，２１５Ｒ，２１５Ｂから発せられる。
＜４．第３の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第３の実施の形態に係る照明装置３について説明する。照明装置３は、上記実施の形態およびその変形例に係る発光装置１を光源として備えたものである。図３８は、照明装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。照明装置３は、いわゆるＬＥＤ照明と呼ばれるものであり、光源としてＬＥＤが用いられたものである。この照明装置３は、例えば、図３８に示したように、照明パネル３１０と、照明パネル３１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
（照明パネル３１０）
照明パネル３１０は、実装基板３３０−１と、透明基板３３０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板３３０−２の表面が、照明光が出力される面となっており、中央部分に照明領域３１０Ａを有している。
図３９は、実装基板３３０−１の透明基板３３０−２側の表面のうち照明領域３１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、図３３に記載の表示画素２１３に対応するものが、照明画素２１４となる。
（駆動回路）
駆動回路は、複数の照明画素２１４を駆動するものである。駆動回路は、例えば、照明画素２１４に接続されたデータ配線２１１を駆動するデータドライバと、照明画素２１４に接続されたスキャン配線２１２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３３０−１上に実装されていてもよいし、照明パネル３１０とは別体で設けられていてもよい。
［照明パネル３１０の製造方法］
次に、照明パネル３１０の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線２１１を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線２１２およびパッド電極２１５）とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光装置１を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光装置１が実装される。その後、回路基板をリフローし、発光装置１の端子電極３０，４０を、配線層４３０を介してパッド電極４２０に接合させる。これにより、実装基板３３０−１が形成される。次に、実装基板３３０−１と透明基板３３０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、照明パネル３１０が製造される。
［照明装置３の動作・効果］
本実施の形態では、発光装置１が駆動回路によって、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２によって駆動される。これにより、データ配線２１１とスキャン配線２１２との交差部分近傍に設けられた発光装置１に電流が供給され、照明領域３１０Ａから照明光が出力される。
ところで、本実施の形態では、光源に使用されるＬＥＤが発光装置１に内蔵されており、この発光装置１が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、例えば、カンチレバーを、上側電極３１，４１のうち配線層４３０で覆われていない部分に接触させるだけで、実装後の個々の発光素子１０の特性を測定することができる。従って、実装後に個々の発光素子１０の特性を容易に測定することができる。
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
例えば、上記実施の形態等では、発光装置１が複数の発光素子１０を含んでいたが、１つの発光素子１０だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板２１０−１，３１０−１には、複数の発光装置１がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板２１０−１，３１０−１には、発光装置１を駆動する配線として、単純マトリクス配置されたデータ配線２１１およびスキャン配線２１２が用いられていたが、他の配線パターンが用いられてもよい。
また、上記実施の形態等では、絶縁体２０が設けられていたが、省略されてもよい。この場合には、端子電極３０，４０は、中空配線となる。
１…発光装置、２…表示装置、３…照明装置、１０，１０Ｂ，１０Ｇ，１０Ｒ，８０，８０Ｂ，８０Ｇ，８０Ｒ，１１０Ｂ，１１０Ｇ，１１０Ｒ…発光素子、１１，８１…第１導電型層、１２，８２…活性層、１３，８３…第２導電型層、１４，８４…第１電極、１５，８５…第２電極、２０…絶縁体、２０Ａ，２０Ｂ，３２Ｂ…開口、２０Ｃ…切り欠き、２０Ｄ…傾斜面、２０Ｅ…凹凸面、３０，４０…端子電極、３１，４１…上側電極、３１Ａ，３２Ａ，４１Ａ，４２Ａ…突出部、３２，４２…下側電極、４１Ｂ，５０…接続部、４３，４４，４５…間隙、６０…仮固定部、７０，８８，８９…バンプ、８０Ａ…メサ部、８６…絶縁膜、８７…埋め込み層、９１，９２…パッド電極、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…ウェハ、２００Ｂ，２００Ｇ，２００Ｒ，６００…仮固定用基板、２１０…表示パネル、２１０−１，３３０−１…実装基板、２１０−２，３１０，３３０−２…透明基板、２１０Ａ…表示領域、２１０Ｂ…フレーム領域、２１１…データ配線、２１１Ａ，２１２Ａ…分枝、２１２…スキャン配線、２１３…表示画素、２１４…照明画素、２１５，２１５Ｂ，２１５Ｇ，２１５Ｒ…蛍光体、３００，４００…配線基板、３２０…感光性樹脂層、３２０Ａ…光硬化領域、３２０Ｂ…フィレット、３３０…照明パネル、３１０Ａ…照明領域、４１０…支持基板、４２０…電極パッド、４３０…配線層、５００…カンチレバー、Ｇ１，Ｇ２，Ｇｉ…ブロック、Ｌ1…光、Ｈ1，Ｈ2…高さ、Ｗ1，Ｗ2…幅。

Claims (18)

  1. 複数の電極を有する１または複数の発光素子と、
    前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、
    各電極に１つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極と
    を備えた発光装置。
  2. 各端子電極は、前記突出部において互いに接触する第１端子電極および第２端子電極からなり、
    前記第１端子電極は、前記絶縁体の上面および側面に沿って延在するか、または前記絶縁体の内部を延在し、かつ前記絶縁体の周縁に突出して形成されており、
    前記第２端子電極は、前記絶縁体の下面に沿って延在し、かつ前記絶縁体の周縁に突出して形成されている
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第２端子電極は、平坦な板形状となっている
    請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記発光素子は、第１導電型層、活性層および第２導電型層をこの順に含む積層構造を有し、さらに、前記複数の電極として、前記発光素子の下面側に形成されるとともに前記第２導電型層と電気的に接続された第１電極と、前記発光素子の下面側に形成されるとともに前記第１導電型層と電気的に接続された第２電極とを有し、
    各端子電極のうち一部の端子電極は、前記第１電極と電気的に接続され、
    各端子電極のうち残りの端子電極は、前記第２電極と電気的に接続されている
    請求項２または請求項３に記載の発光装置。
  5. 各端子電極のうち前記第１電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の特定の辺に配置され、
    各端子電極のうち前記第２電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の辺のうち前記特定の辺以外の辺に配置されている
    請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は、第１導電型層、活性層および第２導電型層をこの順に含む積層構造を有し、さらに、前記複数の電極として、前記発光素子の上面に形成されるとともに前記第２導電型層と電気的に接続された第１電極と、前記発光素子の下面に形成されるとともに前記第１導電型層と電気的に接続された第２電極とを有し、
    各端子電極のうち一部の端子電極は、前記第１電極と電気的に接続され、
    各端子電極のうち残りの端子電極は、前記第２電極と電気的に接続されている
    請求項２または請求項３に記載の発光装置。
  7. 各端子電極のうち前記第１電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の特定の辺に配置され、
    各端子電極のうち前記第２電極と電気的に接続された端子電極の突出部が、前記絶縁体の辺のうち前記特定の辺以外の辺に配置されている
    請求項６に記載の発光装置。
  8. 当該発光装置は、複数の発光素子を備え、
    各発光素子は、一列に配置されており、
    前記絶縁体は、前記発光素子の配列方向に延在する帯状の形状となっており、
    各突出部が、前記絶縁体の長辺に配置されている
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 各突出部は、１つの発光素子を間にして互いに対向する位置に配置されている
    請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記絶縁体は、各突出部に対応して切り欠きを有する
    請求項８に記載の発光装置。
  11. 当該発光装置のアスペクト比（当該発光装置の厚さの最大値／当該発光装置の幅の最小値）は、１以下となっている
    請求項１０に記載の発光装置。
  12. 前記絶縁体は、各発光素子の上面のうち少なくとも外縁と、各発光素子の側面とを覆っており、各発光素子の上面と対向する部分から各発光素子の周縁に向かって負方向に傾斜する傾斜面を有する
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  13. 前記発光素子は、当該発光素子の側面に、当該発光素子の断面が逆台形状となるような傾斜面を有する
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 前記第１電極および前記第２電極は、金属により構成されている
    請求項４に記載の発光装置。
  15. 前記第２電極と前記第２端子電極との間に、前記第２電極および前記第２端子電極を互いに電気的に接続すると共に前記活性層から発せられた光を前記第２導電型層側に反射する金属部を備えた
    請求項１４に記載の発光装置。
  16. 前記第１端子電極は、前記絶縁体の上面および側面に沿って延在しており、かつ、前記絶縁体の上面と対向する部分にバンプを有する
    請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
  17. 基板上に実装された複数の発光装置を備え、
    各発光装置は、
    複数の電極を有する１または複数の発光素子と、
    前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、
    各電極に１つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極と
    を有し、
    各突出部が、配線層を介して前記基板と電気的に接続されている
    照明装置。
  18. 複数の画素を有する表示パネルと、
    映像信号に基づいて前記複数の画素を駆動する駆動回路と
    を備え、
    前記表示パネルに含まれる複数の画素は、基板上に実装された複数の発光装置からなり、
    各発光装置は、
    複数の電極を有する１または複数の発光素子と、
    前記発光素子を、少なくとも当該発光素子の側面側から囲むチップ状の絶縁体と、
    各電極に１つずつ電気的に接続され、かつ前記絶縁体の周縁に突出する突出部を有する複数の端子電極と
    を有し、
    各突出部が、配線層を介して前記基板と電気的に接続されている
    表示装置。
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