KR100612120B1 - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인듐주석산화물층들 사이에서 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 형성되는 스캔 라인들 및 상기 스캔 라인들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 복수의 인듐주석산화물층들, 복수의 스캔 라인들, 절연층, 유기물층, 금속전극층들 및 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 기판 상에 형성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성된다. 상기 절연층은 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성된다. 상기 유기물층은 상기 발광 영역 상에 형성된다. 상기 금속전극층들은 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성된다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인들을 연결한다. 상기 유기 전계 발광 소자는 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 휘도가 향상된다.
유기 전계 발광 소자, 스캔 라인, ITO층, 연결부
Description
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐주석산화물층들 사이에서 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 형성되는 스캔 라인들 및 상기 스캔 라인들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정 전압이 인가되는 경우 소정 파장을 가지는 빛을 발생시킨다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 100, ITO층들), 금속전극층들(102), 데이터 라인들(106), 제 1 스캔 라인들(108) 및 제 2 스캔 라인들(110)을 포함한다.
ITO층들(100)과 금속전극층들(102)이 교차하는 발광 영역(104)에는 복수의 픽셀들이 형성된다.
데이터 라인들(106)은 ITO층들(100)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송된 데이터 신호들을 수신하고, 상기 수신된 데이터 신호들을 ITO층들(100)에 전송한다.
제 1 스캔 라인들(108)은 금속전극층들(102) 중 일부 금속전극층들에 각기 연결되고, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 1 스캔 신호들을 상기 일부 금속전극층들에 전송한다.
제 2 스캔 라인들(110)은 금속전극층들(102) 중 나머지 금속전극층들에 각기 연결되고, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 2 스캔 신호들을 상기 나머지 금 속전극층들에 전송한다.
예를 들어, 제 1 스캔 라인들(108)은 금속전극층들(102) 중 홀수번째 금속전극층들에 각기 연결되고, 제 2 스캔 라인들(110)은 금속전극층들(102) 중 짝수번째 금속전극층들에 각기 연결된다.
이상에서 언급한 바와 같이, 종래의 유기 전계 발광 소자에서 스캔 라인들(108 및 110)은 도 1에 도시된 바와 같이 금속전극층들(102)의 외부 방향으로 형성된다.
일반적으로, 기판에는 복수의 유기 전계 발광 소자들이 형성된다. 이 경우, 종래의 유기 전계 발광 소자와 같이 스캔 라인들(108 및 110)이 금속전극층들(102)의 외부 방향으로 형성되면 스캔 라인들(108 및 110)이 차지하는 공간만큼 상기 기판의 여유공간이 줄어들 수 있다. 그 결과, 상기 기판에 형성될 수 있는 유기 전계 발광 소자의 수가 적어진다.
이하, 유기 전계 발광 소자의 불량 검사 과정을 휘도 검사를 예로 하여 상술하겠다.
외부 검사 장치는 복수의 제 1 핀들을 데이터 라인들(106)에 각기 접촉시켜 소정의 양의 전압을 각기 인가하고, 데이터 라인들(106)은 상기 인가된 양의 전압을 ITO층들(100)에 제공한다.
또한, 상기 검사 장치는 복수의 제 2 핀들을 스캔 라인들(108 및 110)에 각기 접촉시켜 소정의 음의 전압을 각기 인가하고, 스캔 라인들(108 및 110)은 상기 인가된 음의 전압을 금속전극층들(102)에 제공한다.
그 결과, 상기 픽셀이 발광하고, 상기 검사 장치는 발광하는 빛을 이용하여 상기 유기 전계 발광 소자의 휘도를 검사한다.
이 경우, 라인들(106, 108 및 110)은 상기 핀들이 접촉될 때 그 충격에 의해 깨질 수 있었다.
그러므로, 스캔 라인들이 차지하는 공간을 줄일 수 있고 불량 검사시 라인들을 보호할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 스캔 라인들을 인듐주석산화물층들 사이에 형성하고 스캔 라인 연결부를 상기 스캔 라인들에 형성하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 복수의 인듐주석산화물층들, 복수의 스캔 라인들, 절연층, 유기물층, 금속전극층들 및 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 기판 상에 형성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성된다. 상기 절연층은 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성된다. 상기 유기물층은 상기 발광 영역 상에 형성된다. 상기 금속전극층들은 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성된다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인들을 연결한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 스캔 라인들을 형성하는 단계; 상기 스캔 라인들을 연결시키는 스캔 라인 연결부를 상기 스캔 라인들에 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 및 스캔 라인들이 형성된 기판의 전면에 발광 영역 및 연결 영역을 제외하고 절연물질을 증착하는 단계; 상기 발광 영역에 유기물층을 증착하는 단계; 및 상기 발광 영역 및 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층과 교차하는 금속전극층들을 형성한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 ITO층들 사이에 형성되므로, 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 상기 유기 전계 발광 소자의 사이즈를 작게할 수 있다.
게다가, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 불량 검사시 라인 연결부들 및 라인 전원부들을 이용하여 소정의 전압을 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들에 인가하므로, 라인들은 외부 검사 장치의 핀들에 의해 깨지지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다. 다만, 도 2는 설명의 편의를 위하여 3(가로)×4(세로) 사이즈를 가지는 유기 전계 발광 소자를 도시하였다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 200, ITO층들), 금속전극층들(202), 데이터 라인들(206) ,스캔 라인들(208), 데이터 라인 연결부(212) 및 스캔 라인 연결부(214)를 포함한다.
ITO층들(200)과 금속전극층들(202)이 교차하는 발광 영역들(204)에 복수의 픽셀들이 형성된다. 상기 픽셀들은 각기 레드 서브 픽셀, 그린 서브 픽셀 및 블루 서브 픽셀을 포함한다.
데이터 라인들(206)은 도 2에 도시된 바와 같이 ITO층들(200)에 각기 연결되며, 집적회로칩(Integrated Chip, 미도시)으로부터 제공되는 데이터 신호들을 ITO층들(200)에 전송한다.
스캔 라인들(208)은 도 2에 도시된 바와 같이 ITO층들(200) 사이에서 금속전극층들(202)과 교차하여 형성된다. 즉, 스캔 라인들(208)은 ITO층들(200) 사이에서 ITO층들(200)과 평행하게 형성된다.
스캔 라인들(208)과 금속전극층들(202)이 교차하는 스캔 영역들 중 일부 영역(210, 이하 "연결 영역"이라 함)을 제외하고 절연물질이 증착되어 있다. 즉, 연결 영역(210)에는 스캔 라인(208)만이 존재하고, 나머지 영역에는 스캔 라인들(208) 위에 절연물질이 증착되어 있다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면 들을 참조하여 상술하겠다.
그러므로, 상기 집적회로칩으로부터 스캔 라인들(208)에 스캔 신호들이 제공되는 경우, 스캔 라인들(208)은 상기 스캔 신호들을 금속전극층들(202)에 제공한다.
데이터 라인 연결부(212)는 도전체로서 데이터 라인들(206)을 연결시키고, 스캔 라인 연결부(214)는 도전체로서 스캔 라인들(208)을 연결시킨다.
이하, 상기 유기 전계 발광 소자의 휘도 검사를 예로 하여 데이터 라인 연결부(212) 및 스캔 라인 연결부(214)의 기능을 살펴보겠다.
상기 유기 전계 발광 소자의 휘도 검사시, 외부 검사 장치는 제 1 핀을 데이터 라인들(206) 중 하나의 라인에 접촉시켜 소정의 양의 전압을 인가한다. 이 경우, 데이터 라인들(206)이 데이터 라인 연결부(212)에 의해 연결되었으므로, 접촉된 데이터 라인에 인가된 상기 양의 전압이 데이터 라인 연결부(212)를 통하여 나머지 데이터 라인들에 제공된다. 그러므로, 상기 검사 장치로부터 인가된 상기 양의 전압이 데이터 라인들(206)을 통하여 ITO층들(200)에 제공된다.
또한, 상기 검사 장치는 제 2 핀을 스캔 라인들(208) 중 하나의 라인에 접촉시켜 소정의 음의 전압을 인가한다. 그 결과, 상기 검사 장치로부터 인가된 상기 음의 전압이 스캔 라인들(208)을 통하여 금속전극층들(202)에 제공된다.
즉, 상기 검사 장치로부터 ITO층들(200)에 상기 양의 전압이 인가되고 금속전극층들(202)에 상기 음의 전압이 인가되므로, 상기 픽셀들이 발광한다.
상기 검사 장치는 상기 발광하는 빛을 통하여 상기 유기 전계 발광 소자의 휘도 불량을 검출한다.
불량 검사 후, 라인 연결부들(212 및 214)은 스크라이빙 칼날에 의해 절단된다.
위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 상기 검사 장치로부터 라인들(206 및 208)에 접촉되는 핀의 수는 2개로, 종래의 유기 전계 발광 소자에서보다 훨씬 적다. 그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 라인들(206 및 208)은 종래의 유기 전계 발광 소자의 라인보다 상기 핀들에 의해 손상을 입을 가능성이 훨씬 적어진다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 상술하겠다.
기판 위에 ITO층이 전면 증착된다.
이어서, 상기 ITO층이 전면 증착된 기판이 패터닝되어 도 2에 도시된 바와 같은 ITO층들(200)이 상기 기판 위에 형성된다.
계속하여, ITO층들(200)에 데이터 라인들(206)이 연결되고, ITO층들(208) 사이에 금속전극층들(202)과 교차하는 스캔 라인들(208)이 형성된다.
이어서, 데이터 라인 연결부(212) 및 스캔 라인 연결부(214)가 데이터 라인들(206) 및 스캔 라인들(208)에 각기 연결된다.
여기서, 데이터 라인 연결부(212) 및 스캔 라인 연결부(214)의 형성은 ITO 패터닝 과정에서 함께 형성될 수 있다.
계속하여, 데이터 라인들(206) 및 스캔 라인들(208)이 형성된 기판의 전면에 절연물질이 증착되며 발광 영역들(204) 및 연결 영역들(210)에는 절연물질이 형성 되지 않는다.
이어서, 발광 영역들(204) 위에 유기물층들이 각기 증착된다.
계속하여, 상기 증착된 유기물층을 가지는 기판 위에 상기 금속전극층들이 ITO층들(200)과 교차되도록 형성된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 종래의 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법와 달리 스캔 라인들(208)을 ITO층들(200) 사이에 형성하므로, 종래의 스캔 라인들이 형성되던 공간만큼 여유공간이 남는다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 여유공간만큼 픽셀들의 수를 늘릴 수도 있고, ITO층들(200)의 폭을 확대, 즉 발광 영역(204)의 크기를 확대할 수도 있다. 그 결과, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기 전계 발광 소자보다 휘도가 향상된다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 여유공간만큼 그의 사이즈를 줄일 수 있고, 그래서 소형화될 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, ITO층들(200) 사이에서 기판(300) 위에 스캔 라인들(208)이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 라인들(208)은 금속층이다. 예를 들어, 스캔 라인들(208)은 몰리브덴(MO)으로 이루어진다.
절연층이 ITO층들(200) 사이에 도 3에 도시된 바와 같이 형성된다. 다만, 스 캔 라인들(208) 중 하나의 스캔 라인 위에는 절연층(302)이 형성되지 않으나, 나머지 스캔 라인들 위에는 절연층(302)이 형성된다.
그 결과, 절연층(302)이 형성되지 않은 스캔 라인만이 이에 해당하는 금속전극층(202)과 연결되고, 그래서 상기 집적회로칩으로부터 전송된 스캔 신호가 절연층(302)이 형성되지 않은 스캔 라인을 통하여 이에 해당하는 금속전극층(202)에 전송된다.
이후, ITO층들(200)의 발광 영역에 유기물층들(304)이 각기 형성된다.
여기서, 유기물층들(304)은 각기 순차적으로 적층된 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다. 또는, 유기물층들(304)은 각기 순차적으로 적층된 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.
금속전극층(202)이 유기물층들(304) 및 절연층(302) 위에 형성된다.
도 4은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 스캔 라인들(208)은 기판(400) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(208a) 및 금속층(208b)을 포함한다.
금속층(208b)이 기판(400)에 약하게 결합되므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(400)과 결합력이 강한 ITO층(208a)을 기판(400) 위에 형성하고, 그런 후 ITO층(208a) 위에 금속층(208b)을 형성한다.
또한, ITO층(208a) 위에 금속층(208b)이 형성되는 경우, 스캔 라인들(208)의 저항이 줄어든다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층(208b)은 몰리브덴(MO)으로 이루어진다.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 하나의 금속전극층과 2개의 스캔 라인들이 2개의 연결 영역(510)에서 각기 연결된다.
그러므로, 상기 집적회로칩은 2개의 연결 영역(510) 중 하나의 연결 영역에 해당하는 스캔 라인을 통하여 상기 연결 영역에 해당하는 금속전극층에 스캔 신호를 제공할 수 있다.
데이터 라인 연결부(512)는 데이터 라인들(506)을 연결시키고, 스캔 라인 연결부(514)는 스캔 라인들(508)을 연결시킨다.
도 3 및 도 5를 다시 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 사이즈가 허용되는 한도내에서 하나의 금속전극층과 복수의 스캔 라인들을 연결할 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 ITO층들(600), 금속전극층들(602), 데이터 라인들(606), 스캔 라인들(608), 데이터 라인 연결부(612), 스캔 라인 연결부(614), 데이터 라인 전원부(616) 및 스캔 라인 전원부(618)를 포함한다.
데이터 라인 전원부(616) 및 스캔 라인 전원부(618)를 제외한 다른 구성 요소들은 도 2의 유기 전계 발광 소자들의 구성 요소들과 동일한 기능을 수행하므로, 이하 설명을 생략한다.
휘도 검사시, 상기 검사 장치는 제 1 핀을 데이터 라인 전원부(616)에 접촉시켜 소정의 양의 전압을 데이터 라인 전원부(616)에 인가한다.
이어서, 데이터 라인 전원부(616)는 상기 인가된 양의 전압을 데이터 라인 연결부(612) 및 데이터 라인들(606)을 통하여 ITO층들(600)에 제공한다.
또한, 상기 검사 장치는 제 2 핀을 스캔 라인 전원부(618)에 접촉시켜 소정의 음의 전압을 스캔 라인 전원부(618)에 인가한다.
계속하여, 스캔 라인 전원부(618)는 상기 인가된 음의 전압을 스캔 라인 연결부(614) 및 스캔 라인들(608)을 통하여 금속전극층들(602)에 전송한다.
요컨대, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에서, 상기 핀들은 라인들(606 및 608)들에 집적 접촉되지 않고 라인 전원부들(616 및 618)에 접촉되므로, 라인들(606 및 608)은 상기 핀들에 의해 손상을 입지 않는다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 기판은 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 동일한 크기의 기판에서 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 상기 유기 전계 발광 소자의 사이즈를 작게할 수 있는 장점이 있다.
게다가, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 불량 검사시 라인 연결부들 및 라인 전원부들을 이용하여 소정의 전압을 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들에 인가하므로, 라인들은 외부 검사 장치의 핀들에 의해 깨지지 않는 장점이 있다.
Claims (10)
- 기판 상에 형성된 복수의 인듐주석산화물층들;상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성되는 복수의 스캔 라인들;상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성되는 절연층;상기 발광 영역 상에 형성되는 유기물층;상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성되는 금속전극층들; 및상기 스캔 라인들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인 연결부는 도전체인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인 연결부에 연결되며, 불량 검사시 검사 장치로부터 인가되는 소정 전압을 상기 스캔 라인 연결부를 통하여 상기 스캔 라인들에 제공하는 스캔 라인 전원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인들을 연결하는 데이터 라인 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 6 항에 있어서, 상기 데이터 라인 연결부에 연결되며, 불량 검사시 검사 장치로부터 인가되는 소정 전압을 상기 데이터 라인 연결부를 통하여 상기 데이터 라인들에 제공하는 데이터 라인 전원부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계;상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 스캔 라인들을 형성하는 단계;상기 스캔 라인들을 연결시키는 스캔 라인 연결부를 상기 스캔 라인들에 형성하는 단계;상기 인듐주석산화물층들 및 스캔 라인들이 형성된 기판의 전면에 발광 영역 및 연결 영역을 제외하고 절연물질을 증착하는 단계;상기 발광 영역에 유기물층을 증착하는 단계; 및상기 발광 영역 및 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층과 교차하는 금속전극층들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스캔 라인 연결부의 종단에 스캔 라인 전원부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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