CN112018145B - 微型发光二极管显示组件与其制造方法 - Google Patents

微型发光二极管显示组件与其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种微型发光二极管显示组件与其制造方法。微型发光二极管显示组件包含一基板，基板具有一第一线路层与一第二线路层。微型发光二极管显示组件也包含一第一接垫与一第二接垫，第一接垫与第二接垫分别设置于第一线路层与第二线路层之上。微型发光二极管显示组件还包含一微型发光二极管，其包含一第一电极与一第二电极。第一电极与第二电极分别连接第一接垫与第二接垫。此外，微型发光二极管显示组件包含一第一接合支撑层，第一接合支撑层设置于第一接垫与第二接垫之间，并直接接触基板与微型发光二极管。第一接合支撑层的抗拉应力大于或等于18MPa。

Description

微型发光二极管显示组件与其制造方法
技术领域
本发明实施例涉及一种发光二极管显示组件与其制造方法，尤其涉及一种包含接合支撑层的微型发光二极管显示组件与其制造方法。
背景技术
发光二极管(light-emitting diode,LED)显示器属于主动式半导体组件显示器，其具有省电、具备优异的对比度且在阳光下可具有更佳的可视性等优势。随着携带型电子设备的发展以及用户对于彩色、对比度等显示质量的要求日益提升，将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。
现今在制作用于微型发光二极管显示器的微型发光二极管显示组件时仍面临一些挑战。举例来说，在制作微型发光二极管显示组件时需要将多个微型发光二极管自载体基板(carrier substrate)上拾取并转移至接收基板上，并通过接合、固化等程序将微型发光二极管稳固地设置于接收基板上。
然而，在将其转移至接收基板上时容易产生歪斜。此外，由于每个微型发光二极管的体积小且整体厚度较薄，在接合过程中容易在自身的两个电极间产生碎裂(crack)。再者，电极间的间距小，位于接收基板上用于连接电极的接垫在接合和/或固化过程中彼此容易接触，造成短路。
因此，虽然现有的微型发光二极管显示组件已大致符合需求，但仍然存在一些问题。如何改善现有的微型发光二极管显示组件已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明实施例是有关于一种包含接合支撑层的微型发光二极管显示组件与其制造方法。通过将接合支撑层形成于用于连接微型发光二极管的电极的接垫之间，能有效防止接垫在接合和/或固化过程中彼此接触而造成短路。此外，接合支撑层可作为将微型发光二极管转移至接收基板时的基准，防止微型发光二极管歪斜。再者，接合支撑层在接合、固化等程序中直接接触微型发光二极管，可用于支撑微型发光二极管并防止微型发光二极管破裂，并将微型发光二极管更稳固地接合于基板。
本发明实施例包含一种微型发光二极管显示组件。微型发光二极管显示组件包含一基板，基板具有一第一线路层与一第二线路层。微型发光二极管显示组件也包含一第一接垫与一第二接垫，第一接垫与第二接垫分别设置于第一线路层与第二线路层之上。微型发光二极管显示组件更包含一微型发光二极管，其包含一第一电极与一第二电极。第一电极与第二电极分别连接第一接垫与第二接垫。此外，微型发光二极管显示组件包含一第一接合支撑层，第一接合支撑层设置于第一接垫与第二接垫之间，并直接接触基板与微型发光二极管。第一接合支撑层的抗拉应力大于或等于18MPa。
本发明实施例包含一种微型发光二极管显示组件的制造方法。此制造方法包含提供一基板，基板具有一第一线路层与一第二线路层。此制造方法也包含将一第一接垫与一第二接垫分别形成于第一线路层与第二线路层之上。此制造方法更包含将一接合支撑材料形成于基板、第一接垫与第二接垫之上。此外，此制造方法包含将接合支撑材料图案化，以在第一接垫与第二接垫之间形成一第一接合支撑层。第一接合支撑层的抗拉应力大于或等于18MPa。此制造方法也包含将具有一微型发光二极管的一载体基板与基板对接。微型发光二极管包含一第一电极与一第二电极。此制造方法还包含执行一接合制程，使第一接合支撑层将基板与微型发光二极管黏合。第一电极与第二电极分别连接第一接垫与第二接垫。再者，此制造方法包含将载体基板移除。
附图说明
以下将配合所附附图详述本发明实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，组件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。
图1A至图2B是根据本发明一实施例示出在制造微型发光二极管显示组件的各个阶段的剖面示意图；
图3至图4B是根据本发明另一实施例示出在制造微型发光二极管显示组件的各个阶段的剖面示意图；
图5是根据本发明一实施例示出微型发光二极管显示组件的剖面示意图；
图6是根据本发明另一实施例示出微型发光二极管显示组件的剖面示意图。
附图标号说明：
1:微型发光二极管显示组件
10:基板
10T:顶表面
11:第一线路层
12:第二线路层
21:第一接垫
21T:顶表面
22:第二接垫
22T:顶表面
30:接合支撑材料
31S:第一接合支撑层
31ST:顶表面
32S:第二接合支撑层
32ST:顶表面
40:载体基板
50:微型发光二极管
50T:顶表面
51:第一型半导体层
53:第二型半导体层
551:第一电极
553:第二电极
60:遮蔽层
60T:顶表面
70:光学胶层
d20:第一接垫的顶表面或第二接垫的顶表面与基板的顶表面的距离
d31:第一接合支撑层的顶表面与基板的顶表面的距离
d32:第二接合支撑层的顶表面与基板的顶表面的距离
d50:微型发光二极管的顶表面与基板的顶表面的距离
d60:遮蔽层的顶表面与基板的顶表面的距离
S:间隙
具体实施方式
以下的发明内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的发明内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本发明实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“在…上方”、上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词系为了便于描述图示中一个(些)组件或特征部件与另一个(些)组件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇发明所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
以下所发明的不同实施例可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复系为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系。
以下根据本发明的一些实施例，提出一种包含接合支撑层的微型发光二极管显示组件与其制造方法。通过将接合支撑层形成于用于连接微型发光二极管的电极的接垫之间，能有效防止接垫短路、微型发光二极管歪斜，也可用于支撑微型发光二极管并防止微型发光二极管破裂，以将微型发光二极管更稳固地接合于基板。
图1A至图2B是根据本发明一实施例示出在制造微型发光二极管显示组件1的各个阶段的剖面示意图。要特别注意的是，为了简便起见，图1A至图2B中可能省略部分部件。
参照图1A，提供一基板10。在一些实施例中，基板10可例如为显示基板、发光基板、具有薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)或集成电路(integrated circuit,IC)等功能组件的基板或其他类型的电路基板，但本发明实施例并非以此为限。举例来说，基板10可为整块的(bulk)半导体基板或包含由不同材料形成的复合基板，并且可以将基板10掺杂(例如，使用p型或n型掺质)或不掺杂。在一些实施例中，基板10可包含半导体基板、玻璃基板或陶瓷基板，例如硅基板、硅锗基板、碳化硅基板、氮化铝基板、蓝宝石(sapphire)基板、前述的组合或类似的材料，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，基板10可包含绝缘体上覆半导体(semiconductor-on-insulator,SOI)基板，其经由在绝缘层上设置半导体材料所形成，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，基板10可具有一第一线路层11与一第二线路层12。如图1A所示，基板10具有多个第一线路层11与多个第二线路层12，第一线路层11与第二线路层12可分别形成线路数组。要注意的是，第一线路层11与第二线路层12的数量并未限定于本发明的附图，可依据实际需求(例如，微型发光二极管50的数量)调整。
接着，参照图1A，将一第一接垫21与一第二接垫22分别形成于第一线路层11与第二线路层12之上。第一接垫21与第二接垫22可用于接合微型发光二极管50(见后方附图)的电极，以将微型发光二极管50电性连接于基板10。第一接垫21与第二接垫22的材料可包括金属、导电高分子或是金属氧化物。举例来说，第一接垫21与第二接垫22的材料可包含铟(indium,In)，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，第一接垫21与第二接垫22可通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)、类似的制程或前述的组合所形成，但本发明实施例并非以此为限。
参照图1B，将一接合支撑材料30形成于基板10、第一接垫21与第二接垫22之上。具体而言，接合支撑材料30形成于基板10之上，并可填满第一接垫21与第二接垫22之间(和/或第一线路层11与第二线路层12之间)的空间并覆盖第一接垫21与第二接垫22。在一些实施例中，接合支撑材料30可包含高分子材料，例如苯环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、环氧树脂(epoxy)、压克力系共聚物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA))等，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，接合支撑材料30可包含热固性树脂，并利用增加侧链长度，或环烷基等官能基的添加来提高其玻璃转化温度(glasstransition temperature,Tg)至超过150℃。在一些实施例中，接合支撑材料30的玻璃转化温度可大于或等于190℃(例如约190～195℃)、杨氏模量可约1.8～2.2GPa。在一些实施例中，接合支撑材料30可通过一沉积制程形成于基板10、第一接垫21与第二接垫22之上。举例来说，沉积制程可包含旋转涂布(spin-on coating)、化学气相沉积、原子层沉积、类似的制程或前述的组合，但本发明实施例并非以此为限。
参照图1C，将接合支撑材料30图案化，以在第一接垫21与第二接垫22之间形成一第一接合支撑层31S。基于前述，第一接合支撑层31S的材料可包含热固性树脂，且第一接合支撑层31S的玻璃转化温度大于或等于190℃(例如约190～195℃)、杨氏模量约1.8～2.2GPa。具体而言，可通过光微影制程将接合支撑材料30图案化，以在第一接垫21与第二接垫22之间(和/或第一线路层11与第二线路层12之间)形成第一接合支撑层31S，并裸露出第一接垫21(的顶表面21T)与第二接垫22(的顶表面22T)。举例来说，光微影制程可包含光致抗蚀剂涂布(例如旋转涂布)、软烘烤(soft baking)、光罩对准(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposure baking,PEB)、显影(developing)、清洗(rinsing)、干燥(例如硬烘烤)、其他合适的制程或前述的组合，但本发明实施例并非以此为限。
如图1C所示，在一些实施例中，第一接合支撑层31S的顶表面31ST与基板10的顶表面10T的距离d31大于第一接垫21的顶表面21T或第二接垫22的顶表面22T与基板10的顶表面10T的距离d20。亦即，第一接合支撑层31S的顶表面31ST在基板10的顶表面10T的法线方向上高于第一接垫21的顶表面21T或第二接垫的顶表面22T。因此，第一接合支撑层31S的一部分(即，第一接合支撑层31S高于第一接垫21或第二接垫22的部分)可用于支撑后续形成的微型发光二极管50。
参照图2A，进行一巨量转移制程，将具有多个微型发光二极管50的一载体基板40与基板10对接。在一些实施例中，载体基板40可包含塑料基板、玻璃基板、蓝宝石基板或其他无线路的基板，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，微型发光二极管50可包含一第一型半导体层51。在一些实施例中，第一型半导体层51的掺杂为N型。举例来说，第一型半导体层51的材料包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如：硒化锌(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如：氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且第一型半导体层51可包含硅(Si)或锗(Ge)等掺杂物，但本发明实施例并非以此为限。第一型半导体层51可以是单层或多层结构。在一些实施例中，第一型半导体层51可由磊晶成长制程形成，例如通过金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)、氢化物气相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)、分子束磊晶法(molecular beamepitaxy,MBE)、其他适用的方法或其组合所形成，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，微型发光二极管50也可包含一第二型半导体层53，第一型半导体层51与第二型半导体层53彼此堆栈。在一些实施例中，第二型半导体层53的掺杂为P型。举例来说，第二型半导体层53的材料包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如：硒化锌(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如：氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且第二型半导体层53可包含镁(Mg)、碳(C)等掺杂物，但本发明实施例并非以此为限。类似地，第二型半导体层53可以是单层或多层结构，且可由磊晶成长制程形成，磊晶成长制程的范例如前所述，在此不多加赘述。
如图2A所示，微型发光二极管50包含一第一电极551与一第二电极553，第一电极551与第二电极553可分别电性连接于第一型半导体层51与第二型半导体层53。此外，第一电极551与该第二电极553彼此分离。亦即，第一电极551与第二电极553之间具有间隙S。要特别注意的是，为了简便起见，本发明实施例的附图省略了微型发光二极管50的部分部件。举例来说，微型发光二极管50可包含发光层(例如，量子井(quantum well,QW)层)、透明导电层(例如，铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO))、绝缘层(例如，氧化硅(silicon oxide,SiOx)或氮化硅(silicon nitride,SiNy))等。
同时参照图2A、图2B，执行一接合制程，使微型发光二极管50分别与基板10上对应的第一接垫21与第二接垫22黏合并形成电连接。接着，将载体基板40移除，以完成根据本发明一实施例的微型发光二极管显示组件1。具体而言，接合制程的温度可介于第一接合支撑层31S的玻璃转移温度(Tg)与熔融温度(melting temperature,Tm)之间，例如介于100℃至300℃，接合制程的时间介于10秒至60秒，但本发明实施例并非以此为限。
在一些实施例中，于接合制程后(并将载体基板40移除之前)，可再执行一固化制程。第一接合支撑层31S与微型发光二极管50的接触表面以及第一接合支撑层31S与基板10接触表面可通过此固化制程形成黏附力，使微型发光二极管50可固着于基板10上。在一些实施例中，第一接合支撑层31S可作为将微型发光二极管50转移至基板10的基准，防止微型发光二极管50歪斜。再者，第一接合支撑层31S形成于第一接垫21与第二接垫22之间，能有效防止第一接垫21与第二接垫22在接合和/或固化过程中彼此接触而造成短路。具体而言，固化制程的温度可介于100℃至300℃，时间可介于30分钟至120分钟，但本发明实施例并非以此为限。
如图2B所示，在一些实施例中，在执行接合制程后，第一接合支撑层31S可填满微型发光二极管50的第一电极551与第二电极553之间的间隙S，可用于支撑微型发光二极管50并防止微型发光二极管50破裂，并将微型发光二极管50更稳固地接合于基板10。因此，本发明实施例的制造方法可适用于将巨量的微型发光二极管50转移并接合于基板10。在其他实施例中，第一接垫21与第二接垫22在接合和/或固化制程时可能会因为与第一电极551和/或第二电极553形成合金而变形突出。通过第一接合支撑层31S可有效地阻挡第一接垫21与第二接垫22挤压流出而导致第一接垫21与第二接垫22接触并形成短路。
如图2B所示，在本实施例中，微型发光二极管显示组件1包含一基板10，基板10具有一第一线路层11与一第二线路层12。微型发光二极管显示组件1也包含一第一接垫21与一第二接垫22，第一接垫21与第二接垫22分别设置于第一线路层11与第二线路层12之上。微型发光二极管显示组件1还包含一微型发光二极管50，其包含一第一电极551与一第二电极553。第一电极551与第二电极553分别连接第一接垫21与第二接垫22。此外，微型发光二极管显示组件1包含一第一接合支撑层31S，第一接合支撑层31S设置于第一接垫21与第二接垫22之间，并直接接触基板10与微型发光二极管50。第一接合支撑层31S的抗拉应力可大于或等于18MPa。
图3至图4B是根据本发明另一实施例示出在制造微型发光二极管显示组件3的各个阶段的剖面示意图。在本实施例中，图3所示出在制造微型发光二极管显示组件3的阶段可接续于图1B之后。类似地，为了简便起见，图3至图4B中可能省略部分部件。
参照图3，将接合支撑材料30图案化，以形成多个第一接合支撑层31S与多个第二接合支撑层32S。第二接合支撑层32S的材料与第一接合支撑层31S的材料相同。举例来说，第二接合支撑层32S的材料可包含热固性树脂，且第二接合支撑层32S的玻璃转化温度大于或等于190℃(例如约190～195℃)、杨氏模量约1.8～2.2GPa。具体而言，可通过光微影制程将接合支撑材料30图案化，以形成第一接合支撑层31S与第二接合支撑层32S，并裸露出第一接垫21(的顶表面21T)与第二接垫22(的顶表面22T)。第一接合支撑层31S形成于每个成对的第一接垫21与第二接垫22内，并位于第一接垫21与第二接垫22之间(和/或第一线路层11与第二线路层12之间)；而第二接合支撑层32S形成于多个成对的第一接垫21与第二接垫22之间。光微影制程的范例如前所述，在此不多加赘述。
如图3所示，类似地，第一接合支撑层31S的顶表面31ST与基板10的顶表面10T的距离d31大于第一接垫21的顶表面21T或第二接垫的顶表面22T与基板10的顶表面10T的距离d20。亦即，第一接合支撑层31S的顶表面31ST在基板10的顶表面10T的法线方向上高于第一接垫21的顶表面21T或第二接垫的顶表面22T。因此，第一接合支撑层31S的一部分(即，第一接合支撑层31S高于第一接垫21或第二接垫的部分)可用于支撑后续形成的微型发光二极管50。
此外，在一些实施例中，第二接合支撑层32S的顶表面32ST与基板10的顶表面10T的距离d32大于第一接合支撑层31S的顶表面31ST与基板10的顶表面10T的距离d31。亦即，第二接合支撑层32S的顶表面32ST在基板10的顶表面10T的法线方向上高于第一接合支撑层31S的顶表面31ST，但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，第二接合支撑层32S的顶表面32ST与基板10的顶表面10T的距离d32也可等于第一接合支撑层31S的顶表面31ST与基板10的顶表面10T的距离d31。亦即，第二接合支撑层32S的顶表面32ST可与第一接合支撑层31S的顶表面31ST齐平(共平面)。
参照图4A，将具有一微型发光二极管50的一载体基板40与基板10对接。载体基板40与微型发光二极管50的材料与结构如前所述，在此不多加赘述。如图4A所示，在本实施例中，第一接合支撑层31S可对应于第一电极551与第二电极553之间的间隙S，而第二接合支撑层32S可对应于多个微型发光二极管50之间的空间。
参照图4B，执行一接合制程，使微型发光二极管50分别与基板10上对应的第一接垫21与第二接垫22黏合并形成电连接。接着，将载体基板40移除，以完成根据本发明一实施例的微型发光二极管显示组件3。在一些实施例中，于接合制程后(并将载体基板40移除之前)，可再执行一固化制程。第一接合支撑层31S与微型发光二极管50的接触表面以及第一接合支撑层31S与基板10接触表面通过此固化制程形成黏附力，使微型发光二极管50可固着于基板10上。如图4B所示，在本实施例中，微型发光二极管显示组件3的多个第二接合支撑层32S可形成于多个微型发光二极管50之间。
如图4B所示，在一些实施例中，每个第二接合支撑层32S的顶表面32ST与基板10的顶表面10T的距离d32小于每个微型发光二极管50的顶表面50T与基板10的顶表面10T的距离d50。亦即，每个第二接合支撑层32S的顶表面32ST在基板10的顶表面10T的法线方向上低于每个微型发光二极管50的顶表面50T，但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，每个第二接合支撑层32S的顶表面32ST与基板10的顶表面10T的距离d32也可等于每个微型发光二极管50的顶表面50T与基板10的顶表面10T的距离d50。亦即，每个第二接合支撑层32S的顶表面32ST可与每个微型发光二极管50的顶表面50T齐平(共平面)，使第二接合支撑层32S可作为微型发光二极管显示组件3的一平坦层。
此外，形成于微型发光二极管50之间的第二接合支撑层32可降低不同的微型发光二极管50之间产生的串扰(crosstalk)，且可使微型发光二极管50所发出的光线更加集中。
图5是根据本发明一实施例示出微型发光二极管显示组件5的剖面示意图。图5所示的微型发光二极管显示组件5具有与图4B所示的微型发光二极管显示组件3类似的结构，且图5所示出在制造微型发光二极管显示组件5的阶段可接续于图4B之后。
参照图5，将多个遮蔽层60形成于第二接合支撑层32S之上。亦即，图5所示的微型发光二极管显示组件5与图4B所示的微型发光二极管显示组件3的不同之处在于，微型发光二极管显示组件5可进一步包含多个遮蔽层60，遮蔽层60设置于第二接合支撑层32S之上。
在一些实施例中，遮蔽层60的材料可包含金属，例如：铜(Cu)、银(Ag)等，但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，遮蔽层60的材料可包含光致抗蚀剂(例如，黑光致抗蚀剂或其他适当的非透明的光致抗蚀剂)、油墨(例如，黑色油墨或其他适当的非透明的油墨)、模制化合物(molding compound)(例如，黑色模制化合物或其他适当的非透明的模制化合物)、防焊材料(solder mask)(例如，黑色防焊材料或其他适当的非透明的防焊材料)、环氧树脂、其他适当的材料或前述材料的组合。
在一些实施例中，可通过沉积制程、光微影制程、其他适当的制程或前述的组合将遮蔽层60形成于第二接合支撑层32S之上。沉积制程与光微影制程的范例如前所述，在此不多加赘述。
在本实施例中，每个遮蔽层60的顶表面60T与基板10的顶表面10T的距离d60大于每个微型发光二极管50的顶表面50T与基板10的顶表面10T的距离d50。亦即，遮蔽层60的顶表面60T在基板10的顶表面10T的法线方向上高于微型发光二极管50的顶表面50T，但本发明实施例并非以此为限。在一些其他的实施例中，每个遮蔽层60的顶表面60T与基板10的顶表面10T的距离d60也可等于每个微型发光二极管50的顶表面50T与基板10的顶表面10T的距离d50。亦即，遮蔽层60的顶表面60T可与微型发光二极管50的顶表面50T齐平(共平面)。
此外，无论遮蔽层60的顶表面60T与微型发光二极管50的顶表面50T齐平(共平面)或高于微型发光二极管50的顶表面50T，遮蔽层60皆会露出微型发光二极管50的(至少部分)顶表面50T。遮蔽层60可用于进一步防止不同的微型发光二极管50之间产生的串扰，以提升微型发光二极管显示组件5的发光质量。
图6是根据本发明另一实施例示出微型发光二极管显示组件7的剖面示意图。图6所示的微型发光二极管显示组件7具有与图5所示的微型发光二极管显示组件5类似的结构，且图6所示出在制造微型发光二极管显示组件7的阶段可接续于图5之后。
参照图6，将一光学胶(optically clear adhesive,OCA)层70形成于微型发光二极管50之上。亦即，图6所示的微型发光二极管显示组件7与图5所示的微型发光二极管显示组件5的不同之处在于，微型发光二极管显示组件7可进一步包含光学胶层70，光学胶层70设置于微型发光二极管50之上。具体而言，如图6所示，光学胶层70可设置于微型发光二极管50与遮蔽层60之上，并与微型发光二极管50的顶表面50T和/或遮蔽层60的顶表面60T直接接触。
在一些实施例中，光学胶层70的材料可包含丙烯酸树脂，但本发明实施例并非以此为限。在一些实施例中，光学胶层70可通过沉积制程(例如，旋转涂布制程)形成于微型发光二极管50之上，但本发明实施例并非以此为限。光学胶层70可减少眩光、增加对比度、避免牛顿环等，以进一步提升微型发光二极管显示组件7的发光质量。
综上所述，本发明实施例的微型发光二极管显示组件包含接合支撑层，接合支撑层形成于用于连接微型发光二极管的电极的接垫之间，能有效防止接垫在接合过程中彼此接触而造成短路。此外，接合支撑层可作为将微型发光二极管转移至接收基板时的基准，防止微型发光二极管歪斜。再者，接合支撑层在接合、固化等程序中直接接触微型发光二极管，可用于支撑微型发光二极管并防止微型发光二极管破裂，并将微型发光二极管更稳固地接合于基板。
以上概述数个实施例的部件，以便在本发明所属技术领域中技术人员可以更理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本发明实施例为基础，设计或修改其他制程和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的和/或优势。在本发明所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求范围所界定的为准。另外，虽然本发明已以数个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。
整份说明书对特征、优点或类似语言的引用，并非意味可以利用本发明实现的所有特征和优点应该或者可以在本发明的任何单个实施例中实现。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。
再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本发明的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本发明。在其他情况下，在某些实施例中可识别附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本发明的所有实施例中。

Claims (19)

1.一种微型发光二极管显示组件，包括：
基板，具有第一线路层与第二线路层；
第一接垫与第二接垫，分别设置于所述第一线路层与所述第二线路层之上；
微型发光二极管，包括第一电极与第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别连接所述第一接垫与所述第二接垫；以及
第一接合支撑层，设置于所述第一接垫与所述第二接垫之间，并直接接触所述基板与所述微型发光二极管，其中所述第一接合支撑层的抗拉应力大于或等于18MPa，其中所述第一接垫与所述第二接垫对应所述基板具有接合温度，且所述接合温度介于所述第一接合支撑层的玻璃转移温度与熔融温度之间。
2.根据权利要求1的微型发光二极管显示组件，其中所述第一接合支撑层填满所述第一电极与所述第二电极之间的间隙。
3.根据权利要求1的微型发光二极管显示组件，其中所述第一接合支撑层的顶表面与所述基板的顶表面的距离大于所述第一接垫的顶表面或所述第二接垫的顶表面与所述基板的顶表面的距离。
4.根据权利要求1的微型发光二极管显示组件，其中所述第一接合支撑层的材料包括热固性树脂，且所述第一接合支撑层的玻璃转化温度大于或等于190℃、杨氏模量介于1.8～2.2GPa。
5.根据权利要求1的微型发光二极管显示组件，还包括多个微型发光二极管与多个第二接合支撑层，其中所述多个第二接合支撑层设置于所述多个微型发光二极管之间。
6.根据权利要求5的微型发光二极管显示组件，其中每所述第二接合支撑层的顶表面与每所述微型发光二极管的顶表面共平面。
7.根据权利要求5的微型发光二极管显示组件，其中每所述第二接合支撑层的顶表面与所述基板的顶表面的距离小于每所述微型发光二极管的顶表面与所述基板的顶表面的距离。
8.根据权利要求7的微型发光二极管显示组件，还包括：
多个遮蔽层，设置于所述多个第二接合支撑层之上。
9.根据权利要求8的微型发光二极管显示组件，其中每所述遮蔽层的顶表面与所述基板的顶表面的距离大于或等于每所述微型发光二极管的顶表面与所述基板的顶表面的距离。
10.根据权利要求5的微型发光二极管显示组件，其中每所述第二接合支撑层的材料包括热固性树脂。
11.根据权利要求1的微型发光二极管显示组件，还包括：
光学胶层，设置于所述微型发光二极管之上。
12.一种微型发光二极管显示组件的制造方法，包括：
提供基板，其中所述基板具有第一线路层与第二线路层；
将第一接垫与第二接垫分别形成于所述第一线路层与所述第二线路层之上；
将接合支撑材料形成于所述基板、所述第一接垫与所述第二接垫之上；
将所述接合支撑材料图案化，以在所述第一接垫与所述第二接垫之间形成第一接合支撑层，其中所述第一接合支撑层的抗拉应力大于或等于18MPa；
将具有微型发光二极管的载体基板与所述基板对接，其中所述微型发光二极管包括第一电极与第二电极；
执行接合制程，使所述第一接合支撑层将所述基板与所述微型发光二极管黏合，其中所述第一电极与所述第二电极分别连接所述第一接垫与所述第二接垫，其中所述第一接垫与所述第二接垫对应所述基板具有接合温度，且所述接合温度介于所述第一接合支撑层的玻璃转移温度与熔融温度之间；以及
将所述载体基板移除。
13.根据权利要求12的微型发光二极管显示组件的制造方法，其中所述接合温度介于100℃至300℃之间。
14.根据权利要求12的微型发光二极管显示组件的制造方法，其中在执行所述接合制程后，所述第一接合支撑层填满所述第一电极与所述第二电极之间的间隙。
15.根据权利要求12的微型发光二极管显示组件的制造方法，其中所述基板具有多个第一线路层与多个第二线路层，且所述载体基板具有多个微型发光二极管。
16.根据权利要求15的微型发光二极管显示组件的制造方法，其中在将所述接合支撑材料图案化的步骤中同时形成多个第一接合支撑层与多个第二接合支撑层，且所述多个第二接合支撑层设置于所述多个微型发光二极管之间。
17.根据权利要求16的微型发光二极管显示组件的制造方法，还包括：
将多个遮蔽层形成于所述多个第二接合支撑层之上。
18.根据权利要求12的微型发光二极管显示组件的制造方法，还包括：
将光学胶层形成于所述微型发光二极管之上。
19.根据权利要求12的微型发光二极管显示组件的制造方法，还包括：
于所述接合制程后，执行固化制程，其中所述第一接合支撑层与所述微型发光二极管的接触表面以及所述第一接合支撑层与所述基板的接触表面通过所述固化制程形成黏附力，使所述微型发光二极管固着于所述基板。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112928196B (zh) * 2021-01-29 2022-07-29 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN113140661B (zh) * 2021-04-30 2023-01-06 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113764558A (zh) * 2021-08-31 2021-12-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113937197A (zh) * 2021-10-13 2022-01-14 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768498A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 群创光电股份有限公司 发光二极管显示装置及其制作方法
CN111684511A (zh) * 2018-02-05 2020-09-18 株式会社V技术 全彩led显示面板及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI650854B (zh) * 2017-10-31 2019-02-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其製造方法
TWI699870B (zh) * 2018-06-14 2020-07-21 啟端光電股份有限公司 發光二極體之承載結構及其製造方法
CN109037239B (zh) * 2018-07-26 2020-11-17 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
KR102136579B1 (ko) * 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
US20200044125A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Innolux Corporation Light-emitting device
TWI668737B (zh) * 2018-09-14 2019-08-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的製程方法及顯示裝置的基板
TWI683157B (zh) * 2018-10-19 2020-01-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
TWI690079B (zh) * 2018-12-04 2020-04-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體元件結構
CN111276504A (zh) * 2018-12-04 2020-06-12 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体元件结构
CN111033737B (zh) * 2019-03-25 2024-02-06 湖北三安光电有限公司 微发光组件、微发光二极管及微发光二极管转印方法
CN109994533B (zh) * 2019-04-17 2021-01-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制造方法
CN110471572B (zh) * 2019-06-10 2021-09-10 惠科股份有限公司 一种显示装置和触控器
CN111081685B (zh) * 2019-12-25 2021-09-14 錼创显示科技股份有限公司 显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768498A (zh) * 2016-08-19 2018-03-06 群创光电股份有限公司 发光二极管显示装置及其制作方法
CN111684511A (zh) * 2018-02-05 2020-09-18 株式会社V技术 全彩led显示面板及其制造方法

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