KR20210025216A - 마이크로 led 리페어 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제조방법 - Google Patents

마이크로 led 리페어 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 디스플레이 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로 LED 리페어 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히, 마이크로 LED 리페어 장치 내의 흡입력을 이용하여 불량 마이크로 LED를 제거하는 장치에 관한 것이다.

Description

마이크로 LED 리페어 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이 제조방법{MICRO LED REPAIR DEVICE AND MANUFACTURING OF MICOR LED DISPLAY USING THE SAME}
본 발명은 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체하는 마이크로 LED 리페어 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,'마이크로 LED'라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. 마이크로 LED는, 성형한 수지 등으로 덮인 패키지 타입의 것이 아닌, 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것을 의미한다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.
Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.
특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇가지의 구조들이 제안되고 있다.
미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 '선행발명1'이라 함).
미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 '선행발명2'라 함).
한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 '선행발명3'이라 함).
한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 '선행발명4'라 함).
삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 '선행발명5'라 함).
엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 '선행발명6'이라 함).
위와 같은 선행 발명들에 의해 마이크로 LED는 성장기판에서 성장된 후 개별화된 마이크로 LED를 표시기판으로 전사하였다. 이때, 표시기판에 실장된 마이크로 LED 중 불량, 즉, 발광하지 않는 마이크로 LED가 간헐적으로 발생되었고, 이는 성장기판이 아닌 표시기판에 전사하였을 때 마이크로 LED의 불량 여부를 파악할 수 있었다.
따라서, 표시기판에 전사된 마이크로 LED 중 불량 마이크로 LED를 교체하는 기술이 필요하게 되었고 이에 대한 기술로는 한국공개특허 제10-2018-0087896호(이하, '선행발명 7'이라 함)에 기재된 것이 공지되어 있다.
선행발명 7은 점착필름의 점착력을 이용하여 기판에 부착된 불량 마이크로 LED를 제거하고 있다.
하지만, 선행발명 7의 구성에 따르면 불량 마이크로 LED의 리페어 속도를 향상시키는데 한계가 있다.
등록특허공보 등록번호 제0731673호 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호 등록특허공보 등록번호 제1754528호 등록특허공보 등록번호 제1757404호 공개특허공보 제10-2017-0026959호 공개특허공보 제10-2017-0024906호 한국공개특허공보 제10-2018-0087896호
이에 본 발명은 불량 마이크로 LED를 효과적으로 제거할 수 있는 마이크로 LED 리페어 장치 및 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법은, 불량 마이크로 LED를 색출하는 검사단계;상기 불량 마이크로 LED에 레이저를 조사하는 제1조사단계; 레이저가 조사된 상기 불량 마이크로 LED를 본딩 패드로부터 제거하는 제거단계; 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 상기 본딩 패드에 레이저를 조사하는 제2조사단계; 및 상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품 마이크로 LED를 실장 시키는 실장단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제거단계는, 상기 불량 마이크로 LED를 개별로 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제거단계는, 상기 불량 마이크로 LED를 일괄로 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제거단계는, 상기 불량 마이크로 LED를 흡입하여 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제거단계는, 상기 불량 마이크로 LED를 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치는, 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부; 상기 불량 마이크로 LED를 본딩 패드로부터 제거하는 석션부; 상기 레이저부에서 발진된 레이저의 조사통로; 및 상기 석션부에서 발생된 에어가 유동하는 흐름통로;를 포함한다.
또한, 상기 조사통로의 일단에 설치되는 흡착패드를 포함한다.
또한, 상기 흡착패드는 다공성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 흐름통로 및 상기 조사통로는 통로의 일부분을 공유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치는, 바디부; 상기 바디부 상부에 형성되고 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부; 상기 바디부 측면에서 후드 형태로 형성되며 상기 레이저부에 의해 접착력을 상실한 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 불량 마이크로 LED 제거부; 및 복수개의 양품 마이크로 LED가 흡착되어 있는 양품 마이크로 LED 교체부;를 포함하고, 상기 불량 마이크로 LED 제거부는 일괄로 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치는, 바디부; 상기 바디부 중심에 형성되고 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부; 상기 바디부 외면에 형성되고 상기 레이저부에 의해 접착력을 상실한 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 제거부; 및 상기 바디부 외면에 형성되고 양품 마이크로 LED가 흡착되어 있는 교체부;를 포함하고, 상기 제거부 및 상기 교체부는 상기 바디부의 원주방향을 따라 교대로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 바디부는 투명재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치는 불량 마이크로 LED를 색출한 후 마이크로 LED 리페어 장치의 흡입력을 이용하여 불량 마이크로 LED를 제거함으로써 주변에 실장된 마이크로 LED에 영향을 주지 않고 불량 마이크로 LED만을 손쉽게 제거할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 하나의 마이크로 LED 리페어 장치를 이용하여 불량 마이크로 LED를 제거함과 함께 양품 마이크로 LED를 교체하도록 함으로써, 전체 장비의 구조를 단순화 할 수 있다.
또한, 별도로 구비된 2개의 리페어 장치를 이용하여 어느 하나의 리페어 장치가 불량 마이크로 LED를 제거하면, 다른 하나의 리페어 장치로 신속하게 불량 위치에 양품 마이크로 LED를 실장 함으로써 리페어 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체함으로써 임시기판 및 표시기판에 실장된 마이크로 LED의 불량률을 낮출 수 있는 효과가 있다.
또한, 불량 마이크로 LED를 흡착패드 등에 흡착시키지 않고 공기 흐름을 따라 마이크로 LED 리페어 장치 내부로 흘러 들어가게 흡입하여 제거함으로써 보다 쉽게 불량 마이크로 LED를 제거할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 복수개의 불량 마이크로 LED를 일괄로 제거 후 복수개의 양품 마이크로 LED를 일괄로 교체함으로써, 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체하는 작업 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 마이크로 LED 리페어 장치는 좌우 동선을 최소화하여 짧은 동선으로 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체 가능하다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예의 전사 대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3은 표시기판에 마이크로 LED가 실장된 모습을 나타낸 도.
도 4(a)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 레이저부에서 레이저가 조사되는 모습을 나타낸 도.
도 4(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치에 불량 마이크로 LED가 흡착되어 제거되는 모습을 나타낸 도.
도 5(a)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10)에 양품 마이크로 LED가 흡착된 모습을 나타낸 도.
도 5(b)는 양품 마이크로 LED가 실장되는 모습을 나타낸 도.
도 6은 본 발병의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 관한 도.
도 7(a)는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 레이저부에서 레이저가 조사되는 모습을 나타내는 도.
도 7(b)는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치에 불량 마이크로 LED가 흡입되는 모습을 나타낸 도.
도 8은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 도.
도 9는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 제거부가 불량 마이크로 LED를 흡입하는 모습을 나타낸 도.
도 10은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 양품 마이크로 LED를 실장하는 모습을 나타낸 도.
도 11(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 모습을 나타낸 도.
도 11(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 제거부와 불량 마이크로 LED가 맞닿는 모습을 나타낸 도.
도 12(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 불량 마이크로 LED를 제거하는 모습을 나타낸 도.
도 12(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 모습을 나타낸 도.
도 13(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 교체부에 흡착된 양품 마이크로 LED를 실장하는 모습을 나타낸 도.
도 13(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체완료한 모습을 나타낸 도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명하기에 앞서, 마이크로 소자는 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 마이크로 LED는 성형한 수지 등으로 패키징 되지 않으면서 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것으로, 학술적으로 1~100㎛ 단위의 크기의 것을 지칭한다. 그러나 본 명세서에 기재된 마이크로 LED는 그 크기(1개의 변 길이)가 1~100㎛ 단위인 것으로 한정되는 것은 아니며 100㎛ 이상의 크기를 갖거나 1㎛ 미만의 크기를 갖는 것도 포함한다.
또한, 이하에서 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예의 구성들은 각 실시예들의 기술적 사상의 변경없이 적용될 수 있는 미소 소자들의 전사에도 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED를 도시한 도면이다.
마이크로 LED(ML)는 제1 기판(101) 상에 제작되어 위치한다. 이때, 제1 기판(101)은 성장 기판으로 제공될 수 있다.
제1 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 기판(101)이 사파이어로 형성된 성장 기판이고, 테두리의 적어도 일부에 곡률을 포함하는 것을 예로 설명하겠다.
마이크로 LED(ML)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. 제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.
제1 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(ML)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(ML)를 제1 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
도 1에서 'P'는 마이크로 LED(ML)간의 피치간격을 의미하고, 'S'는 마이크로 LED(ML)간의 이격 거리를 의미하며, 'W'는 마이크로 LED(ML)의 폭을 의미한다. 도 1에는 마이크로 LED(ML)의 단면 형상이 테두리 일부에 곡률을 형성한 원형인 것을 예시하고 있으나, 마이크로 LED(ML)의 단면 형상은 이에 한정되지 않고 사각 단면 등과 같이 제1 기판(101)에서 제작되는 방법에 따라 원형 단면이 아닌 다른 단면 형상을 가질 수 있다.
도 2는 회로 기판에 실장된 마이크로 LED 구조체를 보여주는 도면이다.
도 2을 참조하면, 제3 기판(301)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 기판(301)은 회로 기판으로서, SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 제3 기판(301)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 제3 기판(301) 방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 제3 기판(301)은 투명한 재질로 형성되야 한다. 그러나 화상이 제3 기판(301)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에는 제3 기판(301)이 반드시 투명한 재질로 형성될 필요는 없다. 이 경우, 제3 기판(301)은 금속으로 제공될 수 있다.
금속으로 회로 기판(301)을 형성할 경우 회로 기판(301)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 기판(301)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(313, gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320) 상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다.
층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.
평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317) 상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(ML)가 수용될 수용 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 수용 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(ML)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 수용 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(ML)의 높이가 더 클 수 있다. 수용 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 수용 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.
뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
수용 오목부에는 마이크로 LED(ML)가 배치된다. 마이크로 LED(ML)는 수용 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.
마이크로 LED(ML)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(ML)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 전사 헤드(미도시)에 의해 제1 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 제3 기판(301)에 전사됨으로써 회로 기판(301)의 수용 오목부에 수용될 수 있다.
마이크로 LED(ML)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.
제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
패시베이션층(520)은 수용 오목부 내의 마이크로 LED(ML)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(ML) 사이의 공간을 채움으로써, 수용 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
패시베이션층(520)은 마이크로 LED(ML)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(ML)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다.
제2 전극(530)은 마이크로 LED(ML)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.
앞선 설명에서는 제1, 2 컨택 전극(106, 107)이 마이크로 LED(ML)의 상, 하면에 각각 구비되는 수직형 마이크로 LED(ML)를 예시하여 설명하였으나, 본 발명의 바람직한 실시 예들은 제1, 2 컨택 전극(106, 107)이 마이크로 LED(ML)의 상, 하면 중 어느 한 면에 모두 구비되는 플립(flip)형 또는 레터럴(lateral)형 마이크로 LED(ML)일 수 있고, 이 경우에는 제1, 2전극(510, 530)역시 적절하게 구비될 수 있다.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10) 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
이하, 도 3 내지 도 6를 참고하여 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10)는, 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50) 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부(20), 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하는 석션부(30), 레이저부(20)에서 발진된 레이저의 조사통로(21), 석션부에서 발생된 에어가 유동하는 흐름통로(31) 및 조사통로(21)의 일단에 설치되는 흡착패드(40)를 포함하며 구성될 수 있다.
도 3은 표시기판에 마이크로 LED가 실장된 모습을 나타낸 도이고, 도 4(a)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 레이저부에서 레이저가 조사되는 모습을 나타낸 도이고, 도 4(b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치에 불량 마이크로 LED가 흡착되어 제거되는 모습을 나타낸 도이고, 도 5(a)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10)에 양품 마이크로 LED가 흡착된 모습을 나타낸 도이고, 도 5(b)는 양품 마이크로 LED가 실장되는 모습을 나타낸 도이고, 도 6은 본 발병의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 관한 도이다.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 레이저부(20) 및 석션부(30)를 포함하며 구성될 수 있다. 레이저부(20)는 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50) 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 구성이다. 레이저부(20)는 본딩 패드(50)에 실장되어 있는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사함으로써 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 분리 가능하게 할 수 있다. 또한, 불량 마이크로 LED(ML1)가 분리된 본딩 패드(50)에 레이저를 조사함으로써 양품 마이크로 LED(ML2)가 본딩 패드(50)에 부착 가능하게 할 수 있는 것이다.
석션부(30)는 마이크로 LED 리페어 장치(10) 내에 공기 흐름을 형성함으로써 레이저가 조사된 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하는 구성이다. 석션부(30)는 마이크로 LED 리페어 장치(10) 내에 공기 흐름을 만들어 흡입력을 발생시킬 수 있다. 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 석션부(30)를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거할 수 있는 것이다.
조사통로(21)는 레이저부(20)에서 발진된 레이저가 이동하는 경로를 말한다. 조사통로(21)는 일측에 레이저부(20)가 형성될 수 있고, 타측에는 흡착패드(40)가 형성될 수 있다.
흐름통로(31)는 석션부(30)에 의해 형성된 에어가 유동하는 통로를 말한다. 흐름통로(31)는 일측에 석션부(30)가 형성될 수 있고, 타측에는 흡착패드(40)가 형성될 수 있다.
조사통로(21)와 흐름통로(31)는 통로 일부를 공유하며 형성될 수 있다. 일례로, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 조사통로(21) 및 흐름통로(31)는 일측에는 각각 레이저부(20) 및 석션부(30)가 형성되되 타측은 하나의 흡착패드(40)가 형성될 수 있다. 즉, 조사통로(21) 및 흐름통로(31)의 시작점은 다르지만 각각의 통로가 합류하여 하나의 통로로 흡착패드(40)와 연결될 수 있는 것이다. 따라서, 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사한 후 별도의 이동없이 석션부(30)를 작동시켜 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡착패드(40)에 흡착시킬 수 있는 것이다.
흡착패드(40)는 조사통로(21) 및 흐름통로(31)의 공통통로의 단부에 형성될 수 있다. 흡착패드(40)는 다공성 재질로 이루어질 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 6를 참고하여 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
마이크로 LED 디스플레이 제조방법은 도 6에 도시된 바와 같이, 불량 마이크로 LED(ML1)를 색출하는 검사단계(S1), 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하는 제1조사단계(S2), 레이저가 조사된 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하는 제거단계(S3), 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 본딩 패드(50)에 레이저를 조사하는 제2조사단계(S4) 및 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 위치에 양품 마이크로 LED(ML2)를 실장 시키는 실장단계(S5)를 포함하며 구성될 수 있다.
검사단계(S1)는 임시기판 또는 표시기판에 실장 된 마이크로 LED(ML)의 불량을 색출하는 단계이다. 검사단계(S1)는 임시기판 또는 표시기판에 실장 된 마이크로 LED(ML)에 전기를 인가함으로써 불량 마이크로 LED(ML1)의 개수 및 위치 등을 파악할 수 있다.
불량 마이크로 LED(ML1)의 위치가 파악되면 레이저부(20)를 이용하여 레이저를 조사하는 제1조사단계(S2)가 실행될 수 있다.
제1조사단계(S2)는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하는 단계이다. 제1조사단계(S2)는 마이크로 LED 리페어 장치(10)에 설치된 레이저부(20)를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하게 된다.
구체적으로, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED(ML)가 불량 마이크로 LED(ML1)라 판단되면, 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1) 상부로 이동하게 된다. 불량 마이크로 LED(ML1) 상부로 이동된 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)의 상부에 안착할 수 있다. 마이크로 LED 리페어 장치(10)가 불량 마이크로 LED(ML1)의 상부에 안착하면, 흡착패드(40)와 불량 마이크로 LED(ML1)는 맞닿게 된다. 흡착패드(40)의 하면과 불량 마이크로 LED(ML1)의 상면이 맞닿게 되는 것이다.
물론 이와는 다르게 흡착패드(40)의 하면이 불량 마이크로 LED(ML1)의 상면과 이격된 상태로 마이크로 LED 리페어 장치(10)를 위치시켜도 무관하다.
흡착패드(40)와 맞닿은 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 레이저부(20)를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사할 수 있다. 구체적으로, 레이저는 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50)의 접착력이 상실될 수 있는 위치로 조사된다. 이때, 레이저부(20)에서 발진된 레이저는 마이크로 LED 리페어 장치(10)에 형성된 조사통로(21)를 통해 조사될 수 있다. 조사통로(21)는 레이저가 조사되는 경로가 되는 것이다.
도면에서는 레이저부(20)가 흡착패드(40)의 수직선상에 위치하는 것으로 도시하였으나, 반사경을 이용할 경우에는 수직선상 이외의 위치에 레이저부(20)가 구비될 수 있다.
레이저가 조사된 불량 마이크로 LED(ML1)는 본딩 패드(50)와의 접착력을 상실하게 된다. 불량 마이크로 LED(ML1)가 접착력을 상실하면 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하는 제거단계가 실행될 수 있다. 이때, 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 흡착패드(40)와 맞닿은 상태를 유지할 수 있다. 제1조사단계(S2)와 제거단계(S3)는 마이크로 LED 리페어 장치(10)가 흡착패드(40)와 맞닿은 상태로 실행될 수 있는 것이다.
구체적으로, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하기 위하여, 마이크로 LED 리페어 장치(10)에 설치된 석션부(30)가 작동될 수 있다. 석션부(30)는 마이크로 LED 리페어 장치(10) 내에 공기 흐름을 발생시키는 역할을 한다. 석션부(30)가 작동되면 마이크로 LED 리페어 장치(10)의 내부에는 흡입력이 발생하고, 불량 마이크로 LED(ML1)는 흡입력에 의해 흡착패드(40)에 흡착됨으로써 본딩 패드(50)로부터 제거될 수 있는 것이다. 석션부(30)에 의해 발생되는 공기 흐름은 마이크로 LED 리페어 장치(10) 내에 형성된 흐름통로(31)를 따라 형성될 수 있다. 즉, 흐름통로(31)는 공기 흐름의 경로가 되는 것이다.
불량 마이크로 LED(ML1)가 흡입력 또는 진공력에 의해 흡착패드(40)에 흡착하게 되면 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거할 수 있다. 이때, 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)를 개별로 제거할 수 있다.
마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거한 후 준비된 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하게 된다. 흡착된 양품 마이크로 LED(ML2)는 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 본딩 패드(50)로 운송될 수 있다.
이 경우, 양품 마이크로 LED(ML2)를 운송하는 리페어 장치는 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하기 위해 사용된 리페어 장치(10)일 수 있고, 이와는 다르게 별도의 리페어 장치(10)일 수 있다. 다만 이하에서는 하나의 리페어 장치(10)가 제거 및 교체를 수행하는 것으로 설명한다.
양품 마이크로 LED(ML2)가 본딩 패드(50)로 운송되면, 양품 마이크로 LED(ML2)를 실장하기 위한 제2조사단계(S4) 및 실장단계(S5)가 실행될 수 있다.
도 5(a)에 도시된 바와 같이, 양품 마이크로 LED(ML2)는 흡착패드(40)에 흡착하여 운송될 수 있다. 이때, 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 석션부(30)가 작동함으로써 내부에 공기흐름, 즉, 흡입력이 발생될 수 있다.
흡착패드(40)에 흡착된 양품 마이크로 LED(ML2)가 본딩 패드(50)로 운송되면, 본딩 패드(50)에 레이저를 조사하는 제2조사단계(S4)가 실행될 수 있다. 제2조사단계(S4)는 본딩 패드(50)에 레이저를 조사함으로써 본딩 패드(50) 상부에 접착력을 형성시키는 단계이다. 따라서, 제2레이저부(20)는 본딩 패드(50)에 접착력을 형성하기 위하여 레이저를 조사하게 된다.
레이저가 조사되면, 양품 마이크로 LED(ML2)를 본딩 패드(50)에 실장하는 실장단계(S5)가 실행될 수 있다. 양품 마이크로 LED(ML2)는 마이크로 LED 리페어 장치(10)가 하강함으로써 레이저가 조사된 본딩 패드(50)에 안착함으로써 본딩 패드(50)에 실장될 수 있는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10)는 불량 마이크로 LED(ML1)를 색출한 후 마이크로 LED 리페어 장치(10)의 흡입력을 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거함으로써 주변에 실장된 마이크로 LED(ML)에 영향을 주지 않고 불량 마이크로 LED(ML1)만을 손쉽게 제거할 수 있다는 효과가 있다. 또한, 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체함으로써 임시기판 및 표시기판에 실장된 마이크로 LED(ML)의 불량률을 낮출 수 있는 효과가 있다.
또한, 하나의 마이크로 LED 리페어 장치(10)를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거함과 함께 양품 마이크로 LED(ML2)를 교체하도록 함으로써, 전체 장비의 구조를 단순화 할 수 있다.
또한, 별도로 구비된 2개의 리페어 장치(10)를 이용하여 어느 하나의 리페어 장치(10)가 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하면, 다른 하나의 리페어 장치(10)로 신속하게 불량 위치에 양품 마이크로 LED(ML2)를 실장 함으로써 리페어 속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10') 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
이하, 도 7을 참고항여 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10') 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10')는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10')에 흡착패드(40)만 제거되어 구성된다. 따라서, 동일한 구성요소는 전술한 설명으로 대체될 수 있으며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 7(a)는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 레이저부에서 레이저가 조사되는 모습을 나타내는 도이고, 도 7(b)는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치에 불량 마이크로 LED가 흡입되는 모습을 나타낸 도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10')는 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부(20'), 불량 마이크로 LED를 본딩 패드(50)로부터 제거하는 석션부(30'), 레이저부에서 발진된 레이저의 조사통로(21') 및석션부(30')에서 발생된 에어가 유동하는 흐름통로(30')를 포함하며 구성될 수 있다.
조사통로(21')의 일측은 레이저부(20')가 형성되고, 조사통로(21')의 타측은 개구되어 형성될 수 있다. 또한, 흐름통로(30')의 일측은 석션부(30')가 형성될 수 있고, 타측은 개구되어 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법의 제거단계(S3)에 대해 설명한다.
제거단계(S3)는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저가 조사된 후 실행될 수 있다. 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저가 조사되면, 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하기 위하여 석션부(30')가 실행될 수 있다. 이때, 불량 마이크로 LED(ML1)는 일측이 개구된 흐름통로(30')로 흡입되어 제거될 수 있다.
구체적으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 리페어 장치(10')는 흡착패드(40)가 설치되지 않고 흐름통로(30')의 일측이 개구되어 형성될 수 있다. 따라서, 석션부(30')가 작동되면 마이크로 LED 리페어 장치(10') 내부에는 흡입력이 발생되고, 접착력을 상실한 불량 마이크로 LED(ML1)는 흡입력에 의해 마이크로 LED 리페어 장치(10') 내부로 흡입되어 제거될 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10')는 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡착패드(40) 등에 흡착시키지 않고 공기 흐름을 따라 마이크로 LED 리페어 장치(10') 내부로 흘러 들어가게 흡입하여 제거함으로써 보다 쉽게 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거할 수 있다는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10") 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
이하, 도 8 내지 도 10을 참고하여 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10") 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제3실시 에에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10")는 불량 마이크로 LED 제거부(60) 및 양품 마이크로 LED 교체부(70)의 형상만 다르게 형성될 뿐 나머지 구성요소는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10")와 동일하게 형성될 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소는 전술한 설명으로 대체될 수 있으며, 중복되는 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 도이고, 도 9는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 제거부가 불량 마이크로 LED를 흡입하는 모습을 나타낸 도이고, 도 10은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 양품 마이크로 LED를 실장하는 모습을 나타낸 도이다.
도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10")는 바디부(22), 바디부(22) 상부에 형성되고 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50) 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부(20"), 바디부(22) 측면에서 후드 형태로 형성되며 레이저부(20")에 의해 접착력을 상실한 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하는 불량 마이크로 LED 제거부(60) 및 복수개의 양품 마이크로 LED(ML2)가 흡착되어 있는 양품 마이크로 LED 교체부(70)를 포함하며 구성될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 불량 마이크로 LED 제거부(60)는 바디부(22)의 일측면에 형성될 수 있다. 양품 마이크로 LED 교체부(70)는 바디부(22)의 타측면에 형성될 수 있다. 즉, 바디부(22)의 일측면에는 불량 마이크로 LED 제거부(60)가 형성되고, 타측면에는 양품 마이크로 LED 교체부(70)가 형성될 수 있는 것이다.
불량 마이크로 LED 제거부(60)는 후드 형태로 형성될 수 있으며, 접착력을 상실한 복수의 불량 마이크로 LED(ML1)를 일괄로 제거하는 역할을 한다.
양품 마이크로 LED 교체부(70)는 복수개의 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하여 운송 및 실장하는 역할을 한다. 이때, 복수개의 양품 마이크로 LED(ML2)는 본딩 패드(50)에 동시에 실장될 수 있다.
여기서, 양품 마이크로 LED 제거부(70)가 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하는 흡착력, 에어 흡입력, 반데르발스력, 자기력, 점착력 등 다양한 물리력을 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
제1조사단계(S2)는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하는 단계이다. 이때, 검사단계(S1)에서 파악된 모든 불량 마이크로 LED(ML1)에 순차적으로 레이저를 조사하게 된다.
모든 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저가 조사되면 바디부(22) 일측면에 형성되어 있는 불량 마이크로 LED 제거부(60)를 통해 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡입하게 된다. 이때, 불량 마이크로 LED 제거부(60)는 복수개의 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡입하게 된다.
구체적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 바디부(22) 상부에 형성된 레이저부(20")를 이용하여 임시기판 또는 표시기판에 실장된 마이크로 LED(ML) 중 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하게 된다. 이때, 모든 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사함으로써 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50) 사이의 접착력을 상실시켜준다.
불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저가 조사되면, 불량 마이크로 LED 제거부(60)를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하게 된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 불량 마이크로 LED 제거부(60)는 후드의 형태로 형성됨으로써 넓은 범위로 분포되어 있는 불량 마이크로 LED(ML1)를 일괄적으로 흡입하여 제거할 수 있다. 즉, 불량 마이크로 LED(ML1)간의 피치 간격이 크더라도 후드의 형태로 형성된 불량 마이크로 LED 제거부(60)를 통해 일괄로 제거될 수 있는 것이다.
불량 마이크로 LED(ML1)가 제거되면 제2조사단계(S4)가 이루어진다. 제2조사단계(S4)는 레이저부(20")를 이용하여 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 본딩 패드(50)에 레이저를 조사하는 단계이다. 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 모든 본딩 패드(50)에 레이저를 순차적으로 조사하게 된다.
제2조사단계(S4)가 완료되면, 본딩 패드(50)에 양품 마이크로 LED(ML2)를 실장하는 실장단계(S5)가 실행될 수 있다.
실장단계(S5)는 양품 마이크로 LED 교체부(70)에 흡착되어 있는 양품 마이크로 LED(ML2)를 본딩 패드에 실장하는 단계이다. 이때, 양품 마이크로 LED 교체부(70)는 불량 마이크로 LED(ML1)와 같은 피치 간격을 가진 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하여 운송 및 실장할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 양품 마이크로 LED 교체부(70)는 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하여 운송하게 된다. 이때, 양품 마이크로 LED 교체부(70)는 검사단계(S1)에서 파악된 불량 마이크로 LED(ML1)의 피치간격과 동일한 간격으로 복수개의 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하게 된다. 따라서, 양품 마이크로 LED 교체부(70)는 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 위치에 양품 마이크로 LED(ML2)를 일괄적으로 실장할 수 있다.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10")는 복수개의 불량 마이크로 LED(ML1)를 일괄로 제거 후 복수개의 양품 마이크로 LED(ML2)를 일괄로 교체함으로써, 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체하는 작업 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10"') 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
이하, 도 11 내지 도 13를 참고하여 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10"') 및 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 바디부(22'), 바디부(22') 중심에 형성되고 불량 마이크로 LED(ML1)와 본딩 패드(50) 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부(20"'), 바디부(22') 외면에 형성되고 레이저부(20"')에 의해 접착력을 상실한 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하는 제거부(60') 및 바디부(22') 외면에 형성되고 양품 마이크로 LED(ML2)가 흡착되어 있는 교체부(70')를 포함하여 형성될 수 있다.
도 11(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 모습을 나타낸 도이고, 도 11(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 제거부와 불량 마이크로 LED가 맞닿는 모습을 나타낸 도이고, 도 12(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 불량 마이크로 LED를 제거하는 모습을 나타낸 도이고, 도 12(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 레이저를 조사하는 모습을 나타낸 도이고, 도 13(a)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치의 교체부에 흡착된 양품 마이크로 LED를 실장하는 모습을 나타낸 도 이고, 도 13(b)는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치가 불량 마이크로 LED를 양품 마이크로 LED로 교체완료한 모습을 나타낸 도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 바디부(22')는 원형의 형상으로 형성될 수 있고, 바디부(22')는 투명한 재질로 이루어질 수 있으나 이러한 형상 및 재질로 한정짓는 것은 아니다. 바디부(22')는 구형태, 원기둥 형태, 원형 띠 형태, 다각형의 형태 등 다양한 형태로 구성될 수 있다.
바디부(22')는 회전할 수 있으며 바디부(22')가 회전함에 따라 레이저부(20"'), 제거부(60') 및 교체부(70) 순으로 기판과 대응될 수 있다.
레이저부(20"')는 바디부(22')의 중심에 형성될 수 있으며 불량 마이크로 LED(ML1)의 접착력을 형성 또는 상실시키는 역할을 한다. 레이저부(20"')는 레이저를 투명한 재질의 바디부(22')를 통해 불량 마이크로 LED(ML1)에 조사할 수 있다.
제거부(60') 및 교체부(70')는 바디부(22') 외면에 형성될 수 있으며, 제거부(60') 및 교체부(70')는 바디부(22')의 외면에서 원주방향을 따라 교대로 형성될 수 있다.
제거부(60')는 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하는 역할을 하며, 제거부(60')에 에어 흡입력, 자기력, 점착력, 반데르발스력 등을 발생시켜 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡착시킬 수 있다.
교체부(70')는 양품 마이크로 LED(ML2)를 흡착하여 운송 및 실장 시키는 역할을 한다. 교체부(70')는 에어 흡입력, 자기력, 점착력, 반데르발스력 등을 이용하여 양품 마이크로 LED(ML2)를 교체부(70')에 흡착시켜 운송 시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 대해 설명한다.
전술한 실시 예에서의 구성과 동일한 구성요소는 전술한 설명으로 대체될 수 있으며, 중복되는 설명은 생략한다.
제1조사단계(S2)는 불량 마이크로 LED(ML1)에 레이저를 조사하는 단계이다. 도 11(a)에 도시된 바와 같이, 레이저부(20"')가 레이저를 조사할 때 레이저는 제거부(60')와 교체부(70') 사이로 조사될 수 있다. 레이저부(20"')는 본딩 패드(50)와 대응되는 위치에 위치하여 레이저를 조사하게 되는 것이다.
레이저가 조사되면 도 11(b)에 도시된 바와 같이, 바디부(22')는 제거부(60')와 불량 마이크로 LED(ML1)가 대응되는 위치까지 회전하게 되고, 불량 마이크로 LED(ML1)를 제거하는 제거단계(S3)가 실행될 수 있다.
바디부(22')가 제거부(60')와 불량 마이크로 LED(ML1)가 대응되는 위치까지 회전하면 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 하강하게 되고, 제거부(60')와 불량 마이크로 LED(ML1)가 맞닿게 된다. 제거부(60')와 불량 마이크로 LED(ML1)가 맞닿으면 제거부(60')에 불량 마이크로 LED(ML1)를 흡착하는 힘이 발생하고, 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거부(60')에 흡착하게 된다.
도 12(a)에 도시된 바와 같이, 불량 마이크로 LED(ML1)가 교체부(70')에 흡착하게 되면 마이크로 LED 리페어 장치(10"')가 상승하면서 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거하게 된다.
불량 마이크로 LED(ML1)가 제거되면, 도 12(b)에 도시된 바와 같이, 바디부(22')는 레이저부(20"')와 본딩 패드(50)가 대응되는 위치까지 회전하게 되고, 본딩 패드(50)에 레이저를 조사하는 제2조사단계(S4)가 실행된다. 제2조사단계(S4)는 불량 마이크로 LED(ML1)가 제거된 본딩 패드(50)에 레이저를 조사함으로써 양품 마이크로 LED(ML2)가 실장될 수 있도록 접착력을 형성시키는 단계이다.
레이저 조사가 완료되면 바디부(22')는 양품 마이크로 LED(ML2)가 흡착되어 있는 교체부(70')와 본딩 패드(50)가 대응되는 위치까지 회전하게 된다.
도 13(a)에 도시된 바와 같이, 양품 마이크로 LED(ML2)와 본딩 패드(50)가 대응되면, 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 하강하게 되고, 양품 마이크로 LED(ML2)와 본딩 패드(50)가 맞닿게 된다. 이때, 본딩 패드(50)에 형성된 접착력에 의해 양품 마이크로 LED(ML2)는 본딩 패드(50)에 안착함으로써 양품 마이크로 LED(ML2)가 본딩 패드(50)에 실장되는 것이다.
양품 마이크로 LED(ML2)가 본딩 패드(50)에 실장되면 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 상승하게 되고 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체하는 작업이 완료된다.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 짧은 동선으로 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체 가능하다.
불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체하기 위해서는 불량 마이크로 LED(ML1)를 본딩 패드(50)로부터 제거한 후 임시기판 및 표시기판의 영역 밖으로 이동하여 양품 마이크로 LED(ML2)를 운송해오는 동선을 필요로 한다.
하지만 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 불량 마이크로 LED(ML1)가 실장된 위치에서 회전 및 상하의 움직임 만으로 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체 가능하다.
구체적으로, 바디부(22')의 원주 방향을 따라 교대로 제거부(60') 및 교체부(70')가 형성되고, 교체부(70')에 새로 실장 될 양품 마이크로 LED(ML2)를 사전에 흡착하여 불량 마이크로 LED(ML1)가 실장된 위치로 이동하게 된다. 바디부(22')는 불량 마이크로 LED(ML1)가 실장된 위치에서 회전하면서 레이저조사, 불량 마이크로 LED(ML1) 제거 및 양품 마이크로 LED(ML2)를 실장함으로써 마이크로 LED 리페어 장치(10"')의 좌우 동선을 최소화할 수 있는 것이다.
따라서, 마이크로 LED 리페어 장치(10"')는 좌우 동선을 최소화하여 짧은 동선으로 불량 마이크로 LED(ML1)를 양품 마이크로 LED(ML2)로 교체 가능한 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
ML: 마이크로 LED ML1: 불량 마이크로 LED
ML2: 양품 마이크로 LED
10, 10', 10", 10"': 마이크로 LED 리페어 장치
20, 20', 20", 20"': 레이저부 21, 21': 조사통로
22, 22': 바디부 30, 30': 석션부
31, 31': 흐름통로 40: 흡착패드
50: 본딩 패드 60, 60': 제거부
70, 70': 교체부
S1: 검사단계 S2: 제1조사단계
S3: 제거단계 S4: 제2조사단계
S5: 실장단계

Claims (12)

  1. 불량 마이크로 LED를 색출하는 검사단계;
    상기 불량 마이크로 LED에 레이저를 조사하는 제1조사단계;
    레이저가 조사된 상기 불량 마이크로 LED를 본딩 패드로부터 제거하는 제거단계;
    상기 불량 마이크로 LED가 제거된 상기 본딩 패드에 레이저를 조사하는 제2조사단계; 및
    상기 불량 마이크로 LED가 제거된 위치에 양품 마이크로 LED를 실장 시키는 실장단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제거단계는,
    상기 불량 마이크로 LED를 개별로 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제거단계는,
    상기 불량 마이크로 LED를 일괄로 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제거단계는,
    상기 불량 마이크로 LED를 흡입하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제거단계는,
    상기 불량 마이크로 LED를 흡착하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법.
  6. 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부;
    상기 불량 마이크로 LED를 본딩 패드로부터 제거하는 석션부;
    상기 레이저부에서 발진된 레이저의 조사통로; 및
    상기 석션부에서 발생된 에어가 유동하는 흐름통로;를 포함하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 조사통로의 일단에 설치되는 흡착패드를 포함하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 흡착패드는 다공성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 흐름통로 및 상기 조사통로는 통로의 일부분을 공유하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  10. 바디부;
    상기 바디부 상부에 형성되고 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부;
    상기 바디부 측면에서 후드 형태로 형성되며 상기 레이저부에 의해 접착력을 상실한 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 불량 마이크로 LED 제거부; 및
    복수개의 양품 마이크로 LED가 흡착되어 있는 양품 마이크로 LED 교체부;를 포함하고
    상기 불량 마이크로 LED 제거부는 일괄로 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  11. 바디부;
    상기 바디부 중심에 형성되고 불량 마이크로 LED와 본딩 패드 사이의 접착력을 형성 또는 상실시키는 레이저부;
    상기 바디부 외면에 형성되고 상기 레이저부에 의해 접착력을 상실한 상기 불량 마이크로 LED를 제거하는 제거부; 및
    상기 바디부 외면에 형성되고 양품 마이크로 LED가 흡착되어 있는 교체부;를 포함하고
    상기 제거부 및 상기 교체부는 상기 바디부의 원주방향을 따라 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 리페어 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 바디부는 투명재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 리페어 장치.

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