KR102479762B1 - 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

전기 소자용 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102479762B1
KR102479762B1 KR1020180026160A KR20180026160A KR102479762B1 KR 102479762 B1 KR102479762 B1 KR 102479762B1 KR 1020180026160 A KR1020180026160 A KR 1020180026160A KR 20180026160 A KR20180026160 A KR 20180026160A KR 102479762 B1 KR102479762 B1 KR 102479762B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive path
delete delete
light emitting
carrier substrate
emitting layer
Prior art date
Application number
KR1020180026160A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190105725A (ko
Inventor
장경운
이창준
황대석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180026160A priority Critical patent/KR102479762B1/ko
Priority to EP19764312.5A priority patent/EP3764408A4/en
Priority to PCT/KR2019/002491 priority patent/WO2019172594A1/ko
Priority to US16/977,776 priority patent/US20200403123A1/en
Priority to CN201980017165.0A priority patent/CN111837244A/zh
Publication of KR20190105725A publication Critical patent/KR20190105725A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102479762B1 publication Critical patent/KR102479762B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Abstract

다양한 실시예에 따르면, 캐리어 기판 제조 방법에 있어서, 모재 기판에 발광층을 형성하는 동작; 상기 발광층 근처에서 상기 복수의 발광층과 공통으로 전기적으로 연결되도록 적어도 하나의 도전성 경로를 형성하는 동작; 상기 도전성 경로 및 상기 발광층을 캐리어 기판에 전사하는 동작; 상기 캐리어 기판에 전사된 발광층을 복수의 단위 마이크로 엘이디로 분할하는 동작; 및 상기 적어도 하나의 도전성 경로를 통하여 상기 분할된 각각의 마이크로 엘이디의 양/불 판정을 위한 통전 검사를 수행하는 동작을 포함할 수 있다.

Description

전기 소자용 기판 및 그 제조 방법{SUBSTRATE FOR ELECTRICAL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명의 다양한 실시예들은 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 전기 소자의 통전 검사를 위한 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
근래 들어, 마이크로 엘이디(micro LED)와 같은 전기 소자는 디스플레이의 픽셀로 대체되고 있는 추세이다. 기존의 원거리용 디스플레이(예: 옥외용 원거리 디스플레이)는 수 mm 사이즈의 엘이디 패키지를 사용하기 때문에 근거리용 또는 가정용으로는 적합하지 않다. 따라서, 근거리용 디스플레이를 구현하기 위해서는 현재의 픽셀의 화소에 대응할 수 있는 수십㎛ ~ 수백㎛ 크기의 엘이디를 얼마나 정밀하고 높은 수율로 기판상으로 옮길 수 있는지에 대한 문제가 선행적으로 해결되어야 한다. 현재 개발중인 가정용 디스플레이의 픽셀 하나 크기는 보통 100㎛ 정도 크기로, 이를 구성하는 R/G/B 서브 픽셀의 크기는 수십 ㎛에 불과하다.
최근, 상술한 근거리 디스플레이에 적용되는 픽셀 크기와 대응하는 수십 ㎛ 크기의 엘이디가 웨이퍼를 통해 증착되는 방식으로 제작되고 있으나, 제작된 마이크로 엘이디 소자의 전기적 양/불 검사는 그 크기 때문에 매우 어려운 실정이다.
일반적으로 마이크로 엘이디 처럼 미세한 칩을 플립칩(flip chip) 형태로 실장하는 경우에는 공정상 불리한 점이 많기 때문에 웨이퍼에서 기판으로 바로 전사(transfer)하는 방법을 사용할 수 있다. 이러할 경우에, 마이크로 엘이디는 반도체 공정으로 형성된 웨이퍼의 피치(pitch)나 크기(size)에 따라 우수한 정밀도를 확보할 수 있으나, 웨이퍼 내에서 검사된 KGD(known good die)를 선별하여 실장할 수 있는 방법이 요구될 있다. 마이크로 엘이디 웨이퍼는 P/L(photo luminescence)검사를 통해 발광 효율 및 파장에 대한 검사를 할 수 있으나, 실제로 전기 신호를 가하여 전기적인 양/불에 대한 판정은 그 패드(pad)의 크기와 접속 구조 때문에 종래의 프로빙(probing) 방식으로 전기적 양/불 검사는 현실적으로 매우 어렵다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전기 소자 제작 공정 중에 전기적 양/불 검사를 수행할 수 있는 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 기판 실장 전에, 전기 소자 제작 공정 중 전기적 양/불 검사를 수행함으로써 제품의 수율을 향상시키고, 작업 공정의 효율성이 증대될 수 있는 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
삭제
삭제
다양한 실시예에 따르면, 캐리어 기판 제조 방법에 있어서, 모재 기판에 발광층을 형성하는 동작과, 상기 발광층 근처에서 상기 복수의 발광층과 공통으로 전기적으로 연결되도록 적어도 하나의 도전성 경로를 형성하는 동작과, 상기 도전성 경로 및 상기 발광층을 캐리어 기판에 전사하는 동작과, 상기 캐리어 기판에 전사된 발광층을 복수의 단위 마이크로 엘이디로 분할하는 동작 및 상기 적어도 하나의 도전성 경로를 통하여 상기 분할된 각각의 마이크로 엘이디의 양/불 판정을 위한 통전 검사를 수행하는 동작으로 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 전기 소자 제작 공정 중에 전기적 양/불 검사가 가능하기 때문에 효율적인 작업을 진행할 수 있다. 특히, 마이크로 엘이디의 경우, 디스플레이 기판 실장 전에 전기적 양/불 판정이 가능하므로 제품의 제조 수율 및 제작 시간의 효율성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디가 적용된 디스플레이의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 제작 공정을 도시한 공정도이다.
도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 도 2의 공정에 따라 제작되는 마이크로 엘이디의 공정 순서를 도시한 모식도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 캐리어 기판에 형성된 마이크로 엘이디가 픽업 장치에 의해 분리되는 상태를 도시한 도면이다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나,""A, B 또는 C," "A, B 및 C 중 적어도 하나,"및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기의 프로세서는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 통전 검사를 포함하여 디스플레이를 제작하는 방법에 대해서 설명하기로 한다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따른 디스플레이의 구성은 엘이디의 크기에 상관없이 구현 가능하기 때문에 사용되는 엘이디의 크기에는 제약을 두지 아니한다. 예를 들어, 조명용 디스플레이는 수 mm급의 엘이디를 사용하고, 옥/내외 사이니지(signage)와 같은 대형 디스플레이는 수 백㎛ 급 엘이디를 사용하며, 근거리 디스플레이용으로는 수 십㎛급 엘이디를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 예시적인 실시예들은 마이크로 엘이디에 대한 통전 검사 및제조 방법에 대하여 도시하고 이에 대하여 설명하고 있으나 이에 국한되지 않는다. 예컨대, 본 발명은 통전 검사 및 제조 방법을 이용할 수 있는 다양한 전기 소자에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디가 적용된 디스플레이의 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 디스플레이(100)는 일정 간격으로 배치되는 복수 픽셀 P를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 각각의 단위 픽셀 P은 서브 픽셀들 Pr, Pg, Pb를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 각각의 서브 픽셀들 Pr, Pg, Pb는, 예컨대 10000㎛2이하의 면적을 갖는 마이크로 엘이디(예: 도 3b의 마이크로 엘이디(350))로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 각각의 마이크로 엘이디는 디스플레이(100)의 기판에 실장되기 전에 전기적 양/불 판정을 위한 통전 검사가 선행될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 통전 검사가 수행된 마이크로 엘이디가 디스플레이(100)의 기판에 실장되기 때문에 디스플레이(100)는 제조 수율을 높일 수 있다.
이하, 디스플레이의 각 서브 픽셀에 대응하는 마이크로 엘이디의 제조 공정에 대하여 기술하기로 한다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로 엘이디 제작 공정을 도시한 공정도이다. 도 3a 내지 도 3i는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 도 2의 공정에 따라 제작되는 마이크로 엘이디의 공정 순서를 도시한 모식도이다.
도 2를 참고하면, 201 동작에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 모재 기판(310)(예: 사파이어 웨어퍼)에 마이크로 엘이디(예: 전기 소자)가 형성될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디는 단위 전기 소자로 분할되기 전에 모재 기판(310)에 증착되는 발광층(311)을 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 발광층(311)은 사파이어 혹은 SiX 모재 기판(310)에서 고온/고압 상태에서 화합물 반도체의 단결정 상태로 성장시켜 형성되며, 각 조성에 따라 색상이 다르게 구성될 수 있다. 예컨대, red는 GaAs, green은 InGaP, blue는 GaN의 화합물 반도체로 구성되고, 각 조성의 고유 에너지 밴드갭 값에 따라 파장이 결정되어 구현하는 색상이 다르게 나타날 수 있다.
203 동작에서, 발광층(311)의 상부에 급전 패드(312) 및 급전 패드(312) 주변에 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)가 형성될 수 있다. 도 3b는 발광층에 급전 패드(312) 및 도전성 경로(321, 322)가 형성된 모재 기판(310)의 평면도이고, 도 3c는 도 3b의 라인 A-A'에서 바라본 모재 기판(310)의 단면도이다.
다양한 실시예에 따르면, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 마이크로 엘이디(350)는 모재 기판(310)상에서 일정 간격으로 배열될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디(350)는 모재 기판(310)상에서 열(row) 및/또는 행(column)을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 마이크로 엘이디(350)는 단위 마이크로 엘이디로 분할되기 전에 모재 기판(310)에서 디스플레이 기판(예: 도 4의 디스플레이 기판(440))의 도전성 패드(예: 도 4의 도전성 패드(441))에 전기적으로 접속되기 위하여 형성되는 적어도 하나의 급전 패드(312)를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 급전 패드(312)는 제1급전 패드(312a) 및 제1급전 패드(312a)에서 일정 간격으로 이격된 제2급전 패드(312b)를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)는 열 및/또는 행으로 배열된 복수의 마이크로 엘이디의 일측에 배치되는 제1도전성 경로(321) 및 타측에 배치되는 제2도전성 경로(322)를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 제1도전성 경로(321) 및 제2도전성 경로(322)는 모재 기판(310)에서 복수의 마이크로 엘이디(350)가 배치된 열 및/또는 행을 따라 연장되는 방식으로 배치될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 제1도전성 경로(321) 및 제2도전성 경로(322)는 급전 패드(312) 형성시 함께 형성될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 제1도전성 경로(321) 및 제2도전성 경로(322)는 열 및/또는 행으로 배열된 각각의 마이크로 엘이디(350)의 급전 패드(312)에 동시에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 마이크로 엘이디(350) 각각의 제1급전 패드(312a)는 제1서브 전기적 경로(3212)를 통하여 제1도전성 경로(321)와 전기적으로 연결될 수 있다. 한 실시예에 복수의 마이크로 엘이디(350) 각각의 제2급전 패드(312b)는 제2서브 전기적 경로(3222)를 통하여 제2도전성 경로(322)와 전기적으로 연결될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 제1도전성 경로(321)의 일단에는 제1통전 검사 영역(3211)이 형성될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 제2도전성 경로(322)의 일단에는 제2통전 검사 영역(3221)이 형성될 수 있다. 제1통전 검사 영역(3211) 및 제2통전 검사 영역(3221)은 전기적 양/불 판정을 위한 통전 검사를 위한 프로브 접촉 영역으로 기여될 수 있다.
205 동작에서, 마이크로 엘이디(350)(예: 전기 소자) 및 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)는 캐리어 기판(330)에 전사될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 발광층(331), 급전 패드(312) 및 도전성 경로(321, 322)는 수지층(331)(예: 접착층)이 형성된 캐리어 기판(330)(예: 캐리어 필름)에 전사(예: 부착)될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 캐리어 기판(330)에 마이크로 엘이디(350) 및 도전성 경로(321, 322)를 전사하는 방법은, 미경화 수지(액상 PI(polyimide), PDMS(polydimethylsiloxane), PET(polyethylene terephthalate), epoxy 등)을 이용하는 방법이나, 자외선 경화 테이프(UV tape)와 비자외선 테이프(non-UV tape)나, 열발포 테이프 등의 필름형 테이프의 점착력 차이를 이용하는 방법들 중, 적어도 하나의 방법을 포함할 수 있다.
207 동작에서, 모재 기판(310)이 캐리어 기판(330)으로부터 제거되고, 복수의 마이크로 엘이디(350)(예: 전기 소자)가 에칭 공정 등을 통하여 단위 마이크로 엘이디(350)로 분할되며, 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)가 캐리어 기판(330)으로부터 노출될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 도 3e 및 도 3f에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(330)의 발광층(311)으로부터 모재 기판(310)이 분리될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 모재 기판(310)은 캐리어 기판(330)으로부터 LLO(laser lift-off) 공정을 통하여 분리될 수 있다. 레이저는 기체 레이저(eximer) 또는 고체 레이저(DPSS)를 사용할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 발광층(311)은 개별 마이크로 엘이디(350)를 형성하기 위하여 싱귤레이션(singulation) 공정이 수행될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 발광층(311)은 에칭 공정을 통하여 단위 마이크로 엘이디(350)로 분할될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 단위 마이크로 엘이디(350) 각각은 급전 패드(312)를 포함할 수 있으며, 각 급전 패드(312)는 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)와 공통으로 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)는 에칭 공정을 통하여 수지층(331)의 상부에서 노출되는 방식으로 배치될 수 있다.
209 동작에서, 단위 마이크로 엘이디(350)로 분할된 캐리어 기판(330)상에서 마스킹을 통해 수지층(331)이 부분적으로 제거될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 도 3g에 도시된 바와 같이, 마스크(341)는 제1도전성 경로(321)의 적어도 일부 및 이웃하는 제2도전성 경로(322) 사이에 배치될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 마스킹 공정을 통하여 캐리어 기판(330)상의 수지층(331)은 적어도 부분적으로 제거될 수 있다.
211 동작에서, 도전성 경로(321, 322)를 통하여 마이크로 엘이디(350)의 양/불 판정을 위한 통전 검사가 수행될 수 있다. 도 3h는 마스킹 작업이 수행된 캐리어 기판(330)의 평면도이고, 도 3i는 도 3i의 라인 B-B'에서 바라본 캐리어 기판(330)의 단면도이다.
한 실시예에 따르면, 마스킹 공정을 통해 적어도 부분적으로 수지층(331)이 제거되면, 각각의 단위 마이크로 엘이디(350)는 그 하측의 캐리어 기판(330)으로부터 일정 공간(3301)을 갖도록 의해 플로팅된 상태를 유지할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 각각의 마이크로 엘이디(350)는 도전성 경로(321, 322)로부터 분기되어 마이크로 엘이디(350)의 급전 패드(312)에 연결된 서브 전기적 경로(3212, 3222)를 통해 수지층이 제거된 공간(3301)상에 앵커 및 테더(anchor and tether) 구조로 플로팅된 상태가 유지될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 각각의 마이크로 엘이디(350)는 적어도 하나의 도전성 경로(321, 322)를 이용하여 전기적 프로빙(probing) 공정을 수행함으로써 전기적 양/불 판정을 위한 통전 검사가 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1도전성 경로(321)의 제1통전 검사 영역(3211)(예: + 전류 인가 영역) 및 제2도전성 경로(322)의 제2통전 검사 영역(3221)(예: - 전류 인가 영역)에 통전을 위한 프로브(probe)(360)를 접촉시킴으로써, 각각의 단위 마이크로 엘이디(350)는 전기가 도통될 수 있다. 한 실시예에 따르면, 전기적 양/불 판전을 위한 통전 검사를 통하여 정상적인 마이크로 엘이디는 발광될 수 있으나, 비정상적인 마이크로 엘이디는 발광되지 않을 수 있다. 한 실시예에 따르면, 불량으로 결정된 마이크로 엘이디는 제거되거나, 캐리어 기판(330)상의 위치 정보를 통해 픽업 공정에서 배제될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 캐리어 기판(330)상에 앵커 및 테더 구조로 플로팅된 마이크로 엘이디(350)는 픽업 장치를 통해 디스플레이 기판상에 실장될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 캐리어 기판(330)에 형성된 마이크로 엘이디(350)가 픽업 장치(440)에 의해 분리되는 상태를 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3h의 라인 C-C'에서 바라본 단면도이다.
도 4a 및 도 4b를 참고하면, 캐리어 기판(330)에서 부분적으로 수지층(331)이 제거되고 전기적 경로(321, 322)로부터 분기된 서브 전기적 경로(3212, 3211)를 통하여 anchor and tether 구조를 갖도록 플로팅된 마이크로 엘이디(350)는 픽업 장치(400)에 의해 픽업될 수 있다. 이러한 경우, 마이크로 엘이디(350)는 픽업 장치(400)의 픽업력(F)에 의하여, 서브 전기적 경로들(3212, 3222)이 파단되면서 픽업될 수 있다. 예컨대, 서브 전기적 경로들(3212, 3222)은 마이크로 엘이디(350)의 전기적 양/불 판정을 위한 통전 검사가 수행된 후 도전성 경로(321, 322)로부터 단절될 수 있다. 따라서, 도전성 경로(321, 322)와 마이크로 엘이디(350)의 급전 패드(312)를 전기적으로 연결시켜주는 서브 전기적 경로들(3212, 3222)은 전기적 양/불 검사를 위하여 사용될 뿐만 아니라, 캐리어 기판(330)과 마이크로 엘이디(350) 사이의 수지층(331) 제거에 따른 앵커 및 테더 구조에 의한 마이크로 엘이디(350)의 플로팅 배치에도 기여할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 기판과, 상기 기판상에 일정 간격으로 배열된 복수의 단위 전기 소자들 및 상기 복수의 단위 전기 소자들 근처에서 상기 복수의 단위 전기 소자들 각각에 전기적으로 연결되며, 단부에 통전 검사 영역이 형성되는 적어도 하나의 도전성 경로를 포함하고, 상기 도전성 경로의 통전 검사 영역을 이용하여 상기 복수의 단위 전기 소자들 각각에 대한 전기적 양/불 판정이 수행되는 기판을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 단위 전기 소자들은 그 면적이 10000㎛2이하의 범위를 갖는 마이크로 엘이디를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 복수의 단위 전기 소자들 사이에 배치되는 수지층 및 상기 복수의 단위 전기 소자 각각에 형성되는 적어도 하나의 급전 패드를 포함하고, 상기 급전 패드는 상기 적어도 하나의 도전성 경로와 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 경로로부터 분기되어 상기 복수의 단위 전기 소자 각각의 대응 급전 패드까지 연장되는 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 단위 전기 소자와 상기 기판 사이에는 상기 수지층이 제거되고, 상기 복수의 단위 전기 소자 각각은 상기 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 통하여 앵커 및 테더 구조로 플로팅될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 기판은 마이크로 엘이디가 전사된 캐리어 기판을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 단위 전기 소자는 열 및/또는 행을 따라 일정 간격으로 배치되고, 상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 복수의 단위 전기 소자 근처에서 상기 열 및/또는 행을 따라 연장되는 방식으로 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 기판과, 상기 기판상에 일정 간격으로 배열된 복수의 마이크로 엘이디 및 상기 복수의 마이크로 엘이디 근처에서 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각에 전기적으로 연결되며, 단부에 통전 검사 영역이 형성되는 적어도 하나의 도전성 경로를 포함하고, 상기 도전성 경로의 통전 검사 영역을 이용하여 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각에 대한 전기적 양/불 판정이 수행되는 캐리어 기판을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 마이크로 엘이디는 그 면적이 10000㎛2이하의 범위를 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 기판과 상기 복수의 마이크로 엘이디 사이에 배치되는 수지층 및 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각에 형성되는 적어도 하나의 급전 패드를 포함하고, 상기 급전 패드는 상기 적어도 하나의 도전성 경로와 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 경로로부터 분기되어 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각의 대응 급전 패드까지 연장되는 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 마이크로 엘이디와 상기 기판 사이에는 상기 수지층이 제거되고, 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은 상기 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 통하여 앵커 및 테더 구조로 플로팅될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 복수의 마이크로 엘이디는 상기 기판상에서 열 및/또는 행을 따라 일정 간격으로 배치되고, 상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 복수의 마이크로 엘이디 근처에서 상기 열 및/또는 행을 따라 연장되는 방식으로 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 캐리어 기판 제조 방법에 있어서, 모재 기판에 발광층을 형성하는 동작과, 상기 발광층 근처에서 상기 복수의 발광층과 공통으로 전기적으로 연결되도록 적어도 하나의 도전성 경로를 형성하는 동작과, 상기 도전성 경로 및 상기 발광층을 캐리어 기판에 전사하는 동작과, 상기 캐리어 기판에 전사된 발광층을 복수의 단위 마이크로 엘이디로 분할하는 동작 및 상기 적어도 하나의 도전성 경로를 통하여 상기 분할된 각각의 마이크로 엘이디의 양/불 판정을 위한 통전 검사를 수행하는 동작으로 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 경로 및 상기 발광층은 수지층에 의해 상기 캐리어 기판에 전사하는 동작을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 수지층의 적어도 일부를 제거하는 동작을 포함하고, 상기 제거된 수지층 및 상기 적어도 하나의 도전성 경로에 의해 상기 분할된 마이크로 엘이디는 상기 캐리어 기판으로부터 플로팅된 상태를 유지할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 수지층을 제거하는 동작은 마스킹 공정을 통하여 상기 도전성 경로의 적어도 일부에 중첩되는 수지층까지 제거하는 동작을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 도전성 경로로부터 분기되어 상기 분할된 마이크로 엘이디 각각의 대응 급전 패드까지 연장되는 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 포함하고, 상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은 상기 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 통하여 앵커 및 테더 구조로 플로팅될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 분할된 복수의 마이크로 엘이디는 상기 캐리어 기판상에서 열 및/또는 행을 따라 일정 간격으로 배치되고, 상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 복수의 마이크로 엘이디 근처에서 상기 열 및/또는 행을 따라 연장되는 방식으로 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 마이크로 엘이디는 적어도 하나의 급전 패드가 형성되고, 상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 급전 패드 형성시 함께 형성될 수 있다.
그리고, 본 명세서와 도면에 개시된 본 개시의 다양한 실시예들은 본 개시의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 개시의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 개시의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 본 개시의 범위는 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 개시의 기술적 사상을 바탕으로 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 개시의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 디스플레이 310: 모재 기판
311: 발광층 312: 급전 패드
321, 322: 도전성 경로 3211, 3221: 통전 검사 영역
3212, 3222: 서브 도전성 경로 330: 캐리어 기판
331: 수지층 350: 마이크로 엘이디

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 캐리어 기판 제조 방법에 있어서,
    모재 기판에 발광층을 형성하는 동작;
    상기 발광층 근처에서 상기 발광층과 공통으로 전기적으로 연결되도록 적어도 하나의 도전성 경로를 형성하는 동작;
    상기 도전성 경로 및 상기 발광층을 캐리어 기판에 전사하는 동작;
    상기 캐리어 기판에 전사된 발광층을 복수의 단위 마이크로 엘이디로 분할하는 동작; 및
    상기 적어도 하나의 도전성 경로를 통하여 상기 분할된 각각의 마이크로 엘이디의 양/불 판정을 위한 통전 검사를 수행하는 동작으로 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 도전성 경로 및 상기 발광층은 수지층에 의해 상기 캐리어 기판에 전사하는 동작을 포함하는 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 수지층의 적어도 일부를 제거하는 동작을 포함하고,
    상기 제거된 수지층 및 상기 적어도 하나의 도전성 경로에 의해 상기 분할된 마이크로 엘이디는 상기 캐리어 기판으로부터 플로팅된 상태를 유지하는 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 수지층을 제거하는 동작은 마스킹 공정을 통하여 상기 도전성 경로의 적어도 일부에 중첩되는 수지층까지 제거하는 동작을 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 도전성 경로로부터 분기되어 상기 분할된 마이크로 엘이디 각각의 대응 급전 패드까지 연장되는 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 포함하고,
    상기 복수의 마이크로 엘이디 각각은 상기 적어도 하나의 서브 전기적 경로를 통하여 앵커 및 테더 구조로 플로팅되는 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 분할된 복수의 마이크로 엘이디는 상기 캐리어 기판상에서 열 및 행을 따라 일정 간격으로 배치되고,
    상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 복수의 마이크로 엘이디 근처에서 상기 열 및 행을 따라 연장되는 방식으로 배치되는 방법.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 마이크로 엘이디는 적어도 하나의 급전 패드가 형성되고,
    상기 적어도 하나의 도전성 경로는 상기 급전 패드 형성시 함께 형성되는 방법.
KR1020180026160A 2018-03-06 2018-03-06 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법 KR102479762B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180026160A KR102479762B1 (ko) 2018-03-06 2018-03-06 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
EP19764312.5A EP3764408A4 (en) 2018-03-06 2019-03-05 SUBSTRATE FOR AN ELECTRICAL ELEMENT AND MANUFACTURING PROCESS FOR IT
PCT/KR2019/002491 WO2019172594A1 (ko) 2018-03-06 2019-03-05 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
US16/977,776 US20200403123A1 (en) 2018-03-06 2019-03-05 Substrate for electric element and manufacturing method therefor
CN201980017165.0A CN111837244A (zh) 2018-03-06 2019-03-05 用于电子元件的衬底及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180026160A KR102479762B1 (ko) 2018-03-06 2018-03-06 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190105725A KR20190105725A (ko) 2019-09-18
KR102479762B1 true KR102479762B1 (ko) 2022-12-21

Family

ID=67846806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180026160A KR102479762B1 (ko) 2018-03-06 2018-03-06 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200403123A1 (ko)
EP (1) EP3764408A4 (ko)
KR (1) KR102479762B1 (ko)
CN (1) CN111837244A (ko)
WO (1) WO2019172594A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190114333A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led의 검사방법
US11508780B2 (en) 2020-01-14 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing display apparatus, display apparatus, and structure for manufacturing display apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101019554B1 (ko) * 2008-11-18 2011-03-08 주식회사 코디에스 프로브 및 그의 제조방법
JP2012028686A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Nitto Denko Corp 発光装置の検査方法および発光装置の検査後の処理方法
US9142468B2 (en) * 2010-08-26 2015-09-22 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
KR101211733B1 (ko) * 2010-10-28 2012-12-12 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지용 기판
US20130200414A1 (en) * 2011-10-26 2013-08-08 Epistar Corporation Light-emitting diode device
DE102011056706B4 (de) * 2011-12-20 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011056708A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2013172028A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子及び車両用灯具
JP2014072330A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 個別実装基板の製造方法および集合金属ベース回路基板
KR102048378B1 (ko) * 2014-06-18 2019-11-25 엑스-셀레프린트 리미티드 트랜스퍼가능한 반도체 구조체들의 방출을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
US9761754B2 (en) * 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
US20160093600A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-31 X-Celeprint Limited Compound micro-assembly strategies and devices
WO2016060676A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Intel Corporation Microled display & assembly
CN106097900B (zh) * 2016-06-22 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板
KR101800367B1 (ko) * 2016-08-24 2017-11-28 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판
TW201841278A (zh) * 2017-01-23 2018-11-16 美商特索羅科學有限公司 發光二極體測試設備及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111837244A (zh) 2020-10-27
EP3764408A1 (en) 2021-01-13
US20200403123A1 (en) 2020-12-24
WO2019172594A1 (ko) 2019-09-12
KR20190105725A (ko) 2019-09-18
EP3764408A4 (en) 2021-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10147622B2 (en) Electric-programmable magnetic module
US11482641B2 (en) Electronic device and method for manufacturing the same
US20220115278A1 (en) Display module with improved electrical test and manufacturing method of the display module
CN109686828B (zh) 一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法
JP2005347760A (ja) 第２の基板上に第１の基板のチップを配置する方法
US20120235142A1 (en) Semiconductor light emitting diode chip, method of manufacturing thereof and method for quality control thereof
KR102479762B1 (ko) 전기 소자용 기판 및 그 제조 방법
KR102318507B1 (ko) 마이크로 led 패키지의 검사 장치 및 방법
CN112289784A (zh) 具有led封装的显示模块及其制造方法
KR20180057773A (ko) 표시장치 및 그의 제조방법
CN105280511A (zh) 制造光源的方法
CN111509108A (zh) 检测基板及其制造方法、显示背板及其制造方法
US11264531B2 (en) LED transfer device and micro LED transferring method using the same
US11728225B2 (en) Micro LED verification substrate, manufacturing method therefor, and micro LED verification method using same
CN112385027B (zh) 电子装置、用于制造led模块的方法和计算机可读记录介质
US11587974B2 (en) Micro LED transferring method and display module manufactured by the same
US20210050498A1 (en) Micro led element and micro led display module having the same
US20210265522A1 (en) Micro led transfer method and display device using same
JP2013089811A (ja) 発光装置
KR102244667B1 (ko) 마이크로 엘이디 픽셀 패키지의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 엘이디 픽셀 패키지
KR102633149B1 (ko) 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
KR101482872B1 (ko) 발광 소자의 검사 방법 및 발광 소자의 검사 장치
KR101503142B1 (ko) 발광 소자 검사 장치
CN116264240A (zh) 阵列基板、微型器件转移方法和微型器件转移系统
CN116140235A (zh) 一种led芯片的分选方法和led芯片

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right