CN109273479A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法，该方法包括：提供第一基板；在第一基板的第一侧形成缓冲层，缓冲层包括至少一层第一缓冲层；在缓冲层背离第一基板一侧形成LED结构，LED结构包括第一LED结构，第一缓冲层与第一LED结构的晶格匹配；在LED结构背离缓冲层一侧形成覆盖LED结构的平坦化层；在平坦化层背离LED结构一侧形成电极结构，电极结构与LED单元电连接；在电极结构背离LED结构一侧形成控制电路，所述控制电路与电极结构电连接，用于控制LED单元的工作状态。该方法无需转运工艺，复杂性较低。

Description

一种显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有自发光，尺寸小，重量轻，亮度高，更有着寿命长，功耗低，响应时间短及可控性强的优点。Micro-LED(Micro-Light EmittingDiode，微型发光二极管)是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1-10um等级。Micro LED由于具有比现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)亮度更高、发光效率更好、功耗更低等优势，逐渐成为显示面板的主流发展趋势。
现有Micro LED显示面板在制作时通常是分别制作阵列基板和Micro LED结构，然后再将Micro LED结构转运到阵列基板上，从而大大增加了Micro LED显示面板制作工艺的复杂性。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法，以降低所述显示面板的制作工艺的复杂性。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种显示面板的制作方法，该方法包括：
提供第一基板，所述第一基板为玻璃基板；
在所述第一基板的第一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括至少一层第一缓冲层；
在所述缓冲层背离所述第一基板一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配；
在所述LED结构背离所述缓冲层一侧形成覆盖所述LED结构的平坦化层；
在所述平坦化层背离所述LED结构一侧形成电极结构，所述电极结构与所述LED单元电连接；
在所述电极结构背离所述LED结构一侧形成控制电路，所述控制电路与所述电极结构电连接，用于控制所述LED单元的工作状态。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，通过依次在所述第一基板的一侧形成缓冲层和所述LED结构形成显示面板，无需转运工艺，从而降低了所述显示面板的制作工艺的复杂性。
而且，由于本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，无需转运工艺，从而不需要高精度的对位设备去保证转运工艺中LED结构与阵列基板上的开口区严格对位，降低了所述显示面板的成本，而且避免了转运过程中对LED结构造成损伤的现象，解决了所述LED结构由于转运工艺而可能出现的失效的问题。
此外，本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，先制作LED结构，然后在LED结构背离第一基板一侧直接制作与LED结构电连接的电极结构和与所述电极结构电连接的控制电路，而无需高温绑定工艺，从而避免了所述控制电路中的薄膜晶体管受到高温的影响而发生工作特性的变化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图；
图2-图25为本发明实施例所提供的显示面板的制作方法中各阶段的剖视图；
图26为本发明另一个实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有Micro LED显示面板在制作时通常是分别制作阵列基板和Micro LED结构，然后再将Micro LED结构转运到阵列基板上，从而大大增加了MicroLED显示面板制作工艺的复杂性。
而且，在将Micro LED结构转运到阵列基板上时，需要各Micro LED与阵列基板上的开口区严格对位，以保证所述Micro LED显示面板的开口率，精度要求较高，从而需要高精度的对位设备，导致Micro LED显示面板的成本较高。
另外，在将Micro LED结构转运到阵列基板上时，需要利用高温(约为300℃)工艺实现Micro LED结构与阵列基板上的阳极的电连接，而高温工艺会影响阵列基板中的薄膜晶体管的工作特性。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，如图1所示，该方法包括：
S101：如图2所示，提供第一基板10，所述第一基板10为玻璃基板。
具体的，在本发明的一个实施例中，所述第一基板10为耐高温透明基板，所述耐高温玻璃基板所能承受的温度取值大于1000℃，以便于后续高温生长LED结构时，所述第一基板10不会发生损坏。
S102：继续如图2所示，在所述第一基板10的第一侧形成缓冲层20，所述缓冲层20包括至少一层第一缓冲层。具体的，所述缓冲层20的形成工艺可以为蒸镀工艺，也可以为CVD工艺或PHOTO工艺。本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在本发明的一个实施例中，所述缓冲层20包括一层第一缓冲层，在本发明的另一个实施例中，所述缓冲层20包括至少两层第一缓冲层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
S103：在所述缓冲层20背离所述第一基板10一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配。
在本发明的一个实施例中，在所述缓冲层背离所述第一基板10一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元包括：如图3所示，在所述缓冲层20背离所述第一基板10一侧形成LED层30；如图4所示，对所述LED层30进行刻蚀，形成第一LED结构31，所述第一LED结构31包括多个LED单元。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图5所示，在所述缓冲层20背离所述第一基板10一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构31，所述第一LED结构31包括多个LED单元还包括：在所述多个LED单元背离所述第一基板10的一侧形成电极层；对所述电极层进行图形化刻蚀，从而在所述LED单元背离所述第一基板10一侧形成与各所述LED单元对应的多组连接端子32，其中，一组连接端子32对应一个LED单元，且每组连接端子均包括与所述LED单元电连接的第一端子和第二端子，以便于所述LED单元通过其对应的所述第一端子和第二端子与其他结构电连接。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一端子为正极端子，所述第二端子为负极端子；在本发明的另一个实施例中，所述第一端子为负极端子，所述第二端子为正极端子，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
如图6所示，图6示出了本发明一个实施例所提供的第一LED结构的剖面图，在本发明实施例中，所述第一LED结构包括：LED单元以及与所述LED单元电连接的连接端子，具体的，所述LED单元包括：发光层MQW、位于所述发光层的第一侧的P型层P-GaN、位于所述P型层背离所述发光层一侧的欧姆接触层ITO层、位于所述发光层的第二侧的N型层N-GaN，其中，所述第二侧与所述第一侧相对；所述连接端子包括：位于所述欧姆接触层背离所述发光层一侧且与所述欧姆接触层电连接的正极端子、与所述N型层电连接的负极端子。
具体的，在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述LED结构为MicroLED结构。但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配包括：所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一LED结构的晶格常数的差值在第一预设数值范围内，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的热膨胀系数的差值在第二预设数值范围内，以保证所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配，从而可以在所述第一缓冲层上直接生长所述第一LED结构。
具体的，在本发明的一个实施例中，所述第一预设数值范围为0-10％，所述第二预设数值范围也为0-10％，即所述第一缓冲层与所述第一LED结构31的晶格匹配包括：所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一LED结构31的晶格常数的差值在0-10％范围内，所述第一缓冲层与所述第一LED结构31的热膨胀系数的差值在0-10％范围内，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述第一预设数值范围和/或所述第二预设数值范围还可以为其他数值范围，且所述第一预设数值范围和所述第二预设数值范围可以相同，也可以不同，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图7所示，所述缓冲层还包括第四缓冲层22，所述第四缓冲层22位于所述第一基板10与所述第一缓冲层21所在的膜层之间，所述第四缓冲层22的晶格常数位于所述第一缓冲层21的晶格常数与所述第一基板10的晶格常数之间，所述第四缓冲层22的热膨胀系数位于所述第一缓冲层21的热膨胀系数与所述第一基板10的热膨胀系数之间，以利用所述第四缓冲层22的晶格常数实现所述第一基板10的晶格常数与所述第一缓冲层21的晶格常数之间的过渡，利用所述第四缓冲层22的热膨胀系数实现所述第一基板10的热膨胀系数与所述第一缓冲层21的热膨胀系数之间的过渡，提高所述缓冲层的质量，从而提高所述缓冲层上生长的LED结构的质量。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层包括一层第一缓冲层21和一层第四缓冲层22，在本发明实施例中，在所述第一基板10的第一侧形成缓冲层包括：在所述第一基板10的第一侧形成第四缓冲层22；在所述第四缓冲层22背离所述第一基板10的一侧形成第一缓冲层21。
在本发明的另一个实施例中，所述缓冲层包括至少两层第一缓冲层21和至少两层第四缓冲层22，在本发明实施例中，在所述第一基板10的第一侧形成缓冲层包括：在所述第一基板10的第一侧交替形成所述第四缓冲层22和所述第一缓冲层21，直至所述缓冲层包括至少两层第一缓冲层21和至少两层第四缓冲层22。其中，所述缓冲层与所述第一基板接触的膜层为第四缓冲层，所述缓冲层与所述LED结构接触的膜层为第一缓冲层。需要说明的是，本发明对所述缓冲层包括的第一缓冲层和第四缓冲层的具体数目不作限定，具体视情况而定。
S104：如图8所示，在所述LED结构背离所述缓冲层20一侧形成覆盖所述LED结构的平坦化层40。具体的，所述平坦化层40的形成工艺为沉积工艺，所述平坦化层40为绝缘层。
具体的，在本发明实施例中，所述平坦化层一方面覆盖所述LED结构，以使得所述LED结构与其他结构相绝缘，同时可以用于固定LED结构，防止后续工艺制程造成的LED结构位置或摆放方式发生变化的问题，另一方面在所述LED结构背离所述第一基板一侧形成一平坦表面，以便于在所述LED结构背离所述第一基板一侧形成电极结构，降低所述电极结构形成时的工艺难度。
S105：在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成电极结构，所述电极结构与所述LED单元电连接。具体的，所述电极结构包括与所述第一端子电连接的第一电极，与所述第二端子电连接的第二电极。
需要说明的是，当所述第一端子为正极端子，所述第二端子为负极端子时，所述第一电极为阳极单元，所述第二电极为阴极单元；当所述第一端子为负极端子，所述第二端子为正极端子时，所述第一电极为阴极单元，所述第二电极为阳极单元。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一电极和所述第二电极同层绝缘，以简化所述电极结构的形成工艺，从而简化所述显示面板的制作工艺，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述第一电极和所述第二电极也可以异层绝缘设置，具体视情况而定。
当所述第一电极和所述第二电极同层绝缘设置时，在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成电极结构，所述电极结构与所述LED单元电连接包括：
如图9所示，在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成电极层；
对所述电极层进行图案化，形成多个阳极单元51和多个阴极单元52，所述多个阳极单元51彼此电绝缘，且所述阳极单元51与所述阴极单元52电绝缘。
更具体的，在本发明的一个实施例中，当所述第一电极和所述第二电极同层绝缘设置时，在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成电极结构50，所述电极结构50与所述LED单元电连接包括：
对所述平坦化层40进行刻蚀，在所述平坦化层40中形成多组通孔，一组通孔与一个LED单元对应，每组通孔包括第一通孔和第二通孔；
在所述平坦化层40背离所述第一基板10一侧形成电极层，所述电极层位于所述平坦化层40背离所述第一基板10一侧表面，且填充所述第一通孔和所述第二通孔；
对所述电极层进行图案化，形成电极结构50，所述电极结构50包括多组第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第一端子电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第二端子电连接。下面各实施例以所述第一电极为阳极单元，所述第二电极为阴极单元为例，对所述显示面板的制作方面进行描述。
在本发明的另一个实施例中，当所述第一电极和所述第二电极异层绝缘设置时，在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成电极结构50，所述电极结构50与所述LED单元电连接包括：
如图10所示，在所述平坦化层40背离所述LED结构一侧形成第一电极层；
对所述第一电极层进行图案化，形成多个阳极单元51和多个电连接结构53，所述多个阳极单元51彼此电绝缘，所述阳极单元51与所述电连接结构53电绝缘，所述阳极单元51与所述LED单元的正极端子电连接，所述电连接结构53与所述LED单元的负极端子电连接；
在所述多个阳极单元和所述多个电连接结构背离所述LED结构的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述多个电连接结构53电连接，作为所述显示面板的阴极层54。其中，所述阴极层54与所述电连接结构53构成所述显示面板的阴极结构。
S106：在所述电极结构50背离所述LED结构一侧形成控制电路，所述控制电路与所述电极结构50电连接，用于控制所述LED单元的工作状态。
具体的，在本发明的一个实施例中，所述电极结构50背离所述LED结构一侧形成控制电路包括：
如图11所示，在所述电极结构50背离所述LED结构的一侧形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层背离所述电极结构50的一侧形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，形成多个栅极61和多条扫描线(图中未示出)；
如图12所示，在所述栅极61背离所述电极结构50的一侧形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层背离所述电极结构50一侧形成沟道层，并对所述沟道层进行刻蚀，形成多个沟道结构62，所述沟道结构62与所述栅极61一一对应；
如图13所示，对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成多个第三通孔，所述第三通孔曝露所述第一电极部分表面；
在所述沟道结构62背离所述电极结构50一侧形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述沟道结构62、所述第二绝缘层表面，并填充所述第三通孔；
对所述第二金属层进行刻蚀，形成多组源极和漏极63以及多条数据线，其中，一组源极和漏极63对应一个沟道结构62，所述漏极与所述阳极单元电连接。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述栅极、所述源极、所述漏极和所述沟道结构构成薄膜晶体管60，至少一个薄膜晶体管60对应一个LED单元，示例性地，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述薄膜晶体管的源极与数据线电连接，漏极与所述LED单元的阳极单元电连接，具体工作时，所述薄膜晶体管的栅极在所述扫描线的控制下将所述薄膜晶体管的源极和漏极导通，将所述数据线中的信号传输给所述LED单元的阳极单元，控制所述LED单元的工作状态。
需要说明的是，上述实施例仅示例了薄膜晶体管的一种结构，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述薄膜晶体管还可以为其他结构。
具体的，如图14所示，在本发明另一实施例中，所述沟道结构62与所述源极和漏极63之间还具有第三绝缘层64，所述源极通过贯穿所述第三绝缘层64的过孔与所述沟道结构62电连接，所述漏极通过贯穿所述第三绝缘层64的过孔与所述沟道结构62电连接。
如图15所示，在本发明的又一个实施例中，在本发明的一个实施例中，所述电极结构50背离所述LED结构一侧形成控制电路包括：
在所述电极结构50背离所述LED结构的一侧形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层背离所述电极结构50的一侧形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，形成多组源极和漏极63以及多条数据线，其中，一组源极和漏极63对应一个LED结构，所述漏极与其对应LED结构的所述阳极单元电连接；
在所述源极和漏极63背离所述电极结构50的一侧形成沟道层，并对所述沟道层进行刻蚀，形成多个沟道结构62，一个所述沟道结构62对应一组源极和漏极63；
在所述沟道结构62背离所述第一绝缘层一侧形成覆盖所述沟道结构和所述源极和漏极的栅介质层；
在所述栅介质层背离所述沟道结构62一侧形成第二金属层，并对所述第二金属层进行刻蚀，形成多个栅极61。
在本发明实施例中，所述漏极与所述LED结构之间的距离较小，从而有利于所述漏极与所述LED结构对应的阳极单元的电连接。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，该制作方法还包括：如图16和图17所示，在所述控制电路背离所述电极结构50的一侧形成第二基板70，所述第二基板70用于作为所述显示面板的上基板，对所述显示面板内部的结构进行保护。
由上可知，本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，通过依次在所述第一基板的一侧形成缓冲层和所述LED结构形成显示面板，无需转运工艺，从而降低了所述显示面板的制作工艺的复杂性。
而且，由于本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，无需转运工艺，从而不需要高精度的对位设备去保证转运工艺中LED结构与阵列基板上的开口区严格对位，降低了所述显示面板的成本，而且避免了转运过程中对LED结构造成损伤的现象，解决了所述LED结构由于转运工艺而失效的问题。
此外，本发明实施例所提供的显示面板的制作方法，先制作LED结构，然后在LED结构背离第一基板一侧直接制作与LED结构电连接的电极结构和与所述电极结构电连接的控制电路，而无需高温绑定工艺，从而避免了所述控制电路中的薄膜晶体管受到高温的影响而发生工作特性的变化。
另外，本发明实施例所提供的制作方法制作的显示面板中，所述第一基板和所述第一缓冲层的成本较低，且易于形成较大尺寸，因此，本发明实施例所提供的制作方法不仅适用于制作小尺寸、低成本的显示面板，而且适用于制作大尺寸、低成本的显示面板。
而且，本发明实施例所提供的制作方法制作的显示面板中，所述控制电路位于所述LED结构背离所述第一基板的一侧，而非与所述LED结构并列设置，从而无需占用所述显示面板中各子像素的非开口区，进而在相同显示面积的情况下，增加了所述显示面板的分辨率。
此外，本发明实施例所提供的制作方法制作的显示面板中，所述控制电路位于所述LED结构背离所述第一基板的一侧，而非与所述LED结构并列设置，不仅可以有更多的空闲空间设置控制电路，还可以有富余空间设置如补偿电路等其他电路，以提高所述显示面板的显示质量。
需要说明的是，随着显示技术发展，显示面板的应用场景越来越多，而不同应用场景下对所述显示面板所呈现的显示画面的需求不同，如有的场景需要所述显示面板所呈现的显示画面为黑白画面，有的场景需要所述显示面板呈现的画面为彩色画面。
下面结合具体实施例，对利用本发明实施例所提供的制作方法制作的显示面板呈现彩色画面为例进行说明。
具体的，在本发明的一个实施例中，所述LED结构包括多个第一LED结构31，所述第一LED结构31包括多个LED单元，所述第一LED结构31对应的多个LED单元为同一颜色的LED单元。在本发明实施例中，当所述显示面板需要呈现彩色画面时，所述显示面板的制作方法还包括：颜色转换层，用于将所述第一LED结构31对应的多个LED单元发出的同一颜色的光线转换成不同颜色光线，以形成彩色画面。
需要说明的是，在本发明的一个实施例中，利用本发明实施例所提供的显示面板制作方法制作的显示面板可以顶发射显示面板，即所述显示面板中出射的光线从所述显示面板的第二基板70背离所述第一基板10一侧射出，所述显示面板的显示画面显示在所述第二基板70所在的一侧；在本发明的另一个实施例中，所述显示面板也可以为底发射显示面板，即所述显示面板中出射的光线从所述第一基板10背离所述第二基板70的一侧射出，所述显示面板的显示画面在所述第一基板10所在的一侧。
具体的，当所述显示面板为顶发射显示面板时，在本发明的一个实施例中，所述颜色转换层80可以位于所述控制电路与所述第二基板70之间，也可以位于所述第二基板70背离所述控制电路的一侧，本发明对此并不做限定。
当所述颜色转换层位于所述控制电路和所述第二基板之间时，如图18所示，该方法还包括：在所述控制电路背离所述第一基板10的一侧形成颜色转换层80；在所述颜色转换层80背离所述第一基板10的一侧贴合第二基板70。
当所述颜色转换层位于所述第二基板70靠近所述控制电路的一侧时，该方法还包括：在所述第二基板70的第一侧形成颜色转换层80，将所述第二基板70贴合在所述控制电路背离所述第一基板10的一侧，且所述颜色转换层80位于所述第二基板70朝向所述第一基板10的一侧。
在本发明的其他实施例中，当所述颜色转换层位于所述第二基板70背离所述控制电路的一侧时，如图19所示，该方法还包括：在所述第二基板70背离所述控制电路的一侧形成所述颜色转换层80；在所述颜色转换层80背离所述第二基板70的一侧形成覆盖所述颜色转换层80的保护结构90.
在本发明的另一个实施例中，当所述颜色转换层位于所述第二基板70背离所述控制电路的一侧时，该方法还包括：在保护结构上形成颜色转换层，将形成有颜色转换层的所述保护结构贴合于所述第二基板背离所述控制电路一侧，且所述颜色转换层位于所述第二基板与所述保护结构之间。
需要说明的是，在上述实施例中，所述显示面板在工作时，所述LED结构发出的光线不仅射向所述第二基板70的一侧，还会有部分射向所述第一基板10的一侧，为了提高所述显示面板的光线利用率，将所述LED结构发出的光线尽可能多的射向所述第二基板70的一侧，在本发明的一个实施例中，如图20所示，该方法还包括：在第一基板10的第一侧形成所述缓冲层20之前，在所述第一基板10的第一侧形成金属层100，在所述金属层100背离所述第一基板10的一侧形成所述缓冲层20，从而利用所述金属层100作为所述显示面板的反射层，将所述LED结构发射的光线中射向所述第一基板10一侧的部分反射回所述第二基板70，从所述第二基板70一侧射出。
具体的，在本发明实施例中，所述金属层可以为银层，也可以为铝层，还可以为其他反射率较高的金属层，本发明对此并不做限定，只要保证所述反射层能够将所述LED结构射向所述第一基板10一侧的光线反射回所述第二基板70一侧即可。
当所述显示面板为顶发射时，在本发明的一个实施例中，如图21所示，所述控制电路在所述第一基板10上的正投影与所述LED结构在所述第一基板10上的正投影无交叠，以减小所述控制电路对所述显示面板的光线透过率的影响，提高所述显示面板的发光效率。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述电极结构50的材料为透明导电材料，如ITO等，以减小所述电极结构50对所述显示面板的光线透过率的影响。
下面对所述显示面板为底发射显示面板进行描述。
当所述显示面板为底发射显示面板时，在本发明的一个实施例中，所述颜色转换层80位于所述第一基板10背离所述缓冲层20的一侧，在本发明的另一个实施例中，所述颜色转换层80位于所述第一基板10与所述缓冲层之间。
当所述颜色转换层80位于所述第一基板10背离所述缓冲层的一侧时，在本发明的一个实施例中，如图22所示，该制作方法还包括：
在所述第一基板10背离所述缓冲层的一侧形成颜色转换层80；
在所述颜色转换层80背离所述第一基板10的一侧形成覆盖所述颜色转换层80的保护结构90。
在本发明的另一个实施例中，该制作方法还包括：在保护结构90上形成颜色转换层80，将形成有颜色转换层80的所述保护结构90贴合于所述第一基板10背离所述缓冲层的一侧，且所述颜色转换层80位于所述第一基板10与所述保护结构90之间。
当所述颜色转换层80位于所述第一基板10与所述缓冲层之间时，在本发明的一个实施例中，如图23所示，该制作方法还包括：在所述第一基板10与所述缓冲层20之间形成颜色转换层80。具体的，该制作方法在所述第一基板10的第一侧形成所述缓冲层20之前，在所述第一基板10的第一侧形成颜色转换层80，然后在所述颜色转换层80背离所述第一基板10的一侧形成所述缓冲层20。
需要说明的是，在上述实施例中，所述显示面板在工作时，所述LED结构发出的光线不仅射向所述第一基板10的一侧，还会有部分射向所述第二基板70的一侧，为了提高所述显示面板的光线利用率，将所述LED结构发出的光线尽可能多的射向所述第一基板10的一侧，在本发明的一个实施例中，该方法还包括：在所述LED结构背离所述第一基板10的一侧形成金属层，以利用所述金属层作为所述显示面板的反射层，将所述LED结构发射的光线中射向所述第二基板70一侧的部分反射回所述第一基板10，从所述第一基板10一侧射出。
具体的，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述电极结构50的材料为金属，以降低所述电极结构50的电阻。在本发明实施例中，所述电极结构的形成工艺可以为沉积工艺。
在上述实施例中，当所述阳极单元与所述阴极单元位于同一层时，如图24所示，该制作方法还包括：在所述电极结构50背离所述LED结构一侧形成金属层100。其中，所述金属层100可以位于所述LED结构与所述第二基板70之间任意两个膜层之间，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
当所述阳极单元和所述阴极单元异层设置时，如图25所示，即所述阴极结构包括阴极层54与电连接结构53时，所述阴极层54可以为金属层，从而将所述阴极结构中的阴极层54复用为所述显示面板的反射层，从而在提高所述显示面板光线利用率的基础上，减少所述显示面板的制作工艺。
需要说明的是，在上述实施例中，所述显示面板是通过颜色转换层80来实现彩色画面的显示，在本发明的其他实施例中，所述显示面板可以通过多个颜色的LED单元来实现彩色画面的显示。
下面对所述显示面板通过多个颜色的LED单元来实现彩色画面的显示时，所述显示面板的制作方法进行说明。如图26所示，图26为本发明另一个实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图。由于步骤S201、S204、S205、S206和步骤S101、S104、S105、S106相同，本发明对此不再重复赘述。下面仅对步骤S202和S203进行描述。
具体的，当所述显示面板通过多个颜色的LED单元来实现彩色画面的显示时，所述LED结构包括第一LED结构、第二LED结构和第三LED结构，其中，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一LED结构31对应的多个LED单元为同一颜色的LED单元，该颜色为第一颜色，所述第二LED结构包括多个LED单元，所述第二LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第二颜色，所述第三LED结构包括多个LED单元，所述第三LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第三颜色，且，所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色均不相同，即所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色两两不同。在本发明实施例中，所述缓冲层包括：至少一层第一缓冲层、至少一层第二缓冲层和至少一层第三缓冲层，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层位于同一层。
具体的，在本发明实施例中，S202：在所述第一基板的第一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括至少一层第一缓冲层包括：
在所述第一基板的第一侧的第一区域形成第一缓冲层；
在所述第一基板的第一侧的第二区域形成第二缓冲层；
在所述第一基板的第一侧的第三区域形成第三缓冲层；
其中，所述第一区域为待形成第一LED结构的区域，所述第二区域为待形成第二LED结构的区域，所述第三区域为待形成第三LED结构的区域，且所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层位于同一层。
S203：在所述缓冲层背离所述第一基板一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配包括：
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一LED结构，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配；
在所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二LED结构，所述第二缓冲层与所述第二LED结构的晶格匹配；
在所述第三缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第三LED结构，所述第三缓冲层与所述第三LED结构的晶格匹配。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，在所述第一基板的第一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括至少一层第一缓冲层还包括：
在所述第一基板的第一侧的第一区域形成第四缓冲层，在所述第四缓冲层背离所述第一基板的一侧形成所述第一缓冲层；
在所述第一基板的第一侧的第二区域形成第五缓冲层，在所述第五缓冲层背离所述第一基板的一侧形成所述第二缓冲层；
在所述第一基板的第一侧的第三区域形成第六缓冲层，在所述第六缓冲层背离所述第一基板的一侧形成所述第三缓冲层；
其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层与所述第三缓冲层位于同一层；所述第四缓冲层、第五缓冲层和第六缓冲层位于同一层。
需要说明的是，在上述实施例中，所述第四缓冲层的晶格常数位于所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第四缓冲层的热膨胀系数位于所述第一缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第一LED结构的生长质量；所述第五缓冲层的晶格常数位于所述第二缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第五缓冲层的热膨胀系数位于所述第二缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第二LED结构的生长质量；所述第六缓冲层的晶格常数位于所述第三缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第六缓冲层的热膨胀系数位于所述第三缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第三LED结构的生长质量；
还需要说明的是，在上述实施例中，所述缓冲层还可以包括多层第一缓冲层、多层第二缓冲层、多层第三缓冲层、多层第四缓冲层、多层第五缓冲层和多层第六缓冲层，其中，所述第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、第五缓冲层和第六缓冲层的数目相同，且在沿所述第一基板至所述LED结构方向上，所述第四缓冲层和所述第一缓冲层交替排布，所述第五缓冲层和所述第二缓冲层交替排布，所述第六缓冲层与所述第三缓冲层交替排布，以进一步提高所述第一LED结构的生长质量、所述第二LED结构的生长质量和所述第三LED结构的生长质量。
相应的，本发明实施例还提供了一种显示面板，如图16所示，该显示面板包括：
第一基板10，所述第一基板10为玻璃基板，具体的，所述第一基板10为耐高温透明基板，所述耐高温玻璃基板所能承受的温度取值大于1000℃，以便于后续高温生长LED结构时，所述第一基板10不会发生损坏，更具体的，所述第一基板10为石英玻璃基板；
位于所述第一基板10第一侧的缓冲层20，所述缓冲层20包括至少一层第一缓冲层；
位于所述缓冲层20背离所述第一基板10一侧的LED结构，所述LED结构包括第一LED结构31，所述第一LED结构31包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构31的晶格匹配，具体的，在本发明的一个实施例中，所述LED结构为Micro LED结构。但本发明对此并不做限定，具体视情况而定；
位于所述LED结构背离所述缓冲层20一侧形成覆盖所述LED结构的平坦化层40，具体的，所述平坦化层40为绝缘层，且所述平坦化层40背离所述LED结构一侧具有平坦表面；
位于所述平坦化层40背离所述LED结构一侧的电极结构50，所述电极结构50与所述LED单元电连接，具体的，所述电极结构50包括阳极单元51和阴极单元52，所述阳极单元51与所述LED单元的正极端子电连接，所述阴极单元52与所述LED单元的负极端子端连接；
位于所述电极结构50背离所述LED结构一侧的控制电路，所述控制电路与所述电极结构50电连接，用于控制所述LED单元的工作状态。其中，所述控制电路包括多条扫描线、多条数据线和多个薄膜晶体管60，至少一个所述薄膜晶体管60与所述LED单元对应设置，薄膜晶体管60包括栅极61、沟道结构62和源/漏极63。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层20的厚度大于1微米，以避免所述缓冲层20的厚度过小而导致所述缓冲层20上外延生长的LED结构出现致密度变差和漏电变大的问题。
具体的，在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层20包括一层第一缓冲层，在本发明的另一个实施例中，所述缓冲层20包括至少两层第一缓冲层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配包括：所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一LED结构的晶格常数的差值在第一预设数值范围内，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的热膨胀系数的差值在第二预设数值范围内，以保证所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配，从而可以在所述第一缓冲层上直接生长所述第一LED结构。
具体的，在本发明的一个实施例中，所述第一预设数值范围为0-10％，所述第二预设数值范围也为0-10％，即所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配包括：所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一LED结构的晶格常数的差值在0-10％范围内，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的热膨胀系数的差值在0-10％范围内，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述第一预设数值范围和/或所述第二预设数值范围还可以为其他数值范围，且所述第一预设数值范围和所述第二预设数值范围可以相同，也可以不同，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层还包括第四缓冲层，所述第四缓冲层位于所述第一基板10与所述第一缓冲层所在的膜层之间，所述第四缓冲层的晶格常数位于所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一基板10的晶格常数之间，所述第四缓冲层的热膨胀系数位于所述第一缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板10的热膨胀系数之间，以利用所述第四缓冲层的晶格常数实现所述第一基板10的晶格常数与所述第一缓冲层的晶格常数之间的过渡，利用所述第四缓冲层的热膨胀系数实现所述第一基板10的热膨胀系数与所述第一缓冲层的热膨胀系数之间的过渡，提高所述缓冲层的质量，从而提高所述缓冲层上生长的LED结构的质量。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图7所示，所述缓冲层20包括一层第一缓冲层21和一层第四缓冲层22，所述第四缓冲层22位于所述第一缓冲层21与所述第一基板10之间。在本发明的另一个实施例中，所述第一缓冲层的数量为至少两层，所述第四缓冲层的数量为至少两层，即所述缓冲层包括至少两层第一缓冲层和至少两层第四缓冲层，在本发明实施例中，所述第一缓冲层和所述第四缓冲层交替设置，且所述缓冲层中与所述LED结构接触的膜层为第一缓冲层。具体的，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层包括两层第一缓冲层和两层第四缓冲层，或所述缓冲层包括三层第一缓冲层和三层第四缓冲层，具体视情况而定。
具体的，在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一LED结构31包括的多个LED单元为红色LED单元，所述第一缓冲层为AlGaAs层，所述第四缓冲层为SiAlAs层；在本发明的另一个实施例中，所述第一LED结构31包括的多个LED单元为绿色LED单元，在本发明实施中，所述第一缓冲层为AlGaP层，所述第四缓冲层为SiAlP层；在本发明的又一个实施例中，所述第一LED结构31包括的多个LED单元为蓝色LED单元，在本发明实施例中，所述第一缓冲层为AlGaN层，所述第四缓冲层为SiAlN层。
需要说明的是，在本发明的一个实施例中，所述显示面板可以顶发射显示面板，即所述显示面板中出射的光线从所述显示面板的第二基板70背离所述第一基板10一侧射出，所述显示面板的显示画面显示在所述第二基板70所在的一侧；在本发明的另一个实施例中，所述显示面板也可以为底发射显示面板，即所述显示面板中出射的光线从所述第一基板10背离所述第二基板70的一侧射出，所述显示面板的显示画面在所述第一基板10所在的一侧。下面结合不同情况，对所述显示面板进行描述。
当所述显示面板为底发射显示面板时，所述电极结构50的材料为金属，以降低所述电极结构50的电阻，同时利用所述电极结构50对所述LED单元发射的光线中射向所述LED结构背离所述第一基板10一侧的部分进行反射，提高所述显示面板的光线利用率。
具体的，在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图16所示，所述电极结构50包括：与所述LED单元电连接的阳极结构，所述阳极结构包括多个彼此电绝缘的阳极单元51；与所述LED单元电连接的阴极结构，所述阴极结构包括多个阴极单元52，所述阴极单元52与所述阳极单元51电绝缘；其中，所述阴极单元与所述阳极单元位于同一层。具体的，所述多个阳极单元51彼此电绝缘，所述阳极单元51与所述LED单元的正极端子电连接，所述阴极单元52与所述LED单元的负极端子电连接。
在上述实施例的基础上，为了进一步提高所述显示面板的光线利用率，如图24所示，所述显示面板还包括：位于所述LED结构背离所述第一基板10一侧的金属层100，利用该金属层100对所述LED单元发射的光线中射向所述LED结构背离所述第一基板10一侧的光线进行反射，提高所述显示面板的光线利用率。需要说明的是，由于金属层具有良好色散热效率，在本发明实施例中，所述金属层100还可以提高所述显示面板的散热性能。
在本发明的另一个实施例中，所述电极结构50包括位于不同层的阳极单元和阴极结构，其中，所述阳极单元与所述LED单元的正极端子电连接，所述阴极结构与所述LED单元的负极端子电连接。需要说明的是，在本发明实施例中，所述多个LED单元对应的阴极单元为同一阴极结构，具体的，所述电极结构包括：与所述LED单元电连接的阳极结构，所述阳极结构包括多个阳极单元51；位于所述阳极结构背离所述LED单元的阴极结构，所述阴极结构包括相互电连接的阴极层54和多个电连接结构53，所述阴极层54通过不同的所述电连接结构53与不同的所述LED单元的负极端子电连接。
在上述实施例的基础上，为了进一步提高所述显示面板的光线利用率，如图25所述，所述阴极结构中的阴极层为金属层，以复用为所述显示面板的反射层，以利用该金属层对所述LED单元发射的光线中射向所述LED结构背离所述第一基板10一侧的光线进行反射，提高所述显示面板的光线利用率。同时，所述金属层还可以提高所述显示面板的散热性能。
随着显示技术发展，显示面板的应用场景越来越多，而不同应用场景下对所述显示面板所呈现的显示画面的需求不同，如有的场景需要所述显示面板所呈现的显示画面为黑白画面，有的场景需要所述显示面板呈现的画面为彩色画面。
当所述显示面板的显示画面为彩色画面，且所述第一LED结构31包括的多个LED单元为同一颜色的LED单元时，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图22所示，所述显示面板还包括：位于所述第一基板10背离所述第一缓冲层一侧的颜色转换层80；覆盖所述颜色转换层80背离所述第一基板10一侧的保护结构90。在本发明的另一个实施例中，如图23所示，所述显示面板还包括：位于所述第一基板10与所述第一缓冲层之间的颜色转换层80，以提高所述显示面板的光线透过率，从而提高所述显示面板的发光效率。其中，所述颜色转换层80用于将所述第一LED结构31对应的多个LED单元发出的同一颜色的光线转换成不同颜色光线，以形成彩色画面。
上面对所述显示面板是底发射显示面板进行了描述，下面对所述显示面板为顶发射显示面板时进行描述。
在本发明的一个实施例中，所述控制电路在所述第一基板10上的正投影与所述LED结构在所述第一基板10上的正投影无交叠，以减小所述控制电路对所述显示面板的光线透过率的影响，提高所述显示面板的发光效率。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图20所示，所述显示面板还包括：位于所述第一缓冲层与所述第一基板10之间的金属层100，从而利用所述金属层作为所述显示面板的反射层，将所述LED结构发射的光线中射向所述第一基板10一侧的部分反射回所述第二基板70，从所述第二基板70一侧射出，提高所述显示面板的光线利用率。
具体的，在本发明实施例中，所述金属层可以为银层，也可以为铝层，还可以为其他反射率较高的金属层，本发明对此并不做限定，只要保证所述反射层能够将所述LED结构射向所述第一基板10一侧的光线反射回所述第二基板70一侧即可。
随着显示技术发展，显示面板的应用场景越来越多，而不同应用场景下对所述显示面板所呈现的显示画面的需求不同，如有的场景需要所述显示面板所呈现的显示画面为黑白画面，有的场景需要所述显示面板呈现的画面为彩色画面。
当所述显示面板的显示画面为彩色画面，且所述第一LED结构31包括的多个LED单元为同一颜色的LED单元时，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图20所示，所述显示面板还包括：位于所述控制电路背离所述第一基板10一侧，与所述第一基板10相对设置的第二基板70；位于所述第二基板70与所述控制电路之间的颜色转换层80。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述电极结构50的材料为透明导电材料，如ITO等，以减小所述电极结构50对所述显示面板的光线透过率的影响。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图20所示，所述电极结构50包括位于同一层的多个阳极单元51和多个阴极单元52，所述多个阳极单元51彼此电绝缘，所述阳极单元51与所述阴极单元52电绝缘，其中，所述阳极单元51与所述LED单元的正极端子电连接，所述阴极单元52与所述LED单元的负极端子电连接，在本发明实施例中，所述阳极单元51和所述阴极单元52的材料为透明导电材料。
在本发明的另一个实施例中，如图17所示，所述电极结构50包括：与所述LED单元电连接的阳极结构，所述阳极结构包括多个阳极单元51；位于所述阳极结构背离所述LED单元的阴极结构，所述阴极结构包括相互电连接的阴极层54和多个电连接结构53，所述阴极层54通过不同的所述电连接结构53与不同的所述LED单元电连接。在本发明实施例中，可以只有所述阴极层54的材料为透明导电材料，也可以所述阳极单元51、所述阴极层54以及所述电连接结构53均为透明导电材料，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述颜色转换层80包括多个颜色的色阻，在本发明的另一个实施例中，所述颜色转换层80为包括多个颜色的量子点单元，本发明对此并不做限定，只要所述颜色转换层80能将所述多个LED单元发出的同一颜色的光线转换层多种颜色光线即可。
需要说明的是，在上述实施例中，所述显示面板是通过颜色转换层80来实现彩色画面的显示，在本发明的其他实施例中，所述显示面板也可以不通过颜色转换层80，而是直接通过多个颜色的LED单元来实现彩色画面的显示。
具体的，当所述显示面板通过多个颜色的LED单元来实现彩色画面的显示时，所述LED结构包括第一LED结构、第二LED结构和第三LED结构，其中，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一LED结构对应的多个LED单元为同一颜色的LED单元，该颜色为第一颜色，所述第二LED结构包括多个LED单元，所述第二LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第二颜色，所述第三LED结构包括多个LED单元，所述第三LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第三颜色，且，所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色均不相同。相应的，在本发明实施例中，所述缓冲层包括：至少一层第一缓冲层、至少一层第二缓冲层和至少一层第三缓冲层，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层位于同一层。其中，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配；所述第二缓冲层与所述第二LED结构的晶格匹配；所述第三缓冲层与所述第三LED结构的晶格匹配。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述缓冲层还包括：至少一层第四缓冲层、至少一层第五缓冲层和至少一层第六缓冲层。当所述缓冲层包括一层第四缓冲层、一层第五缓冲层和一层第六缓冲层时，第四缓冲层位于所述第一基板与所述第一缓冲层之间，第五缓冲层位于所述第一基板与所述第二缓冲层之间，第六缓冲层位于所述第一基板与所述第三缓冲层之间。其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层位于同一层，所述第四缓冲层、所述第五缓冲层和所述第六缓冲层位于同一层。
需要说明的是，在上述实施例中，所述第四缓冲层的晶格常数位于所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第四缓冲层的热膨胀系数位于所述第一缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第一LED结构的生长质量；所述第五缓冲层的晶格常数位于所述第二缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第五缓冲层的热膨胀系数位于所述第二缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第二LED结构的生长质量；所述第六缓冲层的晶格常数位于所述第三缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第六缓冲层的热膨胀系数位于所述第三缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间，以提高所述第三LED结构的生长质量；
还需要说明的是，在上述实施例中，所述缓冲层还可以包括多层第一缓冲层、多层第二缓冲层、多层第三缓冲层、多层第四缓冲层、多层第五缓冲层和多层第六缓冲层，其中，所述第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、第五缓冲层和第六缓冲层的数目相同，且在沿所述第一基板10至所述LED结构方向上，所述第四缓冲层和所述第一缓冲层交替排布，所述第五缓冲层和所述第二缓冲层交替排布，所述第六缓冲层与所述第三缓冲层交替排布，以进一步提高所述第一LED结构的生长质量、所述第二LED结构的生长质量和所述第三LED结构的生长质量。
综上所述，本发明实施例所提供的显示面板中，所述LED结构直接在所述缓冲层背离所述第一基板一侧生长而成，无需转运工艺，从而降低了所述显示面板的制作工艺的复杂性。
而且，由于本发明实施例所提供的显示面板在制作时，无需转运工艺，从而不需要高精度的对位设备去保证转运工艺中LED结构与阵列基板上的开口区严格对位，降低了所述显示面板的成本，而且避免了转运过程中对LED结构造成损伤的现象，解决了所述LED结构由于转运工艺而失效的问题。
此外，本发明实施例所提供的显示面板中，所述电极结构和所述控制电路位于所述LED结构背离所述第一基板一侧，即在制作时先制作LED结构，然后在LED结构背离第一基板一侧直接制作与LED结构电连接的电极结构和与所述电极结构电连接的控制电路，而无需高温绑定工艺，从而避免了所述控制电路中的薄膜晶体管受到高温的影响而发生工作特性的变化，提高了所述显示面板的稳定性。
另外，本发明实施例所提供的显示面板中，所述第一基板和所述第一缓冲层的成本较低，面积可大可小，因此，本发明实施例所提供的显示面板不仅适用于小尺寸的显示面板，还适用于大尺寸的显示面板，而且成本较低。
而且，本发明实施例所提供的显示面板中，所述控制电路位于所述LED结构背离所述第一基板的一侧，而非与所述LED结构并列设置，从而无需占用所述显示面板中各子像素的非开口区，进而在相同显示面积的情况下，增加了所述显示面板的分辨率。
此外，本发明实施例所提供的显示面板中，所述控制电路位于所述LED结构背离所述第一基板的一侧，而非与所述LED结构并列设置，不仅可以有更多的空闲空间设置控制电路，还可以有富余空间设置如补偿电路等其他电路，以提高所述显示面板的显示质量。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供第一基板，所述第一基板为玻璃基板；
在所述第一基板的第一侧形成缓冲层，所述缓冲层包括至少一层第一缓冲层；
在所述缓冲层背离所述第一基板一侧形成LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配；
在所述LED结构背离所述缓冲层一侧形成覆盖所述LED结构的平坦化层；
在所述平坦化层背离所述LED结构一侧形成电极结构，所述电极结构与所述LED单元电连接；
在所述电极结构背离所述LED结构一侧形成控制电路，所述控制电路与所述电极结构电连接，用于控制所述LED单元的工作状态。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述第一基板背离所述缓冲层一侧形成颜色转换层；
在所述颜色转换层背离所述第一基板一侧形成覆盖所述颜色转换层的保护结构；或者，
在保护结构上形成颜色转换层，将形成有颜色转换层的所述保护结构贴合于所述第一基板背离所述缓冲层一侧，且所述颜色转换层位于所述第一基板与所述保护结构之间。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述第一基板的第一侧形成所述缓冲层之前，在所述第一基板的第一侧形成颜色转换层；
在所述颜色转换层背离所述第一基板一侧形成所述缓冲层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述第一基板的第一侧形成所述缓冲层之前，在所述第一基板的第一侧形成金属层；
在所述金属层远离所述第一基板一侧形成所述缓冲层。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：
在第二基板第一侧形成颜色转换层；
将所述第二基板贴合在所述控制电路背离所述第一基板一侧，且所述颜色转换层位于所述第二基板朝向所述第一基板一侧；或者，
在所述控制电路背离所述第一基板的一侧形成颜色转换层；
在所述颜色转换层背离所述第一基板的一侧贴合第二基板。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述平坦化层背离所述LED结构形成电极结构包括：
在所述平坦化层背离所述LED结构一侧形成电极层；
对所述电极层进行图案化，形成多个阳极单元和多个阴极单元，所述多个阳极单元彼此电绝缘，且所述阳极单元与所述阴极单元电绝缘。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，所述第一基板为玻璃基板；
位于所述第一基板第一侧的缓冲层，所述缓冲层包括至少一层第一缓冲层；
位于所述缓冲层背离所述第一基板一侧的LED结构，所述LED结构包括第一LED结构，所述第一LED结构包括多个LED单元，所述第一缓冲层与所述第一LED结构的晶格匹配；
位于所述LED结构背离所述缓冲层一侧形成覆盖所述LED结构的平坦化层；
位于所述平坦化层背离所述LED结构一侧的电极结构，所述电极结构与所述LED单元电连接；
位于所述电极结构背离所述LED结构一侧的控制电路，所述控制电路与所述电极结构电连接，用于控制所述LED单元的工作状态。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述电极结构的材料为金属。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述第一基板背离所述第一缓冲层一侧的颜色转换层；
覆盖所述颜色转换层背离所述第一基板一侧的保护结构。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述第一基板与所述第一缓冲层之间的颜色转换层。
11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述控制电路在所述第一基板上的正投影与所述LED结构在所述第一基板上的正投影无交叠。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述第一缓冲层与所述第一基板之间的金属层。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述控制电路背离所述第一基板一侧，与所述第一基板相对设置的第二基板；
位于所述第二基板与所述控制电路之间的颜色转换层。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述电极结构的材料为透明导电材料。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述电极结构包括：
与所述LED单元电连接的阳极结构，所述阳极结构包括多个阳极单元；
位于所述阳极结构背离所述LED单元的阴极结构，所述阴极结构包括相互电连接的阴极层和电连接结构，所述阴极层通过所述电连接结构与所述LED单元电连接，其中所述阴极层的材料为透明导电材料。
16.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述电极结构包括：
与所述LED单元电连接的阳极结构，所述阳极结构包括多个彼此电绝缘的阳极单元；
与所述LED单元电连接的阴极结构，所述阴极结构包括多个阴极单元，所述阴极单元与所述阳极单元电绝缘；
其中，所述阴极单元与所述阳极单元位于同一层。
17.根据权利要求9、10或13所述的显示面板，其特征在于，所述颜色转换层包括多个颜色的色阻；或，所述颜色转换层为包括多个颜色的量子点单元。
18.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元。
19.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层还包括至少一层第二缓冲层和至少一层第三缓冲层，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层位于同一层；
所述LED结构还包括第二LED结构和第三LED结构，所述第二LED结构和所述第三LED结构均包括多个LED单元，所述第一LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第一颜色，所述第二LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第二颜色，所述第三LED结构对应的多个所述LED单元为同一种颜色的LED单元，该颜色为第三颜色，且，所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色均不相同；
所述第二缓冲层与所述第二LED结构的晶格匹配，所述第三缓冲层与所述第三LED结构的晶格匹配。
20.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层还包括第四缓冲层，所述第四缓冲层位于所述第一基板与所述第一缓冲层所在膜层之间；
所述第四缓冲层的晶格常数位于所述第一缓冲层的晶格常数与所述第一基板的晶格常数之间，所述第四缓冲层的热膨胀系数位于所述第一缓冲层的热膨胀系数与所述第一基板的热膨胀系数之间。
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