TWI744035B

TWI744035B - 顯示面板及其製造方法

Info

Publication number: TWI744035B
Application number: TW109135459A
Authority: TW
Inventors: 易筑萱; 陳亦偉
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-10-14
Filing date: 2020-10-14
Publication date: 2021-10-21
Also published as: CN113097193B; TW202215652A; CN113097193A

Abstract

一種顯示面板，包括：驅動陣列基板以及顯示陣列基板。驅動陣列基板具有容納空間，且包括：第一基板、主動元件以及電路層。主動元件設置於第一基板上。電路層電性連接主動元件，且包括第一接墊，其中第一接墊鄰近容納空間。顯示陣列基板包括：第二基板、顯示元件以及第二接墊。顯示元件設置於第二基板上，且位於容納空間中。第二接墊電性連接第一接墊與顯示元件。此外，還提出一種顯示面板的製造方法。

Description

顯示面板及其製造方法

本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板及其製造方法。

微型發光二極體(micro-LED)因其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩飽和度等特性，因而適用於構建微型發光二極體顯示面板之畫素結構。由於微型發光二極體的尺寸極小，目前製作微型發光二極體顯示面板的方法是採用巨量轉移(Mass Transfer)技術，亦即將大量的微型發光二極體一次搬運到具有畫素電路的驅動背板上。

然而，巨量轉移技術存在微型發光二極體與畫素電路接合的良率問題，而且，由於R、G、B三種顏色的微型發光二極體需要分次進行轉移，因此，不僅面臨三倍的良率損失，三次的巨量轉移也相當耗時。

此外，現行的顯示面板採用單板結構來製造畫素結構與畫素電路。然而，為了提高開口率，常有線路配置空間不足的問題，甚至需採用複雜又繁瑣的雙面製程來將線路製作於基板背面，導致良率不佳。

本發明提供一種顯示面板，其具有充足的線路配置空間及高生產良率。

本發明提供一種顯示面板的製造方法，其具有高生產良率。

本發明的一個實施例提出一種顯示面板，包括：驅動陣列基板，具有容納空間且包括：第一基板；主動元件，設置於第一基板上；以及電路層，電性連接主動元件，且包括第一接墊，其中第一接墊鄰近容納空間；以及顯示陣列基板，覆蓋驅動陣列基板，且包括：第二基板；顯示元件，設置於第二基板上，且位於容納空間中；以及第二接墊，電性連接第一接墊與顯示元件。

本發明的另一個實施例提出一種顯示面板的製造方法，包括：提供驅動陣列基板，其中驅動陣列基板具有容納空間且包括：第一基板；主動元件，設置於該第一基板上；以及電路層，電性連接主動元件，且包括第一接墊，其中第一接墊鄰近容納空間；提供顯示陣列基板，其中顯示陣列基板包括：第二基板；顯示元件，設置於第二基板上；以及第二接墊，電性連接顯示元件；以及電性連接第一接墊至第二接墊，並使顯示元件位於容納空間中。

本發明實施例的顯示面板利用驅動陣列基板以及顯示陣列基板來建構顯示面板，不僅線路配置空間充足，亦可選擇性地免除繁複的雙面製程。另外，電路層與主動元件製作於驅動陣列基板，有助於簡化顯示陣列基板的結構，便於顯示元件的檢測與重工。再者，顯示元件的間距可以縮小，從而提高顯示面板的開口率與解析度。此外，驅動陣列基板以及顯示陣列基板的對組步驟簡易又快速，且對準精度佳，可節省製造時間，並提高生產良率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、20:顯示面板

100、100’:驅動陣列基板

110:第一基板

120:主動元件

121:緩衝層

122:半導體層

123:閘極絕緣層

124:閘極

125:層間絕緣層

126:源極

127:汲極

130:電路層

131:第一絕緣層

132:第一導線層

133:第二絕緣層

134:第二導線層

136:緩衝層

200、200’:顯示陣列基板

210:第二基板

220:顯示元件

221:第一型半導體層

222:第二型半導體層

223:發光層

224:第一電極

225:第二電極

232:第一連接材

234:第二連接材

260:絕緣層

270:緩衝層

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’:剖面線

BM:遮光層

CA:導電膠

D1:第一方向

D2:第二方向

DC:驅動電路

OP:容納空間

P1:第一接墊

P2:第二接墊

P3:第三接墊

P4:第四接墊

MK1:第一對位標記

MK2:第二對位標記

PX:畫素

PX1、PX2、PX3:子畫素

S1、S2、S3:步驟

VA1、VA2、VA3、VA4:通孔

圖1A是依照本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。

圖1B是圖1A的顯示面板的畫素的放大示意圖。

圖1C是沿圖1B的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。

圖1D是沿圖1B的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。

圖2是依照本發明一實施例的顯示面板的製造方法的流程圖。

圖3A是依照本發明一實施例的顯示面板的驅動陣列基板的上視示意圖。

圖3B是沿圖3A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。

圖4A是依照本發明一實施例的顯示面板的顯示陣列基板的上視示意圖。

圖4B是沿圖4A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。

圖5A是依照本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。

圖5B是圖5A的顯示面板的畫素的放大示意圖。

圖5C是沿圖5B的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。

圖5D是沿圖1B的剖面線G-G’所作的剖面示意圖。

圖6A是依照本發明一實施例的顯示面板的驅動陣列基板的上視示意圖。

圖6B是沿圖6A的剖面線H-H’所作的剖面示意圖。

圖7A是依照本發明一實施例的顯示面板的顯示陣列基板的上視示意圖。

圖7B是沿圖7A的剖面線I-I’所作的剖面示意圖。

圖1A是依照本發明一實施例的顯示面板10的上視示意圖。圖1B是圖1A的顯示面板10的畫素PX的放大示意圖。圖1C是沿圖1B的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖1D是沿圖1B的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖1A省略了圖1B中除顯示元件220以外的其他構件。以下，請同時參照圖1A至圖1D，以清楚地理解顯示面板10的整體結構。

請參照圖1C及圖1D，顯示面板10包括：驅動陣列基板 100以及顯示陣列基板200。驅動陣列基板100具有容納空間OP，並且包括：第一基板110、主動元件120以及電路層130。主動元件120設置於第一基板110上。電路層130電性連接主動元件120，且包括第一接墊P1，其中第一接墊P1鄰近容納空間OP。在本實施例中，電路層130還包括第三接墊P3，第三接墊P3可以鄰近容納空間OP設置，也可以遠離容納空間OP設置。顯示陣列基板200包括：第二基板210、顯示元件220以及第二接墊P2。顯示元件220設置於第二基板210上，且位於容納空間OP中。第二接墊P2電性連接第一接墊P1與顯示元件220。在本實施例中，顯示陣列基板200還包括第四接墊P4，第四接墊P4電性連接第三接墊P3。

承上述，在本發明的一實施例的顯示面板10中，由於主動元件120以及電路層130設置於驅動陣列基板100，且顯示元件220設置於顯示陣列基板200，因此，顯示面板10可具有更多的線路配置空間。在一些實施例中，部分導線還可以設置於顯示陣列基板200。在一些實施例中，即使不利用雙面製程於第一基板110的正反兩面形成電路，顯示面板10也具有充足的線路配置空間。

以下，配合圖1A至圖1D，繼續說明顯示面板10的各個元件與膜層的實施方式，但本發明不以此為限。

請參照圖1A與圖1B，顯示面板10包括多個畫素PX，其中每一畫素PX可以包含三個子畫素PX1、PX2、PX3，且子畫素PX1、PX2、PX3沿第一方向D1排列。子畫素PX1、PX2、PX3可以分別呈現不同的顏色，例如子畫素PX1中的顯示元件220為紅色發光二極體，子畫素PX2中的顯示元件220為綠色發光二極體，子畫素PX3中的顯示元件220為藍色發光二極體，但本發明不以此為限。

請參照圖1B，在本實施例中，驅動陣列基板100還可以包括驅動電路DC，且驅動電路DC可以電性連接顯示元件220，以傳遞訊號至顯示元件220。舉例而言，顯示元件220電性連接至第二接墊P2及第四接墊P4，而驅動電路DC可以分別電性連接第二接墊P2及第四接墊P4。在一些實施例中，子畫素PX1、PX2、PX3中的第四接墊P4彼此電性相連，且施加有相同的共用電壓。在一些實施例中，子畫素PX1、PX2、PX3中的第二接墊P2彼此分離，且分別透過不同的主動元件120而電性連接至驅動電路DC。在一些實施例中，驅動電路DC為接合至驅動陣列基板100的晶片或直接形成於第一基板110上的電路(包含主動元件、被動元件或其組合)。

請參照圖1C至圖1D，驅動陣列基板100的第一基板110為透明基板，其材質例如是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他適當材質，但本發明不以此為限。第一基板110上可設置用以形成訊號線、開關元件、驅動元件、儲存電容等的各種膜層。

在本實施例中，第一基板110上具有緩衝層121、半導體層122、閘極絕緣層123、閘極124、層間絕緣層125、源極126 以及汲極127，其中半導體層122、閘極124、源極126與汲極127共同構成主動元件120。緩衝層121、閘極絕緣層123及層間絕緣層125的材質可以包括透明的絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等等，但本發明不限於此。半導體層122的材質可包括矽質半導體材料(例如多晶矽、非晶矽等)、氧化物半導體材料、有機半導體材料，而閘極124、源極126與汲極127的材質可包括導電性良好的金屬，例如鋁、鉬、鈦、銅等金屬。

半導體層122重疊閘極124的區域可視為主動元件120的通道區。閘極絕緣層123位於閘極124與半導體層122之間，層間絕緣層125設置在源極126與閘極124之間以及汲極127與閘極124之間。

閘極124可透過掃描線而與驅動電路DC電性連接，且源極126可透過資料線而與驅動電路DC電性連接。此外，雖然本實施例中的主動元件120屬於頂閘極型薄膜電晶體，然而，在其他實施例中，主動元件120也可以是底閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他類型的薄膜電晶體。

電路層130包括至少一絕緣層與至少一導線層，且電路層130的導線層電性連接主動元件120與第一接墊P1。在本實施例中，電路層130包括第一絕緣層131、第一導線層132、第二絕緣層133、第二導線層134以及第一接墊P1。第一絕緣層131位於主動元件120與第一導線層132之間，第二絕緣層133位於第一導線層132與第二導線層134之間，且第一導線層132電性連接第二導線層134與主動元件120的汲極127。

在本實施例中，電路層130還包括第三接墊P3，且第三接墊P3電性連接第二導線層134。在一些實施例中，第三接墊P3選擇性地電性連接至第一導線層132或其他導線層。第三接墊P3與第一接墊P1彼此分離。雖然在圖1D中，第三接墊P3鄰近容納空間OP設置，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第三接墊P3鄰近驅動電路DC設置或設置於顯示面板10之顯示區的邊緣，且第三接墊P3藉由第二導線層134連接至驅動電路DC。

電路層130還可以包括緩衝層136，緩衝層136位於第二導線層134與第一接墊P1之間，第一接墊P1透過緩衝層136中的通孔VA1電性連接第二導線層134。如此一來，傳遞至主動元件120的汲極127的訊號可依序透過第一導線層132以及第二導線層134傳遞至第一接墊P1。

第一絕緣層131、第二絕緣層133以及緩衝層136的材質可以包括絕緣材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等等，但本發明不限於此。另外，第一絕緣層131、第二絕緣層133以及緩衝層136也可以分別具有單層結構或多層結構，多層結構例如上述絕緣材料中任意兩層或更多層的疊層，可視需要進行組合與變化。

第一導線層132、第二導線層134、第一接墊P1以及第三接墊P3的材質可以包括導電性良好的金屬，例如鋁、鉬、鈦、銅等金屬。舉例而言，在一實施例中，第一接墊P1以及第三接墊P3為多層結構，且包括依續堆疊的鈦層、鋁層以及鈦層，但本發明不以此為限。

如圖1C與圖1D所示，容納空間OP可以貫穿第一絕緣層131以及第二絕緣層133，但本發明不以此為限。舉例而言，在另一實施例中，當需要更大的容納空間OP時，容納空間OP也可以貫穿第一絕緣層131、第二絕緣層133、層間絕緣層125、閘極絕緣層123以及緩衝層121。

電路層130例如包括顯示面板10需要的線路或元件，例如電源線、時序訊號線、電流補償線、檢測訊號線、驅動訊號線等等。藉由將部分線路設置於電路層130，可以進一步增加顯示面板10的線路配置空間。

顯示陣列基板200的第二基板210可以是透明基板或非透明基板，其材質可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板、金屬基板或其他適當材質。第二基板210的材質可以與驅動陣列基板100的第一基板110相同或不同。例如，第一基板110與第二基板210可以都是玻璃基板；或者，第一基板110是高分子基板，而第二基板210是玻璃基板。

絕緣層260設置於第二基板210上。第二接墊P2以及第四接墊P4設置於絕緣層260上。在一些實施例中，第二接墊P2以及第四接墊P4屬於相同膜層，換句話說，第二接墊P2以及第四接墊P4例如是藉由同一道圖案化製程中所定義出來。圖1C中的第二接墊P2將與第一接墊P1互相接觸，圖1D中的第四接墊P4將與第三接墊P3互相接觸。緩衝層270設置於第二接墊P2以及第四接墊P4上。緩衝層270的多個通孔VA3分別暴露出第二接墊P2。在本實施例中，緩衝層270還包括通孔VA4。在本實施例中，通孔VA4暴露出第四接墊P4。在其他實施例中，第四接墊P4透過導線而電性連接至位於其他位置(例如靠近驅動電路DC或靠近顯示區邊緣)的其他接墊，而通孔VA4重疊並暴露出前述其他接墊。

顯示元件220可以包括第一型半導體層221、第二型半導體層222、發光層223、第一電極224及第二電極225。發光層223設置在第一型半導體層221與第二型半導體層222之間。在本實施例中，第一型半導體層221和第二型半導體層222可以包括Ⅱ-Ⅵ族材料(例如：鋅化硒(ZnSe))或Ⅲ-V氮族化物材料(例如：氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN))。舉例而言，在本實施例中，第一型半導體層221例如是P型摻雜半導體層，P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵(p-GaN)，第二型半導體層222例如是N型摻雜半導體層，N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵(n-GaN)，但本發明不以此為限。在本實施例中，發光層223的結構例如是多層量子井結構(Multiple Quantum Well,MQW)，多重量子井結構包括交替堆疊的多層氮化銦鎵(InGaN)以及多層氮化鎵(GaN)，藉由設計發光層223中銦或鎵的比例，可調整發光層223的發光波長範圍，但本發明不以此為限。

在本實施例中，顯示元件220的第一電極224及第二電極225，設置在第二型半導體層222的同一側。舉例而言，本實施例的顯示元件220為水平式微型發光二極體，且第一電極224為陽極，第二電極225為陰極，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一電極224電性耦接第二接墊P2至第一型半導體層221，且每個顯示元件220的第一電極224分別電性連接至一個第二接墊P2。在本實施例中，第二電極225電性耦接第四接墊P4至第二型半導體層222，且多個顯示元件220的第二電極225電性連接至一個第四接墊P4。在其他實施例中，第一電極224電性耦接第四接墊P4至第一型半導體層221，第二電極225電性耦接第二接墊P2至第二型半導體層222。在本實施例中，第一電極224及第二電極225的材質可包括合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物或其他合適的材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層或其他低阻值的材料。

多個顯示元件220例如是於生長基板上製造後，透過巨量轉移製程轉置於第二基板210上，並分別透過第一連接材232以及第二連接材234而電性連接至第二接墊P2以及第四接墊P4，且第一連接材232以及第二連接材234分別透過緩衝層270的通孔VA2而電性連接至第二接墊P2以及第四接墊P4。第一連接材232以及第二連接材234例如為銲料、導電膠或其他材料。此外，第一連接材232以及第二連接材234與第二接墊P2以及第四接墊P4之間還可包括其他導電材料或導電膠。

第一接墊P1於第一基板110上的正投影與第二接墊P2 於第一基板110上的正投影至少部分重疊。第三接墊P3於第一基板110上的正投影與第四接墊P4(或重疊於通孔VA4的其他接墊)於第一基板110上的正投影至少部分重疊。在一些實施例中，驅動陣列基板100具有第一對位標記MK1(請參考圖1B)，顯示陣列基板200具有第二對位標記MK2(請參考圖1B)。第一對位標記MK1於第一基板110上的正投影與第二對位標記MK2於第一基板110上的正投影至少部分重疊。藉由檢測第一對位標記MK1與第二對位標記MK2的相對位置，能確認驅動陣列基板100與顯示陣列基板200是否有正確對準。在本實施例中，第一接墊P1直接接觸第二接墊P2以進行電性連接，第三接墊P3直接接觸第四接墊P4以進行電性連接，且驅動陣列基板100與顯示陣列基板200可以透過框膠或其他構件而互相固定在一起。在一些實施例中，第一接墊P1直接接觸第二接墊P2的部分頂面、部分側面或其組合。在一些實施例中，第三接墊P3直接接觸第四接墊P4(或重疊於通孔VA4的其他接墊)的部分頂面、部分側面或其組合。在其他實施例中，第一接墊P1與第二接墊P2透過導電膠或其他材料而連接，且第三接墊P3與第四接墊P4(或重疊於通孔VA4的其他接墊)透過導電膠或其他材料而連接，且通孔VA4上的第四接墊P4延伸至通孔VA1上方。

在本實施例中，由於驅動陣列基板100的電路層130中的第一導線層132與第二導線層134位於顯示元件220的側面，因此，第一導線層132與第二導線層134不容易影響顯示元件220 所發出的光線。在本實施例中顯示元件220以朝向第一基板110的面為發光面，換句話說，顯示面板10以第一基板110作為正面，並以第二基板210作為背面。

在本實施例的顯示面板10中，主動元件120與電路層130設置於驅動陣列基板100中而非設置於顯示陣列基板200中，也就是說，第二基板210上所需設置的線路較少。如此一來，可以縮小第二基板210上之顯示元件220之間的間距，從而提高顯示面板10的開口率與解析度。另外，可以在將驅動陣列基板100與顯示陣列基板200對組前就藉由諸如系統板等治具測試顯示陣列基板200上之顯示元件220的品質，並對顯示陣列基板200上損壞的顯示元件220進行修復。因此，修復顯示元件220的製程不會對驅動陣列基板100造成損傷，藉此能提高顯示面板10的生產良率。在一些實施例中，一個顯示陣列基板200貼合至一個驅動陣列基板100，但本發明不以此為限。在其他實施例中，多個顯示陣列基板200貼合至一個驅動陣列基板100。

在以下的圖2至圖4B的實施例中，說明顯示面板10的製造方法的實施態樣，並沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1D的實施例，在以下的說明中不再重述。

圖2是依照本發明一實施例的顯示面板10的製造方法的流程圖。圖3A是依照本發明一實施例的顯示面板10的驅動陣列基板100的上視示意圖。圖3B是沿圖3A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。圖4A是依照本發明一實施例的顯示面板10的顯示陣列基板200的上視示意圖。圖4B是沿圖4A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。以下，配合圖2至圖4B，以說明顯示面板10的製造方法。

首先，請參照圖2與圖3A至圖3B，在步驟S1中，提供具有容納空間OP的驅動陣列基板100，且容納空間OP沿第一方向D1延伸。驅動陣列基板100包括：第一基板110、主動元件120以及電路層130。

請參照圖3A，在一實施例中，可以在驅動陣列基板100上製作第一對位標記MK1，以便於後續進行對位。舉例而言，第一對位標記MK1可以是任何可藉由光線辨識的標記，例如一個圖案或是一個孔，但本發明不限於此。在步驟S1中，還可以進一步檢測驅動陣列基板100，以確定驅動陣列基板100的主動元件120及電路層130可正常運作。

接著，請參照圖2與圖4A至圖4B，在步驟S2中，提供顯示陣列基板200。顯示陣列基板200包括：第二基板210、顯示元件220、第二接墊P2以及第四接墊P4，且顯示元件220沿第一方向D1排列。

請參照圖4A，可以在顯示陣列基板200上製作第二對位標記MK2，以便於與驅動陣列基板100上的第一對位標記MK1進行對位。舉例而言，第二對位標記MK2可以是任何可藉由光線辨識的標記，例如一個圖案或是一個孔，但本發明不限於此。在步驟S2中，還可以進一步藉由諸如系統板等治具測試顯示陣列基板200上之顯示元件220的品質，並對顯示陣列基板200上損壞的顯示元件220進行修復，藉此能提高顯示面板10的生產良率。

接著，請參照圖2，在步驟S3中，將驅動陣列基板100與顯示陣列基板200對組，以電性連接第一接墊P1與第二接墊P2，且電性連接第三接墊P3與第四接墊P4，並使顯示元件220位於容納空間OP中，即可完成如圖1A至圖1D所示的顯示面板10。具體而言，在對組驅動陣列基板100與顯示陣列基板200時，可以先大致將驅動陣列基板100對齊顯示陣列基板200，然後使用光束(例如雷射光、紅外光、可見光或其他光束)，以垂直於驅動陣列基板100或顯示陣列基板200的方向照射第一對位標記MK1與第二對位標記MK2，以確認驅動陣列基板100與顯示陣列基板200的相對位置。當第一對位標記MK1於第一基板110上的正投影與第二對位標記MK2於第一基板110上的正投影部分重疊或完全重疊時，即表示驅動陣列基板100與顯示陣列基板200已正確對準。

在驅動陣列基板100與顯示陣列基板200對組之後，第一接墊P1電性連接第二接墊P2，且第三接墊P3電性連接第四接墊P4。由於驅動陣列基板100與顯示陣列基板200已在對組之前各自完成檢測，因此，將可確保顯示面板10具有高良率。此外，顯示元件220與容納空間OP的對位可以進一步提升驅動陣列基板 100與顯示陣列基板200在對組製程時的良率，具體地說，若顯示元件220無法壓進容納空間OP則代表驅動陣列基板100與顯示陣列基板200尚未對準。因此，本實施例在將驅動陣列基板100與顯示陣列基板200對組的步驟較為簡易快速，可節省製造時間，且對準精度佳，而能夠得到較高的生產良率。

在圖1A至圖1D的實施例中，說明的是：頂面發光的顯示面板10的實施態樣。在以下的圖5A至圖5D的實施例中，說明的是：底面發光的顯示面板20的實施態樣，並沿用圖1A至圖1D的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A至圖1D的實施例，在以下的說明中不再重述。

圖5A是依照本發明一實施例的顯示面板20的上視示意圖。圖5B是圖5A的顯示面板20的畫素PX的放大示意圖。圖5C是沿圖5B的剖面線F-F’所作的剖面示意圖。圖5D是沿圖1B的剖面線G-G’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖5A省略了圖5B中除顯示元件220以外的其他構件。

顯示面板20包括驅動陣列基板100’與顯示陣列基板200’，與圖1A至圖1D所示的顯示面板10相比，如圖5A至圖5D所示的顯示面板20的不同之處在於：(1)顯示面板20的子畫素PX1、PX2、PX3沿第二方向D2排列，且第二方向D2可與前述的第一方向D1相交或垂直。(2)顯示元件220以朝向第二基板 210的面為發光面，因此，顯示面板20以第二基板210作為正面，並以第一基板110作為背面。(3)顯示陣列基板200’還包括遮光層BM，且遮光層BM設置於第二基板210與絕緣層260之間，以提供遮光功能。遮光層BM的材質可包括黑色樹脂或是遮光金屬(例如：鉻)等反射性及光穿透率都較低的材料。(4)顯示陣列基板200’還包括導電膠CA，導電膠CA位於顯示陣列基板200’的表面上，並位於第一接墊P1與第二接墊P2之間以及第三接墊P3與第四接墊P4之間，以電性連接第一接墊P1與第二接墊P2以及電性連接第三接墊P3與第四接墊P4。如此一來，主動元件120可以經由電路層130、第一接墊P1、導電膠CA、第二接墊P2以及第一連接材232傳遞訊號至顯示元件220的第一電極224。在一些實施例中，第一接墊P1透過導電膠CA而連接第二接墊P2的部分頂面、部分側面或其組合。在一些實施例中，第三接墊P3透過導電膠CA而連接第四接墊P4(或重疊於通孔VA4的其他接墊)的部分頂面、部分側面或其組合。

在本實施例中，遮光層BM於第二基板210上的正投影不重疊於顯示元件220於第二基板210上的正投影，以免遮蔽顯示元件220發出的光線。同時，遮光層BM於第二基板210上的正投影重疊於主動元件120於第二基板210上的正投影，以遮蔽進入主動元件120的外來光線，藉此減少主動元件120出現光漏電的問題以及電路層130反射光線的問題。

圖6A是依照本發明一實施例的顯示面板20的驅動陣列基板100’的上視示意圖。圖6B是沿圖6A的剖面線H-H’所作的剖面示意圖。圖7A是依照本發明一實施例的顯示面板20的顯示陣列基板200’的上視示意圖。圖7B是沿圖7A的剖面線I-I’所作的剖面示意圖。以下，配合圖2及圖6A至圖7B，以說明顯示面板20的製造方法。

本實施例採用圖2所示的流程圖來進行圖6A至圖6B所示的驅動陣列基板100’與圖7A至圖7B所示的顯示陣列基板200’的組裝，以製造顯示面板20。與圖2至圖4B所示的顯示面板10的製造方法相比，如圖2及圖6A至圖7B所示的顯示面板20的製造方法的不同之處在於：(1)在步驟S1提供的驅動陣列基板100’中，容納空間OP沿第二方向D2延伸，如圖6A所示；在步驟S2提供的顯示陣列基板200’中，顯示元件220沿第二方向D2排列，如圖7A所示。第二方向D2可與前述的第一方向D1相交或垂直。(2)在提供顯示陣列基板200’的步驟S2中，還包括在顯示陣列基板200’上形成一層導電膠CA，如圖7B所示。在一些實施例中，可於顯示陣列基板200’的表面上塗佈一層導電膠CA，或是於第二接墊P2與第四接墊P4上塗佈一層導電膠CA，然後將顯示陣列基板200’貼附於已形成容納空間OP的驅動陣列基板100’，使得在驅動陣列基板100’與顯示陣列基板200’被壓合之後，第一接墊P1可藉由導電膠CA電性連接至第二接墊P2，第三接墊P3也可藉由導電膠CA電性連接至第四接墊P4。(3)步驟S2提供的顯示陣列基板200’還包括遮光層BM，遮光層BM設置於第二基板210與絕緣層260之間，且遮光層BM於第二基板210上的正投影不重疊於顯示元件220於第二基板210上的正投影，如圖7B所示。(4)在進行步驟S3之後，以顯示陣列基板200’作為正面，並以驅動陣列基板100’作為背面，顯示元件220以朝向第二基板210的面為發光面。由於驅動陣列基板100’與顯示陣列基板200’已在對組之前各自完成檢測，因此，將可確保顯示面板20具有高良率。此外，將驅動陣列基板100’與顯示陣列基板200’對組的步驟較為簡易快速，可節省製造時間，且對準精度佳，而能夠得到較高的生產良率。

綜上所述，本實施例的顯示面板利用驅動陣列基板以及顯示陣列基板來建構顯示面板，不僅線路配置空間充足，也可選擇性地免除複雜又繁瑣的雙面製程。同時，電路層與主動元件製作於驅動陣列基板，可有助於簡化顯示陣列基板的結構，且便於顯示陣列基板的檢測與重工。另外，顯示元件的間距可以縮小，從而提高顯示面板的開口率與解析度。此外，驅動陣列基板與顯示陣列基板的對組步驟簡易又快速，且對準精度佳，可節省製造時間，並得到提高的生產良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:顯示面板

100:驅動陣列基板