KR20190114334A - 마이크로 led 검사 및 리페어 방법 - Google Patents

마이크로 led 검사 및 리페어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190114334A
KR20190114334A KR1020180036867A KR20180036867A KR20190114334A KR 20190114334 A KR20190114334 A KR 20190114334A KR 1020180036867 A KR1020180036867 A KR 1020180036867A KR 20180036867 A KR20180036867 A KR 20180036867A KR 20190114334 A KR20190114334 A KR 20190114334A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro led
defective
micro
transfer head
repair
Prior art date
Application number
KR1020180036867A
Other languages
English (en)
Inventor
안범모
박승호
Original Assignee
(주)포인트엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)포인트엔지니어링 filed Critical (주)포인트엔지니어링
Priority to KR1020180036867A priority Critical patent/KR20190114334A/ko
Priority to CN201910225538.5A priority patent/CN110323244A/zh
Priority to US16/369,802 priority patent/US10872828B2/en
Priority to TW108111250A priority patent/TW201943067A/zh
Publication of KR20190114334A publication Critical patent/KR20190114334A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 LED의 양품 또는 불량품 여부를 검사하여 불량품의 마이크로 LED를 양품의 마이크로 LED로 교체하는 마이크로 LED 검사 및 리페어 방법에 관한 것으로서, 특히, 마이크로 LED를 표시 기판으로 전사할 때, 불량품의 마이크로 LED를 검사하여 제거하고, 상기 불량품의 마이크로 LED가 위치하던 곳에 양품의 마이크로 LED를 교체하여 리페어하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법에 관한 것이다.

Description

마이크로 LED 검사 및 리페어 방법{INSPECTION AND REPAIR METHOD FOR MICRO LED}
본 발명은 마이크로 LED의 양품 또는 불량품 여부를 검사하여 불량품의 마이크로 LED를 양품의 마이크로 LED로 교체하는 마이크로 LED 검사 및 리페어 방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.
Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(한국등록특허 제10-0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.
마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없어, 보다 고정밀도로 이송하는 전사헤드 기술 개발이 이루어지고 있는 실정이다.
특히, 위와 같은 마이크로 LED 전사 기술과 더불어, 마이크로 LED의 전사시 발생하게 되는 불량품의 마이크로 LED를 검사하고, 이를 양품의 마이크로 LED로 리페어하는 방법에 대한 개발이 필요하게 되었다.
한국등록특허 제10-0731673호
이에 본 발명은 마이크로 LED를 표시 기판으로 전사할 때, 불량품의 마이크로 LED를 검사하여 제거하고, 상기 불량품의 마이크로 LED가 위치하던 곳에 양품의 마이크로 LED를 교체하여 리페어하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 특징에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED를 임시 기판에 임시적으로 부착하는 부착단계; 상기 임시 기판에 부착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계; 상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 임시 기판에서 제거하는 제거단계; 상기 임시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 임시적으로 부착시키는 리페어단계; 및 상기 임시 기판에 임시적으로 부착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계; 상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계; 상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에서 제거하는 제거단계; 상기 전사헤드에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에 흡착시키는 리페어단계; 및 상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계; 상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계; 상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에서 제거하는 제거단계; 상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계; 및 상기 표시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 부착시키는 리페어단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계; 상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계; 상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계; 상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 표시기판에서 제거하는 제거단계; 상기 표시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 부착시키는 리페어단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
임시 기판에서 감사단계, 제거단계 및 리페어단계가 이루어질 경우, 양품의 마이크로 LED만이 표시 기판에 전사되므로, 불량품의 마이크로 LED로 인해 발생되는 디스플레이의 불량화소의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
표시 기판에 전사되기 전에 검사단계를 통한 마이크로 LED의 불량 여부의 검사가 이루어질 경우, 표시 기판에서 별도의 검사를 수행할 필요가 없어 전사 공정의 효율이 상승된다.
임시 기판에서 리페어단계가 수행될 경우, 전사헤드가 한번에 양품의 마이크로 LED를 표시기판으로 전사할 수 있으며, 이를 통해, 전사 공정의 효율이 상승된다.
전사헤드에서 검사단계가 수행될 경우, 검사단계를 통해 전사헤드의 하면에 흡착된 마이크로 LED의 검사를 수행할 수 있으므로, 마이크로 LED의 하면을 검사할 수 있다.
제거단계가 전사헤드에서 이루어질 경우, 불량품의 마이크로 LED를 탈착시키는 것만으로도, 불량품의 마이크로 LED의 제거가 가능하다. 따라서, 제거단계를 빠르게 수행할 수 있으며, 이를 통해, 마이크로 LED의 전사 및 리페어 공정의 효율이 상승한다.
도 1은 본 발명의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 개략적으로 도시한 도.
도 2는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도.
도 3은 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도.
도 4는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도.
도 5는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 개략적으로 도시한 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)은,
마이크로 LED(10)가 칩핑된 성장 기판(100)과, 마이크로 LED(10)가 임시적으로 부착되는 임시 기판(200)과, 마이크로 LED(10)가 실장되는 표시 기판(300)과, 성장 기판(100), 임시 기판(200) 및 표시 기판(300)으로의 마이크로 LED(10)의 전사를 수행하는 전사헤드(1100)와, 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 검사장치(1200)와, 양품의 마이크로 LED(10)를 임시 기판(200), 전사헤드(1100) 및 표시 기판(300) 중 적어도 어느 하나에 부착시키는 리페어장치(1300)를 리페어장치(1300)를 포함하여 구성될 수 있다.
성장 기판(100)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(100)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
이러한 성장 기판(100) 위에는 마이크로 LED(10)가 제작되어 위치하게 된다. 다시 말해, 성장 기판(100) 위에는 제작된 마이크로 LED(10)가 칩핑된다.
마이크로 LED(10)는 제1반도체층, 제2반도체층, 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 형성된 활성층, 제1컨택 전극 및 제2컨택 전극을 포함할 수 있다.
제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1반도체층은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1반도체층이 n형 반도체층을 포함하고, 제2반도체층이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1반도체층에는 제1컨택 전극이 형성되고, 제2반도체층에는 제2컨택 전극이 형성될 수 있다. 제1컨택 전극 및/또는 제2컨택 전극은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.
성장 기판(100) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(10)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(10)를 성장 기판(100)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
임시 기판(200)은 마이크로 LED(10)가 임시적으로 부착되는 기판이다.
임시 기판(200)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 임시 기판(200)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
임시 기판(200)에 부착되는 마이크로 LED(10)는 흡착력을 통해 부착될 수 있다. 이 경우, 흡착력은 정전기력, 흡입력, 자기력 중 어느 하나일 수 있다.
임시 기판(200)에 부착되는 마이크로 LED(10)는 표시 기판(300)에 실장되는 마이크로 LED(10)와 같은 배열을 갖을 수 있다. 다시 말해, 임시 기판(200)에 부착되는 마이크로 LED(10)들 사이의 간격은 표시 기판(300)에 실장되는 마이크로 LED(10)들 사이의 간격과 동일한 간격을 갖을 수 있다. 후술할 전사헤드(1100)에 흡착되는 마이크로 LED(10)들 사이의 간격 또한, 임시 기판(200) 및 표시 기판(300)의 상기 간격과 동일할 수 있다.
위와 같이 임시 기판(200) 및 표시 기판(300)에 놓여지는 마이크로 LED(10)들 사이의 간격과 전사헤드(1100)에 흡착되는 마이크로 LED(10)들 사이의 간격이 모두 동일함에 따라, 전사헤드(1100)가 임시 기판(200)에서 마이크로 LED(10)를 픽업하여 표시 기판(300)으로 이송할 때, 별도의 과정을 수행할 필요 없이 표시 기판(300)에 마이크로 LED(10)를 용이하게 실장시킬 수 있다.
표시 기판(300)은 마이크로 LED(10)가 실장되어 가공됨으로써, 디스플레이 등이 되는 기판이다.
표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.
금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전사헤드(1100)는 성장 기판(100), 임시 기판(200) 및 표시 기판(300) 사이를 이동가능하게 설치되며, 성장 기판(100)에서 임시 기판(200)으로의 마이크로 LED(10)의 전사, 임시 기판(200)에서 표시 기판(300)으로의 마이크로 LED(10)의 전사, 성장 기판(100)에서 표시 기판(300)으로의 마이크로 LED(10)의 전사를 수행하는 기능을 한다.
전사헤드(1100)의 하면에는 마이크로 LED(10)가 흡착되는 복수개의 흡착부가 구비된다.
흡착부는 흡착력을 통해 마이크로 LED(10)를 흡착한다. 이 경우, 흡착력은 정전기력, 자기력, 흡입력 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
만약, 흡착부에 작용하는 흡착력이 정전기력인 경우, 흡착부는 대전성이 높은 재질로 이루어질 수 있다. 따라서, 흡착부의 대전에 의해 정전기력이 발생하게 되고, 이러한 정전기력에 의해 마이크로 LED(10)가 흡착부에 흡착될 수 있다.
만약, 흡착부에 작용하는 흡착력이 자기력인 경우, 흡착부에는 자성체가 구비될 수 있다. 따라서, 자성체의 자기력에 의해 마이크로 LED(10)가 흡착부에 흡착될 수 있다.
만약, 흡착부에 작용하는 흡착력이 흡입력인 경우, 흡착부에는 기공이 구비될 수 있으며, 전사헤드(1100)에는 상기 기공에 흡입력을 제공하는 흡입챔버 등이 구비될 수 있다. 따라서, 흡입챔버 및 기공을 통해 기체가 흡입되면, 흡입력에 의해 마이크로 LED(10)가 흡착부에 흡착될 수 있다. 이 경우, 흡입력은 진공일 수 있다.
전술한 복수개의 흡착부는 개별적인 제어가 가능할 수 있다. 따라서, 전사헤드(1100)는 복수개의 마이크로 LED(10) 중 원하는 좌표의 마이크로 LED(10)만을 흡착하거나, 흡착력을 해제하여 탈착시킬 수 있다.
복수개의 흡착부의 배열은 전술한 바와 같이, 임시 기판(200) 및 표시 기판(300)에 부착 또는 실장되는 복수개의 마이크로 LED(10)의 배열과 동일할 수 있다. 따라서, 전사헤드(1100)는 임시 기판(200)에서 마이크로 LED(10)를 픽업하여 표시 기판(300)으로 용이하게 전사시킬 수 있다.
검사장치(1200)는 마이크로 LED(10)의 불량여부를 검사하는 기능을 한다.
검사장치(1200)는 성장 기판(100)의 상부, 임시 기판(200)의 상부, 표시 기판(300)의 상부 등으로 이동가능하며, 이를 통해, 성장 기판(100)의 마이크로 LED(10), 임시 기판(200)의 마이크로 LED(10), 표시 기판(300)의 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다.
또한, 검사장치(1200)는 전사헤드(1100)의 하부로 이동가능하며, 이를 통해, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다.
리페어장치(1300)는 양품의 마이크로 LED(10)를 리페어 대상, 즉, 임시 기판(200), 전사헤드(1100) 및 표시 기판(300) 중 적어도 어느 하나에 불량품의 마이크로 LED(10)가 위치했던 곳에 양품의 마이크로 LED(10)를 부착(또는 흡착 또는 실장)시키는 기능을 한다.
리페어장치(1300)는 임시 기판(200)의 상부, 전사헤드(1100)의 하부, 표시 기판(300)의 상부로 이동가능하게 설치될 수 있다.
또한, 리페어장치(1300)는 임시 기판(200)의 상면, 표시 기판(300)의 상면을 향해 하강할 수 있다.
또한, 리페어장치(1300)는 전사헤드(1100)의 하면을 향해 상승할 수 있다.
리페어장치(1300)에는 흡착부가 구비될 수 있다. 흡착부는 흡착력을 발생시켜 마이크로 LED(10)를 흡착시킨다.
이러한 흡착부는 전사헤드(1100)의 흡착부와 마찬가지로 정전기력, 자기력, 흡입력을 통해 마이크로 LED(10)를 흡착시킬 수 있다.
이러한 리페어장치(1300)에는 복수개의 흡착부가 구비될 수도 있으나, 하나의 흡착부가 구비될 수 있다. 이는, 마이크로 LED(10)의 수율은 99.9%로, 불량품의 마이크로 LED(10)의 갯수가 양품의 마이크로 LED(10)에 비해 매우 적기 때문이다.
따라서, 리페어장치(1300)는 하나의 흡착부에 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착시키고, 제어부를 통해 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송받아 리페어 대상에서 상기 좌표에 양품의 마이크로 LED(10)를 로딩시킴으로써, 리페어 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법
이하, 도 2를 참조하여 전술한 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)을 이용한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법에 대해 설명한다.
도 2는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED(10)를 임시 기판(200)에 임시적으로 부착하는 부착단계(S11)와, 검사장치(1200)를 통해 임시 기판(200)에 부착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 검사단계(S12)와, 검사단계(S12)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 임시 기판(200)에서 제거하는 제거단계(S13)와, 임시 기판(200)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 임시적으로 부착시키는 리페어단계(S14)와, 전사헤드(1100)를 통해 임시 기판(200)에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 전사단계(S15)를 포함하여 구성될 수 있다.
부착단계(S11)에서는 마이크로 LED(10)를 임시 기판(200)에 임시적으로 부착하는 과정이 수행된다.
먼저, 부착단계(S11)를 수행하기 위해, 전사헤드(1100)가 성장 기판(100)의 상부로 이동된 후, 전사헤드(1100)가 하강하여 전사헤드(1100)의 흡착부를 통해 성장 기판(100)에 칩핑된 마이크로 LED(10)를 흡착하여 픽업한다. 이 경우, 전사헤드(1100)의 흡착부에는 복수개의 마이크로 LED(10)가 흡착된다.
이 후, 전사헤드(1100)는 임시 기판(200)의 상부로 이동되어 임시 기판(200)으로 하강하고, 흡착부에서 흡착력을 해제함으로써, 임시 기판(200)의 상면에 복수개의 마이크로 LED(10)를 로딩 시킨다.
이처럼 임시 기판(200)에 로딩된 마이크로 LED(10)는 임시 기판(200)에 임시적으로 부착됨으로써, 부착단계(S11)가 완료된다.
부착단계(S11)가 완료된 후, 검사단계(S12)가 수행된다.
검사단계(S12)에서는 검사장치(1200)를 통해 임시 기판(200)에 부착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 과정이 수행된다.
검사장치(1200)는 임시 기판(200)의 상부로 이동되어 임시 기판(200)의 상면에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하게 된다.
검사장치(1200)는 여러가지 방법으로 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사할 수 있다. 하나의 예로써, 검사장치(1200)는 프로브 침 등을 통해 마이크로 LED(10)가 통전되는지를 확인함으로써, 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 판단할 수 있다.
검사장치(1200)가 임시 기판(200)에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10) 중에서 불량품의 마이크로 LED(10)를 검출하게 되면, 검사장치(1200)와 연결된 제어부는 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 인식하게 된다.
위와 같이, 검사장치(1200)가 임시 기판(200)에 부착된 마이크로 LED(10) 중 불량품의 마이크로 LED(10)를 검출하는 것이 완료되면 검사단계(S12)가 완료된다.
검사단계(S12)가 완료된 후, 제거단계(S13)가 수행된다.
제거단계(S13)에서는 검사단계(S12)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 임시 기판(200)에서 제거하는 과정이 수행된다.
제거단계(S13)를 수행하기 위해 전사헤드(1100)는 임시 기판(200)의 상부로 이동된 후, 하강한다.
제어부는 검사단계(S12)에서 검출된 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전사헤드(1100)로 전기적 신호를 전송하게 되며, 전사헤드(1100)는 상기 좌표를 이용하여 임시 기판(200)에서 불량품의 마이크로 LED(10)만을 흡착부를 통해 흡착하여 픽업하게 된다.
픽업된 불량품의 마이크로 LED(10)는 불량품의 마이크로 LED(10)만을 수집하는 불량품 수집함 등에 로딩된다. 따라서, 임시 기판(200)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거가 완료됨으로써, 제거단계(S13)가 완료된다.
전술한 불량품의 마이크로 LED(10)의 제거는 전사헤드(1100)가 아닌, 리페어장치(1300)를 통해 이루어지거나 별도의 제거 장치를 통해 이루어질 수도 있다. 이 경우, 리페어장치(1300) 또는 제거 장치는 전사헤드(1100)와 같이 불량품의 마이크로 LED(10)만을 흡착할 수 있도록 개별적으로 제어 가능한 흡착부가 구비될 수 있다.
제거단계(S13)가 완료된 후, 리페어단계(S14)가 수행된다.
리페어단계(S14)에서는 임시 기판(200)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 임시적으로 부착시키는 과정이 수행된다.
리페어장치(1300)에는 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착한 후, 임시 기판(200)의 상부로 이동한 후, 하강한다.
이 경우, 리페어장치(1300)의 하면에 마이크로 LED(10)가 흡착된다. 따라서, 리페어장치(1300)의 흡착부는 리페어장치(1300)의 하면에 구비되며, 마이크로 LED(10)는 그 하면이 노출된 채 리페어장치(1300)의 흡착부에 흡착된다.
리페어장치(1300)는 제어부를 통해 상기 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송받아 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED(10)를 로딩시킴으로써, 임시 기판(200)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 임시적으로 부착시킨다.
위와 같이, 임시 기판(200)에 양품의 마이크로 LED(10)가 임시적으로 부착되면 리페어단계(S14)는 완료된다.
리폐어단계(S14)가 완료된 후, 전사단계(S15)가 수행된다.
전사단계(S15)에서는 전사헤드(1100)를 통해 임시 기판(200)에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 과정이 수행된다.
전사헤드(1100)는 임시 기판(200)의 상부로 이동되어 하강한 후, 흡착부를 통해 임시 기판(200)에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10) 전체를 흡착하여 픽업한다. 이 경우, 전사헤드(1100)에 픽업된 마이크로 LED(10)는 전술한 리페어단계(S14)를 수행하였기 때문에 모두 양품의 마이크로 LED(10)이다.
양품의 마이크로 LED(10)를 픽업한 전사헤드(1100)는 표시 기판(300)으로 이동하여 하강한 후, 흡착부의 흡착력을 해제하여 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)의 상면에 로딩시킴으로써, 전사단계(S15)가 완료된다.
전술한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은 검사단계(S13)와 리페어단계(S14)를 통해 모두 양품의 마이크로 LED(10)가 표시 기판(300)에 전사되므로, 불량품의 마이크로 LED(10)로 인해 발생되는 디스플레이의 불량화소의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
표시 기판(300)에 전사되기 전에 검사단계(S13)를 통한 마이크로 LED(10)의 불량 여부의 검사가 이루어지게 되므로, 표시 기판(300)에서 별도의 검사를 수행할 필요가 없어 전사 공정의 효율이 상승된다.
임시 기판(200)에서 리페어단계(S14)가 수행되므로, 전사헤드(1100)가 한번에 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)으로 전사할 수 있으며, 이를 통해, 전사 공정의 효율이 상승된다.
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법
이하, 도 3을 참조하여 전술한 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)을 이용한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법에 대해 설명한다.
도 3는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED(10)를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계(S21)와, 검사장치(1200)를 통해 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 검사단계(S22)와, 검사단계(S22)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 전사헤드(1100)에서 제거하는 제거단계(S23)와, 전사헤드(1100)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 전사헤드(1100)에 흡착시키는 리페어단계(S24)와, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 전사단계(S25)를 포함하여 구성될 수 있다.
흡착단계(S21)에서는 마이크로 LED(10)를 전사헤드(1100) 흡착시키는 과정이 수행된다.
전술한 바와 같이, 전사헤드(1100)는 흡착부를 통해 마이크로 LED(10)를 흡착하게 된다.
전사헤드(1100)가 성장 기판(100)의 상부로 이동되어 하강한 후, 성장 기판(100)에 칩핑된 마이크로 LED(10)를 흡착하여 픽업할 수 있다.
또는, 전사헤드(1100)가 임시 기판(200)의 상부로 이동되어 하강한 후, 성장 기판(100)에서 임시 기판(200)으로 전사되어 임시 기판(200)에 임시적으로 부착된 마이크로 LED(10)를 흡착하여 픽업할 수 있다.
위와 같이, 전사헤드(1100)의 복수개의 흡착부에 복수개의 마이크로 LED(10) 각각이 흡착되면 흡착단계(S21)가 완료된다.
흡착단계(S21)가 완료된 후, 검사단계(S22)가 수행된다.
검사단계(S22)에서는 검사장치(1200)를 통해 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 과정이 수행된다.
먼저, 검사장치(1200)가 전사헤드(1100)의 하부로 이동되거나, 전사헤드(1100)가 검사장치(1200)의 상부로 이동되고, 검사장치(1200)가 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 하면을 검사함으로써, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하게 된다.
검사장치(1200)가 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 중에서 불량품의 마이크로 LED(10)를 검출하게 되면, 검사장치(1200)와 연결된 제어부는 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 인식하게 된다.
위와 같이, 검사장치(1200)가 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 중 불량품의 마이크로 LED(10)를 검출하는 것이 완료되면 검사단계(S22)가 완료된다.
검사단계(S22)가 완료된 후, 제거단계(S23)가 수행된다.
제거단계(S23)에서는 검사단계(S22)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 전사헤드(1100)에서 제거하는 과정이 수행된다.
먼저, 제어부에서 전사헤드(1100)로 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송하게 된다.
상기 좌표를 전송받은 전사헤드(1100)는 상기 좌표에 해당하는 흡착부의 흡착력을 해제함으로써, 불량품의 마이크로 LED(10)를 탈착시켜 전사헤드(1100)로부터 제거한다.
이 경우, 불량품의 마이크로 LED(10)의 제거는 불량품 수집함의 상부에서 이루어질 수 있다. 따라서, 전사헤드(1100)에서 제거된 불량품의 마이크로 LED(10)는 용이하게 불량품 수집함으로 수집될 수 있다.
위와 같이, 전사헤드(1100)로부터 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거됨에 따라 제거단계(S23)가 완료된다.
전술한 바와 달리, 전사헤드(1100)로부터의 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거는 별도의 제거 장치를 통해 이루어질 수 있다. 이 경우, 제거 장치는 전사헤드(1100)의 하부로 이동하고, 흡착부의 흡착력 해제를 통해, 불량품의 마이크로 LED(10)의 탈착이 이루어지면, 제거 장치는 상기 탈착된 불량품의 마이크로 LED(10)를 흡착함으로써, 불량품의 마이크로 LED(10)를 용이하게 제거 및 회수할 수 있다.
제거단계(S23)가 완료된 후, 리페어단계(S24)가 수행된다.
리페어단계(S24)에서는 전사헤드(1100)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착시키는 과정이 수행된다.
전사헤드(1100)가 양품의 마이크로 LED(10)가 흡착된 리페어장치(1300)의 상부로 이동하거나, 리페어장치(1300)가 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착한 채 전사헤드(1100)의 하부로 이동한다.
이 경우, 리페어장치(1300)의 상면에 마이크로 LED(10)가 흡착된다. 따라서, 리페어장치(1300)의 흡착부는 리페어장치(1300)의 상면에 구비되며, 마이크로 LED(10)는 그 상면이 노출된 채 리페어장치(1300)의 흡착부에 흡착된다.
리페어장치(1300)가 전사헤드(1100)의 하부에 위치한 후 상승하면(또는 전사헤드(1100)가 하강하면), 리페어장치(1300)는 제어부를 통해 상기 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송받아 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치와 대응되는 양품의 마이크로 LED(10)의 흡착을 해제하게 된다.
그 후, 전사헤드(1100)는 상기 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 대응되는 흡착부에는 흡착력이 발생함으로써, 양품의 마이크로 LED(10)가 흡착된다.
위와 같이, 전사헤드(1100)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED(10)가 흡착되면 리페어단계(S24)는 완료된다.
리폐어단계(S24)가 완료된 후, 전사단계(S25)가 수행된다.
전사단계(S25)에서는 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 과정이 수행된다.
표시 기판(300)에 마이크로 LED(10)를 전사하기 위해, 전사헤드(1100)는 표시 기판(300)의 상부로 이동한 후, 하강한다. 이 경우, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)는 전술한 리페어단계(S24)를 수행하였기 때문에 모두 양품의 마이크로 LED(10)이다.
하강된 전사헤드(1100)는 흡착부의 흡착력을 해제하여 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)의 상면에 로딩시킴으로써, 전사단계(S25)가 완료된다.
전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은 검사단계(S22)를 통해 전사헤드(1100)의 하면에 흡착된 마이크로 LED(10)의 검사를 수행할 수 있으므로, 마이크로 LED(10)의 하면을 검사할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 제거단계(S23)가 전사헤드(1100)에서 이루어지므로, 불량품의 마이크로 LED(10)를 탈착시키는 것만으로도, 불량품의 마이크로 LED(10)의 제거가 가능하다. 따라서, 제거단계(S23)를 빠르게 수행할 수 있으며, 이를 통해, 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 공정의 효율이 상승한다.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법
이하, 도 4를 참조하여 전술한 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)을 이용한 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법에 대해 설명한다.
도 4는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED(10)를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계(S31)와, 검사장치(1200)를 통해 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 검사단계(S32)와, 검사단계(S32)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 전사헤드(1100)에서 제거하는 제거단계(S33)와, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 전사단계(S34)와, 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에 부착시키는 리페어단계(S35)를 포함하여 구성된다.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법과 비교하여 제거단계(S33)가 수행된 후에, 바로 전사단계(S34)가 수행되고, 그 후, 리페어단계(S35)가 수행된다는 점에서 차이가 있다.
다시 말해, 불량품의 마이크로 LED(10)의 검사 및 제거는 전사헤드(1100)에서 이루어지고, 리페어는 표시 기판(300)에서 이루어지는 것이다.
따라서, 흡착단계(S31), 검사단계(S32), 제거단계(S33)에 대한 설명은 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법의 흡착단계(S21), 검사단계(S22), 제거단계(S23)와 동일하며, 이에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
전사단계(S34)는 제거단계(S33)를 통해 전사헤드(1100)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 후 수행된다.
전사단계(S34)에서는 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 과정이 수행된다.
전사헤드(1100)가 표시 기판(300)의 상부로 이동한 후 하강하고, 흡착부의 흡착력을 해제함으로써, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)를 전체를 표시 기판(300)에 로딩하게 된다.
위와 같이, 전사헤드(1100)에서 표시 기판(300)으로 마이크로 LED(10) 전체가 전사되어 로딩되면, 전사단계(S34)가 완료된다.
전사단계(S34)가 완료된 후, 리페어단계(S35)가 수행된다.
리페어단계(S35)에서는 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에 부착시키는 과정이 수행된다.
리페어장치(1300)에는 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착한 후, 표시 기판(300)의 상부로 이동한 후, 하강한다.
이 경우, 리페어장치(1300)의 하면에 마이크로 LED(10)가 흡착된다. 따라서, 리페어장치(1300)의 흡착부는 리페어장치(1300)의 하면에 구비되며, 마이크로 LED(10)는 그 하면이 노출된 채 리페어장치(1300)의 흡착부에 흡착된다.
리페어장치(1300)는 제어부를 통해 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송받는다.
이 경우, 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표는 검사장치(1200)를 통해 검출된 전사헤드(1100)에 흡착된 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표이며, 이는, 표시 기판(300)의 좌표에 대응된다.
리페어장치(1300)는 상기 좌표를 통해 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED(10)를 로딩시킴으로써, 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 부착시키게 된다.
위와 같이, 표시 기판(300)에 양품의 마이크로 LED(10)가 부착(또는 로딩)되면 리페어단계(S35)는 완료된다.
전술한 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 표시 기판(300)에서 리페어단계(S35)를 수행함으로써, 표시 기판(300)에서의 불량품의 마이크로 LED(10)가 발생하게 되는 것을 방지하는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법
이하, 도 5를 참조하여 전술한 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템(1)을 이용한 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법에 대해 설명한다.
도 5는 도 1의 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템을 이용한 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법의 흐름도를 개략적으로 도시한 도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 마이크로 LED(10)를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계(S41)와, 검사장치(1200)를 통해 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)의 불량 여부를 검사하는 검사단계(S42)와, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 전사단계(S43)와, 검사단계(S42)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에서 제거하는 제거단계(S44)와, 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에 부착시키는 리페어단계(S45)를 포함하여 구성된다.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법과 비교하여 검사단계(S42)가 수행된 후에, 바로 전사단계(S43)가 수행되고, 그 후, 제거단계(S44) 및 리페어단계(S45)가 수행된다는 점에서 차이가 있다.
다시 말해, 불량품의 마이크로 LED(10)의 검사는 전사헤드(1100)에서 이루어지고, 불량품의 마이크로 LED(10)의 제거 및 리페어는 표시 기판(300)에서 이루어지는 것이다.
따라서, 흡착단계(S41), 검사단계(S42)에 대한 설명은 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법의 흡착단계(S21), 검사단계(S22)와 동일하며, 이에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
전사단계(S43)에서는 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10) 전체를 표시 기판(300)으로 전사하는 과정이 수행된다.
이 경우, 전사헤드(1100)에는 양품의 마이크로 LED(10)와 불량품의 마이크로 LED(10)가 혼재된 채, 흡착부에 흡착되어 있다.
전사헤드(1100)가 표시 기판(300)의 상부로 이동한 후 하강하고, 흡착부의 흡착력을 해제함으로써, 전사헤드(1100)에 흡착된 마이크로 LED(10)를 전체를 표시 기판(300)에 로딩하게 된다.
위와 같이, 전사헤드(1100)에서 표시 기판(300)으로 마이크로 LED(10) 전체가 전사되어 로딩되면, 전사단계(S43)가 완료된다.
전사단계(S43)가 완료된 후, 제거단계(S44)가 수행된다.
제거단계(S44)에서는 검사단계(S42)에서 검사된 불량품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에서 제거하는 과정이 수행된다.
제거단계(S44)를 수행하기 위해 전사헤드(1100)는 표시 기판(300)의 상부로 이동된 후, 하강한다.
제어부는 검사단계(S42)에서 검출된 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전사헤드(1100)로 전기적 신호를 전송하게 되며, 전사헤드(1100)는 상기 좌표를 이용하여 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)만을 흡착부를 통해 흡착하여 픽업하게 된다.
픽업된 불량품의 마이크로 LED(10)는 불량품의 마이크로 LED(10)만을 수집하는 불량품 수집함 등에 로딩된다. 따라서, 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거가 완료됨으로써, 제거단계(S44)가 완료된다.
전술한 불량품의 마이크로 LED(10)의 제거는 전사헤드(1100)가 아닌, 리페어장치(1300)를 통해 이루어지거나 별도의 제거 장치를 통해 이루어질 수도 있다. 이 경우, 리페어장치(1300) 또는 제거 장치는 전사헤드(1100)와 같이 불량품의 마이크로 LED(10)만을 흡착할 수 있도록 개별적으로 제어 가능한 흡착부가 구비될 수 있다.
제거단계(S44)가 완료된 후, 리페어단계(S45)가 수행된다.
리페어단계(S45)에서는 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 표시 기판(300)에 부착시키는 과정이 수행된다.
리페어장치(1300)에는 양품의 마이크로 LED(10)를 흡착한 후, 표시 기판(300)의 상부로 이동한 후, 하강한다.
이 경우, 리페어장치(1300)의 하면에 마이크로 LED(10)가 흡착된다. 따라서, 리페어장치(1300)의 흡착부는 리페어장치(1300)의 하면에 구비되며, 마이크로 LED(10)는 그 하면이 노출된 채 리페어장치(1300)의 흡착부에 흡착된다.
리페어장치(1300)는 제어부를 통해 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표를 전송받는다.
이 경우, 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표는 검사장치(1200)를 통해 검출된 표시 기판(300)에 부착된(또는 로딩된) 불량품의 마이크로 LED(10)의 좌표이다.
리페어장치(1300)는 상기 좌표를 통해 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED(10)를 로딩시킴으로써, 표시 기판(300)에서 불량품의 마이크로 LED(10)가 제거된 위치에 리페어장치(1300)를 통해 양품의 마이크로 LED(10)를 부착시키게 된다.
위와 같이, 표시 기판(300)에 양품의 마이크로 LED(10)가 부착(또는 로딩)되면 리페어단계(S45)는 완료된다.
전술한 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED(10)의 전사 및 리페어 방법은, 표시 기판(300)에서 제거단계(S44) 및 리페어단계(S45)를 수행함으로써, 표시 기판(300)에서의 불량품의 마이크로 LED(10)가 발생하게 되는 것을 방지하는 효과가 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
1: 마이크로 LED의 전사 및 리페어 시스템 10: 마이크로 LED
100: 성장 기판 200: 임시 기판
300: 표시 기판
1100: 전사헤드 1200: 검사장치
1300: 리페어장치

Claims (4)

  1. 마이크로 LED를 임시 기판에 임시적으로 부착하는 부착단계;
    상기 임시 기판에 부착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계;
    상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 임시 기판에서 제거하는 제거단계;
    상기 임시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 임시적으로 부착시키는 리페어단계; 및
    상기 임시 기판에 임시적으로 부착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법.
  2. 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계;
    상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계;
    상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에서 제거하는 제거단계;
    상기 전사헤드에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에 흡착시키는 리페어단계; 및
    상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법.
  3. 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계;
    상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계;
    상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 전사헤드에서 제거하는 제거단계;
    상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계; 및
    상기 표시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 부착시키는 리페어단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법.
  4. 마이크로 LED를 전사헤드로 흡착시키는 흡착단계;
    상기 전사헤드에 흡착된 상기 마이크로 LED의 불량 여부를 검사하는 검사단계;
    상기 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED 전체를 표시 기판으로 전사하는 전사단계;
    상기 검사단계에서 검사된 불량품의 마이크로 LED를 상기 표시기판에서 제거하는 제거단계;
    상기 표시 기판에서 상기 불량품의 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품의 마이크로 LED를 부착시키는 리페어단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 전사 및 리페어 방법.
KR1020180036867A 2018-03-29 2018-03-29 마이크로 led 검사 및 리페어 방법 KR20190114334A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180036867A KR20190114334A (ko) 2018-03-29 2018-03-29 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
CN201910225538.5A CN110323244A (zh) 2018-03-29 2019-03-25 微发光二极管的转印及修复方法
US16/369,802 US10872828B2 (en) 2018-03-29 2019-03-29 Inspection and replacement method for micro LED
TW108111250A TW201943067A (zh) 2018-03-29 2019-03-29 微發光二極體的轉印與修復方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180036867A KR20190114334A (ko) 2018-03-29 2018-03-29 마이크로 led 검사 및 리페어 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190114334A true KR20190114334A (ko) 2019-10-10

Family

ID=68055444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180036867A KR20190114334A (ko) 2018-03-29 2018-03-29 마이크로 led 검사 및 리페어 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10872828B2 (ko)
KR (1) KR20190114334A (ko)
CN (1) CN110323244A (ko)
TW (1) TW201943067A (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021145522A1 (en) * 2020-01-14 2021-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus
KR102288309B1 (ko) * 2020-02-12 2021-08-10 한국광기술원 마이크로 led 디스플레이 제조방법
KR20220069378A (ko) 2020-11-20 2022-05-27 (주)노스트 마이크로 led 검사 장치 및 그 방법
KR20220121332A (ko) 2021-02-25 2022-09-01 엘이디라이텍(주) 마이크로 엘이디 리페어가 가능한 차량용 조명모듈 점등검사장치와 이를 이용한 리페어 공정
KR20230037372A (ko) * 2021-09-09 2023-03-16 주식회사 이안하이텍 디스플레이 패널의 불량 마이크로 led를 리페어하는 장치 및 방법
WO2023120898A1 (ko) * 2021-12-21 2023-06-29 한국광기술원 마이크로 led 패키지와 이를 구비한 디스플레이 및 디스플레이 제조방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190114333A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led의 검사방법
KR20200129340A (ko) * 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이의 제조 방법
CN110600590B (zh) * 2019-09-25 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 微型发光二极管的转移方法和显示面板
TWI722734B (zh) * 2019-12-24 2021-03-21 財團法人工業技術研究院 畫素結構
JP2021110875A (ja) * 2020-01-14 2021-08-02 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. ディスプレイ装置の製造方法、ディスプレイ装置、およびディスプレイ装置製造用中間体
CN111341682A (zh) * 2020-02-09 2020-06-26 纳晶科技股份有限公司 一种显示基板的芯片检修装置及检修方法
DE102020202425A1 (de) 2020-02-26 2021-08-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen vorrichtung und optoelektronische vorrichtung
CN113471346A (zh) * 2020-03-31 2021-10-01 成都辰显光电有限公司 一种微发光二极管的修复方法
CN113690158A (zh) * 2020-05-19 2021-11-23 成都辰显光电有限公司 转移基板和选择性拾取、彩色屏体制备及屏体修复方法
CN111584538A (zh) * 2020-06-05 2020-08-25 武汉华星光电技术有限公司 微型发光二极管显示装置及其制造方法
CN111769054A (zh) * 2020-06-12 2020-10-13 福州大学 一种彩色μLED巨量转移方法
CN111798764B (zh) * 2020-06-12 2022-07-05 福州大学 一种μLED像素单元结构及显示器件
DE102020124921A1 (de) * 2020-09-24 2022-03-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie eine optoelektronische Anordnung
CN112271150A (zh) * 2020-10-28 2021-01-26 厦门乾照半导体科技有限公司 一种Micro-LED阵列的修补设备及修补方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731673B1 (ko) 1999-12-03 2007-06-25 크리, 인코포레이티드 광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP4967251B2 (ja) * 2005-05-09 2012-07-04 ソニー株式会社 画像表示装置の製造方法
KR102300517B1 (ko) * 2014-10-17 2021-09-13 인텔 코포레이션 마이크로led 디스플레이 및 어셈블리
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
CN105518877B (zh) * 2015-08-18 2018-06-12 歌尔股份有限公司 微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备
WO2017028206A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-23 Goertek.Inc Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
CN105518888B (zh) * 2015-09-09 2018-06-12 歌尔股份有限公司 微发光二极管的修复方法、制造方法、装置及电子设备
KR102482493B1 (ko) * 2015-10-28 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법과 리페어 방법
KR102661676B1 (ko) * 2016-08-05 2024-04-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표시장치 제조방법
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100731673B1 (ko) 1999-12-03 2007-06-25 크리, 인코포레이티드 광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021145522A1 (en) * 2020-01-14 2021-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus
US11508780B2 (en) 2020-01-14 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus
KR102288309B1 (ko) * 2020-02-12 2021-08-10 한국광기술원 마이크로 led 디스플레이 제조방법
KR20220069378A (ko) 2020-11-20 2022-05-27 (주)노스트 마이크로 led 검사 장치 및 그 방법
KR20220121332A (ko) 2021-02-25 2022-09-01 엘이디라이텍(주) 마이크로 엘이디 리페어가 가능한 차량용 조명모듈 점등검사장치와 이를 이용한 리페어 공정
KR20230037372A (ko) * 2021-09-09 2023-03-16 주식회사 이안하이텍 디스플레이 패널의 불량 마이크로 led를 리페어하는 장치 및 방법
WO2023120898A1 (ko) * 2021-12-21 2023-06-29 한국광기술원 마이크로 led 패키지와 이를 구비한 디스플레이 및 디스플레이 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201943067A (zh) 2019-11-01
CN110323244A (zh) 2019-10-11
US10872828B2 (en) 2020-12-22
US20190304854A1 (en) 2019-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190114334A (ko) 마이크로 led 검사 및 리페어 방법
US9911764B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11217464B2 (en) System for transferring micro LED
US10879105B2 (en) Micro LED transfer head and system using same for transferring micro LED
US11894350B2 (en) Fluidic assembly enabled mass transfer for microLED displays
US10629471B2 (en) Micro LED grip body
CN102122691B (zh) Led外延片、led结构及led结构的形成方法
KR20190114333A (ko) 마이크로 led의 검사방법
US20190115328A1 (en) Semiconductor device, display panel, and method for manufacturing display panel
US20220223754A1 (en) Method for manufacturing micro led display, and micro led display using same
US11152534B2 (en) Transfer head and method of manufacturing micro LED display using same
US20200070364A1 (en) Transfer head
WO2019083190A1 (en) LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US11581210B2 (en) Micro LED transfer system
WO2013154181A1 (ja) チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法
CN111834389B (zh) 一种μLED显示器件检测及修复方法
US11548170B2 (en) Micro LED grip body and system having same for inspecting micro LED
KR20200053841A (ko) 마이크로 led 위치 오차 보정 캐리어 및 마이크로 led 전사시스템
KR20200001323A (ko) 마이크로 led 전사헤드
KR102481434B1 (ko) 전사헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 흡착방법
CN113474874A (zh) 微发光二极管转移方法及使用其的显示装置
KR20190117180A (ko) 마이크로 led 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 led 검사시스템
US11990453B2 (en) Fluidic assembly carrier substrate for microLED mass transfer
KR102540860B1 (ko) 마이크로 led 전사헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 시스템
KR102273348B1 (ko) 전자 소자의 선택적 이송 방법 및 전자 소자의 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application