TWI683157B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，包括陣列基板、鈍化層設置於陣列基板上、反射層設置於鈍化層上、以及多個發光元件設置於陣列基板上。鈍化層具有多個鈍化層開口並暴露陣列基板。反射層具有多個第一開口。發光元件的頂面和反射層的頂面實質上位於同一水平面。一種顯示面板的製造方法亦被提出。

Description

顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種具有反射層的發光二極體顯示面板及其製造方法。
發光二極體（light emitting diode；LED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
一般來說，發光二極體顯示器是利用發光二極體晶粒激發光致發光材料（photoluminescence），以產生螢光（fluorescence）或磷光（phosphorescence）的激發光。然而，前述的激發光會往四面八方散射，因此容易產生漏光或是混光的問題，導致顯示品質不佳。此外，目前透過轉置技術來將發光二極體設置在主動陣列基板上的過程，容易出現對位不準，造成發光二極體的偏移（shift），進一步影響到發光二極體放置位置的精度，加劇漏光以及混光的問題。
本發明提供一種顯示面板及其製造方法，其製程簡單且可減少漏光及混光的產生，增加出光效率，並提升顯示品質。
本發明提供一種顯示面板的製造方法，其包括以下步驟。提供承載基板。形成多個發光元件於承載基板上。形成反射層於承載基板上。提供陣列基板，將陣列基板設置於承載基板的對向。轉移這些發光元件及反射層至陣列基板。移除承載基板。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法，更包括以下步驟。提供對向基板，其設置於陣列基板的對向。形成遮光層於對向基板上，且遮光層具有多個遮光開口。形成多個色光圖案於這些遮光開口中。
本發明提供一種顯示面板，其包括陣列基板、鈍化層、反射層、以及多個發光元件。鈍化層設置於陣列基板上，且鈍化層具有多個鈍化層開口並暴露陣列基板。反射層設置於鈍化層上，且反射層具有多個第一開口。這些發光元件設置於陣列基板上。這些發光元件的頂面和反射層的頂面實質上位於同一水平面。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括對向基板和陣列基板相對設置。遮光層和多個色光圖案設置於對向基板和陣列基板之間。遮光層具有多個遮光開口。這些色光圖案設置於各遮光開口中，且各色光圖案包括色光層及發光材料層。
基於上述，在本發明的顯示面板及其製造方法中，由於發光元件對位設置於鈍化層開口中，且鈍化層開口對位於反射層的第一開口，因此反射層可以環繞發光元件。如此，發光元件所產生的光可以被集中，以減少漏光及混光的產生，並增加出光效率，以提升顯示面板的顯示品質。此外，由於發光元件與反射層係同時形成於承載基板上，因此製程簡單，且同時轉移至陣列基板上，因此可以避免製作及轉移反射層所產生的公差。如此一來，可以減少發光元件與反射層之間的精度公差，還可省去在轉移發光元件後進行反射層對位的步驟，以實現發光元件自動對位反射層。此外，顯示面板更可以避免異常間距的產生，進一步減少漏光及混光的機率，並提升對位的精度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。此外，在各圖式中使用相似或相同的元件符號來標示相似或相同元件或特徵，且圖式中如有與前一圖相同的元件符號，則將省略其贅述。
圖1A至圖1I繪示為本發明一實施例中轉移發光元件及反射層至陣列基板的流程的剖面示意圖。圖2繪示為圖1I的反射層的上視示意圖。具體而言，圖1A至圖1I可以是對應於圖2中A-A’剖線的製造過程的剖面示意圖，且為求簡潔以清楚表示，於圖2中省略繪示了部分的膜層。在本實施例中，顯示面板10的製造方法包括以下步驟：提供承載基板100；形成多個發光元件120於承載基板100上；形成反射層140於承載基板100上；提供陣列基板160；轉移發光元件120及反射層140至陣列基板160；以及移除承載基板100。以下將以具有發光二極體的顯示面板10的製造方法為例，詳細地進行說明。
首先，請參考圖1A，提供承載基板100。舉例而言，承載基板100係適於生長發光二極體於其表面上的暫時性基板。在本實施例中，承載基板100可以為砷化鎵（GaAs）基板、磷化鎵（GaP）基板、磷化銦（InP）基板、藍寶石（Sapphire）基板、碳化矽（SiC）基板或氮化鎵（GaN）基板，但本發明不以此為限。
接著，請參考圖1B、圖1C以及圖1D，形成多個發光元件120於承載基板上。請先參考圖1B，上述形成這些發光元件120於承載基板100上的步驟包括，形成發光材料層121於承載基板100上。在本實施例中，發光材料層121例如係具有多層量子井（Multiple Quantum Well；MQW）結構。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。發光材料層121的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵（InGaN/GaN）。藉由設計發光材料層121中銦或鎵的比例，可使發光材料層121發出特定的顏色，例如紅色、藍色、綠色或白色，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光材料層121也可以發出紫外光或其他合適顏色的光。發光材料層121例如可以藉由有機金屬化學氣相沉積法（Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）形成。需注意的是，關於上述的發光材料層121的材料或形成方式僅為舉例，本發明並不以此為限。
然後，請參考圖1C，圖案化發光材料層121以形成發光層122。接著，請參考圖1D，形成電極層124於發光層122上，以完成發光元件120的製作。舉例而言，電極層124的材料例如為有機導電材料、金屬、金屬氧化物或合金。電極層124例如可以藉由物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、加熱蒸鍍或其他合適的方法，本發明不以此為限。
在本實施例中，發光元件120是以發光二極體為例，包含有機發光二極體（OLED）、微型發光二極體（micro LED）、次毫米發光二極體（mini LED）以及量子點發光二極體（quantum dot, QD），但本發明不以此為限。
接著，請參考圖1D，形成反射層140於承載基板100上。在本實施例中，上述形成反射層140的步驟包括，先形成反射材料層（未繪示）於承載基板100上。接著，圖案化反射材料層以形成反射層140。在本實施例中，反射層140包括多個第一開口142。
在本實施例中，反射材料層可以在電極層124形成後，再形成於承載基板100上，並透過黃光微影蝕刻製程進行圖案化，以形成反射層140及第一開口142，但本發明不以此為限。在其他實施例中，電極層124和反射層140係同時形成。舉例而言，反射材料層可以先形成於承載基板100上，再透過一次黃光微影蝕刻製程，同時形成電極層124於發光層122上以及反射層140於承載基板100上。在另一實施例中，電極層124與反射層140更可為相同的材料，並透過一次蝕刻製程，同時形成電極層124和反射層140。換句話說，反射層140和電極層124可透過同一光罩製作，節省製作時間及成本。在本實施例中，反射層140的材料為鋁、銀、鋁合金或金，但本發明不以此為限。
接著，請參考圖1E，提供陣列基板160。在本實施例中，於進行轉移發光元件120的步驟前，會先上下翻轉（upside down）承載基板100，再將陣列基板160設置於承載基板100的對向，使形成於承載基板100上的發光元件120以及反射層140面向陣列基板160。在本實施例中，陣列基板160舉例係包括多個驅動元件（未繪示）的驅動陣列基板。舉例而言，驅動元件可以是薄膜電晶體或二極體，本發明不以此為限。在本實施例中，陣列基板160之基板材料可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料）或是其它可適用的材料，本發明不以此為限。
在本實施例中，在陣列基板160設置於承載基板100的對向的步驟之前，更包括以下步驟。請參考圖1E，先形成鈍化材料層181於陣列基板160上。在本實施例中，鈍化材料層181之材料可為無機介電材料、有機介電材料或其組合。舉例而言，無機介電材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合；有機介電材料可以是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料，但本發明不以此為限。
接著，請參考圖1E以及圖1F，圖案化鈍化材料層181以形成鈍化層180。圖案化鈍化材料層181的方法可包括黃光微影蝕刻製程、雷射蝕刻製程或其他合適的方法，本發明不以此為限。在本實施例中，鈍化層180具有多個鈍化層開口182，且這些鈍化層開口182暴露陣列基板160。在本實施例中，各鈍化層開口182對應發光元件120，且適於容置發光元件120。
接著，請參考圖1G、圖1H及圖1I，轉移這些發光元件120及反射層140至陣列基板160。在本實施例中，請參考圖1G，轉移這些發光元件120及反射層140至陣列基板160的步驟更包括，將各發光元件120對位設置於各鈍化層開口182中。接著，將反射層140轉移至鈍化層180上。在本實施例中，由於發光層122及反射層140是設置在承載基板100的表面上，實質上位於相同的水平面上，因此發光元件120的頂面123和反射層140的頂面143實質上位於同一水平面。在上述的設置下，發光元件120的頂面123和反射層140的頂面143可以大致平坦，以提供後續製程平坦的表面，減少漏光及混光的機率，並提升後續製程中對位的精度。
接著，請參考圖1H及圖1I，移除承載基板160。舉例而言，移除承載基板160的方法包括雷射剝離法（laser lift-off, LLO）。在本實施例中，於承載基板100上的發光元件120以及反射層140轉移至陣列基板160後，可以透過對承載基板100照射雷射光300，以將發光層122及反射層140自承載基板100的表面分離。在本實施例中，雷射光300的波長可選擇性地為248nm，且能量為500mJ，頻率為100Hz，但本發明不以此為限。
接著，請參考圖1I以及圖2。具體而言，圖1I繪示為圖2沿剖面線A-A’的剖面圖。移除承載基板100以完成轉移發光元件120及反射層140至陣列基板160。在本實施例中，反射層140的一邊141與發光元件120對應的側壁125之間具有距離H1。舉例而言，距離H1約為0微米至15微米。鈍化層開口182的寬度H2等於或大於發光元件120的尺寸，且寬度H2約為5微米至300微米，但本發明不以此為限。
值得一提的是，在本實施例中，距離H1可視為發光元件120與反射層140之間的精度公差。舉例而言，距離H1包括發光元件120轉移至陣列基板160上的轉移精度公差H1A，以及發光元件120和反射層140形成於承載基板100上的製程精度公差H1B。在上述的設置下，相較於一對照實施例轉移發光元件再形成反射層的製程，由於本發明的發光元件120與反射層140係同時形成於承載基板100上，且同時轉移至陣列基板160上，因此可以避免製作及轉移反射層140的公差。藉此，本發明顯示面板10的製造方法，可以減少發光元件120與反射層140之間的精度公差，還可省去在轉移發光元件120後進行反射層140對位的步驟，以實現發光元件120自動對位反射層140。
另外，在本發明的顯示面板10的製造方法中，可以直接將發光元件120以及反射層140直接且全面地製作於承載基板100上。相較於一對照實施例先轉移發光元件至陣列基板，再製作反射層於陣列基板上的製程，本實施例的製造方法可在轉移步驟前，完成發光元件120以及反射層140的製作，而可省略圖案化的步驟中必要的對位以及黃光微影蝕刻製程。因此，本發明的顯示面板10的製程上較為簡單，且可提升顯示面板10的生產量（throughput）。
圖3A至圖3D繪示為本發明一實施例中形成遮光層及色光圖案於對向基板的流程的剖面示意圖。請參考圖3A，在本實施例中，顯示面板10的製造方法更包括提供對向基板200。對向基板200之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、矽質晶圓或是其他適宜的材料，但本發明不限於此。
接著，請參考圖3B及圖3C，形成遮光層220於對向基板200上。舉例而言，請參考圖3B，形成遮光層220的步驟包括，形成遮光層材料210於對向基板200上。然後，請參考圖3C，再透過黃光微影蝕刻製程進行圖案化，以形成遮光層220，但本發明不以此為限。在本實施例中，遮光層220具有多個遮光開口222。
接著，請參考圖3D，形成多個色光圖案240於這些遮光開口222中。在本實施例中，色光圖案240例如為包括量子點Q的材料。舉例而言，色光圖案240包括色光層242及光轉換層244。色光層242例如是可吸收紅色、綠色或藍色之外的可見光的光阻材料，並且例如是藉由光阻的塗佈、曝光、顯影、烘烤及研磨等步驟來形成。另外，色光層242的材料也可包括紅色、綠色或藍色油墨材料，並且例如是藉由噴墨印刷及固化程序等步驟來形成，但本發明不以此為限。光轉換層244可以為包含紅色量子點材料、綠色量子點材料及藍色量子點材料，且不同顏色的量子點材料可分別對應不同顏色的色光層242設置。量子點Q例如為硒化鎘/硫化鋅(CdSe/ZnS)或具有類似特性的材料。在光轉換層244中，做為量子點材料的主體材料可例如是聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、丙烯-丁二烯-苯乙烯樹脂(acrylonitrile-butadiene-styrene)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、環氧樹脂或是玻璃等材料所組成。但本發明不以此為限。
圖4A繪示為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖4B繪示為圖4A的顯示面板的上視示意圖。具體而言，圖4A繪示為圖4B沿著B-B’剖面線的剖面圖，且為求簡潔以清楚表示，於圖4B中省略繪示了部分的膜層。接著，請參考圖4A及圖4B，將對向基板200設置於陣列基板160的對向，並將對向基板200與陣列基板160接合。在本實施例中，各發光元件120與遮光開口222對應第一開口142設置。至此，已完成顯示面板10的製作。以下將簡單的敘述顯示面板10的結構。
請參考圖4A及圖4B，在本實施例中，顯示面板10包括陣列基板160、鈍化層180設置於陣列基板160上、反射層140設置於鈍化層180上、以及多個發光元件120設置於陣列基板160上。鈍化層180具有多個鈍化層開口182並暴露陣列基板160。反射層140具有多個第一開口142。發光元件120的頂面123和反射層140的頂面143實質上位於同一水平面。在本實施例中，發光元件120對位設置於鈍化層開口182中。發光元件120及鈍化層開口182對位反射層140的第一開口142，且發光元件120的側壁125對應反射層140的一邊141之間具有距離H1。在此需注意的是，本實施例是以鈍化層開口182的寬度H2等於發光元件120的尺寸為例進行說明。換句話說，本實施例的發光元件120緊鄰並接觸鈍化層180，且鈍化層開口182至第一開口142之間的距離與反射層140至發光元件120的距離H1實質上相同，但本發明不以此為限。在其他實施例中，發光元件120也可以與鈍化層開口182之間具有間隙，而不與鈍化層180接觸。
在本實施例中，顯示面板10更包括對向基板200與陣列基板160相對設置。遮光層220和色光圖案240設置於對向基板200和陣列基板160之間。在本實施例中，色光圖案240設置於遮光層220的遮光開口222（標示於圖3D）中。色光圖案240包括色光層242及光轉換層244。在本實施例中，遮光開口222與色光圖案240對應第一開口142及位於第一開口142中的發光元件120設置。在本實施例中，發光元件120包括電極層124以及發光層122，且發光層122設置於電極層124上。
值得注意的是，由於顯示面板10的反射層140以及形成於反射層140上的遮光層220，於俯視上環繞發光元件120，因此可以藉由遮光層220減少漏光的產生。此外，發光元件120所產生的光（舉例為紫外光、白光或其他顏色的光，本發明不以此為限）可以激發所對應的色光圖案240中的量子點Q以產生激發光L OUT，且激發光L OUT可以是向四面八方散射的光。藉由反射層140的設置，激發光L OUT可經由反射層140的反射而集中，降低激發光L OUT進入鄰近的其他色光圖案240的機率，以減少混光的產生，並增加出光效率，以提升顯示面板10的顯示品質。另外，由於發光元件120的頂面123與反射層140的頂面143實質上位於同一水平面，因此當對向基板200設置於陣列基板160上時，發光元件120的頂面123不會凸出反射層140的頂面143的水平面，進而不會影響對向基板200上的遮光層220以及色光圖案240。如此一來，可以避免對向基板200與陣列基板160之間產生異常間距，進一步減少漏光及混光的機率，並提升對位的精度。
簡言之，本實施例的顯示面板10及其製造方法，由於發光元件120對位設置於鈍化層開口182中，且鈍化層開口182對位於反射層140的第一開口142，因此反射層140及形成於反射層140上的遮光層220可以環繞發光元件120。如此，發光元件120激發色光圖案240所產生的激發光L OUT可以被集中，以減少漏光及混光的產生，並增加出光效率，以提升顯示面板10的顯示品質。此外，由於發光元件120與反射層140係同時形成於承載基板100上，因此製程簡單，且同時轉移至陣列基板160上，因此可以避免製作及轉移反射層140所產生的公差。如此一來，可以減少發光元件120與反射層140之間的精度公差，還可省去在轉移發光元件120後進行反射層140對位的步驟，以實現發光元件120自動對位反射層140。此外，顯示面板10更可以避免對向基板200與陣列基板160之間產生異常間距，進一步減少漏光及混光的機率，並提升對位的精度。
下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。
圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。本實施例所示的顯示面板10’與圖4A所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：鈍化層開口182的寬度H2大於發光元件120’的尺寸，且發光元件120’於陣列基板160上的正投影位於鈍化層開口182中。換句話說，發光元件120’不緊鄰鈍化層180，且鈍化層開口182至發光元件120’之間更具有間隙H3。相較於圖4A的距離H1，本實施例的距離H1’為第一開口141至鈍化層開口182之間的距離與間隙H3的總和，且距離H1’大於距離H1。如此，本實施例可獲致與前述實施例相同的技術效果。
圖6A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。圖6B繪示為圖6A的顯示面板的上視示意圖。具體而言，圖6A繪示為圖6B沿著C-C’剖面線的剖面圖，且為求簡潔以清楚表示，於圖6B中省略繪示了部分的膜層。本實施例所示的顯示面板10A與圖4A所示的顯示面板10類似，主要的差異在於：在本實施例中，反射層140A更包括第二開口144，且第二開口144環繞第一開口142。在本實施例中，遮光層220對應第二開口144設置，而發光元件120與遮光開口222對應第一開口142設置。如此，遮光層220可以直接抵接至第二開口144所暴露的鈍化層180的表面，以增加遮光層220與陣列基板160之間的接合力，進一步防止對向基板200與陣列基板160的移位。藉此，顯示面板10A對位的精度可以提升，並可減少漏光及混光的機率，以提升顯示面板10A的顯示品質。
綜上所述，本發明一實施例的顯示面板及其製造方法，由於發光元件對位設置於鈍化層開口中，且鈍化層開口對位於反射層的第一開口，因此反射層及形成於反射層上的遮光層可以環繞發光元件。如此，發光元件激發色光圖案所產生的激發光可以被集中，以減少漏光及混光的產生，並增加出光效率，以提升顯示面板的顯示品質。此外，由於發光元件與反射層係同時形成於承載基板上，因此製程簡單，且同時轉移至陣列基板上，因此可以避免製作及轉移反射層所產生的公差。如此一來，可以減少發光元件與反射層之間的精度公差，還可省去在轉移發光元件後進行反射層對位的步驟，以實現發光元件自動對位反射層。此外，顯示面板更可以避免對向基板與陣列基板之間產生異常間距，進一步減少漏光及混光的機率，並提升對位的精度。此外，顯示面板更可以透過圖案化反射層來防止對向基板與陣列基板的移位。藉此，顯示面板對位的精度可再提升，並減少漏光及混光的機率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10’、10A‧‧‧顯示面板
100‧‧‧承載基板
120、120’‧‧‧發光元件
121‧‧‧發光材料層
122‧‧‧發光層
123‧‧‧發光元件的頂面
124‧‧‧電極層
125‧‧‧側壁
140、140A‧‧‧反射層
141‧‧‧邊
142‧‧‧第一開口
143‧‧‧反射層的頂面
144‧‧‧第二開口
160‧‧‧陣列基板
180‧‧‧鈍化層
181‧‧‧鈍化材料層
182‧‧‧鈍化層開口
200‧‧‧對向基板
210‧‧‧遮光材料層
220‧‧‧遮光層
222‧‧‧遮光開口
240‧‧‧色光圖案
242‧‧‧色光層
244‧‧‧光轉換層
300‧‧‧雷射光
A-A’、B-B’、C-C’‧‧‧剖面線
H1、H1’‧‧‧距離
H1A‧‧‧轉移精度公差
H1B‧‧‧製程精度公差
H2‧‧‧寬度
H3‧‧‧間隙
LOUT‧‧‧激發光
Q‧‧‧量子點
圖1A至圖1I繪示為本發明一實施例中轉移發光元件及反射層至陣列基板的流程的剖面示意圖。 圖2繪示為圖1I的反射層的上視示意圖。 圖3A至圖3D繪示為本發明一實施例中形成遮光層及色光圖案於對向基板的流程的剖面示意圖。 圖4A繪示為本發明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖4B繪示為圖4A的顯示面板的上視示意圖。 圖5繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖6A繪示為本發明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖6B繪示為圖6A的顯示面板的上視示意圖。
10‧‧‧顯示面板
120‧‧‧發光元件
122‧‧‧發光層
123‧‧‧發光元件的頂面
124‧‧‧電極層
125‧‧‧側壁
140‧‧‧反射層
141‧‧‧邊
142‧‧‧第一開口
143‧‧‧反射層的頂面
160‧‧‧陣列基板
180‧‧‧鈍化層
182‧‧‧鈍化層開口
200‧‧‧對向基板
220‧‧‧遮光層
222‧‧‧遮光開口
240‧‧‧色光圖案
242‧‧‧色光層
244‧‧‧光轉換層
B-B’‧‧‧剖面線
H1‧‧‧距離
H2‧‧‧寬度
LOUT‧‧‧激發光
Q‧‧‧量子點

Claims (14)

  1. 一種顯示面板的製造方法，包括：提供一承載基板；形成多個發光元件於該承載基板上；形成一反射層於該承載基板上；提供一陣列基板，將該陣列基板設置於該承載基板的對向；轉移該些發光元件及該反射層至該陣列基板；以及移除該承載基板，其中在所述將該陣列基板設置於該承載基板的對向的步驟之前，更包括：形成一鈍化材料層於該陣列基板上；以及圖案化該鈍化材料層，以形成一鈍化層，該鈍化層具有多個鈍化層開口，該些鈍化層開口暴露該陣列基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板的製造方法，其中移除該承載基板的方法包括雷射剝離法(laser lift-off)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板的製造方法，其中形成該些發光元件於該承載基板上的步驟包括：形成一發光材料層於該承載基板上；圖案化該發光材料層以形成一發光層；以及形成一電極層於該發光層上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板的製造方法，其中該電極層和該反射層係同時形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板的製造方法，其中轉移該些發光元件及該反射層至該陣列基板的步驟，更包括：將各該發光元件對位設置於各該鈍化層開口中；以及將該反射層轉移至鈍化層上，其中，該些發光元件的頂面和該反射層的頂面實質上位於同一水平面，且該反射層的一邊與該鈍化層開口之間具有一距離。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板的製造方法，其中更包括：提供一對向基板，該對向基板設置於該陣列基板的對向；形成一遮光層於該對向基板上，該遮光層具有多個遮光開口；以及形成多個色光圖案於該些遮光開口中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板的製造方法，其中形成該反射層的步驟包括：形成一反射材料層於該承載基板上；以及圖案化該反射材料層以形成該反射層，其包括多個第一開口與一第二開口，其中該第二開口環繞該些第一開口，各該發光元件與各該遮光開口對應各該第一開口設置，且該遮光層對應該第二開口設置。
  8. 一種顯示面板，包括：一陣列基板；一鈍化層設置於該陣列基板上，該鈍化層具有多個鈍化層開 口並暴露該陣列基板；一反射層設置於該鈍化層上，該反射層具有多個第一開口，且該些鈍化層開口對位於該些第一開口；以及多個發光元件設置於該陣列基板上的該些鈍化層開口中，其中該些發光元件的頂面和該反射層的頂面實質上位於同一水平面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該反射層的一邊與該發光元件對應的一側壁之間具有一距離。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該反射層更包括一第二開口，且該第二開口環繞該些第一開口。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，更包括一對向基板和該陣列基板相對設置，一遮光層設置於該對向基板和該陣列基板之間，其中該遮光層對應該第二開口設置。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，更包括一對向基板和該陣列基板相對設置，一遮光層和多個色光圖案設置於該對向基板和該陣列基板之間，該遮光層具有多個遮光開口，該些色光圖案設置於各該遮光開口中，且各該色光圖案包括一色光層及一發光材料層。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中各該發光元件包括：一電極層；以及一發光層設置於該電極層上，且該反射層和該電極層為同一 膜層。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該反射層的材料為鋁、銀、鋁合金或金。
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