CN114188466B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底基板、光取出结构和薄膜晶体管阵列层，光取出结构设置于衬底基板的一侧，光取出结构包括多个LED芯片、第一光取出部、第二光取出部和第一金属层，薄膜晶体管阵列层位于第一金属层远离衬底基板的一侧，第一光取出部位于衬底基板上，LED芯片位于第一光取出部远离衬底基板的一侧，第二光取出部覆于第一光取出部和LED芯片上，通过光取出结构的第一光取出部、第二光取出部和第一金属层的配合，使得LED芯片发出的光线经过第一光取出部和第二光取出部照射至第一金属层的侧壁时发生全反射，从而能够有效提升正视角的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
为了克服LED芯片与薄膜晶体管阵列层粘接不牢固的缺陷，采用将LED芯片巨量转移至衬底基板上，在LED芯片远离衬底基板的一侧制备形成薄膜晶体管阵列层的方式，有利于提升LED芯片的稳定性和良率，降低了制程难度。然而，采用此种方式，由于LED芯片采用自封装方式，所述LED芯片沿各个角度出光，导致在正视角方向的出光效率低下，从而导致显示面板功耗增加，降低了设备使用时间。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的显示面板及其制备方法，LED芯片在正视角方向的出光效率低下的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
光取出结构，设置于所述衬底基板的一侧，所述光取出结构包括：
第一光取出部，位于所述衬底基板上；
多个LED芯片，位于所述第一光取出部远离所述衬底基板的一侧；
第二光取出部，覆于所述第一光取出部和所述LED芯片上；以及
第一金属层，覆于所述第一光取出部和所述第二光取出部的周侧；以及
薄膜晶体管阵列层，设置于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；
其中，所述薄膜晶体管阵列层与所述LED芯片电连接，以驱动所述LED芯片发光。
根据本发明提供的显示面板，所述LED芯片包括发光单元和设置于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的第一电极及第二电极；所述第一金属层通过贯穿所述第二光取出部的第一过孔与所述第一电极电连接，所述第一金属层通过贯穿所述第二光取出部的第二过孔与所述第二电极电连接。
根据本发明提供的显示面板，所述薄膜晶体管阵列层包括绑定连接层和驱动功能层，所述绑定连接层位于所述光取出结构远离所述衬底基板的一侧，所述驱动功能层位于所述绑定连接层远离所述衬底基板的一侧，所述驱动功能层通过所述绑定连接层与所述LED芯片电连接。
根据本发明提供的显示面板，所述绑定连接层包括：
第一绝缘层，覆于所述衬底基板和所述第一金属层上；
第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔及第四过孔与所述第一金属层电连接；以及
第二绝缘层，覆于所述第一绝缘层和所述第二金属层上，所述驱动功能层位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
根据本发明提供的显示面板，所述驱动功能层包括：
第三绝缘层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
半导体层，位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
第一栅极绝缘层，覆于所述第三绝缘层和所述半导体层上；
第一栅极层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极层和所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
层间介质层，覆于所述第二栅极层和所述第二栅极绝缘层上；
第一源漏极金属层，位于所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源漏极金属层包括源极、漏极和信号走线，所述信号走线通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二金属层电连接，所述第五过孔和所述第四过孔相连通；以及
第一平坦层，覆于所述层间介质层和所述第一源漏极金属层上。
根据本发明提供的显示面板，所述驱动功能层包括：
第二源漏极金属层，位于所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源漏极金属层通过贯穿所述第一平坦层的第六过孔与所述源极或所述漏极中的一者电连接；以及
第二平坦层，覆于所述第一平坦层和所述第二源漏极金属层上。
根据本发明提供的显示面板，所述显示面板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述光取出结构和所述衬底基板之间。
根据本发明提供的显示面板，所述第一光取出部在所述显示面板的厚度方向上的尺寸范围为1微米～30微米。
本发明提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成第一光取出部；
将多个LED芯片巨量转移至所述第一光取出部远离所述衬底基板的一侧；
形成覆于所述第一光取出部和所述LED芯片上的第二光取出部；以及
形成覆于所述第一光取出部和所述第二光取出部的周侧的第一金属层；以及
在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层与所述LED芯片电连接，以驱动所述LED芯片发光。
根据本发明提供的制备方法，在形成所述第二光取出部的步骤之前，所述制备方法还包括：
对多个所述LED芯片进行检测并判断是否存在故障LED芯片，若是，则对所述故障LED芯片进行修复。
本发明的有益效果为：本发明通过设置光取出结构，通过光取出结构的第一光取出部、第二光取出部和第一金属层的配合，使得LED芯片发出的光线经过第一光取出部和第二光取出部照射至第一金属层的侧壁时发生全反射并出射至人眼方向，从而能够有效提升正视角的出光效率，有利于降低显示面板功耗，延长设备的使用时间。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图4A～图4I是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程结构示意图。
附图标记说明：
1、衬底基板；2、光取出结构；3、薄膜晶体管阵列层；4、第四绝缘层；
20、LED芯片；201、发光单元；202、第一电极；203、第二电极；21、第一光取出部；22、第二光取出部；221、第一过孔；222、第二过孔；23、第一金属层；
31、绑定连接层；311、第一绝缘层；3111、第三过孔；3112、第四过孔；312、第二金属层；313、第二绝缘层；
32、驱动功能层；321、第三绝缘层；322、半导体层；323、第一栅极绝缘层；324、第一栅极层；325、第二栅极绝缘层；326、第二栅极层；327、层间介质层；328、第一源漏极金属层；3281、源极；3282、漏极；3283、信号走线；3284、第五过孔；329、第一平坦层；3210、第二源漏极金属层；3211、第二平坦层；3212、第六过孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括衬底基板1、光取出结构2和薄膜晶体管阵列层3。
所述光取出结构2包括多个LED芯片20、第一光取出部21、第二光取出部22和第一金属层23，所述第一光取出部21位于所述衬底基板1上，所述LED芯片20位于所述第一光取出部21远离所述衬底基板1的一侧，所述第二光取出部22覆于所述第一光取出部21和所述LED芯片20上，所述第一金属层23覆于所述第一光取出部21和所述第二光取出部22的周侧。所述薄膜晶体管阵列层3位于所述第一金属层23远离所述衬底基板1的一侧，所述薄膜晶体管阵列层3与所述LED芯片20电连接，以驱动所述LED芯片20发光。
可以理解的是，本发明通过设置所述光取出结构，并通过所述光取出结构2的所述第一光取出部21、所述第二光取出部22和所述第一金属层23的配合，使得所述LED芯片20发出的光线经过所述第一光取出部21和所述第二光取出部22照射至所述第一金属层23的侧壁时发生全反射，从而避开位于所述薄膜晶体管阵列层3的遮挡，并出射至人眼方向，有效提升正视角的出光效率，有利于降低显示面板功耗，延长设备的使用时间。
可选地，所述第一光取出部21可以为单层或多层，所述第一光取出部21的材料可以为无机材料或有机材料，例如，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，所述有机材料包括聚酰亚胺。
具体地，所述第一光取出部21用于使制备而成的所述光取出结构2具有足够的厚度，以使所述LED芯片20发出的光能够被全部反射至正视方向，在本发明实施例中，所述第一光取出部21的厚度范围为1微米～30微米之间。
可以理解的是，所述第二光取出部22在起到平坦化所述LED芯片20的效果的同时，能够对所述LED芯片20起到封装作用，无需进行额外的封装制程，能够有效降低生产成本。
可选地，所述第二光取出部22也可以为单层或多层，所述第二光取出部22的材料可以为无机材料或有机材料，例如，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，所述有机材料包括聚酰亚胺。
具体地，所述第二光取出部22在所述显示面板的厚度方向上的尺寸范围为1微米～30微米之间。
可选地，所述衬底基板1可以为刚性衬底基板，例如，所述衬底基板1的制备材料包括玻璃、石英、陶瓷和塑料等；所述衬底基板1也可以为柔性衬底基板，例如，所述衬底基板1的制备材料包括聚酰亚胺、聚醚酰亚胺等聚合物树脂。
具体地，所述LED芯片20包括发光单元201和设置于所述发光单元201远离所述衬底基板1一侧的第一电极202及第二电极203；所述第一金属层23通过贯穿所述第二光取出部22的第一过孔221与所述第一电极202电连接，所述第一金属层23通过贯穿所述第二光取出部22的第二过孔222与所述第二电极203电连接。
具体地，所述薄膜晶体管阵列层3包括绑定连接层31和驱动功能层32，所述绑定连接层31位于所述光取出结构远离所述衬底基板1的一侧，所述驱动功能层32位于所述绑定连接层31远离所述衬底基板1的一侧，所述驱动功能层32通过所述绑定连接层31与所述LED芯片20电连接。
需要说明的是，本发明中的所述LED芯片20和所述薄膜晶体管阵列层3依次设置在所述衬底基板1的一侧，相较于现有技术中的在所述衬底基板1的一侧依次设置有所述薄膜晶体管阵列层3和所述LED芯片20，本发明在制备形成所述薄膜晶体管阵列层3之前，可先将所述LED芯片20巨量转移至所述衬底基板1的一侧，完成巨量转移之后，再在所述LED芯片20远离所述衬底基板1的一侧直接制备形成所述薄膜晶体管阵列层3，相较于现有技术，由于所述薄膜晶体管阵列层3直接形成于所述LED芯片20上，所述LED芯片20在巨量转移时无需通过各向异性导电胶绑定制程或金属绑定制程与所述薄膜晶体管阵列层3绑定连接，从而能够使得所述LED芯片20与所述薄膜晶体管阵列层3粘接牢固，有利于提升所述LED芯片20的稳定性和良率，降低了制程难度。
具体地，所述绑定连接层31包括第一绝缘层311、第二金属层312和第二绝缘层313，所述第一绝缘层311覆于所述衬底基板1和所述第一金属层23上，所述第二金属层312位于所述第一绝缘层311远离所述衬底基板1的一侧，所述第二金属层312通过贯穿所述第一绝缘层311的第三过孔3111及第四过孔3112与所述第一金属层23电连接；所述第二绝缘层313覆于所述第一绝缘层311和所述第二金属层312上，所述驱动功能层32位于所述第二绝缘层313远离所述衬底基板1的一侧。
具体地，所述第二金属层312包括间隔设置的阳极走线和低电位电源信号线，所述阳极走线通过所述第三过孔3111与所述第一电极202电连接，所述低电位电源信号线通过所述第四过孔3112与所述第二电极203电连接。
具体地，所述驱动功能层32包括第三绝缘层321、半导体层322、第一栅极绝缘层323、第一栅极层324、第二栅极绝缘层325、第二栅极层326、层间介质层327、第一源漏极金属层328和第一平坦层329；所述第三绝缘层321位于所述第二绝缘层313远离所述衬底基板1的一侧；所述半导体层322位于所述第三绝缘层321远离所述衬底基板1的一侧；所述第一栅极绝缘层覆于所述第三绝缘层321和所述半导体层322上；所述第一栅极层324位于所述第一栅极绝缘层323远离所述衬底基板1的一侧；所述第二栅极绝缘层325覆于所述第一栅极层324和所述第一栅极绝缘层323上；所述第二栅极层326位于所述第一栅极绝缘层323远离所述衬底基板1的一侧；所述层间介质层327覆于所述第二栅极层326和所述第二栅极绝缘层325上；所述第一源漏极金属层328位于所述层间介质层327远离所述衬底基板1的一侧，所述第一源漏极金属层328包括源极3281、漏极3282和信号走线3283，所述信号走线3283通过贯穿所述层间介质层327、所述第二栅极绝缘层325、所述第一栅极绝缘层323和所述第三绝缘层321的第五过孔3284与所述第二金属层312电连接，所述第五过孔3284和所述第四过孔3112相连通；所述第一平坦层329覆于所述层间介质层327和所述第一源漏极金属层328上。可选地，所述第三绝缘层321的材料可选用无机材料，用于阻挡外界水汽入侵所述驱动功能层32，避免所述驱动功能层32受到水汽侵扰；所述半导体层322位于所述第三绝缘层321远离所述衬底基板1的一侧，所述半导体层322的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)和铟镓锌钛氧化物(IGZTO)中的至少一种。
具体地，所述半导体层322包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极3281通过贯穿所述层间介质层327、所述第二栅极绝缘层325的所述第一栅极绝缘层323的源极接触孔与所述源极区电连接，所述漏极3282通过贯穿所述层间介质层327、所述第二栅极绝缘层325的所述第一栅极绝缘层323的漏极接触孔与所述漏极区电连接。
具体地，所述信号走线3283包括数据线、扫描线、驱动电压线和电压传输线等功能信号线，分别用于传递数据信号、扫描信号、驱动电压信号和电压传输信号；例如，当所述信号走线3283为数据线时，用于将数据信号通过所述第二金属层312传递至所述LED芯片20。
需要说明的是，所述驱动功能层32中的单个所述薄膜晶体管的结构不限于本发明实施例提供的双栅结构，本领域技术人员还可选用其他的结构形式，如单栅结构等，在此不再进行赘述。
进一步地，请参阅图2，图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；为了降低电压降，所述驱动功能层32还可采用双层源漏极金属层设计，具体地，所述驱动功能层32还包括第二源漏极金属层3210和第二平坦层3211，所述第二源漏极金属层3210位于所述第一平坦层329远离所述衬底基板1的一侧，所述第二源漏极金属层3210通过贯穿所述第一平坦层329的过孔与所述漏极3282电连接，所述第二平坦层3211覆于所述第一平坦层329和所述第二源漏极金属层3210上，所述第二源漏极金属层3210通过贯穿所述第一平坦层329的第六过孔3212与所述源极3281或所述漏极3282中的一者电连接。
在本发明实施例中，所述衬底基板1和所述光取出结构2之间还设置有第四绝缘层4，用于防止外界水汽入侵所述LED芯片20而引起的所述发光单元201失效。
进一步地，所述第四绝缘层4的折射率小于所述第一光取出部21的折射率，以使得所述LED芯片20发出的部分光线在所述第一光取出部21和所述第四绝缘层4的边界处发生全反射，有利于进一步提升所述LED芯片20的出光效率。
请参阅图3和图4A～图4I，图3是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；图4A～图4I是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程结构示意图。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S10：提供一衬底基板1；
S20：在所述衬底基板1的一侧形成第一光取出部21；
S30：将多个LED芯片20巨量转移至所述第一光取出部21远离所述衬底基板1的一侧；
S40：形成覆于所述第一光取出部21和所述LED芯片20上的第二光取出部22；以及
S50：形成覆于所述第一光取出部21和所述第二光取出部22的周侧的第一金属层23；以及
S60：在所述第一金属层23远离所述衬底基板1的一侧形成薄膜晶体管阵列层3，所述薄膜晶体管阵列层3与所述LED芯片20电连接，以驱动所述LED芯片20发光。
具体地，请参阅图4A，在所述步骤S10中，提供一所述衬底基板1，在所述衬底基板1的一侧沉积形成第四绝缘层4。
具体地，请参阅图4B，在所述步骤S20中，可通过一道黄光制程在所述衬底基板1的一侧形成所述第一光取出部21；所述第一光取出部21可以为单层或多层，所述第一光取出部21的材料可以为无机材料或有机材料，例如，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，所述有机材料包括聚酰亚胺；在本发明实施例中，所述第一光取出部21在所述显示面板的厚度方向上的尺寸范围为1微米～30微米之间。
具体地，请参阅图4C，在所述步骤S30中，所述LED芯片20包括发光单元201和设置于所述发光单元201远离所述衬底基板1一侧的第一电极202及第二电极203，在本发明实施例中，所述第一电极202为P电极，所述第二电极203为N电极。
进一步地，在形成所述第二光取出部22步骤之后，所述制备方法还包括：S301：对多个所述LED芯片20进行检测并判断是否存在故障LED芯片，若是，则对所述故障LED芯片进行修复。
可以理解的是，本发明在制备所述薄膜晶体管阵列层3之前就对所述LED芯片20进行检测，相较于现有技术，可以避免将所述LED芯片20巨量转移至所述薄膜晶体管阵列层3上之后对所述LED芯片20进行检测，若检测存在故障LED芯片，由于不可修复，则会导致整个所述显示面板报废的情况发生，可大大节省生产成本。
具体地，请参阅图4D，在所述步骤S40中，首先，可通过一道黄光制程形成所述第二光取出部22，之后，再通过一道黄光制程形成贯穿所述第二光取出部22的第一过孔221和第二过孔222，所述第一过孔221裸露出所述第一电极202远离所述衬底基板1的一侧表面，所述第二过孔222裸露出所述第二电极203远离所述衬底基板1的一侧表面。
可选地，所述第二光取出部22可以为单层或多层，所述第一光取出部21的材料可以为无机材料或有机材料。
具体地，请参阅图4E，在所述步骤S50中，可通过一道黄光制程形成所述第一金属层23。
具体地，在所述步骤S50中，在所述第一金属层23远离所述衬底基板1的一侧形成所述薄膜晶体管阵列层3，包括以下步骤：
S501：在所述第一金属层23远离所述衬底基板1的一侧形成所述绑定连接层31；以及
S502：在所述绑定连接层31远离所述衬底基板1的一侧形成驱动功能层32，所述驱动功能层32通过所述绑定连接层31与所述LED芯片20电连接。
具体地，请参阅图4F，所述步骤S501中，首先，在所述第一金属层23远离所述衬底基板1的一侧形成第一绝缘层311，所述第一绝缘层311覆于所述衬底基板1和所述第一金属层23上，并通过一道黄光制程形成贯穿所述第一绝缘层311的第三过孔3111及第四过孔3112；接着，可通过一道黄光制程在所述第一绝缘层311远离所述衬底基板1的一侧形成第二金属层312，所述第二金属层312通过所述第三过孔3111及所述第四过孔3112与所述第一金属层23电连接；之后，形成覆于所述第一绝缘层311和所述第二金属层312上的第二绝缘层313。
具体地，所述步骤S502包括以下步骤：
S5021：在所述第二绝缘层313远离所述衬底基板1的一侧形成第三绝缘层321；
S5022：在所述第三绝缘层321远离所述衬底基板1的一侧形成半导体层322；
S5023：形成覆于所述第三绝缘层321和所述半导体层322上的第一栅极绝缘层323；
S5024：在位于所述第一栅极绝缘层323远离所述衬底基板1的一侧形成第一栅极层324；
S5025：形成覆于所述第一栅极层324和所述第一栅极绝缘层323上的第二栅极绝缘层325；
S5026：在所述第一栅极绝缘层323远离所述衬底基板1的一侧形成第二栅极层326；
S5027：形成覆于所述第二栅极层326和所述第二栅极绝缘层325上的层间介质层327；
S5028：在所述层间介质层327远离所述衬底基板1的一侧形成第一源漏极金属层328，所述第一源漏极金属层328包括源极3281、漏极3282和信号走线3283，所述信号走线3283通过贯穿所述层间介质层327、所述第二栅极绝缘层325、所述第一栅极绝缘层323和所述第三绝缘层321的第五过孔3284与所述第二金属层312电连接，所述第五过孔3284和所述第四过孔3112相连通；以及
S5029：形成覆于所述层间介质层327和所述第一源漏极金属层328上的第一平坦层329。
具体地，请参阅图4G，在所述步骤S5027之后，可通过一道黄光制程形成源极接触孔、漏极接触孔和第五过孔3284，所述源极3281通过所述源极接触孔与所述半导体层322的源极区电连接，所述漏极3282通过所述漏极接触孔与所述半导体层322的漏极区电连接，所述第五过孔3284贯穿所述层间介质层327、所述第二栅极绝缘层325、所述第一栅极绝缘层323和所述第三绝缘层321。
请参阅图4H，在所述步骤S5027和所述步骤S5028中，形成所述层间介质层327和所述第一源漏极金属层328。
进一步地，请参阅图4I，在所述步骤S5029后，还包括：在所述第一平坦层329远离所述衬底基板1的一侧形成第二源漏极金属层3210，所述第二源漏极金属层3210通过贯穿所述第一平坦层329的过孔与所述漏极3282电连接；形成覆于所述第一平坦层329和所述第二源漏极金属层3210上的第二平坦层3211。
有益效果为：本发明实施例通过设置光取出结构，通过光取出结构的第一光取出部、第二光取出部和第一金属层的配合，使得LED芯片发出的光线经过第一光取出部和第二光取出部照射至第一金属层的侧壁时发生全反射，从而能够有效提升正视角的出光效率，有利于降低显示面板功耗，延长设备的使用时间。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；
光取出结构，设置于所述衬底基板的一侧，所述光取出结构包括：
第一光取出部，位于所述衬底基板上；
多个LED芯片，位于所述第一光取出部远离所述衬底基板的一侧；
第二光取出部，覆于所述第一光取出部和所述LED芯片上；以及
第一金属层，覆于所述第一光取出部和所述第二光取出部的周侧；以及
薄膜晶体管阵列层，设置于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；其中，所述薄膜晶体管阵列层与所述LED芯片电连接，以驱动所述LED芯片发光；
所述LED芯片包括发光单元和设置于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的第一电极及第二电极，所述第二光取出部覆盖所述第一电极和所述第二电极，所述第一金属层包括图案化的第一金属部、第二金属部和第三金属部，所述第一金属部位于所述第一光取出部和所述第二光取出部的侧面，所述第二金属部和所述第三金属部位于所述第二光取出部远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管阵列层与所述第二金属部和所述第三金属部电连接，所述第二金属部通过贯穿所述第二光取出部的第一过孔与所述第一电极电连接，所述第三金属部通过贯穿所述第二光取出部的第二过孔与所述第二电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括绑定连接层和驱动功能层，所述绑定连接层位于所述光取出结构远离所述衬底基板的一侧，所述驱动功能层位于所述绑定连接层远离所述衬底基板的一侧，所述驱动功能层通过所述绑定连接层与所述LED芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绑定连接层包括：
第一绝缘层，覆于所述衬底基板和所述第一金属层上；
第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔及第四过孔与所述第一金属层电连接；以及
第二绝缘层，覆于所述第一绝缘层和所述第二金属层上，所述驱动功能层位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述驱动功能层包括：
第三绝缘层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
半导体层，位于所述第三绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
第一栅极绝缘层，覆于所述第三绝缘层和所述半导体层上；
第一栅极层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极层和所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧；
层间介质层，覆于所述第二栅极层和所述第二栅极绝缘层上；
第一源漏极金属层，位于所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，所述第一源漏极金属层包括源极、漏极和信号走线，所述信号走线通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层和所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二金属层电连接，所述第五过孔和所述第四过孔相连通；以及
第一平坦层，覆于所述层间介质层和所述第一源漏极金属层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述驱动功能层包括：
第二源漏极金属层，位于所述第一平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述第二源漏极金属层通过贯穿所述第一平坦层的第六过孔与所述源极或所述漏极中的一者电连接；以及
第二平坦层，覆于所述第一平坦层和所述第二源漏极金属层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述光取出结构和所述衬底基板之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一光取出部在所述显示面板的厚度方向上的尺寸范围为1微米~30微米。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成第一光取出部；
将多个LED芯片巨量转移至所述第一光取出部远离所述衬底基板的一侧；
形成覆于所述第一光取出部和所述LED芯片上的第二光取出部；以及
形成覆于所述第一光取出部和所述第二光取出部的周侧的第一金属层；以及
在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层与所述LED芯片电连接，以驱动所述LED芯片发光；
其中，所述LED芯片包括发光单元和设置于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的第一电极及第二电极，所述第二光取出部覆盖所述第一电极和所述第二电极，所述第一金属层包括图案化的第一金属部、第二金属部和第三金属部，所述第一金属部位于所述第一光取出部和所述第二光取出部的侧面，所述第二金属部和所述第三金属部位于所述第二光取出部远离所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管阵列层与所述第二金属部和所述第三金属部电连接，所述第二金属部通过贯穿所述第二光取出部的第一过孔与所述第一电极电连接，所述第三金属部通过贯穿所述第二光取出部的第二过孔与所述第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二光取出部的步骤之前，所述制备方法还包括：
对多个所述LED芯片进行检测并判断是否存在故障LED芯片，若是，则对所述故障LED芯片进行修复。
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