KR101926358B1 - 반도체 발광장치 및 조명장치 - Google Patents

반도체 발광장치 및 조명장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101926358B1
KR101926358B1 KR1020120016456A KR20120016456A KR101926358B1 KR 101926358 B1 KR101926358 B1 KR 101926358B1 KR 1020120016456 A KR1020120016456 A KR 1020120016456A KR 20120016456 A KR20120016456 A KR 20120016456A KR 101926358 B1 KR101926358 B1 KR 101926358B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
semiconductor layer
conductivity type
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020120016456A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130095054A (ko
Inventor
이진현
김범준
채승완
임찬묵
이종호
김진환
조수현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020120016456A priority Critical patent/KR101926358B1/ko
Priority to US13/770,710 priority patent/US8981396B2/en
Publication of KR20130095054A publication Critical patent/KR20130095054A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101926358B1 publication Critical patent/KR101926358B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/507—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of means for protecting lighting devices from damage, e.g. housings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면은, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 아이솔레이션 영역에 의해 분할되어 복수의 발광셀을 제공하는 반도체 적층체와, 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 중간 분리층과, 상기 복수의 발광셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 복수의 제1 및 제2 전극과, 상기 복수의 발광셀이 서로 연결되도록 서로 다른 발광셀의 제1 및 제2 전극을 연결하는 배선부를 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.

Description

반도체 발광장치 및 조명장치{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND ILLUMINATION APPARATUS}
본 발명은 반도체 발광장치에 관한 것으로서, 특히 복수의 발광셀이 배열된 구조를 갖는 반도체 발광장치 및 이를 포함한 발광모듈과 조명 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광다이오드(LED)는 출력 및 효율이나 신뢰성 측면에서 광원으로서 유익한 장점을 가지므로, 디스플레이 장치의 백라이트뿐만 아니라 다양한 조명장치를 위한 고출력, 고효율 광원으로서 적극적으로 연구 개발되고 있다.
이러한 LED를 조명용 광원으로 상용하기 위해서는 원하는 높은 수준의 출력을 제공하면서 광효율을 높이고 제조비용을 낮출 필요가 있다. 하지만, 고출력 발광 다이오드에서 동일 면적의 LED 칩에서 높은 광속을 얻기 위해서는 정격 전류를 높이는 경우에, 전류밀도의 증가로 인하여 오히려 광효율이 저하되고, 소자의 발열로 인하여 광효율 저하가 가속되는 문제가 있다.
한편, 이러한 전류밀도의 문제를 낮추기 위해서 발광다이오드 칩의 면적을 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나, 전체 면적에 균일한 전류밀도를 구현하기 어려우며, 높은 수율을 기대하기 어려운 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로서 하나의 기판에서 성장된 LED를 위한 에피택셜층을 아이솔레이션 공정을 통해서 다수의 LED 셀로 구현하고, 이를 상호 연결하는 방안이 고려될 수 있다. 하지만, 이 경우에 적용되는 아이솔레이션 공정은 다수의 LED 셀의 상호 연결을 위한 메탈을 용이하게 증착하기 위해서 각 LED 셀의 경사면을 충분하게 완만하도록 형성할 필요가 있다. 하지만, 이 경우에 아이솔레이션 공정에서 제거되는 에피택셜층의 영역이 커지므로, 유효 발광면적(즉, 활성층 면적)이 현격하게 감소하는 문제가 있어 왔다.
따라서, 당 기술분야에서는, 아이솔레이션 공정에 의한 유효 발광면적의 감소를 최소화함으로써 광효율을 향상시킬 수 있는 멀티셀 반도체 발광 장치 및 제조방법과 그 응용 제품이 요구되고 있다.
본 발명의 일 측면은, 기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 아이솔레이션 영역에 의해 분할되어 복수의 발광셀을 제공하는 반도체 적층체와, 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 중간 분리층과, 상기 복수의 발광셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 복수의 제1 및 제2 전극과, 상기 복수의 발광셀이 서로 연결되도록 서로 다른 발광셀의 제1 및 제2 전극을 연결하는 배선부를 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.
상기 중간 분리층은 상기 제1 도전형 반도체층의 에너지 밴드갭과 동일하거나 그보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질층일 수 있다.
특정 예에서, 상기 반도체 적층체는 질화물 반도체이며, 상기 중간 분리층은 상기 제1 도전형 반도체층의 에너지 밴드갭과 동일하거나 그보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 질화물층일 수 있다. 바람직하게, 상기 중간 분리층은 AlxGa1 - xN(0.3≤x≤1)을 만족하는 질화물층일 수 있다.
상기 베이스 반도체층은 고의적으로 도프되지 않은 반도체층을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 베이스 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층과 동일한 반도체층을 포함할 수 있다.
이 경우에, 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 질화물 반도체층이며, 상기 중간 분리층은 Fe, Cr, Zn, C, O 및 H로부터 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소가 도프된 질화물층일 수 있다.
예를 들어, 상기 n형 질화물 반도체층은 Si가 도프된 n형 질화물 반도체층이며, 상기 중간 분리층은 C와 Si이 코도프(co-doped)된 질화물층일 수 있다.
상기 중간 분리층은 서로 다른 굴절률을 갖는 2종의 박막이 복수회 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 2종의 박막은 서로 다른 조성을 갖는 질화물 박막일 수 있다.
상기 아이솔레이션 영역은 적어도 상기 중간분리층이 노출되도록 형성될 수 있다.
상기 배선부와 상기 발광셀의 원하지 않는 영역과의 전기적 접속이 방지되도록 상기 발광셀의 측면에 형성된 절연층을 포함할 수 있다.
상기 배선부는 DC 및 AC 전압 중 어느 하나에서 구동될 수 있도록 상기 복수의 발광셀을 연결할 수 있다.
상기 반도체 발광장치는 제1 및 제2 본딩패드를 더 포함하며, 상기 배선부는 상기 복수의 발광셀의 제1 및 제2 전극 중 어느 하나에 연결된 서브 연결 배선과 상기 서브 연결 배선과 상기 제1 또는 제2 본딩패드를 연결하는 메인 연결 배선을 포함할 수 있다.
상기 기판은 절연성 기판에 한정되지 아니하며, 도전성 기판일 수 있다.
특정 예에서는, 상기 복수의 발광셀 각각은 복수의 제1 및 제2 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 상기한 반도체 발광 장치를 갖는 발광모듈 및 조명장치를 제공할 수 있다.
발광셀을 위한 반도체 적층체에 전기적 절연성을 갖는 중간분리층을 도입함으로써 셀간의 아이솔레이션 공정으로 인해 감소되는 유효 발광면적(예, 활성층)을 최소화할 수 있으며, 이로써 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 발광장치에 사용되는 기판의 전기적 특성을 보다 자유롭게 선택할 수 있다. 즉, 도전성을 갖는 기판이더라도 발광셀이 전기적 절연성을 갖는 중간분리층에 의해 기판과 분리되므로, 발광장치에 사용될 수 있다.
덧붙여 상기한 과제의 해결수단 및 효과는, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이다.
도2는 도1에 도시된 반도체 발광장치의 등가회로도이다.
도3은 도1에 도시된 반도체 발광장치의 발광셀간 연결("A" 표시)부분을 절개해 본 측단면도이다.
도4 및 도5는 본 발명에서 채용된 중간 분리층에 의해 셀의 유효발광면적(활성층 면적)이 증가되는 원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이다.
도8은 도7에 도시된 반도체 발광장치의 등가회로도이다.
도9a 및 도9b은 본 발명에 채용가능한 반도체 발광장치의 등가회로도의 예이다.
도10 및 도11은 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광장치를 갖는 조명장치를 나타내는 분해 사시도 및 개략 사시도(조립완료상태)이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이며, 도2는 도1에 도시된 반도체 발광장치의 등가회로도이다.
도1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광장치(50)는, 기판(51)과, 상기 기판(51) 상면에 형성된 복수의 발광셀(C)을 포함한다.
본 실시형태에서, 상기 복수의 발광셀(C)은 배선부(57)에 의해 서로 연결될 수 있다. 상기 반도체 발광장치(50)는 상기 배선부(57)에 연결된 제1 및 제2 본딩패드(59a,59b)를 포함한다.
상기 복수의 발광셀(C)은 6×9로 배열된 형태로 예시되어 있다. 상기 발광셀(C)은 도2에 도시된 바와 같이 6개의 열로 배열된다. 또한, 각 열은 서로 직렬로 연결된 3개의 발광셀(C)이 3개씩 연결된 배열을 갖는다. 직렬 연결된 3개의 발광셀(C)은 직렬 연결된 다른 3개의 발광셀(C)이 서로 병렬로 연결될 수 있다.
이러한 배선 연결을 구현하기 위해서, 상기 배선부(57)는, 상기 발광셀(C)에 직접 접속된 서브 연결 배선(57a)과, 상기 서브 연결 배선(57a)와 상기 제1 및 제2 본딩패드(59a,59b)에 연결하는 메인 연결 배선(57b)을 포함할 수 있다. 도1에 도시된 바와 같이, 상기 배선부(56)에 의해서 서로 직렬로 연결된 3개의 발광셀(C)은 모두 병렬로 연결될 수 있다(도2의 등가회로도 참조).
상기 제1 및 제2 본딩패드(59a,59b)는 이에 한정되지는 않으나, Cr/Au와 같은 공지된 금속/합금층으로 형성될 수 있다. 상기 배선부(57)는 반사율이 우수하면서 전도성이 좋은 Al, Ag와 같은 금속으로 형성될 수 있다.
이러한 LED 셀의 배열과 배선부는 원하는 전압규격 및 출력과 같은 요구에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광장치의 전압규격은 각 발광셀의 구동전압과 직렬로 연결되는 발광셀의 개수로 선택함으로써 설계할 수 있으며, 발광셀의 단위 출력과 총 구동되는 발광셀의 개수를 조절하여 원하는 출력을 얻을 수 있다.
복수의 발광셀(C)은 도3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(51) 상면에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층(52), 제1 도전형 반도체층(54a), 활성층(55) 및 제2 도전형 반도체층(54b)을 갖는 반도체 적층체를 분리하여 얻어질 수 있다.
본 실시형태에서 채용된 반도체 적층체는 상기 베이스 반도체층(52)과 상기 제1 도전형 반도체층(54a) 사이에 형성된 중간 분리층(53)을 포함한다. 상기 중간 분리층(53)은 상기 베이스 반도체층(52)과 상기 제1 도전형 반도체층(54a)이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 제1 도전형 반도체층(54a)의 에너지 밴드갭과 동일하거나 그보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질층일 수 있다.
상기 중간 분리층(53)은 상기 베이스 반도체층(52) 상에서 형성되어 상기 제1 도전형 반도체층(54a)을 성장시키기 위한 결정 성장면을 제공할 수 있다. 이러한 맥락에서, 상기 중간 분리층(53)은 상기 베이스 반도체층(52)과 상기 제1 도전형 반도체층(54a)과 함께 연속적인 성장공정으로 형성될 수 있는 결정 성장층인 것이 바람직하다.
특정 예에서, 상기 반도체 적층체는 질화물 반도체일 수 있다. 이 경우에, 상기 중간 분리층(53)은 상기 제1 도전형 반도체층(54)의 에너지 밴드갭과 동일하거나 그보다 큰 밴드갭을 갖는 질화물층일 수 있다. 바람직하게는, 상기 중간 분리층(53)의 에너지 밴드갭은 상기 제1 도전형 반도체층(54)의 에너지 밴드갭보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 중간 분리층(53)은 밴드갭이 큰 AlxGa1 - xN(0.3≤x≤1)을 만족하는 질화물층일 수 있다. 충분한 절연성을 보장하기 위해서, 상기 중간 분리층(53)의 두께(t2)는 바람직하게 약 0.5㎛ 이상일 수 있다.
보다 구체적으로, MOCVD 챔버에서 사파이어 기판 상에 상기 베이스 반도체층(52)을 형성하기 위해서, 질소소스와 함께 갈륨소스를 공급하여 GaN층을 성장하고, 이어 상기 중간 분리층(53)을 형성하기 위해서, 갈륨 소스의 공급을 중단하고 알루미늄 소스를 공급하여 AlN층을 성장할 수 있다. 이어, 제1 도전형 반도체층(54a)을 성장하기 위해서, 알루미늄 소스의 공급을 중단하고, n형 도펀트와 함께 갈륨 소스를 공급하여 n형 GaN층을 형성할 수 있다.
상기 중간 분리층(53)은 더 높은 전기적 절연성을 확보하기 위해서 Fe, Cr, Zn, C, O 및 H로부터 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소가 도프된 질화물층일 수 있다. 이러한 도펀트는 상기 중간 분리층(53)이 비고의적인 도핑에 의해 n형 도전성을 갖지 않도록 비고적인 n형 도펀트의 작용을 억제하는 도펀트로서 작용할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(54a)이 Si가 도프된 n형 질화물 반도체층일 경우에, 카본(C) 도펀트를 추가하여 코-도프(co-doped)함으로써 상기 중간 분리층(54)을 C와 Si이 코도프(co-doped)된 질화물층으로 형성될 수 있다.
상기 베이스 반도체층(52)은 고의적으로 도프되지 않은 반도체층을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 베이스 반도체층(52)은 상기 제1 도전형 반도체층(54a)과 동일한 반도체층을 포함할 수 있다. 이 경우에, 챔버에 잔류한 도펀트에 의해 중간 분리층(53)이 도전성을 갖기 쉬운 환경이 조성된다. 따라서, 이를 방지하기 위해서 상술된 도펀트를 추가 도핑하여 원하는 전기적 절연성을 보장할 수 있다.
상기 발광셀(C)은 각각 제1 전극(58a)이 형성될 영역을 제공하기 위해서 메사 에칭될 수 있다. 도1에 도시된 각 발광셀(C)은 이러한 메사 에칭을 통하여 얻어진 영역이 "ME"로 표시되어 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(54b) 상면에는 제2 전극(58b)이 형성된다. 상기 배선부(57, 특히, 서브연결배선(57a))는 인접한 2개의 발광셀(C)의 제1 전극(58a)과 제2 전극(58b)을 서로 전기적으로 연결하여 도1에 도시된 배선연결을 구현할 수 있다.
도3에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 발광셀(C)은 상기 중간 분리층(53)이 노출되도록 아이솔레이션 영역을 형성함으로써 반도체 적층체를 분리하여 얻어질 수 있다. 이와 같이, 반도체 적층체를 중간 분리층(53)이 노출되는 정도만 분리하여도 발광셀이 서로 전기적으로 분리될 수 있으므로, 아이솔레이션의 깊이를 감소시킬 수 있다.
본 실시형태에서, 상기 중간 분리층(53)을 채용함으로써 아이솔레이션의 깊이를 작게 형성하여 반도체 발광장치(50)의 유효발광면적, 즉 각 셀 활성층 면적의 총합을 증가시킬 수 있고, 그 결과 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
상기 중간 분리층의 도입에 따른 유효발광면적 효과는 도4 및 도3을 참조하여 보다 용이하게 이해될 수 있도록 설명될 수 있다.
일반적으로, 멀티셀 발광장치에서는, 상기 발광셀의 독립적인 구동을 보장하기 위해서 각 발광셀은 상기 제1 도전형 반도체층(54a)을 완전히 분리시킬 필요가 있다.
종래에는 도4에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(54a)이 완전 분리되도록 아이솔레이션 영역을 기판(51)까지 형성하여 왔으나, 본 실시형태에서는 상기 중간 분리층(53)에 의해 상기 제1 베이스 반도체층(52)과 상기 제1 도전형 반도체층(54a) 사이에서 전기적 절연성이 보장되므로, 중간 분리층(53)까지만 아이솔레이션 영역을 형성하더라도 발광셀(C)을 전기적으로 분리시킬 수 있다.
그 결과, 배선부(57)의 용이한 증착을 위한 조건인 발광셀(C)의 경사도와 간격을 일정하게 유지한다고 할 때, 도4에 도시된 바와 같이, 중간 분리층(53)까지만 아이솔레이션을 형성하는 형태와 비교하여, △ℓ의 길이만큼 아이솔레이션 영역에 의해 제거되는 부분을 감소시킬 수 있다. 즉, 도5에 도시된 바와 같이, 활성층(55)의 면적을 사각형으로 가정할 때에, 상기 중간 분리층(53)의 도입에 의해서 발광셀(C)의 면적이 "S1"에서 "S2"로 증가시킬 수 있다.
이와 같이, 상기 중간 분리층(53)을 도입하여 제1 도전형 반도체층(54a)과 상기 베이스 반도체층(52) 사이의 전기적인 절연을 보장함으로써 유효 발광면적의 확장에 기여할 수 있다.
또한, 반도체 발광장치(50)에 사용되는 기판(51)의 전기적 특성을 보다 자유롭게 선택할 수 있다. 즉, 발광셀(C)이 전기적 절연성을 갖는 중간 분리층(53)에 의해 기판(51)과 분리되므로, 도전성을 갖는 기판이라도 반도체 발광장치(50)에 사용될 수 있다.
상기 중간 분리층(53)은 제1 도전형 반도체층(54a)과 다른 물질로 구성되므로, 에칭정지층으로서 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 에칭률을 가지므로, 이를 기초하여 아이솔레이션 영역을 형성하는데 필요한 에칭 깊이를 용이하게 구현할 수 있다.
아이솔레이션 영역은 적어도 중간 분리층이 노출되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 아이솔레이션 영역은 베이스 반도체층의 일부 영역까지 또는 그 이상의 깊이로 에칭될 수도 있다. 이러한 실시형태는 도6에 도시되어 있다.
도6에 도시된 반도체 발광장치(60)는, 기판(61)과 상기 기판(61) 상에 형성된 복수의 발광셀(C)을 포함한다. 상기 복수의 발광셀(C)은, 앞선 실시형태와 유사하게, 상기 기판(61) 상면에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층(62), 제1 도전형 반도체층(64a), 활성층(65) 및 제2 도전형 반도체층(64b)을 갖는 반도체 적층체를 분리하여 얻어질 수 있다.
본 실시형태에서 채용된 반도체 적층체는 상기 베이스 반도체층(62)과 상기 제1 도전형 반도체층(64a) 사이에 형성된 중간 분리층(63)을 포함한다. 상기 중간 분리층(63)은 상기 베이스 반도체층(62)과 상기 제1 도전형 반도체층(64a)이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 제1 도전형 반도체층(64a)의 에너지 밴드갭과 동일하거나 그보다 큰 밴드갭을 갖는 물질층일 수 있다.
본 실시형태에 채용된 중간 분리층(63)은 서로 다른 굴절률을 갖는 2종의 박막, 즉 제1 및 제2 박막(63a,63b)이 복수회 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 박막(63a,63b)은 서로 다른 조성을 갖는 질화물 박막일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 박막(63a,63b)이 질화물 박막일 경우에, Al 함량을 이용하여 굴절률을 달리 구현할 수 있다. 이와 같이, 상기 중간 분리층(63)을 DBR 구조로 채용함으로써 절연기능뿐만 아니라, 반사막으로 작용하여 광추출효율을 높일 수 있다.
상기 복수의 발광셀(C)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(64a,64b)에 각각 연결된 제1 및 제2 전극(68a,68b)을 포함한다. 인접한 발광셀(C)의 제1 및 제2 전극(68a,68b)은 서로 배선부(67)에 의해 연결되며, 상기 발광셀(C)의 원하지 않는 영역과 상기 배선부(67)가 서로 접속되지 않도록 상기 발광셀 표면에 절연층(66)이 형성될 수 있다.
본 실시형태에서, 복수의 발광셀(C)을 형성하기 위한 아이솔레이션 영역은 상기 베이스 반도체층(62)의 일부 영역까지 형성될 수 있다. 상기 베이스 반도체층(62)이 도전성을 갖더라도, 상기 베이스 반도체층(62)의 노출된 영역의 상면까지 절연층(66)이 연장되어 형성되므로, 상기 배선부(67)와 상기 베이스 반도체층(62)의 원하지 않는 접속을 방지할 수 있다.
본 발명은 발광셀의 배열뿐만 아니라 다른 특징적인 요소를 포함한 다양한 실시형태로 구현될 수 있다. 이러한 실시형태는 도7에 예시되어 있다.
도7에 도시된 반도체 발광장치(100)는, 기판(101)과, 상기 기판(101) 상면에 세로 방향으로 배열된 4개의 발광셀(C)을 포함한다.
본 실시형태에 채용된 발광셀은 도시되지 않았으나, 앞선 실시형태와 유사하게, 상기 기판(101) 상면에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층(102), 중간 분리층(103), 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 반도체 적층체를 포함할 수 있다. 도3 및 도7에 도시된 바와 같이, 아이솔레이션 영역에 의해 중간 분리층(102) 또는 베이스 반도체층(103)이 노출될 수 있다.
다만, 도7에 도시된 발광셀(C)은, 앞선 실시형태의 발광셀과 달리, 각각 5개의 제1 및 제2 콘택을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이와 같이, 본 발명에는 다양한 형태의 발광셀이 채용될 수 있으며, 본 실시형태와 같이, 물리적으로 구분된 하나의 발광셀에서 일정한 간격으로 복수개의 제1 및 제2 전극을 구비하여 하나의 발광셀이 서로 다른 복수개의 발광요소로 독립적으로 구동될 수 있다.
즉, 물리적으로 분리된 4개의 발광셀이 직렬로 연결된 형태를 갖지만, 일정한 간격을 갖는 5개의 콘택에 의해 동일한 발광셀에서 각각 5개의 발광요소로 작용하며, 그 구동회로는 도8에 도시된 바와 같이, 5×4의 배열로 이해될 수 있다.
본 실시형태에 채용된 배선부(106)는, 상기 발광셀(C)에 직접 접속된 서브 연결 배선(106a)과 상기 서브 연결 배선(106a)의 일부와 제1 및 제2 본딩패드(109a,109b)에 연결하는 메인 연결 배선(106b)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 적층체를 중간 분리층(53)이 노출되는 정도만 분리하여도 발광셀이 서로 전기적으로 분리될 수 있으므로, 아이솔레이션의 깊이를 감소시킬 수 있다. 이와 같이, 상기 중간 분리층(53)을 채용함으로써 아이솔레이션의 깊이를 작게 할 수 있으므로, 반도체 발광장치(50)의 유효발광면적, 즉 각 셀 활성층 면적의 총합을 증가시킬 수 있고, 그 결과 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
상술된 반도체 발광장치는 직류(DC)에 구동가능한 셀의 배열을 갖는 형태로 예시되어 있으나, 교류(AC)에 구동 가능한 배열을 갖는 형태로도 제공될 수 있다.
예를 들어, 반도체 발광장치의 발광셀은 도9a 및 도9b에 도시된 LED 구동 회로를 갖도록 배열되어 AC 구동형 반도체 발광장치로 제공될 수 있다.
도9a에 도시된 LED 구동회로는 각 브랜치에는 한 개씩 LED 소자가 배치되며, 교류전압의 각 반주기에서 구동되는 제1 및 제2 전류루프를 갖는다. 즉, 교류전압의 제1 반주기에서, A1-C1-B2-C2-A3-C3-B4-C4-A5를 따라 제1 전류루프를 갖도록 해당 LED 소자가 직렬로 배열되며, 교류전압의 제2 반주기에서, B1-C1-A2-C2-B3-C3-A4-C4-B5를 따라 제2 전류루프를 갖도록 해당 LED 소자가 직렬로 배열된다.
본 실시형태에 따른 LED 구동회로에서는, 중간 브랜치에 위치하여 제1 및 제2 전류루프에 공통적으로 가담하는 4개의 LED 소자(C1,C2,C3,C4)는 교류전압의 전체 주기에서 연속적으로 동작할 수 있다.
도9a에 도시된 구동회로에서는, 상기 제1 및 제2 브랜치와 상기 중간 브랜치는 각각 1개의 LED 소자를 포함한 형태로 예시하였으나, 이와 달리, 각 브랜치에 복수의 LED 소자를 포함할 수 있다. 다만, 이 경우에도 동일한 브랜치에 속한 복수의 LED 소자는 서로 직렬로 연결될 것이다.
특히, 중간 브랜치의 LED 수를 증가시키는 경우에, 전체 반주기에서 공통적으로 구동되는 LED 수가 증가되므로, 사용 LED 개수에 대한 발광효율을 크게 향상시킬 수 있으며, 결과적으로, 교류전압에서 원하는 발광수준을 얻는데 소모되는 LED 개수를 감소시킬 수 있다.
도9b에 도시된 LED 구동회로는 도9a에 도시된 LED 구동회로에서, 각 중간 브랜치에 직렬로 연결된 2개의 LED 소자를 배치한 형태이다.
교류전압의 제1 반주기에서, A1-C1-C1'-B2-C2-C2'-A3-C3-C3'-B4-C4-C4'-A5를 따라 제1 전류루프를 갖도록 해당 LED 소자가 직렬로 배열되며, 교류전압의 제2 반주기에서, B1-C1-C1'-A2-C2-C2'-B3-C3-C3'-A4-C4-C4'-B5를 따라 제2 전류루프를 갖도록 해당 LED 소자가 직렬로 배열된다.
본 실시형태에 따른 LED 구동회로에서는, 중간 브랜치에 속하는 LED 소자(C1,C1',C2,C2',C3,C3',C4,C4')는 8개이다. 즉, 교류전압의 전체 주기에서 연속적으로 동작하도록 제1 및 제2 전류루프에 공통적으로 가담하는 LED 소자(C1,C1',C2,C2',C3,C3',C4,C4')는 도9a에 도시된 LED 구동회로보다 2배 증가할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시형태에 따른 멀티칩 어레이 반도체 발광장치는 인쇄회로기판과 같이 전극부를 갖는 기재를 포함하는 다양한 형태의 모듈에서 칩으로 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 상술된 다양한 발광장치 및 발광 모듈은 구동부를 포함한 조명장치로 구현될 수 있다.
도10 및 도11에는 본 발명에 따른 조명장치의 일 예로서 벌브형 램프가 예시되어 있다. 도10는 조명장치의 구성에 대한 이해가 용이하도록 각 구성요소를 분해한 상태의 사시도이며, 도11은 도10에서 분해된 구성요소가 조립된 상태(볼록렌즈형 커버의 결합 제외)를 나타내는 사시도이다.
도10 및 도11을 참조하면, 상기 조명장치(300)는 발광모듈(350)과 구동부(330)와 외부접속부(310)를 포함한다. 또한, 외부 및 내부 하우징(340,320)과 커버부(360)와 같은 외형구조물을 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(350)은 상술된 반도체 발광장치(355)와 그 발광장치(355)가 탑재된 회로기판(351)을 가질 수 있다. 본 실시형태에서는, 1개의 반도체 발광장치(355)가 상기 회로기판(351) 상에 실장된 형태로 예시되어 있으나, 필요에 따라 복수개로 장착될 수 있다.
본 실시형태에 따른 조명장치(300)에서는, 상기 발광모듈(350)은 열방출부로 작용하는 외부 하우징(340)을 포함할 수 있다. 상기 외부 하우징(340)은 상기 발광모듈(350)과 직접 접속하여 방열효과를 향상시키는 열방출판(345)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 조명장치(300)는 발광모듈(350) 상에 장착되며 볼록한 렌즈형상을 갖는 커버부(360)를 포함할 수 있다.
본 실시형태와 같이, 상기 구동부(330)는 내부 하우징(320)에 장착되어 소켓구조와 같은 외부접속부(310)에 연결되어 외부 전원으로부터 전원을 제공받을 수 있다.
또한, 상기 구동부(330)는 발광모듈(350)의 반도체 발광장치(355)를 구동시킬 수 있는 적정한 전류원으로 변환시켜 제공하는 역할을 한다. 예를 들어, 이러한 구동부(330)는 AC-DC 컨버터 또는 정류회로부품 등으로 구성될 수 있다.
이와 같이, 상술된 발광장치와 발광모듈은 램프와 같은 다양한 실내 조명장치, 가로등, 간판, 표지등과 같은 실외조명장치, 자동차, 항공기 및 선박용 헤드램프, 후방등과 같은 교동수단용 조명장치 등 다양하게 구현될 수 있다. 또한, 조명장치는 추가적으로 방열부재 및/또는 반사판 등의 구조를 포함할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 따라 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 따라 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 순차적으로 형성된 베이스 반도체층, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 가지며, 아이솔레이션 영역에 의해 분할되어 복수의 발광셀을 제공하는 반도체 적층체;
    상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층이 서로 전기적으로 분리되도록 상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 형성된 중간 분리층;
    상기 복수의 발광셀의 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 복수의 제1 및 제2 전극; 및
    상기 복수의 발광셀이 서로 연결되도록 서로 다른 발광셀의 제1 및 제2 전극을 연결하는 배선부;를 포함하고,
    상기 중간 분리층은 C와 Si이 코도프(co-doped)된 질화물층인 반도체 발광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 적층체는 질화물 반도체이며, 상기 중간 분리층은 상기 제1 도전형 반도체층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 질화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 중간 분리층은 AlxGa1-xN(0.3≤x≤1)을 만족하는 질화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 질화물 반도체층이며, 상기 중간 분리층은 Fe, Cr, Zn, O 및 H로부터 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소가 더 도프된 질화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 n형 질화물 반도체층은 Si가 도프된 n형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 중간 분리층은 서로 다른 굴절률을 갖는 2종의 박막이 복수회 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 2종의 박막은 질화물 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 아이솔레이션 영역은 상기 중간 분리층이 노출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 배선부와 상기 발광셀의 원하지 않는 영역과의 전기적 접속이 방지되도록 상기 발광셀의 측면에 형성된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 반도체 발광장치를 포함하는 조명장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020120016456A 2012-02-17 2012-02-17 반도체 발광장치 및 조명장치 KR101926358B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120016456A KR101926358B1 (ko) 2012-02-17 2012-02-17 반도체 발광장치 및 조명장치
US13/770,710 US8981396B2 (en) 2012-02-17 2013-02-19 Semiconductor light emitting device, light emitting module, and illumination apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120016456A KR101926358B1 (ko) 2012-02-17 2012-02-17 반도체 발광장치 및 조명장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130095054A KR20130095054A (ko) 2013-08-27
KR101926358B1 true KR101926358B1 (ko) 2018-12-07

Family

ID=48981620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120016456A KR101926358B1 (ko) 2012-02-17 2012-02-17 반도체 발광장치 및 조명장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8981396B2 (ko)
KR (1) KR101926358B1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11329195B2 (en) 2013-08-27 2022-05-10 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
US9461209B2 (en) 2013-11-27 2016-10-04 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
TWI597864B (zh) * 2013-08-27 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 具有複數個發光結構之發光元件
JP6244769B2 (ja) * 2013-09-19 2017-12-13 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR20160025456A (ko) 2014-08-27 2016-03-08 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
WO2016032192A1 (ko) * 2014-08-27 2016-03-03 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20160027875A (ko) 2014-08-28 2016-03-10 서울바이오시스 주식회사 발광소자
WO2016032194A1 (ko) * 2014-08-28 2016-03-03 서울바이오시스 주식회사 발광소자
CN105655450B (zh) * 2014-11-13 2019-01-18 北京北方华创微电子装备有限公司 高压led芯片的钝化层沉积方法
CN105098016B (zh) * 2015-08-18 2018-03-06 西安电子科技大学 基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法
KR102631260B1 (ko) * 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
DE102017126446A1 (de) * 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040041156A1 (en) * 2001-02-15 2004-03-04 Yuhzoh Tsuda Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
US20100117056A1 (en) * 2003-07-16 2010-05-13 Hideo Nagai Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5146465A (en) * 1991-02-01 1992-09-08 Apa Optics, Inc. Aluminum gallium nitride laser
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
KR20050104151A (ko) 2004-04-28 2005-11-02 주식회사 이츠웰 질화물계 반도체 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP5255745B2 (ja) 2005-01-31 2013-08-07 三菱化学株式会社 窒化物半導体発光素子
JP5151400B2 (ja) 2007-11-04 2013-02-27 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP2009277882A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
KR101665932B1 (ko) 2010-02-27 2016-10-13 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040041156A1 (en) * 2001-02-15 2004-03-04 Yuhzoh Tsuda Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
US20100117056A1 (en) * 2003-07-16 2010-05-13 Hideo Nagai Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8981396B2 (en) 2015-03-17
US20130214308A1 (en) 2013-08-22
KR20130095054A (ko) 2013-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101926358B1 (ko) 반도체 발광장치 및 조명장치
US20210083155A1 (en) Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US9099629B2 (en) Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus
KR100928259B1 (ko) 발광 장치 및 그 제조방법
EP1935038B1 (en) Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes
KR100856230B1 (ko) 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
US9847371B2 (en) Light emitting diode chip for high voltage operation and light emitting diode package including the same
JP6133039B2 (ja) 発光素子
JP2013093584A (ja) 発光素子
US20130020554A1 (en) Semiconductor light emitting device and light emitting apparatus
JP2008235894A (ja) 交流駆動型の発光ダイオード
US10038030B2 (en) Light-emitting diode
KR20140006485A (ko) 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조 방법
CN102263120A (zh) 半导体发光元件、发光装置、照明装置、显示装置、信号灯器和道路信息装置
US20170133557A1 (en) Flip-chip Light Emitting Device and Fabrication Method
EP2571054A2 (en) Solid state light source module and array thereof
KR20130102746A (ko) 발광 장치의 제조 방법
JP2014107369A (ja) 半導体発光装置
KR101791157B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 조명 장치
EP2448015B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101651923B1 (ko) 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
JP2014038989A (ja) 半導体発光装置および照明装置
KR100872248B1 (ko) 교류구동 발광장치
KR20090036374A (ko) 발광 셀 및 그 제조방법
KR101601625B1 (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant