CN112289784A - 具有led封装的显示模块及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示模块及其制造方法。所述显示模块可以包括:衬底;薄膜晶体管(TFT)层,设置在所述衬底的一表面上;多个LED封装,包括连接衬底和设置在所述连接衬底的第一表面上的多个LED;以及布线,被配置为电连接所述TFT层和所述多个LED。所述布线包括:第一布线,用于与所述第一表面上的所述多个LED电耦接;以及第二布线,用于与所述连接衬底的第二表面上的所述TFT层电耦接。
Description
技术领域
本公开涉及显示器制造领域,并且更具体地,涉及一种具有从微型转移衬底转移到目标衬底上的多个LED封装的显示模块及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种微型无机发光材料,其自发射光而无需滤色器和背光。LED可以被划分为灯类型(引线类型)和芯片类型(表面安装器件(SMD)类型)。
可以通过外延工艺(通过衬底上的晶体生长或材料沉积)在晶片上生长芯片型LED。以这种方式制造的LED可以转移到目标衬底,该目标衬底可以构成显示模块。
发明内容
本公开的目的在于提供一种微型LED转移方法和通过该方法制造的显示模块,该方法用于将包括多个发光二极管(LED)的LED封装从转移衬底转移到目标衬底,其中所述多个LED安装在连接衬底上,该连接衬底在顶表面和底表面形成有布线层。
根据实施例,提供了一种显示模块,包括:衬底;薄膜晶体管(TFT)层,设置在衬底的表面上;多个LED封装,包括连接衬底和设置在连接衬底的第一表面上的多个LED;以及布线,被配置为电连接TFT层和所述多个LED。布线包括:第一布线,用于与所述第一表面上的所述多个LED电耦接;以及第二布线,用于与连接衬底的第二表面上的TFT层电耦接。
所述多个LED中的每一个的电极通过形成在连接衬底的第一表面上的第一电极焊盘与第一布线电耦接,并且TFT层上的电极通过形成在连接衬底的第二表面上的第二电极焊盘与第二布线电耦接。
所述多个LED封装中的每一个电耦接到形成在TFT层上的公共电极或单独电极。
第一布线和第二布线通过至少一个通孔彼此电耦接。
连接衬底还可以包括至少一个布线层。
显示模块还包括形成在连接衬底上的成型部分以覆盖所述多个LED封装。
成型部分覆盖暴露在所述多个LED封装之间的TFT层。
所述多个LED封装中的每一个构成至少一个显示像素。
根据实施例,提供了一种显示模块的制造方法,该方法包括:以预定尺寸分离形成有布线层的连接衬底;将多个LED转移到分离后的连接衬底上;以及将包括分离后的连接衬底和安装在分离后的连接衬底上的所述多个LED在内的LED封装转移到形成在目标衬底上的TFT层。
该制造方法还包括:在将连接衬底转移到载体衬底上之后,通过将所述多个LED安装到连接衬底来形成LED封装。
该制造方法还包括:在转移LED封装之前,将LED封装从载体衬底转移到转移衬底。
将LED封装转移到形成在目标衬底上的TFT层进一步包括:通过拾取器从载体衬底拾取LED封装;使拾取器移动到预定位置;以及将LED封装沉积到目标衬底的TFT层上与该预定位置相对应的位置。
该制造方法还包括:在将LED封装转移到目标衬底的TFT层之前,将LED封装从载体衬底转移到被配置为面向载体衬底的附加载体衬底;以及将LED封装从附加载体衬底以激光转移方式转移到目标衬底的TFT层。
该制造方法还包括:在以预定间距设置到目标衬底的TFT层的多个LED封装之间形成黑矩阵。
该制造方法还包括:用透明保护层覆盖所述多个LED封装和黑矩阵。
该制造方法还包括:在连接衬底上形成成型部分以覆盖所述多个LED封装。
形成成型部分包括:覆盖暴露在所述多个LED封装中的各个LED封装之间的TFT层。
根据实施例,提供了一种包括程序的非暂时性计算机可读记录介质,该程序包括至少一个指令,当由处理器执行时,该至少一个指令使计算机执行显示模块的制造方法,该制造方法包括:以预定尺寸分离形成有布线层的连接衬底;将多个LED转移到分离后的连接衬底上;以及将包括分离后的连接衬底和安装在分离后的连接衬底上的多个LED在内的LED封装转移到形成在目标衬底上的TFT层。
所述多个LED是微型LED。
显示模块还包括设置在多个LED封装之间的多个黑矩阵。
附图说明
根据结合附图的以下具体实施方式,本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将更清楚明白,在附图中:
图1是示出了根据实施例的包括LED封装的显示模块的截面图的示意图;
图2A是示出了根据实施例的LED封装的示图;
图2B是示出了根据实施例的LED封装的示图;
图2C是示出了根据实施例的LED封装的示图;
图3是示出了根据实施例的LED封装转移设备的示意性框图;
图4是示出了根据实施例的载体衬底上的LED封装的示图;
图5是示出了根据实施例的包括导电膜的显示模块的制造工艺的示图;
图6是示出了根据实施例的包括从生长衬底生长的LED封装的显示模块的制造工艺的示图;
图7是示出了根据实施例的执行电致发光测试的制造工艺的示图;
图8是示出了根据实施例的将LED封装从载体衬底转移到转移衬底的制造工艺的示图;
图9是示出了根据实施例的将LED封装从转移衬底转移到目标衬底的制造工艺的示图;
图10A是示出了根据实施例的在各个LED封装之间包括黑矩阵的显示模块的制造工艺的示图;
图10B是示出了根据实施例的形成成型部分的制造工艺的示图;以及
图11至图14是顺序地示出了根据实施例的包括LED封装的显示模块的制造工艺的示图。
具体实施方式
将参考附图来描述本公开的实施例,使得本领域的普通技术人员将合理地理解本文中所描述的本公开的实施例。然而,本公开不限于本文中所描述的实施例。本公开可以以各种形式实现,并且可以对本文中所描述的实施例进行各种改变和修改。相反,提供对实施例的描述是为了向本领域技术人员更充分地解释本公开的范围。为了便于描述,附图中的元件被放大以使它们大于其实际尺寸,并且每个元件的比例被放大或缩小以更清楚地描述本公开的实施例。
将理解的是,当一元件被称为“在”另一元件“上”或“连接到”或“耦接到”另一元件时,它可以直接在另一元件上或直接连接或耦接到另一元件,或者可以存在介于中间的元件。当一元件被称为“直接在”另一元件“上”或“直接连接”或“直接耦接”到另一元件时,其间可以不存在中间元件。
可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件,但这些元件不应受限于这些术语。这些术语只能用于将一个元件与另一个元件区分开。例如,第一元件可以被指定为第二元件,同样地,第二元件也可以被指定为第一元件。
除非另外指出,否则单数表达可以包括复数表达。应理解的是,诸如“包括”或“由…组成”的术语在本文中用于表示特征、数字、步骤、操作、元件、组件或者它们的组合的存在,并且可以被解释为添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、组件或者它们的组合。
根据本公开的实施例制造的显示模块可以包括:薄膜晶体管(TFT)层,位于衬底的表面上;多个发光二极管(LED)封装,电耦接到TFT层;以及布线电耦接电路,设置在衬底的后表面。衬底可以是透明衬底(例如,玻璃衬底、石英衬底等)、柔性衬底和塑料衬底中的任何一种,并且可以被称为底板。另外,包括TFT层的衬底可以被称为“TFT衬底”、“TFT底板”或“目标衬底”,并且这些术语在本公开中可以互换地进行使用。
LED封装可以指的是包括作为转移衬底的一部分的连接衬底和以电耦接状态设置在连接衬底上的多个LED在内的结构。在这种情况下,根据实施例的显示模块可以形成有成型部分,该成型部分用于在将多个LED封装转移到目标衬底之后覆盖所有的多个LED封装。
显示模块可以包括通过柔性印刷电路(FPC)电耦接到目标衬底的后表面的单独衬底(例如,考虑到设置,该单独衬底可以设置在目标衬底的后部;在下文中被称为“后部衬底”)。后部衬底可以以薄膜形式形成,其中以约几十μm(例如,50μm或更小)布置薄膜的厚度,或者以薄玻璃形式形成。当后部衬底以薄膜形式形成时,可以以包括以下项在内的材料中的任何一种或组合来形成塑料材料:例如,聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚碳酸酯(PC)。
目标衬底可以形成有侧表面布线,该侧表面布线形成在边缘部分,并且可以电连接形成在目标衬底的前表面的边缘部分的第一连接焊盘和形成在目标衬底的后表面的第二连接焊盘。可以沿目标衬底的前表面、侧端表面和后表面形成侧表面布线,并且侧表面布线的一端可以电耦接到第一连接焊盘而另一端可以电耦接到第二连接焊盘。侧表面布线可以从目标衬底的侧端表面突出侧表面布线的厚度,因为其一部分可以形成在目标衬底的侧端表面上。在这种情况下,后部衬底可以通过FPC电耦接到第二连接焊盘。安装到目标衬底的后表面的驱动器集成电路(IC)可以直接与第二连接焊盘连接,或者可以通过单独的布线间接连接。
上述显示模块可以以平铺类型被布置为多个,以形成大型显示装置。换言之,多个显示模块可以被布置为使得多个显示模块形成大型显示装置。
作为平板显示器的示例,显示模块可以布置有分别为100μm或更小的多个微型发光二极管(也被称为微型LED或μLED),并且微型发光二极管可以是多个无机发光二极管(无机LED)。与需要背光的液晶显示(LCD)面板相比,本文中根据实施例的显示模块可以提高对比度、响应时间和能量效率。
微型LED以其快速的响应速率、低功耗、高亮度、长使用寿命等优点而被认为是显示器中下一代的发光器件。具体地说,与常规的液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)相比,微型LED在将电转换为光时表现出更高的效率。也就是说,与常规的LCD或OLED显示器相比,“每瓦亮度”更大。因此,微型LED可以以在常规的LED或OLED中发光所消耗的能量的大约一半发出相似亮度的光。此外,微型LED的尺寸可以小于常规的LED的尺寸,常规的LED的宽度、长度和高度可能超过100μm。此外,微型LED可以表现出更高的分辨率、出色的色彩、对比度和亮度、更宽的色彩范围,并且即使在明亮的阳光下也表现出清晰度。由于微型LED不易发生烙印现象并具有产生较少热量的特性,因此可以确保其使用寿命长而不会变形。
微型LED可以在相同的第一表面和发光表面上形成有阳极和阴极电极,并且可以在位于形成有电极的第一表面的相对侧的第二表面上形成有倒装芯片结构。
LED封装可以包括彼此发射不同颜色的至少两个微型LED以及安装有被切割成预定尺寸的微型LED的中间衬底(在下文中被称为“连接衬底”)。
LED封装可以分别在连接衬底的一个表面和位于连接衬底的该一个表面的相对侧的相对表面形成有布线。微型LED可以电偶接到连接衬底的该一个表面,并且该相对表面可以电偶接到目标衬底。连接衬底可以被形成为多层,所形成的电极焊盘的尺寸(即,长度和宽度)可以没有限制,并且连接衬底可以根据TFT衬底的配置而耦接到各种形式。
形成LED封装的连接衬底可以不安装有除微型LED以外的单独的电子器件,并且可以起到将每个微型LED与目标衬底互换地电耦接的通道作用。
连接衬底可以形成有至少一个通孔。这样,设置在连接衬底的该一个表面上的每个微型LED可以通过通孔电耦接到形成在连接衬底的该相对表面上的单独电极焊盘或公共电极焊盘。
连接衬底也可以在边缘部分形成有侧表面布线,该侧表面布线用于将分别形成在连接衬底的该一个表面和该相对表面的布线电耦接。在这种情况下,连接衬底可以包括通孔和侧表面布线两者。
连接衬底可以由诸如聚酰亚胺(PI)衬底、玻璃衬底或硅晶片之类的绝缘体形成。
考虑到用于提高图像质量和均匀性的布置,当执行重排(shuffling)工艺时,可以将LED封装传送并布置到转移衬底的适当位置。
基于多个微型LED电连接到连接衬底,LED封装可以执行对LED封装的电致发光(EL)测试。这样,可以通过EL测试容易地检测出有缺陷的LED封装(例如,检测安装在每个LED封装上的多个微型LED是否有缺陷或低于标准)。可以通过从转移衬底上移除所有检测到的有缺陷的LED封装并将正常的LED封装替换到移除了检测到的有缺陷的LED封装的空位置来实现零缺陷显示模块。
可以通过拾取和放置方法、压印方法或激光转移方法将LED封装从转移衬底转移到目标衬底。然而,转移的方法不限于此。
显示模块可以安装并应用于需要显示器作为单个单元的可穿戴设备、便携式设备、手持式设备以及各种电子产品或电子设备,并且可以通过矩阵形式的多个组装布置而应用于显示设备,诸如用于个人计算机(PC)的监视器、高分辨率TV和标牌。
下面将参照图1来描述根据实施例的包括多个LED封装的显示模块。
图1是示出了根据实施例的包括LED封装的显示模块的截面图的示意图。
显示模块100可以包括透明衬底200、形成在透明衬底200的一个表面的TFT层210、以及被布置为电耦接到TFT层210的多个LED封装150。包括透明衬底200和TFT层210两者的结构可以被称为“TFT衬底”、“TFT背板”或“目标衬底”。在本文中所描述的实施例中,该结构被称为“目标衬底”。
多个LED封装150可以按预定间距布置在TFT层210上。显示模块100还可以包括形成在多个LED封装150中的各个LED封装之间的黑矩阵230。显示模块100可以包括覆盖多个LED封装150和黑矩阵230的保护层240。保护层可以由透明材料形成。
多个LED封装150可以形成显示像素。多个LED封装150可以包括:至少两个或更多个微型LED 131、132和133,它们彼此发射不同颜色的光;以及连接衬底110,将微型LED131、132和133与TFT层210电耦接。微型LED 131、132和133中的每一个可以是形成一个显示像素的子像素。
连接衬底110可以是转移衬底160(在图8中示出)的一部分。具体地,在外延衬底上外延生长的多个微型LED可以按预定间距传送到转移衬底。在此,该预定间距可以与在TFT层210上布置多个LED封装150的上述预定间距不同。
可以以预定图案布置传送到转移衬底的多个微型LED。该图案可以使用预定数量的微型LED作为子像素,以形成单个显示像素。
因此,当布置有多个微型LED的转移衬底被切割为大约与单个显示像素相对应的尺寸时,可以制造包括连接衬底110以及形成单个显示像素的多个微型LED 131、132和133在内的LED封装150,其中微型LED电耦接到连接衬底110。
连接衬底110可以在连接衬底110的一个表面上形成有第一布线111,第一布线111电连接到多个微型LED 131、132和133。连接衬底110还可以在连接衬底110的相对表面(与所述一个表面相对的表面)上形成有第二布线113,第二布线113电连接到TFT层210。
第一布线111可以形成有多个第一电极焊盘,这些第一电极焊盘与多个微型LED131、132和133的每个阳极和阴极电极131a、131b、132a、132b、133a和133b(如图6中所示)连接。第二布线113也可以形成有与TFT层210的电极焊盘电耦接的多个第一电极焊盘。
另外,连接衬底110可以包括至少一个通孔115,并且通孔可以配置有导体,以便将第一布线111与第二布线113电耦接。
另外,连接衬底110可以在连接衬底110的边缘部分形成有侧表面布线,以便也将第一布线111与第二布线113彼此电耦接。可以在将导电材料沉积到连接衬底110的边缘部分之后形成侧表面布线,并且可以用激光束去除导电材料,从而留下一部分导电材料用作侧表面布线。另外,可以通过以预定宽度将导电材料印刷到布线上来形成侧表面布线。
安装在一个连接衬底110上的作为子像素的多个微型LED 131、132和133已被描述为形成单个显示像素,但是实施例不限于此。多个微型LED 131、132和133可以形成两个或更多个显示像素,并且可以设置在一个连接衬底110上。
图2A是示出了根据实施例的LED封装的示图。根据实施例,LED封装150′可以在一个连接衬底110′上设置有两个显示像素G1和G2(即,每个像素形成有三个微型LED 131′、132′和133′)。在此,每个显示像素G1和G2可以被布置为以显示间距P1间隔开。例如,图2A中所示的LED封装150′的连接衬底110′可以被形成为使得连接衬底的长度比连接衬底的宽度长。然而,实施例不限于此。LED封装150′的连接衬底110′可以被形成为使得长度和宽度彼此相等。
可以利用无源矩阵(PM)驱动方法在连接衬底110′上操作均为子像素的多个微型LED 131′、132′和133′。可以利用有源矩阵(AM)驱动方法在目标衬底上操作多个LED封装150′。PM驱动方法是用于向在水平方向和竖直方向上交叉的电极连续施加电压的方法。AM驱动方法是当每个像素包括TFT和电极时直接单独地驱动每个像素的方法,其中TFT对每个像素起到开关作用,并且电容器在预定时间(例如,一帧)内存储信息。
图2B是示出了根据另一实施例的LED封装的示图。参照图2B,LED封装150”可以在一个连接衬底110″上设置有两个显示像素G1和G3(即,每个像素形成有三个微型LED 131″、132″和133″)。这类似于图2A中所示的LED封装150′。在此,每个显示像素G1和G3可以被布置为以显示间距P2间隔开。与LED封装150′相反,LED封装150″可以被形成为使得连接衬底110″的宽度比连接衬底110″的长度长。
图2C是示出了根据又一实施例的LED封装的示图。参照图2C,LED封装150″′可以在一个连接衬底110″′上设置有四个显示像素G1、G2、G3和G4(即,每个像素形成有三个微型LED 131″′、132″′和133″′)。在此,每个像素可以被布置为分别在水平方向和竖直方向上以预定的显示间距P1和P2间隔开。
在图2B和图2C中所示的实施例中,可以利用PM驱动方法在连接衬底上操作均为子像素的多个微型LED,并且可以利用AM驱动方法在目标衬底上操作多个LED封装。
另外,根据又一实施例的LED封装可以被配置为使得奇数个显示像素被布置在一个连接衬底上。
另外,形成单个显示像素的数个微型LED可以由发射至少两种不同颜色的微型LED形成。例如,可以通过组合红色/蓝色、红色/绿色、绿色/蓝色、红色/蓝色/绿色、红色/蓝色/白色、红色/绿色/蓝色/白色、红色/绿色/绿色/白色等各种颜色的微型LED来形成单个显示像素。然而,各种颜色的微型LED的组合不限于此。
图3是示出了根据实施例的LED封装转移设备的框图。
参照图3,LED封装转移设备1可以包括转移部分10,转移部分10用于将以预定布置设置在转移衬底160(图8中示出)上的多个LED封装150转移到目标衬底200(图9中示出)。LED封装转移设备1还可以包括台架20,台架20被设置为与转移部分10相邻并被配置为使目标衬底沿X轴、Y轴、Z轴移动。LED封装转移设备1可以包括:存储器30,被配置为存储多个LED封装中的每一个的特性信息;以及处理器40,被配置为基于所存储的特性信息来识别多个LED封装中的每一个要设置在转移衬底上的位置,并且控制转移部分10和台架20将多个LED封装转移到识别出的位置。
转移部分10可以通过激光剥离(LLO)方法同时将预定的LED封装从转移衬底转移到目标衬底200。
为了通过LLO方法进行转移工艺,转移部分10可以包括:激光振荡器300(如图13中所示),用于朝转移衬底照射激光束;以及台架,能够使转移衬底沿X轴、Y轴和Z轴移动并绕Z轴旋转。
台架20可以将目标衬底200夹持到台架20的顶表面,使得目标衬底200是可拆卸的,并且可以使目标衬底200在夹持状态下沿X轴、Y轴和Z轴移动并绕Z轴旋转。
存储器30可以被实现为闪存类型、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、硬盘类型、多媒体卡微型类型或卡类型存储器(例如,安全数字(SD)存储器、极限数字(XD)存储器等)中的至少一种。
另外,存储器30可以与处理器40电耦接,以与处理器40传输信号和信息。存储器30可以存储输入的或照射的多个LED封装的特性信息,并且处理器40可以访问存储在存储器30中的特性信息。
处理器40可以控制LED封装转移设备1的整体操作。也就是说,处理器40可以与转移部分10和台架20电耦接并可以控制每个组件。
例如,处理器40可以控制转移部分10和台架20以将多个LED封装传送到载体衬底50(参照图4),并且再次从载体衬底50传送到转移衬底。
在将多个LED封装150从载体衬底50传送到转移衬底时,可以使用多个LED封装的特性信息来布置要在转移衬底的整个区域上提供的相对均匀的特性。
也就是说,处理器40可以测试关于布置在载体衬底上的多个LED封装的特性,并且按照载体衬底的每个区域分析LED封装中包括的每个微型LED的亮度、波长等。分析结果可以存储在存储器30中。
当特性测试完成时,处理器40可以基于各个LED封装的位置和组合来执行仿真,以分析显示模块100的亮度和波长并在从载体衬底转移到转移衬底之前测试整体均匀性。
当通过仿真确定要布置在转移衬底上的多个LED封装的最佳布置时,处理器40还可以被配置为基于所确定的最佳布置来形成数据图(data map)。数据图可以存储在存储器30中。
基于数据图,可以通过拾取和放置方法、压印方法或LLO方法将载体衬底上的多个LED封装传送到转移衬底。
处理器40可以控制转移部分10和台架20以将布置在转移衬底上的多个LED封装150传送到目标衬底200。然而,实施例不限于由单个处理器40控制LED封装转移设备1的每一个组件,而是可以由多个处理器进行控制。另外,处理器40可以包括中央处理器(CPU)、控制器、应用处理器(AP)、通信处理器(CP)和ARM处理器中的一个或多个。
下面将参照图4至图10B顺序地描述根据实施例的LED封装转移工艺。
图4是示出了根据实施例的在载体衬底上的LED封装的示图。参照图4,多个连接衬底110可以按预定距离布置在载体衬底50上。在这种情况下,可以以矩阵形式布置多个连接衬底110。
连接衬底110可以形成有分别到所述一个表面和所述相对表面的第一布线111和第二布线113。在这种情况下,第一布线111和第二布线113可以通过通孔115进行电耦接。
在连接衬底110的一个表面上,可以形成能够电耦接到多个微型LED中的每一个的多个第一电极(如图6中所示)。在此,多个第一电极可以与第一布线111电耦接。另外,在连接衬底110的相对表面上,可以形成能够电耦接到TFT层210(参照图1)的多个第二电极。在此,多个第二电极可以与第二布线113电耦接。
载体衬底50可以用诸如石英的材料形成为透明衬底。在载体衬底50的一个表面上,可以形成多个连接衬底110和粘合剂层51,其中多个连接衬底110附接到粘合剂层51。在此,多个连接衬底110可以可拆卸地配置在粘合剂层51上。例如,粘合剂层51可以是压敏粘合剂(PSA)。
参照图5,可以将各向异性导电膜120层压到布置在载体衬底50上的多个连接衬底110的一个表面上,使得多个微型LED可以以电耦接的状态附接到连接衬底110的该一个表面。
参照图6,在经历了隔离工艺之后,可以将从生长衬底生长的多个微型LED 131、132和133安置在连接衬底上的各向异性导电膜120上。
可以以倒装芯片形式形成多个微型LED 131、132和133,并且阳极和阴极电极131a、131b、132a、132b、133a和133b中的每一个可以电耦接到形成在每个连接衬底110上的多个第一电极中的每一个。
在这种情况下,多个微型LED 131、132和133可以是分别发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的微型LED,并且三个微型LED 131、132和133可以是形成在显示像素处的子像素。
提供了形成一个显示像素的红色、绿色和蓝色微型LED 131、132和133的示例,然而,实施例不限于此,并且显示像素可以包括发射至少两种不同颜色的两个或更多个微型LED。例如,可以通过组合红色/蓝色、红色/绿色、绿色/蓝色、红色/蓝色/绿色、红色/蓝色/白色、红色/绿色/蓝色/白色、红色/绿色/绿色/白色等各种颜色的微型LED来形成单个显示像素。
参照图7,在将全部的多个微型LED 131、132和133都设置到载体衬底50上的每个连接衬底110之后,可以执行对多个微型LED 131、132和133的EL测试。
EL测试是使用探针的无损检查方法,并且可以通过测量设置在载体衬底上的电致发光特性来识别微型LED的操作特性。
在如上所述的EL测试之后,可以通过筛选工艺确定包括指示低于预定阈值的特性的微型LED或不发光的有缺陷的微型LED在内的LED封装。
然后,可以根据相关色温(CCT)或根据经历了装色(color binning)工艺的发光颜色精确地划分通过筛选工艺的LED封装。
通过进行EL测试、筛选工艺和装色工艺而获得的测试结果数据可以存储在LED封装转移设备1的存储器30中。
处理器40可以被配置为基于测试结果数据针对从载体衬底50传送到转移衬底160的多个LED封装150生成重排数据,以使其布置为在转移衬底160上具有一定的整体均匀亮度。
参照图8,可以将载体衬底50上的多个LED封装150传送到转移衬底160。在这种情况下,可以基于上述重排数据将多个LED封装150布置为在转移衬底160上具有一定的整体均匀亮度。
转移衬底160可以是玻璃衬底或硅晶片。转移衬底160可以在一个表面上形成有粘合剂层161,多个LED封装150可以以可容易地与转移衬底160分离的方式附接到该一个表面。在这种情况下,粘合剂层161可以是压敏粘合剂(PSA)。
传送到转移衬底160的多个LED封装150可以通过多个微型LED暴露,并且连接衬底的所述相对表面可以附接到转移衬底。
参照图9,可以将设置在转移衬底160上的多个LED封装150转移到目标衬底200。在此,因为多个微型LED 131、132和133处于暴露状态,所以可以通过拾取和放置转移工艺或压印转移工艺将多个LED封装150从转移衬底160转移到目标衬底200。
通过将多个LED封装150转移到目标衬底200的预定位置,可以形成显示模块100的基本结构。
参照图10A,根据实施例,显示模块100可以在TFT层210上的多个LED封装150中的各个LED封装之间形成黑矩阵230。黑矩阵230阻止光从彼此相邻的每个LED封装的外围区域泄漏,以提高对比度。
参照图10B,在将黑矩阵230设置在显示模块中之后,可以形成成型部分241以保护显示模块100的多个LED封装150和黑矩阵230。成型部分241可以是透明树脂材料。另外,尽管在附图中未示出,但是可以在成型部分241上堆叠触摸屏。
在显示模块100中形成黑矩阵230之后,可以在上述成型部分241的顶部上形成覆盖多个LED封装150和黑矩阵230两者的保护层240(如图1中所示),以保护多个LED封装和黑矩阵。在这种情况下,在形成成型部分241以覆盖多个LED封装150和黑矩阵230两者之后,可以在成型部分241上堆叠保护层240或触摸屏。
在用于转移LED封装的拾取和放置转移工艺或压印转移工艺中,从转移衬底拾取多个LED封装之后的拾取器可以使多个LED封装朝目标衬底侧移动,以将多个LED封装放置到目标衬底的预定位置。
根据另一实施例的LED封装转移工艺可以通过激光转移工艺来进行。
与拾取和放置转移工艺或压印转移工艺不同,在激光转移工艺的情况下,不使用拾取器而是使用激光束进行转移。此外,在激光转移工艺中,转移衬底的设置有多个LED封装的一个表面可以被设置为面向目标衬底的多个LED封装可以转移到的一个表面,并且转移衬底可以位于照射激光束的激光振荡器与目标衬底之间。
为了制造适合于激光转移工艺的转移衬底,可以向适用于拾取和放置转移工艺或压印转移工艺的转移衬底的制造工艺添加一些工艺,并且下文将详细描述该实施例。
图11至图14是顺序地示出了根据实施例的包括LED封装的显示模块的制造工艺的示图。
在图11中,可以基于上述重排数据将设置在载体衬底50上的多个LED封装150转移到附加载体衬底170,以具有整体均匀亮度。在这种情况下,可以通过将连接衬底的未设置有微型LED的相对表面附接到附加载体衬底170来形成多个LED封装150。
附加载体衬底170可以由透明材料形成,以便多个LED封装150通过激光束传送到转移衬底180。
参照图12,为了将附加载体衬底170的多个LED封装传送到转移衬底180,附加载体衬底170和转移衬底180可以被设置为彼此面对。在这种情况下,可以将设置在附加载体衬底170的多个LED封装中的多个LED放置成与转移衬底180的一个表面紧密接触。
在上述状态下,当向附加载体衬底170的相对表面(即,未设置LED封装的表面)照射激光束时,多个LED封装150可以由于激光束的热量而与附加载体衬底170的粘合剂层171分离,并且可以附接到转移衬底180的粘合剂层181。
转移到附加载体衬底170的多个LED封装150可以处于多个微型LED与转移衬底180的粘合剂层181接触的状态。
附加载体衬底170的粘合剂层171和转移衬底180的粘合剂层181可以是压敏粘合剂(PSA)。
转移衬底180可以由透明材料形成,以通过激光束将多个LED封装150传送到目标衬底200。
参照图13,为了将转移衬底180上的多个LED封装150传送到目标衬底200,转移衬底180可以被配置为面向目标衬底200。在这种情况下,转移衬底180可以被配置为使得多个LED封装150面向目标衬底200上要转移的表面。
可以将掩模190设置在转移衬底180的相对表面(即,未设置LED封装的表面)上。
掩模190可以限制从激光振荡器300朝转移衬底180照射的激光束的照射区域。在此,掩模190可以设置有多个开口191,以使激光束从中穿过。
可以通过X-Y平面移动中的单独台架分别将转移衬底180和目标衬底200设置到转移位置。
然后,当朝转移衬底180照射激光束时,穿过掩模190的开口191的激光束可以透射到转移衬底180并加热粘合剂层181。
参照图14,位于转移衬底180中被激光束照射的区域的LED封装150可以与转移衬底180的粘合剂层181分离并转移到TFT层210。另外,如果使用线扫描方法照射激光束,则多个LED封装可以基本同时地(即,以非常短的时间间隔连续地)转移到TFT层210。
转移到TFT层210的LED封装150可以与设置在TFT层210上的每个电极焊盘电耦接,其中TFT层210设置在连接衬底的所述相对表面上。
尽管已利用本公开的各种示例实施例示出和描述了本公开的实施例,但是本公开不限于本文中所描述的具体实施例。本领域技术人员将理解的是,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (15)
1.一种显示模块,包括:
衬底;
薄膜晶体管TFT层,设置在所述衬底的表面上;
多个LED封装,包括连接衬底和设置在所述连接衬底的第一表面上的多个LED;以及
布线,被配置为将所述TFT层与所述多个LED电连接,
其中所述布线包括:第一布线,用于与所述连接衬底的所述第一表面上的所述多个LED电耦接;以及第二布线,用于与所述连接衬底的第二表面上的所述TFT层电耦接。
2.根据权利要求1所述的显示模块,其中所述多个LED中的每一个的电极通过形成在所述连接衬底的所述第一表面上的第一电极焊盘与所述第一布线电耦接,以及
其中所述TFT层上的电极通过形成在所述连接衬底的所述第二表面上的第二电极焊盘与所述第二布线电耦接。
3.根据权利要求2所述的显示模块,其中所述多个LED封装中的每一个电耦接到形成在所述TFT层上的公共电极或单独电极。
4.根据权利要求1所述的显示模块,其中所述第一布线和所述第二布线通过至少一个通孔彼此电耦接。
5.根据权利要求1所述的显示模块,其中所述连接衬底还包括至少一个布线层。
6.根据权利要求1所述的显示模块,还包括:
成型部分,被配置为覆盖所述多个LED封装和所述衬底。
7.根据权利要求6所述的显示模块,其中所述成型部分覆盖暴露在所述多个LED封装之间的所述TFT层。
8.一种显示模块的制造方法,所述方法包括:
以预定尺寸分离形成有布线层的连接衬底;
将多个LED转移到分离后的连接衬底上;以及
将包括分离后的连接衬底和安装在分离后的连接衬底上的所述多个LED在内的LED封装转移到形成在目标衬底上的TFT层。
9.根据权利要求8所述的制造方法,还包括:在将所述连接衬底转移到载体衬底上之后,通过将所述多个LED安装到所述连接衬底来形成所述LED封装。
10.根据权利要求9所述的制造方法,还包括:在转移所述LED封装之前,将所述LED封装从所述载体衬底转移到转移衬底。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其中将所述LED封装转移到形成在所述目标衬底上的所述TFT层进一步包括:
通过拾取器从所述载体衬底拾取所述LED封装;
使所述拾取器移动到预定位置;以及
将所述LED封装沉积到所述目标衬底的所述TFT层上与所述预定位置相对应的位置。
12.根据权利要求10所述的制造方法,还包括:
在将所述LED封装转移到所述目标衬底的所述TFT层之前,将所述LED封装从所述载体衬底转移到被配置为面向所述载体衬底的附加载体衬底;以及
将所述LED封装从所述附加载体衬底以激光转移方式转移到所述目标衬底的所述TFT层。
13.根据权利要求8所述的制造方法,还包括:
在以预定间距设置到所述目标衬底的所述TFT层的多个LED封装之间形成黑矩阵。
14.根据权利要求13所述的制造方法,还包括:
用透明保护层覆盖所述多个LED封装和所述黑矩阵。
15.根据权利要求13所述的制造方法,还包括:
在所述连接衬底上形成成型部分以覆盖所述多个LED封装。
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