WO2020054538A1 - 実装基板の製造方法および実装基板 - Google Patents

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transfer
guide layer
region
substrate
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清人 山本
新井　義之
義人 水谷
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東レエンジニアリング株式会社
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a mounting board for transferring and mounting an LED chip with high accuracy.
  • LED chips are being miniaturized to reduce costs, and efforts are being made to mount the miniaturized LED chips with high speed and high accuracy.
  • an LED chip called a micro LED having a size of 50 ⁇ m ⁇ 50 ⁇ m or less at high speed with a precision of several ⁇ m.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-163,197 discloses a method in which LED chips formed in a lattice shape on a wafer are irradiated with a belt-like laser beam, and are collectively transferred to a transfer substrate for one line or a plurality of lines, and then transferred to the transfer substrate.
  • a configuration is described in which a plurality of LED chips are irradiated with a belt-shaped laser beam to collectively transfer one line or a plurality of lines to a next transfer substrate.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the transfer substrate 100.
  • a wiring portion 102 is provided on the upper surface (the upper surface in the Z-axis direction) of the substrate 101 of the substrate to be transferred 100.
  • the wiring section 102 has a function of transmitting electric signals and the like from a power supply and a control device (not shown).
  • a connection layer 103 made of a connection agent containing a conductive substance is provided on an upper surface of a substrate 101 including a wiring portion 102.
  • the conductive agent in the connecting agent is heated between the metals, that is, the bump portion 106 and the wiring portion 102 of the LED chip 105 by heating, such as an anisotropic conductive paste containing solder particles of Sekisui Chemical Co., Ltd. Has the property of aggregating and hardening between them.
  • the LED chips 105 are transferred from the transfer substrate 104 to the transfer substrate 100 by separating the LED chips 105 from the transfer substrate 104 by a laser lift-off method. This is done by dropping on top.
  • the transfer substrate 100 on which the LED chip 105 is mounted is heated by a heating mechanism (not shown) to connect the LED chip 105 and the transfer substrate 100 to the connection layer 103.
  • the conductive material contained in the agent is interposed and connected. In this way, the LED chip 105 is mounted on the transfer substrate 100.
  • the fluidity of the coupling agent forming the coupling layer 103 is increased by heating, and a liquid flow occurs in the coupling agent of the coupling layer 103 in contact with the LED chip 105. Due to the liquid flow of the coupling agent, for example, as shown in FIG. 1C, there is a possibility that the position of the LED chip 105 on the transferred substrate 100 is shifted after the heat treatment. Here, the state of the LED chip 105 transferred to the correct position in FIG.
  • 105b shows a state where the LED chip 105 is transferred to a position where the LED chip 105 laterally flows due to the flow of the coupling agent after transfer, and a state where the LED chip 105 is transferred to a position where the LED chip 105 is rotated due to the flow of the coupling agent after transfer.
  • the state of the transfer at the inclined position due to the flow of the coupling agent after the transfer is shown on the LED chip 105d.
  • an object of the present invention is to reduce the displacement of an LED chip caused by the flow of a coupling agent on a transferred substrate after transfer.
  • a method of manufacturing a mounting substrate according to the present invention is a method of manufacturing a mounting substrate, in which an LED chip is transferred to a substrate to be transferred, and wherein at least a part of the LED chip on the substrate is transferred.
  • the wall surface of the depression formed by the guide layer and the area to be transferred serves as a guide, and the position of the LED chip can be regulated. Further, since the flow of the coupling agent is restricted in the depression of the guide layer, the flow of the liquid of the coupling agent at the time of transfer can be suppressed as compared with the case where the guide layer is not provided, and the displacement of the LED chip at the time of transfer can be reduced. .
  • the LED chip may have a bump portion, and a region where the bump portion is transferred to the transfer substrate may be the transfer region.
  • the transferred area is limited to the bump portion, the amount of the connecting agent is smaller than that of connecting the entire LED chip, and the flow of the connecting agent in the depression of the guide layer is further reduced.
  • the guide layer may be formed using a material having liquid repellency to the connecting agent.
  • the necessary portion of the coupling agent can be collectively filled by a printing method or the like.
  • the guide layer forming step includes a guide layer material applying step of applying a material for forming the guide layer on the transferred substrate, and a guide layer for removing the material forming the guide layer on the transferred area.
  • a material removing step is a guide layer material applying step of applying a material for forming the guide layer on the transferred substrate.
  • the guide layer on the transfer area can be easily formed by using a photolithography method, a laser ablation method, or the like after the material for forming the guide layer is applied to the transfer surface of the transfer substrate. .
  • the connecting agent inserting step may be performed simultaneously with the transferring step by transferring the LED chip on which the connecting agent is previously attached to a portion connected to the transfer target area.
  • the amount of the connecting agent can be minimized by attaching the connecting agent to the bump tip of the LED chip in advance.
  • the method for manufacturing a mounting board according to the present invention may further include an inspection step of inspecting the LED chip transferred to the transfer target substrate, and removing the guide layer near the LED chip determined to be defective in the inspection step.
  • the LED chip determined to be defective cannot be completely removed, it may be defective even if a new LED chip is mounted in the same location.
  • a small-sized LED chip for example, a micro LED chip
  • a space for mounting a new LED chip is often present on the mounting board between the mounted LED chips, and the spare LED chip is determined to be defective there. Since it is not necessary to remove the LED chip determined to be defective by newly mounting the LED chip in the vicinity of the LED chip, a reliable repair can be performed.
  • the coupling agent In the case of a guide layer formed of a material that repels a coupling agent, the coupling agent easily fits into a recess between the guide layer and a new transfer receiving region due to the effect of the liquid repellency. And the material utilization of the coupling agent is improved.
  • the mounting board of the present invention is a mounting board on which an LED chip having a bump portion is mounted on a substrate, wherein a connection region that is a region on the substrate to which the bump portion is connected, the bump portion and the connection region Between the bump region and the connection region, and a region around the connection region such that the connection region is depressed from a region around the connection region. And a bump layer is fitted in a recess surrounded by the guide layer and the transfer region.
  • the wall surface of the depression formed by the guide layer and the area to be transferred becomes a guide, and the position of the LED chip is changed. Can be regulated. Further, since the flow of the coupling agent is restricted in the depression of the guide layer, the flow of the liquid of the coupling agent at the time of transfer can be suppressed as compared with the case where the guide layer is not provided, and the displacement of the LED chip at the time of transfer can be reduced. .
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a flow of a method of manufacturing the mounting board according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a flow of a method of manufacturing the mounting board according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a method for manufacturing the mounting board according to the third embodiment.
  • FIG. 2 is a flowchart of the method of manufacturing the mounting board according to the first embodiment
  • FIGS. 3 and 4 are diagrams illustrating the method of manufacturing the mounting board according to the first embodiment.
  • the mounting substrate is manufactured in the order of the guide layer forming step (S11), the connecting agent inserting step (S12), the transfer step (S13), and the heat treatment step (S14). It is a manufacturing method.
  • the LED used in the method for manufacturing the mounting board according to the first embodiment of the present invention is, for example, an LED chip called a micro LED having a size of 50 ⁇ m ⁇ 50 ⁇ m or less.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of the substrate 11 provided with the wiring portion 12.
  • the wiring portion 12 is provided on the upper surface (the upper surface in the Z-axis direction) of the substrate 11.
  • the wiring section 12 is composed of a plurality of wirings long in the Y-axis direction, and is arranged in the X-axis direction at a pitch corresponding to the arrangement of the bump sections 6 at the position where the LED chips 5 are mounted on the substrate 10 to be transferred. It functions to transmit electric signals and the like from a power supply and a control device (not shown) to the LED chip 5 connected to the wiring section 12.
  • the guide layer forming step (S11) includes a guide layer material applying step (S11a) of applying a guide layer material 17 for forming a guide layer on the upper surface of the substrate 11 on which the wiring section 12 is provided, and the LED chip 5 A guide layer material removing step (S11b) of removing a guide layer material 17 in a transfer area 16 which is an area on the transfer substrate 10 to which the bumps 6 as at least a part of the substrate are transferred.
  • a guide layer forming material 17 is applied to the upper surface of the substrate 11 including the wiring portion 12 by using, for example, a die coating method or the like, as shown in FIG. Is painted so that it is covered with a flat surface.
  • the guide layer forming material 17 is a material having both properties of non-conductivity and liquid repellency to the connecting agent 3 described later, for example, a material such as Cytop of AGC Corporation.
  • the bump portion 6 that is at least a part of the LED chip 5 is formed.
  • the guide layer forming material 17 applied on the transfer area 16 which is an area on the transfer substrate 10 to be transferred is removed by using, for example, a laser ablation method or the like as shown in FIG. To form
  • the size of the transferred area 16 is a dimension in consideration of the allowable positional deviation accuracy at the mounting position of the LED chip 5, and is smaller than the cross-sectional dimension of the bump portion 6 in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction). It is larger by the allowable positional deviation accuracy at the mounting position of the chip 5.
  • the thickness dimension of the guide layer 15 in the height direction (Z-axis direction) is the same as the height dimension (Z-axis direction) of the bump section 6 and the heat treatment step (S14) described later. It is smaller than the sum of the thickness of the connection agent 3 and the thickness of the wiring portion 12 which cure between them. Further, the width of the wiring portion 12 in the Y-axis direction may be larger or smaller than the size of the transferred region 16.
  • the guide layer 15 is formed in a region around the transfer region 16 such that the transfer region 16 on the transfer substrate 10 has a shape that is more concave than the region around the transfer region 16.
  • the size of the transfer region 16 in the present embodiment is the horizontal cross-sectional dimension of the bump portion 6 in consideration of the allowable positional deviation accuracy at the mounting position of the chip 5, so that one bump portion 6 is 15 and the area to be transferred 16 in one recess.
  • the coupling agent 3 containing a conductive substance that binds the LED chip 5 and the substrate 10 to be transferred is inserted into the transfer region 16.
  • the connecting agent 3 is, for example, an anisotropic conductive paste or a metal paste containing solder particles manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.
  • the guide layer 15 is made of a material having liquid repellency to the coupling agent 3, for example, as shown in FIG. Can be inserted.
  • the coupling agent 3 may be inserted into the transfer region 16 using, for example, a dispenser. In this way, the transfer substrate 10 as shown in FIG. 4A is manufactured.
  • the portion of the transferred substrate 10 into which the coupling agent 3 is inserted is referred to as a coupling portion 13.
  • the LED chip 5 having one surface held by the transfer substrate 4 is cut off from the transfer substrate 4 by a laser lift-off method, as shown in FIG. 4C. As described above, the LED chip 5 is dropped and transferred onto the transfer area 16 of the transfer substrate 10, that is, on the connecting portion 13.
  • a heat treatment step (S14) as shown in FIG. 4 (D), the transfer substrate 10 on which the LED chips 5 are mounted is heated by a heating mechanism (not shown) to harden the connection agent 3 of the connection portion 13, and The bump section 6 and the wiring section 12 are connected via the conductive material therein.
  • the plurality of bump portions 6 provided on one LED chip 5 are fitted in the plurality of depressions surrounded by the guide layer 5 and the transfer region 16.
  • the connection agent 3 is heated in the connection portion 13 to temporarily increase the fluidity of the connection agent 3 and cause a liquid flow of the connection agent 3.
  • the liquid of the coupling agent 3 may be generated in the coupling portion 13 due to the contact with the bump portion 6.
  • the wall surface of the depression formed by the guide layer 15 and the transfer area 16 serves as a guide, and the position of the LED chip 5 is regulated. Since the protruding bumps 6 fit into the plurality of depressions surrounded by the guide layer 5 and the transfer area 16, the LED chip 5 after transfer is less likely to be displaced.
  • the connecting agent 3 in the connecting portion 13 is heated by heating compared to the case where the guide layer 15 is not provided. And the displacement of the LED chip 5 due to the flow of the coupling agent 3 after the transfer of the LED chip 5 can be reduced.
  • the conductive material contained in the coupling agent 3 may be aggregated between the bumps 6 and the wirings 12 by heating, depending on the aggregation method.
  • the conductive material 12 and the bump portion 6 may aggregate so as to cause a short circuit
  • a short circuit caused by the aggregation of the conductive material contained in the coupling agent 3 is caused. Can be prevented.
  • the connecting agent 3 is directly attached to the bumps 6 of the LED chip 5 in advance, not on the transfer region 16 of the first embodiment, and then the LED chip 5 is transferred.
  • the difference from the first embodiment is that the linking agent 3 previously attached to the bump portion 6 is inserted into the transferred area 26 at the same time as the transfer to the area 26 and is inserted onto the transferred area 16 at the same time as the LED chip 5 is transferred.
  • FIG. 5A shows a state in which the LED chip 5 having one surface held on the transfer substrate 4 is set at a position facing the transfer substrate 20 in order to transfer the LED chip 5 to the transfer region 26 on the transfer substrate 20.
  • the transfer target substrate 20 is provided with the guide layer 25 on the upper surface of the substrate 21 on which the wiring portion 22 is provided by the guide layer forming step (S11) described in the first embodiment.
  • the connecting agent 3 is previously attached to the bump portion 6 of the LED chip 5 in the connecting agent inserting step (S12).
  • the method of attaching the linking agent 3 to the bumps 6 here is not limited. For example, it may be applied using a method such as a dipping method, or another method may be used.
  • the LED chip 5 is separated from the transfer substrate 4 by a laser lift-off method and dropped on the transfer area 26 to be transferred.
  • FIG. 5B shows a state in which the LED chip 5 is separated from the transfer substrate 4 by a laser lift-off method and falls.
  • FIG. 5C shows a state where the LED chip 5 is dropped onto the transfer area 26 and transferred.
  • the transfer target substrate 20 is heated by a heating mechanism (not shown).
  • a heating mechanism not shown.
  • the connecting agent insertion step (S12) is performed simultaneously with the transferring step (S13) by transferring the LED chip 5 having the connecting agent 3 previously attached to the portion connected to the transfer target area 26, The amount of the linking agent 3 can be minimized.
  • step S14 even if it is considered that the adhesion between the substrate 20 to be transferred and the LED chip 5 may be reduced by minimizing the amount of the coupling agent 3, as shown in FIG.
  • step S14 by applying a heat treatment by a heating mechanism (not shown) while applying pressure using the press mechanism 29, the coupling agent 3 can be spread firmly between the bump section 6 and the wiring section 12, and the transferred substrate 20 and the LED Adhesion with the chip 5 via the connecting agent 3 can be improved.
  • FIG. 7A is a plan view of a transferred substrate 30 which is a mounting substrate manufactured by the same method as in the first embodiment
  • FIG. 7B is a view taken in the direction of the arrow a in FIG. ) Shows a view on arrow b in FIG.
  • the guide layer forming step (S11), the connecting agent inserting step (S12), the transfer step (S13), and the heat treatment step (S14) are the same steps.
  • the transfer target substrate 30, which is a mounting substrate manufactured by the same method as in the first embodiment as shown in FIG. Whether the LED chip 5 is good or bad is individually determined.
  • the transfer target substrate 30 used in this embodiment is a transfer target area for the spare LED chip 9 in the vicinity of the LED chip 8 determined to be defective in the inspection step (S15).
  • the space where the preliminary transfer area 39 is provided is a place where the LED chips 5 near each of the transferred LED chips 5 are not transferred as shown in FIG. As shown in C), it is preliminarily planned at a place where the wiring portion 32 to which the target LED chip 5 is connected is provided.
  • the guide layer 35 on the pre-transferred area 39 is removed by using, for example, a laser ablation method as shown in FIG. Is provided.
  • the preliminary coupling agent insertion step (S17) as shown in FIG. 8C, the preliminary transfer area 39 from which the guide layer 35 has been removed in the guide layer removing step (S16) and the depression surrounded by the guide layer 35 are formed.
  • the connecting agent 3 is inserted by using, for example, a dispenser 38 to form the connecting portion 33.
  • the preliminary LED chip 9 is laser-lifted onto the preliminary transfer area 39 into which the coupling agent 3 has been inserted in the preliminary coupling agent insertion step (S17). Transfer by the method.
  • the transfer substrate 20 is heated by a heating mechanism (not shown), and the transfer substrate 10 on which the preliminary LED chips 9 are mounted is heated by the heating mechanism (not shown) to harden the coupling agent 3 and connect.
  • the bump portion 6 of the spare LED chip 9 and the wiring portion 32 are connected via the conductive material in the agent 3.
  • connection agent 3 is heated in the connection portion 33 to temporarily increase the fluidity of the connection agent 3 and cause a liquid flow of the connection agent 3.
  • the wall surface of the depression formed by the guide layer 35 and the transfer area 36 serves as a guide, and the position of the spare LED chip 9 is regulated.
  • the guide layer 35 is removed to be larger than the transfer area 36 in the guide layer removing step (S16a).
  • the liquid flow of the connection agent 3 in the connection portion 33 can be suppressed, and the displacement of the spare LED chip 9 due to the flow of the connection agent 3 after the transfer of the spare LED chip 9 can be reduced.
  • the LED chips 8 determined to be defective in the inspection step (S15) are completely removed. If it cannot be completely removed, a failure may occur even if a spare LED chip is newly mounted on the same location.
  • the spare LED chip 9 is newly mounted without removing the LED chip 8 determined to be defective in the inspection step (S15). The possibility that the repaired portion becomes defective again is reduced as compared with the case where the spare LED chip 9 is mounted, and reliable repair can be performed.
  • the coupling agent 3 is likely to fit in the recess surrounded by the guide layer 35 and the preliminary transfer area 39 due to the effect of the liquid repellency.
  • the connecting agent 3 can be reliably inserted at a spot by an ink jet method or a dispenser, the material utilization rate of the connecting agent 3 is improved.
  • the size of the LED chip is small, and there is often a space for mounting a new LED chip between the LED chips. It is suitable to use the method of manufacturing a mounting board as in the third embodiment of the present invention, in which the repaired LED chip is repaired without being removed.
  • the guide layer may be formed by a photolithography method instead of a laser ablation method in the method of manufacturing a mounting substrate of the present invention, or may be formed by another method.
  • the guide layer does not have to have liquid repellency to the coupling agent.
  • the connecting agent in the connecting agent insertion step, the connecting agent may be applied to the depression surrounded by the guide layer and the transfer region in a pinpoint manner by an inkjet method or the like.
  • the guide layer only needs to be formed in a region around the transferred region, and may not be formed on the entire substrate other than the transferred region.
  • a guide layer formed in a stripe shape on the substrate to be transferred may be used.
  • the guide layer material may not have non-conductivity.
  • a guide layer provided around a transfer area including a wiring section to which the same LED chip is connected, and another transfer layer including another wiring section to which an LED chip not connected to the wiring section is connected. It is provided around the region, but does not have to be in contact with another guide layer.
  • the connecting agent may be previously attached to the bump portions of the spare LED chip.
  • the coupling agent 3 may have fluidity at room temperature. In that case, the material may be cured at room temperature without heating.
  • a mounting substrate may be used in which all the bumps provided on one LED chip are accommodated in one depression surrounded by the guide layer and the area to be transferred.

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Abstract

転写後の被転写基板上での連結剤の流動に伴うＬＥＤチップの位置ずれを低減する。具体的には、ＬＥＤチップを被転写基板に転写し実装する実装基板の製造方法において、前記被転写基板上の前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が転写される領域である被転写領域が前記被転写領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようにガイド層を前記被転写領域の周囲の領域に形成するガイド層形成工程と、前記被転写領域において前記ＬＥＤチップと前記被転写基板とを連結する連結剤を挿入する連結剤挿入工程と、前記ＬＥＤチップを前記被転写領域に転写する転写工程と、を有する。

Description

実装基板の製造方法および実装基板
　本発明は、ＬＥＤチップを高精度に転写し実装する実装基板の製造方法に関するものである。
  ＬＥＤチップは、コスト低減のために小型化し、小型化したＬＥＤチップを高速・高精度に実装するための取組みが行われている。特に、ディスプレイに用いられるＬＥＤはマイクロＬＥＤと呼ばれる５０μｍ×５０μｍ以下のＬＥＤチップを数μｍの精度で高速に実装することが求められている。
　特許文献１には、ウェハに格子状に形成されたＬＥＤチップに帯状のレーザ光を照射して１ラインまたは複数ラインごとに一括して転写基板に転写したのち、転写基板に転写された後の複数のＬＥＤチップに帯状のレーザ光を照射して１ラインまたは複数ラインごとに次の転写基板に一括して転写する構成が記載されている。
特開２０１０－１６１２２１号公報
　特許文献１のような方法でＬＥＤチップを各転写基板に転写するとき、転写される側の転写基板、すなわち被転写基板には、たとえば図１（Ａ）に示すようにＬＥＤチップと被転写基板とを連結する連結剤の層が設けられている。図１（Ａ）は被転写基板１００の断面図を示す。被転写基板１００の基板１０１の上面（Ｚ軸方向上側の面）には配線部１０２が設けられている。配線部１０２は図示しない電源や制御装置からの電気信号等を伝える働きをする。配線部１０２を含む基板１０１の上面に導電性物質を含む連結剤で構成された連結層１０３が設けられている。この連結剤は、たとえば積水化学工業株式会社のはんだ粒子入り異方導電性ペーストのように、加熱により連結剤中の導電性物質が金属間、すなわち、ＬＥＤチップ１０５のバンプ部１０６と配線部１０２との間で凝集し硬化する性質を有している。
　ＬＥＤチップ１０５の被転写基板１００への被転写基板１００への転写は、図１（Ｂ）に示すように、レーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ１０５を転写基板１０４から切り離し被転写基板１００の連結層１０３上に落下させることによって行われる。ＬＥＤチップ１０５が連結層１０３上に到着したのち、ＬＥＤチップ１０５が載った被転写基板１００を図示しない加熱機構により加熱処理することによって、ＬＥＤチップ１０５と被転写基板１００とを連結層１０３の連結剤に含まれる導電性物質を挟んで連結させる。このようにしてＬＥＤチップ１０５を被転写基板１００に実装させる。
　ここで、被転写基板１００が加熱処理されるときに加熱により連結層１０３を構成する連結剤の流動性が上がり、ＬＥＤチップ１０５と接している連結層１０３の結合剤に液流れが生じる。この連結剤の液流れにより、たとえば図１（Ｃ）に示すように、加熱処理後に被転写基板１００上のＬＥＤチップ１０５の位置がずれてしまう可能性があった。ここで、図１（Ｃ）において正しい位置に転写されたＬＥＤチップ１０５の状態をＬＥＤチップ１０５ａに示す。また、転写後の連結剤の流動によりＬＥＤチップ１０５が横流れした位置に転写された状態を１０５ｂに示し、転写後の連結剤の流動により回転した位置に転写された状態をＬＥＤチップ１０５ｃに示し、転写後の連結剤の流動により傾いた位置に転写された状態をＬＥＤチップ１０５ｄに示す。
　本発明は、上記課題を鑑み、転写後の被転写基板上での連結剤の流動に伴うＬＥＤチップの位置ずれを低減することを目的とする。
　上記課題を解決するための本発明の実装基板の製造方法は、ＬＥＤチップを被転写基板に転写し実装する実装基板の製造方法において、前記被転写基板上の前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が転写される領域である被転写領域が前記被転写領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようにガイド層を前記被転写領域の周囲の領域に形成するガイド層形成工程と、前記被転写領域において前記ＬＥＤチップと前記被転写基板とを連結する連結剤を挿入する連結剤挿入工程と、前記ＬＥＤチップを前記被転写領域に転写する転写工程と、を有することを特徴とする。
　こうすることにより、転写後の連結剤の液流れに伴いＬＥＤチップの位置がずれようとしてもガイド層と被転写領域とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップの位置を規制できる。また、ガイド層の窪みの中で連結剤の流動が制限されるので、ガイド層を設けない場合に比べて転写時の連結剤の液流れを抑制でき転写時のＬＥＤチップの位置ずれを低減できる。
　前記ＬＥＤチップはバンプ部を有し、前記バンプ部が前記被転写基板に転写される領域が前記被転写領域であってもよい。
　被転写領域がバンプ部に限定されることで、ＬＥＤチップ全体を連結するよりも連結剤の量が少なくなり、ガイド層の窪みの中で連結剤の流動が更に低減される。
　また、前記ガイド層形成工程は、前記連結剤に対して撥液性を有する材料を用いて前記ガイド層を形成してもよい。
　連結剤に対して撥液性を有する材料を用いてガイド層を形成することにより印刷法等を用いて連結剤を必要な箇所に一括で充填できる。
　また、前記ガイド層形成工程は、前記被転写基板上に前記ガイド層を形成する材料を塗布するガイド層材料塗布工程と、前記被転写領域上の前記ガイド層を形成する材料を除去するガイド層材料除去工程と、を含んでもよい。
　こうすることで、ガイド層を形成する材料を被転写基板の被転写面にべた塗りしてから被転写領域上のガイド層をフォトリソ法やレーザアブレーション法等を用いて容易にガイド層を形成できる。
　また、前記連結剤挿入工程は、前記被転写領域に連結する部分に前記連結剤をあらかじめ付着させた前記ＬＥＤチップを転写することにより、前記転写工程と同時に行われてもよい。
　予めＬＥＤチップのバンプ先端に連結剤を付着させておくことで、連結剤の量を必要最小限にできる。
　また、本発明の実装基板の製造方法は、前記被転写基板に転写された前記ＬＥＤチップを検査する検査工程と、前記検査工程で不良と判断された前記ＬＥＤチップの近傍の前記ガイド層を除去するガイド層除去工程と、前記ガイド層除去工程でガイド層が除去された前記被転写基板上の領域である新たな被転写領域に前記連結剤を挿入する予備連結剤挿入工程と、前記新たな被転写領域に予備の前記ＬＥＤチップを新たに転写する予備ＬＥＤ転写工程と、を更に有していてもよい。
　不良と判断されたＬＥＤチップを完全に除去しきれない場合、同じ箇所に新たなＬＥＤチップを実装しても不良となる可能性がある。特にサイズの小さいＬＥＤチップ、たとえばマイクロＬＥＤチップ等の場合、実装されたＬＥＤチップ間に新たなＬＥＤチップを実装するスペースが実装基板上にある場合が多く、そこに予備のＬＥＤチップを不良と判断されたＬＥＤチップの近傍に新たに実装することで不良と判断されたＬＥＤチップを除去する必要がなくなるため、確実なリペアができる。また、連結剤を撥液する材料で形成されたガイド層の場合は、撥液の効果で連結剤がガイド層と新たな被転写領域の間のくぼみに収まりやすいため、インクジェットやディスペンサ等でスポットで挿入でき、連結剤の材料利用率が良くなる。
　本発明の実装基板は、バンプ部を有するＬＥＤチップが基板に実装された実装基板であって、前記バンプ部が連結される前記基板上の領域である連結領域と、前記バンプ部と前記連結領域との間に挟まれた、前記バンプ部と前記連結領域とを連結する連結剤と、前記連結領域が前記連結領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるように前記連結領域の周囲の領域に設けられたガイド層と、を有し、前記ガイド層と前記被転写領域で囲まれた窪みに前記バンプ部が嵌っていることを特徴とする。
　この実装基板を用いることにより、転写後の連結剤の液流れに伴いＬＥＤチップの位置がずれようとしてもガイド層と被転写領域とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップの位置を規制できる。また、ガイド層の窪みの中で連結剤の流動が制限されるので、ガイド層を設けない場合に比べて転写時の連結剤の液流れを抑制でき転写時のＬＥＤチップの位置ずれを低減できる。
　本発明の実装基板の製造方法または被転写基板を用いることにより、転写後の連結剤の流動に伴うＬＥＤチップの位置ずれを低減できる。
ＬＥＤチップ転写後の連結剤の流動に伴う位置ずれを示す図である。 実施例１の実装基板の製造方法のフローを示す図である。 実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。 実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。 実施例２の実装基板の製造方法を説明する図である。 実施例３の実装基板の製造方法のフローを示す図である。 実施例３の実装基板の製造方法を説明する図である。 実施例３の実装基板の製造方法を説明する図である。
　本発明の実装基板の製造方法と被転写基板の実施例について図を用いて説明する。
　本発明の実施例１の実装基板の製造方法について図２、図３、図４を用いて説明する。図２は実施例１の実装基板の製造方法のフローであり、図３および図４は実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。実施例１の実装基板の製造方法図２に示すように、ガイド層形成工程（Ｓ１１）、連結剤挿入工程（Ｓ１２）、転写工程（Ｓ１３）、熱処理工程（Ｓ１４）の順序での実装基板を製造する方法である。また、本発明の実施例１の実装基板の製造方法に用いられるＬＥＤは、たとえばマイクロＬＥＤと呼ばれる５０μｍ×５０μｍ以下のＬＥＤチップである。
　ガイド層形成工程（Ｓ１１）は、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように配線部１２が設けられた基板１１上にガイド層１５を設けた被転写基板１０を構成する工程である。ここで図３（Ａ）は配線部１２が設けられた基板１１の断面図を示す。基板１１において上面（Ｚ軸方向上側の面）に配線部１２が設けられている。配線部１２はＹ軸方向に長い複数の配線で構成されており、ＬＥＤチップ５が被転写基板１０上に実装される位置でのバンプ部６の配列に合わせたピッチでＸ軸方向に並べられており、配線部１２に連結したＬＥＤチップ５に図示しない電源や制御装置からの電気信号等を伝える働きをする。
　本実施例では、ガイド層形成工程（Ｓ１１）は、配線部１２が設けられた基板１１の上面にガイド層を形成するガイド層材料１７を塗布するガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）とＬＥＤチップ５の少なくとも一部であるバンプ部６が転写される被転写基板１０上の領域である被転写領域１６にあるガイド層材料１７を除去するガイド層材料除去工程（Ｓ１１ｂ）とを有する。
　最初にガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）では、配線部１２を含む基板１１の上面にガイド層形成材料１７を、たとえばダイコーティング法等を用いて図３（Ｂ）に示すような基板１１の上面を平坦な面で覆う形状になるようにべた塗りする。本実施例ではガイド層形成材料１７は非導電性と後述する連結剤３に対する撥液性との両方の性質を併せ持つ材料、たとえばＡＧＣ株式会社のサイトップのような材料を用いている。
　続いてガイド層材料除去工程（Ｓ１１ｂ）では、ガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）で基板１１の上面に塗布されたガイド層形成材料１７のうち、ＬＥＤチップ５の少なくとも一部であるバンプ部６が転写される被転写基板１０上の領域である被転写領域１６上に塗布されたガイド層形成材料１７を、たとえば図３（Ｃ）に示すようにレーザーアブレーション法等を用いて除去しガイド層１５を形成する。
　ここで被転写領域１６の大きさは、ＬＥＤチップ５の実装位置での許容位置ずれ精度を考慮した寸法であり、バンプ部６の水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）の断面寸法よりＬＥＤチップ５の実装位置での許容位置ずれ精度分だけ大きい。また、ガイド層１５の高さ方向（Ｚ軸方向）の厚み寸法はバンプ部６の高さ方向（Ｚ軸方向）寸法と後述する熱処理工程（Ｓ１４）でバンプ部６と被転写領域１６との間で硬化する連結剤３の厚みと配線部１２の厚みとの和より小さい。また、被転写領域１６の大きさに対して配線部１２のＹ軸方向の幅は大きくても小さくてもよい。
　このようにして、被転写基板１０上の被転写領域１６が、被転写領域１６の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようなガイド層１５を被転写領域１６の周囲の領域に形成する。ここで本実施例の被転写領域１６の大きさは、チップ５の実装位置での許容位置ズレ精度を考慮したバンプ部６の水平方向の断面寸法であるので、一つのバンプ部６がガイド層１５と被転写領域１６で囲まれた一つの窪みに収める形態となる。
　続いて 連結剤挿入工程（Ｓ１２）で、被転写領域１６にＬＥＤチップ５と被転写基板１０とを結合する導電性物質を含む連結剤３を挿入する。ここで連結剤３は、たとえば積水化学工業社のはんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペースト等である。本実施例ではガイド層１５は連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されているので、たとえば図３（Ｄ）で示すようにスキージ１９を用いて容易に多くの被転写領域１６に一度で挿入することができる。連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されていないガイド層１５の場合は、たとえばディスペンサのようなもので連結剤３を被転写領域１６に挿入すればよい。このようにして、図４（Ａ）に示すような被転写基板１０を製造する。ここで被転写基板１０において、連結剤３が挿入された部分を連結部１３という。
　続いて転写工程（Ｓ１３）で、図４（Ｂ）に示すようにレーザーリフトオフ法により転写基板４に一方の面を保持されたＬＥＤチップ５を転写基板４から切り離し、図４（Ｃ）に示すように被転写基板１０の被転写領域１６上、すなわち連結部１３上にＬＥＤチップ５を落下させ転写させる。
　続いて熱処理工程（Ｓ１４）で、図４（Ｄ）に示すようにＬＥＤチップ５が載った被転写基板１０を図示しない加熱機構により加熱し連結部１３の連結剤３を硬化させ、連結剤３中の導電性物質を介してバンプ部６と配線部１２とを連結させる。
　ここで被転写基板上では、一つのＬＥＤチップ５に設けられた複数のバンプ部６がガイド層５と被転写領域１６とで囲まれた複数の窪みに嵌っている。被転写基板１０の加熱に伴い、連結部１３内では連結剤３が加熱されることにより一時的に連結剤３の流動性が上がり連結剤３の液流れが生じる。また、連結剤３の流動性が常温において高い場合でも同様に連結部１３内ではバンプ部６との接触により連結剤３の液流れが生じる可能性がある。連結剤３の液流れによりＬＥＤチップ５の位置がずれようとしてもガイド層１５と被転写領域１６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップ５の位置が規制される。突出したバンプ部６がガイド層５と被転写領域１６とで囲まれた複数の窪みに嵌ることにより、転写後のＬＥＤチップ５の位置ずれが生じにくくなる。
　また、ガイド層１５と被転写領域１６とで形成される窪みの中で連結剤３の流動が制限されるので、ガイド層１５を設けない場合に比べて加熱による連結部１３内の連結剤３の液流れを抑制でき、ＬＥＤチップ５の転写後の連結剤３の流動に伴うＬＥＤチップ５の位置ずれを低減できる。
　また、ガイド層１５を設けない被転写基板では、連結剤３に含まれる導電性物質が加熱によりバンプ部６と配線部１２との間で凝集する過程で凝集の仕方によっては、隣の配線部１２とバンプ部６が短絡するように凝集してしまう可能性もあるが、本実施例のようなガイド層１５を設けることにより連結剤３に含まれる導電性物質の凝集の仕方に起因する短絡を防ぐことができる。
　本発明の実施例２の実装基板の製造方法について図５にて説明する。実施例２は、連結剤挿入工程（Ｓ１２）において、実施例１の被転写領域１６上ではなく、ＬＥＤチップ５のバンプ部６に直接連結剤３をあらかじめ付着させてからＬＥＤチップ５の被転写領域２６への転写と同時にバンプ部６にあらかじめ付着させた連結剤３を被転写領域２６に挿入しＬＥＤチップ５の転写と同時に被転写領域１６上に挿入することが実施例１と異なる。
　図５（Ａ）は、転写基板４に一方の面を保持されたＬＥＤチップ５を被転写基板２０上の被転写領域２６に転写するために被転写基板２０と対向する位置にセットした状態を示す。ここで被転写基板２０は、配線部２２が設けられた基板２１の上面に実施例１で説明したガイド層形成工程（Ｓ１１）によりガイド層２５が設けられている。
　ここで、ＬＥＤチップ５のバンプ部６には、連結剤挿入工程（Ｓ１２）により連結剤３があらかじめ付着されている。ここでのバンプ部６への連結剤３の付着方法は問われない。たとえばディップ法のような方法を用いて塗布されてもよいし、他の方法でもよい。
　続いて、転写工程（Ｓ１３）でレーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ５を転写基板４から切り離し被転写領域２６上に落下させ転写させる。図５（Ｂ）は、転写基板４からレーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ５が切り離され落下している状態を示す。また、図５（Ｃ）は、ＬＥＤチップ５が被転写領域２６上に落下し転写した状態を示す。
　続いて、熱処理工程（Ｓ１４）で図示しない加熱機構により被転写基板２０を加熱する。ここでＬＥＤチップ５のバンプ部６に塗布された連結剤３の流動に伴いＬＥＤチップ５の位置がずれようとしてもガイド層２５と被転写領域２６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップ５の位置が規制される。
　こうすることでＬＥＤチップ５の転写後の被転写基板２０上での連結剤３の流動に伴うＬＥＤチップ５の位置ずれを低減することができる。
　また、連結剤挿入工程（Ｓ１２）が、前記被転写領域２６に連結する部分に連結剤３をあらかじめ付着させたＬＥＤチップ５を転写することにより、転写工程（Ｓ１３）と同時に行われることで、連結剤３の量を必要最小限にできる。
　ここで、連結剤３の量を必要最小限にすることで被転写基板２０とＬＥＤチップ５との密着性低下の懸念が考えられたとしても、図５（Ｄ）に示すように熱処理工程（Ｓ１４）でプレス機構２９を用いて加圧しながら図示しない加熱機構により熱処理することでバンプ部６と配線部１２との間にしっかりと連結剤３を行き渡らせることができ、被転写基板２０とＬＥＤチップ５との間で連結剤３を介した密着性を上げることができる。
　本発明の実施例３の実装基板の製造方法について図６、図７、図８にて説明する。実施例３の実装基板の製造方法は、図６のフローに示すように実施例１の熱処理工程（Ｓ１４）の後に検査工程（Ｓ１５）とガイド層除去工程（Ｓ１６）と予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）と予備ＬＥＤチップ転写工程（Ｓ１８）と予備ＬＥＤ熱処理工程（Ｓ１９）とを更に有していることが実施例１と異なる。図７（Ａ）は実施例１と同じ方法で製造された実装基板である被転写基板３０の平面図で図７（Ｂ）は図７（Ａ）のａ矢視図を、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のｂ矢視図を示す。
　実施例３の実装基板の製造方法では、ガイド層形成工程（Ｓ１１）、連結剤挿入工程（Ｓ１２）、転写工程（Ｓ１３）、熱処理工程（Ｓ１４）は同じ工程である。
　検査工程（Ｓ１５）で、図７（Ａ）に示すような実施例１と同じ方法で製造された実装基板である被転写基板３０を、たとえば点灯検査等により検査し、被転写基板３０に転写されたＬＥＤチップ５について良・不良を個別に判別する。
　本実施例に用いられる被転写基板３０は、図７（Ａ）に示すように検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８の近傍に新たに予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９を設けるスペースを有している。ここで予備被転写領域３９を設けるスペースは、図７（Ａ）に示すように転写されたそれぞれのＬＥＤチップ５の近傍のＬＥＤチップ５が転写されていない場所で、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように対象のＬＥＤチップ５が連結している配線部３２が設けられている場所にあらかじめ予定されている。
　続いてガイド層除去工程（Ｓ１６）で、予備被転写領域３９上のガイド層３５を、図８（Ｂ）に示すようにたとえばレーザーアブレーション法等を用いて除去し、新たに予備被転写領域３９を設ける。
　続いて予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で、図８（Ｃ）で示すようにガイド層除去工程（Ｓ１６）でガイド層３５を除去した予備被転写領域３９とガイド層３５に囲まれた窪みに連結剤３を、たとえばディスペンサー３８を用いて挿入し連結部３３を形成する。
　続いて予備ＬＥＤ転写工程（Ｓ１８）で、図８（Ｄ）に示すように予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で連結剤３を挿入された予備被転写領域３９上に予備ＬＥＤチップ９をレーザーリフト法により転写する。
　続いて予備ＬＥＤ熱処理工程（Ｓ１９）で被転写基板２０を図示しない加熱機構により加熱し、予備ＬＥＤチップ９が載った被転写基板１０を図示しない加熱機構により加熱し連結剤３を硬化し、連結剤３中の導電性物質を介して予備ＬＥＤチップ９のバンプ部６と配線部３２とを連結する。
　ここで、被転写基板１０の加熱に伴い、連結部３３内では連結剤３が加熱されることにより一時的に連結剤３の流動性が上がり連結剤３の液流れが生じる。連結剤３の液流れにより予備ＬＥＤチップ９の位置がずれようとしてもガイド層３５と被転写領域３６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、予備ＬＥＤチップ９の位置が規制される。また、ガイド層３５と被転写領域３６とで形成される窪みの中で連結剤３の流動が制限されるので、ガイド層除去工程（Ｓ１６ａ）で被転写領域３６よりも大きくガイド層３５を除去する場合に比べて加熱による連結部３３内の連結剤３の液流れを抑制でき、予備ＬＥＤチップ９の転写後の連結剤３の流動に伴う予備ＬＥＤチップ９の位置ずれを低減できる。
　また、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去して同じ場所に予備ＬＥＤチップを実装するリペア方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を完全に除去しきれない場合、同じ箇所に新たに予備ＬＥＤチップを実装しても不良となる可能性がある。上述のように実施例３の実装基板の製造方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装するため、同じ箇所に新たな予備ＬＥＤチップ９を実装するよりもリペアした箇所が再び不良となる可能性が低減され確実なリペアができる。
　また、ガイド層３５が連結剤３を撥液する材料で形成されている場合は、撥液の効果で連結剤３がガイド層３５と予備被転写領域３９とで囲まれたくぼみに収まりやすいため、インクジェット法やディスペンサ等でスポットで確実に連結剤３を挿入できるので、連結剤３の材料利用率がよくなる。
　また、特にサイズの小さいＬＥＤチップ、たとえばマイクロＬＥＤチップ等の実装基板では、ＬＥＤチップのサイズが小さく、またＬＥＤチップ間に新たなＬＥＤチップを実装するスペースがある場合が多く、検査で不良と判断されたＬＥＤチップを除去しないでリペアする本発明の実施例３のような実装基板の製造方法を用いることに適している。
　以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえば、本発明の実装基板の製造方法のガイド層形成にレーザーアブレーション法ではなく、フォトリソ法を用いて形成してもよいし、他の方法でもよい。
　また、ガイド層は連結剤に対する撥液性を有していなくてもよい。その場合、連結剤挿入工程ではインクジェット法等によりピンポイントでガイド層と被転写領域で囲まれたくぼみに連結剤を塗布すればよい。
　また、ガイド層は被転写領域の周囲の領域に形成されていればよく、被転写領域以外の基板上全てに形成されていなくてもよい。たとえば、被転写基板上でストライプ形状に形成されたガイド層であってもよい。
　また、ガイド層材料は非導電性を有していなくてもよい。その場合、たとえば、おなじＬＥＤチップが連結する配線部が含まれる被転写領域の周囲に設けられるガイド層と、その配線部に連結しないＬＥＤチップが連結する別の配線部が含まれる別の被転写領域の周囲に設けられるが別のガイド層とは、接触していなければよい。
　また、実施例３の予備連結剤挿入工程は、あらかじめ予備ＬＥＤチップのバンプ部に連結剤を付着させておいてもよい。
　また、連結剤３は常温で流動性を有していてもよい。その場合、加熱しなくても常温で硬化するものであってもよい。
　また、ガイド層と被転写領域に囲まれた一つの窪みに、一つのＬＥＤチップに設けられた全てのバンプ部を収める実装基板であってもよい。
　３　　連結剤
　４　　転写基板
　５　　ＬＥＤチップ
　６　　バンプ部
　８　　不良と判断されたＬＥＤチップ
　９　　予備ＬＥＤチップ
　１０，２０，３０　　被転写基板
　１１，２１，３１　　基板
　１２，２２，３２　　配線部
　１３，２３，３３　　連結部
　１５，２５，３５　　ガイド層
　１６，２６，３６　　被転写領域
　１７　　ガイド層形成材料
　１９　　スキージ
　２０　　被転写基板
　２９　　プレス機構
　３０　　被転写基板
　３８　　ディスペンサ
　３９　　予備被転写領域
　１００　　被転写基板
　１０１　　基板
　１０２　　配線部
　１０３　　連結層
　１０４　　転写基板
　１０５　　ＬＥＤチップ
　１０６　　バンプ部

Claims (7)

  1. 　ＬＥＤチップを被転写基板に転写し実装する実装基板の製造方法において、
    前記被転写基板上の前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が転写される領域である被転写領域が
    前記被転写領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるように
    ガイド層を前記被転写領域の周囲の領域に形成するガイド層形成工程と、
    前記被転写領域において前記ＬＥＤチップと前記被転写基板とを連結する連結剤を挿入する連結剤挿入工程と、
    前記ＬＥＤチップを前記被転写領域に転写する転写工程と、
    を有する実装基板の製造方法。
  2. 　前記ＬＥＤチップはバンプ部を有し、前記バンプ部が前記被転写基板に転写される領域が前記被転写領域である、請求項１に記載の実装基板の製造方法。
  3. 　前記ガイド層形成工程は、前記連結剤に対して撥液性を有する材料を用いて前記ガイド層を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の実装基板の製造方法。
  4. 　前記ガイド層形成工程は、
    前記被転写基板上に前記ガイド層を形成する材料を塗布するガイド層材料塗布工程と、
    前記被転写領域上の前記ガイド層を形成する材料を除去するガイド層材料除去工程と、
    を含む、請求項１から３に記載の実装基板の製造方法。
  5. 　前記連結剤挿入工程は、前記被転写領域に連結する部分に前記連結剤をあらかじめ付着させた前記ＬＥＤチップを転写することにより、前記転写工程と同時に行われることを特徴とする、請求項１から４に記載の実装基板の製造方法。
  6. 　前記被転写基板に転写された前記ＬＥＤチップを検査する検査工程と、
    前記検査工程で不良と判断された前記ＬＥＤチップの近傍の前記ガイド層を除去するガイド層除去工程と、
    前記ガイド層除去工程でガイド層が除去された前記被転写基板上の領域である新たな被転写領域に前記連結剤を挿入する予備連結剤挿入工程と、
    前記新たな被転写領域に予備の前記ＬＥＤチップを新たに転写する予備ＬＥＤ転写工程と、
    を更に有する、請求項１から５に記載の実装基板の製造方法。
  7. 　バンプ部を有するＬＥＤチップが基板に実装された実装基板であって、
    前記バンプ部が連結される前記基板上の領域である連結領域と
    前記バンプ部と前記連結領域との間に挟まれた、前記バンプ部と前記連結領域とを連結する連結剤と、
    前記連結領域が前記連結領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるように前記連結領域の周囲の領域に設けられたガイド層と、を有し、
    前記ガイド層と前記被転写領域で囲まれた窪みに前記バンプ部が嵌っていることを特徴とする、実装基板。
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