CN109037239B - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN109037239B
CN109037239B CN201810836153.8A CN201810836153A CN109037239B CN 109037239 B CN109037239 B CN 109037239B CN 201810836153 A CN201810836153 A CN 201810836153A CN 109037239 B CN109037239 B CN 109037239B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
flexible substrate
pixel
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810836153.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109037239A (zh
Inventor
符鞠建
刘刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201810836153.8A priority Critical patent/CN109037239B/zh
Priority to US16/218,496 priority patent/US10504934B2/en
Publication of CN109037239A publication Critical patent/CN109037239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109037239B publication Critical patent/CN109037239B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L2021/775—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate comprising a plurality of TFTs on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，所述阵列基板的第一柔性衬底包括可折叠区域，至少在所述可折叠区域中，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极或栅极或有源层同层设置，减少了像素电极的距离第一柔性衬底的距离，即减少了像素电极距离中性面的距离，以及发光单元与像素电极的绑定位置距离中性面的距离；从而降低了在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力，进而降低了在使用过程中发光单元与像素电极发生剥落的概率，增加了阵列基板的稳定性和耐久性。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示设备技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，柔性显示面板成为显示面板中备受关注的种类之一。有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板以其自发光、高对比度和可弯折的特性成为柔性显示面板的主流技术之一。
但是OLED显示面板相较于传统的液晶(Liquid CrystalDisplay，LCD)显示面板而言，制备成本和制备难度较高。为了降低柔性显示面板的制备难度，Micro-LED显示面板应运而生，Micro-LED显示面板在具备可弯折特性的基础上，相较于OLED显示面板具有制备成本和制备难度较低的优点，并且其亮度更好、发光效率更好且功耗更低。
但由于Micro-LED显示面板中的像素电极在弯折过程中所受到的应力较大，使得与像素电极绑定在一起的发光单元容易在弯折过程中由于较大的应力而发生剥落，从而导致Miciro-LED显示面板中出现像素坏点，对Micro-LED显示面板的显示效果产生不良影响。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种阵列基板，包括：
第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；
位于所述第一柔性衬底表面交叉设置的多条栅极线和多条数据线；
位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；
至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对置基板，所述阵列基板为上述一项所述的阵列基板。
一种阵列基板的制备方法，包括：
提供第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；
在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；
至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，所述阵列基板的第一柔性衬底包括可折叠区域，至少在所述可折叠区域中，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极或栅极或有源层同层设置，减少了像素电极的距离第一柔性衬底的距离，即减少了像素电极距离中性面的距离，以及发光单元与像素电极的绑定位置距离中性面的距离；从而降低了在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力，进而降低了在使用过程中发光单元与像素电极发生剥落的概率，增加了阵列基板的稳定性和耐久性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图4为本申请的一个实施例提供的一种第一柔性衬底的俯视结构示意图；
图5为本申请的一个可选一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图6为本申请的另一个可选实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图7为本申请的又一个可选实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图8为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图9为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图10为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；
图11为本申请的一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图12为本申请的一个实施例提供的一种彩膜基板的剖面结构示意图；
图13为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图14为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图15为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图16为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种阵列基板，如图1、图2、图3和图4所示，图1、图2和图3分别为阵列基板的一种可行结构示意图，图4为第一柔性衬底及其表面结构的可行结构示意图，阵列基板包括：
第一柔性衬底100，第一柔性衬底100包括可折叠区域FL；
位于第一柔性衬底100表面交叉设置的多条栅极线120和多条数据线110；
位于栅极线120与数据线110限定区域中的显示像素LA，显示像素LA包括像素电路、与像素电路电连接的像素电极400以及位于像素电极400背离第一柔性衬底100一侧的发光单元500，发光单元500与像素电极400电连接；
至少在可折叠区域，参考图1，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的漏极270同层设置；
或
参考图2，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的栅极250同层设置；
或
参考图3，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的有源层240同层设置。
图4中还示出了与栅极线120电连接的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，以及与数据线110电连接的数据驱动电路。图4中示出的栅极驱动方式只用于举例说明，除了图4所示的交叉驱动的栅极驱动方式，还可以是单边驱动的栅极驱动方式、双边驱动的栅极驱动方式等其他驱动方式。
另外，图4中还示出了一种可行的可折叠区域FL和非折叠区域UFL的设置位置，在后续装配完成后，可折叠区域FL处可以配合辅助弯折装置实现一定角度的弯折，而非折叠区域UFL不可弯折。理论上来说，阵列基板上的所有位置均可以为可弯折区域FL，在为其配置了可以任意位置弯折的辅助弯折装置后，第一柔性衬底100可以只包括可折叠区域FL而不包括非折叠区域UFL。
通常情况下，阵列基板的衬底上通常设置有至少两层金属层，这两层金属层自第一柔性衬底100表面依次层叠排列，我们称之为第一金属层和第二金属层，其中第一金属层位于第二金属层与第一柔性衬底100之间，对于一些集成了触控功能的阵列基板而言，在第二金属层背离第一金属层一侧还设置有第三金属层。
这三层金属层用于形成阵列基板上的走线或电极等导电结构。以液晶显示面板为例，像素电路的薄膜晶体管T的栅极250和栅极线120由第一金属层形成，薄膜晶体管T的源极260、漏极270以及数据线110由第二金属层形成，对于集成触控功能的液晶显示面板，第三金属层用于形成触控走线。上述说明仅提供了一种可行的薄膜晶体管T的栅极250、源极260和漏极270等结构的膜层关系，本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
由于像素电极400需要与像素电路中的一个薄膜晶体管T的漏极270电连接，因此，在图2和图3所示的阵列基板中，由于像素电极400不与薄膜晶体管T的漏极270电连接，因此需要对有源层240与第二金属层之间的绝缘层打孔(图3)，或对栅极250与第二金属层之间的绝缘层打孔(图2)，以便使像素电极400可以通过打孔形成的过孔实现与薄膜晶体管T的漏极270的电连接。
而在图1所示的阵列基板中，由于像素电极400与薄膜晶体管T的源极260和漏极270处于同一层，因此像素电极400可以在图案化的过程中实现与薄膜晶体管T的漏极270的电连接，而无需进行打孔工序，简化了阵列基板的制备流程。
需要说明的是，图1、图2和图3所示的阵列基板中均以顶栅结构的薄膜晶体管T为例进行举例。当薄膜晶体管T为底栅结构时，其具体结构参考图5、图6和图7，图5、图6和图7均为阵列基板的可行结构示意图，在图5所示的结构中，至少在可折叠区域FL，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的漏极270同层设置；在图6所示的结构中，至少在可折叠区域FL，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的栅极250同层设置；在图7所示的结构中，至少在可折叠区域FL，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的有源层240同层设置。
需要注意的是，在应用于可弯折的柔性显示面板的阵列基板中，定义在弯折过程中应变为零的面为中性面，而一般该中性面靠近阵列基板中的第一柔性衬底100所在的平面，越靠近中性面的膜层在弯折过程中应变越小，由于应变所受到的应力也就越小。并且无论在顶栅结构的薄膜晶体管T中还是在底栅结构的薄膜晶体管T中，薄膜晶体管T的有源层240和栅极250均比源极260和漏极270更加靠近第一柔性衬底100。因此，在图2、图3、图6和图7所示的阵列基板中，像素电极400更加靠近第一柔性衬底100，即像素电极400距离中性面的距离更小，从而更加有利于降低在弯折过程中，发光单元500与像素电极400的绑定位置所受到的弯折应力。
另外，在第一柔性衬底100的非折叠区域上分布的薄膜晶体管T及像素电极400由于不需要进行弯折，可以采用如现有技术中的薄膜晶体管T和像素电路的膜层结构进行制备，也可以采用如图1-图7所示的膜层结构进行制备。本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
还需要说明的是，无论对于OLED显示面板还是Micro-LED显示面板而言，由于其均不需要背光这一结构来实现显示像素的发光，因此，在OLED显示面板或Micro-LED显示面板的阵列基板中，均不需要在有源层240与第一柔性衬底100之间设置遮光金属层来对有源层240的沟道进行遮光处理。但在本申请的一些实施例中，也可以通过在第一柔性衬底100与有源层240之间额外设置一层金属层的方式来实现像素电极400的制备，使得像素电极400位于第一柔性衬底100与有源层240之间。
下面分别对底栅结构的薄膜晶体管T和顶栅结构的薄膜晶体管T进行说明，当薄膜晶体管T为顶栅结构时，仍然参考图1、图2和图3，薄膜晶体管T包括：
位于第一柔性衬底100一侧的缓冲层210；
位于缓冲层210背离第一柔性衬底100一侧的有源层240，以及覆盖有源层240的栅绝缘层220，有源层240包括沟道区241以及分别位于沟道区241两侧的源极区242和漏极区243；
位于栅绝缘层220背离第一柔性衬底100一侧的栅极250，覆盖栅极250的层间绝缘层230；
位于层间绝缘层230背离第一柔性衬底100一侧的源极260和漏极270，源极260与源极区242电连接，漏极270与漏极区243电连接。
当薄膜晶体管T为底栅结构时，仍然参考图5、图6和图7，薄膜晶体管T包括：
位于第一柔性衬底100一侧的栅极250，以及覆盖栅极250的栅绝缘层220；
位于栅绝缘层220背离第一柔性衬底100一侧的有源层240，以及覆盖有源层240的层间绝缘层230，有源层240包括沟道区241以及分别位于沟道区241两侧的源极区242和漏极区243；
位于栅绝缘层背离第一柔性衬底100一侧的源极260和漏极270，源极260与源极区242电连接，漏极270与漏极区243电连接。
需要注意的是，由于有源层240所在的膜层为半导体材料层，当像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的有源层240同层设置时，需要对形成像素电极400的半导体材料所在位置进行粒子注入，以提高形成像素电极400的半导体材料的导电性，即像素电极400为半导体电极，且半导体电极的载流子浓度大于有源层240的载流子浓度。
在图1-图7所示的阵列基板中，还示出了设置在发光单元500背离第一柔性衬底100一侧，覆盖发光单元500的平坦层300。平坦层300可以使得阵列基板的整体表面平整，有利于在其上形成后续的膜层以构成完整的显示面板。另外，设置于发光单元500背离第一柔性衬底100一侧的平坦层300还可以复用为阵列基板的井层，有利于释放平坦层300和像素电路所在膜层在弯折过程中受到的应力。
为了提升阵列基板上各膜层结构的防尘防水以及防氧化性能，可选的，参考图8，图8为阵列基板的剖面结构示意图，阵列基板还包括：
位于第一柔性衬底100一侧，将栅极线、数据线、显示像素和平坦层封装在一起的薄膜封装结构600。
薄膜封装结构(Thin Flim Encapsulation，TFE)主要包括三层结构，靠近第一柔性衬底100的第一无机封装薄膜610，位于第一无机封装薄膜610远离第一柔性衬底100一侧的有机封装薄膜620以及位于有机封装薄膜620背离第一柔性衬底100一侧的第二无机封装薄膜630。薄膜封装结构600同样具有可弯折的特性，可以配合第一柔性衬底100实现可弯折的功能。
下面的一些实施例对发光单元500的具体结构进行说明，可选的，发光单元500可以为垂直LED或水平LED。
当发光单元500为水平LED时，如图9所示，图9为阵列基板的剖面结构示意图，像素电极400包括：第一子电极410和第二子电极420；
第一子电极410与第二子电极420同层设置，第一子电极410的一侧与薄膜晶体管T的漏极270电连接，第一子电极410的另一侧与发光单元500的阳极电连接；
第二子电极420与发光单元500的阴极电连接。
对于水平LED而言，由于其阳极和阴极位于平行于第一柔性衬底100上的一平面上，其第一子电极410和第二子电极420需要同层设置，以分别作为水平LED的阳极和阴极；并且由于制备工艺和电极功函数等因素的限制，第一子电极410可以为由导电薄膜形成的导电薄膜电极；而第二子电极420需要为金属电极。
当发光单元500为垂直LED时，如图10所示，图10为阵列基板的剖面结构示意图，像素电极400包括：相对设置的第三子电极430和第四子电极440；
第三子电极430的一侧与薄膜晶体管T的漏极270电连接，第三子电极430的另一侧与发光单元500的阳极电连接；
第四子电极440设置于发光单元500远离像素电路一侧，与发光单元500的阴极电连接。
对于垂直LED而言，由于其阳极和阴极相对设置，位于不同平面，因此其第三子电极430和第四子电极440也需要相对设置，以分别作为垂直LED的阳极和阴极。在垂直LED的结构中，由于第三子电极430和第四子电极440不需要同层设置，因此第三子电极430和第四子电极440均可以为导电薄膜电极。
当发光单元500的尺寸小于或等于10μm×10μm时，垂直LED在该尺寸下的表现更为良好，并且由于垂直LED作为其阳极和阴极的电极可以均为导电薄膜电极，相较于金属电极而言具有更好的光透过性，有利于提升显示面板的开口率。
并且在图10所示的结构中，第四子电极可以为正面电极结构，有利于简化工艺制程。
需要说明的是，在图9和图10实施例中，都是采用像素电极400与源极260或者漏极270同层制作的实施方案，但也不局限于此，可以是如前述实施例中的与栅极同层或者与有源层同层的方案。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，如图11所示，包括相对设置的阵列基板A10和对置基板A20，阵列基板A10为上述任一实施例的阵列基板。
区分于阵列基板A10上的显示像素中的发光单元的种类的不同，对置基板A20可以为偏光片或彩膜基板。具体地，当发光单元为发白光的LED时，对置基板A20需要为彩膜基板，以实现三原色的光线的发射。当发光单元分别为出射红光、绿光和蓝光的LED时，对置基板A20只需要为偏光片等光学膜层或保护膜等保护结构即可。
本申请的一个具体实施例提供了一种彩膜基板的具体构成结构，如图12所示，图12为彩膜基板的剖面结构示意图，彩膜基板包括：
第二柔性衬底A23，第二柔性衬底A23包括彩膜区A21和包围彩膜区A21的非显示区A22；
位于彩膜区A21朝向第一柔性衬底A23一侧的黑矩阵层A25和彩色滤光层A24；
位于彩膜区A21，且位于黑矩阵层A25和彩色滤光层A24朝向第一柔性衬底一侧的平坦结构A26。
同样的，第二柔性衬底A23也可以划分为与第一柔性衬底相对应的可折叠区域。
相应的，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，如图13所示，图13为阵列基板的制备方法的流程示意图，阵列基板的制备方法包括：
S101：提供第一柔性衬底，第一柔性衬底包括可折叠区域；
S102：在第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于栅极线与数据线限定区域中的显示像素，显示像素包括像素电路、与像素电路电连接的像素电极以及位于像素电极背离第一柔性衬底一侧的发光单元，发光单元与像素电极电连接；
至少在可折叠区域，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；
或
像素电极与像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；
或
像素电极与像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
制备获得的阵列基板的剖面结构分别参考图1-图7，由于像素电极需要与像素电路中的一个薄膜晶体管的漏极电连接，因此，在图2和图3所示的阵列基板中，由于像素电极不与薄膜晶体管的漏极电连接，因此需要对有源层与第二金属层之间的绝缘层打孔(图3)，或对栅极与第二金属层之间的绝缘层打孔(图2)，以便使像素电极可以通过打孔形成的过孔实现与薄膜晶体管的漏极的电连接。
而在图1所示的阵列基板中，由于像素电极与薄膜晶体管的源极和漏极处于同一层，因此像素电极可以在图案化的过程中实现与薄膜晶体管的漏极的电连接，而无需进行打孔工序，简化了阵列基板的制备流程。
需要说明的是，图1、图2和图3所示的阵列基板中均以顶栅结构的薄膜晶体管为例进行举例。当薄膜晶体管为底栅结构时，其具体结构参考图5、图6和图7，图5、图6和图7均为阵列基板的可行结构示意图，在图5所示的结构中，至少在可折叠区域，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；在图6所示的结构中，至少在可折叠区域，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；在图7所示的结构中，至少在可折叠区域，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
需要注意的是，无论在顶栅结构的薄膜晶体管中还是在底栅结构的薄膜晶体管中，薄膜晶体管的有源层和栅极均比源极和漏极更加靠近第一柔性衬底。因此，在图2、图3、图6和图7所示的阵列基板中，像素电极更加靠近第一柔性衬底，即像素电极距离中性面的距离更小，从而更加有利于降低在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力。
另外，在第一柔性衬底的非折叠区域上分布的薄膜晶体管及像素电极由于不需要进行弯折，可以采用如现有技术中的薄膜晶体管和像素电路的膜层结构进行制备，也可以采用如图1-图7所示的膜层结构进行制备。本申请对此并不做限定，具体视实际情况而定。
下面的一些实施例均以顶栅结构的薄膜晶体管为例，说明图1-图3所示的阵列基板上的栅极线、数据线以及显示像素的具体制备过程。
对于图1所示的阵列基板结构，如图14所示，图14为阵列基板的制备方法的流程示意图，阵列基板的制备方法包括：
S201：提供第一柔性衬底，第一柔性衬底包括可折叠区域；
S202：在第一柔性衬底表面形成缓冲层；
S203：在缓冲层背离第一柔性衬底一侧形成有源层，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区和漏极区；
S204：覆盖有源层形成栅绝缘层；
S205：在栅绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个栅极以及多条栅极线，栅极与栅极线电连接；
S206：覆盖栅极以及栅极线形成层间绝缘层，对层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔和多个第二过孔，第一过孔至少部分暴露出源极区，第二过孔至少部分暴露出漏极区；
S207：在层间绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个源极、多个漏极和多个像素电极，源极通过第一过孔与源极区电连接，漏极通过第二过孔与漏极区电连接。
对于图2所示的阵列基板结构，如图15所示，图15为阵列基板的制备方法的流程示意图，阵列基板的制备方法包括：
S301：提供第一柔性衬底，第一柔性衬底包括可折叠区域；
S302：在第一柔性衬底表面形成缓冲层；
S303：在缓冲层背离第一柔性衬底一侧形成有源层，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区和漏极区；
S304：覆盖有源层形成栅绝缘层；
S305：在栅绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个栅极、多条栅极线和多个像素电极，栅极与栅极线电连接；
S306：覆盖栅极、栅极线和像素电极形成层间绝缘层，对层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔、多个第二过孔和多个第三过孔，第一过孔至少部分暴露出源极区，第二过孔至少部分暴露出漏极区，第三过孔至少部分暴露出像素电极；
S307：在层间绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个源极和多个漏极，源极通过第一过孔与源极区电连接，漏极通过第二过孔与漏极区电连接，漏极通过第三过孔与像素电极电连接。
在本实施例中，与制备图1所示的阵列基板的主要区别步骤为S305和S205以及S306和S206；在制备图2所示的阵列基板时，像素电极与栅极在一次图案化的过程中形成；并且除了需要形成至少部分暴露出源极区的第一过孔、至少部分暴露出漏极区的第二过孔外，由于像素电极与漏极并非出于同一层，因此还需要形成至少部分暴露出像素电极的第三过孔，以使得在步骤S307中，像素电极可以通过第三过孔与漏极电连接。
对于图3所示的阵列基板结构，如图16所示，图16为阵列基板的制备方法的流程示意图，阵列基板的制备方法包括：
S401：提供第一柔性衬底，第一柔性衬底包括可折叠区域；
S402：在第一柔性衬底表面形成缓冲层；
S403：在缓冲层背离第一柔性衬底一侧形成多个有源层和多个像素电极，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区和漏极区；
S404：覆盖有源层形成栅绝缘层；
S405：在栅绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个栅极和多条栅极线，栅极与栅极线电连接；
S406：覆盖栅极和栅极线形成层间绝缘层，对层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔、多个第二过孔和多个第四过孔，第一过孔至少部分暴露出源极区，第二过孔至少部分暴露出漏极区，第四过孔至少部分暴露出像素电极；
S407：在层间绝缘层背离第一柔性衬底一侧形成多个源极和多个漏极，源极通过第一过孔与源极区电连接，漏极通过第二过孔与漏极区电连接，漏极通过第四过孔与像素电极电连接。
同样的，在本实施例中，与制备图1所示的阵列基板的主要区别步骤为S403和S203以及S406和S206；在制备图3所示的阵列基板时，像素电极与有源层在一次图案化的过程中形成；并且除了需要形成至少部分暴露出源极区的第一过孔、至少部分暴露出漏极区的第二过孔外，由于像素电极与漏极并非出于同一层，因此还需要形成至少部分暴露出像素电极的第四过孔，以使得在步骤S407中，像素电极可以通过第四过孔与漏极电连接。
综上，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，阵列基板的第一柔性衬底包括可折叠区域，至少在可折叠区域中，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极或栅极或有源层同层设置，减少了像素电极的距离第一柔性衬底的距离，即减少了像素电极距离中性面的距离，以及发光单元与像素电极的绑定位置距离中性面的距离；从而降低了在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力，进而降低了在使用过程中发光单元与像素电极发生剥落的概率，增加了阵列基板的稳定性和耐久性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (17)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；
位于所述第一柔性衬底表面交叉设置的多条栅极线和多条数据线；
位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接，所述发光单元为Micro-LED发光单元；
位于所述像素电路背离所述第一柔性衬底一侧的平坦层，所述平坦层复用为阵列基板的井层，且在平行于第一柔性衬底所在平面的方向上，所述发光单元与所述平坦层之间包括第一距离，所述第一距离大于0；
至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元为垂直LED或水平LED。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括：第一子电极和第二子电极；
所述第一子电极与所述第二子电极同层设置，所述第一子电极的一侧与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一子电极的另一侧与所述发光单元的阳极电连接；
所述第二子电极与所述发光单元的阴极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子电极为导电薄膜电极；
所述第二子电极为金属电极。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括：相对设置的第三子电极和第四子电极；
所述第三子电极的一侧与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第三子电极的另一侧与所述发光单元的阳极电连接；
所述第四子电极设置于所述发光单元远离所述像素电路一侧，与所述发光单元的阴极电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三子电极和第四子电极均为导电薄膜电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
位于所述第一柔性衬底一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层背离所述第一柔性衬底一侧的有源层，以及覆盖所述有源层的栅绝缘层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；
位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的栅极，覆盖所述栅极的层间绝缘层；
位于所述层间绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
位于所述第一柔性衬底一侧的栅极，以及覆盖所述栅极的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的有源层，以及覆盖所述有源层的层间绝缘层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；
位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。
9.根据权利要求7或8所述的阵列基板，其特征在于，当所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置时；
所述像素电极为半导体电极，所述半导体电极的载流子浓度大于所述有源层的载流子浓度。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于第一柔性衬底一侧，将所述栅极线、数据线、显示像素和平坦层封装在一起的薄膜封装结构。
11.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和对置基板，所述阵列基板为权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述对置基板为偏光片或彩膜基板。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：
第二柔性衬底，所述第二柔性衬底包括彩膜区和包围所述彩膜区的非显示区；
位于所述彩膜区朝向所述第一柔性衬底一侧的黑矩阵层和彩色滤光层；
位于所述彩膜区，且位于所述黑矩阵层和彩色滤光层朝向所述第一柔性衬底一侧的平坦结构。
14.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；
在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接，所述发光单元为Micro-LED发光单元；
形成位于所述像素电路背离所述第一柔性衬底一侧的平坦层，所述平坦层复用为阵列基板的井层，且在平行于第一柔性衬底所在平面的方向上，所述发光单元与所述平坦层之间包括第一距离，所述第一距离大于0；
至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；
或
所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素包括：
在所述第一柔性衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层背离所述第一柔性衬底一侧形成有源层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；
覆盖所述有源层形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个栅极以及多条栅极线，所述栅极与所述栅极线电连接；
覆盖所述栅极以及所述栅极线形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿所述层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔和多个第二过孔，所述第一过孔至少部分暴露出所述源极区，所述第二过孔至少部分暴露出所述漏极区；
在所述层间绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个源极、多个漏极和多个所述像素电极，所述源极通过所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏极区电连接。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素包括：
在所述第一柔性衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层背离所述第一柔性衬底一侧形成有源层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；
覆盖所述有源层形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个栅极、多条栅极线和多个像素电极，所述栅极与所述栅极线电连接；
覆盖所述栅极、所述栅极线和所述像素电极形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿所述层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔、多个第二过孔和多个第三过孔，所述第一过孔至少部分暴露出所述源极区，所述第二过孔至少部分暴露出所述漏极区，所述第三过孔至少部分暴露出所述像素电极；
在所述层间绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个源极和多个漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏极区电连接，所述漏极通过所述第三过孔与所述像素电极电连接。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素包括：
在所述第一柔性衬底表面形成缓冲层；
在所述缓冲层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个有源层和多个像素电极，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；
覆盖所述有源层形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个栅极和多条栅极线，所述栅极与所述栅极线电连接；
覆盖所述栅极和所述栅极线形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，以形成贯穿所述层间绝缘层和栅绝缘层的多个第一过孔、多个第二过孔和多个第四过孔，所述第一过孔至少部分暴露出所述源极区，所述第二过孔至少部分暴露出所述漏极区，所述第四过孔至少部分暴露出所述像素电极；
在所述层间绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧形成多个源极和多个漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述漏极区电连接，所述漏极通过所述第四过孔与所述像素电极电连接。
CN201810836153.8A 2018-07-26 2018-07-26 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 Active CN109037239B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810836153.8A CN109037239B (zh) 2018-07-26 2018-07-26 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US16/218,496 US10504934B2 (en) 2018-07-26 2018-12-13 Array substrate, method for manufacturing array substrate, and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810836153.8A CN109037239B (zh) 2018-07-26 2018-07-26 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109037239A CN109037239A (zh) 2018-12-18
CN109037239B true CN109037239B (zh) 2020-11-17

Family

ID=64646705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810836153.8A Active CN109037239B (zh) 2018-07-26 2018-07-26 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10504934B2 (zh)
CN (1) CN109037239B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987426B (zh) * 2018-07-23 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 一种柔性led显示面板及电子设备
KR20200120845A (ko) * 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110400775A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板的制作方法及柔性阵列基板和柔性显示装置
CN110391283B (zh) * 2019-07-31 2022-05-27 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN110571224B (zh) * 2019-08-05 2021-12-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110570757A (zh) * 2019-08-09 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN112713166B (zh) * 2019-10-25 2023-02-17 成都辰显光电有限公司 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法
WO2021102663A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示组件、显示组件的制作方法、以及电子设备
CN112331691B (zh) * 2020-01-14 2023-06-27 友达光电股份有限公司 折叠显示器
CN111341792B (zh) * 2020-03-12 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法
CN111312742B (zh) * 2020-03-17 2022-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
CN113451346B (zh) * 2020-03-27 2024-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法
CN113450645B (zh) * 2020-03-27 2023-08-01 群创光电股份有限公司 显示面板以及拼接显示装置
CN111584512B (zh) * 2020-05-14 2024-01-05 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN112018145B (zh) * 2020-08-31 2023-06-27 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示组件与其制造方法
CN112310142B (zh) * 2020-10-29 2022-08-26 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置、显示面板及其制作方法
CN112599534A (zh) * 2020-12-08 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种背板组件、制程方法和显示装置
CN112768471B (zh) * 2020-12-31 2024-02-02 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN112652253A (zh) * 2021-01-06 2021-04-13 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112838100B (zh) * 2021-01-07 2023-08-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光面板及其制作方法
CN112750854B (zh) * 2021-02-04 2024-08-30 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112928192A (zh) * 2021-02-09 2021-06-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112991953B (zh) * 2021-03-09 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 支撑板及可折叠显示模组
CN113299746B (zh) * 2021-05-10 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED显示面板及其制备方法
CN113421892B (zh) * 2021-06-17 2023-11-24 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113629116B (zh) * 2021-07-30 2022-06-07 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法
CN114038977B (zh) * 2021-08-04 2023-10-31 重庆康佳光电科技有限公司 发光器件的制作方法
CN114220830B (zh) * 2021-12-08 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102856295A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106129104A (zh) * 2016-09-27 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、oled显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4275644B2 (ja) * 2004-06-23 2009-06-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに電子装置
CN103400918B (zh) 2013-08-14 2015-12-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 透明电极高密度柔性led微显示阵列器件及制作方法
CN103681694A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及柔性显示器
KR102547686B1 (ko) 2016-04-11 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102856295A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106129104A (zh) * 2016-09-27 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、oled显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20190115370A1 (en) 2019-04-18
CN109037239A (zh) 2018-12-18
US10504934B2 (en) 2019-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109037239B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US20230090279A1 (en) Display panel and display device
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
CN104464533B (zh) 一种显示面板、显示装置
CN102854665B (zh) 显示装置和电子设备
KR102313366B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN110112183A (zh) 双面显示面板及其制备方法
CN106200162B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN109950288A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN109962092A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN108933153A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20180076661A (ko) 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
KR20180071538A (ko) 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치
CN110098235B (zh) 显示面板及其制作方法
CN111381411B (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN108364993B (zh) 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
US11980068B2 (en) Display panel and display device with multiplexed photosensitive and display region
WO2022052226A1 (zh) 一种显示面板及显示装置
CN107845739B (zh) 一种oled器件、oled显示面板及制备方法
CN104851893A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN216623636U (zh) 显示面板及显示装置
CN220210913U (zh) 显示面板及显示装置
CN110047879B (zh) 一种显示面板以及电子装置
CN111554721B (zh) 一种显示基板及制作方法、显示装置
CN111490066B (zh) 一种显示面板以及电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant