CN112993132A - 微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器 - Google Patents

微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器 Download PDF

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CN112993132A CN202110171369.9A CN202110171369A CN112993132A CN 112993132 A CN112993132 A CN 112993132A CN 202110171369 A CN202110171369 A CN 202110171369A CN 112993132 A CN112993132 A CN 112993132A
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Abstract

本发明提供一种微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器。微型发光二极管芯片包括外延结构、电极、透光结构以及反射层。外延结构具有出光面、与出光面相对的背面以及侧壁面。侧壁面连接出光面以及背面。电极与外延结构电性耦接。透光结构具有内表面以及与内表面相对的外表面。内表面与侧壁面连接。外表面与内表面在背面的所在平面上的距离比在出光面的所在平面上的距离来的小。反射层与外表面直接接触。

Description

微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器
技术领域
本发明涉及一种芯片以及显示器，尤其涉及一种微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器。
背景技术
微型发光二极管芯片(以下简称芯片)在巨量转移(mass transfer)后且在封装之前，由于其与外界环境(如空气)的折射率差异大，因此多数的光会在芯片内部被多次反射并经由芯片底部的金属焊垫反射，而从芯片的出光面(如顶面)射出。然而，在封装之后，芯片与外界环境(如封装层)的折射率差异缩小，由于微型化后的芯片的侧面总面积增加，多数的光容易从芯片的侧面漏出，导致正向出射的光量下降。
发明内容
本发明提供一种微型发光二极管芯片以及微型发光二极管显示器，其有助于提升从正向出射的光量。
根据本发明的实施例，微型发光二极管芯片包括外延结构、电极、透光结构以及反射层。外延结构具有出光面、与出光面相对的背面以及侧壁面。侧壁面连接出光面以及背面。电极形成于所述外延结构上并与外延结构电性耦接。透光结构具有内表面以及与内表面相对的外表面。内表面与侧壁面连接。外表面与内表面在背面的所在平面上的距离比在出光面的所在平面上的距离来的小。反射层与外表面直接接触。
根据本发明的实施例，微型发光二极管显示器包括驱动基板以及微型发光二极管芯片。微型发光二极管芯片设置在驱动基板上且包括外延结构、电极、透光结构以及反射层。外延结构具有出光面、与出光面相对的背面以及侧壁面。侧壁面连接出光面以及背面。电极与外延结构电性耦接。透光结构具有内表面以及与内表面相对的外表面。内表面与侧壁面连接。外表面与内表面在背面的所在平面上的距离比在出光面的所在平面上的距离来的小。反射层与外表面直接接触。微型发光二极管芯片通过电极接合于驱动基板上。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示器的局部俯视示意图；
图2是图1中沿剖线A-A’的一种剖面示意图；
图3是图2中区域R的放大示意图；
图4A至图4F是图2的微型发光二极管显示器的一种制造流程的局部剖面示意图；
图5至图10分别是根据本发明的其他实施例的微型发光二极管显示器的局部剖面示意图。
附图标号说明
1、2、3、4、5、6、7：微型发光二极管显示器；
10：驱动基板；
12、22、32、42、72：微型发光二极管芯片；
12-1：第一微型发光二极管芯片；
12-2：第二微型发光二极管芯片；
12-3：第三微型发光二极管芯片；
14：导电凸块；
16：封装层；
18：遮光层；
19：反射结构；
100：接垫；
120、220：外延结构；
120a：第一型半导体层；
120b：发光层；
120c：第二型半导体层；
121：电极；
121a：第一电极；
121b：第二电极；
122、222、322、422：透光结构；
122’：透光材料；
123、223：反射层；
123’：反射材料；
124：绝缘层；
A-A’：剖线；
B：侧向光；
B’：正向出射光；
D：距离；
D1：第一方向；
D2：第二方向；
D3：第三方向；
H、H1、H2：开孔；
P：像素；
P1、P2：平面；
R：区域；
S1：出光面；
S2：背面；
S3：侧壁面；
S4：内表面；
S5：外表面；
S6：顶面；
S7：底面；
SUB：成长基板；
TH：厚度；
θ1、θ2、θ3：倾斜角度。
具体实施方式
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。
在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。此外，一元件/膜层设置在另一元件/膜层上(或上方)可涵盖所述元件/膜层直接设置在所述另一元件/膜层上(或上方)，且两个元件/膜层直接接触的情况；以及所述元件/膜层间接设置在所述另一元件/膜层上(或上方)，且两个元件/膜层之间存在一或多个元件/膜层的情况。
图1是根据本发明的一实施例的一种微型发光二极管显示器的局部俯视示意图。图2是图1中沿剖线A-A’的一种剖面示意图。图3是图2中区域R的放大示意图。
请参照图1至图3，微型发光二极管显示器1可包括驱动基板10以及微型发光二极管芯片12，但不以此为限。微型发光二极管显示器1可依需求而增加或减少一个或多个元件或膜层。
驱动基板10可用以承载微型发光二极管芯片12。举例来说，驱动基板10可包括线路基板、显示基板(display substrate)、发光基板(lighting substrate)、具有晶体管(transistors)或集成电路(integrated circuits(ICs))的基板或具有金属再分配线(metal redistribution lines)的基板，于此不多加限制。
在一些实施例中，如图3所示，驱动基板10可包括内埋于其中的接垫100。然而，在其他未示出的实施例中，接垫也可设置在驱动基板10的接合面上。
微型发光二极管芯片12设置在驱动基板10上。在一些实施例中，如图3所示，微型发光二极管芯片12可通过导电凸块14而与驱动基板10的接垫100电性连接。导电凸块14可包括锡球或其他可作为电性接合的媒介，如导电膏或导电胶等，但不以此为限。
如图1所示，微型发光二极管显示器1可包括多个微型发光二极管芯片12。多个微型发光二极管芯片12阵列设置并接合于驱动基板10上。虽然图1示意性示出三十六个微型发光二极管芯片12，但微型发光二极管芯片12的总数可依需求改变。
在一些实施例中，多个微型发光二极管芯片12可包括多个第一微型发光二极管芯片12-1、多个第二微型发光二极管芯片12-2以及多个第三微型发光二极管芯片12-3。多个第一微型发光二极管芯片12-1、多个第二微型发光二极管芯片12-2以及多个第三微型发光二极管芯片12-3可为不同颜色的微型发光二极管芯片。举例来说，多个第一微型发光二极管芯片12-1可为微型红色发光二极管芯片，多个第二微型发光二极管芯片12-2可为微型绿色发光二极管芯片，且多个第三微型发光二极管芯片12-3可为微型蓝色发光二极管芯片，但多个微型发光二极管芯片12的颜色种类不以此为限。
多个第一微型发光二极管芯片12-1、多个第二微型发光二极管芯片12-2以及多个第三微型发光二极管芯片12-3可排列成阵列。举例来说，多个第一微型发光二极管芯片12-1、多个第二微型发光二极管芯片12-2以及多个第三微型发光二极管芯片12-3可沿第一方向D1交替排列，且相同颜色的多个微型发光二极管芯片可沿第二方向D2排列，但不以此为限。第一方向D1与第二方向D2彼此相交且可垂直于驱动基板10的厚度方向(如第三方向D3)。图1示意性示出第一方向D1与第二方向D2彼此垂直，但第一方向D1与第二方向D2之间的夹角不限于90度。
微型发光二极管显示器1可包括多个像素P。图1示意性示出十二个像素P，且这些像素P沿着第一方向D1以及第二方向D2排列，但像素P的总数以及排列方式可依需求改变。此外，虽然图1示意性示出每一个像素P包括一个第一微型发光二极管芯片12-1、一个第二微型发光二极管芯片12-2以及一个第三微型发光二极管芯片12-3，但每一个像素P所包括的微型发光二极管芯片12的数量、颜色种类或排列方式等可依需求改变。
请参照图2，微型发光二极管芯片12可包括外延结构120、电极121、透光结构122以及反射层123，但不以此为限。微型发光二极管芯片12可依需求而增加或减少一个或多个元件或膜层。举例来说，如图3所示，微型发光二极管芯片12还可包括绝缘层124，但不以此为限。
外延结构120可包括沿第三方向D3依序堆叠的第一型半导体层120a、发光层120b以及第二型半导体层120c。第一型半导体层120a以及第二型半导体层120c的其中一者可以是P型半导体层，且第一型半导体层120a以及第二型半导体层120c的其中另一者可以是N型半导体层。发光层120b可为多量子阱(multiple quantum well,MQW)结构，但不以此为限。
外延结构120可具有开孔H。开孔H贯穿第一型半导体层120a以及发光层120b且暴露出部分的第二型半导体层120c。绝缘层124设置在第一型半导体层120a的下表面上且延伸进开孔H中。绝缘层124可具有开孔H1以及开孔H2。开孔H1暴露出部分的第一型半导体层120a。开孔H2位于开孔H中，且开孔H2比开孔H暴露出更少部分的第二型半导体层120c。
外延结构120具有出光面S1、背面S2以及侧壁面S3。背面S2与出光面S1相对，且背面S2例如位于驱动基板10与出光面S1之间。侧壁面S3连接出光面S1以及背面S2，且侧壁面S3的总面积例如大于出光面S1的面积。在本实施例中，侧壁面S3例如为与第三方向D3平行的铅直面，但不以此为限。
电极121形成于外延结构120上并与外延结构120电性耦接，且微型发光二极管芯片12可通过电极121接合于驱动基板10上。以采用倒装芯片(flip chip)封装技术的微型发光二极管芯片12为例，如图3所示，电极121可包括第一电极121a以及第二电极121b。第一电极121a设置在绝缘层124的下表面上且延伸进开孔H1中，并与第一型半导体层120a接触。第二电极121b设置在绝缘层124的下表面上且延伸进开孔H2中。延伸进开孔H2中的第二电极121b通过延伸进开孔H中的绝缘层124而与第一型半导体层120a电性绝缘，且延伸进开孔H2中的第二电极121b与第二型半导体层120c接触。第一电极121a以及第二电极121b的材质可包括金属、合金或上述的组合，但不以此为限。
透光结构122设置在外延结构120旁。举例来说，透光结构122可环绕外延结构120的侧壁面S3，但不以此为限。透光结构122的材质可包括压克力系材料、硅胶、树脂类材料、二氧化硅或其他透明的高折射率材料。举例来说，透光结构122的折射率可大于空气的折射率(空气的折射率为1)且小于外延结构120的折射率。进一步来说，透光结构122的折射率可小于外延结构120中任一层的折射率或是小于第一型半导体层120a、发光层120b以及第二型半导体层120c三者的平均折射率。
透光结构122可具有内表面S4以及外表面S5。透光结构122的内表面S4与外延结构120的侧壁面S3接触且相连。外表面S5与内表面S4相对。在本实施例中，外表面S5与内表面S4在背面S2的所在平面(如平面P2)上的距离(例如接近零)比在出光面S1的所在平面(如平面P1)上的距离(例如为顶面S6在第一方向D1上的宽度)来的小，使得透光结构122与外延结构120总体的剖面形状大体上呈现倒立的梯形。
图3示意性示出透光结构122的剖面形状呈现倒立的直角三角形，其中外表面S5为相对于顶面S6或出光面S1倾斜的斜面。也就是说，外表面S5与顶面S6之间的夹角大于0度且小于90度。然而，透光结构122的剖面形状不以此为限。如图3所示，外表面S5在靠近外延结构120的背面S2的所在平面(如平面P2)处可与内表面S4连接。除了内表面S4以及外表面S5之外，透光结构122还可具有顶面S6。顶面S6可环设于出光面S1外围。此外，顶面S6在靠近外延结构120的出光面S1的所在平面(如平面P1)处可连接外表面S5、内表面S4以及出光面S1。在一些实施例中，透光结构122的顶面S6可与外延结构120的出光面S1齐平，但不以此为限。在其他未示出的实施例中，透光结构122的顶面S6可略高于或略低于外延结构120的出光面S1，或者透光结构122的顶面S6可相对于外延结构120的出光面S1稍微倾斜，但不以此为限。
反射层123与外表面S5直接接触，且反射层123可完全覆盖外表面S5，但不以此为限。反射层123的材质可包括对可见光具有高反射率(如大于50％)的任何材质，如白色光阻、白色树脂、含高反射粒子的环氧树脂、金属、合金或上述的组合。或者，反射层123也可包括分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，DBR)，即反射层123可由多层折射率不同的材料堆叠而成。
在本实施例中，反射层123的剖面形状为直角三角形，且反射层123的剖面形状与透光结构122的剖面形状上下相反且左右颠倒，但反射层123的剖面形状可依需求改变而不以图3所显示的为限。
通过在外延结构120的侧壁面S3上设置外表面S5为斜面的透光结构122，并在透光结构122的外表面S5上设置反射层123，可利用反射层123将侧向光B反射，使侧向光B转至正向射出微型发光二极管芯片12，进而有助于提升从正向出射的光量或辉度。在一些实施例中，微型发光二极管芯片12的厚度(即出光面S1到电极121的底面在第三方向D3上的距离)不超过10微米，即微型发光二极管芯片12的厚度≤10微米。
依据不同的需求，微型发光二极管显示器1可进一步包括其他元件或膜层。举例来说，微型发光二极管显示器1可进一步包括封装层16。封装层16设置在驱动基板10上且覆盖微型发光二极管芯片12以及导电凸块14。封装层16的材质可采用任何可阻挡水气或可提供元件保护的任何材质，于此不多加限制。
图4A至图4F是图2的微型发光二极管显示器1的一种制造流程的局部剖面示意图。请参照图4A，在成长基板SUB上形成多个彼此分离的外延结构120，并在多个外延结构120上依序形成开孔H(参见图3)、绝缘层124(参见图3)以及电极121。
请参照图4B，以涂布或沉积等方式在成长基板SUB上形成透光材料122’。透光材料122’覆盖多个外延结构120且暴露出电极121。
请参照图4C，对透光材料122’进行图案化工艺(如蚀刻工艺)，并控制工艺条件(如蚀刻条件)，以形成宽度由外延结构120的出光面朝外延结构120的背面渐减的透光结构122。
请参照图4D，以涂布或沉积等方式在成长基板SUB上形成反射材料123’。反射材料123’覆盖透光结构122且暴露出电极121。
请参照图4E，对反射材料123’进行图案化工艺(如蚀刻工艺)，以形成反射层123。如此，便完成多个微型发光二极管12(如多个图2所示的第一微型发光二极管芯片12-1)的制作。
请参照图4F，通过巨量转移，将多个微型发光二极管12转移至驱动基板10上。接着，可重复图4A至图4F的步骤，将成长于不同成长基板上的多个第二微型发光二极管芯片12-2以及多个第三微型发光二极管芯片12-3分别转移至驱动基板10上。然后，可在驱动基板10上形成封装层，以完成微型发光二极管显示器的制作。
由于透光结构122以及反射层123在巨量转移之前就形成在外延结构120的周边，而非在巨量转移之后才形成在在外延结构120的周边，即透光结构122以及反射层123连同外延结构120、电极121以及绝缘层124(如果有的话)共同构成芯片结构(微型发光二极管芯片12)，其中电极121位于外延结构120的背面S2，且电极121突出于反射层123与透光结构122，因此在微型发光二极管芯片12设置在驱动基板10上时，透光结构122以及反射层123可不与驱动基板10接触。如图3所示，在微型发光二极管芯片12通过导电凸块14而设置在驱动基板10上的架构下，反射层123与驱动基板10之间的距离D可大于导电凸块14的厚度TH，但不以此为限。
在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征在没有冲突的情况下可相互组合，且依本说明书或申请专利范围所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本专利涵盖的范围内。
图5至图10分别是根据本发明的其他实施例的微型发光二极管显示器的局部剖面示意图。图5、图6、图7及图10示意性示出微型发光二极管显示器中的一个微型发光二极管芯片。然而，应理解，微型发光二极管显示器中的微型发光二极管芯片的数量可依需求改变。
请参照图5，微型发光二极管显示器2与图3的微型发光二极管显示器1类似，两者的主要差异如下所述。
在微型发光二极管显示器2的微型发光二极管芯片22中，外延结构220的侧壁面S3为相对于出光面S1以及背面S2倾斜的斜面，其中侧壁面S3与背面S2之间的夹角大于侧壁面S3与出光面S1之间的夹角，使得外延结构220的剖面形状大体上呈现倒立的梯形。
透光结构222的内表面S4与侧壁面S3连接，因此透光结构222的内表面S4依据外延结构220的侧壁面S3而倾斜，且透光结构222的内表面S4与外延结构220的侧壁面S3具有相同的斜率。透光结构222的外表面S5不平行于外延结构220的侧壁面S3，且透光结构222的外表面S5可比外延结构220的侧壁面S3更倾斜，即侧壁面S3与出光面S1之间的夹角大于外表面S5与顶面S6之间的夹角。
反射层223设置在外表面S5上，且反射层223例如为具有反光性的薄膜，如分布式布拉格反射器，但不以此为限。在其他未示出的实施例中，反射层223也可替换成图3的反射层123。
请参照图6，微型发光二极管显示器3与图5的微型发光二极管显示器2类似，两者的主要差异如下所述。
在微型发光二极管显示器3的微型发光二极管芯片32中，除了内表面S4、外表面S5以及顶面S6之外，透光结构322还具有底面S7。底面S7与顶面S6相对且连接于内表面S4以及外表面S5之间。此外，底面S7在第一方向D1上的宽度小于顶面S6在第一方向D1上的宽度，以使得外表面S5向外倾斜(即，外表面S5与底面S7之间的夹角大于外表面S5与顶面S6之间的夹角)。如此，设置在外表面S5上的反射层223能够将侧向光B转至正向射出微型发光二极管芯片32，而有助于提升从正向出射的光量或辉度。在其他未示出的实施例中，反射层223也可替换成图3的反射层123。
请参照图7，微型发光二极管显示器4与图3的微型发光二极管显示器1类似，两者的主要差异如下所述。
在微型发光二极管显示器4的微型发光二极管芯片42中，透光结构422的外表面S5为曲面。通过外表面S5的曲率设计，可控制侧向光B自微型发光二极管芯片42出射的角度。在一些未示出的实施例中，外表面S5可包括斜面、曲面或上述的组合。举例来说，外表面S5可由具有不同斜率的多个斜面组合而成、由具有不同曲率的曲面组合而成或由一个或多个斜面以及一个或多个曲面组合而成。曲面可包括球面、非球面、弧面等，于此不多加限制。
在其他未示出的实施例中，外延结构120也可替换成图5的外延结构220(侧壁面S3为倾斜面)。此外，反射层423也可替换成图5的反射层223(反光性的薄膜)。
请参照图8，微型发光二极管显示器5与图2的微型发光二极管显示器1类似，两者的主要差异如下所述。
在图8中，微型发光二极管显示器5还包括遮光层18。遮光层18设置在驱动基板10上且位于微型发光二极管芯片12以外的区域中。遮光层18例如可为黑矩阵，但不以此为限。
请参照图9，微型发光二极管显示器6与图8的微型发光二极管显示器5类似，两者的主要差异如下所述。
在图9中，第一微型发光二极管芯片12-1中透光结构122的外表面S5具有比第二微型发光二极管芯片12-2中透光结构122的外表面S5更小的倾斜角度。倾斜角度指的是透光结构122的外表面S5与透光结构122的顶面S6之间所夹的角度。图9示意性示出第一微型发光二极管芯片12-1中的倾斜角度θ1小于第二微型发光二极管芯片12-2中的倾斜角度θ2，且第二微型发光二极管芯片12-2中的倾斜角度θ2等于第三微型发光二极管芯片12-3中的倾斜角度θ3，但这些倾斜角度的大小可根据需要而改变。利用不同倾斜角度的设计，可调整不同颜色的微型发光二极管芯片的光型。举例来说，出光角度较大的微型发光二极管芯片可搭配较大的倾斜角度。在本实施例中，第一微型发光二极管芯片12-1的发光波长例如大于第二微型发光二极管芯片12-2的发光波长。
此外，第一微型发光二极管芯片12-1中透光结构122的顶面S6可具有比第二微型发光二极管芯片12-2中透光结构122的顶面S6更大的宽度。图9示意性示出第二微型发光二极管芯片12-2中透光结构122的顶面S6的宽度等于第三微型发光二极管芯片12-3中透光结构122的顶面S6的宽度，但这些顶面S6的宽度可根据需要而改变。
请参照图10，微型发光二极管显示器7与图3的微型发光二极管显示器1以及类似，两者的主要差异如下所述。
在图10中，微型发光二极管芯片72例如为垂直结构式发光二极管芯片，其中第一电极121a设置在第一型半导体层120a下且与第一型半导体层120a接触。第二电极(未示出)设置在第二型半导体层120c上且与第二型半导体层120c接触。第二电极例如为透光电极，以降低遮蔽正向出射光B’的机率。
微型发光二极管显示器7还可包括反射结构19。反射结构19设置在第一电极121a的下表面上且暴露出第一电极121a部分的下表面，而导电凸块14可直接接触被反射结构19所暴露出的第一电极121a。反射结构19可为导电反射层，如此，反射结构19除了具有反射的功能之外，也具有可电性连接导电凸块140的功能。
在其他未示出的实施例中，外延结构220也可替换成图3的外延结构120(侧壁面S3为纵面)。此外，反射层223也可替换成图5的反射层223(反光性的薄膜)。
综上所述，在本发明的实施例中，通过在外延结构的侧壁面上设置具有斜面或曲面的透光结构，并在透光结构的斜面或曲面上设置反射层，可利用反射层将侧向光反射，使侧向光转至正向射出微型发光二极管芯片，进而有助于提升从正向出射的光量或辉度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，包括：
外延结构，具有出光面、背面以及侧壁面，其中所述背面与所述出光面相对，且所述侧壁面连接所述出光面以及所述背面；
电极，形成于所述外延结构上并与所述外延结构电性耦接；
透光结构，具有内表面以及外表面，其中所述内表面与所述侧壁面连接，所述外表面与所述内表面相对，且所述外表面与所述内表面在所述背面的所在平面上的距离比在所述出光面的所在平面上的距离来的小；以及
反射层，与所述外表面直接接触。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述外延结构的折射率大于所述透光结构的折射率，且所述透光结构的所述折射率大于1。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述透光结构环绕所述外延结构的所述侧壁面。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述外表面包括斜面、曲面或上述的组合，且所述外表面不平行于所述侧壁面。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述透光结构还具有顶面，所述顶面环设于所述出光面外围。
6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述外表面在靠近所述背面的所在平面处与所述内表面连接，且所述顶面在靠近所述出光面的所在平面处连接所述外表面、所述内表面以及所述出光面。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述电极位于所述外延结构的背面，且所述电极突出于所述反射层与所述透光结构。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片的厚度不超过10微米。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述侧壁面的总面积大于所述出光面的面积。
10.一种微型发光二极管显示器，其特征在于，包括：
驱动基板；以及
微型发光二极管芯片，设置在所述驱动基板上且包括：
外延结构，具有出光面、背面以及侧壁面，其中所述背面与所述出光面相对，且所述侧壁面连接所述出光面以及所述背面；
电极，形成于所述外延结构上并与所述外延结构电性耦接；
透光结构，具有内表面以及外表面，其中所述内表面与所述侧壁面连接，所述外表面与所述内表面相对，且所述外表面与所述内表面在所述背面的所在平面上的距离比在所述出光面的所在平面上的距离来的小；以及
反射层，与所述外表面直接接触，其中所述微型发光二极管芯片通过所述电极接合于所述驱动基板上。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述透光结构以及所述反射层不与所述驱动基板接触。
12.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述微型发光二极管显示器包括多个所述微型发光二极管芯片，多个所述微型发光二极管芯片包括第一微型发光二极管芯片以及第二微型发光二极管芯片，且所述第一微型发光二极管芯片中所述透光结构的所述外表面具有比所述第二微型发光二极管芯片中所述透光结构的所述外表面更小的倾斜角度。
13.根据权利要求12所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述透光结构还具有顶面，所述第一微型发光二极管芯片中所述透光结构的所述顶面具有比所述第二微型发光二极管芯片中所述透光结构的所述顶面更大的宽度。
14.根据权利要求13所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括：
多个像素，其中每一个所述像素包括一个所述第一微型发光二极管芯片以及一个所述第二微型发光二极管芯片，且所述第一微型发光二极管芯片的发光波长大于所述第二微型发光二极管芯片的发光波长。
15.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括：
多个所述微型发光二极管芯片，阵列接合于所述驱动基板上；
遮光层，设置在所述驱动基板上且位于所述微型发光二极管芯片以外的区域中。
16.根据权利要求15所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，还包括：
封装层，设置在所述驱动基板上且覆盖所述微型发光二极管芯片。
17.根据权利要求10所述的微型发光二极管显示器，其特征在于，所述透光结构的折射率介于1与所述外延结构的折射率之间，且所述透光结构环绕所述外延结构的所述侧壁面。
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