CN115763453A - 拼接显示面板和显示终端 - Google Patents

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CN115763453A
CN115763453A CN202211294704.5A CN202211294704A CN115763453A CN 115763453 A CN115763453 A CN 115763453A CN 202211294704 A CN202211294704 A CN 202211294704A CN 115763453 A CN115763453 A CN 115763453A
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杨超群
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种拼接显示面板和显示终端，该拼接显示面板包括背板及键合在背板上至少一第一封装体、至少一第二封装体及至少一第三封装体，第一封装体、第二封装体和第三封装体分别显示蓝光、红光和绿光；第一封装体、第二封装体及第三封装体均包括基底、集成在基底上且电连接的驱动电路及发光二极管芯片以及覆盖驱动电路及发光二极管芯片的第一封装层，本申请通过把发光二极管芯片以及其对应的驱动电路设置成单独的封装体，该单独的封装体的尺寸远大于单个发光二极管芯片的尺寸，如此能够降低发光二极管芯片的光学分Bin难度，从而缓解现有Micro LED芯片存在的光学分Bin困难的问题。

Description

拼接显示面板和显示终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种拼接显示面板和显示终端。
背景技术
微型发光二极管(micro light emitting diode，Micro LED)是新一代的显示技术，相较于现有的有机发光二极管显示(Organic Light emitting Display，OLED)技术，具有体积小、亮度更高、发光效率更好、且功率更低等优点。Micro LED技术将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1微米至10微米等级左右。然而正是由于Micro LED芯片的尺寸很小，使得Micro LED芯片的光学分Bin显得很困难。
发明内容
本申请提供一种拼接显示面板和显示终端，以缓解现有Micro LED芯片存在的光学分Bin困难的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种拼接显示面板，其包括背板及键合在所述背板上至少一第一封装体、至少一第二封装体及至少一第三封装体，所述第一封装体、所述第二封装体和所述第三封装体分别显示蓝光、红光和绿光；所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均包括：
基底；
驱动电路及发光二极管芯片；所述驱动电路与所述发光二极管芯片集成在所述基底上且电连接；及
第一封装层，覆盖所述驱动电路及所述发光二极管芯片；
其中，所述第二封装体还包括设置在所述第一封装层远离所述第二封装体的发光二极管芯片的一侧的红色量子点膜层以及设置在所述红色量子点膜层远离所述第一封装层的一侧的第二封装层，所述红色量子点膜层与所述第二封装体的所述发光二极管芯片位置相对。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第二封装体的发光二极管芯片发蓝光，所述第二封装体还包括设置在所述红色量子点膜层和所述第二封装层之间的第一蓝光吸收层。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第三封装体的发光二极管发绿光。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第三封装体的发光二极管芯片发蓝光；
所述第三封装体还包括：
绿色量子点膜层，设置在所述第一封装层远离所述第三封装体的发光二极管芯片的一侧；及
第三封装层，设置在所述绿色量子点膜层远离所述第一封装层的一侧；
所述绿色量子点膜层与所述第三封装体的所述发光二极管芯片位置相对。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第三封装体还包括：
第二蓝光吸收层，设置在所述绿色量子点膜层和所述第三封装层之间。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述发光二极管芯片发紫外光；
所述第二封装体包括：设置在所述第一封装层上的红色量子点膜层；及设置在所述红色量子点膜层上的第二封装层；
所述第三封装体包括：设置在所述第一封装层上的绿色量子点膜层；及设置在所述绿色量子点膜层上的第三封装层；
所述第一封装体包括：设置在所述第一封装层上的蓝色量子点膜层；及设置在所述蓝色量子点膜层上的第四封装层。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体还分别包括紫外光吸收层；
其中，所述第二封装体的紫外光吸收层设置在所述红色量子点膜层和所述第二封装层之间；所述第三封装体的紫外光吸收层设置在所述绿色量子点膜层和所述第三封装层之间；所述第一封装体的紫外光吸收层设置在所述蓝色量子点膜层和所述第四封装层之间。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括复合膜层，所述复合膜层分别位于所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述复合膜层为对应的所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的顶层膜层；
所述复合膜层包括第一保护层和第一平坦层，所述第一保护层的折射率低于所述第一平坦层的折射率，所述第一平坦层设置在所述第一保护层的远离所述基底的一侧。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第一保护层具有一第一开口，所述第一开口正对所述发光二极管芯片，所述第一平坦层至少部分位于第一开口内；
所述第一开口的侧壁相对于所述第一开口的底壁倾斜，所述第一开口的侧壁的坡角范围为30°至45°。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括第二保护层，所述第二保护层包括第二开口，所述第二开口与所述第一开口位置相对，所述第二保护层覆盖所述驱动电路，所述发光二极管芯片收容在所述第二开口内。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第二开口在所述基底上的正投影落在所述第一开口在所述基底上的正投影内。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第二开口的侧壁相对于所述第二开口的底壁倾斜，所述第二开口的侧壁的坡角范围为30°至45°。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括：
第二平坦层，位于第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述第二平坦层为对应的所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的顶层膜层；及
透镜，位于所述第二平坦层面向所述第一封装层的一侧，所述透镜与所述发光二极管芯片位置相对；
其中，所述透镜具有一圆弧面，所述圆弧面的圆心位于所述第二平坦层面向所述基底的一侧；
所述第二平坦层的折射率低于所述透镜的折射率。
在本申请实施例提供的拼接显示面板中，所述红色量子点膜层的边缘与所述第一封装层、所述第二封装层及所述基底的边缘平齐。
本申请实施例还提供一种显示终端，其包括本体及前述实施例其中之一的拼接显示面板，所述拼接显示面板固定在所述本体上。
本申请的有益效果为：本申请提供的拼接显示面板和显示终端中，拼接显示面板包括背板及键合在所述背板上至少一第一封装体、至少一第二封装体及至少一第三封装体，所述第一封装体、所述第二封装体和所述第三封装体分别显示蓝光、红光和绿光；所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均包括基底、集成在所述基底上且电连接的驱动电路及发光二极管芯片以及覆盖所述驱动电路及所述发光二极管芯片的第一封装层，本申请通过把发光二极管芯片以及其对应的驱动电路设置成单独的封装体，该单独的封装体的尺寸远大于单个发光二极管芯片的尺寸，如此能够降低发光二极管芯片的光学分Bin难度，从而解决了现有Micro LED芯片存在的光学分Bin困难的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的拼接显示面板的一种俯视结构示意图。
图2为本申请实施例提供的拼接显示面板的一种剖面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的拼接显示面板的另一种剖面结构示意图。
图4为本申请实施例提供的拼接显示面板的又一种剖面结构示意图。
图5为本申请实施例提供的第二封装体的一种剖面结构示意图。
图6为本申请实施例提供的第二封装体的另一种剖面结构示意图。
图7为图6中第二保护层的细节结构示意图。
图8为本申请实施例提供的第二封装体的又一种剖面结构示意图。
图9为本申请实施例提供的第二封装体的再一种剖面结构示意图。
图10为本申请实施例提供的拼接显示面板制备方法的流程示意图。
图11为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中制得的发光基板的俯视结构示意图。
图12为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中制得的第二子基板的膜层结构示意图。
图13为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中第二子基板与发光基板贴合的示意图。
图14为图13中去除转移基板后形成第二封装基板的示意图。
图15为在图14的第二封装基板上制备第一保护层的示意图。
图16为图15中的第二封装基板被切割后形成的第二封装体的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
请参照图1至图2，图1为本申请实施例提供的拼接显示面板的一种俯视结构示意图，图2为本申请实施例提供的拼接显示面板的一种剖面结构示意图。所述拼接显示面板100包括背板10及键合在所述背板10上至少一第一封装体20、至少一第二封装体30及至少一第三封装体40，所述第一封装体20、所述第二封装体30和所述第三封装体40分别显示蓝光、红光和绿光，以实现所述拼接显示面板100的彩色显示。
参照图1，所述背板10上示例性地示出多个所述第一封装体20、多个所述第二封装体30和多个所述第三封装体40，多个所述第一封装体20、多个所述第二封装体30和多个所述第三封装体40相互拼接形成所述拼接显示面板100。其中每个封装体(封装体包括所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40)即为一个子像素，比如所述第一封装体20为蓝色子像素B，所述第二封装体30为红色子像素R，所述第三封装体40为绿色子像素G。
具体地，参照图2，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40均包括基底以及集成在所述基底上且电连接的驱动电路及发光二极管芯片以及覆盖所述驱动电路及所述发光二极管芯片的第一封装层。所述发光二极管芯片包括Micro LED芯片、Mini LED芯片等。通过把所述发光二极管芯片与对应的所述驱动电路封装在一块作为一个单独的封装体，每个封装体可作为一个独立单元进行工作，多个封装体拼接在一块形成所述拼接显示面板100，即可实现所述拼接显示面板100的显示。当然地，多个封装体拼接在一块还可作为背光使用。封装体的尺寸远大于所述发光二极管芯片的尺寸，如此能够降低发光二极管芯片的光学分Bin难度，从而解决现有Micro LED芯片存在的光学分Bin困难的问题。
下面将通过具体实施例详细阐述封装体的具体结构：
继续参照图2，所述第一封装体20和所述第二封装体30的发光二极管芯片均发蓝光，所述第三封装体40的发光二极管芯片发绿光，则为了实现所述第二封装体30显示红光，所述第二封装体30还需设置对应的量子点膜。
具体地，所述第一封装体20包括第一基底21以及设置在所述第一基底21上的第一驱动电路22和第一发光二极管芯片23，所述第一驱动电路22和第一发光二极管芯片23电连接。为了保护所述第一驱动电路22和所述第一发光二极管芯片23，所述第一封装体20还包括包覆所述第一驱动电路22和所述第一发光二极管芯片23的第一封胶层24，以及覆于所述第一封胶层24上的第一封装层25。所述第一封装体20的所述第一发光二极管芯片23发蓝光，使得所述第一封装体20能够显示蓝光。
所述第二封装体30括第二基底31以及设置在所述第二基底31上的第二驱动电路32和第二发光二极管芯片33，所述第二驱动电路32和第二发光二极管芯片33电连接。为了保护所述第二驱动电路32和所述第二发光二极管芯片33，所述第二封装体30还包括包覆所述第二驱动电路32和所述第二发光二极管芯片33的第二封胶层34，以及覆于所述第二封胶层34上的第一封装层35。
所述第二封装体30的所述第二发光二极管芯片33发蓝光，则为了使所述第二封装体30显示红光，所述第二封装体30还包括设置在所述第一封装层35远离所述第二发光二极管芯片33的一侧的红色量子点膜层36以及设置在所述红色量子点膜层36远离所述第一封装层35的一侧的第二封装层38，所述红色量子点膜层36与所述第二封装体30的所述第二发光二极管芯片33位置相对。
可选地，所述红色量子点膜层36的边缘与所述第一封装层35、所述第二封装层38及所述第二基底31的边缘平齐，以使得在制备所述第二封装体30的所述红色量子点膜层36时能够采用全膜涂布，从而在所述红色量子点膜层36与所述第二发光二极管芯片33贴合时无需进行贴合对位。
进一步地，为了提升所述第二封装体30的所述红色量子点膜层36的色纯度，提升显示效果，所述第二封装体30还包括设置在所述红色量子点膜层36和所述第二封装层38之间的第一蓝光吸收层37，以吸收未被所述红色量子点膜层36转换的蓝光。
相应地，所述第三封装体40包括第三基底41以及设置在所述第三基底41上的第三驱动电路42和第三发光二极管芯片43，所述第三驱动电路42和第三发光二极管芯片43电连接。为了保护所述第三驱动电路42和所述第三发光二极管芯片43，所述第三封装体40还包括包覆所述第三驱动电路42和所述第三发光二极管芯片43的第三封胶层44，以及覆于所述第三封胶层44上的第一封装层45。所述第三封装体40的所述第三发光二极管芯片43发绿光，使得所述第三封装体40能够显示绿光。
在本实施例中，通过把发光二极管芯片以及其对应的驱动电路封装成独立的封装体，以降低发光二极管芯片的光学分Bin难度。同时当把发光二极管芯片以及其对应的驱动电路作为一个整体键合到所述背板10上时即可实现背光或者直接显示。如此原本复杂的驱动背板设计因为驱动电路全部转移到封装体上而变得简单，而且在面对不同尺寸的产品需求时，只需要对背板设计进行简单的修改即可实现，无需改变Mask设计，从而可大幅度降低成本，并极大提升背板良率。另外，由于所述第二封装体30采用发蓝光的所述第二发光二极管芯片33搭配所述红色量子点膜层36以实现显示红光，如此能够避免使用发红光的发光二极管芯片，提升红光的出光效率。
在一种实施例中，请参照图1至图3，图3为本申请实施例提供的拼接显示面板的另一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在本实施例的拼接显示面板101中，所述第三封装体40的发光二极管芯片发蓝光，而为了实现所述第三封装体40显示绿光，所述第三封装体40还包括设置在所述第一封装层45上的绿色量子点膜层46以及设置在所述绿色量子点膜层46上的第三封装层48。所述绿色量子点膜层46与所述第三封装体40的所述第三发光二极管芯片43位置相对。
进一步地，为了提升所述第三封装体40的所述绿色量子点膜层46的色纯度，提升显示效果，所述第三封装体40还包括设置在所述绿色量子点膜层46和所述第三封装层48之间的第二蓝光吸收层47，以吸收未被所述绿色量子点膜层46转换的蓝光。
在本实施例中，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40的发光二极管芯片均发蓝光，即所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40采用相同颜色的发光二极管芯片，如此能够降低驱动电路的设计难度。因为当用不同颜色的发光二极管芯片做封装体时，封装体需要搭配不同的驱动电路设计，使得封装体的驱动电路设计就会复杂化。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图1至图4，图4为本申请实施例提供的拼接显示面板的又一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在本实施例的拼接显示面板102中，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40的发光二极管芯片均发紫外光，即所述第一发光二极管芯片23、所述第二发光二极管芯片33以及所述第三发光二极管芯片43均发紫外光。如此所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40为了实现分别显示蓝光、红光和绿光，均需要搭配相应颜色的量子点膜层。
具体而言，所述第二封装体30包括设置在所述第一封装层35上的红色量子点膜层36及设置在所述红色量子点膜层36上的第二封装层38。所述第三封装体40包括设置在所述第一封装层45上的绿色量子点膜层46及设置在所述绿色量子点膜层46上的第三封装层48。所述第一封装体20包括设置在所述第一封装层25上的蓝色量子点膜层26及设置在所述蓝色量子点膜层26上的第四封装层28。
同样地，为了提升各封装体内量子点膜层的色纯度，提升显示效果，各封装体均还包括紫外光吸收层。具体而言，所述第二封装体30的紫外光吸收层39设置在所述红色量子点膜层36和所述第二封装层38之间；所述第三封装体40的紫外光吸收层49设置在所述绿色量子点膜层46和所述第三封装层48之间；所述第一封装体20的紫外光吸收层27设置在所述蓝色量子点膜层26和所述第四封装层28之间。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图1至图5，图5为本申请实施例提供的第二封装体的一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40均还包括复合膜层，所述复合膜层分别位于所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述复合膜层为对应的所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40的顶层膜层。本申请实施例以所述拼接显示面板101中的所述第二封装体30为例说明所述复合膜层的结构和作用：
参照图5，所述复合膜层包括第一保护层51和第一平坦层52，所述第一平坦层52设置在所述第一保护层51的远离所述第二基底31的一侧，所述第一保护层51的折射率低于所述第一平坦层52的折射率，所述第一保护层51的材料包括灰色光阻等。所述第一保护层51具有一第一开口511，所述第一开口511正对所述第二发光二极管芯片33，所述第一平坦层52至少部分位于第一开口511内。
如此通过设置具有所述第一开口511的所述第一保护层51，所述第一保护层51能够遮挡所述第二发光二极管芯片33的大视角出光，避免相邻的封装体之间出现串色。同时所述第一保护层51上的所述第一开口511正对所述第二发光二极管芯片33，以避免所述第一保护层51遮挡所述第二发光二极管芯片33的出光。同时所述第一开口511的尺寸比所述第二发光二极管芯片33的尺寸大1微米至10微米，以保证所述第一保护层51避免相邻封装体串色的需求。
另外，由于所述第一保护层51的折射率小于所述第一平坦层52的折射率，可使得从所述红色量子点膜层36出射的大视角光线经过所述第一保护层51以及所述第一平坦层52后，向中间靠拢，以收敛出光角度，提高正视角亮度，进而增加所述第二封装体30的出光效果。
可选地，所述第一开口511的侧壁5111相对于所述第一开口511的底壁5112倾斜，所述第一开口511的侧壁5111的坡角a范围为30°至45°，以更好地收敛大视角光线的出光角度，从而进一步增加所述第二封装体30的出光效果。其中所述第一开口511的侧壁5111是指所述第一保护层51形成所述第一开口511的表面，所述第一开口511的底壁5112是指所述第一开口511裸露出的膜层表面，如图5所示，所述第一开口511的底壁5112即是指所述第一开口511裸露出的所述第二封装层38的表面。
需要说明的是，所述第一封装体20上的复合膜层结构以及所述第三封装体40上的复合膜层结构可参照所述第二封装体30上复合膜层结构的描述，在此不再赘述。而关于所述拼接显示面板101的其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图1至图7，图6为本申请实施例提供的第二封装体的另一种剖面结构示意图，图7为图6中第二保护层的细节结构示意图。与上述实施例不同的是，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40均还包括第二保护层，本实施例同样以所述拼接显示面板101中的所述第二封装体30为例说明所述第二保护层的结构和作用。
参照图6，所述第二保护层53覆盖所述第二驱动电路32，以保护所述第二驱动电路32，同时还能降低所述第二驱动电路32的表面反射率。可选地，所述第二保护层53的材料包括灰色光阻等。
所述第二保护层53包括第二开口531，所述第二开口531与所述第一开口511位置相对，所述第二发光二极管芯片33收容在所述第二开口531内。同时所述第二开口531在所述第二基底31上的正投影落在所述第一开口511在所述第二基底31上的正投影内，使所述第一开口511的尺寸W2大于所述第二开口531的尺寸W1，以避免所述第一开口511影响所述第二发光二极管芯片33的出光。
进一步地，所述第二封胶层34覆盖所述第二保护层53以及所述第二发光二极管芯片33并填充所述第二开口531，所述第二保护层53的折射率小于所述第二封胶层34的折射率，比如所述第二封胶层34的折射率大于1.6，如此可使得从所述第二发光二极管芯片33发出的大视角光线经过所述第二保护层53以及所述第二封胶层34后，向中间靠拢，以收敛出光角度，提高正视角亮度，进而增加所述第二封装体30的出光效果。
可选地，所述第二开口531的侧壁5311相对于所述第二开口531的底壁5312倾斜，所述第二开口531的侧壁5311的坡角b范围为30°至45°，以更好地收敛大视角光线的出光角度，从而进一步增加所述第二封装体30的出光效果。其中所述第二开口531的侧壁5311是指所述第二保护层53形成所述第二开口531的表面，所述第二开口531的底壁5312是指所述第二开口531裸露出的膜层表面，如图7所示，所述第二开口531的底壁5312即是指所述第二开口531裸露出的所述第二基底31的表面。
同样地，所述第一封装体20上的第二保护层结构以及所述第三封装体40上的第二保护层结构均可参照所述第二封装体30上第二保护层53结构的描述，在此不再赘述。而关于所述拼接显示面板101的其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图1至图8，图8为本申请实施例提供的第二封装体的又一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40均还包括透镜和第二平坦层。所述第二平坦层位于第一封装体20、所述第二封装体30及所述第三封装体40的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述第二平坦层为对应的所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的顶层膜层。所述透镜位于所述第二平坦层面向所述第一封装层的一侧，所述第二平坦层覆盖所述透镜，所述透镜与所述发光二极管芯片位置相对。本实施例同样以所述拼接显示面板101中的所述第二封装体30为例说明所述透镜和第二平坦层的结构和作用：
参照图8，所述透镜61设置在所述第二封装体30的所述第二封装层38上，所述透镜61与所述第二发光二极管芯片33的位置相对，且所述透镜61的尺寸比所述第二发光二极管芯片33的尺寸大1微米至10微米，以使所述发光二极管芯片的出射光线均能达到所述透镜61。
所述透镜61具有一圆弧面，所述圆弧面的圆心位于所述第二平坦层62面向所述第二基底31的一侧，如此在沿光线的出射方向上，所述透镜61为凸透镜61，从而能够使得从所述红色量子点膜层36出射的大视角光线经过所述透镜61后，向中间靠拢，以收敛出光角度，提高正视角亮度，进而增加所述第二封装体30的出光效果。
进一步地，所述第二平坦层62覆于所述透镜61以及所述第二封装体30的所述第二封装层38上，所述第二平坦层62的折射率低于所述透镜61的折射率，比如所述第二平坦层62的折射率小于1.5。可选地，所述第二平坦层62的材料包括灰色光阻等。
同样地，所述第一封装体20上的透镜和第二平坦层的结构和作用以及所述第三封装体40上的透镜和第二平坦层的结构和作用可参照所述第二封装体30上透镜61和第二平坦层62的结构和作用的描述，在此不再赘述。而关于所述拼接显示面板101的其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在另一种实施例中，所述第二封装体30的所述透镜61还可与所述第二封装体30的所述第二保护层53配合，以进一步增加所述第二封装体30的出光效果。具体请参照图1至图9，图9为本申请实施例提供的第二封装体的再一种剖面结构示意图。所述透镜61正对所述第二保护层53的第二开口531设置，且所述透镜61的尺寸W3大于所述第二开口531的尺寸W1，以使所述第二发光二极管芯片33发出的光线大部分都能经过所述透镜61。
在一种实施例中，本申请实施例还提供一种拼接显示面板制备方法，请参照图图1至图16，图10为本申请实施例提供的拼接显示面板制备方法的流程示意图，图11为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中制得的发光基板的俯视结构示意图，图12为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中制得的第二子基板的膜层结构示意图，图13为本申请实施例中拼接显示面板制备方法中第二子基板与发光基板贴合的示意图，图14为图13中去除转移基板后形成第二封装基板的示意图，图15为在图14的第二封装基板上制备第一保护层的示意图，图16为图15中的第二封装基板被切割后形成的第二封装体的示意图。所述拼接显示面板制备方法包括以下步骤：
S301：在基底1上制备驱动电路2，并在基底1上制备发光二极管芯片3，使所述发光二极管芯片3与对应的驱动电路2电连接，以形成发光基板200；
具体地，参照图11，在基底1上制备驱动电路2，所述驱动电路2阵列排布在所述基底1上，且相邻的所述驱动电路2之间具有间隔，使得每个所述驱动电路2为一个独立的驱动单元。所述发光二极管芯片3也设置在所述基底1上，且与对应的所述驱动电路2电连接，每个所述发光二极管芯片3对应一个驱动单元，也即每个所述发光二极管芯片3对应一个单独的所述驱动电路2，使得所述驱动电路2能够驱动对应的所述发光二极管芯片3单独发光。
S302：分别制备第一子基板、第二子基板以及第三子基板，所述第一子基板、所述第二子基板以及所述第三子基板均包括制备在转移基板上的牺牲层以及制备在所述牺牲层远离所述转移基板一侧的第一封装层，其中所述第二子基板还包括制备在所述牺牲层与所述第一封装层之间的第二封装层和红色量子点膜层，所述红色量子点膜层位于所述第二封装层远离所述牺牲层的一侧；
具体地，本实施例以制备所述第二子基板为例说明，参照图12，所述第二子基板的制备方法包括以下步骤：
在转移基板70上涂布热解黏或者UV解黏材料并固化，以形成牺牲层71；
在所述牺牲层71上整面涂布透明保护材料以形成整层的第二封装层38；
在所述第二封装层38上整面涂布红色量子点材料以形成整层的红色量子点膜层36；
在所述红色量子点膜层36上整面涂布透明保护材料以形成整层的第一封装层35。
需要说明的是，所述第一子基板和所述第三子基板的制备方法可参照所述第二子基板300的制备方法，不同之处在于，当所述第一子基板和所述第三子基板不需要量子点膜层时，直接在所述牺牲层上制备第一封装层即可。而且所述第一子基板、所述第二子基板以及所述第三子基板制备的先后顺序不做限定。
另外，为了提高所述第二子基板300上所述红色量子点膜层36的光纯度，所述第二子基板300上还可制备第一蓝光吸收层37，所述第一蓝光吸收层37位于所述第二封装层38和所述红色量子点膜层36之间。
S303：分别把所述第一子基板、所述第二子基板以及所述第三子基板贴合在对应的所述发光基板上，并去除所述转移基板，以形成第一封装基板、第二封装基板和第三封装基板；
具体地，参照图13和图14，同样地，本实施例以所述第二子基板与所述发光基板贴合形成第二封装基板为例说明，在所述发光基板200上涂布封胶层4，所述封胶层4覆盖所述驱动电路2和所述发光二极管芯片3。使所述第二封装基板400上的所述第一封装层35面向所述封胶层4，将所述第二封装基板400与所述发光基板200贴合，如图13所示。由于所述第二封装基板400上的各膜层均为采用全膜涂布，使得所述第二封装基板400上形成的均是整面的膜层，如此在使所述第二封装基板400与所述发光基板200贴合时无需贴合对位。
进一步地，所述第二封装基板400与所述发光基板200贴合后，根据所述牺牲层71使用的材料的特性，采用UV光照或者热处理使所述牺牲层71的粘性下降，以剥离掉所述转移基板70，进而形成厚度较薄的第二封装基板400，如图14所示。
进一步地，结合参照图5和图15，为了限制所述发光二极管芯片3的出光范围，还可在所述第二封装基板400上制备第一保护层51，所述第一保护层51涂布在所述第二封装层38远离所述红色量子点膜层36的一侧。所述第一保护层51在对应所述发光二极管芯片3的位置设置有第一开口511，且每个所述第一开口511对应一个所述发光二极管芯片3。需要说明的是，图15仅为示意所述第一保护层51上所述第一开口511的排布，以及所述第一开口511与所述发光二极管芯片3的对应关系，每个所述发光二极管芯片3即为一个子像素，图15仅以红色子像素R示意所述发光二极管芯片3与所述第一开口511的对应关系。
进一步地，为了提高所述第二封装基板400上每个所述发光二极管芯片3的正视角出光亮度，还可在所述第一保护层51上涂布第一平坦层52，所述第一平坦层52覆盖所述第一保护层51并填充所述第一开口511，如图5所示。所述第一平坦层52的折射率大于所述第一保护层51的折射率，以使所述发光二极管芯片3的大视角光线向中间汇聚，收敛大视角光线的角度，进而提高正视角出光亮度。
S304：分别对所述第一封装基板、所述第二封装基板400以及所述第三封装基板进行切割，以形成第一封装体20、第二封装体30和第三封装体40；
具体地，本实施例同样以切割所述第二封装基板400以形成所述第二封装体30为例说明，结合参照图15和图16，对所述第二封装基板400进行切割，以形成如图16所示的单个的第二封装体30，所述第二封装体30显示红光。为了清楚示出每个所述第二封装体30上所述第一保护层51的结构，图16未绘示所述第一保护层51上的所述第一平坦层52。
需要说明的是，图15所示的单个的所述第二封装体30的剖面结构如图5所示，在图5中为了区分所述第二封装体30与所述第一封装体20以及所述第三封装体40的膜层结构，对各膜层的命名做了区分，比如图5中所述第二封装体30的第二基底31即对应图14中第二封装基板400中的基底1，图5中所述第二封装体30的第二驱动电路32即对应图14中第二封装基板400中的驱动电路2，图5中所述第二封装体30的第二发光二极管芯片33即对应图14中第二封装基板400中的发光二极管芯片3，图5中所述第二封装体30的第二封胶层34即对应图14中第二封装基板400中的封胶层4。
另外，所述第一封装体20和所述第三封装体40的形成方法可参照所述第二封装体30的形成方法，在此不再赘述。其中所述第一封装体20显示蓝光，所述第三封装体40显示绿光。
S305：把至少一个所述第一封装体20、至少一个所述第二封装体30以及至少一个所述第三封装体40键合在背板10上以形成拼接显示面板100。
具体地，采用键合技术把至少一个所述第一封装体20、至少一个所述第二封装体30以及至少一个所述第三封装体40键合在所述背板10上，使所述第一封装体20、所述第二封装体30以及所述第三封装体40阵列排布并相互拼接，形成如图1所示的拼接显示面板100。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示终端，所述显示终端包括本体及前述实施例其中之一的拼接显示面板，所述拼接显示面板固定在所述本体上。所述显示终端包括手机、平板、电视等电子设备。
根据上述实施例可知：
本申请提供一种拼接显示面板和显示终端中，拼接显示面板包括背板及键合在所述背板上至少一第一封装体、至少一第二封装体及至少一第三封装体，所述第一封装体、所述第二封装体和所述第三封装体分别显示蓝光、红光和绿光；所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均包括基底、集成在所述基底上且电连接的驱动电路及发光二极管芯片以及覆盖所述驱动电路及所述发光二极管芯片的第一封装层，本申请通过把发光二极管芯片以及其对应的驱动电路设置成单独的封装体，该单独的封装体的尺寸远大于单个发光二极管芯片的尺寸，如此能够降低发光二极管芯片的光学分Bin难度，从而解决了现有Micro LED芯片存在的光学分Bin困难的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种拼接显示面板，其特征在于，包括背板及键合在所述背板上至少一第一封装体、至少一第二封装体及至少一第三封装体，所述第一封装体、所述第二封装体和所述第三封装体分别显示蓝光、红光和绿光；所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均包括：
基底；
驱动电路及发光二极管芯片；所述驱动电路与所述发光二极管芯片集成在所述基底上且电连接；及
第一封装层，覆盖所述驱动电路及所述发光二极管芯片；
其中，所述第二封装体还包括设置在所述第一封装层远离所述第二封装体的发光二极管芯片的一侧的红色量子点膜层以及设置在所述红色量子点膜层远离所述第一封装层的一侧的第二封装层，所述红色量子点膜层与所述第二封装体的所述发光二极管芯片位置相对。
2.根据权利要求1所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第二封装体的发光二极管芯片发蓝光，所述第二封装体还包括设置在所述红色量子点膜层和所述第二封装层之间的第一蓝光吸收层。
3.根据权利要求2所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第三封装体的发光二极管发绿光。
4.根据权利要求2所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第三封装体的发光二极管芯片发蓝光；
所述第三封装体还包括：
绿色量子点膜层，设置在所述第一封装层远离所述第三封装体的发光二极管芯片的一侧；及
第三封装层，设置在所述绿色量子点膜层远离所述第一封装层的一侧；
所述绿色量子点膜层与所述第三封装体的所述发光二极管芯片位置相对。
5.根据权利要求4所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第三封装体还包括：
第二蓝光吸收层，设置在所述绿色量子点膜层和所述第三封装层之间。
6.根据权利要求1所述的拼接显示面板，其特征在于，所述发光二极管芯片发紫外光；
所述第二封装体包括：设置在所述第一封装层上的红色量子点膜层；及设置在所述红色量子点膜层上的第二封装层；
所述第三封装体包括：设置在所述第一封装层上的绿色量子点膜层；及设置在所述绿色量子点膜层上的第三封装层；
所述第一封装体包括：设置在所述第一封装层上的蓝色量子点膜层；及设置在所述蓝色量子点膜层上的第四封装层。
7.根据权利要求6所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体还分别包括紫外光吸收层；
其中，所述第二封装体的紫外光吸收层设置在所述红色量子点膜层和所述第二封装层之间；所述第三封装体的紫外光吸收层设置在所述绿色量子点膜层和所述第三封装层之间；所述第一封装体的紫外光吸收层设置在所述蓝色量子点膜层和所述第四封装层之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括复合膜层，所述复合膜层分别位于所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述复合膜层为对应的所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的顶层膜层；
所述复合膜层包括第一保护层和第一平坦层，所述第一保护层的折射率低于所述第一平坦层的折射率，所述第一平坦层设置在所述第一保护层的远离所述基底的一侧。
9.根据权利要求8所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第一保护层具有一第一开口，所述第一开口正对所述发光二极管芯片，所述第一平坦层至少部分位于第一开口内；
所述第一开口的侧壁相对于所述第一开口的底壁倾斜，所述第一开口的侧壁的坡角范围为30°至45°。
10.根据权利要求9所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括第二保护层，所述第二保护层包括第二开口，所述第二开口与所述第一开口位置相对，所述第二保护层覆盖所述驱动电路，所述发光二极管芯片收容在所述第二开口内。
11.根据权利要求10所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第二开口在所述基底上的正投影落在所述第一开口在所述基底上的正投影内。
12.根据权利要求10所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第二开口的侧壁相对于所述第二开口的底壁倾斜，所述第二开口的侧壁的坡角范围为30°至45°。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的拼接显示面板，其特征在于，所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体均还包括：
第二平坦层，位于第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的第一封装层远离所述基底的一侧，且所述第二平坦层为对应的所述第一封装体、所述第二封装体及所述第三封装体的顶层膜层；及
透镜，位于所述第二平坦层面向所述第一封装层的一侧，所述透镜与所述发光二极管芯片位置相对；
其中，所述透镜具有一圆弧面，所述圆弧面的圆心位于所述第二平坦层面向所述基底的一侧；
所述第二平坦层的折射率低于所述透镜的折射率。
14.根据权利要求1所述的拼接显示面板，其特征在于，所述红色量子点膜层的边缘与所述第一封装层、所述第二封装层及所述基底的边缘平齐。
15.一种显示终端，其特征在于，包括本体及如权利要求1至14中任一项所述的拼接显示面板，所述拼接显示面板固定在所述本体上。
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