TW201943067A - 微發光二極體的轉印與修復方法 - Google Patents

微發光二極體的轉印與修復方法 Download PDF

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Abstract

本發明涉及一種檢查微發光二極體是否為良品或不良品而將屬於不良品的微發光二極體更換為屬於良品的微發光二極體的微發光二極體的檢查及修復方法，尤其涉及一種在將微發光二極體轉印到顯示基板時，檢查屬於不良品的微發光二極體而去除，將屬於良品的微發光二極體更換到所述屬於不良品的微發光二極體曾處的位置而進行修復的微發光二極體的檢查及修復方法。

Description

微LED的檢查與修復方法
本發明涉及一種檢查微發光二極體（Light Emitting Diode，LED）是否為良品或不良品而將屬於不良品的微發光二極體更換為屬於良品的微發光二極體的微發光二極體的檢查及修復方法。
目前，顯示器市場仍以液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display，LCD）為主流，但有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）正快速地替代LCD而逐漸成為主流。最近，在顯示器企業參與OLED市場成為熱潮的情況下，微（Micro）發光二極體（稱為“微LED”）顯示器也逐漸成為下一代顯示器。LCD與OLED的核心原材料分別為液晶（Liquid Crystal）、有機材料，與此相反，微發光二極體顯示器是將1微米至100微米（μm）單位的發光二極體晶片本身用作發光材料的顯示器。
隨著Cree公司在1999年申請有關“提高光輸出的微-發光二極體陣列”的專利（韓國註冊專利第10-0731673號）而出現“微發光二極體”一詞以來，陸續發表相關研究論文，並且進行研究開發。作為為了將微發光二極體應用在顯示器而需解決的問題，需開發一種基於撓性（Flexible）原材料/元件製造微發光二極體元件的定制型微晶片，需要一種微米尺寸的發光二極體晶片的轉印（transfer）技術與準確地安裝（Mounting）到顯示器畫素電極的技術。
關於將微發光二極體元件移送到顯示基板的轉印（transfer），因發光二極體尺寸變小至1微米至100微米（μm）單位而無法使用以往的取放（pick & place）設備，因此目前正在開發一種以更高精確度進行移送的轉印頭技術。
尤其，除如上所述的微發光二極體轉印技術以外，需開發一種檢查在轉印微發光二極體時產生的屬於不良品的微發光二極體，且將所述屬於不良品的微發光二極體修復成屬於良品的微發光二極體的方法。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
（專利文獻1）韓國註冊專利第10-0731673號
[發明要解決的問題]
因此，本發明的目的在於提供一種在將微發光二極體轉印到顯示基板時檢查屬於不良品的微發光二極體而去除，將屬於良品的微發光二極體更換到所述屬於不良品的微發光二極體曾處的位置而進行修復的微發光二極體的轉印及修復方法。
[解決問題的手段]
為了達成本發明的這種目的，本發明的一特徵的微發光二極體的轉印及修復方法的特徵在於包括：附著步驟，將所述微發光二極體臨時附著到臨時基板；檢查步驟，檢查附著在所述臨時基板的所述微發光二極體是否不良；去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述臨時基板去除；修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體臨時附著到所述臨時基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置；以及轉印步驟，將臨時附著在所述臨時基板的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板。
本發明的另一特徵的微發光二極體的轉印及修復方法的特徵在於包括：吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭；檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良；去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述轉印頭去除；修復步驟，在所述轉印頭中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置將屬於良品的所述微發光二極體吸附到所述轉印頭；以及轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板。
本發明的又一特徵的微發光二極體的轉印及修復方法的特徵在於包括：吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭；檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良；去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述轉印頭去除；轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板；以及修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體附著到所述顯示基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置。
本發明的再一特徵的微發光二極體的轉印及修復方法的特徵在於包括：吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭；檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良；轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板；去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述顯示基板去除；以及修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體附著到所述顯示基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置。
[發明效果]
如上所述，本發明的微發光二極體的轉印及修復方法具有如下效果。
在臨時基板上進行檢查步驟、去除步驟及修復步驟的情況下，僅屬於良品的微發光二極體轉印到顯示基板，因此可有效地防止因屬於不良品的微發光二極體引起的顯示器畫素的不良。
在轉印到顯示基板前通過檢查步驟檢查微發光二極體是否不良的情況下，無需在顯示基板另外執行檢查，從而轉印製程的效率提升。
在臨時基板上執行修復步驟的情況下，轉印頭可一次將屬於良品的微發光二極體轉印到顯示基板，由此轉印製程的效率提升。
在轉印頭上執行檢查步驟的情況下，可通過檢查步驟執行吸附在轉印頭的下表面的微發光二極體的檢查，因此可檢查微發光二極體的下表面。
在轉印頭上進行去除步驟的情況下，通過解吸屬於不良品的微發光二極體即可去除屬於不良品的微發光二極體。因此，可快速地執行去除步驟，由此微發光二極體的轉印及修復製程的效率提升。
以下內容僅例示發明的原理。因此，雖未在本說明書中明確地進行說明或圖示，但本領域技術人員可實現發明的原理而發明包括在發明的概念與範圍內的各種裝置。另外，應理解，本說明書中所列舉的所有附有條件的術語及實施例在原則上僅明確地用於理解發明的概念，並不限制於像這樣特別列舉的實施例及狀態。
上述目的、特徵及優點根據與附圖相關的以下的詳細說明而變得更明確，因此發明所屬的技術領域內的普通技術人員可容易地實施發明的技術思想。
參考作為本發明的理想的例示圖的剖面圖及/或立體圖，對本說明書中所記述的實施例進行說明。為了有效地說明技術內容，誇張地表示這些附圖中所示的膜及區域的厚度及孔的直徑等。例示圖的形態會因製造技術及/或容許誤差等而變形。另外，附圖中所示的微發光二極體的個數僅例示性地在附圖中表示一部分。因此，本發明的實施例也包括根據製造製程發生的形態的變化，並不限制於所圖示的特定形態。
在對各種實施例進行說明時，即便實施例不同，方便起見而也對執行相同的功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的參照符號。另外，方便起見，省略已在其他實施例中說明的構成及動作。
微發光二極體的轉印及修復系統1
以下，參照圖1，對本發明的微發光二極體的轉印及修復系統1進行說明。
圖1是概略性地表示本發明的微發光二極體的轉印及修復系統的圖。
如圖1所示，本發明的微發光二極體的轉印及修復系統1可包括：生長基板100，其上有經切割的微發光二極體10；臨時基板200，臨時附著微發光二極體10；顯示基板300，安裝微發光二極體10；轉印頭1100，執行微發光二極體10向生長基板100、臨時基板200及顯示基板300的轉印；檢查裝置1200，檢查微發光二極體10是否不良；以及修復裝置1300，將屬於良品的微發光二極體10附著到臨時基板200、轉印頭1100及顯示基板300中的至少任一者。
生長基板100可包括導電性基板或絕緣性基板。例如，生長基板100可由藍寶石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge及Ga2 O3 中的至少任一種形成。
微發光二極體10製作定位在這種生長基板100上。換句話說，所製作的微發光二極體10在生長基板100上經切割。
微發光二極體10可包括第一半導體層、第二半導體層、形成在第一半導體層與第二半導體層之間的活性層、第一接觸電極及第二接觸電極。
第一半導體層、活性層及第二半導體層可利用有機金屬化學沉積法（MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、化學沉積法（CVD，Chemical Vapor Deposition）、等離子體化學沉積法（PECVD，Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）、分子束磊晶法（MBE，Molecular Beam Epitaxy）、氫化物氣相磊晶法（HVPE，Hydride Vapor Phase Epitaxy）等方法形成。
第一半導體層例如可由p型半導體層實現。p型半導體層可選自具有Inx Aly Ga1-x-y N（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x＋y≤1）的組成式的半導體材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等，可摻雜Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型摻雜物。
第二半導體層例如可包括n型半導體層而形成。n型半導體層可選自具有Inx Aly Ga1-x-y N（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x＋y≤1）的組成式的半導體材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等，可摻雜Si、Ge、Sn等n型摻雜物。
然而，本發明並不限制於此，也可為第一半導體層包括n型半導體層，第二半導體層包括p型半導體層。
活性層作為電子與空穴再結合的區域，因電子與空穴再結合而會轉變成低能階，產生具有與其對應的波長的光。活性層例如可包括具有Inx Aly Ga1-x-y N（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x＋y≤1）的組成式的半導體材料而形成，可由單量子阱結構或多量子阱結構（Multi Quantum Well，MQW）形成。另外，也可包括量子線（Quantum wire）結構或量子點（Quantum dot）結構。
可在第一半導體層形成第一接觸電極，在第二半導體層形成第二接觸電極。第一接觸電極及/或第二接觸電極可包括一個以上的層，可由包括金屬、導電性氧化物及導電性聚合物在內的各種導電性材料形成。
可利用鐳射等沿切割線切割形成在生長基板100上的多個微發光二極體10或通過蝕刻製程分離成單個，通過鐳射剝離製程使多個微發光二極體10成為可從生長基板100分離的狀態。
臨時基板200是臨時附著微發光二極體10的基板。
臨時基板200可包括導電性基板或絕緣性基板。例如，臨時基板200可由藍寶石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge及Ga2 O3 中的至少任一種形成。
附著到臨時基板200的微發光二極體10可通過吸附力附著。在此情況下，吸附力可為靜電力、吸入力、磁力中的任一種。
附著到臨時基板200的微發光二極體10可呈與安裝到顯示基板300的微發光二極體10相同的排列。換句話說，附著到臨時基板200的微發光二極體10之間的間隔可與安裝到顯示基板300的微發光二極體10之間的間隔相同。吸附到下文敘述的轉印頭1100的微發光二極體10之間的間隔也可與臨時基板200及顯示基板300的所述間隔相同。
如上所述，放置在臨時基板200及顯示基板300的微發光二極體10之間的間隔與吸附到轉印頭1100的微發光二極體10之間的間隔均相同，因此在轉印頭1100從臨時基板200拾取微發光二極體10而移送到顯示基板300時，無需執行另外的過程而可容易地將微發光二極體10安裝到顯示基板300。
顯示基板300為其上有安裝微發光二極體10且進行加工成為顯示器的基板等。
顯示基板300可包括各種原材料。例如，顯示基板300可包括以SiO2 為主成分的透明的玻璃材質。然而，顯示基板300並非必須限定於此，可由透明的塑膠材質形成而具有可溶性。塑膠材質可為選自由作為絕緣性有機物的聚醚碸（PES，polyethersulphone）、聚丙烯酸酯（PAR，polyacrylate）、聚醚醯亞胺（PEI，polyetherimide）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN，polyethylene naphthalate）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET，polyethylene terephthalate）、聚苯硫醚（PPS，polyphenylene sulfide）、聚芳酯（polyarylate）、聚醯亞胺（polyimide）、聚碳酸酯（PC）、三乙酸纖維素（TAC）、乙酸丙酸纖維素（cellulose acetate propionate，CAP）所組成的族群中的有機物。
在為圖像朝顯示基板300方向實現的背面發光型的情況下，顯示基板300需由透明的材質形成。然而，在為圖像朝顯示基板300的相反方向實現的正面發光型的情況下，顯示基板300並非必須由透明的材質形成。在此情況下，可由金屬形成顯示基板300。
在由金屬形成顯示基板300的情況下，顯示基板300可包括選自由鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼（SUS）、鎳鋼（Invar）合金、英高鎳（Inconel）合金及科伐（Kovar）合金所組成的族群中的一種以上，但並不限定於此。
轉印頭1100以可在生長基板100、臨時基板200及顯示基板300之間移動的方式設置，發揮如下功能：執行微發光二極體10從生長基板100向臨時基板200的轉印、微發光二極體10從臨時基板200向顯示基板300的轉印、微發光二極體10從生長基板100向顯示基板300的轉印。
在轉印頭1100的下表面具備吸附微發光二極體10的多個吸附部。
吸附部通過吸附力吸附微發光二極體10。在此情況下，吸附力可為靜電力、磁力、吸入力中的至少任一種。
在作用到吸附部的吸附力為靜電力的情況下，吸附部可包括帶電性較高的材質。因此，因吸附部帶電而產生靜電力，微發光二極體10可通過這種靜電力吸附到吸附部。
在作用到吸附部的吸附力為磁力的情況下，可在吸附部具備磁性體。因此，微發光二極體10可通過磁性體的磁力吸附到吸附部。
在作用到吸附部的吸附力為吸入力的情況下，可在吸附部具備氣孔，可在轉印頭1100具備對所述氣孔提供吸入力的吸入腔室等。因此，當通過吸入腔室及氣孔吸入氣體時，微發光二極體10可通過吸入力吸附到吸附部。在此情況下，吸入力可為真空。
可單獨控制所述多個吸附部。因此，轉印頭1100可僅吸附多個微發光二極體10中的所期望的座標的微發光二極體10或解除吸附力而解吸。
多個吸附部的排列可像上述內容一樣與附著或安裝到臨時基板200及顯示基板300的多個微發光二極體10的排列相同。因此，轉印頭1100可從臨時基板200拾取微發光二極體10而容易地轉印到顯示基板300。
檢查裝置1200發揮檢查微發光二極體10是否不良的功能。
檢查裝置1200可移動到生長基板100的上部、臨時基板200的上部、顯示基板300的上部等，由此可檢查生長基板100的微發光二極體10、臨時基板200的微發光二極體10、顯示基板300的微發光二極體10是否不良。
另外，檢查裝置1200可移動到轉印頭1100的下部，由此可檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10是否不良。
修復裝置1300發揮如下功能：將屬於良品的微發光二極體10附著（或者，吸附或安裝）到屬於不良品的微發光二極體10在修復物件、即臨時基板200、轉印頭1100及顯示基板300中的至少任一者中曾處的位置。
能夠以可移動到臨時基板200的上部、轉印頭1100的下部、顯示基板300的上部的方式設置修復裝置1300。
另外，修復裝置1300可朝臨時基板200的上表面、顯示基板300的上表面下降。
另外，修復裝置1300可朝轉印頭1100的下表面上升。
可在修復裝置1300具備吸附部。吸附部產生吸附力而吸附微發光二極體10。
這種吸附部可與轉印頭1100的吸附部相同地通過靜電力、磁力、吸入力吸附微發光二極體10。
可在這種修復裝置1300具備多個吸附部，但也可具備一個吸附部。其原因在於：微發光二極體10的產率為99.9%而屬於不良品的微發光二極體10的個數遠遠少於屬於良品的微發光二極體10。
因此，修復裝置1300可通過如下方式執行修復製程：將屬於良品的微發光二極體10吸附到一個吸附部，通過控制部接收屬於不良品的微發光二極體10的座標而在修復物件中將屬於良品的微發光二極體10裝載到所述座標。
本發明的優選的第一實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法
以下，參照圖2，對利用所述微發光二極體的轉印及修復系統1的本發明的優選的第一實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法進行說明。
圖2是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第一實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
如圖2所示，本發明的優選的第一實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法可包括：附著步驟S11，將微發光二極體10臨時附著到臨時基板200；檢查步驟S12，通過檢查裝置1200檢查附著在臨時基板200的微發光二極體10是否不良；去除步驟S13，將在檢查步驟S12中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從臨時基板200去除；修復步驟S14，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10臨時附著到臨時基板200中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置；以及轉印步驟S15，通過轉印頭1100將臨時附著在臨時基板200的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300。
在附著步驟S11中，執行將微發光二極體10臨時附著到臨時基板200的過程。
首先，為了執行附著步驟S11，在轉印頭1100移動到生長基板100的上部後，轉印頭1100下降，通過轉印頭1100的吸附部吸附切片在生長基板100的微發光二極體10而拾取。在此情況下，在轉印頭1100的吸附部吸附多個微發光二極體10。
此後，轉印頭1100移動到臨時基板200的上部而朝臨時基板200下降，在吸附部解除吸附力，由此將多個微發光二極體10裝載到臨時基板200的上表面。
如上所述，裝載在臨時基板200的微發光二極體10臨時附著到臨時基板200，由此附著步驟S11結束。
在附著步驟S11結束後，執行檢查步驟S12。
在檢查步驟S12中，執行通過檢查裝置1200檢查附著在臨時基板200的微發光二極體10是否不良的過程。
檢查裝置1200移動到臨時基板200的上部而檢查臨時附著在臨時基板200的上表面的微發光二極體10是否不良。
檢查裝置1200可通過多種方法檢查微發光二極體10是否不良。作為一例，檢查裝置1200通過探針等確認微發光二極體10是否通電，由此可判斷微發光二極體10是否不良。
如果檢查裝置1200在臨時附著在臨時基板200的微發光二極體10中檢測出屬於不良品的微發光二極體10，則與檢查裝置1200連接的控制部識別屬於不良品的微發光二極體10的座標。
如上所述，在檢查裝置1200檢測附著在臨時基板200的微發光二極體10中屬於不良品的的微發光二極體10的過程結束後，檢查步驟S12結束。
在檢查步驟S12結束後，執行去除步驟S13。
在去除步驟S13中，執行將在檢查步驟S12中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從臨時基板200去除的過程。
為了執行去除步驟S13，轉印頭1100在移動到臨時基板200的上部後下降。
控制部將在檢查步驟S12中檢測到的屬於不良品的微發光二極體10的座標以電信號形式傳輸到轉印頭1100，轉印頭1100利用所述座標來通過吸附部從臨時基板200僅吸附屬於不良品的微發光二極體10而拾取。
所拾取的屬於不良品的微發光二極體10裝載到僅收集屬於不良品的微發光二極體10的不良品收集箱等。因此，從臨時基板200去除屬於不良品的微發光二極體10的過程結束，由此去除步驟S13結束。
也可通過除轉印頭1100以外的修復裝置1300或另外的去除裝置去除所述屬於不良品的微發光二極體10。在此情況下，修復裝置1300或去除裝置可具備可單獨控制的吸附部，以便可像轉印頭1100一樣僅吸附屬於不良品的微發光二極體10。
在去除步驟S13結束後，執行修復步驟S14。
在修復步驟S14中，執行通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10臨時附著到臨時基板200中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置的過程。
修復裝置1300在吸附屬於良品的微發光二極體10後，移動到臨時基板200的上部後下降。
在此情況下，在修復裝置1300的下表面吸附微發光二極體10。因此，修復裝置1300的吸附部具備到修復裝置1300的下表面，微發光二極體10以露出其下表面的狀態吸附到修復裝置1300的吸附部。
修復裝置1300通過控制部接收所述屬於不良品的微發光二極體10的座標而將屬於良品的微發光二極體10裝載到去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，由此通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10臨時附著到臨時基板200中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置。
如上所述，在屬於良品的微發光二極體10臨時附著到臨時基板200後，修復步驟S14結束。
在修復步驟S14結束後，執行轉印步驟S15。
在轉印步驟S15中，執行通過轉印頭1100將臨時附著在臨時基板200的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300的過程。
轉印頭1100在移動到臨時基板200的上部而下降後，通過吸附部吸附臨時附著在臨時基板200的所有微發光二極體10而拾取。在此情況下，拾取到轉印頭1100的微發光二極體10已執行所述修復步驟S14，故而均為屬於良品的微發光二極體10。
拾取屬於良品的微發光二極體10的轉印頭1100在移動到顯示基板300而下降後，解除吸附部的吸附力而將屬於良品的微發光二極體10裝載到顯示基板300的上表面，由此轉印步驟S15結束。
本發明的優選的第一實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法通過檢查步驟S13與修復步驟S14將所有屬於良品的微發光二極體10轉印到顯示基板300，因此可有效地防止因屬於不良品的微發光二極體10引起的顯示器畫素的不良。
在轉印到顯示基板300前，通過檢查步驟S13檢查微發光二極體10是否不良，因此無需在顯示基板300執行另外的檢查，從而轉印製程的效率提升。
在臨時基板200執行修復步驟S14，因此轉印頭1100可一次將屬於良品的微發光二極體10轉印到顯示基板300，由此轉印製程的效率提升。
本發明的優選的第二實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法
以下，參照圖3，對利用所述微發光二極體的轉印及修復系統1的本發明的優選的第二實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法進行說明。
圖3是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第二實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
如圖3所示，本發明的優選的第二實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法可包括：吸附步驟S21，將微發光二極體10吸附到轉印頭；檢查步驟S22，通過檢查裝置1200檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10是否不良；去除步驟S23，將在檢查步驟S22中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從轉印頭1100去除；修復步驟S24，在轉印頭1100中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10吸附到轉印頭1100；以及轉印步驟S25，將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300。
在吸附步驟S21中，執行將微發光二極體10吸附到轉印頭1100的過程。
如上所述，轉印頭1100通過吸附部吸附微發光二極體10。
在轉印頭1100移動到生長基板100的上部而下降後，可吸附切片在生長基板100的微發光二極體10而拾取。
或者，在轉印頭1100移動到臨時基板200的上部而下降後，可從生長基板100轉印到臨時基板200而吸附臨時附著在臨時基板200的微發光二極體10來拾取。
如上所述，在多個微發光二極體10分別吸附到轉印頭1100的多個吸附部後，吸附步驟S21結束。
在吸附步驟S21結束後，執行檢查步驟S22。
在檢查步驟S22中，執行通過檢查裝置1200檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10是否不良的過程。
首先，檢查裝置1200移動到轉印頭1100的下部、或轉印頭1100移動到檢查裝置1200的上部，檢查裝置1200檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10的下表面，由此檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10是否不良。
如果檢查裝置1200在吸附在轉印頭1100的微發光二極體10中檢測出屬於不良品的微發光二極體10，則與檢查裝置1200連接的控制部識別屬於不良品的微發光二極體10的座標。
如上所述，在檢查裝置1200檢測吸附在轉印頭1100的微發光二極體10中的屬於不良品的微發光二極體10的過程結束後，檢查步驟S22結束。
在檢查步驟S22結束後，執行去除步驟S23。
在去除步驟S23中，執行將在檢查步驟S22中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從轉印頭1100去除的過程。
首先，由控制部向轉印頭1100傳輸屬於不良品的微發光二極體10的座標。
接收到所述座標的轉印頭1100解除與所述座標對應的吸附部的吸附力，由此解吸屬於不良品的微發光二極體10而從轉印頭1100去除。
在此情況下，可在不良品收集箱的上部去除屬於不良品的微發光二極體10。因此，從轉印頭1100去除的屬於不良品的微發光二極體10可容易地收集到不良品收集箱。
如上所述，從轉印頭1100去除屬於不良品的微發光二極體10，由此去除步驟S23結束。
與此不同，可通過另外的去除裝置從轉印頭1100去除屬於不良品的微發光二極體10。在此情況下，去除裝置移動到轉印頭1100的下部，在通過解除吸附部的吸附力而解吸屬於不良品的微發光二極體10後，去除裝置吸附所解吸的所述屬於不良品的微發光二極體10，由此可容易地去除及回收微發光二極體10。
在去除步驟S23結束後，執行修復步驟S24。
在修復步驟S24中，執行通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10吸附到轉印頭1100中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置的過程。
轉印頭1100移動到吸附有屬於良品的微發光二極體10的修復裝置1300的上部、或以修復裝置1300吸附屬於良品的微發光二極體10的狀態移動到轉印頭1100的下部。
在此情況下，在修復裝置1300的上表面吸附微發光二極體10。因此，修復裝置1300的吸附部具備到修復裝置1300的上表面，微發光二極體10以露出其上表面的狀態吸附到修復裝置1300的吸附部。
如果在修復裝置1300定位到轉印頭1100的下部後上升（或轉印頭1100下降），則修復裝置1300通過控制部接收所述屬於不良品的微發光二極體10的座標而解除與去除屬於不良品的微發光二極體10的位置對應的屬於良品的微發光二極體10的吸附。
此後，轉印頭1100在與去除所述屬於不良品的微發光二極體10的位置對應的吸附部產生吸附力，由此吸附屬於良品的微發光二極體10。
如上所述，在屬於良品的微發光二極體10吸附到轉印頭1100中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置後，修復步驟S24結束。
在修復步驟S24結束後，執行轉印步驟S25。
在轉印步驟S25中，執行將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300的過程。
為了將微發光二極體10轉印到顯示基板300，轉印頭1100在移動到顯示基板300的上部後下降。在此情況下，吸附在轉印頭1100的微發光二極體10已執行所述修復步驟S24，故而均為屬於良品的微發光二極體10。
下降的轉印頭1100解除吸附部的吸附力而將屬於良品的微發光二極體10裝載到顯示基板300的上表面，由此轉印步驟S25結束。
本發明的優選的第二實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法可通過檢查步驟S22執行吸附在轉印頭1100的下表面的微發光二極體10的檢查，因此具有可檢微發光二極體10的下表面的優點。
另外，在轉印頭1100進行去除步驟S23，因此通過解吸屬於不良品的微發光二極體10即可去除屬於不良品的微發光二極體10。因此，可快速地執行去除步驟S23，由此微發光二極體10的轉印及修復製程的效率提升。
本發明的優選的第三實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法
以下，參照圖4，對利用所述微發光二極體的轉印及修復系統1的本發明的優選的第三實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法進行說明。
圖4是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第三實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
如圖4所示，本發明的優選的第三實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法包括：吸附步驟S31，將微發光二極體10吸附到轉印頭；檢查步驟S32，通過檢查裝置1200檢查吸附在轉印頭1100微發光二極體10是否不良；去除步驟S33，將在檢查步驟S32中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從轉印頭1100去除；轉印步驟S34，將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300；以及修復步驟S35，在顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300。
與本發明的優選的第二實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法相比，本發明的優選的第三實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法在如下方面存在差異：在執行去除步驟S33後，立即執行轉印步驟S34，此後執行修復步驟S35。
換句話說，在轉印頭1100檢查及去除屬於不良品的微發光二極體10，在顯示基板300進行修復。
因此，對吸附步驟S31、檢查步驟S32、去除步驟S33的說明與本發明的優選的第二實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法的吸附步驟S21、檢查步驟S22、去除步驟S23相同，省略其重複說明。
在通過去除步驟S33從轉印頭1100去除屬於不良品的微發光二極體10後，執行轉印步驟S34。
在轉印步驟S34中，執行將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300的過程。
轉印頭1100在移動到顯示基板300的上部後下降，解除吸附部的吸附力，由此將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10裝載到顯示基板300。
如上所述，在所有微發光二極體10從轉印頭1100轉印到顯示基板300而裝載後，轉印步驟S34結束。
在轉印步驟S34結束後，執行修復步驟S35。
在修復步驟S35中，執行在顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300的過程。
修復裝置1300在吸附屬於良品的微發光二極體10後，移動到顯示基板300的上部後下降。
在此情況下，在修復裝置1300的下表面吸附微發光二極體10。因此，修復裝置1300的吸附部具備到修復裝置1300的下表面，微發光二極體10以露出其下表面的狀態吸附到修復裝置1300的吸附部。
修復裝置1300通過控制部接收屬於不良品的微發光二極體10的座標。
在此情況下，屬於不良品的微發光二極體10的座標為通過檢查裝置1200檢測到的吸附在轉印頭1100的屬於不良品的微發光二極體10的座標，所述座標與顯示基板300的座標對應。
修復裝置1300通過所述座標將屬於良品的微發光二極體10裝載到去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，由此通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置。
如上所述，在屬於良品的微發光二極體10附著（或裝載）到顯示基板300後，修復步驟S35結束。
本發明的優選的第三實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法在顯示基板300執行修復步驟S35，由此具有防止在顯示基板300產生屬於不良品的微發光二極體10的效果。
本發明的優選的第四實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法
以下，參照圖5，對利用所述微發光二極體的轉印及修復系統1的本發明的優選的第四實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法進行說明。
圖5是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第四實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
如圖5所示，本發明的優選的第四實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法包括：吸附步驟S41，將微發光二極體10吸附到轉印頭；檢查步驟S42，通過檢查裝置1200檢查吸附在轉印頭1100的微發光二極體10是否不良；轉印步驟S43，將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300；去除步驟S44，將在檢查步驟S42中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從顯示基板300去除；以及修復步驟S45，在顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300。
與本發明的優選的第二實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法相比，本發明的優選的第四實施例的微發光二極體10的轉印及修復方法在如下方面存在差異：在執行檢查步驟S42後，立即執行轉印步驟S43，此後執行去除步驟S44及修復步驟S45。
換句話說，在轉印頭1100檢查屬於不良品的微發光二極體10，在顯示基板300去除及修復屬於不良品的微發光二極體10。
因此，對吸附步驟S41、檢查步驟S42的說明與本發明的優選的第二實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法的吸附步驟S21、檢查步驟S22相同，省略其重複說明。
在轉印步驟S43中，執行將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10轉印到顯示基板300的過程。
在此情況下，在轉印頭1100中，以混合存在屬於良品的微發光二極體10與屬於不良品的微發光二極體10的狀態吸附在吸附部。
轉印頭1100在移動到顯示基板300的上部後下降，解除吸附部的吸附力，由此將吸附在轉印頭1100的所有微發光二極體10裝載到顯示基板300。
如上所述，在所有微發光二極體10從轉印頭1100轉印到顯示基板300而裝載後，轉印步驟S43結束。
在轉印步驟S43結束後，執行去除步驟S44。
在去除步驟S44中，執行將在檢查步驟S42中檢查出的屬於不良品的微發光二極體10從顯示基板300去除的過程。
為了執行去除步驟S44，轉印頭1100在移動到顯示基板300的上部後下降。
控制部將在檢查步驟S42中檢測到的屬於不良品的微發光二極體10的座標以電信號形式傳輸到轉印頭1100，轉印頭1100利用所述座標而通過吸附部僅從顯示基板300吸附屬於不良品的微發光二極體10而拾取。
所拾取的屬於不良品的微發光二極體10裝載到僅收集屬於不良品的微發光二極體10的不良品收集箱等。因此，從顯示基板300去除屬於不良品的微發光二極體10的過程結束，由此去除步驟S44結束。
也可通過除轉印頭1100以外的修復裝置1300或另外的去除裝置去除所述屬於不良品的微發光二極體10。在此情況下，修復裝置1300或去除裝置可具備可單獨進行控制的吸附部，以便可像轉印頭1100一樣僅吸附屬於不良品的微發光二極體10。
在去除步驟S44結束後，執行修復步驟S45。
在修復步驟S45中，執行在顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300的過程。
修復裝置1300在吸附屬於良品的微發光二極體10後，移動到顯示基板300的上部後下降。
在此情況下，在修復裝置1300的下表面吸附微發光二極體10。因此，修復裝置1300的吸附部具備到修復裝置1300的下表面，微發光二極體10以露出其下表面的狀態吸附到修復裝置1300的吸附部。
修復裝置1300通過控制部接收屬於不良品的微發光二極體10的座標。
修復裝置1300通過控制部接收屬於不良品的微發光二極體10的座標。
修復裝置1300通過所述座標將屬於良品的微發光二極體10裝載到去除屬於不良品的微發光二極體10的位置，由此通過修復裝置1300將屬於良品的微發光二極體10附著到顯示基板300中的去除屬於不良品的微發光二極體10的位置。
如上所述，在屬於良品的微發光二極體10附著（或裝載）到顯示基板300後，修復步驟S45結束。
本發明的優選的第四實施例的所述微發光二極體10的轉印及修復方法在顯示基板300執行去除步驟S44及修復步驟S45，由此具有防止在顯示基板300產生屬於不良品的微發光二極體10的效果。
如上所述，參照本發明的優選實施例進行了說明，但所屬領域中具通常知識者可在不脫離隨附的申請專利範圍中所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明進行各種修正或變形而實施。
1‧‧‧微發光二極體的轉印及修復系統
10‧‧‧微發光二極體
100‧‧‧生長基板
200‧‧‧臨時基板
300‧‧‧顯示基板
1100‧‧‧轉印頭
1200‧‧‧檢查裝置
1300‧‧‧修復裝置
S11、S12、S13、S14、S15、S21、S22、S23、S24、S25、S31、S32、S33、S34、S35、S41、S42、S43、S44、S45‧‧‧步驟
圖1是概略性地表示本發明的微發光二極體的轉印及修復系統的圖。
圖2是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第一實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
圖3是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第二實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
圖4是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第三實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。
圖5是概略性地表示利用圖1的微發光二極體的轉印及修復系統的本發明的優選的第四實施例的微發光二極體的轉印及修復方法的流程圖。

Claims (4)

  1. 一種微發光二極體的轉印與修復方法，包括： 附著步驟，將所述微發光二極體臨時附著到臨時基板； 檢查步驟，檢查附著在所述臨時基板的所述微發光二極體是否不良； 去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述臨時基板去除； 修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體臨時附著到所述臨時基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置；以及 轉印步驟，將臨時附著在所述臨時基板的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板。
  2. 一種微發光二極體的轉印與修復方法，包括： 吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭； 檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良； 去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述轉印頭去除； 修復步驟，在所述轉印頭中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置將屬於良品的所述微發光二極體吸附到所述轉印頭；以及 轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板。
  3. 一種微發光二極體的轉印與修復方法，包括： 吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭； 檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良； 去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述轉印頭去除； 轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的所述微發光二極體轉印到顯示基板；以及 修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體附著到所述顯示基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置。
  4. 一種微發光二極體的轉印與修復方法，包括： 吸附步驟，將所述微發光二極體吸附到轉印頭； 檢查步驟，檢查吸附在所述轉印頭的所述微發光二極體是否不良； 轉印步驟，將吸附在所述轉印頭的所有的微發光二極體轉印到顯示基板； 去除步驟，將在所述檢查步驟中檢查出的屬於不良品的所述微發光二極體從所述顯示基板去除；以及 修復步驟，將屬於良品的所述微發光二極體附著到所述顯示基板中的去除屬於不良品的所述微發光二極體的位置。
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