CN112385027B - 电子装置、用于制造led模块的方法和计算机可读记录介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 266
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010751 BS 2869 Class A2 Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/505—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors measuring the colour produced by lighting fixtures other than screens, monitors, displays or CRTs
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/506—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors measuring the colour produced by screens, monitors, displays or CRTs
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J2001/4247—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources
- G01J2001/4252—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources for testing LED's
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
- G01N2021/177—Detector of the video camera type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
提供一种电子装置。该电子装置包括包含多个电极的基板,所述多个电极接触以第一节距设置在透明基板上的多个微型LED的至少部分电极,以向所述多个微型LED中的以第二节距设置的微型LED施加电流;照相机,基于透明基板与基板相反设置;和处理器,配置为:向基板上的所述多个电极施加电流,控制照相机捕获包括根据电流施加而发射光的微型LED的所述多个LED的图像,基于所捕获的图像获得发射光的微型LED的特性信息,以及基于所获得的特性信息,确定所述多个微型LED中的每个设置在其上的目标基板。
Description
技术领域
与在这里公开的一致的器件和方法涉及微型LED模块制造方法和计算机可读记录介质,更具体地,涉及使用具有相似特性的微型LED来制造微型LED模块的电子装置、微型LED模块制造方法和计算机可读记录介质。
背景技术
半导体发光二极管(LED)已经被广泛用于诸如TV、移动电话、PC、膝上型计算机、PDA等的各种电子装置的各种显示器件以及用于照明设备的光源。
最近,已经开发了小于100μm的微型LED,与现有的LED相比,微型LED具有更快的响应速度、更低的功耗和更高的照度。因此,微型LED作为下一代显示器的发光器件引起了注意。
微型LED可以以晶片上半导体芯片的形式制造,并且设置在目标基板上以构成显示器的发光模块。
然而,晶片上半导体芯片由于其制造公差而具有不同的色调(hue)、照度等,导致晶片上半导体芯片的区域之间的性能差异。
由于晶片上半导体芯片以晶片上半导体芯片的区域之间的性能不同的状态设置在目标基板上,所以目标基板上的半导体芯片之间的性能可能不同。
目标基板上的半导体的区域之间的性能差异伴随所制造的显示器的照度或色调不均匀的问题。
发明内容
技术问题
因此,对使用在晶片上产生的多个微型LED之中具有相似特性的微型LED产生微型LED模块的技术提出了要求。
针对问题的方案
实施方式的一方面涉及提供一种用于分析微型LED的特性并基于特性信息制造具有均匀的色调和照度的LED模块的电子装置、微型LED模块制造方法以及计算机可读记录介质。
根据一实施方式,提供一种电子装置,该电子装置包括:包括多个电极的基板,所述多个电极与以第一节距设置在透明基板上的多个微型LED的至少部分电极接触,以向所述多个微型LED中的以第二节距设置的微型LED施加电流;照相机,基于透明基板与基板相反设置;和处理器,配置为:向基板上的所述多个电极施加电流,控制照相机捕获所述多个LED的图像,所述多个LED包括通过电流施加而发射光的微型LED,基于所捕获的图像而获得发射光的微型LED的特性信息,以及基于所获得的特性信息而确定所述多个微型LED中的每个设置在其上的目标基板。
电子装置可以进一步包括配置为移动基板的第一驱动器,其中,处理器被进一步配置为在捕获包括发射光的微型LED的所述多个LED的图像之后,通过控制第一驱动器而将基板移动第一节距,以将电流施加到与发射光的微型LED相邻的微型LED。
电子装置可以进一步包括第二驱动器,该第二驱动器配置为将所述多个微型LED中的每个布置在所确定的目标基板上,该特性信息包括发射光的微型LED的照度值、色坐标值和性能等级中的至少之一,并且处理器被进一步配置为控制第二驱动器以将具有第一范围的特性信息值的微型LED布置在第一目标板上,并将具有不同于第一范围的第二范围的特性信息值的微型LED布置在第二目标板上。
第一节距可以与第二节距相同。
所述多个电极可以以第二节距设置在基板上,第二节距可以是第一节距的倍数,并且处理器被进一步配置为通过在第二节距的多个电极施加电流。
电子装置可以进一步包括存储器,并且处理器被进一步配置为将位置信息与发射光的微型LED的特性信息进行匹配,并将所匹配的信息存储在存储器中。
电子装置可以进一步包括:激光器件;和第三驱动器,配置为布置掩模,处理器被进一步配置为:基于所获得的特性信息,控制第三驱动器在与透明基板的其上设置有所述多个微型LED的表面相反的表面上布置包括多个孔的掩模;以及控制激光器件以通过将激光照射到掩模上而将布置在所述多个孔的区域中的微型LED布置在目标基板上。
第二节距可以与照相机的分辨能力成比例。
所述多个微型LED中的每个微型LED的尺寸可以在30μm和100μm之间。
第二节距可以在100μm和200μm之间。
根据一实施方式,提供一种用于制造微型LED模块的方法,该方法包括:准备透明基板,多个微型LED以第一节距布置在透明基板上;使设置在基板上的多个电极与所述多个微型LED的至少部分电极接触;通过在基板上的所述多个电极,向所述多个微型LED中的以第二节距设置的微型LED施加电流;捕获所述多个微型LED的图像;基于所捕获的图像,获得通过电流施加而发射光的微型LED的特性信息;以及通过基于所获得的特性信息分别在多个目标基板上布置所述多个微型LED而制造微型LED模块。
该方法可以进一步包括:在捕获包括发射光的微型LED的所述多个微型LED的图像之后,将透明基板或基板移动第一节距,以向与发射光的微型LED相邻的微型LED施加电流。
该特性信息可以包括发射光的微型LED的照度值、色坐标值或性能等级中的至少之一,并且微型LED模块的制造可以包括在第一目标基板上布置具有第一范围的特性信息值的微型LED以及在第二目标基板上布置具有与第一范围不同的第二范围的特性信息值的微型LED。
第一节距可以与第二节距相同。
所述多个电极可以以第二节距设置在基板上,第二节距可以是第一节距的倍数,并且电流的施加可以包括通过以第二节距设置的所述多个电极施加电流。
该方法可以进一步包括将位置信息与发射光的微型LED的特性信息进行匹配并存储所匹配的信息。
微型LED模块的制造可以包括:基于所获得的特性信息,在与透明基板的在其上设置有所述多个微型LED的表面相反的表面上布置包括多个孔的掩模,以及将激光照射到掩模上以将设置在所述多个孔的区域中的微型LED布置在目标基板上。
所述多个微型LED中的每个微型LED的尺寸可以在30μm至100μm之间。
第二节距可以在100μm至200μm之间。
根据一实施方式,提供一种计算机可读记录介质,该计算机可读记录介质包括用于执行微型LED模块的制造方法的程序,其中微型LED模块的制造包括:向第一驱动器传输控制信号,用于移动基板以使设置在基板上的多个电极与以第一节距设置在透明基板上的多个微型LED的至少部分电极接触,通过基板上的所述多个电极向所述多个微型LED之中的以第二节距设置的微型LED施加电流,将控制信号传输到照相机以捕获所述多个微型LED的图像,基于由照相机捕获的图像而获得通过电流施加而发射光的微型LED的特性信息;以及将控制信号传输到第二驱动器,用于基于所获得的特性信息而将所述多个微型LED布置在多个目标基板上。
附图说明
图1是用于说明根据本公开的一实施方式的电子装置的微型LED的操作的视图;
图2是用于说明根据本公开的一实施方式的电子装置的简单配置的框图;
图3是用于说明图2的电子装置的详细配置的框图;
图4是用于说明根据本公开的一实施方式的用于测量微型LED的方法的视图;
图5是用于说明根据本公开的一实施方式的电极的布置的视图;
图6是用于说明根据本公开的另一实施方式的用于测量微型LED的方法的视图;
图7是用于说明根据本公开的一实施方式的测量微型LED的顺序的视图;
图8是用于说明根据本公开的一实施方式的用于制造微型LED模块的方法的流程图;
图9是用于详细说明根据本公开的一实施方式的用于测量微型LED的方法的流程图;
图10是用于说明使用微型LED的特性信息来制造微型LED模块的示例的视图;以及
图11和图12是用于说明测量微型LED的各种方法的视图。
具体实施方式
将简要描述在本说明书中使用的术语,并且将详细描述本公开。
在本说明书中使用的所有术语,包括技术术语和科学术语,具有与相关领域中的技术人员通常理解的相同含义。然而,这些术语可以根据本领域技术人员的意图、法律或技术解释以及新技术的出现而变化。另外,一些术语是由申请人任意选择的。这些术语可以以在这里定义的含义来解释,并且除非另有说明,可以基于本说明书的全部内容和本领域的公知技术来解释。
本发明不限于以下公开的实施方式,而是可以以各种形式实现,并且本发明的范围不限于以下实施方式。另外,从权利要求及其等同物的含义和范围得出的所有改变或修改应被解释为包括在本公开的范围内。在以下描述中,可以省略公知但与本公开的要旨无关的构造。
诸如“第一”、“第二”等术语可以用于描述各种元件,但是所述元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与其它元件区分开。
单数表达还包括复数含义,只要它在上下文中没有不同的含义即可。在本说明书中,诸如“包括”和“具有”的术语应被解释为表示说明书中存在这样的特征、数量、操作、元件、组件或其组合,而不排除其它特征、数字、操作、元件、组件或其组合中的一个或更多个的存在或添加的可能性。
在一实施方式中,‘模块’、‘单元’或‘部件’执行至少一个功能或操作,并且可以被实现为诸如处理器或集成电路的硬件、由处理器执行的软件、或其组合。另外,多个‘模块’、多个‘单元’或多个‘部件’可以集成到至少一个模块或芯片中,并且可以被实现为应在特定硬件中实现的除了‘模块’、‘单元’或‘部件’之外的至少一个处理器。
在下文中,将参考附图详细描述本公开的实施方式,使得本领域技术人员可以容易地实施本发明。然而,本公开可以以许多不同的形式体现,而不限于在这里描述的实施方式。为了在附图中清楚地示出本公开,为了清楚起见,省略了对于完全理解本公开不是必需的一些元件,并且在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的元件。
在下文中,将参照附图更详细地描述本公开。
图1是说明根据本公开的一实施方式的电子装置的微型LED的操作的视图。
参照图1,电子装置可以包括基板110。基板110可以包括用于向设置在透明基板200上的多个微型LED 210提供电极的多个电极111。微型LED210可以小于100μm。微型LED210可以在30μm和100μm之间。为了便于说明,在本说明书中,示出了微型LED 210为倒装芯片形式,但不限于此。然而,本公开不限于此,如果将电极设置在一侧,例如横向形式等,则任何形式的微型LED都是可能的。
透明基板200可以是其中形成有多个微型LED 210的晶片。另外,透明基板200可以是多个微型LED 210在其上移动的中继基板。例如,透明基板200可以是蓝宝石基板或石英基板,但不限于此,任何类型的透明基板都可以被使用。
电子装置可以使多个微型LED 210的电极211与设置在基板110上的电极111接触。电子装置可以在接触之前对准多个微型LED 210的电极211和设置在基板110上的电极111的位置。电子装置100可以通过控制X轴、Y轴、Z轴和角度(θ)来对准多个微型LED 210的电极211和设置在基板110上的电极111的位置。多个微型LED 210可以以第一节距设置在透明基板200上,基板110的电极211可以以第二节距设置,第二节距是第一节距的倍数。节距可以指的是一个微型LED和与其相邻的另一微型LED之间的间隔,并且可以是微型LED的一个点与相邻的微型LED的对应点之间的间距。例如,可以将微型LED的中心点与相邻的微型LED的中心点之间的距离定义为第一节距。将参照图4详细描述节距。
电子装置可以通过移动基板100或透明基板200中的至少一个而使多个LED 210的电极211与设置在基板110上的电极111接触。参照图1,示出了通过向下移动透明基板200而使基板110的电极111与微型LED 210的电极211接触,但是基板100可以向上移动或者透明基板200和基板110可以都移动。
图1示出了透明基板200设置在基板110上方以及基板110设置在透明基板200下方,但是在该实现方式中,透明基板200可以设置在基板100下方,并且基板110可以设置在透明基板200上方。在这种情况下,微型LED210的电极211和基板110的电极111可以设置为彼此面对。
当微型LED 210的电极211与基板110的电极111接触时,电子装置可以向基板110的电极111施加电流。因此,与基板110的电极111接触的微型LED可以发射光。
当与基板110的电极111接触的微型LED发射光时,电子装置可以控制照相机120捕获包括发射光的微型LED的全部多个微型LED的图像。另外,电子装置可以分析所捕获的图像,并分析发射光的微型LED的特性信息。
在捕获之后,电子装置可以使基板110或透明基板200移动第一节距,以测量与发射光的微型LED相邻的微型LED。图1示出了基板110移动,但是在该实现方式中,透明基板200可以移动。
如上所述,根据一实施方式,可以获得每个微型LED的绝对特性值。
图2是用于说明根据本公开的一实施方式的电子装置的简单配置的框图。
参照图2,电子装置100可以包括基板110、照相机120和处理器130。
电子装置100可以获得设置在透明基板上的多个微型LED中的每个的特性。电子装置100可以基于特性信息将多个微型LED中的每个布置在目标基板上。多个微型LED可以被设置在目标基板上,并且物理地连接至基板。目标基板可以是典型的印刷电路板,并且可以具有将被应用于显示产品的各种形状。
基板110可以包括多个电极,以通过接触设置在透明基板上的多个微型LED的至少部分电极来向多个微型LED的一部分施加电流。多个微型LED可以以一个节距的间隔设置在透明基板上。基板110上的多个电极可以向以第二节距设置的微型LED施加电流,该第二节距是多个微型LED的第一节距的倍数,并且倍数可以是自然数。
可以基于照相机120的性能来确定第二节距。第二节距可以与照相机的分辨能力成比例。分辨能力可以指用于区分两个相邻点的最短距离。当分辨能力大时,用于区分两个点的最短距离可以小,这意味着照相机120的性能良好。当分辨能力大时,用于区分两个点的最短距离可以小,并且即使在更短距离处的两个微型LED发射光,也可以识别出各自的性能。因此,当照相机120的分辨能力大时,第二节距的尺寸可以变小。
当照相机120的分辨能力小时,在两个微型LED发射光时,可能由于干扰而难以识别各自的性能。在这种情况下,可以通过基板110的电极施加电流,从而可以通过扩展第二节距而使距离更大的两个微型LED发射光。这可以通过用户设定来设置,或者可以由电子装置100自动设定。
根据各种实施方式,电子装置100可以向在第二节距的微型LED施加电流。电极可以以第二节距的间隔设置在基板110上。在这种情况下,电子装置100可以将电流施加到所有的电极,从而可以将电流施加到在第二节距的微型LED。在这种情况下,第二节距可以是第一节距的倍数,并且当第一微型LED发射光时,与其相邻的第二微型LED可以不发射光,第三微型LED可以发射光。
当尽管微型LED通过向以第二节距(其是第一节距的倍数)设置的电极施加电流而发射光,但难以识别每个微型LED的各自的性能时,电子装置100可以通过扩展第二节距而将电流施加到在第一节距的四倍的间隔的电极。在这种情况下,当第一微型LED发射光时,与其相邻的第二和第三微型LED可以不发射光,第四微型LED可以发射光。
电极可以以第一节距的间隔设置在基板110上。电子装置100可以将电流施加到在第二节距的间隔的电极,而不是基板110上的所有电极。因此,电流可以仅被施加到在第二节距的间隔的微型LED。第二节距可以通过照相机120的分辨能力来控制,并且将参照图6进行其详细描述。
照相机120可以捕获设置在透明基板上的多个微型LED的图像。照相机120可以基于透明基板与基板110相反设置,并且捕获包括发射光的微型LED的多个微型LED的图像。照相机120可以利用插置在其间的透明基板来捕获发射光的微型LED的光。照相机120可以将通过捕获光而获得的数据发送到处理器130。
处理器130可以被提供在电子装置100中以控制电子装置100的整体操作和功能。处理器130可以包括中央处理单元(CPU)、控制器、应用处理器(AP)、通信处理器(CP)、ARM处理器等中的至少之一。
处理器130可以电连接到基板110,以通过设置在基板110上的多个电极向微型LED施加电流。设置在基板110上的多个电极可以被单独地控制,并且处理器130可以将电流施加到基板110上的多个电极的部分。
处理器130可以电连接到照相机120以控制照相机120捕获设置在透明基板上的多个微型LED的图像。多个微型LED可以包括通过设置在基板110上的电极施加的电流而发射光的微型LED。
处理器130可以接收由照相机120捕获的数据,并且基于接收到的数据获得发射光的微型LED的特性信息。从照相机120接收到的数据可以是由照相机120捕获的图像。
处理器130可以基于接收到的数据获得发射光的微型LED的特性信息。处理器130可以通过分析发射光的微型LED的光来获得发射光的微型LED的照度值和色坐标值,并且基于照度值和色坐标值来确定微型LED的性能等级。
色坐标值可以与从微型LED输出的波长有关,并且由微型LED发射的颜色可以根据输出的波长而变化。
例如,当微型LED发射具有大约在630nm和780nm之间的波长的光时,颜色可以是红色,当微型LED发射具有大约在520nm和570nm之间的波长的光时,颜色可以是绿色,当微型LED发射具有大约在420nm和480nm之间的波长的光时,颜色可以是蓝色。
当发射具有在520nm和570nm之间的波长的绿光的微型LED设置在透明基板上时,大约520nm的波长可以是青色的光,大约570nm的波长可以是黄绿色的光。
因此,微型LED的特性可以根据从微型LED发射的波长而变化。
照度(luminance)可以指示光源的具有预定范围的亮度(brightness),并且由多个微型LED指示的亮度可以根据透明基板上的微型LED的照度而变化。
可以预先设定用于对关于微型LED的性能等级进行分类的标准。性能等级可以按照特定基准基于诸如由微型LED发射的光的色坐标值或照度而被分类,并且特定基准可以根据用户的需求而变化。
例如,当性能等级基于输出波长时,越接近特定基准的波长,性能等级越高,并且离特定基准的波长越远,性能等级越低。
另外,当性能等级基于照度时,照度越高,性能等级越高,照度越低,性能等级越低。
对于性能等级,可以考虑根据用户的预定标准的输出波长和照度两者。例如,根据将在微型LED中体现的特性,可以由用户通过对输出波长赋予权重U/100(在下文,U是小于100的正有理数)以及对照度赋予权重(100-U)/100来设定性能等级。
处理器130可以通过在接触之前执行基板110的电极与微型LED的电极的对准来识别与透明基板上的基板110的电极接触的微型LED的位置。因此,处理器130可以将位置信息与所获得的发射光的微型LED的特性信息进行匹配。
处理器130可以通过移动基板110或其上设置有微型LED的透明基板来重复执行发射光的微型LED和与其相邻的微型LED的测量。
处理器130可以基于所获得的特性信息来确定其上设置有多个微型LED中的每个的目标基板。处理器130可以确定在其上设置有多个LED中的每个的目标基板,使得具有相似特性的微型LED设置在同一目标基板上。
如上所述,可以测量设置在透明基板上的多个微型LED的绝对特性值。根据一实施方式,可以在将微型LED与基板分离之前获得特性信息,并使用在没有分类过程的情况下获得的特性信息来制造具有均匀的亮度和颜色的LED模块。
图3是用于说明图2的电子装置的详细配置的框图。
参照图3,电子装置100可以包括基板110、照相机120、处理器130、第一驱动器140、存储器150、第二驱动器160、第三驱动器170和激光器件180。
基板110、照相机120和处理器130的部分操作与图2的配置的那些相同,将省略重复的描述。
第一驱动器140可以电连接到处理器130,以通过处理器130的控制来移动基板110。处理器130可以由于由基板110的电极施加的电流而捕获包括发射光的微型LED的多个微型LED的图像,并控制第一驱动器140移动基板110以向发射光的微型LED和与其相邻的微型LED施加电流。处理器130可以控制第一驱动器140以将基板110移动第一节距,该第一节距是微型LED的间隔。
存储器150可以被提供在电子装置100中以存储各种程序、数据等。例如,存储器150可以体现为快闪存储器、ROM、RAM、硬盘类型、多媒体卡微型类型和卡类型存储器(例如SD、XD存储器等)中的至少一种。
存储器150可以电连接到处理器130,以将信号和信息传输到处理器130。因此,多个输入或微型LED的特性信息可以被存储在存储器150中,并且所存储的特性信息可以被处理器130使用。
微型LED的位置信息和所获得的特性信息可以被匹配并被存储在存储器150中。另外,可以基于所获得的特性信息来存储关于针对每个微型LED确定的目标基板的信息。
第二驱动器160可以电连接到处理器130,以通过处理器130的控制将设置在透明基板上的多个LED布置在目标基板上。处理器130可以控制第二驱动器160以在第一目标基板上布置具有在第一范围内的特性信息的微型LED,并且在第二目标基板上布置具有在第二范围内的特性信息的微型LED。
例如,处理器130可以控制第二驱动器160,使得设置在一个基板上的多个微型LED之中具有第一性能等级的微型LED可以布置在第一目标基板上。处理器130可以控制第二驱动器160,使得具有与第一性能等级的范围不同的范围内的第二性能等级的微型LED可以设置在与第一目标基板不同的第二目标基板上。
第二驱动器160可以可选地或共同地拾取设置在透明基板上的多个微型LED。如果需要,第二驱动器160可以通过各种方法来拾取微型LED,诸如粘合方法、真空方法、静电方法、混合方法等。在这种情况下,第二驱动器160可以用作载体。
当通过使用激光将透明基板上的微型LED转移到目标基板上时,第二驱动器160可以使透明基板本身在目标基板上移动。为了将微型LED选择性地布置在目标基板上,可以将掩模设置在透明基板上。掩模可以与透明基板的其上设置有微型LED的表面相反地设置。掩模可以包括多个孔。掩模上的在其中形成有多个孔的区域可以是将要通过激光照射被转移到目标基板上的微型LED设置在其中的区域。
在透明基板上布置掩模的操作可以通过第三驱动器170执行。第三驱动器170可以电连接到处理器130,并且可以通过处理器130的控制将掩模布置在透明基板上。
例如,当将具有第一性能等级的微型LED转移到第一目标基板上时,处理器130可以控制第三驱动器170,使得形成有孔的掩模可以设置于透明基板上的布置具有第一性能等级的微型LED的位置。当具有第二性能等级的微型LED被转移到第二目标基板上时,处理器130可以控制第三驱动器170,使得形成有孔的掩模可以设置于透明基板上的布置具有第二性能等级的微型LED的位置。
掩模布置操作可以在透明基板通过第二驱动器160被移动到目标基板上之前或之后执行。
激光器件180可以电连接到处理器130,以通过处理器130的控制将激光照射在透明基板上。激光可以使微型LED分离并设置在目标基板上。掩模可以在透明基板上形成,以使得微型LED可以被选择性地分离。
同时,本公开不限于此,而是可以添加在附加基板上对准微型LED的过程,以将微型LED集中地布置在目标基板上。
尽管未在图3中示出,但是根据一实施方式,电子装置可以进一步包括用于使透明基板移动以接触基板110的电极的驱动器以及用于使透明基板移动第一节距以测量相邻的微型LED的驱动器。
图4是用于说明根据本公开的一实施方式的用于测量微型LED的方法的视图。
参照图4,多个微型LED 210可以以第一节距41的间隔设置在透明基板200上。第一节距41可以是微型LED之间的间隔,其也可以是两个相邻的微型LED的相同点之间的间隔。
例如,参考图4,将两个微型LED的左侧和右侧之间的距离定义为第一节距41。然而,微型LED的对应点诸如中心点之间的距离可以被定义为第一节距。
用于向多个微型LED 210施加电流的多个电极111可以以第二节距42的间隔设置。第二节距42可以是第一节距41的倍数,并且该倍数可以是自然数。
为了便于说明,图4示出了第二节距42是第一节距41的倍数,但是在该实现方式中,取决于照相机的功能和微型LED的光强度,该倍数可以是一倍或三倍。
微型LED 210的尺寸可以在30μm和100μm之间。该尺寸可以是微型LED的一侧的长度。
第二节距42,其是基板200上的电极111之间的间隔,可以与节距41相同,或者大于第一节距41的倍数。第二节距42可以在100μm和200μm之间。第二节距42可以取决于微型LED210的尺寸、微型LED 210之间的间隔、照相机功能等而变化。
图5是用于说明根据本公开的一实施方式的电极的布置的视图。图5是示出基板的局部区域的俯视图,在该局部区域上设置有用于向微型LED施加电流的电极。
参照图5,基板110可以包括成行布置的多个电极111。多个电极111可以向设置在透明基板上的多个微型LED之中的与部分电极接触的微型LED施加电流。
设置在基板110上的多个电极可以包括一组阳极电极和阴极电极,并且该组电极可以以预定间隔设置。
每个电极111可以由处理器单独地控制。例如,当该组多个电极以与布置在透明基板上的多个微型LED相同的间隔布置时,可以通过处理器的控制向基板110上的所有电极或者向部分电极施加电流。
通过在微型LED根据电流施加而输出的光不彼此混合或干扰的范围内向最邻近的微型LED施加电流,可以减少测量次数。另外,通过逐渐增加施加电流的节距可以容易地得出最佳节距。
图6是用于说明根据本公开的另一实施方式的用于测量微型LED的方法的视图。图1示出电极以第二节距设置在基板上,该第二节距是微型LED的第一节距的倍数,但是图6示出电极以第一节距设置在基板上。
电子装置可以使设置在基板110上的电极与设置在透明基板200上的微型LED的电极接触。电子装置可以向基板110上的电极1至6施加电流,使得所有的微型LED都可以发射光。
电子装置可以控制照相机120捕获从微型LED发射的光,并通过分析所捕获的图像来测量发射光的微型LED的特性。如果照相机120的性能等级高,相邻的微型LED的输出光被区分开,并且不发生输出光的干扰以允许测量特性,则电子装置可以仅执行一次测量过程来测量设置在透明基板200上的所有微型LED。
当发射光的微型LED之间的间隔太小以使得发生光的干扰时,或者当照相机120的性能等级低以使得不能区分从相邻的微型LED发射的光时,电子装置可以控制基板110的电极以更大的节距施加电流。
电子装置可以以该节距向微型LED施加电流,该节距是微型LED的节距的倍数。例如,电子装置可以向基板110上的电极之中的电极1、3和5施加电流,并且仅允许与电极1、3和5接触的微型LED发射光。
电子装置可以控制照相机120捕获从微型LED发射的光,分析所捕获的图像,并测量发射光的微型LED的特性。当由于接触第1、3和5电极的微型LED的输出光被区分开并且不发生输出光的干扰而可以测量特性时,电子装置可以测量与第1、3和5电极接触的微型LED,然后执行测量相邻的微型LED的操作。电子装置可以保持基板110的位置,并向第2、4和6电极施加电流,或在将基板110移动微型LED的节距之后向第1、3和5电极施加电流。电子装置可以总共执行四次测量过程以测量设置在透明基板200上的所有微型LED。将参考图7详细描述测量过程的顺序。
当发射光的微型LED的光的干扰仍然发生,或者从相邻的微型LED发射的光没有被区分开时,电子装置可以控制基板110上的电极以更大的节距施加电流。
具体地,电子装置可以以该节距向微型LED施加电流,该节距是微型LED的节距的三倍。例如,电子装置可以仅向基板110上的第1、4和7(未示出)电极施加电流,使得仅与第1、4和7(未示出)电极接触的微型LED可以发射光。
电子装置可以控制照相机120捕获从微型LED发射的光,分析所捕获的图像,并测量发射光的微型LED的特性。当由于与第1、4和7(未示出)电极接触的微型LED的输出光被区分开并且不发生输出光的干扰而可以测量特性时,电子装置可以测量与第1、4和7(未示出)电极接触的微型LED,并执行测量相邻的微型LED的操作。电子装置110可以保持基板110的位置,并向第2、5和8(未示出)电极施加电流,或将基板110移动微型LED的节距之后向第1、4和7(未示出)电极施加电流。在这种情况下,电子装置可以总共执行九次测量过程以测量设置在透明基板200上的所有微型LED。将参考图7详细描述测量过程的顺序。
如上所述,可以通过扩展施加电流的节距来获得能够测量发射光的微型LED的输出光的最小节距。
图7是用于说明根据本公开的一实施方式的测量微型LED的顺序的视图。图7示出了根据电流施加的发射光的微型LED,或从捕获微型LED获得的数据。
参照图7,电子装置可以将施加电流的第二节距设定为设置微型LED的第一节距的四倍。在这种情况下,电子装置可以总共执行16次测量过程。然而,图7中显示的第二节距仅是一实施方式,但是可以根据照相机的分辨能力而变化。为了便于说明,假定在微型LED的最左上行的微型LED的位置为(1,1)。
电子装置可以仅将电流施加到设置在(1,1)、(1,4)、(4,1)、(4,4)、(8,1)和(8,4)的微型LED以在第一测量中发射光。
在捕获之后,电子装置可以通过将基板向右移动第一节距来执行第二测量,并且向如图6所示地被施加了电流的电极的右侧的电极施加电流。方向不限于右侧,而可以是上、下、左和右方向中的任何一个。
例如,在第二测量中,电子装置可以仅向设置在(1,2)、(1,5)、(4,2)、(4,5)、(8,2)和(8,5)的微型LED施加电流以发射光,以使得在与第一测量中的发射光的微型LED的右侧相邻的微型LED可以发射光。
在捕获之后,可以通过移动基板或向另一电极施加电流来重复执行相邻的微型LED的测量。电子装置可以在第十六测量时完成测量操作。例如,在第十六测量中,电子装置可以仅向设置在(4,4)、(8,4)、(8,4)和(8,8)的微型LED施加电流以捕获微型LED。
如上所述,电子装置可以以预定间隔向微型LED施加电流,捕获并分析微型LED,并获得设置在透明基板上的每个微型LED的特性信息。
图8是用于说明根据本公开的一实施方式的用于制造微型LED模块的方法的流程图。
参照图8,在步骤S810,电子装置可以准备透明基板,多个微型LED以第一节距设置在该透明基板上。透明基板可以是其中最初产生微型LED的晶片,或者可以是通过移动在晶片中产生的微型LED而形成的中继基板。
在步骤S820,电子装置可以使设置在基板上的多个电极与多个微型LED的至少部分电极接触。多个电极可以以第二节距设置,该第二节距是微型LED的第一节距的倍数。基板上的多个电极可以接触多个微型LED的部分电极。对于另一实施方式,多个电极可以以微型LED的第一节距设置在基板上。在这种情况下,在基板上的多个电极可以接触多个微型LED的全部电极。
在步骤S830,电子装置可以通过基板上的多个电极而向第二节距的微型LED施加电流,该第二节距是第一节距的倍数。电子装置可以向该间隔的微型LED施加电流,在该间隔处,光根据照相机性能被区分开并且发射光的微型LED的光不受干扰。基板上的多个电极可以被单独地控制,并且电子装置可以向基板上的多个电极的至少部分施加电流。
在S840,电子装置可以捕获多个微型LED的图像。电子装置可以通过使用所提供的照相机来捕获多个微型LED的图像。多个微型LED可以包括通过电流施加而发射光的微型LED。
在步骤S850,基于所捕获的图像,电子装置可以获得通过电流施加而发射光的微型LED的特性信息。电子装置可以基于所捕获的图像而获得发射光的微型LED的照度值、色坐标值、性能等级中的至少之一。
在步骤S860,电子装置可以通过基于所获得的特性信息将多个微型LED分别布置在多个目标基板上来制造微型LED模块。电子装置可以基于所获得的特性信息来确定多个微型LED中的每个设置在其上的目标基板。具体而言,电子装置可以确定将被设置在同一目标基板上的具有相似特性信息的微型LED。电子装置可以通过将每个微型LED布置在所确定的目标基板上来制造微型LED模块。
根据上述实施方式,可以通过使用具有相似特性信息的微型LED来制造均匀发射光的微型LED模块。
图9是用于详细说明根据本公开的一实施方式的用于测量微型LED的方法的流程图。
参照图9,在步骤S910,电子装置可以将透明基板和基板的位置对准。可以在透明基板上设置多个微型LED,并且可以在基板上设置用于向微型LED施加电流的电极。
电子装置可以通过控制X轴、Y轴、Z轴和角度(θ)来对准设置在基板上的多个电极和设置在透明基板上的多个微型LED的电极的位置。
在步骤S920,电子装置可以使设置在透明基板上的多个LED的电极与设置在基板上的多个电极接触。根据设置在基板上的电极的布置形式,基板上的电极可以接触多个微型LED的全部或部分电极。
在步骤S930,电子装置可以通过设置在基板上的电极施加电流。电子装置可以通过设置在基板上的多个电极的至少部分施加电流。当将电流施加到设置在基板上的多个电极的部分时,可以以预定间隔将电流施加到电极。预定间隔可以是微型LED的布置的间隔的倍数。
在施加电流时,在步骤S940,被施加有电流的微型LED可以发射光。取决于被施加有电流的电极,与发射光的微型LED相邻的微型LED可以不发射光。
在步骤S950,电子装置可以捕获多个微型LED的图像。电子装置可以使用在电子装置中提供的照相机来捕获设置在透明基板上的多个微型LED的图像。多个微型LED可以包括通过电流施加而发射光的微型LED。
在步骤S960,电子装置可以使用所捕获的数据来分析发射光的微型LED的特性信息。所捕获的数据可以参考所捕获的图像,并且电子装置可以分析所捕获的图像,并获得发射光的微型LED的照度值、色坐标值、性能等级等中的至少之一。
在捕获之后,电子装置可以在步骤S970停止通过基板的电极施加电流,并在步骤S980移动基板。基板可以移动以将电流施加到与根据电流施加的发射光的微型LED相邻的微型LED。
电子装置可以返回到步骤S920,并重复执行接触、电流施加、捕获、分析、停止电流施加和基板移动的操作。
在步骤S990,电子装置可以映射位置与所获得的发射光的微型LED的特性信息并存储该信息。图9示出了在测量过程之后执行映射和存储,但是在实现方式中,电子装置可以首先获得特性信息,映射位置信息与微型LED的特性信息并存储位置信息,并移动基板。
图10是用于说明使用微型LED的特性信息来制造微型LED模块的示例的视图。
参考图10,作为电子装置的测量操作的结果,可以获得关于设置在透明基板200上的多个微型LED 210中的每个的特性信息。为了便于说明,参照图10,假定每个微型LED的性能等级被分类为A1、A2、A3等。
电子装置可以基于所获得的微型LED的特性信息来确定每个微型LED的目标基板500-1和500-2,并将每个微型LED布置在所确定的目标基板500-1和500-2上。
例如,电子装置可以在第一目标基板500-1上布置等级A1的微型LED,并在第二目标基板500-2上布置等级与A1不同的A2的微型LED,第二目标基板500-2是不同的目标基板。根据设置,可以在第一目标基板500-1上布置等级A1和等级A2的微型LED。
如上所述,根据每个微型LED的特性信息,可以通过使用具有相似特性信息的微型LED来制造具有均匀输出特性的LED模块。
图11和图12是用于说明用于测量微型LED的各种方法的视图。图11和图12示出了微型LED设置在中继基板上而不是晶片上,然后被测量。
参照图11,根据一实施方式,多个微型LED 210可以设置在中继基板300上以执行测量。多个微型LED 210的电极表面可以接触中继基板300。
为了测量,电子装置可以将载体400附接到微型LED 210的发光表面以拾取微型LED并将多个微型LED 210与中继基板300分开。载体400可以使用各种方法来拾取微型LED,诸如粘合方法、真空方法、静电方法、混合方法等。载体400可以是透明基板。
当载体400将多个微型LED 210与中继基板300分离时,电极基板可以暴露,从而可以通过使用根据一实施方式的测量方法来获得多个微型LED的特性信息。
电子装置可以将其上设置有多个电极111的基板110布置在多个微型LED 210下方,并使多个微型LED 210的至少部分电极与设置在基板110上的电极111接触。
另外,当向电极111施加电流并且微型LED 210发射光时,电子装置可以通过使用照相机120来捕获微型LED的图像。照相机120可以基于作为透明基板的载体400与微型LED210相反设置。电子装置可以使用所捕获的图像来获得发射光的微型LED的特性信息。
微型LED可以设置在基于每个微型LED的特性信息而确定的目标基板500上。
图11示出了载体400是透明基板,但是它可以是如图12所示的包括反射表面410的基板。载体400可以不是透明基板。
当微型LED根据电流施加而发射光时,所有的光可以被反射到反射表面410上。参照图12,当从微型LED发射的所有光被反射时,照相机120可以基于载体400设置在微型LED设置的方向,或者基于包括多个电极的基板110设置在与设置多个电极的表面相反的方向。
反射光可以透射通过包括将要被照相机120捕获的电极的基板,因此,包括电极的基板110可以是透明基板。
图12示出了反射表面410设置在微型LED与载体400接触的表面上,但是根据一实施方式,当载体400是透明基板时,反射表面410可以设置在与载体400的不与微型LED接触的表面上。在这种情况下,从微型LED输出的光可以透射通过载体400,从反射表面410反射,然后透射通过载体400。因此,透射通过基板110的光可以被照相机120捕获。
如上所述,根据本公开的各种实施方式,可以测量基板上的多个微型LED的绝对特性值。另外,因为能够获得在微型LED分离之前的特性信息,所以可以使用在没有分类过程的情况下所获得的特性信息来制造具有均匀的亮度和颜色的LED模块。
同时,可以使用软件、硬件或其组合来实现上述各种实施方式。根据硬件实现方式,在本公开中描述的实施方式可以被实现为专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、可编程门阵列、处理器、控制器、微控制器、微处理器和用于执行其它功能的电单元。在某些情况下,本说明书中的示例实施方式可以体现为处理器130本身。根据软件实现方式,可以在单独的软件模块中实现诸如在这里描述的过程和功能的实施方式。每个软件模块可以执行在这里描述的功能和操作中的一个或更多个。
同时,根据上述本公开的各个实施方式的方法可以被存储在非暂时性计算机可读介质中。这样的非暂时性计算机可读介质可以被安装并用于各种器件中。
非暂时性计算机可读介质是指半永久地存储数据而不是在非常短的时间内存储数据的介质,诸如寄存器、高速缓存和存储器,并且可由装置读取。具体地,上述各种应用或程序可以被存储在非暂时性计算机可读介质中,诸如光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、硬盘、蓝光光盘、通用串行总线(USB)记忆棒、存储卡和只读存储器(ROM),并且可以被提供。
根据一实施方式,可以在计算机程序产品中提供根据在这里公开的各种实施方式的方法。计算机程序产品可以作为商品在买卖双方之间进行交易。计算机程序产品可以以机器可读存储介质(例如光盘只读存储器(CD-ROM))的形式分发,或者通过应用商店(例如PlayStoreTM)在线分发。在在线分发的情况下,计算机程序产品的至少一部分可以被临时存储或临时创建在存储介质(诸如制造商的服务器、应用商店的服务器或中继服务器的存储器)上。
尽管已经示出和描述了实施方式,但是本领域技术人员将理解,可以在不脱离本公开的原理和精神的情况下对这些实施方式进行改变。因此,本发明的范围不被解释为限于所描述的实施方式,而是由所附权利要求及其等同物来限定。
Claims (12)
1.一种电子装置,包括:
包括多个电极的基板,所述多个电极与以第一节距设置在透明基板上的多个微型LED的至少部分电极接触,所述多个电极以第二节距设置在所述基板上并向所述多个微型LED中的以所述第二节距设置的微型LED施加电流,所述第二节距是所述第一节距的倍数;
照相机,基于所述透明基板与所述基板相反设置;以及
处理器,配置为:
向所述基板上的所述多个电极施加电流,
控制所述照相机捕获所述多个LED的图像,所述多个LED包括通过电流施加而发射光的微型LED,
基于所捕获的图像,获得所述发射光的微型LED的特性信息,以及
基于所获得的特性信息,确定所述多个微型LED中的每个设置在其上的目标基板,
其中所述第二节距与所述照相机的分辨能力成比例。
2.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括:
第一驱动器,配置为移动所述基板,
其中,所述处理器被进一步配置为在捕获包括所述发射光的微型LED的所述多个LED的图像之后,通过控制所述第一驱动器将所述基板移动第一节距,以将电流施加到与所述发射光的微型LED相邻的微型LED。
3.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括:
第二驱动器,配置为将所述多个微型LED中的每个布置在所确定的目标基板上,
其中,所述特性信息包括所述发射光的微型LED的照度值、色坐标值和性能等级中的至少之一,以及
其中,所述处理器被进一步配置为控制所述第二驱动器以将具有第一范围的特性信息值的微型LED布置在第一目标板上,并将具有不同于所述第一范围的第二范围的特性信息值的微型LED布置在第二目标板上。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个电极以所述第一节距设置在所述基板上,以及
其中,所述处理器被进一步配置为通过在所述第二节距的多个电极施加电流。
5.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括:
存储器,
其中,所述处理器被进一步配置为将位置信息与所述发射光的微型LED的特性信息进行匹配,并将所匹配的信息存储在所述存储器中。
6.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括:
激光器件;以及
第三驱动器,配置为布置掩模,
其中,所述处理器被进一步配置为:
基于所获得的特性信息,控制所述第三驱动器在与所述透明基板的其上设置有所述多个微型LED的表面相反的表面上布置包括多个孔的掩模,以及
控制所述激光器件,以通过将激光照射到所述掩模上而将布置在所述多个孔的区域中的微型LED布置在所述目标基板上。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个微型LED中的每个微型LED的尺寸在30μm和100μm之间。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第二节距在100μm和200μm之间。
9.一种用于制造微型LED模块的方法,所述方法包括:
准备透明基板,多个微型LED以第一节距布置在所述透明基板上;
使设置在基板上的多个电极与所述多个微型LED的至少部分电极接触;
通过在所述基板上的所述多个电极,向所述多个微型LED中的以第二节距设置的微型LED施加电流,所述多个电极以所述第二节距设置在所述基板上,所述第二节距是所述第一节距的倍数;
通过照相机捕获所述多个微型LED的图像;
基于所捕获的图像,获得通过电流施加而发射光的微型LED的特性信息;以及
通过基于所获得的特性信息在多个目标基板上布置所述多个微型LED而制造微型LED模块,
其中所述第二节距与所述照相机的分辨能力成比例。
10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括:
在捕获包括所述发射光的微型LED的所述多个微型LED的所述图像之后,将所述透明基板或所述基板移动所述第一节距,以向与所述发射光的微型LED相邻的微型LED施加电流。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述特性信息包括所述发射光的微型LED的照度值、色坐标值或性能等级中的至少之一,以及
其中,该方法进一步包括在第一目标基板上布置具有第一范围的特性信息值的微型LED,以及在第二目标基板上布置具有与所述第一范围不同的第二范围的特性信息值的微型LED。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述多个电极以所述第一节距设置在所述基板上,以及
其中所述电流的施加包括通过以所述第二节距设置的多个电极施加电流。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180079775A KR102558296B1 (ko) | 2018-07-10 | 2018-07-10 | 전자 장치, 마이크로 led 모듈 제조 방법 및 컴퓨터 판독가능 기록 매체 |
KR10-2018-0079775 | 2018-07-10 | ||
PCT/KR2019/006497 WO2020013441A1 (en) | 2018-07-10 | 2019-05-30 | Electronic apparatus, method for manufacturing led module and computer-readable recording medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112385027A CN112385027A (zh) | 2021-02-19 |
CN112385027B true CN112385027B (zh) | 2024-01-30 |
Family
ID=69140290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980045551.0A Active CN112385027B (zh) | 2018-07-10 | 2019-05-30 | 电子装置、用于制造led模块的方法和计算机可读记录介质 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251222B2 (zh) |
EP (1) | EP3803958B1 (zh) |
KR (1) | KR102558296B1 (zh) |
CN (1) | CN112385027B (zh) |
WO (1) | WO2020013441A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210147314A (ko) * | 2020-05-28 | 2021-12-07 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법 |
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KR101310359B1 (ko) | 2012-05-04 | 2013-09-23 | 주식회사 프로텍 | Led 칩 검사 장치 |
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KR102447247B1 (ko) | 2016-02-29 | 2022-09-26 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 소자 이송 시스템 |
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CN110337712B (zh) | 2016-12-16 | 2023-11-07 | 苹果公司 | 发光二极管(led)测试设备和制造方法 |
-
2018
- 2018-07-10 KR KR1020180079775A patent/KR102558296B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-05-30 EP EP19833353.6A patent/EP3803958B1/en active Active
- 2019-05-30 US US16/426,846 patent/US11251222B2/en active Active
- 2019-05-30 WO PCT/KR2019/006497 patent/WO2020013441A1/en unknown
- 2019-05-30 CN CN201980045551.0A patent/CN112385027B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3803958A4 (en) | 2021-09-15 |
EP3803958B1 (en) | 2023-09-06 |
CN112385027A (zh) | 2021-02-19 |
KR20200006263A (ko) | 2020-01-20 |
US11251222B2 (en) | 2022-02-15 |
KR102558296B1 (ko) | 2023-07-24 |
EP3803958A1 (en) | 2021-04-14 |
US20200020740A1 (en) | 2020-01-16 |
WO2020013441A1 (en) | 2020-01-16 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |