KR20190114333A - 마이크로 led의 검사방법 - Google Patents

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KR20190114333A
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박승호
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Abstract

본 발명은 마이크로 LED의 양품 또는 불량품 여부를 검사하는 마이크로 LED의 검사방법에 관한 것이다.

Description

마이크로 LED의 검사방법{INSPECTION METHOD FOR MICRO LED}
본 발명은 마이크로 LED의 양품 또는 불량품 여부를 검사하는 마이크로 LED의 검사방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.
Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(한국등록특허 제10-0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.
마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없어, 보다 고정밀도로 이송하는 전사헤드 기술 개발이 이루어지고 있는 실정이다.
특히, 위와 같은 마이크로 LED 전사 기술과 더불어, 마이크로 LED의 전사시 발생하게 되는 불량품의 마이크로 LED를 검사하는 방법에 대한 개발이 필요하게 되었다.
한국등특허 제10-0731673
이에 본 발명은 간단한 방법으로 마이크로 LED의 양품 또는 불량품 여부를 검사하는 마이크로 LED의 검사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 마이크로 LED의 검사방법은, 마이크로 LED 검사방법에 있어서, 상기 마이크로 LED의 제1 내지 제m행을 순차적으로 검사하고, 상기 마이크로 LED의 제1 내지 제n열을 순차적으로 검사하고, 상기 행 검사 및 열 검사를 통해 상기 마이크로 LED의 불량품의 위치 좌표를 확인하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 각 행 또는 상기 각 열 검사에서, 검사신호가 'on'이면, 해당 각 행 또는 각 열에는 양품의 마이크로 LED만이 존재하는 것으로 확인하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 각 행 또는 각 열 검사에서, 검사신호가 'off'이면, 해당 각 행 또는 각 열에는 불량품의 마이크로 LED가 적어도 하나 이상 존재하는 것으로 확인하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 각 행의 검사신호가 'off'이고, 상기 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED 전체를 불량품의 마이크로 LED로 취급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 각 행의 검사신호가 'off'이고, 상기 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED를 재검사하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED의 검사방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 마이크로 LED의 검사방법을 통해 매우 적은 수의 검사 및 단순한 검사로도 마이크로 LED의 불량여부를 판단할 수 있다.
개별 검사장치를 통해 불량품의 마이크로 LED를 정밀하게 재검사 함에 따라, 라인 검사장치로는 불량 여부를 확인 불가능한 마이크로 LED를 다시 검사하여 양품의 마이크로 LED로 확인할 수 있다. 따라서, 양품의 마이크로 LED와 불량품의 마이크로 LED를 더욱 정밀하게 확인할 수 있다.
도 1은 본 발명의 검사 대상이 되는 마이크로 LED가 성장 기판에 칩핑된 것을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 검사 대상이 되는 마이크로 LED가 표시 기판에 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3은 마이크로 LED의 양측에 제1, 2컨택 전극이 있는 경우의 검사장치와 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 4는 마이크로 LED의 일측에 제1, 2컨택 전극이 있는 경우의 검사장치와 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED의 검사 방법을 도시한 도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 검사 대상이 되는 마이크로 LED가 성장 기판에 칩핑된 것을 도시한 도면이다.
마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.
성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 제1반도체층(102), 제2반도체층(104), 제1반도체층(102)과 제2반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1컨택 전극(106) 및 제2컨택 전극(107)을 포함할 수 있다.
제1반도체층(102), 활성층(103), 및 제2반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1반도체층(102)에는 제1컨택 전극(106)이 형성되고, 제2반도체층(104)에는 제2컨택 전극(107)이 형성될 수 있다. 제1컨택 전극(106) 및/또는 제2컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.
성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다.
도 2는 본 발명의 검사 대상이 되는 마이크로 LED가 표시 기판에 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면이다.
표시 기판(301)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(301)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(301)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 표시 기판(301)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(301)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(301)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(301)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(301)을 형성할 수 있다.
금속으로 표시 기판(301)을 형성할 경우 표시 기판(301)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 기판(301)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시 예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시 예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시 예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
또 다른 선택적 실시 예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.
평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
평탄화층(317)상에는 제1전극(510)이 위치한다. 제1전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시 예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.
뱅크층(400)은 제1뱅크층(410) 상부의 제2뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1뱅크층(410)와 제2뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2뱅크층(420)의 폭이 제1뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2뱅크층(420)는 생략되고, 제1뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로, 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형 예에서 제1뱅크층(410) 및 제2뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시 예에 따른 전사헤드에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(301)에 전사됨으로써 표시 기판(301)의 오목부에 수용될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1컨택 전극(106) 및 제1컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2컨택 전극(107)을 포함한다. 제1컨택 전극(106)은 제1전극(510)과 접속하고, 제2컨택 전극(107)은 제2전극(530)과 접속할 수 있다.
제1전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2전극(530)이 형성될 수 있다.
제2전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사 방법
이하, 도 3 내지 도 5d를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사 방법은, n개의 행과 m개의 열을 갖도록 배열된 마이크로 LED(100)의 검사 방법으로서, 마이크로 LED(100)의 제1 내지 제m행을 순차적으로 검사하고, 마이크로 LED(100)의 제1 내지 제n행을 순차적으로 검사하고, 행 검사 및 열 검사를 통해 마이크로 LED(100)의 불량품의 위치 좌표를 확인하는 것을 특징으로 한다. 이 경우, n과 m의 2보다 큰 정수이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사방법은 마이크로 LED(100)가 m개의 행과 n개의 열을 갖도록 배열된 곳에서 검사가 이루어지게 된다.
다시 말해, 마이크로 LED(100)의 배열이 m개의 행과 n개의 열을 갖는다면, 성장 기판(101)에 칩핑된 마이크로 LED(100) 또는 표시 기판(301)에 실장된 마이크로 LED(100) 또는 전사헤드에 흡착된 마이크로 LED(100) 중 어느 하나에 대해 검사를 수행할 수 있다.
이러한 마이크로 LED(100)의 검사는 도 3 및 도 4에 도시된 검사장치(1000, 1000')에 의해 이루어지게 된다.
검사장치(1000, 1000')는 m개의 행과 n개의 열로 배열된 마이크로 LED(100)를 각 행과 각 열별로 검사하는 라인 검사장치로 구성될 수 있다.
이러한 검사장치(1000, 1000')는 마이크로 LED(100)의 제1, 2컨택 전극(106, 107)의 위치에 따라 다른 구성을 갖을 수 있다.
먼저, 도 3을 참조하여, 마이크로 LED(100)의 양측, 즉, 하부와 상부에 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 각각 형성된 경우의 검사장치(1000)의 하나의 예에 대해 설명한다.
도 3은 마이크로 LED의 양측에 제1, 2컨택 전극이 있는 경우의 검사장치와 마이크로 LED를 도시한 도면이다.
마이크로 LED(100)의 양측에 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 있는 경우, 마이크로 LED(100)의 불량 여부를 검사하는 검사장치(1000)는, 마이크로 LED(100)의 하부에 위치하는 제1기판(1100)과, 마이크로 LED(100)의 상부에 위치하는 제2기판(1200)을 포함하여 구성될 수 있다.
제1기판(1100)의 상면에는 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)의 하면과 접하는 제1전극(1110)이 구비된다.
제1전극(1110)은 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)에 접하여 검사장치(1000)에 전원을 인가할 때, 인접한 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)간에 전기를 통전시키는 기능을 한다.
제2기판(1200)의 하면에는 인접하는 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)의 상면과 접하는 제2전극(1210)이 구비된다.
제2전극(1210)은 인접하는 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)에 접하여 검사장치(1000)에 전원을 인가할 때, 인접한 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)간에 전기를 통전시키는 기능을 한다.
이러한 제1전극(1110)과 제2전극(1210)은 마이크로 LED(100)를 기준으로 마이크로 LED(100)의 상부와 하부에서 교차적으로 배열된다.
위와 같은 구성을 갖는 검사장치(1000)는 검사장치(1000)에 전원을 인가하여 마이크로 LED(100)의 불량 여부를 검사할 수 있다.
상세하게 설명하면, 마이크로 LED(100)를 검사하기 위해, 마이크로 LED(100)는 제1기판(1100)의 상부에 로딩된다.
제1기판(1100)은 전술한 성장 기판(101) 또는 표시 기판(301) 또는 마이크로 LED(100)가 임시적으로 부착되는 캐리어 기판일 수 있다. 또는 제1기판(1100)은 전사헤드일 수도 있으며, 이 경우, 도 3은 상하 반전된 것으로 볼 수 있다.
마이크로 LED(100)는 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)이 제2전극(1210)에 접하도록 m개의 행과 n개의 열로 배열될 수 있다.
이후, 제2기판(1200)이 하강하여, 제2전극(1210)이 인접하는 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)에 접하게 된다.
위와 같이, 마이크로 LED(100)의 제1, 2컨택 전극(106, 107) 각각이 제1전극(1110)과 제2전극(1210)에 접하고, 제1, 2기판(1100, 1200)에 마이크로 LED(100)가 게재되면, 검사장치(1000)의 일단에서 전원이 인가된다.
만약, 검사장치(1000)에 게재된 마이크로 LED(100)가 모두 양품일 경우, 전기가 제2전극(1210), 제2컨택 전극(107), 제1전극(1110), 제1컨택 전극(106), 제2전극(1210) 순으로 반복적으로 통전되며, 검사장치(1000)의 타단 또한, 통전되어 마이크로 LED(100)가 모두 양품임을 확인할 수 잇다.
만약, 검사장치(1000)에 게재된 마이크로 LED(100) 중 적어도 어느 하나가 불량품일 경우, 전기가 통전되지 못하므로, 검사장치(1000)의 타단에는 전기가 통하지 않으며, 이를 통해, 검사장치(1000)는 하나의 열 또는 하나의 행에 불량품의 마이크로 LED(100)가 있다는 것을 확인할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여, 마이크로 LED(100)의 일측, 즉, 상부에 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 형성된 경우의 검사장치(1000')의 하나의 예에 대해 설명한다.
도 4는 마이크로 LED의 일측에 제1, 2컨택 전극이 있는 경우의 검사장치와 마이크로 LED를 도시한 도면이다.
마이크로 LED(100)의 일측에 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 있는 경우, 마이크로 LED(100)의 불량 여부를 검사하는 검사장치(1000')는, 마이크로 LED(100)의 상부에 위치하는 상부기판(1300)을 포함하여 구성될 수 있다.
상부기판(1300)의 하면에는 상부전극(1310)이 구비된다. 이러한 상부전극(1310)은 그 양측에서 그 하면이 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)과 인접하는 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)의 상면에 접한다.
상부전극(1310)은 그 양측이 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)과 제2컨택 전극(107)이 교차적으로 접하게 된다.
다시 말해, 도 4에 도시된 바와 같이, 왼쪽에서 두번째에 배열된 상부전극(1310)은 그 왼쪽 하면이 왼쪽에서 첫번째 배열된 마이크로 LED(100)의 제2컨택 전극(107)의 상면과 접하고, 그 오른쪽 하면이 왼쪽에서 두번째 배열된 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)의 상면과 접하는 것이다.
이러한, 상부전극(1310) 간의 거리는 제1, 2컨택 전극(106, 107)의 내측면 사이의 거리보다 크거나 같고, 제1, 2컨택 전극(106, 107)의 외측면 사이의 거리보다 작거나 같은 것이 바람직하다.
상부전극(1310)은 그 하면이 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)과 제2컨택 전극(107)의 상면에 교차적으로 접함으로써, 검사장치(1000')에 전원을 인가할 때, 인접한 마이크로 LED(100)의 제1, 2컨택 전극(106, 107)간에 전기를 통전시키는 기능을 한다.
위와 같은 구성을 갖는 검사장치(1000')는 검사장치(1000')에 전원을 인가하여 마이크로 LED(100)의 불량 여부를 검사할 수 있다.
상세하게 설명하면 마이크로 LED(100)는 m개의 행과 n개의 열을 갖도록 베이스 기판(1500)의 상면에 배열되어 있다. 이 경우, 베이스 기판(1500)은 전술한 성장 기판(101) 또는 표시 기판(301) 또는 캐리어 기판일 수도 있다. 또는 베이스 기판(1500)은 전사헤드일 수도 있으며, 이 경우, 도 4는 상하 반전된 것으로 볼 수 있다.
이후, 상부기판(1300)이 마이크로 LED(100) 방향으로 하강하여, 상부전극(1310)이 인접하는 마이크로 LED(100)의 제1, 2컨택 전극(106, 107)에 접하게 된다.
인접하는 마이크로 LED(100)의 제1컨택 전극(106)과 제2컨택 전극(107) 각각이 상부전극(1310)의 양측에 접하고, 마이크로 LED(100)가 베이스 기판(1500)과 상부기판(1300) 사이에 게재되면, 검사장치(1000')의 일단에서 전원이 인가된다.
만약, 검사장치(1000')에 게재된 마이크로 LED(100)가 모두 양품일 경우, 전기가 상부전극(1310), 제1컨택 전극(106), 제2컨택 전극(107), 상부전극(1310) 순으로 반복적으로 통전되며, 검사장치(1000')의 타단 또한, 통전되어 마이크로 LED(100)가 모두 양품임을 확인할 수 잇다.
만약, 검사장치(1000')에 게재된 마이크로 LED(100) 중 적어도 어느 하나가 불량품일 경우, 전기가 통전되지 못하므로, 검사장치(1000')의 타단에는 전기가 통하지 않으며, 이를 통해, 검사장치(1000')는 하나의 열 또는 하나의 행에 불량품의 마이크로 LED(100)가 있다는 것을 확인할 수 있다.
전술한 검사장치(1000, 1000')는 복수개의 행(m개의 행) 또는 복수개의 열(n개의 열)을 일괄적으로 검사할 수 있도록 구성될 수 있다.
예컨데, 마이크로 LED(100)가 1,000개의 행과 1,000개의 열을 갖도록 배열될 경우, 검사장치(1000, 1000')는 10개의 행과 10개의 열을 검사할 수 있도록 구성되어 100번의 검사를 통해 1,000개의 행과 1,000개의 열을 갖는 마이크로 LED(100)를 모두 검사할 수 있다.
또는, 위와 같은 조건에서, 검사장치(1000, 1000')는 1,000개의 행과 1,000개의 열을 검사할 수 있도록 구성되어 1번의 검사를 통해 1,000개의 행과 1,000개의 열을 갖는 마이크로 LED(100)를 모두 검사할 수도 있다.
전술한 검사장치(1000, 1000')에 대한 설명은, 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 마이크로 LED(100)의 양측에 있는 경우와, 제1, 2컨택 전극(106, 107)이 마이크로 LED(100)의 일측에 있는 경우의 검사장치(1000, 1000')를 하나의 예로써 설명한 것이다.
따라서, 전술한 검사장치(1000, 1000')과 구성이 다를지라도, m개의 행과 n개의 열로 배열된 마이크로 LED(100)에서 각 행별로 또는 각 열별로 불량품의 마이크로 LED(100)가 있는지 여부를 확인할 수 있는 라인 검사장치라면 후술할 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사방법에 사용되는 검사장치(1000, 1000')에 포함될 수 있다.
이하, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사방법에 대해 상세하게 설명한다. 단, 이하의 설명에서는 용이한 설명을 위해, 마이크로 LED(100)가 5개의 행과 열을 갖도록 배열된 것을 기준으로 설명한다.
도 5a는 제1 내지 제5행과 제1 내지 제5열을 갖도록 배열된 마이크로 LED(100)를 도시한 도이고, 도 5b는 검사장치를 통해 제1 내지 제5행과 제1 내지 제5열을 검사한 결과를 도시한 도이고, 도 5c는 도 5b를 통해 확인되는 불량품의 마이크로 LED와 확인 불가능한 마이크로 LED를 표시한 도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED(100)는 일정 간격으로 상호 이격되어, 복수개의 행과 복수개의 열을 갖도록 배열되어 있다.
이 경우, 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101), 표시 기판(301), 캐리어 기판에 부착 또는 실장되어 배열되어 있거나, 전사헤드에 흡착되어 배열되어 있을 수 있다.
검사장치(1000, 1000')는 마이크로 LED(100)의 제1 내지 제5행을 순차적으로 검사하고, 마이크로 LED(100)의 제1 내지 제5열을 순차적으로 검사한다. 이 경우, 검사장치(1000, 1000')는 전술한 방법과 같은 라인 검사장치이며, 라인별, 즉, 각 행별 및 각 열별로 검사를 수행할 수 있다.
검사장치(1000, 1000')의 검사를 통해 양품의 마이크로 LED(100)만이 각 행 또는 각 열에 있는 것으로 확인될 경우, 검사장치(1000, 1000')는 제어부에 'on'의 검사신호를 보내게 된다.
다시 말해, 각 행 또는 각 열 검사에서, 검사장치(1000, 1000')를 통해 제어부로 전달된 검사신호가 'on'이면, 제어부는 해당 각 행 또는 각 열에는 양품의 마이크로 LED만이 존재하는 것으로 확인한다.
검사장치(1000, 1000')의 검사를 통해 불량품의 마이크로 LED(100)가 각 행 또는 각 열에 하나라도 있는 것으로 확인될 경우, 검사장치(1000, 1000')는 제어부에 'off'의 검사신호를 보내게 된다.
다시 말해, 각행 또는 각열 검사에서, 검사장치(1000, 1000')를 통해 제어부로 전달된 검사신호가 'off'이면, 제어부는 해당 각 행 또는 각열에는 불량품의 마이크로 LED(100)가 적어도 하나 이상 존재하는 것으로 확인한다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 불량품의 마이크로 LED(100)는 (1,2), (2,3), (3,2), (3,4)의 좌표에 위치하여 있다.(이 경우, (m,n)이며, m은 행이고 n은 열을 나타낸다)
전술한 라인 검사 방법과 같이, 검사장치(1000, 1000')의 일단에 전원이 인가되더라도 제1 내지 제3행에서는 검사장치(1000, 1000')의 타단에 전기가 통전되지 않는다. 따라서, 검사장치(1000, 1000')는 제1 내지 제3행에 적어도 하나 이상의 불량품의 마이크로 LED(100)가 존재한다는 것을 확인하며, 제어부에 검사신호를 'off'로 하여 보낸다.
제4, 5행에서는 검사장치(1000, 1000')의 일단에 전원이 인가되면 검사장치(1000, 1000')의 타단에 전기가 통전되므로, 검사장치(1000, 1000')는 제4, 5행에는 모두 양품의 마이크로 LED(100)만이 존재한다는 것을 확인한다. 따라서, 검사장치(1000, 1000')는 제어부에 검사신호를 'on'으로 하여 보낸다.
제2 내지 제4열에서는 검사장치(1000, 1000')의 일단에 전원이 인가되더라도 제1 내지 제3행에서는 검사장치(1000, 1000')의 타단에 전기가 통전되지 않는다. 따라서, 검사장치(1000, 1000')는 제2 내지 제4열에 적어도 하나 이상의 불량품의 마이크로 LED(100)가 존재한다는 것을 확인하며, 제어부에 검사신호를 'off'로 하여 보낸다.
제1, 5열에서는 검사장치(1000, 1000')의 일단에 전원이 인가되면 검사장치(1000, 1000')의 타단에 전기가 통전되므로, 검사장치(1000, 1000')는 제1, 5열에는 모두 양품의 마이크로 LED(100)만이 존재한다는 것을 확인한다. 따라서, 검사장치(1000, 1000')는 제어부에 검사신호를 'on'으로 하여 보낸다.
위와 같이, 검사장치(1000, 1000')를 통한 검사결과, 즉, 제1 내지 제5행 및 제1 내지 제5열의 검사신호가 모두 제어부로 송신되면, 제어부는 각 행의 검사신호가 'off'이고, 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED(100) 전체를 불량품의 마이크로 LED(100)로 취급하게 된다.
다시 말해, 제1 내지 제3행 및 제2 내지 제4열이 모두 'off'이므로, 제어부는 제1 내지 제3행 및 제2 내지 제4열이 교차되는 좌표에 위치한 마이크로 LED(100) 전체를 불량품의 마이크로 LED(100)로 취급하게 된다.
따라서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제어부는 (1,2), (1,3), (1,4), (2,2) (2,3), (2,4), (3,2), (3,3), (3,4)의 좌표에 있는 마이크로 LED(100)를 불량품의 마이크로 LED(100)로 확인하게 되며, 제거 장치 및 리페어 장치를 통해, 해당 좌표의 불량품의 마이크로 LED(100)를 양품의 마이크로 LED(100)로 교체하게 된다.
전술한 마이크로 LED(100)의 검사방법에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.
종래의 LED의 경우, 프로브 탐지 침 등을 이용하여, 기판에 로딩된 복수개의 LED의 불량 여부를 모두 검사하였다. 그러나, 마이크로 LED(100)의 경우, LED에 비해 크기가 매우 작아 종래와 같이 불량 여부를 검사할 경우, 매우 많은 수의 마이크로 LED(100)를 검사하여야 하는 문제점이 발생한다. 다시 말해, 마이크로 LED(100)의 행과 열이 각각 1,000개를 갖는 경우, 검사장치(1000, 1000')는 1,000,000개의 마이크로 LED(100)를 검사하여야 하는 것이다.
그러나 본 발명의 경우, 각 라인별로 불량품의 마이크로 LED(100)가 있는지 여부를 판단하기 때문에 행으로 1,000번 열로 1,000번 총 2,000번의 검사를 통해 불량품의 여부를 판단할 수 있다.
또한, 원래는 불량품이 아닌 양품의 마이크로 LED(100)가 불량품으로 판단되더라도(도 5c에서 (1,3), (1,4), (2,2), (2,4), (3,3) 좌표에 위치한 마이크로 LED(100)를 말한다), 마이크로 LED(100)의 수율이 99.9%인 것을 감안하면 매우 작은 수이다.
이처럼, 본 발명의 마이크로 LED(100)의 검사방법을 통해 매우 적은 수의 검사 및 단순한 검사로도 마이크로 LED(100)의 불량여부를 판단할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED(100)의 검사방법은, 각 행의 검사신호가 'off'이고, 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED(100)를 재검사할 수 있다.
다시 말해, 도 5b에서 각 행 및 각 열의 검사신호가 제어부로 송신되면, 제어부는 (1,2), (1,3), (1,4), (2,2) (2,3), (2,4), (3,2), (3,3), (3,4)의 좌표에 있는 마이크로 LED(100)를 다시 정밀 검사 하여, 불량품의 마이크로 LED(100)만을 검사해낼 수 있다. 이 경우, 정밀 검사는 라인 검사장치가 아닌 개별 검사장치로 이루어지게 된다.
위와 같이, 개별 검사장치를 통해 불량품의 마이크로 LED(100)를 정밀하게 재검사 함에 따라, 라인 검사장치로는 불량 여부를 확인 불가능한 마이크로 LED(100), 즉, 도 5c에서 (1,3), (1,4), (2,2), (2,4), (3,3) 좌표에 위치한 마이크로 LED(100)를 다시 검사하여 양품의 마이크로 LED(100)로 확인할 수 있다. 따라서, 양품의 마이크로 LED(100)와 불량품의 마이크로 LED(100)를 더욱 정밀하게 확인할 수 있다.
위와 같은 재검사는 초대형 디스플레이에 사용될 마이크로 LED(100)에 사용되는 것이 바람직하다. 이는, 초대형 디스플레이의 경우, 사용되는 마이크로 LED(100)의 갯수가 많으므로, 수율이 99.9%라 하더라도 양품의 마이크로 LED(100)가 불량품으로 판별되어 버려지면 그 갯수가 많기 때문이다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
100: 마이크로 LED 101: 성장 기판
102: 제1반도체층 130: 활성층
104: 제2반도체층 106: 제1컨택 전극
107: 제2컨택 전극 301: 표시 기판
310: 활성층 311: 버퍼층
313: 게이트 절연막 315: 층간 절연막
317: 평탄화층 320: 게이트 전극
330a: 소스 전극 330b: 드레인 전극
400: 뱅크층 410: 제1뱅크층
420: 제2뱅크층 510: 제1전극
520: 패시베이션층 530: 제2전극
550: 전도층
1000, 1000': 검사장치
1100: 제1기판 1110: 제1전극
1200: 제2기판 1210: 제2전극
1300: 상부기판 1310: 상부전극
1500: 베이스 기판

Claims (5)

  1. 마이크로 LED 검사방법에 있어서,
    상기 마이크로 LED의 제1 내지 제m행을 순차적으로 검사하고,
    상기 마이크로 LED의 제1 내지 제n열을 순차적으로 검사하고,
    상기 행 검사 및 열 검사를 통해 상기 마이크로 LED의 불량품의 위치 좌표를 확인하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 검사방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 각 행 또는 상기 각 열 검사에서, 검사신호가 'on'이면, 해당 각 행 또는 각 열에는 양품의 마이크로 LED만이 존재하는 것으로 확인하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 검사방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 각 행 또는 각 열 검사에서, 검사신호가 'off'이면, 해당 각 행 또는 각 열에는 불량품의 마이크로 LED가 적어도 하나 이상 존재하는 것으로 확인하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 검사방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 각 행의 검사신호가 'off'이고, 상기 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED 전체를 불량품의 마이크로 LED로 취급하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 검사방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 각 행의 검사신호가 'off'이고, 상기 각 열의 검사신호가 'off'이면, 해당 위치 좌표의 마이크로 LED를 재검사하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED의 검사방법.
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