JP2017539088A - マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器 - Google Patents

マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2017539088A
JP2017539088A JP2017528916A JP2017528916A JP2017539088A JP 2017539088 A JP2017539088 A JP 2017539088A JP 2017528916 A JP2017528916 A JP 2017528916A JP 2017528916 A JP2017528916 A JP 2017528916A JP 2017539088 A JP2017539088 A JP 2017539088A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
micro light
light emitting
substrate
defect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017528916A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6630357B2 (ja
Inventor
チュエンボ ゾウ、
チュエンボ ゾウ、
ジャ ワン、
ジャ ワン、
Original Assignee
ゴルテック．インク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ゴルテック．インク filed Critical ゴルテック．インク
Publication of JP2017539088A publication Critical patent/JP2017539088A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6630357B2 publication Critical patent/JP6630357B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/81005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/81024—Applying flux to the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/83005—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器を開示する。【解決手段】マイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する該方法は、受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥パターンを取得することと、レーザー透過性の修復キャリア基板に欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成することと、修復キャリア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板における欠陥位置に合わせ、欠陥位置の接続パッドと接触させることと、修復キャリア基板側からレーザーで修復キャリア基板を照射することにより、修復キャリア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することと、を含む。【選択図】図１１

Description

本発明は、表示に用いられるマイクロ発光ダイオードに関し、より具体的には、マイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する方法、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法、マイクロ発光ダイオード装置マイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器に関する。
マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）技術は、マイクロサイズのＬＥＤアレイを基板に高密度集積することである。現在、マイクロ発光ダイオード技術は発展し始め、産業界では、高品質マイクロ発光ダイオード製品の市場登場が期待されている。高品質マイクロ発光ダイオード製品は、既に市場に登場している例えばＬＣＤ／ＯＬＥＤのような従来の表示製品に対し多大な影響を与えている。
マイクロ発光ダイオードの製造過程において、まずドナーウェハにマイクロ発光ダイオードを形成し、続いてマイクロ発光ダイオードを、例えばディスプレイである受け基板に搬送する。
マイクロ発光ダイオードの製造過程における１つの難題は、如何にマイクロ発光ダイオードをドナーウェハから受け基板に搬送するかである。従来技術において、一般的に静電型ピックアップの方式により前記搬送を実行する。静電型ピックアップの過程には搬送ヘッドアレイを使用する必要がある。搬送ヘッドアレイは、その構造が比較的複雑であり、その信頼性を考慮しなければならない。搬送ヘッドアレイを製造するには余分なコストがかかる。搬送ヘッドアレイによるピックアップの前には位相変化を発生させる必要がある。また、搬送ヘッドアレイによる製造過程に、マイクロ発光ダイオードの位相変化に用いられるサーマルバジェットは制限され、一般的に３５０℃より小さく、又は、より具体的には、２００℃より小さく、そうでなければ、マイクロ発光ダイオードの性能が劣化する。一般的に、搬送ヘッドアレイによる製造過程に２回搬送する必要があり、すなわち、ドナーウェハからキャリアウエハまでの搬送及びキャリアウエハから受け基板までの搬送である。
米国特許ＵＳ８、３３３、８６０Ｂ１は、マイクロデバイスを搬送するのに用いられる搬送ヘッドアレイを開示し、搬送ヘッドにおける電極に電圧を印加することによってマイクロデバイスをピックアップする。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
米国特許ＵＳ８、４２６、２２７Ｂ１は、マイクロ発光ダイオードアレイを形成する方法を開示し、搬送ヘッドを使用してマイクロ発光ダイオードアレイを受け基板に搬送する。ここで、該特許は参考として本明細書に全て引用される。
本発明の１つの目的は、マイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる新たな技術的解決手段を提供することである。
本発明の一実施例によれば、受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥パターンを取得することと、レーザー透過性の修復キャリア基板に欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成することと、修復キャリア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板における欠陥位置に合わせ、欠陥位置の接続パッドと接触させることと、修復キャリア基板側からレーザーで修復キャリア基板を照射することにより、修復キャリア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することとを含む、マイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する方法を提供する。
好ましくは、欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成するステップは、欠陥パターンでマイクロ発光ダイオードを仮基板に取り付けることと、仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に搬送することとを含む。
好ましくは、仮基板には接着剤が塗布され、マイクロ発光ダイオードを仮基板に取り付けるステップは、レーザー透過性のオリジナル基板におけるマイクロ発光ダイオードを接着剤と接触させることと、欠陥パターンに従って、レーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することと、部分接着剤の放出により、欠陥パターンに従う剥離されたマイクロ発光ダイオードを仮基板に残し、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することと、を含む。
好ましくは、仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に搬送するステップは、仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に結合させることと、完全接着剤の放出により、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離することとを含む。
好ましくは、仮基板におけるマイクロ発光ダイオードはポリマーフィルムを介して修復キャリア基板に結合され、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離した後、ポリマーフィルムの少なくとも一部を除去する。
好ましくは、前記接着剤はＵＶ照射テープであり、前記仮基板はＰＥＴ板である。
好ましくは、ＵＶ露光により前記部分接着剤の放出と完全接着剤の放出を実行する。
好ましくは、部分接着剤の放出に使用される露光時間とエネルギーは標準露光時間とエネルギーより小さく、完全接着剤の放出に使用される露光時間又はエネルギーは標準露光時間又はエネルギーより大きく又は等しい。
好ましくは、修復キャリア基板はサファイア基板である。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を使用して受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復することを含む、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を提供する。
本発明の別の実施例によれば、本発明による方法を使用して製造されたマイクロ発光ダイオード装置を提供する。
本発明の別の実施例によれば、本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む電子機器を提供する。
また、当業者であれば、従来技術に多くの問題が存在するが、本発明の各実施例又は請求項の技術的解決手段は、１つ又は複数の問題点のみを改善し、従来技術又は背景技術に挙げられた全ての技術的問題を同時に解決する必要がないことを理解すべきである。当業者であれば、１つの請求項に言及されていない内容を該請求項を制限するものとしてはならないことを理解すべきである。
以下、本発明のその他の特徴及びその利点が明瞭であるように、図面を参照して本発明の例示的な実施例を詳細に説明する。
添付の図面は明細書に合わせられ明細書の一部となり、本発明の実施例を示し、その説明とともに本発明の原理を解釈するのに用いられる。
本発明による方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明による方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。 本発明による横方向マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を示す。 本発明による横方向マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。 本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。 本発明による方法のまた別の例示的な実施例を示すフローチャートである。 本発明による欠陥を有するマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる一実例を示す。 本発明による欠陥を有するマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる一実例を示す。 本発明による欠陥を有するマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる一実例を示す。 本発明による欠陥を有するマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる別の実例を示す。 本発明による欠陥を有するマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる別の実例を示す。 図１５ＢにおいてブロックＡにより示された領域の拡大図である。 図１５ＢにおいてブロックＡにより示された領域の拡大図である。
以下、図面を参照して本発明の様々な例示的な実施例を詳細に説明する。注意すべきことは、別途具体的な説明がない限り、こられの実施例に記載の部品とステップの相対位置、数式及び数値は本発明の範囲を制限するものではない。
以下、少なくとも１つの例示的な実施例に対する説明は実質的に解釈的なものに過ぎず、本発明及びその応用又は使用を制限するものではない。
かかる分野における一般技術者の公知する技術、方法及び装置に対する詳細な説明は省略されるかも知れないが、適切な場合、前記技術、方法及び装置は明細書の一部と見なされるべきである。
ここで例示し検討される全ての実例において、いかなる具体的な数値は例示的なものに過ぎず、制限するためのものではないと解釈されるべきである。そのため、例示的な実施例のその他の実例は異なる数値を有することができる。
注意すべきことは、類似する符号とアルファベットは以下の図面において類似する項目を表示するため、ある項目が１つの図面に定義された場合、後の図面においてはさらに検討する必要がない。
以下、図面を参照して本発明の実施例と実例を説明する。
図１は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法の一例示的な実施例を示すフローチャートである。
図１に示すように、ステップＳ１１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
前記レーザー透過性のオリジナル基板は、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板などであってもよい。前記マイクロ発光ダイオードは、ディスプレイパネルに取り付けられても良い。
当業者であれば、オリジナル基板に１つのマイクロ発光ダイオードを形成してもよく、又は複数のマイクロ発光ダイオードを形成してもよいことを理解すべきである。例えば、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードを形成することができる。前記複数のマイクロ発光ダイオードはアレイを形成することができる。
一実例において、レーザー透過性のオリジナル基板に複数のマイクロ発光ダイオードが形成される場合、オリジナル基板は更に複数に分割され、より柔軟に搬送されることができる。
ステップＳ１２００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
例えば、前記受け基板はディスプレイパネルである。
例えば、前記接続パッドは、ディスプレイに用いられる赤色画素アレイ、黄色画素アレイ又は青色画素アレイに設置されることができる。
一実例において、複数のマイクロ発光ダイオードが形成された場合、複数のマイクロ発光ダイオードの少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された少なくとも１つの接続パッドと接触させることができる。前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードは、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちの１つ、複数又は全部であってもよい。当業者であれば、ここで、剥離される少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと接続パッドが接触することだけを説明したが、前記複数のマイクロ発光ダイオードのうちその他のマイクロ発光ダイオードも接続パッドと接触することができることを理解すべきである。
例えば、接触のステップにおいて、マイクロ発光ダイオードを液体フィルムを介して受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることができる。例えば、前記液体フィルムは、フラックスを含むことができる。ここで、液体フィルム（フラックス）の表面張力によって、マイクロ発光ダイオードは剥離されやすくなり、且つ成功率も非常に高い。
ステップＳ１３００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
一実例において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードが接続パッドと接触する場合、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板における少なくとも１つの領域を照射することにより、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域を技術者により選択することができる。例えば、前記少なくとも１つの領域は、それぞれ前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードに対応することができる。前記少なくとも１つの領域は、オリジナル基板における一部の領域のみであってもよく、又は全ての領域であってもよい。
別の実例において、更に前記オリジナル基板を移動することによって、別のマイクロ発光ダイオードを搬送することができる。
別の実例において、オリジナル基板を使用して搬送した後、ディスプレイパネルにおける一部のドットにマイクロ発光ダイオードが欠損する場合に対応するために、別のレーザー透過性のバックアップ基板を使用することができる。例えば、別のバックアップ基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、バックアップ基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッド（欠損位置）と接触させ、バックアップ基板側からレーザーでバックアップ基板を照射することにより、バックアップ基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。このような方式で、更にディスプレイの品質を向上させることができる。
マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送した後、受け基板にマイクロ発光ダイオードアレイを形成することができる。
マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送した後に、更に後続のステップを含むことができる。
例えば、更に受け基板において、剥離されたマイクロ発光ダイオードに対するリフロー半田付けを行うことができる。更に、マイクロ発光ダイオードに負極を蒸着させることができる。各色のマイクロ発光ダイオードが搬送された後にリフロー半田付けを行うことができる。これに代えて、全ての色のマイクロ発光ダイオードが搬送された後にリフロー半田付けを行ってもよい。
また、更に半田付けされたマイクロ発光ダイオードに対するポリマー充填を行うことができる。例えば、更にテーパ状の誘電体蒸着でポリマー充填を代替することができる。
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えばディスプレイパネルである。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えばディスプレイ装置である。
別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えばディスプレイ装置を更に含む。本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用することで、前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
従来技術に対して、同じ条件において、本発明の技術的解決手段により製造されたマイクロ発光ダイオードは、より簡単で、確実であり高性能を維持することができ、その生産率も高く、コストも低い。
別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は本発明によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
本発明の技術的解決手段において、直接オリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成し、レーザーリフトオフの方式により受け基板に搬送する。本発明の技術的解決手段は従来技術において想到できなかったものである。
また、本発明によれば、マイクロ発光ダイオードを選択的に搬送することができる。
また、本発明の技術的解決手段において、１回のみの搬送を行うことができるが、従来技術においては２回の搬送を行わなければならない。
また、従来技術に比べて、本発明の技術的解決手段は更に高効率で、コストがより低く、且つ、余分な熱消費による製品性能の劣化が発生しない。
また、ピックアップヘッドを用いる従来技術に比べて、本発明は複雑なピックアップシステムの必要がないため、本発明により製造された製品は、コストがより低く、より信頼できる。
また、従来技術におけるマイクロ発光ダイオードと中央部のキャリア基板との仮結合の必要がないため、本発明により、更にコストを削減することができる。
本発明ではピックアップヘッドを用いる従来技術において考慮しなければならない結合層の位相変化を考慮する必要がないため、本発明による製造方法は高い生産率を有することができ、余分な熱負荷の制限が小さい。そのため、同じ条件において、製造されたマイクロ発光ダイオードは更に高い性能を有する。
以下、図２Ａ〜２Ｇを参照して本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる一実例を説明する。
図２Ａに示すように、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板１にマイクロ発光ダイオード２を形成する。前記マイクロ発光ダイオード２は、例えば、垂直のマイクロ発光ダイオード構造を有する。マイクロ発光ダイオード２は、例えば、ｎ型にドーピングされたＧａＮ層、複数の量子井戸構造、ｐ型にドーピングされたＧａＮ層、ｐ型金属電極及びマイクロバンプなどを含む。
図２Ａに示すように、複数のマイクロ発光ダイオード２を分割することができる。
図２Ｂに示すように、オリジナル基板１を反転させ、液体フィルム（例えば、フラックスを含む）５を有する受け基板４と一致するように合わせる。マイクロ発光ダイオード２におけるマイクロバンプはフラックスと接触する。受け基板４には接続パッド３が予め設置されている。例えば、接続パッド３は、赤色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｒ、青色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｂと緑色マイクロ発光ダイオードを受けるのに用いられる接続パッド３ｇを含む。
図２Ｃに示すように、レーザー６でオリジナル基板における一部の領域７を選択的に照射することにより、形成された複数のマイクロ発光ダイオードから、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂをオリジナル基板から剥離する。
図２Ｄに示すように、オリジナル基板１を持ち上げる。液体フィルムの表面張力の作用で、選択されたマイクロ発光ダイオード２ａ、２ｂを簡単に剥離し、オリジナル基板１にその他のマイクロ発光ダイオードを残すことができる。
続いて、オリジナル基板を移動させ、図２Ｃ〜図２Ｄの操作を繰り返すことにより、複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することができる。
図２Ｅに示すように、複数のマイクロ発光ダイオードは受け基板４に搬送される。
図２Ｆに示すように、例えば、リフロー半田付けを介して複数のマイクロ発光ダイオードを受け基板に半田付けする。その後、フラックスを洗浄することができる。
図２Ｇに示すように、受け基板にポリマー８を充填し密閉する。その後、例えば、ＩＴＯ材料を利用して、Ｎ型金属電極９を蒸着させる。
図３は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法の別の例示的な実施例を示すフローチャートである。
図３に示すように、ステップＳ２１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
ステップＳ２２００において、受け基板に異方性導電層を設置する。
例えば、異方性導電層は、異方性導電膜（ＡＣＦ）、異方性導電ペースト（ＡＣＧ）と異方性導電テープ（ＡＣＴ）の少なくとも１つである。
ステップＳ２３００において、マイクロ発光ダイオードを受け基板における異方性導電層と接触させる。例えば、マイクロ発光ダイオードと受け基板における異方性導電層を接着させることができる。このステップにおいて、例えば、まずマイクロ発光ダイオードと受け基板における対応の接続パッドを位置合わせすることができる。
ステップＳ２４００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
例えば、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードに対してそれぞれ上記ステップを実行することができる。それぞれ３種類の発光ダイオードに対して上記搬送を実行することは、上記ステップに対する簡単な繰り返しと見なすことができるため、ここで、詳細な説明を省略する。上記ステップにおけるそれぞれが１つの解決手段において実行されたことがあれば、該解決手段は本発明の保護範囲に含まれる。
ステップＳ２５００において、異方性導電層を処理することにより、マイクロ発光ダイオード（電極）と受け基板における接続パッドを電気的に接続させる。
一実例において、補助基板を使用して、マイクロ発光ダイオード側から異方性導電層に圧力を印加することができる。例えば、異方性導電層を処理する温度は１５０℃〜２００℃であってもよい。例えば、印加される圧力は１ＭＰａ〜４ＭＰａである。例えば、圧力を印加する時間は１０秒〜３０秒である。
一実例において、補助基板は平板型のリジッド基板であってもよい。本願の発明者は、リジッド基板を用いることによってマイクロ発光ダイオードに発生可能な変位を減少させることができることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。
例えば、補助基板の表面には仮結合のポリマーが塗布されることができる。この場合、ステップＳ２５００は、さらに、仮結合のポリマーを介して補助基板を異方性導電層に結合させることと、圧力を印加した後、仮結合のポリマーを介して補助基板を結合解除させることによって、補助基板を除去することと、を含むことができる。補助基板をマイクロ発光ダイオードと仮結合させる利点は、マイクロ発光ダイオードの位置を相対的に固定し、異方性導電層を処理する期間におけるマイクロ発光ダイオードの変位を減少させることができることである。
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対し通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、仮結合のポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
例えば、受け基板は表示基板であってもよい。受け基板には、マイクロ発光ダイオードに電気的に接続させるために、リード線及び接続パッドを予め設置することができる。
この実施例において、異方性導電層によりマイクロ発光ダイオードと受け基板を接続させる。このような処理は比較的に簡単であり、大量生産により適切である。
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を更に含む。該製造方法は、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
該別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用して前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置において、マイクロ発光ダイオードは、異方性導電層を介して受け基板における接続パッドと電気的に接触するが、これは従来技術におけるマイクロ発光ダイオード装置と異なる。
該別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
図４Ａ〜図４Ｌは本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる別の実例を示す。
図４Ａに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板２０１には赤色マイクロ発光ダイオード２０２がある。例えば表示基板などの受け基板２０４には異方性導電膜（ＡＣＦ）２０３がある。受け基板２０４はマイクロ発光ダイオードを接続するための信号リード線２０５及び接続パッド２０５’を有する。
図４Ｂに示すように、小さい力でオリジナル基板２０１（赤色マイクロ発光ダイオード２０２）を異方性導電膜２０３と接触させる。例えば、搬送しようとする赤色マイクロ発光ダイオード２０２を受け基板２０４における接続パッドと位置合わせすることができる。レーザー２０６でオリジナル基板２０１を照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｃには剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒが示されている。
図４Ｄはオリジナル基板２０７及びその緑色マイクロ発光ダイオード２０８を示す。剥離しようとする緑色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
図４Ｅは、緑色マイクロ発光ダイオード２０８が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２０９を介して少なくとも１つの緑色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｆは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒと緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇを示す。
図４Ｇはオリジナル基板２１０及びその青色マイクロ発光ダイオード２１１を示す。剥離しようとする青色マイクロ発光ダイオードは受け基板２０４における接続パッドと位置合わせられている。
図４Ｈは、青色マイクロ発光ダイオード２１１が小さい力により異方性導電膜２０３と接触することを示す。レーザー２１２を介して少なくとも１つの青色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図４Ｉは剥離後の赤色マイクロ発光ダイオード２０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード２０８ｇと青色マイクロ発光ダイオード２１１ｂを示す。
３色の発光ダイオードを搬送した後、欠陥が存在するか否かを点検し、修復することができる。
図４Ｊには補助基板２１３が示されている。補助基板２１３は平板型のリジッド基板、例えば、ガラス基板である。補助基板２１３には、ポリマー２１４、例えば、３Ｍ ＬＣ５２００／５３２０ポリマーが塗布されている。該ポリマーは、例えば紫外線により硬化されることができ、且つ赤色レーザーにより結合解除されることができる。
図４Ｋにおいて、補助基板２１３を介してＡＣＦ ２０３に対する処理を行う。例えば、処理条件は、温度が１５０℃〜２００℃、印加される圧力が１ＭＰａ〜４ＭＰａ、圧力を印加する時間が１０秒〜３０秒である。前記処理により、ＡＣＦ ２０３は垂直方向にマイクロ発光ダイオードを対応する接続パッドと接続させる。
その後、（ポリマー２１４を介して）補助基板２１３に対する結合解除を行う。
図４Ｌにおいて、下記のような通常の後続処理を実行する。ポリマー２１４をエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極２１５（例えば、ＩＴＯ材料電極）を形成し、Ｎ電極においてパッケージング２１６（例えば、ＰＥＴ積層を行う）を行う。
図５は本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法のもう一つの例示的な実施例を示すフローチャートである。
図５に示すように、ステップＳ３１００において、少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から支持体に搬送する。例えば、オリジナル基板はレーザー透明性を有する。
一例において、該ステップは、マイクロ発光ダイオードが形成されているオリジナル基板を、表面に光放出接着剤がある支持体に取り付けることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射して、オリジナル基板から前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することと、支持体側から光を照射することにより、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することとを含むことができ、前記マイクロ発光ダイオードは光放出接着剤を介して支持体に接着される。この実例において、支持体は透光性を有する。
例えば、前記光放出接着剤は紫外線照射テープ（ＵＶ Ｔａｐｅ）であってもよい。例えば、支持体は剛性のものである。搬送過程に、マイクロ発光ダイオードの変位は最終的製品の品質に影響を与える。本願の発明者は、剛性の支持体を用いることによって、このような変位を減少させることを発見した。これは当業者にまだ注目されていないところである。例えば、支持体の材料はＰＥＴであってもよい。
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透明性の基板に形成されにくい。そのため、一実例において、予め赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後赤色マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板に搬送することによって、最終的に受け基板に搬送することができる。例えば、該実施例において、成長基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成することができる。続いて、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板に搬送する。その後、赤色マイクロ発光ダイオードを中間基板からオリジナル基板に搬送する。
ステップＳ３２００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを支持体からバックアップ基板に搬送する。
例えば、バックアップ基板はその表面にエラストマー又はポリマーを有する。例えば、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをバックアップ基板に結合させる。
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを有する支持体をバックアップ基板に結合させることと、支持体側から光を照射して、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを放出することと、を含むことができる。
ステップＳ３３００において、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードをバックアップ基板から受け基板に搬送する。
一実例において、該ステップは、さらに、前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードと受け基板における接続パッドを位置合わせすることと、エラストマー又はポリマーを介して前記少なくとも１つのマイクロ発光ダイオードを剥離することとを含むことができる。
例えば、それぞれ赤色マイクロ発光ダイオード、青色マイクロ発光ダイオードと緑色マイクロ発光ダイオードに対して上記搬送ステップを実行することができる。ここで、詳細な説明を省略する。
上記処理の後、マイクロ発光ダイオードに対して通常の後続処理を実行することができる。例えば、後続処理は、マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマーを塗布することと、ポリマーを硬化させることと、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させることと、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極を形成することと、Ｎ電極においてパッケージングを行うことと、を含むことができる。
本発明の発明者は、マイクロ発光ダイオードの搬送過程に、一般的にオリジナル基板における一部のマイクロ発光ダイオードのみを搬送することを発見した。直接マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送する場合、オリジナル基板に残されたマイクロ発光ダイオードを汚染させやすい。この実施例において、中間を経由する支持体の搬送により、このような汚染を減少させることができる。
該もう一つの実施例において、本発明は、さらに、マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を含む。該製造方法は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を使用してマイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
該また別の実施例において、本発明は、マイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を更に含む。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を利用することで前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
該また別の実施例において、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
一般的に、赤色マイクロ発光ダイオードは、例えばサファイア基板などのレーザー透過性のオリジナル基板に直接形成されることができない。そのため、予め別の基板に赤色マイクロ発光ダイオードを形成し、その後、サファイア基板に搬送しなければならない。図６Ａ〜図６は本発明による赤色マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる実例を示す。
図６Ａに示すように、例えばＧａＡｓ基板などの成長基板３０１に赤色マイクロ発光ダイオード３０２を形成する。
図６Ｂに示すように、仮結合のポリマー３０３により、赤色マイクロ発光ダイオード３０２と例えばシリコン基板などの中間基板３０４を結合させる。ポリマー３０３は、例えば、熱剥離テープ（ＴＲＴ）である。
図６Ｃに示すように、例えば、湿式エッチングにより成長基板３０１を除去する。
図６Ｄに示すように、例えばサファイア基板などのオリジナル基板３０６にフォトレジスト３０５が塗布されている。フォトレジスト３０５により、オリジナル基板３０６は赤色マイクロ発光ダイオード３０２に結合される。フォトレジスト３０５は、２００℃以上の温度に耐えられるが、一般的には２５０℃以上である。
図６Ｅに示すように、２００℃より小さい温度で、ポリマー３０３を処理して、中間基板３０４を除去する。
図６Ｆに示すように、各赤色マイクロ発光ダイオード３０２を隔離するために、フォトレジスト３０５に対するＯ２プラズマエッチングを実行する。
図７Ａ〜図７Ｌは、本発明によるマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられるまた別の実例を示す。
図７Ａに示すように、オリジナル基板４０６にはフォトレジスト４０５と赤色マイクロ発光ダイオード４０２がある。赤色マイクロ発光ダイオード４０２は紫外線照射テープ４１１に取り付けられている。紫外線照射テープ４１１は、剛性のＰＥＴ支持体４１２に位置する。レーザー４１３により、赤色マイクロ発光ダイオードを選択的に剥離する。
図７Ｂに示すように、支持体４１２側から紫外線を照射することにより、剥離されていない赤色マイクロ発光ダイオードを放出する。
剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、オリジナル基板４０６から離脱されやすい。図７Ｃに示すように、剥離された赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒは、紫外線照射テープ４１１に接着され、その他の赤色マイクロ発光ダイオードは依然としてオリジナル基板４０６に残される。
図７Ｄに示すように、例えばガラス基板などのバックアップ基板４１５にはエラストマー／ポリマー４１６がある。例えば、スピンコートによりエラストマー／ポリマー４１６をバックアップ基板４１５に塗布することができる。エラストマー／ポリマー４１６は、例えばＰＤＭＳ又は３Ｍ ＬＣ５３２０であってもよく、且つ、例えば紫外線により硬化されることができる。
図７Ｅに示すように、支持体側から紫外線を完全に照射することにより、赤色マイクロ発光ダイオード及びエラストマー／ポリマー４１６を放出する。
その後、例えば、マイクロ発光ダイオードにはマイクロバンプがない場合、銀ペーストを利用してバックアップ基板４１５におけるマイクロ発光ダイオードをシルクスクリーン印刷することができる。
図７Ｆに示すように、バックアップ基板４１５における赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒと受け基板４１７における接続パッド４１９を位置合わせする。例えば、受け基板４１７は表示基板であり、信号リード線４１８を含む。例えば、リフローにより、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒを接続パッド４１９に結合させる。リフローの温度は、例えば２６０℃より高くてもよい。その後、レーザーリフトオフにより、バックアップ基板４１５と受け基板４１７を分離する。
図７Ｇは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９と赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒがある。
図７Ｈはバックアップ基板４２０から受け基板４１７に緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇを搬送することを示す図である。バックアップ基板４２０はエラストマー／ポリマー４２１を有する。
図７Ｉは分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ及び緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇがある。
図７Ｊは、バックアップ基板４２３から受け基板４１７に青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂを搬送することを示す図である。バックアップ基板４２３はエラストマー／ポリマー４２４を有する。
図７Ｋは、分離後の受け基板４１７を示す。受け基板４１７には接続パッド４１９、赤色マイクロ発光ダイオード４０２ｒ、緑色マイクロ発光ダイオード４２２ｇ及び青色マイクロ発光ダイオード４２５ｂがある。
図７Ｌにおいて、搬送後のマイクロ発光ダイオードに対して下記のような通常の後続処理を実行する。マイクロ発光ダイオードを有する受け基板にポリマー４２６を塗布し、ポリマー４２６を硬化させ、ポリマーをエッチングすることによって、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層を露出させ、マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル層にＮ電極４２７を形成し、Ｎ電極においてパッケージング（図示せず）を行う。
本発明の技術的解決手段は、垂直構造のマイクロ発光ダイオードだけでなく、横方向構造のマイクロ発光ダイオード（フリップマイクロ発光ダイオード）を使用することもできる。上記図面に示された垂直構造のマイクロ発光ダイオードは例示的なものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。図８は横方向マイクロ発光ダイオードの実例を示す。
図８に示す実例において、マイクロ発光ダイオードは横方向マイクロ発光ダイオードである。横方向マイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は同一側に位置する。図８は赤色横方向マイクロ発光ダイオード５０５、緑色横方向マイクロ発光ダイオード５０６と青色横方向マイクロ発光ダイオード５０７を示す。横方向マイクロ発光ダイオード５０５は、Ｐ電極５０５ｐ（正極）とＮ電極５０５ｎ（負極）を含む。横方向マイクロ発光ダイオード５０６は、Ｐ電極５０６ｐとＮ電極５０６ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード５０７は、Ｐ電極５０７ｐとＮ電極５０７ｎを含む。
基板５０４にはリード線構造（接続パッドを含む）５１５ｐ、５１５ｎ、５１６ｐ、５１６ｎ、５１７ｐ、５１７ｎが設置されている。リード線構造５１５ｐ、５１６ｐ、５１７ｐは、正極に接続される。リード線構造５１５ｎ、５１６ｎ、５１７ｎは、負極に接続される。
図８の実例において、横方向マイクロ発光ダイオードの電極５０５ｐ、５０５ｎ、５０６ｐ、５０６ｎ、５０７ｐ、５０７ｎは、それぞれ異方性導電層５０３を介してリード線構造５１５ｐ、５１５ｎ、５１６ｐ、５１６ｎ、５１７ｐ、５１７ｎに接続される。
横方向マイクロ発光ダイオードの間にポリマー５０２を塗布することができる。更に横方向マイクロ発光ダイオードに透明なカバー層５０１を設置することができる。
図９は横方向マイクロ発光ダイオードの別の実例を示す。図９の実例と図８の実例の相違点は、図９において、横方向マイクロ発光ダイオードが半田（異方性導電層ではなく）を介して基板に接続されることである。
図９には赤色横方向マイクロ発光ダイオード６０５、緑色横方向マイクロ発光ダイオード６０６と青色横方向マイクロ発光ダイオード６０７が示されている。横方向マイクロ発光ダイオード６０５は、Ｐ電極６０５ｐとＮ電極６０５ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード６０６は、Ｐ電極６０６ｐとＮ電極６０６ｎを含む。横方向マイクロ発光ダイオード６０７は、Ｐ電極６０７ｐとＮ電極６０７ｎを含む。
基板６０４にはリード線構造（接続パッドを含む）６１５ｐ、６１５ｎ、６１６ｐ、６１６ｎ、６１７ｐ、６１７ｎが設置されている。リード線構造６１５ｐ、６１６ｐ、６１７ｐは正極に接続される。リード線構造６１５ｎ、６１６ｎ、６１７ｎは負極に接続される。
図９の実例において、例えば、横方向マイクロ発光ダイオードの電極６０５ｐ、６０５ｎ、６０６ｐ、６０６ｎ、６０７ｐ、６０７ｎは、半田突起６０２を含む。例えば、更に半田突起６０２にフラックスを塗布することができる。電極６０５ｐ、６０５ｎ、６０６ｐ、６０６ｎ、６０７ｐ、６０７ｎは、それぞれリード線構造６１５ｐ、６１５ｎ、６１６ｐ、６１６ｎ、６１７ｐ、６１７ｎ（例えば、リフロー半田付けにより）に接合される。
例えば、更に横方向マイクロ発光ダイオードと基板６０４の間にポリマー６０３を充填することができる。更に、横方向マイクロ発光ダイオードに透明なカバー層６０１を設置することができる。こられの処理は従来技術から公知されているものであるため、ここで、その詳細な説明を省略する。
従って、例えば、本発明は、更に横方向マイクロ発光ダイオードの具体的な応用を含むことができる。具体的に、本発明は、更にマイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法を提供することができる。該方法は、レーザー透過性のオリジナル基板に、Ｐ電極とＮ電極が同じ側に位置する横方向マイクロ発光ダイオードであるマイクロ発光ダイオードを形成することと、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させることと、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離することと、を含む。
横方向マイクロ発光ダイオードを用いる効果は、マイクロ発光ダイオードが搬送された後のＮ型金属電極処理を省略することができることである。更に、ウェハレベルでテストを行う時にＰ電極とＮ電極はいずれも既に形成されているため、ウェハレベルでの色分け及び／又はテストを簡略化することができる。
更に、例えば、この方法において、更に受け基板に異方性導電層を設置することにより、異方性導電層を通じて横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を接続パッドと接触させることができる。続いて、オリジナル基板から横方向マイクロ発光ダイオードを剥離した後、異方性導電層を処理し、横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板における接続パッドに電気的に接続させる。
例えば、異方性導電層は、異方性導電膜、異方性導電ペースト及び異方性導電テープの少なくとも１つであってもよい。
異方性導電層の接着性及び液体（例えば、フラックス）の表面張力を利用して横方向マイクロ発光ダイオードのＰ電極とＮ電極を受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる以外、本発明は、更に重力、静電気力及び／又は電磁力の作用を利用することで前記接触を実現することができる。
例えば、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射する場合、横方向マイクロ発光ダイオードはオリジナル基板から分離され、重力により、横方向マイクロ発光ダイオードは受け基板に落下する。
例えば、前記接続パッドに電圧を印加することによって静電気力を印加することができ、それにより静電気力の作用を利用して、横方向マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残す。
例えば、横方向マイクロ発光ダイオードに磁気材料（例えばＮｉ）が含まれている場合、磁場を設置し、電磁力の作用を利用して、横方向マイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残すことができる。
同様に、更に、この横方向マイクロ発光ダイオードを応用した実例における搬送方法をマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法に応用することによって、横方向マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することができる。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
例えば、更に、前記製造方法を使用することでマイクロ発光ダイオード装置、例えば、ディスプレイ装置を製造することができる。このようなマイクロ発光ダイオード装置は横方向マイクロ発光ダイオードを用いる。
例えば、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記マイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
図１０は本発明による非接触の作用力を利用してマイクロ発光ダイオードを搬送する一方法を示すフローチャートである。
図１０に示すように、マイクロ発光ダイオードの搬送に用いられる方法では、ステップＳ４１００において、レーザー透過性のオリジナル基板にマイクロ発光ダイオードを形成する。
前記マイクロ発光ダイオードは、例えば、横方向マイクロ発光ダイオードであってもよく、垂直構造のマイクロ発光ダイオードであってもよい。横方向マイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は同じ側に位置する。垂直構造のマイクロ発光ダイオードにおいて、Ｐ電極とＮ電極は反対側に位置する。
ステップＳ４２００において、オリジナル基板側からレーザーでオリジナル基板を照射することにより、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
ステップＳ４３００において、非接触の作用力を利用して、マイクロ発光ダイオードを受け基板に予め設置された接続パッドと接触させる。
非接触の作用力とは、このような作用力自体を印加する時、物体同士の直接接触が要らないことを指す。例えば、非接触の作用力は、磁場を介して印加することができる。これは異方性導電層の接着性及び液体（例えば、フラックス）の表面張力を利用して印加する作用力と異なる。当業者であれば、非接触の作用力自体の印加には物体同士の直接接触が要らないが、非接触の作用力により物体同士の直接接触を保持することができることを理解すべきである。例えば、以下に非接触の作用力の幾つかの実例を提供する。
例えば、前記非接触の作用力は重力である。マイクロ発光ダイオードは受け基板の上方に位置する。剥離を実行した後、重力により、マイクロ発光ダイオードは受け基板に落下され受け基板に残される。
例えば、前記非接触の作用力は静電気力である。前記接続パッドに電圧を印加することによって前記静電気力を印加することができる。
例えば、前記非接触の作用力は電磁力である。マイクロ発光ダイオードに磁気材料が含まれる場合、磁石（例えば、永久磁石）により磁場を設置することによって、電磁力の作用を利用することができ、よってマイクロ発光ダイオードをオリジナル基板から剥離させた後、受け基板に残し、直接又は間接に接続パッドと接触させる。
この実施例では、非接触方式により、マイクロ発光ダイオードを受け基板に付着させるが、これは従来技術に想定されていないものである。
例えば、マイクロ発光ダイオードの電極は半田突起を含む。例えば、リフロー半田付けなどにより、前記半田突起を前記接続パッドに接合させる。
図１０におけるステップ順序は本発明に対する如何なる制限を構成しない。例えば、図１０にはステップＳ４２００がステップＳ４３００の前であると示されているが、重力、静電気力又は電磁力は、例えば、ステップＳ４２００の前又はステップＳ４２００を実行する時に印加されてもよい。言い換えると、例えば、ステップＳ４２００の前又はステップＳ４２００と共にステップＳ４３００を実行することができる。
同様に、更に、この搬送方法をマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法に応用することによって、マイクロ発光ダイオードを受け基板に搬送することができる。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、ディスプレイ装置である。
例えば、更に、前記製造方法を使用することでマイクロ発光ダイオード装置、例えばディスプレイ装置を製造することができる。
例えば、本発明は、電子機器を更に含む。該電子機器は、前記マイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
図１１は、本発明のまた別の実施例によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する方法を示すフローチャートである。
図１１に示すように、ステップＳ５１００において、受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥パターンを取得する。
例えば、自動目視検査、フォトルミネッセンス、電子光学検知、電気特性測定などにより、欠陥パターンを取得することができる。こられの検出方式は本発明の改善されたところではなく、従来技術であってもよいため、ここで、その詳細な説明を省略する。
ステップＳ５２００において、レーザー透過性の修復キャリア基板に欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成する。
一実例において、まず欠陥パターンでマイクロ発光ダイオードを仮基板に取り付けることができる。
例えば、前記仮基板は剛性のもの、例えばＰＥＴ板である。例えば、仮基板には接着剤、例えば、紫外線照射テープが塗布されている。よって、レーザー透過性のオリジナル基板におけるマイクロ発光ダイオードを接着剤と接触させることができる。続いて、欠陥パターンに従って、レーザーでオリジナル基板を照射し、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。部分接着剤を放出することによって、欠陥パターンに従った剥離後のマイクロ発光ダイオードは仮基板に残し、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出する。部分接着剤が放出された後、剥離されていないマイクロ発光ダイオードは依然としてオリジナル基板に残される。部分接着剤の放出とは、放出後、接着剤の残留接着力は既に剥離されたマイクロ発光ダイオードを十分にオリジナル基板から離脱させるが、剥離されていないマイクロ発光ダイオードはオリジナル基板から離脱させることができないことを指す。
続いて、仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に搬送する。
例えば、まず仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に結合させることができる。仮基板におけるマイクロ発光ダイオードは、例えば、ポリマーフィルムを介して修復キャリア基板に結合されることができる。続いて、完全接着剤を放出することによって、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離する。例えば、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離した後にポリマーフィルムの少なくとも一部、例えば、マイクロ発光ダイオードの間のポリマーフィルム部分を除去する。
例えば、ＵＶ露光により前記部分接着剤の放出と完全接着剤の放出を実行することができる。
一般的に、部分接着剤の放出に使用される露光時間又はエネルギーは標準露光時間又はエネルギーより小さく、すなわち、部分放出の露光時間は標準時間より小さく、及び／又は、部分放出のエネルギーは標準エネルギーより小さい。完全接着剤の放出に使用される露光時間又はエネルギーは標準露光時間又はエネルギーより大きい又は等しく、すなわち、完全に放出される露光時間は標準時間より大きい又は等しく、及び／又は、完全に放出されるエネルギーは標準エネルギーより大きい又は等しい。標準露光時間又はエネルギーとは、ちょうど、接着剤を完全に放出させるために必要な露光時間又はエネルギーであってもよく、又は公称露光時間又はエネルギーであってもよいことを指す。
ステップＳ５３００において、修復キャリア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板における欠陥位置に合わせ、欠陥位置の接続パッドと接触させる。
ステップＳ５４００において、修復キャリア基板側からレーザーで修復キャリア基板を照射することにより、修復キャリア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離する。
例えば、修復キャリア基板はサファイア基板である。上記のように、本発明において、採用される基板はレーザー透明性を有する。言い換えると、剥離されるマイクロ発光ダイオードのデバイスなどに比べ、照射しようとするレーザーに対して、該基板は透明であり、すなわち、更に高い透光率を有する。そのため、照射される時、レーザーのエネルギーは主にその後側のデバイス（マイクロ発光ダイオード）に吸収され、剥離を実現する。当然ながら、レーザー透過性の基板とデバイスの間の透光率の差が大きいほど、剥離の効果は良い。
該また別の実施例において、本発明は、更にマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を提供する。該製造方法は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する方法を使用して受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば、表示装置である。
該また別の実施例において、本発明は、更にマイクロ発光ダイオード装置、例えば表示装置を提供する。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用することで前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
該また別の実施例において、本発明は、更に電子機器を提供する。該電子機器は前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
大型マイクロ発光ダイオードが受け基板に搬送された後、一定の歩留まり損失が発生する。そのため、多くの場合、製品の品質を保証するために修復を実行しなければならない。従来技術においてはピックアップヘッドを用いて修復を実行する。従来技術の修復方式は比較的複雑であり、且つ効率が低い。本発明による修復方式は比較的簡単であり、及び／又は高い効率を有する。
図１２Ａ〜図１２Ｆは本発明によるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復するのに用いられる一実例を示す。
図１２Ａに示すように、オリジナル基板７０１にはマイクロ発光ダイオード７０３が形成されている。マイクロ発光ダイオード７０３は、欠陥のあるマイクロ発光ダイオードと良好なマイクロ発光ダイオードを含む。マイクロ発光ダイオードを接着剤層７０４を介して仮基板７０５に取り付ける。接着剤層７０４は、例えば紫外線照射テープである。前記仮基板７０５は、例えばＰＥＴ板である。欠陥パターンに従って、レーザー７０２でオリジナル基板７０１を照射することにより、オリジナル基板から欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを剥離する。
図１２Ｂに示すように、仮基板７０５側から紫外線７０６で接着剤層（紫外線照射テープ）７０４を部分的に露光させる。
図１２Ｃに示すように、部分的に露光された後、接着剤層７０４は依然として一定の残留接着性を有し、既にレーザーリフトオフされたマイクロ発光ダイオード７０３ｂを十分にオリジナル基板から離脱させるが、レーザーリフトオフされていないマイクロ発光ダイオード７０３ａは依然としてオリジナル基板に残される。欠陥パターンでマイクロ発光ダイオードに対するレーザーリフトオフを実行するため、接着剤層７０４（又は仮基板７０５）には欠陥パターンに基づいて配列された良好なマイクロ発光ダイオードがある。
図１２Ｄに示すように、ポリマーフィルム７０８を接合させることにより接着剤層７０４におけるマイクロ発光ダイオード７０３ｂを修復キャリア基板７０７に仮結合させる。続いて、接着剤層７０４を完全に露光させる。図１２Ｅに示すように、接着剤層７０４はマイクロ発光ダイオード７０３ｂから分離される。図１２Ｆは修復を行うのに用いられる修復キャリア基板７０７及びその上の欠陥パターンに基づくマイクロ発光ダイオード７０３ｂを示している。図１２Ｆに示すように、更に、マイクロ発光ダイオード７０３ｂの間の接合ポリマーフィルム７０８を除去し、マイクロ発光ダイオード７０３ｂと基板７０７との間のフィルム部分だけを残すことができる。
続いて、レーザーリフトオフの方式により、修復キャリア基板７０７を受け基板における欠陥を修復するのに用いることができる。
図１３は本発明のまた別の例示的な実施例による欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる方法を示すフローチャートである。
図１３に示すように、ステップＳ６１００において、レーザー透過性の基板における欠陥のあるマイクロ発光ダイオードの欠陥パターンを取得する。
例えば、自動目視検査、フォトルミネッセンス、電子光学検知又は電気特性測定により、欠陥パターンを取得することができる。
ステップＳ６２００において、欠陥パターンに従って、レーザー透過性の基板側からレーザーでレーザー透過性の基板を照射することにより、レーザー透過性の基板から欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを剥離する。
一実例において、剥離されたマイクロ発光ダイオードがレーザー透過性基板を離脱するように、接触の方式により作用力を印加する。例えば、レーザー透過性の基板におけるマイクロ発光ダイオードを紫外線照射テープに取り付けることができる。例えば、紫外線照射テープは剛性の支持体に付着されている。レーザーを介して欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを紫外線照射テープに剥離し、ＵＶ露光により欠陥のないマイクロ発光ダイオードをレーザー透過性の基板に残す。
別の実例において、非接触の作用力を利用して、レーザー透過性基板から欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを剥離することができる。前述のように、非接触の作用力は接触の方式により印加する必要がない。例えば、非接触の作用力は重力、静電気力と電磁力の少なくとも１つである。前述の方式でこられの作用力を印加することができる。
本発明によれば、マイクロ発光ダイオードが受け基板に搬送された後に修復を行うことができる以外に、又は、更に前記搬送の前にレーザー透過性の基板において修復を行うこともできる。例えば、レーザー透過性の基板において、剥離されたマイクロ発光ダイオードの位置に良好なマイクロ発光ダイオードを形成する。前述の修復方法を利用することによって、欠陥位置に良好なマイクロ発光ダイオードを形成することができる。
また別の実施例において、本発明は、更にマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を提供する。該製造方法は、前記実施例による欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除する方法を使用してレーザー透過性の基板における欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除することを含む。前記受け基板は、例えば、ディスプレイパネル又は表示基板である。前記マイクロ発光ダイオード装置は、例えば表示装置である。
該また別の実施例において、本発明は、更にマイクロ発光ダイオード装置、例えば表示装置を提供する。前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を製造する方法を使用することで前記マイクロ発光ダイオード装置を製造することができる。
該また別の実施例において、本発明は、更に電子機器を提供する。該電子機器は、前記実施例によるマイクロ発光ダイオード装置を含む。該電子機器は、例えば、携帯電話、タブレットＰＣなどであってもよい。
従来技術において、搬送を行う時、基板における良好なマイクロ発光ダイオードと欠陥のあるマイクロ発光ダイオードは、いずれも受け基板に搬送される。しかし、本発明の技術的解決手段によれば、周知の良好なマイクロ発光ダイオードのみが受け基板に搬送される。
図１４Ａ〜図１４Ｃは本発明による欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる一実例を示す。
この実例において、まず例えば、自動目視検査、フォトルミネッセンス、電子光学検知又は電気特性測定などによりレーザー透過性の基板における欠陥パターンを取得する。続いて、レーザー透過性の基板を紫外線照射テープに取り付ける。図１４Ａに示すように、紫外線照射テープ８０４は支持体８０５に位置する。レーザー透過性の基板８０１は、マイクロ発光ダイオード８０３を介して紫外線照射テープ８０４に取り付けられる。欠陥パターンに従って、レーザー８０２で基板８０１を照射し、基板８０１から欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを剥離する。
図１４Ｂに示すように、支持体８０５側から紫外線８０６で紫外線照射テープ８０４を部分的に露光させる。
図１４Ｃに示すように、部分的に露光された後、紫外線照射テープ８０４は依然として一定の残留接着性を有し、既にレーザーリフトオフされたマイクロ発光ダイオード８０３ｂを十分に基板８０１から離脱させ、レーザーリフトオフされていないマイクロ発光ダイオード８０３ａは依然として基板８０１に残される。
図１５Ａ〜図１５Ｂは本発明による欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除するのに用いられる別の実例を示す。
図１５Ａに示すように、基板（ウェハ）９０１には良好なマイクロ発光ダイオード９０２と欠陥のあるマイクロ発光ダイオード９０３がある。本発明による方法により、マイクロ発光ダイオードを基板９０１から受け基板（図示せず）に搬送する前に、欠陥のあるマイクロ発光ダイオード９０３を事前排除する。図１５Ｂは欠陥のあるマイクロ発光ダイオードを事前排除した後の基板９０１を示す。
図１６Ａ〜図１６Ｂは、図１５ＢにおけるブロックＡに示された領域の拡大図である。図１６Ａに示すように、位置９０３ａにおける欠陥のあるマイクロ発光ダイオードは事前排除される。図１６Ｂに示すように、直接基板９０１において修復を実行することにより、位置９０３ａに良好なマイクロ発光ダイオードを形成することができる。好ましくは、マイクロ発光ダイオードを基板９０１から受け基板に搬送した後に前記修復を実行してもよい。
既に実例を通じて本発明の幾つかの特定の実施例を詳細に説明したが、当業者であれば、以上の実例は説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲を制限するためのものではないことを理解すべきである。当業者であれば、本発明の範囲と趣旨を逸脱しない限り、上記実施例を修正することができることを理解すべきである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲により制限される。

Claims (12)

  1. マイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法であって、
    受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥パターンを取得することと、
    レーザー透過性の修復キャリア基板に欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成することと、
    修復キャリア基板におけるマイクロ発光ダイオードを受け基板における欠陥位置に合わせ、欠陥位置の接続パッドと接触させることと、
    修復キャリア基板側からレーザーで修復キャリア基板を照射することにより、修復キャリア基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することと、
    を含むことを特徴とするマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  2. 欠陥パターンに対応するマイクロ発光ダイオードを形成するステップは、
    欠陥パターンでマイクロ発光ダイオードを仮基板に取り付けることと、
    仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に搬送することと、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  3. マイクロ発光ダイオードを接着剤が塗布されている仮基板に取り付けるステップは、
    レーザー透過性のオリジナル基板におけるマイクロ発光ダイオードを接着剤と接触させることと、
    欠陥パターンに従って、レーザーでオリジナル基板を照射して、オリジナル基板からマイクロ発光ダイオードを剥離することと、
    部分接着剤の放出により、欠陥パターンに従う剥離されたマイクロ発光ダイオードを仮基板に残し、剥離されていないマイクロ発光ダイオードを放出することと、
    を含むことを特徴とする請求項２に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  4. 仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に搬送するステップは、
    仮基板におけるマイクロ発光ダイオードを修復キャリア基板に結合させることと、
    完全接着剤の放出により、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離することと、
    を含むことを特徴とする請求項３に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  5. 仮基板におけるマイクロ発光ダイオードは、ポリマーフィルムを介して修復キャリア基板に結合され、マイクロ発光ダイオードを仮基板から剥離した後、ポリマーフィルムの少なくとも一部を除去することを特徴とする、請求項４に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  6. 前記接着剤はＵＶ照射テープであり、前記仮基板はＰＥＴ板であることを特徴とする請求項３に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  7. ＵＶ露光により前記部分接着剤の放出と完全接着剤の放出を実行することを特徴とする請求項４に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  8. 部分接着剤の放出に使用される露光時間とエネルギーは標準露光時間とエネルギーより小さく、完全接着剤の放出に使用される露光時間又はエネルギーは標準露光時間又はエネルギーより大きく又は等しいことを特徴とする請求項７に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  9. 修復キャリア基板はサファイア基板であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法。
  10. マイクロ発光ダイオード装置を製造する方法であって、
    請求項１に記載の方法を使用して受け基板におけるマイクロ発光ダイオードの欠陥を修復する修復方法を含む、
    ことを特徴とするマイクロ発光ダイオード装置を製造する修復方法。
  11. 請求項１０に記載の修復方法を使用して製造されることを特徴とするマイクロ発光ダイオード装置である。
  12. 請求項１１に記載のマイクロ発光ダイオード装置を含むことを特徴とする電子機器。
JP2017528916A 2015-08-18 2015-08-18 マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器 Active JP6630357B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2015/087414 WO2017028206A1 (en) 2015-08-18 2015-08-18 Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017539088A true JP2017539088A (ja) 2017-12-28
JP6630357B2 JP6630357B2 (ja) 2020-01-15

Family

ID=58050494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017528916A Active JP6630357B2 (ja) 2015-08-18 2015-08-18 マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10020420B2 (ja)
EP (1) EP3218938B1 (ja)
JP (1) JP6630357B2 (ja)
CN (1) CN107251237B (ja)
WO (1) WO2017028206A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109078A (ko) * 2018-03-16 2019-09-25 한국광기술원 Led 구조체 전사장치
WO2020054538A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 東レエンジニアリング株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
JP2020096144A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 Tdk株式会社 素子アレイの製造方法と特定素子の除去方法
KR20200117814A (ko) * 2019-04-04 2020-10-14 영남대학교 산학협력단 Led 구조체 전사 방법

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721931B2 (en) * 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10177016B2 (en) * 2015-08-18 2019-01-08 Goertek Inc. Pre-screening method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10978530B2 (en) * 2016-11-25 2021-04-13 Vuereal Inc. Integration of microdevices into system substrate
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
TWI742163B (zh) * 2017-09-25 2021-10-11 優顯科技股份有限公司 對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構陣列
US20190181122A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-13 Innolux Corporation Electronic device and method of manufacturing the same
CN109935609A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 宏碁股份有限公司 微型化发光装置
EP3766105A4 (en) * 2018-03-14 2023-08-02 Boe Technology Group Co., Ltd. METHOD FOR TRANSFERRING A PLURALITY OF LIGHT EMITTING MICRO-DIODES TO A TARGET SUBSTRATE, MATRIX SUBSTRATE AND ASSOCIATED DISPLAY APPARATUS
KR20190114334A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
KR102558296B1 (ko) * 2018-07-10 2023-07-24 삼성전자주식회사 전자 장치, 마이크로 led 모듈 제조 방법 및 컴퓨터 판독가능 기록 매체
TW202008558A (zh) * 2018-07-23 2020-02-16 飛傳科技股份有限公司 晶片轉移之方法及其晶片轉移系統
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
KR20200054747A (ko) 2018-11-12 2020-05-20 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조방법
US11127720B2 (en) * 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
US20220199605A1 (en) * 2019-04-09 2022-06-23 Vuereal Inc. Repair techniques for micro-led devices and arrays
KR20200129340A (ko) * 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법
KR20200135069A (ko) * 2019-05-24 2020-12-02 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 디스플레이 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이
KR102642331B1 (ko) 2019-07-03 2024-03-04 삼성전자주식회사 마이크로 led 디스플레이 모듈 및 이를 제조하는 방법
US11658262B1 (en) 2019-07-12 2023-05-23 Innolux Corporation Method for manufacturing light emitting device
KR20210044430A (ko) * 2019-10-15 2021-04-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법, 중계 기판 및 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
US11508704B2 (en) 2019-12-17 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device and display panel having repaired light emitting device
US11901497B2 (en) * 2019-12-24 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device, apparatus for repairing light emitting device, and display panel having repaired light emitting device
CN111341886B (zh) * 2020-03-26 2022-03-11 中国电子科技集团公司第十一研究所 分离探测器混成芯片的工装、制备方法、分离方法
CN113471346A (zh) * 2020-03-31 2021-10-01 成都辰显光电有限公司 一种微发光二极管的修复方法
CN111477650B (zh) * 2020-04-16 2020-11-10 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移方法及转移装置
CN112582294B (zh) * 2020-12-09 2023-11-17 苏州芯聚半导体有限公司 微发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备
TWI766699B (zh) * 2021-05-25 2022-06-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 轉移電子元件之方法
CN113571608A (zh) * 2021-06-22 2021-10-29 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种磁辅助激光图案化Micro-LED巨量转移方法
CN113539127B (zh) * 2021-07-09 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
DE112022003692T5 (de) * 2021-07-26 2024-05-16 Vuereal Inc. Handhabung von mikroled-fehlern
CN113611787B (zh) * 2021-08-02 2023-03-14 东莞市中麒光电技术有限公司 芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法
TWI814434B (zh) * 2022-04-01 2023-09-01 友達光電股份有限公司 發光二極體陣列基板
CN218123408U (zh) * 2022-05-26 2022-12-23 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示面板及用于该显示面板的发光元件和背板
GB2622794A (en) * 2022-09-27 2024-04-03 Smartkem Ltd Selective transfer of micro-LEDs

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118124A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Sony Corp 素子実装方法
JP2006190851A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Sony Corp 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、微小発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置
JP2010251359A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 素子の移載方法
US20110151602A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
JP2012142489A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Sony Corp 発光装置、照明装置および表示装置
US20130285086A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Hsin-Hua Hu Method of forming a micro led device with self-aligned metallization stack
WO2014149864A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
WO2014204694A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 LuxVue Technology Corporation Led display with wavelength conversion layer
JP2015500562A (ja) * 2011-11-18 2015-01-05 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション マイクロ発光ダイオード

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002062825A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
JP3608615B2 (ja) 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
US8333860B1 (en) 2011-11-18 2012-12-18 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a micro device
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118124A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Sony Corp 素子実装方法
JP2006190851A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Sony Corp 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、微小発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置
JP2010251359A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Sony Corp 素子の移載方法
US20110151602A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
JP2012142489A (ja) * 2011-01-05 2012-07-26 Sony Corp 発光装置、照明装置および表示装置
JP2015500562A (ja) * 2011-11-18 2015-01-05 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション マイクロ発光ダイオード
US20130285086A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Hsin-Hua Hu Method of forming a micro led device with self-aligned metallization stack
WO2014149864A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
WO2014204694A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 LuxVue Technology Corporation Led display with wavelength conversion layer

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109078A (ko) * 2018-03-16 2019-09-25 한국광기술원 Led 구조체 전사장치
KR102076904B1 (ko) * 2018-03-16 2020-02-12 한국광기술원 Led 구조체 전사장치
WO2020054538A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 東レエンジニアリング株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
JP2020043188A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 東レエンジニアリング株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
JP2020096144A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 Tdk株式会社 素子アレイの製造方法と特定素子の除去方法
CN111326454A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 Tdk株式会社 元件阵列的制造方法和特定元件的除去方法
US11101317B2 (en) 2018-12-14 2021-08-24 Tdk Corporation Method of manufacturing element array and method of removing specific element
JP2021180317A (ja) * 2018-12-14 2021-11-18 Tdk株式会社 素子アレイの製造方法と特定素子の除去方法
JP7173228B2 (ja) 2018-12-14 2022-11-16 Tdk株式会社 素子アレイの製造方法と特定素子の除去方法
CN111326454B (zh) * 2018-12-14 2023-10-03 Tdk株式会社 元件阵列的制造方法和特定元件的除去方法
KR20200117814A (ko) * 2019-04-04 2020-10-14 영남대학교 산학협력단 Led 구조체 전사 방법
KR102240603B1 (ko) * 2019-04-04 2021-04-15 영남대학교 산학협력단 Led 구조체 전사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3218938A1 (en) 2017-09-20
JP6630357B2 (ja) 2020-01-15
CN107251237A (zh) 2017-10-13
CN107251237B (zh) 2019-12-13
US20170263811A1 (en) 2017-09-14
US10020420B2 (en) 2018-07-10
EP3218938B1 (en) 2020-09-30
WO2017028206A1 (en) 2017-02-23
EP3218938A4 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6630357B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器
JP2018506166A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
JP6744870B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの転写方法、製造方法、マイクロ発光ダイオード装置、及び電子機器
JP6375063B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP6533838B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP2018515942A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP6546278B2 (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
JP2018503986A (ja) マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、マイクロ発光ダイオード装置及び電子機器
JP2018515942A5 (ja)
JP2017539097A5 (ja)
JP2018506166A5 (ja)
JP2019140400A (ja) マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190813

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6630357

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250