TWI699870B - 發光二極體之承載結構及其製造方法 - Google Patents

發光二極體之承載結構及其製造方法 Download PDF

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Abstract

一種發光二極體之承載結構，透過犧牲結構的設置，使發光二極體與承載基板易於脫離；具體而言，當外力施加於發光二極體或承載基板時，犧牲結構之截斷層為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板分離。

Description

發光二極體之承載結構及其製造方法
本發明關於一種發光二極體之承載結構及其製造方法，特別是適用於微發光二極體，而利用犧牲結構作為犧牲層，使微型發光二極體能夠安全地與承載基板脫離之發光二極體承載結構及其製造方法。
近來顯示技術的進步突飛猛進，對顯示器的畫質要求也越來越高，而目前的顯示器為以發光二極體(light-emitting diode,LED)顯示器和有機發光二極體顯示器(organic light-emitting diode,OLED)顯示器為主，有機發光二極體顯示器的畫素雖高，但有機發光二極體的壽命不長；發光二極體顯示器畫素雖低於有機發光二極體顯示器的畫素，但發光二極體的壽命較高。因此，近來廠商想將發光二極體的尺寸縮小為微發光二極體(micro light-emitting diode,micro-LED)，並將微發光二極體應用於顯示器，但是，由於微發光二極體的尺寸為微米等級，勢必需要犧牲結構的輔助來進行巨量轉移(mass transfer)，以將微發光二極體順利地轉移至顯示器的電路板，但利用微發光二極體製造的顯示器良率始終無法改善。
美國專利公告號US9153548B2之專利利用支撐柱狀結構(stabilization post)將微發光二極體轉移至承載基板，進而將其轉移至顯示器的電路板上，但支撐柱狀結構為直接接觸微發光二極體的導電接點，微發光二極體在轉移的過程會對導電接點造成損害，造成微發光二極體無法順利發亮。
綜觀前所述，本發明之發明者思索並設計一種發光二極體承載結構及其製造方法，以期針對習知技術之缺失加以改善，進而增進產業上之實施利用。
有鑑於上述習知之問題，本發明的目的在於提供一種發光二極體之承載結構及其製造方法，用以解決習知技術中所面臨之問題。
基於上述目的，本發明提供一種發光二極體之承載結構，其包括承載基板、黏附層以及犧牲結構。黏附層設置於承載基板上；犧牲結構設置於黏附層上並包括支撐柱以及截斷層，截斷層設置於支撐柱上。其中，犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板時，截斷層為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板分離。本發明之發光二極體承載結構，透過截斷層的設置，使發光二極體和承載基板脫離，而能將脫離後的發光二極體順利轉置於顯示器的電路板。
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的電極和黏附層之間。
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的絕緣區和黏附層之間。
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的周側和黏附層之間。
較佳地，截斷層之截面積小於或等於支撐柱之截面積。
較佳地，截斷層的支撐力小於支撐柱的支撐力。
較佳地，截斷層的介面接合力小於支撐柱的介面接合力。
基於上述目的，本發明提供一種發光二極體之承載結構的製造方法，其包括：(1)依序沉積截斷層及支撐層於發光二極體上。(2)部分蝕刻截斷層和支撐層，進而形成支撐柱，支撐柱和截斷層形成犧牲結構。(3)沉積黏附層於支撐柱上，使承載基板黏附於黏附層上，以形成疊層元件。(6)移除發光二極體的原生基板，並翻轉疊層元件而以犧牲結構支撐發光二極體。其中，犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板時，截斷層為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板分離。透過前述的製造方法，成功地將發光二極體從原生基板轉置於承載基板。
較佳地，於沉積黏附層於支撐柱之前，沉積塗佈層以覆蓋犧牲結構，並部份蝕刻塗佈層以暴露支撐柱
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的電極和黏附層之間。
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的絕緣區和黏附層之間。
較佳地，犧牲結構設置於發光二極體的周側和黏附層之間。
較佳地，截斷層之截面積小於或等於支撐柱之截面積。
較佳地，截斷層的支撐力小於支撐柱的支撐力。
較佳地，截斷層的介面接合力小於支撐柱的介面接合力。
承上所述，本發明之發光二極體之承載結構，透過截斷層的設置，使發光二極體和承載基板脫離，且未損壞發光二極體之電極，而能將脫離後的發光二極體順利轉置於顯示器的電路板。
承上所述，本發明之發光二極體之承載結構之製造方法，成功地將發光二極體從原生基板轉置於承載基板，而未損害發光二極體的膜層。
10:原生基板
20:緩衝層
30:發光結構
31:第一型重摻雜層
32:第一型摻雜層
33:發光層
34:第二型摻雜層
35:第二型重摻雜層
40:絕緣區
50:第一型接觸區
60:第二型接觸區
70:截斷層
80:支撐層
81:支撐柱
90:塗佈層
100:黏附層
110:承載基板
S11~S19、S21~S29、S31~S39:步驟
第1圖為本發明之發光二極體之承載結構之發光二極體結構圖。
第2圖為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第一實施例的流程圖。
第3圖為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第二實施例的流程圖。
第4圖為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第三實施例的流程圖。
第5圖為對應本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第一實施例至第三實施例之結構圖。
第6圖為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之部分隔離和全隔離的流程圖。
第7圖為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之在無塗佈製程之部分隔離和全隔離的流程圖。
本發明之優點、特徵以及達到之技術方法將參照例示性實施例及所附圖式進行更詳細地描述而更容易理解，且本發明可以不同形式來實現，故不應被理解僅限於此處所陳述的實施例，相反地，對所屬技術領域具有通常知 識者而言，所提供的實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。
應當理解的是，儘管術語「第一」、「第二」等在本發明中可用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開。因此，下文討論的「第一元件」、「第一部件」、「第一區域」、「第一層」及/或「第一部分」可以被稱為「第二元件」、「第二部件」、「第二區域」、「第二層」及/或「第二部分」，而不悖離本發明的精神和教示。
另外，術語「包括」及/或「包含」指所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
除非另有定義，本發明所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬技術領域的普通技術人員通常理解的相同含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的定義，並且將不被解釋為理想化或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
請參閱第1圖，其為本發明之發光二極體之承載結構之發光二極體結構圖。如第1圖所示，發光二極體包括原生基板10、緩衝層20、發光結構30、絕緣區40、第一型接觸區50以及第二型接觸區60。緩衝層20設置於原生基板10上。發光結構30設置於緩衝層20上，並包括第一型重摻雜層31、第一型摻雜層32、發光層33、第二型摻雜層34以及第二型重摻雜層35，第一型摻雜層32設置 於第一型重摻雜層31上，發光層33設置於第一型摻雜層32上，第二型摻雜層34設置於發光層33上，第二型重摻雜層35設置於第二型摻雜層34上，其中，第一型重摻雜層31、第一型摻雜層32、第二型摻雜層34以及第二型重摻雜層35提供電子和電洞至發光層33，發光層33為多重量子井結構，電子電洞在發光層33複合發光。第一型接觸區50設置於第一型重摻雜層31上，第二型接觸區60設置於第二型重摻雜層31上，第一型接觸區50和第二型接觸區60為發光二極體的電極。絕緣區40圍繞第一型接觸區50和第二型接觸區60以侷限發光二極體的電流方向，絕緣區40由例如矽氧化物(SiOx)和矽氮化物(SiNx)之絕緣材料組成。在一實施例中，第一型為n型，第二型為p型；在另一實施例中，第一型為p型，第二型為n型。
於此，說明一下本發明之發光二極體之承載結構之發光二極體製造流程如下：(1)從基板10依序沉積緩衝層20、第一型重摻雜層31、第一型摻雜層32、發光層33、第二型摻雜層34以及第二型重摻雜層35。(2)對發光結構30曝光顯影，以暴露第一型重摻雜層31；亦即，發光結構30之部份暴露第一型重摻雜層31，發光結構30之部份未暴露第一型重摻雜層31。(3)沉積第一第一型接觸區50於第一型重摻雜層31上，並沉積第二型接觸區60設置於第二型重摻雜層31上。(4)沉積絕緣區40且使其圍繞第一型接觸區50和第二型接觸區60，從而形成如第1圖所示的發光二極體。
續言之，基板10可選自於矽基板、砷化鎵(GaAs)基板、玻璃基板、石英基板、磷化鎵(GaP)基板、磷砷化鎵(GaAsP)基板、砷化鋁鎵(AlGaAs)基板、氧化鋅(ZnO)基板、藍寶石基板、磷化銦(InP)基板以及碳化矽(SiC)基板之其中一種；緩衝層20、第一型重摻雜層31、第一型摻雜層32、發光層33、第二型摻雜 層34以及第二型重摻雜層35可包括砷化鎵(GaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、磷砷化銦鎵(InGaAsP)、砷化鋁(AlAs)、砷化鋁鎵銦(AlGaInAs)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、砷氮化銦鎵(InGaNAs)、銻砷化鎵(GaAsSb)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、磷化鎵(GaP)、磷化鋁(AlP)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)以及氮化鋁銦鎵(AlInGaN)之所組成材料群組中至少一種，緩衝層20、第一型重摻雜層31、第一型摻雜層32、發光層33、第二型摻雜層34以及第二型重摻雜層35之材料和基板10的材料搭配設計，以提升晶格匹配率，進而降低晶格錯位的發生；各第二型接觸區60和各第一型接觸區50之材料包括銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鈹化金(AuBe)、鈹化鍺(BeGe)、鎳(Ni)、錫化鉛(PbSn)、鉻(Cr)、鋅化金(AuZn)、鈦(Ti)、鎢(W)以及鎢化鈦(TiW)等所組成材料中至少一種。
請參閱第2圖，其為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第一實施例的流程圖。如第2圖所示，並詳細說明本發明之發光二極體的製造方法之第一實施例的流程如下：(1)S11步驟：提供如第1圖所示的發光二極體，發光二極體的尺寸為微米等級。(2)S12步驟：依序沉積截斷層70和支撐層80於發光二極體上，支撐層80的材料包括有機絕緣材料和無機絕緣材料，有機絕緣材料包括苯環丁烯(benzocyclobutene)、聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂或酚醛樹脂及其組合物，無機絕緣材料包括矽氧化物(SiOx)和矽氮化物(SiNx)。(3)S13步驟：部分蝕刻截斷層70和支撐層80，進而形成支撐柱81，支撐柱81和截斷層70形成兩個犧牲結構，兩個犧牲結構分別位於第一接觸區50和第二接觸區60；需提及的是，犧牲結構的數目可根據發光二極體的需求而調整，而未侷限於本發明所 列舉的範圍。(4)S14步驟：沉積塗佈層90以覆蓋蝕刻後支撐柱81和截斷層70，塗佈層90為由光阻材料組成。(5)S15步驟：部份蝕刻塗佈層90，以暴露支撐柱81。(6)S16步驟：沉積黏附層100於塗佈層90上，而黏附層100的材料包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)以及其合金等所組成材料中至少一種，使承載基板110黏附於黏附層100上，以形成疊層元件，其中，承載基板110可選自金屬基板、矽基板、藍寶石基板或玻璃基板之其中一種，其中，金屬基板可由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鎢(W)等金屬材料或其合金所組成。(7)S17步驟：翻轉疊層元件，使承載基板110和原生基板10的位置對調；亦即，原生基板10位於承載基板110之上方。(6)S18步驟：透過雷射剝離法(laser lift-off)或犧牲層剝離法移除原生基板10和緩衝層20。(7)S19步驟：透過曝光及化學顯影液的搭配，移除塗佈層90而以兩個犧牲結構支撐發光二極體。其中，兩個犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板110時，各截斷層70為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板110分離。透過前述的製造方法，成功地將發光二極體從原生基板10轉置於承載基板110，並製造出犧牲結構來支撐發光二極體。
請參閱第3圖，其為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第二實施例的流程圖。如第3圖所示，並詳細說明本發明之發光二極體的製造方法之第二實施例的流程如下：(1)S21步驟：提供如第1圖所示的發光二極體，發光二極體的尺寸為微米等級。(2)S22步驟：依序沉積截斷層70和支撐層80於發光二極體上，支撐層80的材料包括有機絕緣材料和無機絕緣材料，有機絕緣材料包括苯環丁烯(benzocyclobutene)、聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂或酚醛樹脂及其組合物，無機絕緣材料包括矽氧化物(SiOx)和矽氮化物(SiNx)。(3)S23步驟： 部分蝕刻截斷層70和支撐層80，進而形成支撐柱81，支撐柱81和截斷層70形成犧牲結構，犧牲結構分別位於絕緣區40；需提及的是，犧牲結構的數目可根據發光二極體的需求而調整，而未侷限於本發明所列舉的範圍。(4)S24步驟：沉積塗佈層90以覆蓋蝕刻後支撐柱81和截斷層70，塗佈層90為由光阻材料組成。(5)S25步驟：部份蝕刻塗佈層90，以暴露支撐柱81。(6)S26步驟：沉積黏附層100於塗佈層90上，而黏附層100的材料包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)以及其合金等所組成材料中至少一種，使承載基板110黏附於黏附層100上，以形成疊層元件，其中，承載基板110可選自金屬基板、矽基板、藍寶石基板或玻璃基板之其中一種，其中，金屬基板可由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鎢(W)等金屬材料或其合金所組成。(7)S27步驟：翻轉疊層元件，使承載基板110和原生基板10的位置對調；亦即，原生基板10位於承載基板110之上方。(6)S28步驟：透過雷射剝離法(laser lift-off)或犧牲層剝離法移除原生基板10和緩衝層20。(7)S29步驟：透過曝光及化學顯影液的搭配，移除塗佈層90而以犧牲結構支撐發光二極體。其中，犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板110時，各截斷層70為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板110分離。透過前述的製造方法，成功地將發光二極體從原生基板10轉置於承載基板110，並製造出犧牲結構來支撐發光二極體。
請參閱第4圖，其為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第三實施例的流程圖。如第4圖所示，並詳細說明本發明之發光二極體的製造方法之第二實施例的流程如下：(1)S31步驟：提供如第1圖所示的發光二極體，發光二極體的尺寸為微米等級。(2)S32步驟：依序沉積截斷層70和支撐層80於發光二極體上，支撐層80的材料包括有機絕緣材料和無機絕緣材料，有機絕緣材 料包括苯環丁烯(benzocyclobutene)、聚亞醯胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂或酚醛樹脂及其組合物，無機絕緣材料包括矽氧化物(SiOx)和矽氮化物(SiNx)。(3)S33步驟：部分蝕刻截斷層70和支撐層80，進而形成支撐柱81，支撐柱81和截斷層70形成兩個犧牲結構，各犧牲結構分別位於發光二極體的周側；需提及的是，犧牲結構的數目可根據發光二極體的需求而調整，而未侷限於本發明所列舉的範圍。(4)S34步驟：沉積塗佈層90以覆蓋蝕刻後支撐柱81和截斷層70，塗佈層90為由光阻材料組成。(5)S35步驟：部份蝕刻塗佈層90，以暴露支撐柱81。(6)S36步驟：沉積黏附層100於塗佈層90上，而黏附層100的材料包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎳(Ni)以及其合金等所組成材料中至少一種，使承載基板110黏附於黏附層100上，以形成疊層元件，其中，承載基板110可選自金屬基板、矽基板、藍寶石基板或玻璃基板之其中一種，其中，金屬基板可由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鎢(W)等金屬材料或其合金所組成。(7)S37步驟：翻轉疊層元件，使承載基板110和原生基板10的位置對調；亦即，原生基板10位於承載基板110之上方。(6)S38步驟：透過雷射剝離法(laser lift-off)或犧牲層剝離法移除原生基板10和緩衝層20。(7)S39步驟：透過曝光及化學顯影液的搭配，移除塗佈層90而以兩個犧牲結構支撐發光二極體。其中，兩個犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板110時，各截斷層70為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板110分離。透過前述的製造方法，成功地將發光二極體從原生基板10轉置於承載基板110，並製造出犧牲結構來支撐發光二極體。
請參閱第5圖，其為對應本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第一實施例至第三實施例之結構圖。如第5圖所示，本發明之發光二極體 之承載結構，其包括承載基板110、黏附層100以及犧牲結構。黏附層100設置於承載基板110上；犧牲結構設置於黏附層100上，並包括支撐柱81以及截斷層70，截斷層70設置於支撐柱81上。
根據本發明之發光二極體的製造方法之第一實施例，多個犧牲結構位於發光二極體的電極和黏附層100之間；亦即，多個犧牲結構分別位於第一接觸區50和第二接觸區60。根據本發明之發光二極體的製造方法之第二實施例，犧牲結構位於發光二極體的絕緣區40和黏附層100之間，因此，承載基板110和發光二極體成功地脫離，而未損壞發光二極體的電極。根據本發明之發光二極體的製造方法之第三實施例，犧牲結構位於發光二極體的周側和黏附層100之間。
不論犧牲結構的位置，犧牲結構之結構強度係足以承載發光二極體，且當外力施加於發光二極體或承載基板110時，各截斷層70為最先被破壞之層，而使發光二極體與承載基板110分離。本發明之發光二極體承載結構，透過截斷層70的設置，使發光二極體和承載基板110脫離，而能將脫離後的各發光單元UNIT順利轉置於顯示器的電路板。
為了使發光二極體和承載基板110的脫離更為容易，設計截斷層70的結構特性如下：截斷層70之截面積小於或等於柱狀結構之截面積，截斷層70的支撐力小於支撐柱81的支撐力，截斷層70的介面接合力小於支撐柱81的介面接合力，也可加入疏水表面材料降低截斷層70和發光二極體之間的附著力，截斷層70的材料包括光阻、有機材料及例如銦(In)和錫(Sn)之低熔點金屬材料；較佳地，截斷層70為本發明之發光二極體之承載結構中支撐力最小的層，截斷 層70為本發明之發光二極體之承載結構中材料強度最小的層，截斷層70為本發明之發光二極體之承載結構中介面接合力最小的層。
另外，若設定承載基板110為玻璃基板，需考量到發光二極體之第一型接觸區50和各第二型接觸區60和玻璃基板之金屬導線間的共金溫度(eutectic bonding temperature)，並考量玻璃基板的轉態溫度(transition temperature)，截斷層70的材料較佳為金錫合金(AuSn)及其透過低溫化學氣相沉積法(chemical vapor deposition)、低溫濺鍍(sputtering)或低溫塗佈(coating)製造，以利於各發光單元UNIT順利轉置於顯示器的電路板。
請參閱第6圖，為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之部分隔離和全隔離的流程圖。如第6圖所示，本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之部分隔離和全隔離和本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之第一實施例幾乎一致，但其差異在於多添加一個發光二極體。全隔離為絕緣區40形成一溝槽以電性隔離各發光二極體；部分隔離為兩個發光二極體互相連接。不論本發明之發光二極體之承載結構之部分隔離或全隔離製造方法，發光二極體皆成功地轉移至承載基板110。
請參閱第7圖，其為本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之在無塗佈製程之部分隔離和全隔離的流程圖。如第7圖所示，本發明之發光二極體之承載結構之製造方法之另一實施例之在無塗佈製程之部分隔離和全隔離和本發明之發光二極體之承載結構之部分隔離或全隔離製造方法幾乎一致，但其差異在於並無塗佈製程。不論有無塗佈製程，發光二極體皆成功地轉移至承載基板110。
綜上所述，本發明之發光二極體之承載結構，透過設置犧牲結構於黏附層100上，並搭配犧牲結構之截斷層70為於發光二極體和承載基板110在脫離時為最先破壞之層的設定，使發光二極體和承載基板110在脫離時而未損壞發光二極體的膜層，將脫離後的發光二極體順利轉置於顯示器的電路板。觀前所述，本發明之發光二極體之承載結構，具有如上述的優點，使發光二極體順利轉置於顯示器的電路板。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
30:發光結構
40:絕緣區
50:第一型接觸區
60:第二型接觸區
70:截斷層
81:支撐柱
100:黏附層
110:承載基板

Claims (15)

  1. 一種發光二極體之承載結構，其包括：一承載基板；一黏附層，設置於該承載基板上；以及一犧牲結構，設置於該黏附層上，並包括一支撐柱以及一截斷層，該截斷層設置於該支撐柱上，且該支撐柱之一端係插置於該黏附層中；其中，該犧牲結構之結構強度係足以承載一發光二極體，且當外力施加於該發光二極體或該承載基板時，該截斷層為最先被破壞之層，而使該發光二極體與該承載基板分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的電極和該黏附層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的絕緣區和該黏附層之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的周側和該黏附層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該截斷層之截面積小於或等於該支撐柱之截面積。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該截斷層的支撐力小於該支撐柱的支撐力。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體之承載結構，其中，該截斷層的介面接合力小於該支撐柱的介面接合力。
  8. 一種發光二極體之承載結構之製造方法，其包括： 依序沉積一截斷層及一支撐層於一發光二極體上；部分蝕刻該截斷層和該支撐層，進而形成一支撐柱，該支撐柱和該截斷層形成一犧牲結構；沉積一黏附層於該支撐柱上，使一承載基板黏附於該黏附層上，以形成一疊層元件；以及移除該發光二極體的一原生基板，並翻轉該疊層元件而以該犧牲結構支撐該發光二極體；其中，該犧牲結構之結構強度係足以承載該發光二極體，且當外力施加於該發光二極體或該承載基板時，該截斷層為最先被破壞之層，而使該發光二極體與該承載基板分離。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，於沉積該黏附層於該支撐柱之前，沉積一塗佈層以覆蓋該犧牲結構，並部份蝕刻該塗佈層以暴露該支撐柱。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的電極和該黏附層之間。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的絕緣區和該黏附層之間。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該犧牲結構設置於該發光二極體的周側和該黏附層之間。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該截斷層之截面積小於或等於該支撐柱之截面積。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該截斷層的支撐力小於該支撐柱的支撐力。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體之承載結構之製造方法，其中，該截斷層的介面接合力小於該支撐柱的介面接合力。
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