CN113948626A - 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法 - Google Patents

显示装置、显示屏和显示装置的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113948626A
CN113948626A CN202010696666.0A CN202010696666A CN113948626A CN 113948626 A CN113948626 A CN 113948626A CN 202010696666 A CN202010696666 A CN 202010696666A CN 113948626 A CN113948626 A CN 113948626A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
thin
light emitting
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010696666.0A
Other languages
English (en)
Inventor
袁泽
罗浩俊
康佳昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Royole Technologies Co Ltd filed Critical Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority to CN202010696666.0A priority Critical patent/CN113948626A/zh
Priority to US17/377,196 priority patent/US20220020907A1/en
Publication of CN113948626A publication Critical patent/CN113948626A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示屏、显示装置及其制作方法，显示装置包括：层叠设置的衬底层、第一平坦化层和薄膜晶体管层；以及设于第一平坦化层的发光元件；发光元件朝向薄膜晶体管层的一侧设有电连接件，电连接件露出第一平坦化层并与薄膜晶体管层电连接。通过将第一平坦化层设于衬底层和薄膜晶体管层之间，发光元件设于第一平坦化层，发光元件的电连接件露出第一平坦化层，使得薄膜晶体管层与发光元件的电连接可通过在电连接件上金属沉积和图案化来实现，因此，无需在电连接件上设置焊锡凸块或者共熔金属，从而简化了制程，发光元件较为平坦，电连接件不受过多的限制，有利于降低对发光元件的设计要求。

Description

显示装置、显示屏和显示装置的制作方法
技术领域
本领域属于半导体技术领域，尤其涉及一种显示装置、显示屏和显示装置的制作方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。
目前的LED一般设于薄膜晶体管层背向衬底层的一侧，由薄膜晶体管层驱动，因此LED需要与薄膜晶体管层绑定，这样的话会有一些制程的限制。比如LED上的焊盘等电连接件上需要有焊锡凸块或者共熔金属，需要沉积非常厚的金属，而且还需要热制程。复杂的制程难以保证发光元件的平坦程度，且对于电连接件的大小有要求，最终使得LED的大小有限制。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示装置、显示屏和显示装置的制作方法，能够简化制程，从而使得显示装置的平坦程度较高，对于焊盘的大小无过多要求，电连接件的尺寸无过多限制。
为实现本发明的目的，本发明提供了如下的技术方案：
第一方面，本发明提供了一种显示装置，显示装置包括：层叠设置的衬底层、第一平坦化层和薄膜晶体管层；以及设于所述第一平坦化层的发光元件；所述发光元件朝向所述薄膜晶体管层的一侧设有电连接件，所述电连接件露出所述第一平坦化层并与所述薄膜晶体管层电连接。
通过将第一平坦化层设于衬底层和薄膜晶体管层之间，发光元件设于第一平坦化层，发光元件的电连接件露出第一平坦化层，使得薄膜晶体管层与发光元件的电连接可通过在电连接件上金属沉积和图案化来实现，因此，无需在电连接件上设置焊锡凸块或者共熔金属，从而简化了制程，发光元件较为平坦，电连接件不受过多的限制，有利于降低对发光元件的设计要求。
一种实施方式中，所述发光元件为微发光二极管。微发光二极管的亮度较高、发光效率较高且功耗较低，从而提高了显示装置的发光性能。
一种实施方式中，所述电连接件为所述发光元件的焊盘。可以理解的是，电连接件为发光元件的焊盘，以便于进一步简化制程。
一种实施方式中，还包括覆盖于所述薄膜晶体管层的封装层，所述薄膜晶体管层位于所述封装层与所述第一平坦化层之间。通过将封装层设置于薄膜晶体管层背向第一平坦化层的一侧，有利于保证发光元件的平坦程度。
一种实施方式中，所述薄膜晶体管层包括金属层，所述金属层穿过所述薄膜晶体管层与所述电连接件电连接。通过设置金属层，金属层穿过薄膜晶体管层而与电连接件电连接，无需在电连接件上设置焊锡凸块或者共熔金属，从而简化了制程，有利于提高平坦程度和降低对发光元件的设计要求。
一种实施方式中，所述薄膜晶体管层还包括第二平坦化层，所述发光元件包括连接于所述电连接件的电极片，所述第二平坦化层覆盖所述电极片，所述金属层穿过所述第二平坦化层与所述电极片电连接。通过设置金属层穿过第二平坦化层而与电极片电连接，制程较为简单，同时第二平坦化层覆盖电极片，避免相邻电极片接触而短路，能够提高显示装置的良率。另外，通过将第二平坦化层覆盖电极片，可进一步提高显示装置的平坦程度。
一种实施方式中，所述发光元件的数目为多个，多个所述发光元件间隔设置；所述薄膜晶体管层包括与所述发光元件一一对应的多个薄膜晶体管；相邻的两个所述发光元件之间通过柔性连接件连接。通过设置柔性连接件，柔性连接件连接相邻的发光元件，有利于显示装置实现可拉伸设计和可弯折设计。
一种实施方式中，所述柔性连接件包括图案化的衬底层、图案化的薄膜晶体管层和图案化的第一平坦化层中的至少一者，所述图案化的衬底层为柔性聚合物薄膜。通过设置柔性聚合物薄膜材质的图案化的衬底层，柔性连接件能够连接相邻的发光元件，且能够一定程度的变形，从而实现可拉伸设计。通过设置图案化的薄膜晶体管层，柔性连接件能够连接相邻的发光元件，且能够进行一定程度的变形，从而实现可拉伸设计。同样的，图案化的第一平坦化层也是能够支持一定程度的拉伸变形，从而实现可拉伸设计。另外，图案化的第一平坦层还起到一个支撑的作用，能够将发光元件固定在对应的衬底层和薄膜晶体管层之间。
一种实施方式中，所述图案化的薄膜晶体管层被局部刻蚀。通过局部刻蚀形成图案化的薄膜晶体管层，工艺简单，且便于设计延展性良好的图案。
一种实施方式中，所述图案化的薄膜晶体管层包括层叠的第二平坦化层、阻挡层、遮光板绝缘层、栅极绝缘层、层间介质层、钝化层。可以理解的是，阻挡层具有较佳的密封性，可以减少渗透到达薄膜晶体管层中的水、氧以及光线等，从而抑制缺陷态的产生。
一种实施方式中，所述图案化的薄膜晶体管层中的层间介质层、栅极绝缘层、遮光板绝缘层、阻挡层中的至少一层被刻蚀。通过刻蚀层间介质层、栅极绝缘层、遮光板绝缘层、阻挡层中的至少一层，使得薄膜晶体管层图案化，从而完成可拉伸设计。
一种实施方式中，所述薄膜晶体管层还包括遮光层、有源层、栅极层、源漏极层；所述遮光板绝缘层用于使所述有源层与所述遮光层之间绝缘；所述栅极绝缘层用于使所述栅极层与所述有源层之间绝缘；所述层间介质层用于使所述源漏极层与所述栅极层之间绝缘；所述钝化层用于整体保护所述薄膜晶体管层。可以理解的是，遮光板绝缘层绝缘有源层和遮光层，避免与遮光层连接的金属层和有源层短接。栅极绝缘层绝缘栅极层和有源层绝缘，避免栅极层与有源层短接。层间介质层绝缘源漏极层和栅极层，避免源漏极层和栅极层短接。通过上述设置，可有效提高显示装置的良率，同时钝化层整体保护薄膜晶体管层，使得薄膜晶体管层具有良好的结构强度。
一种实施方式中，所述柔性连接件呈曲线状。曲线状的柔性连接件的延展性较为良好，能够支持显示装置较大程度的拉伸变形。
一种实施方式中，所述发光元件的出光面朝向所述薄膜晶体管层和/或所述衬底层。通过设置发光面朝向薄膜晶体管层和/或衬底层，发光元件具有多种出光方案，有利于显示装置适用于各类显示屏，提高了显示装置的适用性。
一种实施方式中，所述发光元件朝向所述出光面一侧的所述薄膜晶体管层和/或所述衬底层具有对应的透光区域。通过设置透光区域，使得发光元件的光线能够通过透光区域出射。
一种实施方式中，所述薄膜晶体管层对应于所述发光元件的透光区域为透光材料，以及/或者所述衬底层为透光材料。通过设置薄膜晶体管层的透光区域为透光材料，发光元件的光线在薄膜晶体管层的透光区域的通过率较高，有利于提高发光元件在薄膜晶体管层一侧的出光亮度；衬底层为透光材料，使得发光元件的光线在衬底层的通过率较高，有利于提高发光元件在衬底层一侧的出光亮度。
一种实施方式中，所述发光元件的背光面一侧设有反射层。通过设置反射层于发光元件的背光面，反射层将发光元件各个朝向的光线均反射至出光面，从而提高了光线出射效率，有利于提高显示装置的亮度以及降低显示装置的功耗。
一种实施方式中，所述反射层与所述发光元件电连接，所述反射层和所述电极片共同驱动所述发光元件。可以理解的是，电极片为垂直式的发光元件的上电极，反射层为发光元件的下电极，上下两个电极同时驱动发光元件。具体的，可通过蚀刻或者钻孔等方式开设通道，将反射层电连接至薄膜晶体管层。通过设置反射层与发光元件电连接，反射层能够集反射和驱动功能于一体，无需另外设置下电极，从而简化了显示装置的制程。
一种实施方式中，所述发光元件的出光面朝向所述薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上设有挡光层，所述挡光层对应于所述发光元件的区域透光，其他区域不透光。可以理解的是，挡光层能够避免发光元件发射的光线分散。
一种实施方式中，所述发光元件包括蓝光微发光二极管、红光转换层、绿光转换层；所述红光转换层设置于所述蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出红光；所述绿光转换层设置于所述蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出绿光；所述红光转换层和所述绿光转换层上设有滤光层。通过设置蓝色微发光二极管、红光转换层和绿光转换层，从而使得发光元件只采用蓝光微发光二极管就可以发出红绿蓝三种颜色的光线，且在迁移工艺中仅需迁移一次蓝光微发光二极管，且于红光微发光二极管以及绿光微发光二极管相比，蓝光微发光二极管的效率性能更高，有利于显示装置高效能的显示。可以理解的是，若是采用蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管和红光微发光二极管的方案，需要进行三次迁移工艺，制程较为复杂。通过蓝光微发光二极管配合红光转换层以及绿光转换层发出红光和绿光，仅需光量子产率达到70％，则本实施方式比蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管和红光微发光二极管的方案更加有优势，显示装置的效能更高。
第二方面，本发明还提供了一种显示屏，显示屏包括第一方面任一项实施方式所述的显示装置。通过在显示屏中加入本发明提供的显示装置，显示屏的制程较为简单，且平坦程度更高。
第三方面，本发明还提供了一种显示装置的制作方法，制作方法包括：在衬底层上制作发光元件；在所述衬底层上形成第一平坦化层，使所述第一平坦化层覆盖所述发光元件；在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧形成薄膜晶体管层，使所述薄膜晶体管层与所述发光元件电连接。通过在衬底层上制作发光元件，且在衬底层上形成第一平坦化层，使第一平坦化层覆盖发光元件，该方法制作出来的发光元件的平坦程度较高。
一种实施方式中，在衬底层上制作发光元件，包括：将所述发光元件倒转至所述衬底层，并使所述发光元件的电连接件朝向所述薄膜晶体管层。通过将发光元件倒转至衬底层，使得发光元件的电连接件朝向薄膜晶体管层，以便于电连接件与薄膜晶体管层电连接。
一种实施方式中，在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧形成薄膜晶体管层，使所述薄膜晶体管层与所述发光元件电连接，包括：在所述第一平坦化层对应所述发光元件的位置蚀刻，使所述发光元件的电连接件露出所述第一平坦化层。通过刻蚀使得电连接件露出第一平坦化层，以便于电连接件与薄膜晶体管层电连接，制程较为简单，有利于提高显示装置的良率。
一种实施方式中，在所述电连接件上沉积电极片，将所述电极片电连接至所述薄膜晶体管层。通过在电连接件上沉积电极片，无需设置焊锡凸块和共熔金属，更不需要热制程，有利于简化显示装置的制程。
一种实施方式中，还包括：在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧依次形成第二平坦化层和金属层，使所述第二平坦化层覆盖所述电极片，所述金属层穿过所述第二平坦化层而与所述电极片电连接。通过设置第二平坦化层和金属层，金属层穿过第二平坦化层而与电极片电连接，工艺较为简单，且第二平坦化层覆盖电极片，能够避免相邻的电极片短接，提高了显示装置的良率。并且，设置第二平坦化层覆盖电极片，可进一步提高显示装置的平坦程度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图2是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图3是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图4是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图5是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图6是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图7是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图8是另一种实施例中的显示装置的结构示意图；
图9是一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图10是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图11是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图12是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图13是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图14是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图15是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图16是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图17是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图18是另一种实施例中的具有多个发光元件的显示装置的结构示意图；
图19是一种实施例中柔性连接件连接相邻发光元件的结构示意图；
图20是一种实施方式中显示装置的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1和图9，本发明实施例提供了一种显示装置，显示装置可应用于平板电脑、智能手机、个人数字助理、电视机等电子设备。显示装置包括：
层叠设置的衬底层10、第一平坦化层20和薄膜晶体管层30；
以及设于第一平坦化层20的发光元件21；
发光元件21朝向薄膜晶体管层30的一侧设有电连接件211，电连接件211露出第一平坦化层20并与薄膜晶体管层30电连接。
具体的，第一平坦化层20一般为光敏有机材料。第一平坦化层20能够将发光元件21固定在衬底层10上，相当于薄膜晶体管层30的间接衬底。优选第一平坦化层20的材料与衬底层10一样，当衬底层10的材质为聚酰亚胺时，第一平坦化层20的材质同样为聚酰亚胺。发光元件21的数目可以为一个或者多个。薄膜晶体管层30中具有至少一个薄膜晶体管，优选薄膜晶体管的数目与发光元件21的数目相同。电连接件211优选为发光元件21的焊盘，以便于简化发光元件21与薄膜晶体管层30电连接的工艺。发光元件21为微发光二极管，微发光二极管的亮度较高、发光效率较高且功耗较低，从而提高了显示装置的发光性能。
可以理解的是，如果发光元件21设置在薄膜晶体管层30背向衬底层10的一侧，则发光元件21与薄膜晶体管需要绑定工艺，在电连接件211上需要设置焊盘凸块或者共熔金属，这样需要沉积非常厚的金属，并且绑定的过程中需要加热，如此使得制程相当复杂。制程的复杂使得发光元件21的平坦较难保证，而且由于需要沉积较厚的金属，电连接件211的尺寸需要达到一定的要求，最终导致发光元件21的大小受到限制，对发光元件21的设计要求较高，成本也较高。
通过将第一平坦化层20设于衬底层10和薄膜晶体管层30之间，发光元件21设于第一平坦化层20，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20，使得薄膜晶体管层30与发光元件21的电连接可通过在电连接件211上金属沉积和图案化来实现，因此，无需在电连接件211上设置焊锡凸块或者共熔金属，从而简化了制程，发光元件21较为平坦，电连接件211不受过多的限制，有利于降低对发光元件21的设计要求。
一种实施方式中，请参阅图1，显示装置还包括保护层40。保护层40覆盖于薄膜晶体管层30背向第一平坦化层20的一侧，保护层40用于保护薄膜晶体管层30。具体的，保护层40的材质优选为弹性材料，以便于显示装置满足可拉伸的设计要求。
一种实施方式中，请参阅图7，保护层40覆盖薄膜晶体管层30、第一平坦化层20和衬底层10，保护层40为弹性材质，以便于实现可拉伸设计。
一种实施方式中，请参阅图5和图6，显示装置还包括覆盖于薄膜晶体管层30的封装层70。薄膜晶体管层30位于封装层70与第一平坦化层20之间。具体的，封装层70设于保护层40背向薄膜晶体管层30的一侧。通过将封装层70设置于薄膜晶体管层30背向第一平坦化层20的一侧，有利于保证发光元件21的平坦程度。而且，封装层70对封装层70底下的诸如薄膜晶体管层30、第一平坦化层20和衬底层10均具有保护作用。同时，封装层70的密封性较佳。
一种实施方式中，请参阅图1，薄膜晶体管层30包括金属层312。金属层312穿过薄膜晶体管层30与电连接件211电连接。通过设置金属层312，金属层312穿过薄膜晶体管层30而与电连接件211电连接，无需在电连接件211上设置焊锡凸块或者共熔金属，从而简化了制程，有利于提高平坦程度和降低对发光元件21的设计要求。
一种实施方式中，请参阅图1，薄膜晶体管层30还包括第二平坦化层301。发光元件21包括连接于电连接件211的电极片212，第二平坦化层301覆盖电极片212，金属层312穿过第二平坦化层301与电极片212电连接。具体的，第二平坦化层301的材质与第一平坦化层20的材质相同。可以理解的是，一般电连接件211的电极片212有正极和负极，第二平坦化层301可有效隔离正极的电极片212和负极的电极片212，以避免短接。通过设置金属层312穿过第二平坦化层301而与电极片212电连接，制程较为简单，同时第二平坦化层301覆盖电极片212，避免相邻电极片212接触而短路，能够提高显示装置的良率。另外，通过将第二平坦化层301覆盖电极片212，可进一步提高显示装置的平坦程度。可以理解的是，相对于将电极片212设置于一个平面上，在电极片212上覆盖平坦程度较高的第二平坦化层301的工艺更为简单且有效。
一种实施方式中，请参阅图15，发光元件21的数目为多个。多个发光元件21间隔设置。薄膜晶体管层30包括与发光元件21一一对应的多个薄膜晶体管。相邻的两个发光元件21之间通过柔性连接件13连接。通过设置柔性连接件13，柔性连接件13连接相邻的发光元件21，有利于显示装置实现可拉伸设计和可弯折设计。
一种实施方式中，请参阅图15至图18，柔性连接件13包括图案化的衬底层10。图案化的衬底层10为柔性聚合物薄膜。具体的，柔性聚合物薄膜优选为聚酰亚胺薄膜(Polyimide film)，在其他实施例中，衬底层10还可以为玻璃。通过设置图案化的衬底层10，衬底层10为柔性聚合物薄膜，柔性连接件13能够连接相邻的发光元件21，且能够一定程度的变形，从而实现可拉伸设计。
一种实施方式中，请参阅图15至图18，柔性连接件13包括图案化的薄膜晶体管层30。通过设置图案化的薄膜晶体管层30，柔性连接件13能够连接相邻的发光元件21，且能够进行一定程度的变形，从而实现可拉伸设计。
一种实施方式中，请参阅图15至图18，柔性连接件13包括图案化的第一平坦化层20。通过设置图案化的平坦层20，柔性连接件13能够连接相邻的发光元件21，且能够进行一定程度的变形，从而实现可拉伸设计。另外，图案化的第一平坦层20还起到一个支撑的作用，能够将发光元件21固定在对应的衬底层10和薄膜晶体管层30之间。
具体的，柔性连接件13包括图案化的薄膜晶体管层30、图案化的衬底层10、图案化的第一平坦化层20中的至少一者，以保证显示装置能够拉伸变形。
一种实施方式中，请参阅图15至图18，图案化的薄膜晶体管层30被局部刻蚀。通过局部刻蚀形成图案化的薄膜晶体管层30，工艺简单，且便于设计延展性良好的图案。
一种实施方式中，请参阅图15至图18，图案化的薄膜晶体管层30包括层叠的第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303、栅极绝缘层304、层间介质层305、钝化层306。可以理解的是，阻挡层302具有较佳的密封性，可以减少渗透到达薄膜晶体管层30中的水、氧以及光线等，从而抑制缺陷态的产生。
一种实施方式中，请参阅图1，图案化的薄膜晶体管层30中的层间介质层305、栅极绝缘层304、遮光板绝缘层303、阻挡层302中的至少一层被刻蚀。通过刻蚀层间介质层305、栅极绝缘层304、遮光板绝缘层303、阻挡层302中的至少一层，使得薄膜晶体管层30图案化，从而完成可拉伸设计。
一种实施方式中，请参阅图1，薄膜晶体管层30还包括遮光层307、有源层308、栅极层309、源漏极层310。遮光板绝缘层303用于使有源层308与遮光层307之间绝缘。栅极绝缘层304用于使栅极层309与有源层308之间绝缘。层间介质层305用于使源漏极层310与栅极层309之间绝缘。钝化层306用于整体保护薄膜晶体管层30。可以理解的是，遮光板绝缘层303绝缘有源层308和遮光层307，避免与遮光层307连接的金属层312和有源层308短接。栅极绝缘层304绝缘栅极层309和有源层308绝缘，避免栅极层309与有源层308短接。层间介质层305绝缘源漏极层310和栅极层309，避免源漏极层310和栅极层309短接。通过上述设置，可有效提高显示装置的良率，同时钝化层306整体保护薄膜晶体管层30，使得薄膜晶体管层30具有良好的结构强度。
一种实施方式中，请参阅图19，柔性连接件13呈曲线状。曲线状的柔性连接件13的延展性较为良好，能够支持显示装置较大程度的拉伸变形。
一种实施方式中，请参阅图9至图11，发光元件21的出光面朝向薄膜晶体管层30和/或衬底层10。通过设置发光面朝向薄膜晶体管层30和/或衬底层10，发光元件21具有多种出光方案，有利于显示装置适用于各类显示屏，提高了显示装置的适用性。具体的，发光元件21的出光面可以同时朝向薄膜晶体管层30和衬底层10，以使发光元件21同时朝薄膜晶体管层30和衬底层10出光。或者，发光元件21的出光面仅朝向薄膜晶体管层30或衬底层10，以使发光元件21朝薄膜晶体管层30或衬底层10出光。
一种实施方式中，请参阅图9至图11，发光元件21朝向出光面一侧的薄膜晶体管层30和/或衬底层10具有对应的透光区域320。通过设置透光区域320，使得发光元件21的光线能够通过透光区域320出射。具体的，可同时在薄膜晶体管层30和衬底层10设置透光区域320，以使得发光元件21能够双侧出光。或者，仅在薄膜晶体管层30或衬底层10设置透光区域320，以使发光元件21单侧出光。
一种实施方式中，请参阅图9至图11，薄膜晶体管层30对应于发光元件21的透光区域320为透光材料，以及/或者衬底层10为透光材料。具体的，衬底层10为无色的聚酰亚胺材质。优选衬底层10对光线的透过率高于60％，当然本发明不对衬底层10的透过率作限定。通过设置薄膜晶体管层30的透光区域320为透光材料，发光元件21的光线在薄膜晶体管层30的透光区域320的通过率较高，有利于提高发光元件21在薄膜晶体管层30一侧的出光亮度；衬底层10为透光材料，使得发光元件21的光线在衬底层10的通过率较高，有利于提高发光元件21在衬底层10一侧的出光亮度。
一种实施方式中，请参阅图5和图14，发光元件21的背光面一侧设有反射层50。通过设置反射层50于发光元件21的背光面，反射层50将发光元件21各个朝向的光线均反射至出光面，从而提高了光线出射效率，有利于提高显示装置的亮度以及降低显示装置的功耗。具体的，可通过反射层50粘结发光元件21和衬底层10，而使发光元件21固定于衬底层10。当然，在不设置反射层50的实施例中，也可以在设置粘性衬垫，以使衬底层10与发光元件21连接固定。若需要在衬底层10出光，则粘性衬垫可采用透光材料。发光元件21仅在衬底层10的一侧出光时，反射层50可以为电极片212，电极片212为能够反光的金属材质，以使能够电连接同时，能够将发光元件21的光线反射至衬底层10的透光区域320。或者，发光元件21仅在薄膜晶体管层30一侧出光时，反射层50可设置于衬底层10和发光元件21之间，以使反射层50能够连接发光元件21和衬底层10的同时，将发光元件21的光线反射至薄膜晶体管层30的透光区域320。
一种实施方式中，请参阅图6和图8，反射层50与发光元件21电连接，反射层50和电极片212共同驱动发光元件21。可以理解的是，电极片212为垂直式的发光元件21的上电极，反射层50相当于发光元件21的下电极51，上下两个电极同时驱动发光元件21。通过设置反射层50与发光元件21电连接，反射层50能够集反射和驱动功能于一体，无需另外设置下电极51，从而简化了显示装置的制程。具体的，可通过蚀刻或者钻孔等方式开设通道，将反射层50电连接至薄膜晶体管层30中的金属层312。举例而言，反射层50可类似于图7中的发光元件21右侧的电极片212，通过将右侧的金属层312穿过第二平坦化层301而与反射层50电连接，具体可将反射层50的一部分延伸至第二平坦化层301中与金属层312电连接，或者将金属层312进一步穿过第一平坦化层20中与反射层50电连接。优选反射层50能够将射向反射层50的光能的70％以上反射回原入射的一侧。
一种实施方式中，请参阅图4和图5，发光元件21包括蓝光微发光二极管、光线转换层330(红光转换层和绿光转换层)。红光转换层设置于蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出红光。绿光转换层设置于蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出绿光。红光转换层和绿光转换层上设有滤光层340。光线转换层的材质优选为光转换率较高的量子点材料。通过设置蓝色微发光二极管、红光转换层和绿光转换层，从而使得发光元件21只采用蓝光微发光二极管就可以发出红绿蓝三种颜色的光线，且在迁移工艺中仅需迁移一次蓝光微发光二极管，且于红光微发光二极管以及绿光微发光二极管相比，蓝光微发光二极管的效率性能更高，有利于显示装置高效能的显示。可以理解的是，若是采用蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管和红光微发光二极管的方案，需要进行三次迁移工艺，制程较为复杂。通过蓝光微发光二极管配合红光转换层以及绿光转换层发出红光和绿光，仅需光量子产率达到70％，则本实施方式比蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管和红光微发光二极管的方案更加有优势，显示装置的效能更高。红光转换层和绿光转换层会漏过一定的蓝光，滤光层340可将蓝光拦截。
一种实施方式中，请参阅图5和图6，发光元件21的出光面朝向薄膜晶体管层30。薄膜晶体管层30上设有挡光层60，挡光层60对应于发光元件21的区域透光，其他区域不透光。具体的，优选挡光层60对应于发光元件21的区域对光线的透过率高于60％，当然本发明不对该区域的透过率作限定。当发光元件21通过薄膜晶体管层30的透光区域320出光时，挡光层60可设于封装层70和保护层40之间。当发光元件21从衬底层10一侧出光时，挡光层60可设于发光元件21与衬底层10之间。挡光层60设有光线转换层330和滤光层340，光线转换层330贯穿挡光层60，并与透光区域320相对，以使光线能够进入光线转换层330。滤光层340设于光线转换层330背向透光区域320的一侧。挡光层60除光线转换层330外的区域不透光。可以理解的是，挡光层能够避免发光元件发射的光线分散。
本发明实施例还提供了一种显示屏，显示屏可以为电视机、智能手机、个人数字助理、平板电脑等电子设备的屏幕。显示屏包括本发明实施例提供的显示装置。通过在显示屏中加入本发明提供的显示装置，显示屏的制程较为简单，且平坦程度更高。
请参阅图9和图20，本发明实施例还提供了一种显示装置的制作方法，制作方法包括：
S101：在衬底层10上制作发光元件21；
S102：在衬底层10上形成第一平坦化层20，使第一平坦化层20覆盖发光元件21；
S103：在第一平坦化层20背向衬底层10的一侧形成薄膜晶体管层30，使薄膜晶体管层30与发光元件21电连接。
具体的，发光元件21的数目为多个，发光元件21可以为普通的LED，也可以是MiniLED或者Micro LED等类型的LED。衬底层10的材料可以为玻璃或者聚酰亚胺等柔性聚合物，薄膜晶体管层30具有多个薄膜晶体管，优选薄膜晶体管的数目与发光元件21的数目相同且一一对应。可以理解的是，先制作发光元件21和形成第一平坦化层20，再形成薄膜晶体管层30，可以采用薄膜晶体管层30array工艺中的金属层312与发光元件21电连接，不用焊盘凸块和共熔金属，避免沉积过厚的金属而影响平坦程度。通过在衬底层10上制作发光元件21，且在衬底层10上形成第一平坦化层20，使第一平坦化层20覆盖发光元件21，该方法制作出来的发光元件21的平坦程度较高。
一种实施方式中，请参阅图9和图20，S101：在衬底层10上制作发光元件21，包括：
将发光元件21倒转至衬底层10，并使发光元件21的电连接件211朝向薄膜晶体管层30。
具体的，电连接件211优选为发光元件21的焊盘。通过将发光元件21倒转至衬底层10，使得发光元件21的电连接件211朝向薄膜晶体管层30，以便于电连接件211与薄膜晶体管层30电连接。
一种实施方式中，请参阅图9和图20，S103：在第一平坦化层20背向衬底层10的一侧形成薄膜晶体管层30，使薄膜晶体管层30与发光元件21电连接，包括：
在第一平坦化层20对应发光元件21的位置蚀刻，使发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。
具体的，电连接件211朝向薄膜晶体管层30的表面露出第一平坦化层20。蚀刻可以为化学蚀刻、电解蚀刻、激光蚀刻和超声波蚀刻等。通过刻蚀使得电连接件211露出第一平坦化层20，以便于电连接件211与薄膜晶体管层30电连接，制程较为简单，有利于提高显示装置的良率。
一种实施方式中，请参阅图1和图20，S103：在第一平坦化层20背向衬底层10的一侧形成薄膜晶体管层30，使薄膜晶体管层30与发光元件21电连接，包括：
在电连接件211上沉积电极片212，将电极片212电连接至薄膜晶体管层30。
通过在电连接件211上沉积电极片212，无需设置焊锡凸块和共熔金属，更不需要热制程，有利于简化显示装置的制程。
一种实施方式中，请参阅图1和图20，S103：在第一平坦化层20背向衬底层10的一侧形成薄膜晶体管层30，使薄膜晶体管层30与发光元件21电连接，包括：
在第一平坦化层20背向衬底层10的一侧依次形成第二平坦化层301和金属层312，使第二平坦化层301覆盖电极片212，金属层312穿过第二平坦化层301而与电极片212电连接。
通过设置第二平坦化层301和金属层312，金属层312穿过第二平坦化层301而与电极片212电连接，工艺较为简单，且第二平坦化层301覆盖电极片212，能够避免相邻的电极片212短接，提高了显示装置的良率。并且，设置第二平坦化层301覆盖电极片212，可进一步提高显示装置的平坦程度。
第一实施例
请参阅图1和图9，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。发光元件21从衬底层10一侧出光。发光元件21为垂直式或者水平式的微发光二极管，具体有红光微发光二极管、蓝光微发光二极管和绿光微发光二极管三种。
薄膜晶体管层30包括依次层叠的第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303、栅极绝缘层304、层间介质层305、钝化层306。另外，薄膜晶体管层30还包括遮光层307、有源层308、栅极层309、源漏极层310。遮光层307设于遮光板绝缘层303和阻挡层302之间，有源层308设于遮光板绝缘层303背向遮光层307的一侧，以使遮光板绝缘层303隔开遮光层307和有源层308，以达到绝缘的目的。栅极层309一部分设于层间介质层305和栅极绝缘层304之间，另一部分穿过栅极绝缘层304和遮光板绝缘而与遮光层307连接。有源层308设于栅极绝缘层304和遮光板绝缘层303之间。源漏极层310分为源极和漏极两部分，源极和漏极均可驱动发光元件21。源漏极层310中的源极的一部分设于钝化层306和层间介质层305之间，另一部分穿过层间介质层305和栅极绝缘层304而与有源层308连接。源漏极层310中的漏极的一部分设于钝化层306和层间介质层305之间，另一部分依次穿过层间介质层305、栅极绝缘层304和遮光板绝缘而与金属层312连接，以为发光元件21供电。本实施例中的源极和漏极的位置可互换。
第二实施例
请参阅图2和图10，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为玻璃或者聚酰亚胺等柔性聚合物，可以为透光，也可以为不透光。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。发光元件21为垂直式或者水平式的微发光二极管，具体有红光微发光二极管、蓝光微发光二极管和绿光微发光二极管三种。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
第三实施例
请参阅图2和图11，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。发光元件21为垂直式或者水平式的微发光二极管，具体有红光微发光二极管、蓝光微发光二极管和绿光微发光二极管三种。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21在薄膜晶体管层30的一侧和衬底层10的一侧同时出光。
第四实施例
请参阅图3和图12，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。透光区域320背向发光元件21的一侧连接有光线转换层330，光线转换层330包括绿光转换层和红光转换层。本实施例的发光元件21统一为垂直式或者水平式的蓝光微发光二极管，蓝光微发光二极管配合绿光转换层和红光转换层可同样发出红蓝绿三种颜色的光。
薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第五实施例
请参阅图4和图13，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。透光区域320背向发光元件21的一侧连接有光线转换层330，光线转换层330包括绿光转换层和红光转换层。本实施例的发光元件21统一为垂直式或者水平式的蓝光微发光二极管，蓝光微发光二极管配合绿光转换层和红光转换层可同样发出红蓝绿三种颜色的光。光线转换层330上设有滤光层340，滤光层340可以拦截光线转换层330漏出的蓝光。
薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第六实施例
请参阅图4和图14，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
衬底层10上连接有反射层50，多个发光元件21连接于反射层50背向衬底层10的表面。反射层50能够将发光元件21发出的各个方向的光线反射至薄膜晶体管层30而出光。第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。透光区域320背向发光元件21的一侧连接有光线转换层330，光线转换层330包括绿光转换层和红光转换层。本实施例的发光元件21统一为垂直式或者水平式的蓝光微发光二极管，蓝光微发光二极管配合绿光转换层和红光转换层可同样发出红蓝绿三种颜色的光。光线转换层330上设有滤光层340，滤光层340可以拦截光线转换层330漏出的蓝光。
薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第七实施例
请参阅图5和图14，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30、保护层40、挡光层60和封装层70。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
衬底层10上连接有反射层50，多个发光元件21连接于反射层50背向衬底层10的表面。反射层50能够将发光元件21发出的各个方向的光线反射至薄膜晶体管层30而出光。第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。挡光层60开设有与透光区域320相对的孔槽，光线转换层330安装于孔槽中。光线转换层330包括绿光转换层和红光转换层。本实施例的发光元件21统一为垂直式或者水平式的蓝光微发光二极管，蓝光微发光二极管配合绿光转换层和红光转换层可同样发出红蓝绿三种颜色的光。光线转换层330背向保护层40的表面设有滤光层340，滤光层340可以拦截光线转换层330漏出的蓝光。光线仅能通过挡光层60的光线转换层330出射，挡光层60的其他位置不透光。
薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第八实施例
请参阅图6和图8，显示装置依次层叠有衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30、保护层40、挡光层60和封装层70。衬底层10的材质为无色玻璃或者无色聚酰亚胺等柔性聚合物。
封装层70、挡光层60、保护层40、薄膜晶体管层30、平坦层和衬底层10的结构均可参考第七实施例。区别的是，本实施例中的发光元件21为垂直式发光二极管，优选为垂直式微发光二极管。垂直式发光二极管的上电极为电极片212，下电极51为金属材质的反射层50。反射层50能够反射发光元件21的光线以及驱动发光元件21。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第九实施例
请参阅图7和图15，显示装置包括衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10、第一平坦化层20和薄膜晶体管层30层叠设置，保护层40包围衬底层10、第一平坦化层20和薄膜晶体管层30。保护层40为弹性材料，以便于显示装置可拉伸。衬底层10的材质为玻璃或者聚酰亚胺等柔性聚合物，可以为透光，也可以为不透光。相邻的发光元件21通过柔性连接件13连接，柔性连接件13为图案化的薄膜晶体管层30和/或图案化的聚酰亚胺材质的衬底层10。可以理解的是，本实施例中的显示装置包括多个显示单元，每个显示单元均包括一个发光元件21、薄膜晶体管和对应位置的衬底层10。由于薄膜晶体管和对应位置的衬底层10均与发光元件21连接，因此柔性连接件13连接相邻显示单元的薄膜晶体管，从而连接相邻的发光元件21；或者柔性连接件13连接相邻显示单元的衬底层10，从而连接相邻的发光元件21。
多个发光元件21连接于衬底层10，第一平坦化层20覆盖多个发光元件21，发光元件21的电连接件211露出第一平坦化层20。电连接件211背向衬底层10的表面与电极片212连接。发光元件21为垂直式或者水平式的微发光二极管，具体有红光微发光二极管、蓝光微发光二极管和绿光微发光二极管三种。
薄膜晶体管层30具有透光区域320，透光区域320与发光元件21相对，发光元件21能够通过透光区域320将光线发射出去。薄膜晶体管层30中的诸如第二平坦化层301、阻挡层302、遮光板绝缘层303等各层的结构可参考第一实施例。
本实施例中的发光元件21通过透光区域320在薄膜晶体管层30的一侧出光。
第十实施例
请参阅图8和图16，显示装置包括衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30以及保护层40的结构均可参考第九实施例。需要注意的是，本实施例中的衬底层10为可透光的、无色的聚酰亚胺等柔性聚合物。薄膜晶体管层30不设有透光区域320，发光元件21从衬底层10的一侧出光。
发光元件21为垂直式的微发光二极管，发光元件21相对的两侧分别设有上电极和下电极51，上电极即电极片212，下电极51连接在衬底层10朝向发光元件21的表面上。由于发光元件21发出的光线需要穿过下电极51才能从衬底层10出射，故下电极51为氧化铟锡、纳米银等透明导电材料。
第十一实施例
请参阅图17，显示装置包括衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40的结构可参考第九实施例。本实施例中的发光元件21为蓝光微发光二极管，薄膜晶体管的透光区域320背向第一平坦化层20的一侧设有光线转换层330，光线转换层330的功能便不再阐述。
具体的，请参阅图3，光线转换层330可设于光线转换层330的表面。或者，请参阅图5，光线转换层330可设于挡光层60。
本实施例中的发光元件21在薄膜晶体管的一侧出光。
第十二实施例
请参阅图18，显示装置包括衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40。衬底层10、第一平坦化层20、薄膜晶体管层30和保护层40的结构可参考第九实施例。本实施例在第十一实施例的基础上，加入了滤光层340。滤光层340的作用便不再阐述。
具体的，请参阅图4，滤光层340包围光线转换层330的外表面，以防止光线转换层330漏出蓝光。或者，请参阅图5，滤光层340和光线转换层330均设于挡光层60。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (26)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
层叠设置的衬底层、第一平坦化层和薄膜晶体管层；以及
设于所述平坦化层的发光元件；
所述发光元件朝向所述薄膜晶体管层的一侧设有电连接件，所述电连接件露出所述第一平坦化层并与所述薄膜晶体管层电连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件为微发光二极管。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述电连接件为所述发光元件的焊盘。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括覆盖于所述薄膜晶体管层的封装层，所述薄膜晶体管层位于所述封装层与所述第一平坦化层之间。
5.如权利要求1至4任一项所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括金属层，所述金属层穿过所述薄膜晶体管层与所述电连接件电连接。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括第二平坦化层，所述发光元件包括连接于所述电连接件的电极片，所述第二平坦化层覆盖所述电极片，所述金属层穿过所述第二平坦化层与所述电极片电连接。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件的数目为多个，多个所述发光元件间隔设置；所述薄膜晶体管层包括与所述发光元件一一对应的多个薄膜晶体管；相邻的两个所述发光元件之间通过柔性连接件连接。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述柔性连接件包括图案化的衬底层、图案化的薄膜晶体管层和图案化的第一平坦化层中的至少一者，所述图案化的衬底层为柔性聚合物薄膜。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述图案化的薄膜晶体管层被局部刻蚀。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述图案化的薄膜晶体管层包括层叠的第二平坦化层、阻挡层、遮光板绝缘层、栅极绝缘层、层间介质层、钝化层。
11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述图案化的薄膜晶体管层中的层间介质层、栅极绝缘层、遮光板绝缘层、阻挡层中的至少一层被刻蚀。
12.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括遮光层、有源层、栅极层、源漏极层；所述遮光板绝缘层用于使所述有源层与所述遮光层之间绝缘；所述栅极绝缘层用于使所述栅极层与所述有源层之间绝缘；所述层间介质层用于使所述源漏极层与所述栅极层之间绝缘；所述钝化层用于整体保护所述薄膜晶体管层。
13.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述柔性连接件呈曲线状。
14.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件的出光面朝向所述薄膜晶体管层和/或所述衬底层。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件朝向所述出光面一侧的所述薄膜晶体管层和/或所述衬底层具有对应的透光区域。
16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管层对应于所述发光元件的透光区域为透光材料，以及/或者所述衬底层为透光材料。
17.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件的背光面一侧设有反射层。
18.如权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述反射层与所述发光元件电连接，所述反射层和所述电极片共同驱动所述发光元件。
19.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件的出光面朝向所述薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层上设有挡光层，所述挡光层对应于所述发光元件的区域透光，其他区域不透光。
20.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件包括蓝光微发光二极管、红光转换层、绿光转换层；所述红光转换层设置于所述蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出红光；所述绿光转换层设置于所述蓝光微发光二极管的出光面的一侧并发射出绿光；所述红光转换层和所述绿光转换层上设有滤光层。
21.一种显示屏，其特征在于，包括如权利要求1至20任一项所述的显示装置。
22.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底层上制作发光元件；
在所述衬底层上形成第一平坦化层，使所述第一平坦化层覆盖所述发光元件；
在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧形成薄膜晶体管层，使所述薄膜晶体管层与所述发光元件电连接。
23.如权利要求22所述的制作方法，其特征在于，在衬底层上制作发光元件，包括：
将所述发光元件倒转至所述衬底层，并使所述发光元件的电连接件朝向所述薄膜晶体管层。
24.如权利要求23所述的制作方法，其特征在于，在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧形成薄膜晶体管层，使所述薄膜晶体管层与所述发光元件电连接，包括：
在所述第一平坦化层对应所述发光元件的位置蚀刻，使所述发光元件的电连接件露出所述第一平坦化层。
25.如权利要求24所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述电连接件上沉积电极片，将所述电极片电连接至所述薄膜晶体管层。
26.如权利要求25所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述第一平坦化层背向所述衬底层的一侧依次形成第二平坦化层和金属层，使所述第二平坦化层覆盖所述电极片，所述金属层穿过所述第二平坦化层而与所述电极片电连接。
CN202010696666.0A 2020-07-17 2020-07-17 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法 Pending CN113948626A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010696666.0A CN113948626A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法
US17/377,196 US20220020907A1 (en) 2020-07-17 2021-07-15 Display device, display screen and method for manufacturing display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010696666.0A CN113948626A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113948626A true CN113948626A (zh) 2022-01-18

Family

ID=79293642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010696666.0A Pending CN113948626A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 显示装置、显示屏和显示装置的制作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220020907A1 (zh)
CN (1) CN113948626A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114744011A (zh) * 2022-03-28 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种拼接显示屏

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203733B (zh) * 2021-12-10 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206234A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 乐金显示有限公司 发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备
CN109273479A (zh) * 2018-09-20 2019-01-25 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN208819884U (zh) * 2018-09-28 2019-05-03 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示屏及柔性显示装置
CN110178446A (zh) * 2017-01-20 2019-08-27 Lg电子株式会社 使用半导体发光元件的显示装置
CN111129270A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 乐金显示有限公司 微型led显示装置
WO2020100417A1 (ja) * 2018-11-15 2020-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9329314B2 (en) * 2012-07-13 2016-05-03 Apple Inc. Touch screen display with transparent electrical shielding layer
WO2017034268A1 (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20210085523A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206234A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 乐金显示有限公司 发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备
CN110178446A (zh) * 2017-01-20 2019-08-27 Lg电子株式会社 使用半导体发光元件的显示装置
CN109273479A (zh) * 2018-09-20 2019-01-25 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN208819884U (zh) * 2018-09-28 2019-05-03 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示屏及柔性显示装置
CN111129270A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 乐金显示有限公司 微型led显示装置
WO2020100417A1 (ja) * 2018-11-15 2020-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114744011A (zh) * 2022-03-28 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种拼接显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
US20220020907A1 (en) 2022-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109037239B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US11177327B2 (en) Display panel, manufacturing method thereof, and display device
US8436968B2 (en) Flat display device integrated with photovoltaic cell
CN108267903A (zh) 显示装置、使用其的多屏幕显示装置及其制造方法
CN113838994B (zh) 显示面板、柔性显示屏和电子设备及显示面板的制备方法
CN109698224B (zh) 显示基板及其制造方法和显示面板
KR20170117282A (ko) 디스플레이 장치
CN111312742B (zh) 背光模组及其制备方法、显示装置
CN107408606A (zh) 发光元件、发光单元、发光面板装置及驱动发光面板装置的方法
CN102569341A (zh) 有机发光二极管显示器
US11527690B2 (en) Substrate, display panel and assembly detection method thereof
CN111370594A (zh) 显示面板和显示装置
KR20120123490A (ko) 광전자 소자 어레이
US20220020907A1 (en) Display device, display screen and method for manufacturing display device
CN113764601A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN115811902A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN110391283A (zh) 有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN1809235B (zh) 双面显示装置的制造方法以及双面显示装置
CN110323228A (zh) 基板及其制作方法、电子装置
CN112993117A (zh) 微发光二极管显示面板及其制备方法、显示装置
CN113345919B (zh) 显示面板及其制作方法
US20220376150A1 (en) Display panel and method of fabricating same
CN112955813B (zh) 绑定背板及其制作方法、背光模组及显示装置
CN111834418A (zh) 显示面板及电子设备
CN220629952U (zh) 显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20220118