KR102559426B1 - 마이크로 led 칩 전사 방법 - Google Patents

마이크로 led 칩 전사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102559426B1
KR102559426B1 KR1020200175117A KR20200175117A KR102559426B1 KR 102559426 B1 KR102559426 B1 KR 102559426B1 KR 1020200175117 A KR1020200175117 A KR 1020200175117A KR 20200175117 A KR20200175117 A KR 20200175117A KR 102559426 B1 KR102559426 B1 KR 102559426B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro led
substrate
led chip
carrier substrate
backplane
Prior art date
Application number
KR1020200175117A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220085862A (ko
Inventor
조현민
한철종
유병욱
이승찬
Original Assignee
한국전자기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자기술연구원 filed Critical 한국전자기술연구원
Priority to KR1020200175117A priority Critical patent/KR102559426B1/ko
Priority to PCT/KR2021/013793 priority patent/WO2022131501A1/ko
Publication of KR20220085862A publication Critical patent/KR20220085862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102559426B1 publication Critical patent/KR102559426B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/799—Apparatus for disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 전사 공정의 수율을 높일 수 있는 마이크로 LED 칩 전사 방법에 관한 것이다. 본 발명은 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩이 실장될 실장 영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계; 하부면에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 상기 백플레인 기판 위에 정렬하여, 상기 백플레인 기판의 실장 영역에 대응되게 마이크로 LED 칩들을 위치시키는 단계; 상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판을 압착하여 상기 플레인 기판 위에 상기 마이크로 LED 칩들을 점착시키는 단계; 및 상기 백플레인 기판에 대해서 상기 캐리어 기판을 수평 방향으로 이동시켜 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하여 상기 백플레인 기판으로부터 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 마이크로 LED 칩 전사 방법을 제공한다.

Description

마이크로 LED 칩 전사 방법{Micro LED chip transfer method}
본 발명은 마이크로 LED 디스플레이의 전사 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캐리어 기판에 배열된 마이크로 LED 칩들을 백플레인 기판에 전사하는 마이크로 LED 칩 전사 방법에 관한 것이다.
LED 칩을 이용한 고화질 디스플레이의 개발이 활발히 진행되고 있다. 구동 회로가 구비된 백플레인 기판의 단위 픽셀 전극 라인 위에 LED 칩을 직접 실장하게 된다.
최근에는 고화소 디스플레이를 위한 단위 픽셀 크기가 감소됨에 따라서 크기가 100 ㎛ 이하로 매우 작은 마이크로 LED 칩이 사용되고 있다. 이로 인해 일반적인 픽 앤 플레이스 기구(pick and place machine)를 이용하여 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩을 직접 실장하는 공정을 선택하는 경우, 공정 시간이 크게 늘어나고, 실장 오류 발생률이 높아질 수 있다.
이러한 문제점을 해소하기 위해서, 다수의 마이크로 LED 칩을 백플레인 기판에 한꺼번에 실장하는 마이크로 LED 칩의 대량 전사기술이 다양하게 개발되고 있다.
이러한 대량 전사 기술에는 정전기력을 이용한 방법, 자기력을 이용한 방법, 점착력을 이용한 방법이 있다.
대량 전사 기술 중 점착력을 이용한 방법으로 캐리어 기판에 배열된 마이크로 LED 칩이 백플레인 기판으로 전사되기 위해서는, 캐리어 기판과 마이크로 LED 칩과의 점착력보다 백플레인 기판과 마이크로 LED 칩과의 점착력을 높게 해야 한다.
그러나 이러한 산술적인 점착력의 차이에도 불구하고, 반데르발스 힘(Van der Waals force) 등의 영향으로 캐리어 기판의 마이크로 LED 칩들 중에서 백플레인 기판으로 전사되지 않는 마이크로 LED 칩이 발생하고 있다. 즉 기존의 점착력을 이용한 방법으로는 전사 공정의 수율을 높이는 데 어려움이 있다.
등록특허공보 제10-2158183호 (2020.09.21. 공고)
따라서 본 발명의 목적은 전사 공정의 수율을 높일 수 있는 마이크로 LED 칩 전사 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩이 실장될 실장 영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계; 하부면에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 상기 백플레인 기판 위에 정렬하여, 상기 백플레인 기판의 실장 영역에 대응되게 마이크로 LED 칩들을 위치시키는 단계; 상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판을 압착하여 상기 플레인 기판 위에 상기 마이크로 LED 칩들을 점착시키는 단계; 및 상기 백플레인 기판에 대해서 상기 캐리어 기판을 수평 방향으로 이동시켜 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하여 상기 백플레인 기판으로부터 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 마이크로 LED 칩 전사 방법을 제공한다.
상기 캐리어 기판을 분리하는 단계에서, 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하기 전에, 상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판 사이에 작용하는 압착력을 제거할 수 있다.
상기 백플레인 기판은, 각각의 실장 영역에 마이크로 LED 칩이 압착에 의해 점착될 점착 물질이 형성되어 있다.
상기 격벽의 높이는 상기 마이크로 LED 칩의 높이보다는 낮다.
상기 격벽을 형성하는 단계에서, 상기 격벽은 복수의 사각 격자로 형성되며, 상기 복수의 사각 격자는 각각 상기 실장 영역을 형성한다.
상기 실장 영역은 상기 마이크로 LED 칩의 면적보다 크다.
상기 격벽은 검정색으로, 픽셀 간의 구분을 위한 BM(Black Matrix) 기능을 수행할 수 있다.
상기 점착시키는 단계에서, 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩과의 점착력보다 상기 백플레인 기판과 상기 마이크로 LED 칩과의 점착력이 높다.
상기 점착시키는 단계는 상기 백플레인 기판의 상부면을 향하여 수직 방향으로 상기 캐리어 기판을 압착한다.
상기 분리하는 단계는 상기 수직 방향에 수평한 방향으로 전단력을 작용한다.
그리고 본 발명은, 하부면에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 상부면에 점착 물질이 형성된 백플레인 기판 위에 정렬하는 단계; 상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판을 압착하여 상기 백플레인 기판 위에 상기 마이크로 LED 칩들을 점착시키는 단계; 및 상기 백플레인 기판에 대해서 상기 캐리어 기판을 수평 방향으로 이동시켜 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하여 상기 백플레인 기판으로부터 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;를 포함하는 마이크로 LED 칩 전사 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 마이크로 LED 칩을 전사할 때, 점착력의 차이와 전단력(shear force)를 이용함으로써, 전사 공정의 수율을 높일 수 있다. 즉 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 백플레인 기판 위에 압착하여, 백플레인 기판에 형성된 점착 물질의 점착력을 이용하여 마이크로 LED 칩들을 백플레인 기판에 점착한 후, 캐리어 기판 또는 백플레인 기판을 서로 반대 방향으로 옆으로 이동시켜 전단력을 작용함으로써, 캐리어 기판의 마이크로 LED 칩들을 백플레인 기판 위에 전사할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 전사 방법에 따르면, 점착력과 전단력을 함께 이용하기 때문에, 기존의 점착력만을 이용하는 전사 방법과 비교하여, 전사 공정의 수율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 칩 전사 방법에 따른 흐름도이다.
도 2 내지 도 7은 도 1의 전사 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들로서,
도 2는 백플레인 기판을 보여주는 단면도이고,
도 3은 백플레인 기판 위에 격벽을 형성하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 4는 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 정렬하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 5는 백플레인 기판 위에 캐리어 기판을 압착하여 마이크로 LED 칩들을 백플레인 기판 위에 점착하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 6은 캐리어 기판에 작용했던 압착력을 제거한 상태를 보여주는 단면도이고,
도 7은 백플레인 기판에 대해서 캐리어 기판을 X축 방향으로 이동시켜 전단력을 작용하는 단계를 보여주는 단면도이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 칩 전사 방법에 따른 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 마이크로 LED 칩 전사 방법은, 하부면에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 상부면에 점착 물질이 형성된 백플레인 기판 위에 정렬하는 단계(S20), 백플레인 기판과 캐리어 기판을 압착하여 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩들을 점착시키는 단계(S30), 및 백플레인 기판에 대해서 캐리어 기판을 수평 방향으로 이동시켜 캐리어 기판과 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하여 백플레인 기판으로부터 캐리어 기판을 분리하는 단계(S40)를 포함한다.
본 실시예에 따른 마이크로 LED 칩 전사 방법은, S20단계를 수행하기 전에 진행되는, 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩이 실장될 실장 영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계(S10)를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 마이크로 LED 칩 전사 방법에 대해서 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 2 내지 도 7은 도 1의 전사 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다.
먼저 도 2에 도시된 바와 같이, 백플레인 기판(10)을 준비한다. 백플레인 기판(10)의 상부면에는 마이크로 LED 칩(30)이 실장될 영역에 대응되게 점착 물질(11)이 형성되어 있다.
다음으로 도 3에 도시된 바와 같이, S10단계에서 백플레인 기판(10) 위에 마이크로 LED 칩(30)이 실장될 실장 영역을 구분하는 격벽(13)을 형성한다. 격벽(13)은 복수의 사각 격자로 형성되며, 복수의 사각 격자는 각각 내부에 실장 영역을 형성한다.
격벽(13)의 높이는 마이크로 LED 칩(30)의 높이보다는 낮다. S30단계에서 백플레인 기판(10)과 캐리어 기판(20) 사이에 개재된 마이크로 LED 칩(30)에 압착력을 제공하기 위해서이다.
실장 영역은 내부에 마이크로 LED 칩(30)을 안정적으로 삽입하여 실장할 수 있도록, 마이크로 LED 칩(30)의 면적보다 크다.
이러한 격벽(13)이 검정색으로 형성되는 경우, 격벽(13)은 픽셀 간의 구분을 위한 BM(Black Matrix) 기능을 수행할 수 있다.
다음으로 도 4에 도시된 바와 같이, S20단계에서 백플레인 기판(10) 위에 마이크로 LED 칩(30)들이 배열된 캐리어 기판(20)을 정렬한다. 즉 마이크로 LED 칩(30)들을 각각 실장 영역에 대응될 수 있도록, 캐리어 기판(20)을 백플레인 기판(10) 위에 정렬한다.
이어서 도 5에 도시된 바와 같이, S30단계에서 백플레인 기판(10) 위에 캐리어 기판(20)을 압착하여 마이크로 LED 칩(30)들을 백플레인 기판(10) 위에 점착한다. 이때 격벽(13)의 높이가 마이크로 LED 칩(30)의 높이보다 낮기 때문에, 백플레인 기판(10)과 캐리어 기판(20) 간에 충분한 압착력을 제공할 수 있다. 이로 인해 백플레인 기판(10)의 점착 물질(11)에 마이크로 LED 칩(30)의 전극 범프(31)를 점착할 수 있다.
그리고 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, S40단계에서 캐리어 기판(20)과 마이크로 LED 칩(30) 간에 전단력을 작용하여 백플레인 기판(10)으로부터 캐리어 기판(20)을 분리함으로써, 캐리어 기판(20)의 마이크로 LED 칩(30)들을 백플레인 기판(10) 위에 전사한다.
이때 도 6에 도시된 바와 같이, 전단력을 작용하기 전에, 백플레인 기판(10)과 캐리어 기판(20) 사이에 작용했던 압착력을 제거할 수 있다. 즉 백플레인 기판(10)과 캐리어 기판(20) 사이에 압착력이 작용하는 상태에서는 전단력을 작용할 수도 있지만, 압착력이 제거된 상태가 전단력을 보다 원활하게 작용할 수 있다. 따라서 백플레인 기판(10)과 캐리어 기판(20) 사이에 작용했던 압착력을 제거함으로써, 전단력이 쉽게 작용할 수 있는 환경을 제공할 수 있다.
이어서 도 7에 도시된 바와 같이, 백플레인 기판(10)에 대해서 캐리어 기판(20)을 X축 방향으로 이동시켜 전단력을 작용함으로써, 백플레인 기판(10)으로부터 캐리어 기판(20)을 분리한다.
그리고 X축 방향으로 이동하여 백플레인 기판(10)으로부터 분리한 캐리어 기판(20)을 제거하기 위해서, 분리한 캐리어 기판(20)을 Y축 방향으로 들어 올리는 과정을 추가적으로 수행할 수 있다.
본 실시예에서는 백플레인 기판(10)에 대해서 캐리어 기판(20)을 X축 방향으로 이동시켜 전단력을 작용하는 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 캐리어 기판(20)에 대해서 백플레인 기판(10)을 -X축 또는 X축 방향으로 이동시켜 전단력을 작용할 수 있다. 또는 캐리어 기판(20)과 백플레인 기판(10)을 X축에 대해서 서로 반대 방향으로 이동시켜 전단력을 작용할 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 마이크로 LED 칩(30)을 전사할 때, 점착력의 차이와 전단력을 함께 이용함으로써, 전사 공정의 수율을 높일 수 있다. 즉 마이크로 LED 칩(30)들이 배열된 캐리어 기판(20)을 백플레인 기판(10) 위에 압착하여, 백플레인 기판(10)에 형성된 점착 물질(11)의 점착력을 이용하여 마이크로 LED 칩(30)들을 백플레인 기판(10)에 점착한 후, 캐리어 기판(20) 또는 백플레인 기판(10)을 서로 반대 방향으로 옆으로 이동시켜 전단력을 작용함으로써, 캐리어 기판(20)의 마이크로 LED 칩(30)들을 백플레인 기판(10) 위에 전사할 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 전사 방법에 따르면, 점착력과 전단력을 함께 이용하기 때문에, 기존의 점착력만을 이용하는 전사 방법과 비교하여, 전사 공정의 수율을 높일 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 백플레인 기판
11 : 점착 물질
13 : 격벽
20 : 캐리어 기판
30 : 마이크로 LED 칩
31 : 전극 범프

Claims (11)

  1. 백플레인 기판 위에 마이크로 LED 칩이 실장될 실장 영역을 구분하는 격벽을 형성하는 단계;
    하부면에 마이크로 LED 칩들이 배열된 캐리어 기판을 상기 백플레인 기판 위에 정렬하여, 상기 백플레인 기판의 실장 영역에 대응되게 마이크로 LED 칩들을 위치시키는 단계;
    상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판을 압착하여 상기 백플레인 기판 위에 상기 마이크로 LED 칩들을 점착시키는 단계; 및
    상기 백플레인 기판에 대해서 상기 캐리어 기판을 수평 방향으로 이동시켜 상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩들 간에 전단력을 작용하여, 상기 백플레인 기판에 점착된 상기 마이크로 LED 칩들로부터 상기 캐리어 기판을 분리함으로써 상기 백플레인 기판 위에 상기 마이크로 LED 칩들을 전사하는 단계;를 포함하며,
    상기 점착시키는 단계는,
    상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩과의 점착력보다 상기 백플레인 기판과 상기 마이크로 LED 칩과의 점착력이 높아, 상기 전단력을 작용하여 상기 마이크로 LED 칩들로부터 상기 캐리어 기판을 분리하여도 상기 마이크로 LED 칩들이 상기 백플레인 기판의 실장 영역에 점착된 상태를 유지하며, 상기 전단력 작용 시 상기 마이크로 LED 칩들은 상기 격벽에 가로막혀 상기 캐리어 기판과 쉽게 분리되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계에서,
    상기 캐리어 기판과 상기 마이크로 LED 칩 간에 전단력을 작용하기 전에, 상기 백플레인 기판과 상기 캐리어 기판 사이에 작용하는 압착력을 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 백플레인 기판은,
    각각의 실장 영역에 마이크로 LED 칩이 압착에 의해 점착될 점착 물질이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 격벽의 높이는 상기 마이크로 LED 칩의 높이보다는 낮은 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 격벽을 형성하는 단계에서,
    상기 격벽은 복수의 사각 격자로 형성되며, 상기 복수의 사각 격자는 각각 상기 실장 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 실장 영역은 상기 마이크로 LED 칩의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 격벽은 검정색으로, 픽셀 간의 구분을 위한 BM(Black Matrix) 기능을 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 점착시키는 단계는 상기 백플레인 기판의 상부면을 향하여 수직 방향으로 상기 캐리어 기판을 압착하고,
    상기 분리하는 단계는 상기 수직 방향에 수평한 방향으로 전단력을 작용하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 칩 전사 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
KR1020200175117A 2020-12-15 2020-12-15 마이크로 led 칩 전사 방법 KR102559426B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200175117A KR102559426B1 (ko) 2020-12-15 2020-12-15 마이크로 led 칩 전사 방법
PCT/KR2021/013793 WO2022131501A1 (ko) 2020-12-15 2021-10-07 마이크로 led 칩 전사 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200175117A KR102559426B1 (ko) 2020-12-15 2020-12-15 마이크로 led 칩 전사 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220085862A KR20220085862A (ko) 2022-06-23
KR102559426B1 true KR102559426B1 (ko) 2023-07-26

Family

ID=82059598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200175117A KR102559426B1 (ko) 2020-12-15 2020-12-15 마이크로 led 칩 전사 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102559426B1 (ko)
WO (1) WO2022131501A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024014568A1 (ko) * 2022-07-12 2024-01-18 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101800367B1 (ko) * 2016-08-24 2017-11-28 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4761026B2 (ja) * 2005-06-03 2011-08-31 ソニー株式会社 素子転写装置、素子の転写方法および表示装置の製造方法
KR101653395B1 (ko) * 2013-11-29 2016-09-01 서울반도체 주식회사 멀티 칩 엘이디 패키지
KR20160008382A (ko) * 2014-07-14 2016-01-22 서울대학교산학협력단 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치
KR101968527B1 (ko) * 2016-05-31 2019-04-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP7429094B2 (ja) * 2018-09-10 2024-02-07 東レエンジニアリング株式会社 実装基板の製造方法および実装基板
KR20200109852A (ko) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 모듈 제조 방법
KR102311727B1 (ko) * 2019-05-29 2021-10-13 서울대학교산학협력단 전자 장치 및 스탬핑과 자기장 정렬을 이용한 전자 소자의 전사 방법
KR102233158B1 (ko) * 2019-07-23 2021-03-29 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR102158183B1 (ko) 2019-09-16 2020-09-21 한국전자기술연구원 Led 실장형 디스플레이 및 그의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101800367B1 (ko) * 2016-08-24 2017-11-28 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022131501A1 (ko) 2022-06-23
KR20220085862A (ko) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102064405B1 (ko) 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
US10770426B2 (en) Micro device transferring method, and micro device substrate manufactured by micro device transferring method
WO2017124332A1 (en) Micro-led transfer method and manufacturing method
WO2017107097A1 (en) Micro-led transfer method and manufacturing method
US8816212B2 (en) Flexible device and fabricating method thereof
KR101970884B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102559426B1 (ko) 마이크로 led 칩 전사 방법
KR102341794B1 (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20190018118A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
US11652082B2 (en) Particle capture using transfer stamp
JP3943590B2 (ja) 基板保持構造
KR20180092274A (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20160087944A (ko) 인쇄 회로 기판 유닛, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101640773B1 (ko) 전자파 차폐막을 구비한 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 위한 장치
JP2007035912A (ja) 基板分割方法および基板分割装置
KR20210096010A (ko) 이재 기판
KR101981173B1 (ko) 표시 장치용 본딩 장치 및 그 방법
US7741774B2 (en) Backlight module including at least one luminescence element, and method of fabricating the same
KR102088518B1 (ko) 전사필름 및 이를 이용한 전사방법
JP2016219573A (ja) ピックアップ装置及び方法
JP2019207293A (ja) 表示基板およびｌｅｄ素子の実装方法
JP4369298B2 (ja) ダイピックアップ装置及びダイピックアップ方法
JP6248267B2 (ja) 表示パネルの製造方法
US20220181512A1 (en) Tool for collective transfer of microchips from a source substrate to a destination substrate
KR102510422B1 (ko) 표시장치를 제조하는 장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant