TW202337268A - 發光模組、顯示裝置及發光模組製造方法 - Google Patents

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Abstract

本申請提供一種發光模組,包括:基板,包括驅動電路,用於輸出第一驅動訊號;發光二極體,位於基板上且電連接驅動電路,發光二極體包括第一電極、第二電極以及位於第一電極與第二電極之間的發光層,第一電極電連接驅動電路,用於接收第一驅動訊號;透明電極,電連接於第二電極遠離發光層的一側,透明電極在基板上的投影面積大於第二電極在基板上的投影面積;以及導線,電連接透明電極,導線用於傳輸第二驅動訊號,發光層用於根據第一驅動訊號及第二驅動訊號發射光源光。本申請還提供一種顯示裝置及一種發光模組製造方法。

Description

發光模組、顯示裝置及發光模組製造方法
本申請涉及照明及顯示技術領域,尤其涉及一種發光模組、顯示裝置及發光模組製造方法。
發光二極體(Light emitting diode, LED)被廣泛應用於照明裝置、顯示裝置等。一種垂直型的LED具有上電極、下電極以及位於上電極及下電極之間的發光層。當上電極及下電極上的電壓差達到預設值時,發光層將會發射特定波長的光。單顆LED的尺寸很小(微米級),因此一個照明裝置或顯示裝置往往包括多顆密集排列的LED以達到發光或顯示需求。每顆LED的上電極及/或下電極都需要藉由連接導線以與其他導電結構建立電連接。而單顆LED的尺寸很小,使得導線與LED的上電極及/或下電極之間對位難度較大,容易產生對位偏移,導致無法形成電流迴路,從而導致LED無法正常發光。
本申請第一方面提供一種發光模組,包括: 基板,包括驅動電路,用於輸出第一驅動訊號; 發光二極體,位於所述基板上且電連接所述驅動電路,所述發光二極體包括第一電極、第二電極以及位於所述第一電極與所述第二電極之間的發光層,所述第一電極電連接所述驅動電路,用於接收所述第一驅動訊號; 透明電極,電連接於所述第二電極遠離所述發光層的一側,所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述第二電極在所述基板上的投影面積;以及 導線,電連接所述透明電極,所述導線用於傳輸第二驅動訊號,所述發光層用於根據所述第一驅動訊號及所述第二驅動訊號發射光源光。
本申請第二方面提供一種顯示裝置,包括上述發光模組,至少部分所述發光二極體發射的所述光源光顏色不同,各個所述發光二極體發射的光源光用於共同顯示圖像。
本申請第三方面提供一種顯示裝置,包括: 上述發光模組;以及 顯示模組,位於所述光源光的光路上,所述顯示模組用於調製所述光源光以顯示圖像。
本申請第四方面提供一種發光模組製造方法,包括: 提供一包括驅動電路的基板,所述驅動電路用於輸出第一驅動訊號; 在所述基板上設置包括第一電極、第二電極及位於所述第一電極與所述第二電極之間的發光層的發光二極體,使得所述第一電極電連接所述驅動電路以接收所述第一驅動訊號; 在所述第二電極遠離所述發光層的一側覆蓋電連接所述第二電極的透明電極,且使得所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述第二電極在所述基板上的投影面積;以及 電連接所述透明電極至傳輸第二驅動訊號的導線,使得所述發光層根據所述第一驅動訊號及所述第二驅動訊號發射光源光。
上述發光模組,包括基板、發光二極體及電連接發光二極體的透明電極,發光二極體包括第二電極,透明電極在基板上的投影面積大於第二電極在基板上的投影面積,有利於透明電極與導線之間的對位難度,從而有利於提升發光模組的製造良率。
實施例一
請參閱圖1,顯示裝置100用於顯示圖像。顯示裝置100例如為手機、電腦、電視、戶外顯示屏等智能設備。本實施例中,顯示裝置100為自發光型的顯示裝置,包括圖2所示的發光模組10。顯示裝置100還可包括一個或複數光學功能膜片(例如增亮膜、增透膜等,圖未示)以及外框(圖未示)等結構,以下主要對發光模組10進行闡述。
請參閱圖2,發光模組10包括基板1及形成於基板1上的複數發光二極體2。
本實施例中,基板1包括玻璃板11及形成於玻璃板11一表面上的驅動電路12。本實施例中驅動電路12包括形成於玻璃板11上的金屬(例如銅)走線。玻璃板11用於起承載及支撐作用,驅動電路12用於提供發光模組10工作過程中所需的電訊號。本實施例中,驅動電路12用於輸出第一驅動訊號。
請參閱圖3,本實施例中,複數發光二極體2在基板1上間隔排列,且複數發光二極體2排列為包括多行及多列的陣列。每一發光二極體2用於相互獨立地發射光源光。本實施例中,顯示裝置100定義有複數畫素區域,複數畫素區域排列為包括多行多列的陣列。每一畫素區域中設置有三個發光二極體2,位於同一畫素區域的三個發光二極體2所發射的光源光分別為紅色、綠色及藍色。各個畫素區域中出射的光用於共同顯示圖像。本實施例中,發光二極體2可為迷你無機發光二極體、微型無機發光二極體、有機發光二極體等。
請再參閱圖2,本實施例中,每一發光二極體2為垂直型發光二極體。也即,每一發光二極體2包括第一電極21、第二電極22以及位於第一電極21與第二電極22之間的發光層23。也即,第一電極21、發光層23以第二電極22依次層疊。本實施例中,第一電極21相較於第二電極22更靠近基板1。
第一電極21及第二電極22為導電材料,用於傳輸電訊號。發光層23中包括發光材料。第一電極21及第二電極22上存在電訊號且在發光層23兩側形成預設電壓差值時,發光材料受激輻射,使得發光層23發光,也即發光二極體2發光。本實施例中,每一發光二極體2主要朝向遠離基板1的方向發射光源光。
發光模組10還包括絕緣層3。絕緣層3設置於基板1上形成有發光二極體2的表面且覆蓋所有發光二極體2。也即,每一發光二極體2嵌設於絕緣層3中。本實施例中,為了透射光源光,絕緣層3由透光性良好的絕緣材料構成。
發光模組10還包括複數連接墊4,複數連接墊4與複數發光二極體2一一對應電連接。本實施例中,每一連接墊4對應形成於其中一個發光二極體2的第二電極22遠離基板1的一側且電連接第二電極22。本實施例中,每一連接墊4也嵌設於絕緣層3中,且每一連接墊4遠離基板1的表面相對絕緣層3裸露。
發光模組10還包括複數透明電極5,複數透明電極5與複數發光二極體2一一對應電連接。本實施例中,每一透明電極5對應形成於其中一個發光二極體2的第二電極22遠離基板1的一側。本實施例中,每一透明電極5形成於其中一連接墊4遠離基板1的一側並至少部分覆蓋連接墊4相對絕緣層3裸露的表面。也即,本實施例中,連接墊4電連接於第二電極22與透明電極5之間,且透明電極5形成於絕緣層3遠離基板1的表面。
發光模組10還包括複數導線6,複數導線6與複數發光二極體2一一對應連接。每一導線6藉由電連接一透明電極5電連接其中一發光二極體2。本實施例中,每一導線6形成於絕緣層3遠離基板1的表面。
本實施例中,每一透明電極5由透明導電材料構成,每一連接墊4及每一導線6由金屬(例如銅)構成。
在製造本實施例的發光模組10的過程中,提供基板1,並在基板1上依次形成發光二極體2、連接墊4、透明電極5及導線6。在形成導線6時,導線6需要與透明電極5精準搭接,才能保證發光模組10中形成完整的電流迴路。
在一對比例中,發光模組中不包括透明電極5,每一導線直接與發光二極體上的連接墊電接觸。但由於發光二極體本身尺寸極小,連接墊尺寸更小,導線與連接墊要精確對位的難度較大,很容易造成對位偏移,無法正確形成電流迴路。
而在本實施例中,每一透明電極5在基板1上的正投影的面積大於其所電連接的連接墊4在基板1上的正投影的面積。也即,在平行於基板1的平面上,每一透明電極5的面積大於其所電連接的連接墊4的面積。如此,由於透明電極5的面積較大,當在形成導線6時,即便導線6與透明電極5存在一些對位偏移,也還是能保證導線6與透明電極5電接觸。也即,導線6與透明電極5的對位難度小於與連接墊4的對位難度。
且本實施例中,每一透明電極5在基板1上的正投影完全覆蓋連接墊4在基板1上的正投影,使得透明電極5與連接墊4之間的正對面積最大化,則透明電極5與連接墊4之間的接觸面積最大化,有利於提升電連接可靠性。
在本申請一變更實施例中,發光模組10不包括連接墊4,透明電極5直接電接觸第二電極22。在該變更本實施例中,每一透明電極5在基板1上的正投影的面積大於其所電連接的第二電極22在基板1上的正投影的面積。也即,在平行於基板1的平面上,每一透明電極5的面積大於其所電連接的第二電極22的面積。如此,由於透明電極5的面積較大,當在形成導線6時,即便導線6與透明電極5存在一些對位偏移,也還是能保證導線6與透明電極5電接觸。也即,導線6與透明電極5的對位難度小於與第二電極22的對位難度。
且在該變更實施例中,每一透明電極5在基板1上的正投影完全覆蓋第二電極22在基板1上的正投影,使得透明電極5與第二電極22之間的正對面積最大化,則透明電極5與第二電極22之間的接觸面積最大化,有利於提升電連接可靠性。
本實施例中,驅動電路12用於輸出第一驅動訊號,每一導線6用於接收第二驅動訊號。第一電極21用於接收該第一驅動訊號,第二電極22用於接收該第二驅動訊號。第一驅動訊號及第二驅動訊號使得發光層23的兩端形成電壓差,發光二極體2發光。發光層23的兩端形成的電壓差不同時,發射的光源光的光強不同。藉由控制第一驅動訊號及第二驅動訊號的值,可以調節各個發光二極體2發射的光源光的亮度,從而使得各個發光二極體配合以顯示圖像。
本實施例中,每一導線6在絕緣層3遠離基板1的表面上延伸,並最終連接至一電路板或驅動晶片(圖未示)。
於本申請一變更實施例中,請參閱圖4,每一導線6一部分在絕緣層3遠離基板1的表面上延伸,另一部分延伸至基板1設置有發光二極體2的表面,與驅動電路12電連接。也即,在該變更實施例中,驅動電路12還電連接各個導線6,以輸出該第二驅動訊號至各個導線6。
於本申請另一變更實施例中,發光模組10還可包括位於各個發光二極體2與基板1之間的接合材料(例如錫膏,圖未示)。接合材料用於將發光二極體2固定於基板1上。
於本申請另一變更實施例中,發光模組10可不應用於顯示裝置100中,發光模組10可作為一照明裝置或舞臺打光裝置被單獨使用。在該變更實施例中,各個發光二極體2可用於發射相同顏色(例如白色)的光源光。
本實施例的發光模組10,包括發光二極體2及電連接發光二極體2的透明電極5,發光二極體2包括第二電極22,透明電極5在基板1上的投影面積大於第二電極22在基板上的投影面積,有利於透明電極與導線之間的對位難度,從而有利於提升發光模組10的製造良率。
請參閱圖5,本實施例還提供發光模組10的製造方法,包括: 步驟S1,提供一包括驅動電路的基板,所述驅動電路用於輸出第一驅動訊號; 步驟S2,在所述基板上設置包括第一電極、第二電極及位於所述第一電極及所述第二電極之間的發光層的發光二極體,使得所述第一電極電連接所述驅動電路以接收所述第一驅動訊號; 步驟S3,在所述第二電極遠離所述發光層的一側覆蓋電連接所述第二電極的透明電極,且使得所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述第二電極在所述基板上的投影面積;以及 步驟S4,電連接所述透明電極至傳輸第二驅動訊號的導線,使得所述發光層根據所述第一驅動訊號及所述第二驅動訊號發射光源光。
請參閱圖6,步驟S2中,將複數發光二極體2固定於基板1形成有驅動電路12的表面上,並形成覆蓋發光二極體2的絕緣層3。每一發光二極體2包括第一電極21、第二電極22及第一電極21與第二電極22之間的發光層23,其中第一電極21相對於第二電極22靠近基板1,使得第一電極21電連接驅動電路12。絕緣層3完全覆蓋各個發光二極體2。
步驟S2中,還對絕緣層3進行蝕刻,例如雷射蝕刻、腐蝕性液體或具蝕刻性氣體蝕刻,以使得各個發光二極體2的第二電極22相對絕緣層3裸露。
步驟S2中,還藉由蒸鍍、印刷、噴墨打印、物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)等方式在絕緣層3遠離基板1的一側形成金屬層40。
請參閱圖7,步驟S2中,還藉由化學機械拋光、金屬剝離工藝、黃光等方式對金屬層40進行圖案化以形成複數連接墊4,每一連接墊4連接一發光二極體2的第二電極22並嵌設於絕緣層3中。本實施例中,每一連接墊4遠離基板1的表面相對絕緣層3裸露,並與絕緣層3遠離基板1的表面平齊。
請參閱圖8,步驟S3中,在絕緣層3遠離基板1的表面形成複數透明電極5。每一透明電極5電連接一連接墊4。本實施例中,透明電極5在基板1上的正投影的面積大於第二電極22在基板1上的正投影的面積,也大於連接墊4在基板1上的正投影的面積。並且本實施例中,透明電極5在基板1上的正投影完全覆蓋第二電極22在基板1上的正投影,也完全覆蓋連接墊4在基板1上的正投影。
步驟S4中,在絕緣層3遠離基板1的表面形成複數導線6,使得每一導線6對應電連接一透明電極5,即可得到圖2所示的發光模組10。
本實施例的發光模組製造方法,有利於降低發光模組10中導電結構(透明電極及第二電極)的對位難度,從而有利於提升發光模組10的製造良率。 實施例二
本實施例的顯示裝置200如圖9所示,其與實施例一中顯示裝置100的主要區別在於,顯示裝置200為非自發光型的顯示裝置。
請參閱圖8,本實施例的顯示裝置200包括層疊設置的發光模組20及顯示模組30,發光模組20用於提供光源光L1,顯示模組30位於光源光L1的光路上,用於調製光源光L1以出射圖像光L2,圖像光L2可用於展示圖像。本實施例中,顯示模組30例如為液晶顯示模組,其包括液晶層、偏光片、陣列基板等結構。
本實施例中,發光模組20的各個發光二極體2用於發射相同顏色的光源光。
本實施例中發光模組20內的其他結構、製造方法如實施例一中所述。
本實施例的顯示裝置200、發光模組20,也實現如實施例一中所述的所有有益效果。
本技術領域之普通技術人員應當認識到,以上之實施方式僅是用來說明本發明,而並非用作為對本發明之限定,只要於本發明之實質精神範圍之內,對以上實施例所作之適當改變及變化均落於本發明要求保護之範圍之內。
100、200:顯示裝置 10、20:發光模組 1:基板 11:玻璃板 12:驅動電路 2:發光二極體 21:第一電極 22:第二電極 23:發光層 3:絕緣層 40:金屬層 4:連接墊 5:透明電極 6:導線 30:顯示模組 L1:光源光 L2:圖像光 S1、S2、S3、S4:步驟
圖1為本申請實施例一的顯示裝置的結構示意圖。
圖2為圖1所示顯示裝置中的發光模組的剖面結構示意圖。
圖3為圖2中發光模組的平面結構示意圖。
圖4為本申請實施例一的一變更實施例中發光模組的剖面結構示意圖。
圖5為本申請實施例一的發光模組製造方法的流程圖。
圖6為本申請實施例一的發光模組在步驟S2時的一剖面結構示意圖。
圖7為本申請實施例一的發光模組在步驟S2時的另一剖面結構示意圖。
圖8為本申請實施例一的發光模組在步驟S3時的剖面結構示意圖。
圖9為本申請實施例二的顯示裝置的結構示意圖。
10:發光模組
1:基板
11:玻璃板
12:驅動電路
2:發光二極體
21:第一電極
22:第二電極
23:發光層
3:絕緣層
4:連接墊
5:透明電極
6:導線

Claims (10)

  1. 一種發光模組,其改良在於,包括: 基板,包括驅動電路,用於輸出第一驅動訊號; 發光二極體,位於所述基板上且電連接所述驅動電路,所述發光二極體包括第一電極、第二電極以及位於所述第一電極與所述第二電極之間的發光層,所述第一電極電連接所述驅動電路,用於接收所述第一驅動訊號; 透明電極,電連接於所述第二電極遠離所述發光層的一側,所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述第二電極在所述基板上的投影面積;以及 導線,電連接所述透明電極,所述導線用於傳輸第二驅動訊號,所述發光層用於根據所述第一驅動訊號及所述第二驅動訊號發射光源光。
  2. 如請求項1所述的發光模組,其中,所述透明電極在所述基板上的投影完全覆蓋所述第二電極在所述基板上的投影。
  3. 如請求項1所述的發光模組,其中,還包括連接墊,所述連接墊電連接於所述第二電極與所述透明電極之間; 所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述連接墊在所述基板上的投影面積。
  4. 如請求項3所述的發光模組,其中,所述透明電極在所述基板上的投影完全覆蓋所述連接墊在所述基板上的投影。
  5. 如請求項1所述的發光模組,其中,所述導線電連接所述驅動電路,所述驅動電路還用於輸出所述第二驅動訊號。
  6. 如請求項1所述的發光模組,其中,還包括絕緣層,所述絕緣層覆蓋於所述基板設置有所述發光二極體的表面; 所述發光二極體嵌設於所述絕緣層中; 所述透明電極位於所述絕緣層遠離所述基板的一側;且 所述導線至少部分位於所述絕緣層遠離所述基板的一側。
  7. 如請求項1至6中任一項所述的發光模組,其中,包括複數所述發光二極體及複數所述透明電極,各個所述透明電極相互間隔以電絕緣,所述發光二極體及所述透明電極一一對應。
  8. 一種顯示裝置,其改良在於,包括如請求項7所述的發光模組,至少部分所述發光二極體發射的所述光源光顏色不同,各個所述發光二極體發射的光源光用於共同顯示圖像。
  9. 一種顯示裝置,其改良在於,包括: 如請求項7所述的發光模組;以及 顯示模組,位於所述光源光的光路上,所述顯示模組用於調製所述光源光以顯示圖像。
  10. 一種發光模組製造方法,其改良在於,包括: 提供一包括驅動電路的基板,所述驅動電路用於輸出第一驅動訊號; 在所述基板上設置包括第一電極、第二電極及位於所述第一電極及所述第二電極之間的發光層的發光二極體,使得所述第一電極電連接所述驅動電路以接收所述第一驅動訊號; 在所述第二電極遠離所述發光層的一側覆蓋電連接所述第二電極的透明電極,且使得所述透明電極在所述基板上的投影面積大於所述第二電極在所述基板上的投影面積;以及 電連接所述透明電極至傳輸第二驅動訊號的導線,使得所述發光層根據所述第一驅動訊號及所述第二驅動訊號發射光源光。
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JP5201566B2 (ja) * 2006-12-11 2013-06-05 豊田合成株式会社 化合物半導体発光素子及びその製造方法
KR100875128B1 (ko) * 2007-01-16 2008-12-22 한국광기술원 고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP2013008817A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
CN103078026A (zh) * 2012-10-11 2013-05-01 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 半导体发光元件及其制造方法
CN107579102B (zh) * 2017-08-31 2020-07-07 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108198933B (zh) * 2018-01-02 2020-01-31 扬州乾照光电有限公司 一种led芯片、制备方法及led晶片

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