KR102631260B1 - 표시장치 및 표시장치 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 표시장치 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102631260B1
KR102631260B1 KR1020160043502A KR20160043502A KR102631260B1 KR 102631260 B1 KR102631260 B1 KR 102631260B1 KR 1020160043502 A KR1020160043502 A KR 1020160043502A KR 20160043502 A KR20160043502 A KR 20160043502A KR 102631260 B1 KR102631260 B1 KR 102631260B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
layer
display device
clause
Prior art date
Application number
KR1020160043502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170116300A (ko
Inventor
정창용
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160043502A priority Critical patent/KR102631260B1/ko
Priority to US15/483,159 priority patent/US9991240B2/en
Publication of KR20170116300A publication Critical patent/KR20170116300A/ko
Priority to US15/996,896 priority patent/US10522523B2/en
Priority to US16/717,218 priority patent/US10964679B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102631260B1 publication Critical patent/KR102631260B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Abstract

표시 장치를 제공한다. 본 표시 장치는, 표시 기판, 표시 기판 상에 배치되며 광을 방출하는 발광 다이오드, 표시 기판상에 배치되며 상기 발광 다이오드를 둘러싸는 패시베이션층, 발광 다이오드와 패시베이션층상에 배치되는 전도층; 및 발광 다이오드상에 배치되며 발광 다이오드에서 방출된 광의 진행 경로를 조절하는 캡핑층을 포함하고, 전도층은 캡핑층과 중첩되는 제1 영역과 캡핑층과 중첩되지 않는 제2 영역은 광 특성이 서로 다르다.

Description

표시장치 및 표시장치 제조방법{Display apparatus and method thereof}
본 실시예들은 표시장치 및 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다.
LED는 무기 LED 또는 유기 LED로 형성되고, LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판을 비롯하여 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV까지 사용되고 있다.
본 발명의 일 실시예는 불필요한 광의 방출을 줄일 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 발광 다이오드의 정상적인 실장 여부를 실시간을 확인할 수 있는 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 복수 개의 발광 다이오드 중 일부를 선택적으로 전사시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 기판; 상기 표시 기판 상에 배치되며 광을 방출하는 발광 다이오드; 상기 표시 기판상에 배치되며 상기 발광 다이오드를 둘러싸는 패시베이션층; 상기 발광 다이오드와 상기 패시베이션층상에 배치되는 제1 전도층; 및 상기 발광 다이오드상에 배치되며 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 진행 경로를 조절하는 캡핑층;을 포함하고, 상기 제1 전도층은 상기 캡핑층과 중첩되는 제1 영역과 상기 캡핑층과 중첩되지 않는 제2 영역은 광 특성이 서로 다르다.
그리고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 금속 원자와 산소 원자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1영역과 상기 제2 영역은, 동일한 원자들을 포함하면서 상기 동일한 원자들의 성분비가 서로 다를 수 있다.
그리고, 상기 제1 영역에 포함된 산소 원자의 비중은 상기 제2 영역에 포함된 산소 원자의 비중과 서로 다를 수 있다.
또한, 상기 제1 영역에 포함된 산소 원자의 비중은 상기 제2 영역에 포함된 산소 원자의 비중보다 클 수 있다.
또한, 상기 제2 영역은 입사된 광이 흡수될 수 있다.
그리고, 상기 제1 영역은 입사된 광이 투과될 수 있다.
또한, 상기 제1 전도층은, 상기 발광 다이오드에 전기적 신호를 인가하는 전극일 수 있다.
그리고, 상기 캡핑층은 렌즈 형상일 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드에 접하며, 상기 표시 기판을 향해 돌출된 절연 부재;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 표시 기판은 상기 절연 부재에 대응하는 영역이 함몰된 함몰부;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 표시 기판상에는 상기 절연 부재에 의해 절단된 제2 전도층이 배치될 수 있다.
그리고, 상기 제2 전도층의 일부 영역은 상기 함몰부상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드는 상기 절연 부재와 이격 배치된 전극 패드;를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제2 전도층은 상기 전극 패드와 접할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드는 P-N 다이오드를 포함하고, 상기 절연 부재는 상기 P-N 다이오드의 일부 영역에 접할 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 제1 내지 제3 희생층이 순차적으로 이격 배치되는 제1 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 내지 제3 희생층 각각에 제1 내지 제3 발광 다이오드를 배치시키는 단계; 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드를 사이에 두고 상기 제1 기판상에 제2 기판을 배치시키는 단계; 및 레이저를 이용하여 상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 중 상기 제1 발광 다이오드와 제3 발광 다이오드를 선택적으로 상기 제2 기판에 접착시키는 단계;를 포함한다.
그리고, 상기 제1 희생층과 상기 제2 희생층은 상기 레이저에 대한 흡수 계수가 다르고, 상기 제1 희생층과 상기 제3 희생층은 상기 레이저에 대한 흡수 계수가 같을 수 있다.
또한, 상기 레이저는 상기 제1 기판에 전체적으로 조사될 수 있다.
그리고, 상기 제1 희생층과 상기 제3 희생층은, 상기 레이저에 의해 녹는 물질을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 X-X'를 따르는 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 과정을 설명하는 참조도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 표시 장치(10a)를 나타내는 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 또 다른 실시예에 따른 절연 부재를 포함한 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 9은 도 8b의 절연 부재가 배치된 발광 다이오드를 포함한 표시 장치를 도시한 도면이다.
도 10은 다른 실시예에 다른 발광 다이오드가 실장되기 전의 표시 기판을 도시한 도면이다.
도 11는 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12a 내지 도 12c는 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 실시예들은 다양한 변환을 가할 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 실시예들의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 내용들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 실시예들은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 이하의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위(또는 상)에 또는 아래(하)에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위 또는 아래에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 위 및 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 이하의 실시예는 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시부(110) 및 드라이버(120)를 포함할 수 있다. 표시부(110)는 기판 상에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀(P)들을 포함할 수 있다. 드라이버(120)는 픽셀(P)에 연결된 스캔선으로 스캔 신호를 인가하는 스캔 드라이버 및 데이터선으로 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다. 드라이버(120)는 픽셀(P)들이 배열된 표시부(110) 주변인 기판의 비표시부에 배치될 수 있다. 드라이버(120)는 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 표시부(110)가 형성된 기판 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치(10)의 X-X'를 따르는 단면도이다.
도 2를 함께 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는, 표시 기판(100) 및 표시 기판(100) 상의 발광 다이오드(300)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(10)는 표시 영역(110) 내에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀(P)들에 신호를 인가하는 드라이버(120)를 포함할 수 있다.
드라이버(120)는 픽셀(P)에 연결된 스캔선으로 스캔 신호를 인가하는 스캔 드라이버 및 데이터선으로 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다. 드라이버(120)는 픽셀(P)들이 배열된 표시부(110) 주변인 기판의 비표시부에 배치될 수 있다. 드라이버(120)는 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 표시부(110)가 형성된 기판 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수도 있다.
표시 기판(100)은 기판(101), 기판(101) 상의 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT) 상의 평탄화층(117)을 포함할 수 있으며, 평탄화층(117) 상에는 비아홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(510)이 위치할 수 있다.
기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다.
금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(101) 상에는 버퍼층(111)이 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(101)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)을 포함할 수 있다.
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(210)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(210)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(210)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(210)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(210)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(113:gate insulating layer)은 활성층(210) 상에 형성된다. 게이트 절연막(113)은 활성층(210)과 게이트 전극(220)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(113)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(220)은 게이트 절연막(113)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(220)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(220)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(220)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(220)상에는 층간 절연막(115)이 형성된다. 층간 절연막(115)은 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)과 게이트 전극(220)을 절연한다. 층간 절연막(115)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(115) 상에 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)이 형성된다. 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)은 활성층(210)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.
평탄화층(117)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(117)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다.
평탄화층(117)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(117)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
평탄화층(117)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(117)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(230b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다.
평탄화층(117)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 발광 다이오드(300)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 발광 다이오드(300)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시장치(100)의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 발광 다이오드(300)의 높이가 더 클 수 있다. 도 2에는 오목부가 사각형인 예를 도시하고 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(101) 전체에 형성할 수도 있다.
제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란 물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다.
절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
오목부에는 발광 다이오드(300)가 배치된다. 발광 다이오드(300)는 오목부에서 제1 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 다이오드(300)는 자외선, 적색, 녹색 또는 청색의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 발광 다이오드(300)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드에도 적용될 수 있다. 발광 다이오드(300)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(101)에 전사됨으로써 기판(101)의 오목부에 수용될 수 있다.
발광 다이오드(300)는 p-n 다이오드(380), p-n 다이오드(380)의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(310) 및 제1 컨택 전극(310)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(390)을 포함할 수 있다.
p-n 다이오드(380)는 제1 반도체층(330), 제2 반도체층(370) 및, 제1 반도체층(330)과 제2 반도체층(370) 사이의 중간층(350)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(330)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 반도체층(330)에는 제1 컨택 전극(310)이 형성될 수 있다.
제2 반도체층(370)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(370)에는 제2 컨택 전극(390)이 형성될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(330)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(370)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
중간층(350)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 중간층(350)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1 컨택 전극(310) 및/또는 제2 컨택 전극(390)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(310)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(390)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.
제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
패시베이션층(520)은 오목부 내의 발광 다이오드(300)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 발광 다이오드(300) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
패시베이션층(520)은 발광 다이오드(300)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(390)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(390)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 발광 다이오드(300)의 노출된 제2 컨택 전극(390)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다.
제2 전극(530)은 발광 다이오드(300)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 제2 전극(530)은 동일한 원자를 포함한다 하더라도 영역에 따라 원자의 성분비가 다를 수 있다. 제2 전극(530)에 대해서는 후술하기로 한다. 제2 전극(530)은 발광 다이오드에 전압을 인가한다는 의미에서 전극이라고 기재하였으며, 이후 전도층으로 혼용할 수 잇다.
또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 발광 다이오드를 커버하는 캡핑층(600)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(600)는 에폭시, 실리콘, 우레탄 등의 투명한 폴리머로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(600)는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리히드록시에틸메타크릴레이트, 폴리시클로헥실메타크릴레이트 등의 아크릴계 수지, 폴리디에틸렌글리콜 비스알릴카보네이트, 폴리카보네이트 등의 알릴계 수지, 메타크릴 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리 초산 비닐계 수지, 셀룰로오스계 수지, 폴리아미드계 수지, 불소계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리스티렌계 수지 등의 열가소성 또는 열경화성의 수지 중의 하나, 또는 이들의 혼합 물질을 포함할 수 있다.
캡핑층(600)는 굴절률(n_lens)이 1 보다 큰 물질로 형성될 수 있다. 캡핑층(600)의 굴절률(n_lens), 발광 다이오드(300)의 굴절률(n_LED) 및 공기의 굴절률(n_air)은 (n_air < n_lens < n_LED)의 관계를 갖도록 캡핑층(600) 형성 물질이 선택될 수 있다. 캡핑층(600)의 추가에 의해 계면에서 굴절률 차이를 줄여줌으로써 발광 다이오드(300)로부터 공기로의 광 손실을 줄일 수 있다. 상기한 캡핑층은 렌즈 형상일 수 있다.
한편, 표시 장치(10)에 포함된 발광 다이오드(300) 각각은 고유한 색을 방출할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 적색광을 방출하는 발광 다이오드를 포함한 픽셀, 녹색광을 방출하는 발광 다이오드를 포함한 픽셀, 청색광을 방출하는 발광 다이오드를 포함할 수 있으며, 또는 표시 장치(10)는 백광을 방출하는 발광 다이오드를 포함하는 픽셀을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 발광 다이오드는 서로 다른 파장 대역의 광을 방출하기 때문에 광의 파장에 따라 광 분포에 차이가 발생할 수 있다. 이는 백색 광의 시프트(shift)가 발생할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 백색 광의 시프트를 줄이기 위해 방출되는 광에 따라 광 특성이 다른 캡핑층(600)을 적용할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 방출되는 광에 따른 곡률 반경이 다른 캡핑층을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 적색광을 방출하는 적색 화소(PR), 녹색광을 방출하는 녹색 화소(PG) 및 청색광을 방출하는 청색 화소(PB)를 포함할 수 있다. 그리고, 표시 장치(10)의 적색 화소(PR)는 제1 곡률 반경을 갖는 제1 캡핑층, 녹색 화소(PG)는 제2 곡률 반경을 갖는 제1 캡핑층 및 청색 화소(PB)는 제3 곡률 반경을 갖는 제3 캡핑층을 포함할 수 있다.
파장이 짧아짐에 따라 매질의 경계면에서 굴절각은 커지게 된다. 그리하여, 픽셀간의 굴절 정도를 줄이기 위해 파장에 반비례하는 곡률 반경의 캡핑층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 적색광은 녹색광보다 파장이 크므로, 제1 곡률 반경은 제2 곡률 반경보다 클 수 있다. 또한, 녹색광은 청색광보다 파장이 크므로, 제2 곡률 반경은 제3 곡률 반경보다 클 수 있다.
한편, 뱅크층(400)은 발광 다이오드(300)에서 방출되는 광을 흡수 등을 하여 외부로의 광의 방출을 방지하거나 이웃하는 광들의 혼합을 방지할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 뱅크층(400) 뿐만 아니라 제2 전극(530)을 이용하여 난반사에 의한 광 등 불필요한 광을 제거할 수 있다. 제2 전극(530)은 캡핑층과 중첩되는 제1 영역(532)과 캡핑층과 중첩되지 않는 제2 영역(534)으로 구분될 수 있다. 제1 영역(532)과 제2 영역은 광 특성이 서로 다를 수 있다. 옐르 들어, 제1 영역(532)은 발광 다이오드에서 방출된 광을 외부로 방출하기 위해 광을 투과시키는 물질로 형성될 수 있고, 제2 영역(534)은 발광 다이오드에서 방출된 광이 외부로 방출되거나 외부에서 입사된 광을 차단하기 위해 제2 영역(534)은 광을 흡수하는 물질로 형성될 수 있다.
제2 전극(530) 중 제1 영역(532)과 제2 영역(534)은 동일한 원자들을 포함하면서 상기 동일한 원자들의 성분비가 다를 수 있다. 제2 전극(530)은 금속 원자와 산소 원자를 포함하면서, 제1 영역(532)에 포함된 산소 원자의 비중은 제2 영역(534)에 포함된 산소 원자의 비중과 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(532)에 포함된 산소 원자의 비중은 제2 영역(534)에 포함된 산소 원자의 비중보다 클 수 있다. 그리하여, 제1 영역(532)은 광 투과성을 갖게 되고, 제2 영역(534)은 금속 성질 때문에 광 흡수성을 가질 수 있다. 제2 전극(530)은 발광 다이오드에 공통 전압을 인가할 수 있다.
상기와 같이 단일층인 제2 전극(530)이 영역에 따라 광 특성을 다르게 함으로써 유용한 광은 외부로 방출시키면서 불필요한 광은 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다. 상기한 광 특성은 이온 스퍼터링 공정으로 구현될 수 있다.
표시 장치(10)의 제조 과정 중 투명 금속 산화물을 표시 기판에 형성한 후 투명 금속 산화물 중 캡핑층이 중첩되지 않는 영역을 이온 스퍼터링 등으로 산소 원자를 제거하였기 때문에 제2 영역(534)은 산소 원자의 비중이 작아지고 금속 원자의 비중이 커질 수 있다.
도 3 내지 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 제조하는 과정을 설명하는 참조도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(300), 페시베이션층(520) 및 전도층(530a)이 적층된 표시 기판(100)을 준비할 수 있다. 상기한 전도층(530a)은 투명 금속 산화물로 형성될 수 있다. 그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 전도층(530a)의 일부 영역에 캡핑층(600)을 형성할 수 있다. 캡핑층(600)의 적어도 일부 영역은 발광 다이오드(300)와 중첩될 수 있다. 그리하여, 전도층(530a)은 캡핑층(600)과 중첩되는 제1 영역(532a)과 캡핑층(600)과 중첩되지 않는 제2 영역(534a)으로 구분될 수 있다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 이온 스퍼터링으로 전도층(530a)의 일부 영역으로부터 산소 원자를 이탈시킬 수 있다. 이온 스퍼터링에 이용되는 입자는 전도층 아래에 형성된 물질들과 화학적 반응이 없는 입자일 수 있다. 예를 들어, 아르곤, 질소 등일 수 있다.
이온 스퍼터링시 전도층(530a) 중 캡핑층(600)과 중첩되는 제1 영역(532a)에 포함된 산소 원자는 이온 입자와 반응하지 않는다. 그러나, 캡핑층(600)과 중첩되지 않는 제2 영역(534a)에서는 스퍼터링되는 입자에 의해 산소 원자가 전도층(530a)을 이탈할 수 있다. 산소 원자가 이탈된 영역은 산소 원자의 성분비가 변경된 전도성 산화물을 포함할 수 있고, 금속 및 전도성 산화물이 혼합되어 있을 수 있다. 그리하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 영역(534)에서 산소가 이탈함에 따라 금속 본연의 특성이 발현되어 제2 영역(534)은 광 흡수성을 갖게 된다.
그러나, 본 실시예의 표시 장치는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 발광소자에서 방출된 광이 기판 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 제2 전극은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
이상에서는 제1 컨택 전극(310)과 제2 컨택 전극(390)이 반대측에 위치한 수직형 발광 다이오드(300)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 발광 다이오드(300)는 제1 컨택 전극(310)과 제2 컨택 전극(390)이 같은 방향을 향해 배치된 수평형 또는 플립형 발광소자일 수 있다. 이 경우, 제1 전극(510) 및 제2 전극(530)의 위치는 제1 컨택 전극(310) 및 제2 컨택 전극(390)의 위치에 대응하게 배치될 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 따른 표시 장치(10a)를 나타내는 단면도이다. 도 2에 도시된 표시 장치(10)와 도 7에 도시된 표시 장치(10a)를 비교하면, 도 7에 도시된 표시 장치(10a)의 발광 다이오드(300a)는 수평형 발광 다이오드이다. 그리하여, 제2 전극(530)이 발광 다이오드(300a)의 하측에 배치될 수 있다.
한편, 발광 다이오드(300a) 및 패시베이션층(520) 상에는 제3 전극(540)이 배치될 수 있다. 상기한 제3 전극(540)은 캡핑층(600)과 중첩되는 제1 영역(542)과 캡핑층(600)과 중첩되지 않는 제2 영역(544)으로 구분될 수 있다.
제3 전극(540) 중 제1 영역(542)과 제2 영역(544)은 광 특성이 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(542)와 제2 영역(544)은 동일한 원자들을 포함하면서 상기 동일한 원자들의 성분비가 다를 수 있다. 제3 전극(540)은 금속 원자와 산소 원자를 포함하면서, 제1 영역(542)에 포함된 산소 원자의 비중은 제2 영역(544)에 포함된 산소 원자의 비중과 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(542)에 포함된 산소 원자의 비중은 제2 영역(544)에 포함된 산소 원자의 비중보다 클 수 있다. 그리하여, 제1 영역(542)은 광 투과성을 갖게 되고, 제2 영역(544)은 금속 성질 때문에 광 흡수성을 갖을 수 있다. 상기한 제3 전극(540)은 정전 방전(electro static discharge)을 위한 전극일 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 또 다른 실시예에 따른 절연 부재를 포함한 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다. 발광 다이오드(300a) 상에는 절연 부재(301a, 301b)가 배치될 수 있다. 상기한 절연 부재(301a, 301b)는 표시 기판(100)을 향해 돌출된 형상일 수 있다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 절연부재(301a)는 제2 반도체층(370)에 형성되고, 제2 반도체층(370)으로부터 멀어질수록 앞 끝의 각도가 작아지며 단면이 V자형을 갖도록 형성될 수 있다. 또는, 도 8b에 도시된 바와 같이, 절연 부재(301b)는 제1 반도체층(330)에 형성되고, 제1 반도체층(330)으로부터 멀어질수록 앞 끝의 각도가 작아지며 단면이 V자형을 갖도록 형성될 수 있다. 절연부재(301a, 301b)를 제외한 발광 다이오드(300a)는 도 7에 도시된 발광 다이오드(300a)와 동일하므로, 설명을 생략한다.
도 9은 도 8b의 절연 부재(301b)가 배치된 발광 다이오드(300a)를 포함한 표시 장치(12)를 도시한 도면이고, 도 10은 다른 실시예에 다른 발광 다이오드가 실장되기 전의 표시 기판(110a)을 도시한 도면이다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 표시 기판(110a)은 절연 부재(301b)에 대응하는 영역이 함몰된 함몰부(119)를 포함할 수 있다. 그리고, 발광 다이오드(300a)가 실장되기 전의 표시 기판(110a) 중 제1 전극(510a)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결되면서 함몰부(119)상으로 연장되어 제2 전극(530)과 접할 수 있다. 그리하여, 제1 전극(510a)의 일부 영역은 상기한 함몰부(119) 상에 배치될 수 있다.
한편, 발광 다이오드(300a)가 표시 기판(110a) 상에 실장될 때 절연 부재(301b)는 제1 전극(510a)을 관통하면서 함몰부(119) 내에 배치될 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 컨택 전극(310, 390) 각각은 제1 및 제2 전극(510a, 530)에 접할 수 있다.
상기와 같은 절연 부재(301a, 301b)는 발광 다이오드(300a)의 실장시 발광 다이오드(300a)가 정상적으로 실장되었는지 여부를 실시간으로 확인하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(110a)의 제1 및 제2 전극(510a, 530)은 쇼트되어 있기 때문에 표시 기판(110a)에는 등전압을 인가할 수 있다. 등전압이 인가된 상태에서 절연 부재(301b)가 배치된 발광 다이오드(300a)를 표시 기판(110a)에 실장하면, 절연 부재(301b)는 제1 전극(510a)을 절단시킬 수 있다. 그러면 제1 전극(510a) 중 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 영역과 제2 전극(530)은 오픈될 수 있다. 제1 전극(510a)과 제2 전극(530)의 오픈으로 발광 다이오드(310a)가 정상적으로 실장되었음을 확인할 수 있다.
도 11는 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 p-n 다이오드(380)들은, 베이스 기판(201) 상에서 형성될 수 있다. 베이스 기판(201)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
복수의 p-n 다이오드(380)들 각각은, 제1 반도체층(도 3의 330), 제2 반도체층(도 3의 370) 및, 제1 반도체층(도 3의 330)과 제2 반도체층(도 3의 370) 사이의 중간층(도 3의 350)을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(도 3의 330), 중간층(도 3의 350), 및 제2 반도체층(도 3의 370)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 베이스 기판(201) 상에 형성된 복수의 p-n 다이오드(380)들은 베이스 기판(201)으로부터 분리되어 캐리어 기판(203) 상에 서로 이격되도록 배치된다.
복수의 p-n 다이오드(380)들 각각의 일측에 제1 컨택 전극(310)을 형성할 수 있다. 제1 컨택 전극(310)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 도면에는 p-n 다이오드(380) 상에 제1 컨택 전극(310)을 형성함으로써 발광 다이오드(300)를 형성한다고 하였으나, 이에 한정되지 않는다. 캐리어 기판(203)에 제2 컨택 전극(390), p-n 다이오드(380) 및 제1 컨택 전극(310)이 순차적으로 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 발광 다이오드(300)는 개별적으로 또는 복수 개가 전사 장치에 의해 캐리어 기판(203) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(100)에 전사될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법은 캐리어 기판상에 배치되는 복수 개의 발광 다이오드들 중 일부를 선택적으로 표시 기판에 접착시킬 수 있다. 발광 다이오드를 선택적으로 접착시키기 위해 희생층과 레이저를 이용할 수 있다.
도 12a 내지 도 12c는 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(203)상에 레이저에 대한 흡수 계수가 다른 복수 개의 희생층을 배치시킨다. 예를 들어, 제1 흡수 계수를 갖는 제1 희생층(710a), 제2 흡수 계수를 갖는 제2 희생층(710b) 및 제3 흡수 계수를 갖는 제3 희생층(710c)이 순차적으로 이격 배치될 수 있다. 그리고, 제1 내지 제3 희생층(710a, 710b, 710c)상에 발광 다이오드(300)가 각각 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 희생층(710a, 710b, 710c)은 카본, 흑연 물질등을 포함할 수 있다.
제1 희생층(710a)간의 간격(d)은 동일한 광을 방출하는 픽셀간의 간격과 같을 수 있다. 상기한 제1 내지 제3 희생층(710a, 710b, 710c)은 발광 다이오드(300)를 캐리어 기판(203)상에 배치시키기 전에 수행될 수 있다.
발광 다이오드(300)를 사이에 두고 캐리어 기판(203)상에 표시 기판(100)을 배치시킬 수 있다. 상기한 표시 기판(100)상에는 발광 다이오드(300)가 접착할 수 있는 접착층(720)이 배치되어 있을 수 있다. 상기한 접착층(720)은 아크릴, 레진 등을 포함할 수 있다. 표시 기판(100)은 발광 다이오드(300)에 접할 수 있다.
한편, 캐리어 기판(203)의 하면을 통해 제1 레이저가 조사될 수 있다. 상기한 제1 희생층(710a)은 제1 레이저를 흡수하여 녹는 반면, 제2 및 제3 희생층(710b, 710c)은 제1 레이저에 대한 흡수율이 낮아 녹지 않을 수 있다. 제1 희생층(710a)이 녹아 제1 희생층(710a)상에 배치된 발광 다이오드(300)는 캐리어 기판(203)으로부터 탈리되어 표시 기판(300)에 접착될 수 있다.
상기와 같은 방법으로 희생층을 이용하여 캐리어 기판에 배치된 발광 다이오드를 선택적으로 표시 기판에 접착시킬 수 있다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대한 제조 방법의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제1 기판(810)상에는 이격 배치되는 복수 개의 희생층(710a, 710b, 710c)과 상기한 복수 개의 희생층(710a, 710b, 710c) 각각에 발광 다이오드(300)가 배치될 수 있다. 여기서, 제1 기판(810)은 캐리어 기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 그리고, 발광 다이오드(300)를 사이에 두고 제1 기판(810)상에 제2 기판(820)이 배치될 수 있다. 제2 기판(820)상에는 레이저에 의해 경화되는 접착층이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(820) 중 제1 희생층(710a)과 대응하는 영역에 제1 접착층(720a)이 배치되고, 제2 희생층(710b)과 대응하는 영역에 제2 접착층(720b)이 배치되며, 제3 희생층(710c)과 대응하는 영역에 제3 접착층(720c)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 접착층(720a, 720b, 720c)은 레이저에 대한 흡수 계수가 다를 수 있으며, 흡수된 레이저에 의해 경화되는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 접착층(720a)은 제1 흡수 계수를 갖는 물질을 포함하고, 제2 접착층(720b)은 제2 흡수 계수를 갖는 물질을 포함하며, 제3 접착층(720c)은 제3 흡수 계수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제1 내지 제3 접착층(720a, 720b, 720c) 각각은 제1 내지 제3 희생층(710a, 710b, 710c)의 길이보다 길 수 있다. 그리하여, 제1 기판(810)을 통해 제1 레이저를 조사하면, 제1 희생층(710a)은 녹는 반면 제1 접착층(720a)은 경화될 수 있다. 그리하여, 제1 희생층(710a)상에 배치된 발광 다이오드(300)는 제2 기판(820)상의 제1 접착층(720a)에 접착되는 반면, 제1 접착층(720a)의 가장자리가 경화됨에 따라 발광 다이오드(300)는 더욱 견고히 제1 접착층(720a)에 접착될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
300, 300a: 발광 다이오드
301a, 301b: 절연 부재
510, 510a: 제1 전극
530: 제2 전극
532: 제1 영역
534:제2 영역
600: 캡핑층

Claims (20)

  1. 표시 기판;
    상기 표시 기판 상에 배치되며 광을 방출하는 발광 다이오드;
    상기 표시 기판 상에 배치되며 상기 발광 다이오드를 둘러싸는 패시베이션층;
    상기 발광 다이오드와 상기 패시베이션층 상에 배치되는 제1 전도층; 및
    상기 발광 다이오드 상에 배치되며 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 진행 경로를 조절하는 캡핑층;을 포함하고,
    상기 제1 전도층은,
    동일한 원자들을 포함하되 상기 동일한 원자들의 성분비가 서로 다른 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고,
    상기 제1 영역은 상기 캡핑층과 중첩되고, 상기 제2 영역은 상기 캡핑층과 중첩되지 않는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 금속 원자와 산소 원자를 포함하는 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 영역에 포함된 산소 원자의 비중은 상기 제2 영역에 포함된 산소 원자의 비중과 서로 다른 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 영역에 포함된 산소 원자의 비중은 상기 제2 영역에 포함된 산소 원자의 비중보다 큰 표시 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 영역은 입사된 광이 흡수되는 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 영역은 입사된 광이 투과되는 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전도층은,
    상기 발광 다이오드에 전기적 신호를 인가하는 전극인 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 캡핑층은 렌즈 형상인 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드에 접하며, 상기 표시 기판을 향해 돌출된 절연 부재;를 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 표시 기판은 상기 절연 부재에 대응하는 영역이 함몰된 함몰부;를 포함하는 표시 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 표시 기판 상에는 상기 절연 부재에 의해 절단된 제2 전도층이 배치되는 표시 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제2 전도층의 일부 영역은 상기 함몰부 상에 배치된 표시 장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는
    상기 절연 부재와 이격 배치된 전극 패드;를 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제2 전도층은 상기 전극 패드와 접하는 표시 장치.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 P-N 다이오드를 포함하고,
    상기 절연 부재는 상기 P-N 다이오드의 일부 영역에 접하는 표시 장치.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020160043502A 2016-04-08 2016-04-08 표시장치 및 표시장치 제조방법 KR102631260B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160043502A KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2016-04-08 표시장치 및 표시장치 제조방법
US15/483,159 US9991240B2 (en) 2016-04-08 2017-04-10 Display apparatus and method of manufacturing the same
US15/996,896 US10522523B2 (en) 2016-04-08 2018-06-04 Display apparatus and method of manufacturing the same
US16/717,218 US10964679B2 (en) 2016-04-08 2019-12-17 Display apparatus and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160043502A KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2016-04-08 표시장치 및 표시장치 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170116300A KR20170116300A (ko) 2017-10-19
KR102631260B1 true KR102631260B1 (ko) 2024-01-31

Family

ID=59998860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160043502A KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2016-04-08 표시장치 및 표시장치 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (3) US9991240B2 (ko)
KR (1) KR102631260B1 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
KR102610028B1 (ko) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102582059B1 (ko) 2016-12-30 2023-09-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR102612998B1 (ko) * 2016-12-30 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR20180086003A (ko) * 2017-01-20 2018-07-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US10770440B2 (en) * 2017-03-15 2020-09-08 Globalfoundries Inc. Micro-LED display assembly
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
KR102391994B1 (ko) * 2017-08-14 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 멀티 스택 접합체, 멀티 스택 접합체의 제조 방법 및 멀티 스택 접합체를 포함하는 표시 장치
KR102488274B1 (ko) * 2017-12-27 2023-01-12 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 led 전사 방법, 이를 이용한 마이크로 led 표시 패널 제조 방법 및 마이크로 led 표시 패널
US10193042B1 (en) * 2017-12-27 2019-01-29 Innolux Corporation Display device
KR102582649B1 (ko) * 2018-02-12 2023-09-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10627673B2 (en) * 2018-04-06 2020-04-21 Glo Ab Light emitting diode array containing a multilayer bus electrode and method of making the same
KR102585158B1 (ko) * 2018-07-04 2023-10-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102606922B1 (ko) * 2018-07-06 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102602393B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-16 삼성전자주식회사 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법
KR102526778B1 (ko) * 2018-08-07 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR20200041430A (ko) * 2018-10-11 2020-04-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102488068B1 (ko) * 2018-10-12 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 광원부 및 이를 포함하는 표시장치
KR102111461B1 (ko) 2018-10-25 2020-05-15 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
EP3667720B1 (en) * 2018-12-10 2022-09-21 IMEC vzw Apex angle reduction in a led device with a led array
WO2020133161A1 (zh) * 2018-12-28 2020-07-02 华为技术有限公司 一种显示屏，电子设备及显示屏制造方法
US11322646B2 (en) * 2019-01-18 2022-05-03 Innolux Corporation Light-emitting diode package and electronic device
US11075330B2 (en) * 2019-03-05 2021-07-27 Gio Optoelectronics Corp. Package structure and electronic device
CN110034166B (zh) * 2019-03-26 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN109862667B (zh) * 2019-04-06 2021-06-08 中南林业科技大学 一种基于插针-插孔复用件的led模组控制方法
KR20200143622A (ko) * 2019-06-14 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20200145899A (ko) * 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210055829A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210065239A (ko) * 2019-11-26 2021-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210085523A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210143350A (ko) * 2020-05-19 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111933630A (zh) * 2020-07-28 2020-11-13 华为技术有限公司 Led芯片封装模块、显示屏及其制作方法
CN113345927B (zh) * 2021-05-31 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 屏下摄像头显示面板及透明显示区域的制备方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2781925B1 (fr) 1998-07-30 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP3440243B2 (ja) 2000-09-26 2003-08-25 株式会社アドバンストシステムズジャパン スパイラルコンタクタ
US6872635B2 (en) 2001-04-11 2005-03-29 Sony Corporation Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same
JP3994681B2 (ja) 2001-04-11 2007-10-24 ソニー株式会社 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003077940A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
KR100491143B1 (ko) 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
CN100504966C (zh) * 2002-12-27 2009-06-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR100519592B1 (ko) 2003-07-07 2005-10-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 표시 장치
KR100585915B1 (ko) 2004-03-10 2006-06-01 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 소자
US7915816B2 (en) * 2007-05-14 2011-03-29 Sony Corporation Organic electroluminescence display device comprising auxiliary wiring
KR101310917B1 (ko) * 2008-07-17 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR101105866B1 (ko) 2008-07-24 2012-01-16 리노공업주식회사 멀티 스택 패키지용 검사 장치
KR100982499B1 (ko) 2010-01-11 2010-09-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법과 이에 적용된 블랙 매트릭스 제조장치
KR101407585B1 (ko) * 2011-01-10 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101183706B1 (ko) 2011-01-10 2012-09-17 세크론 주식회사 발광 소자의 검사를 위한 프로브 카드의 피치 조절 방법
KR101182822B1 (ko) 2011-03-29 2012-09-13 삼성전자주식회사 발광소자 검사장치 및 방법
KR101814775B1 (ko) * 2011-04-13 2018-01-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
KR101330252B1 (ko) * 2011-09-09 2013-11-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101876559B1 (ko) * 2011-10-19 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
KR101926358B1 (ko) * 2012-02-17 2018-12-07 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 조명장치
US9548332B2 (en) 2012-04-27 2017-01-17 Apple Inc. Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack
US9331230B2 (en) 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
US9178123B2 (en) * 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
KR102092557B1 (ko) * 2012-12-12 2020-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 유기 발광 장치 제조 방법
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8987765B2 (en) * 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR102058611B1 (ko) 2013-07-05 2019-12-24 삼성디스플레이 주식회사 검사 장치와, 이를 이용한 배선 및 원장 검사 방법
KR102237117B1 (ko) * 2014-09-01 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102189133B1 (ko) * 2014-10-17 2020-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102402260B1 (ko) * 2015-01-08 2022-05-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
KR101771461B1 (ko) * 2015-04-24 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US10522523B2 (en) 2019-12-31
KR20170116300A (ko) 2017-10-19
US20170294424A1 (en) 2017-10-12
US20200126960A1 (en) 2020-04-23
US20180286843A1 (en) 2018-10-04
US10964679B2 (en) 2021-03-30
US9991240B2 (en) 2018-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102631260B1 (ko) 표시장치 및 표시장치 제조방법
KR102595914B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN106486492B (zh) 显示设备及其制造方法
TWI608634B (zh) 發光裝置
US9543485B2 (en) Light emitting device
CN102194932B (zh) 发光器件及其制造方法
US11764193B2 (en) Display apparatus including light-emitting diode in concave portion of pixel-defining layer
KR101826982B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR102559840B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20200015082A (ko) 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법
KR20200095909A (ko) 마이크로 led 전사헤드
KR101795038B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101880445B1 (ko) 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛
KR20200005237A (ko) 마이크로 led 전사 헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 시스템
KR20200020208A (ko) 마이크로 led 전사 시스템
KR20200001323A (ko) 마이크로 led 전사헤드
KR101795037B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101914077B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101916152B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101865919B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛, 발광 소자 제조방법
KR20120060992A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US20230008795A1 (en) Method for manufacturing micro led display
KR101865934B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20150075936A (ko) 발광소자
KR20190135858A (ko) 마이크로 led 전사헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant