KR20120113543A - 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

유기발광표시장치, 이의 제조방법 및 검사방법이 제공된다. 본 발명에 따른 유기발광표시장치는, 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변영역에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판, 상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상에 형성된 제1 반도체층, 상기 투명기판의 상기 패드부 상에 형성된 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성된 투명전극을 포함하되, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 동일한 물질로 구성된다.

Description

유기발광표시장치 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기발광표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패드 영역에 형성된 압흔이 명확히 식별될 수 있는 유기발광표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
정보통신 산업이 급격히 발달됨에 따라 표시 장치의 사용이 급증하고 있으며, 최근들어 저전력, 경량, 박형, 고해상도의 조건을 만족할 수 있는 표시 장치가 요구되고 있다. 이러한 요구에 발맞추어 다수의 금속배선과 발광 소자를 갖춘 액정표시장치(Liquid Crystal Display)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)들이 개발되고 있다.
유기발광표시장치는 자체발광 특성을 갖는 차세대 표시 장치로서, 액정 표시 장치에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 우수한 특성을 가지며, 백라이트가 필요하지 않아 경량 및 박형으로 제작이 가능하다.
구동 회로 기판으로부터 소정의 구동신호가 인가되면, 구동 회로 기판과 유기 디스플레이 패널을 연결하는 패드부를 통해, 유기 디스플레이 패널의 각 화소에 신호가 전달되어 원하는 영상을 만들어낼 수 있다.
따라서, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 패드부가 정확히 접합되어 구동 신호가 정확히 전달되는 것이 중요하기 때문에, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 패드부의 접합 공정이 완료된 후 접지부와 패드부가 가압되어 패드부에 형성된 압흔의 형태로부터 접지 상태를 확인하는 공정이 수행된다.
패드부가 금속으로 구성되어 있으면 압흔이 명확히 인식될 수 있으나, 배면 발광 형태의 유기발광표시장치의 경우에는 패드부가 투명 도전성 물질 예를 들어 ITO로 구성되기 때문에, 대부분의 빛을 반사시키지 않고 투과시켜 압흔이 명확히 인식되지 않는다. 이로 인해, 접지부와 패드부의 접지 상태를 판단하기 곤란하며, 불량 접지 패널을 걸러내지 못하여 양산 결과물의 불량률이 높아질 우려가 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유기 디스플레이 패널의 도전성 패드부가 투명전극으로 형성되는 경우에도, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 투명 패드부의 접지 상태를 나타내는 압흔을 명확히 인식할 수 있도록 구성된 유기발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 투명 패드부의 접지 상태를 나타내는 압흔을 명확히 인식할 수 있도록 구성된 유기발광표시장치의 불량 여부를 검사하는 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변영역에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판, 상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상에 형성된 제1 반도체층, 상기 투명기판의 상기 패드부 상에 형성된 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성된 투명전극을 포함하되, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 동일한 물질로 구성된다
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은, 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판을 제공하는 단계, 상기 투명기판의 디스플레이부 상에 제1 반도체층을 형성하고, 패드부 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계, 상기 투명전극과 접지되는 연결부를 가지는 구동회로기판을 제공하는 단계, 상기 투명전극과 연결부 사이에 도전성 접착층을 개재하는 단계, 상기 투명전극과 연결부가 서로 밀착되도록 가압하는 단계, 상기 패드부 상에 형성된 압흔의 형상에 따라 접지상태를 판단하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 유기 디스플레이 패널의 도전성 패드부가 투명전극으로 형성되는 경우에도, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 투명 패드부의 접지 상태를 나타내는 압흔을 명확히 인식할 수 있다.
또한, 배면 발광형 유기발광표시장치에서도 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 투명 패드부의 접지 상태를 명확히 인지하여 불량품 생산을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 별도의 생산설비 추가 없이 기존의 생산설비에서 제조할 수 있기 때문에 투명 패드부의 압흔 인식을 위한 별도의 비용이 발생하지 않는다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 유기패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 유기패널과 구동회로기판의 결합구조를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 Ⅲ-Ⅲ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 5의 A영역을 확대한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 패드부의 압흔을 통한 접지 상태를 검사하는 압흔 검사 장치의 검사 구조를 나타내는 도면이다.
도 8a 및 도 8b는 투명 전극의 압흔 분포 및 형상을 설명하기 위한 비교 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 영상획득부(700)를 통해 얻은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 패드부의 압흔 분포 및 형상을 설명하기 위한 비교 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 검사방법을 나타내는 순서도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치에 대해 설명한다. 도 1a은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 유기패널(1000)을 나타내는 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 디스플레이부(200)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 디스플레이부(200) 및 상기 디스플레이부(200)의 주변영역에 형성된 패드부(300)를 포함하는 투명기판(100), 상기 투명기판(100)의 상기 디스플레이부(200) 상에 형성된 제1 반도체층(204), 상기 투명기판(100)의 상기 패드부(300) 상에 형성된 제2 반도체층(218), 상기 제1 반도체층(204) 및 상기 제2 반도체층(218) 상에 형성된 투명전극(208)을 포함하되, 상기 제1 반도체층(204) 및 제2 반도체층(218)은 동일한 물질로 구성된다.
도 1a를 참조하면, 유기패널(1000)은 투명기판(100)을 포함한다. 투명기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 투명기판(100)은 투명한 플라스틱으로 형성될 수 있다. 투명기판(100)을 형성하는 플라스틱은 절연성 유기물을 포함할 수 있다. 상기 절연성 유기물의 예로는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 수 있다. 후술하는 바와 같이 투명기판(100)의 상부에는 투명기판(100)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위해 하나 이상의 버퍼층(202)이 더 구비될 수도 있다.
투명기판(100)은 디스플레이부(200) 및 이의 주변영역에 위치하는 패드부(300)를 포함할 수 있다. 디스플레이부(200)는 투명기판(100)의 중앙부에 위치한다. 투명기판(100)의 디스플레이부(200) 상에는 화상을 표시하기 위한 다양한 디스플레이 소자 및 배선들이 배치된다. 디스플레이부(200)의 주변영역에는 구동회로기판(500)과의 접지를 위한 복수 개의 패드전극(310)을 포함하는 패드부(300)가 구비될 수 있다. 투명기판(100)의 패드부(300) 상에는 디스플레이부(200) 상의 배선들과 연결된 패드전극(310)들이 배치된다.
구동회로기판(500)으로부터 인가된 신호가 패드부(300)를 거쳐서 디스플레이부(200)의 각 화소에 전달되어 발광함으로써 원하는 영상을 구현할 수 있다.
본 실시예에서는 디스플레이부(200)의 네 방위의 주변부에 패드부(300)가 각각 구비되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 디스플레이부(200)의 네 개의 주변영역 중에 선택적으로 하나 이상에 구비될 수도 생략될 수도 있다.
도 1b를 참조하면, 투명기판(100) 상의 디스플레이부(200)에는 복수의 화소가 형성될 수 있으며, 외부로부터 입력되는 전기적 신호를 각 화소에 전달하는 패드부(300)와, 각 화소 사이를 전기적으로 연결하는 도선들 구체적으로, 복수의 데이터 라인(DL), 주사 라인(SL) 및 전원 공급 라인과 같이 디스플레이 소자를 구동하기 위한 다양한 도선들이 대응되도록 연결되어, 구동회로기판(500)으로부터 인가된 구동 신호를 각 연결된 도선을 통해 디스플레이부(200)에 전달할 수 있다.
이와 같은 복수의 패드전극(310)은 동일하거나 실질적으로 동일한 선폭(line width)으로, 소정 간격(space)을 두고 배치될 수 있다. 패드전극(310)은 전도성이 높은 금속 및/또는 광투과도가 높은 금속으로 구성될 수 있다. 구체적인 예로서, 패드전극(310)은 은(Ag)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
투명기판(100) 상에 형성된 복수의 도선은 기판의 일면 또는 양면에 형성될 수 있다. 복수의 도선은 적용되는 장치에 따라 다양한 형태의 기능을 수행하는 회로를 형성할 수 있다. 예를 들어, 유기발광표시장치(OLED)의 경우 각 도선에 의해 유기층(220)에 전계를 형성함으로써 유기층(220)이 발광하도록 할 수 있다.
후술하는 바와 같이, 위와 같은 패드부(300)에는, 드라이브 IC, 컨트롤러 IC, 점퍼 IC 등 다양한 회로 장치가 실장된 구동회로기판(500)(도 4 참조)이 결합되어, 외부로부터 입력되는 전기적 신호를 디스플레이부(200)에 구비된 유기발광소자(EL)에 전달할 수 있다.
투명기판(100) 상의 디스플레이부(200)에는 복수의 주사 라인(SL) 및 데이터 라인(DL) 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 각 화소를 정의하는 복수의 유기발광소자(EL)가 형성될 수 있다.
패시브 매트릭스(passive matrix) 방식의 경우 주사 라인(SL) 및 데이터 라인(DL) 사이에 각 유기발광소자(EL)가 매트릭스 방식으로 연결될 수 있으며, 액티브 매트릭스(active matrix) 방식의 경우 주사 라인(SL) 및 데이터 라인(DL) 사이에 각 유기발광소자(EL)가 매트릭스 방식으로 연결되되 유기발광소자(EL)의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터(T)(Thin Film Transistor; TFT) 및 신호를 유지시키기 위한 캐패시터(C)(capacitor)가 더 포함될 수다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 유기발광소자(EL)의 구체적인 구성에 대해 설명한다. 도 2는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 각 화소는 하나 이상의 박막 트랜지스터(T), 하나 이상의 캐패시터(C) 및 유기발광층(220)이 증착되는 발광부(P)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 투명기판(100) 상에 버퍼층(202), 제1 반도체층(204), 게이트 절연막(206), 게이트 전극(210), 층간절연막(212), 소스/드레인 전극(214) 및 화소정의막(216)이 순차적으로 적층되어 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 구성요소들은 투명기판(100)의 전면(whole surface) 또는 일부에만 형성되어 박막 트랜지스터(T)나 캐패시터(C)를 형성할 수 있다.
먼저, 투명기판(100)은 앞서 설명한 바와 같이, SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있으며, 투명한 플라스틱 또는 절연성 유기물을 포함할 수 있다. 화상이 기판의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없으나, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치는 설명의 편의를 위해 배면발광형 표시장치를 예로 들어 설명하나 이로 인해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
버퍼층(202)은 투명기판(100)의 상부에 형성된다. 투명기판(100)의 평활성과 불순물의 침투를 차단하기 위해 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산질화막(SiO2Nx)의 단일층 또는 이들의 다중층일 수 있다.
버퍼층(202) 상에는 제1 반도체층(204)이 형성될 수 있다. 제1 반도체층(204)은 공지의 다양한 반도체 구성 물질로 이루어진 층일 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(204)은 실리콘(Si)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제1 반도체층(204)은 비정질 실리콘(a-Si)층 또는 폴리 실리콘(p-Si)층으로 이루어질 수 있다. 그 외에도 제1 반도체층(204)은 게르마늄(Ge), 갈륨인(GaP), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄비소(AlAs) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 제1 반도체층(204)은 그 일부를 P형 또는 N형 불순물로 도핑한 형태일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 박막 트랜지스터(T)를 구성하는 제1 반도체층(204)은 반도체 특성을 나타낼 수 있도록 불순물이 부분적으로 도핑되고, 캐패시터(C)를 구성하는 제1 반도체층(204)은 전극을 구성하도록 전체가 도핑될 수 있다.
게이트 절연막(206)은 제1 반도체층(204) 상에 형성되어 제1 반도체층(204)을 커버하며, 제1 반도체층(204)과 게이트 전극(210)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(206)은 버퍼층(202)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(206)은 버퍼층(202)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 다른 재질로 형성될 수도 있다.
게이트 전극(210)은 게이트 절연막(206) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(210)은 게이트 신호를 인가하여 각 화소 별로 발광을 제어할 수 있다. 게이트 전극(210)은 알루미늄(Al), 크롬-알루미늄(Cr-Al), 몰리브덴-알루미늄(Mo-Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층일 수 있으며, 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층일 수도 있다.
본 실시예에서는 게이트 전극(210)의 하부에 투명전극(208)을 더 포함할 수 있다. 투명전극(208)은 투명 도전성 물질 예를 들어 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube) 또는 금속 나노 와이어(Metal Nano Wire)와 같은 물질로 구성될 수도 있으며, ITO 및/또는 IZO와 같은 금속산화물로 구성될 수도 있다.
예를 들어, 본 실시예에서 박막 트랜지스터(T)에는 ITO로 구성된 투명전극(208)과 그 상부에 연속적으로 적층되는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴(Mo-Al-Mo)의 3중 구조를 가지는 게이트 전극(210)이 적층될 수 있다.
투명전극(208)은 박막 트랜지스터(T) 영역뿐만 아니라, 캐패시터(C) 영역 및 발광부(P)에도 소정의 폭으로 형성될 수 있다. 게이트 전극(210) 상에는 층간절연막(212)이 형성될 수 있다. 층간절연막(212)은 게이트 전극(210)과 소스/드레인 전극(214)을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행한다. 층간절연막(212)은 버퍼층(202)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 층간절연막(212)에는 소스/드레인 전극(214)을 형성하기 위한 콘택홀이 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(214)은 층간절연막(212) 상에 형성되며, 제1 반도체층(204)과 콘택홀에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 소스/드레인 전극(214)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴텅스텐(MoW), 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 구리(Cu), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 알루미늄 합금(Al alloy), 및 구리 합금(Cu alloy) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴(Mo-Al-Mo)의 3중층 또는 티타늄-알루미늄-티타늄(Ti-Al-Ti)의 3중층으로 형성될 수도 있다.
화소정의막(216)은 소스/드레인 전극(214) 상에 형성될 수 있다. 화소정의막(216)은 투명기판(100) 전체에 형성되어 박막 트랜지스터(T) 및 캐패시터(C)를 커버한다. 화소정의막(216)은 발광부(P)의 투명전극(208)의 일부 또는 전체를 외부로 노출시켜 화소영역을 정의할 수 있다. 화소정의막(216)은 무기 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.
발광부(P)의 투명전극(208) 상에는 유기층(220)이 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 유기층(220)은 정공주입층(HIL; Hole Injecting Layer), 정공수송층(HTL; Hole Transporting Layer), 발광층(EML; Emitting Layer), 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer) 및 전자주입층(EIL; Electron Injecting Layer)이 순서대로 적층되어 형성될 수 있다.
정공주입층에서 주입된 정공(hole)과 전자주입층에서 주입된 전자(electron)가 발광층에서 결합하여 빛을 발생시키며, 전면발광형 유기발광표시장치의 경우, 발생된 빛은 도 2의 상향으로 발광되며, 상부의 캐소드 전극(222) 및 캡핑층(224)을 통과하여 외부로 향할 수 있다.
유기층(220)은 정공이 발광층에 용이하게 도달할 수 있도록 보조 정공수송층을 더 포함할 수 있으며, 정공주입층은 정공수송층과 동일한 물질로 구성될 수 있다.
캐소드 전극(222)은 유기층(220) 상부에 증착되며, 구리(Cu) 또는 은(Ag)과 같은 금속으로 구성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드 전극(222)은 유기층(220) 하부에 형성된 애노드 전극 즉, 투명전극(208)과 전계를 형성하여 유기층(220)이 발광할 수 있도록 한다.
캡핑층(224)은 캐소드 전극(222) 상에 형성되며 내부의 구성요소인 유기층(220) 및 캐소드 전극(222)을 보호한다. 특히, 캡핑층(224)는 캐소드 전극(222)을 외기로부터 보호하여 산화를 방지할 수 있다. 캡핑층(224)의 재질에는 제한이 없으며, 캡핑층(224)은 유기물로 구성될 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 구성하는 패드부(300)의 구체적인 구성에 대해 설명한다. 도 3은 도 1b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
투명기판(100)의 패드부(300) 측 구성은 앞서 도 2를 참고하여 설명한 유기발광소자(EL)의 구성과 동일하다. 즉, 투명기판(100)의 상부에 버퍼층(202)이 형성되고, 버퍼층(202)의 상부에 투명전극(208), 게이트 전극(210), 층간절연막(212), 소스/드레인 전극(214) 및 화소정의막(216)이 순차적으로 적층된 형태일 수 있다. 이와 같은 투명기판(100)의 주변영역에 형성된 패드부(300)를 구성하는 구성요소는 앞서 설명한 박막 트랜지스터(T) 및 캐패시터(C)를 구성하는 물질과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 패드부(300)의 투명전극(208)은 박막 트랜지스터(T), 캐패시터(C) 및 발광부(P)의 투명전극(208)과 동일한 물질일 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 패드부(300)는 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 접속되고, 구동회로기판(500)으로부터 인가된 구동신호를 각 화소로 전달하게 된다. 패드부(300)는 화소정의막(216)에 의해 외부로 노출되는 투명전극(208)을 포함할 수 있으며, 투명전극(208)과 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 직접 접속할 수 있다.
따라서, 투명전극(208)으로 인가된 구동신호는 도 3의 우측에 구비된 게이트 전극(210)에 의해 소스/드레인 전극(214)으로 전달되고, 앞서 설명한 주사 라인(SL) 및 데이터 라인(DL)을 따라 각 유기발광소자(EL)로 인가될 수 있다.
본 실시예에 따른 유기발광표시장치의 패드부(300)는 투명전극(208)의 하부에 제2 반도체층(218)을 더 포함할 수 있다. 제2 반도체층(218)은 소정의 광반사율을 가질 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 패드부(300)는 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 접속되고, 구동회로기판(500)으로부터 인가된 구동신호를 각 화소로 전달하게 되는데, 투명전극(208)을 포함하는 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)의 연결상태를 보다 명확히 확인할 수 있도록 불투명한 재질의 제2 반도체층(218)을 구비할 수 있다.
구체적으로 제2 반도체층(218)에서 반사된 광에 의해 투명전극(208) 및 제2 반도체층(218)에 형성된 압흔(620)을 인식할 수 있도록, 제2 반도체층(218)은 40% 이상의 광반사율을 가지는 물질로 구성될 수 있다.
제2 반도체층(218)은 박막 트랜지스터(T) 및 캐패시터(C)를 구성하는 제1 반도체층(204)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 디스플레이부(200) 즉 박막 트랜지스터(T)와 캐패시터(C)가 형성되는 영역에 증착되는 반도체층을 제1 반도체층(204)으로 정의하고, 디스플레이부(200)의 주변영역 즉 패드부(300)가 형성되는 영역에 증착되는 반도체층을 제2 반도체층(218)으로 정의할 수 있으며, 제1 및 제2 반도체층(204, 218)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 반도체층(204)은 앞서 설명한 바와 같이, 실리콘(Si)을 포함할 수 있으며, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
제2 반도체층(218)은 패드부(300)의 개구폭보다 넓게 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예와 다른 몇몇 실시예에서는 제2 반도체층(218)을 대신하여, 패드부(300)의 버퍼층(202)과 투명전극(208) 사이에 불투명하고 소정의 광반사율을 가지는 물질로 구성된 광반사층이 개재될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 광반사층에서 반사된 광에 의해 투명전극(208) 및 광반사층에 형성된 압흔(620)을 인식할 수 있도록 40% 이상의 광반사율을 가지는 물질로 구성될 수 있다. 광반사층은 반사율이 높은 금속재질로 구성될 수 있다.
구체적으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 디스플레이부(200) 및 상기 디스플레이부(200)의 주변에 형성된 패드부(300)를 포함하는 투명기판(100), 상기 투명기판(100)의 상기 디스플레이부(200) 상에 형성된 반도체층(204), 상기 투명기판(100)의 상기 패드부(200) 상에 형성된 금속재질의 광반사층, 상기 광반사층 상에 형성된 투명전극(208)을 포함할 수 있다.
투명전극(208)을 포함하는 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)의 연결상태를 확인하기 위한 압흔(620)과 관련된 설명은 상세히 후술한다.
도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 결합구조에 대해 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 유기패널(1000)과 구동회로기판(500)의 결합구조를 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4의 Ⅲ-Ⅲ' 라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 6은 도 5의 A영역을 확대한 도면이다.
도 4를 참조하면, 유기패널(1000)의 각 단부에 형성된 복수의 패드부(300)와 구동회로기판(500)이 각각 접속될 수 있다. 구동회로기판(500)이 모든 패드부(300)에 접속할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 필요에 따라 복수의 패드부(300) 가운데 일부의 패드부(300) 만이 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 선택적으로 접속될 수 있다. 또한, 도 4에는 구동회로기판(500)이 서로 독립적으로 유기패널(1000)의 패드부(300)에 결합된 모습이 도시되어 있지만, 이와 달리 구동회로기판(500)끼리 서로 연결된 상태로 패드부(300)에 결합되는 등 다양한 변형이 가능하다. 또한, 구동회로기판(500)의 형상도 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다.
후술하는 바와 같이, 도전볼(610)(conductive balls)을 포함하는 도전성 접착층(600)이 구동회로기판(500)의 연결부(510) 및/또는 유기패널(1000)의 투명기판(100)의 패드부(300)에 도포된 후, 구동회로기판(500)의 연결부(510)의 전극들은, 투명기판(100) 상의 패드부(300)의 각 패드전극(310)들에 일대일 대응되도록 정렬(align)될 수 있다.
구체적으로, 도 5를 참조하면, 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 유기패널(1000)의 투명기판(100) 상의 패드부(300)에 형성된 개구의 상부에 정렬되고 하방으로 가압되어 연결부(510)와 패드부(300)가 압착될 수 있다. 이로 인해, 앞서 설명한 바와 같이, 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 유기패널(1000)의 패드부(300) 사이에 구동신호가 전송될 수 있다.
도 5에 도시된 예에서, 화소정의막(216)에 의해 형성된 패드부(300) 상의 개구 형상과 구동회로기판(500)의 연결부(510)의 형상이 대응되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 패드부(300)의 폭에 비해 연결부(510)의 폭이 좁게 형성될 수도 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 패드부(300)의 투명전극(208)과 버퍼층(202) 사이에는 제2 반도체층(218)이 추가로 개재될 수 있으며, 이로 인해 패드부(300)의 개구 영역의 투명전극(208)이 인접 영역에 비해 높게 단차가 형성될 수 있다.
이어서, 도 6을 참조하면, 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 유기패널(1000)의 투명기판(100) 상의 패드부(300)의 접촉 단면을 확대해서 도시한다.
패드부(300)는 앞서 설명한 바와 같이, 투명기판(100) 상의 디스플레이부(200) 외측의 측단부 모서리에 형성될 수 있으며, 디스플레이부(200)의 주사 라인(SL) 또는 데이터 라인(DL)으로부터 연장된 주사 라인(SL) 또는 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 패드부(300)는 외부로부터 신호가 입력되는 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 접지될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 구동회로기판(500)의 연결부(510)에는 복수의 범프가 구비될 수 있으며, 복수의 범프는 실제로 하부의 패드부(300)와 접속되는 제1 범프(512) 및 패드부(300)와 접속되지 않는 제2 범프(514)를 포함할 수 있다.
패드부(300)의 투명전극(208)의 상부에는 제1 범프(512)와 대응되어 상기 제1 범프(512)와 접속되는 복수의 제1 리드 본딩 패드(208b) 및 제2 범프(514)와 대응되며 상기 제2 범프(514)와 접속되지 않는 복수의 제2 리드 본딩 패드(208a)를 포함할 수 있다.
이와 같이 제1 범프(512)와 제1 리드 본딩 패드(208b)가 연결됨으로써, 구동회로기판(500)이 주사 라인(SL) 또는 데이터 라인(DL)을 통해 유기발광소자(EL)와 연결될 수 있다. 복수의 범프 및 리드 본딩 패드는 서로 대응되도록 일렬로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 범프(514)는 도전성 금속 물질 예를 들어 금(Au)과 같은 도전물로 구성될 수 있으며, 제1 및 제2 리드 본딩 패드(208a)는 하부의 투명전극(208)과 동일한 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6에서는 투명전극(208)의 상부에 복수의 리드 본딩 패드가 구성되는 것을 도시하였으나, 버퍼층(202) 상부에 제2 반도체층(218)이 형성되고 그 상부에 투명전극(208)이 패터닝 되어 투명전극(208) 자체가 복수의 리드 본딩 패드를 이루도록 구성될 수도 있다.
또한, 복수의 리드 본딩 패드가 하부의 투명전극(208)과 다른 투명 도전성 물질로 구성될 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서는 투명전극(208)과 버퍼층(202) 사이에 제2 반도체층(218)이 개재되지 않고, 각 리드 본딩 패드의 첨단부에 불투명 도전물이 증착되어 배면에서 패드부(300)의 압흔(620)을 용이하게 확인할 수 있도록 구성될 수도 있다. 불투명 도전물로는 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 금(Au)으로 이루어지는 군에서 선택된 하나를 사용할 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 패드부(300)와 연결부(510) 사이 구체적으로 패드부에는 도전볼(610)을 포함하는 도전성 접착층(600) 예를 들어, 이방성 도전 필름(ACF)이 형성될 수 있다. 도전성 접착층(600)이 개재된 상태에서, 열압착 등의 공정으로 구동회로기판(500)의 연결부(510)에 구비된 범프를 하방으로 압착하면 도전볼(610)에 의해 구동회로기판(500)의 연결부(510)에 구비된 범프가 리드 본딩 패드에 각각 전기적으로 접속될 수 있다.
이와 같이, 유기패널(1000)의 패드부(300)는 도전성 접착층(600)을 통하여, 컨트롤러 IC, 드라이버 IC 등이 구비된 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 접속하여, 구동회로기판(500)의 신호를 유기발광소자(EL)에 전달할 수 있다.
이어서, 도 7 내지 도 9b를 참조하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 패드부(300) 접지 상태를 확인하기 위한 영상획득부(700) 및 압흔(620) 분포에 대해 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 패드부(300)의 압흔(620)을 통한 접지 상태를 검사하는 압흔(620) 검사 장치의 검사 구조를 나타내는 도면이고, 도 8a 및 도 8b는 투명 전극의 압흔(620) 분포 및 형상을 설명하기 위한 비교 도면이고, 도 9a 및 도 9b는 영상획득부(700)를 통해 얻은 패드부(300)의 압흔(620) 분포 및 형상을 설명하기 위한 비교 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 패드부(300)와 연결부(510)의 압착이 이루어지면 투명기판(100)의 배면에서 제1 및 제2 범프(514)와 제1 및 제2 리드 본딩 패드(208a)가 도전볼(610)에 의해 정확히 전기적으로 연결되었는지를 검사할 수 있다.
투명기판(100)의 배면에서 영상획득부(700)가 패드부(300) 및 연결부(510)로 광을 조사하고, 패드부(300) 및 연결부(510)에 의해 반사된 광은 다시 영상획득부(700)로 반사되고, 영상획득부(700)는 반사된 광을 이용하여 패드부(300)의 압흔(620) 형태 및 분포에 관한 영상을 출력할 수 있다. 투명전극(208)의 하부에 구비된 제2 반도체층(218)의 반사율에 따라 패드부(300)로부터 얻어지는 압흔(620) 영상이 상이할 수 있다.
연결부(510)의 범프가 패드부(300) 측으로 압착되면서 도전볼(610)에 의해 패드부(300)에는 압흔(620)이 형성될 수 있다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 패드부(300)의 배면에는 도전볼(610)이 패드부(300)에 압착되어 형성되는 압흔(620)이 나타날 수 있다. 이와 같은 압흔(620)이 고르게 다수 분포되고 압흔(620)에 의해 돌출되는 깊이 또는 높이가 소정의 범위 내에 포함되는 경우 유기패널(1000)의 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 정확히 접지된 것으로 판단될 수 있다.
반면, 도 8b에 도시된 바와 같이, 패드부(300)의 배면에 형성되는 압흔(620')의 분포에 따른 밀도가 낮고 압흔(620')에 의해 돌출되는 깊이 또는 높이가 소정의 범위를 벗어나서 압흔(620')이 형성되지 않거나 압흔(620')의 돌출 정도가 큰 경우에는 유기패널(1000)의 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 과압착되거나 미압착된 것이므로 접지 불량으로 판단될 수 있다.
이와 같이 투명전극(208)에는 도전볼(610)에 의한 압흔(620)이 형성될 수 있는데, 패드부(300)의 투명전극(208) 하부에 제2 반도체층(218)이 없는 경우에는, 투명전극(208)에 압흔(620)으로 인한 요철이 형성되었음에도 불구하고 투명전극(208)의 투과도는 90% 이상이기 때문에 대부분의 빛을 투과시켜서, 도 9a에 도시된 바와 같이 압흔(620) 형상이 관찰될 수 없다.
반면, 본 실시예에 따른 패드부(300)는 투명전극(208)의 하부에 제2 반도체층(218)을 구비하기 때문에, 영상획득부(700)를 통해 획득한 투명전극(208)에 형성된 압흔(620) 영상이 도 9b에 도시된 바와 같이, 명확히 관찰될 수 있다.
구체적으로, 패드부(300)의 투명전극(208)과 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 서로 가까워지는 방향으로 밀착되도록 가압되어 패드부(300) 상의 투명전극(208)의 하부에 도전볼(610)에 의한 압흔이 형성되는데, 상부의 투명전극(208)에 형성된 압흔(620)으로 인해 소정의 광반사율을 가지는 제2 반도체층(218)도 변형되기 때문에, 제2 반도체층(218)의 압흔(620)으로 인해 변형되어 형성된 요철이 위치하는 지점에서의 빛이 난반사되어, 도 9b에 도시된 바와 같이 영상획득부(700)에 압흔(620)이 명확히 인식될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 제2 반도체층(218)은 앞서 설명한 바와 같이, 실리콘(Si)을 포함할 수 있으며, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘을 포함할 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에서는 제2 반도체층(218) 대신에 제2 반도체층(218)의 위치에 압흔(620)을 인식할 수 있는 40% 이상의 반사율을 가지는 금속 또는 금속산화물로 구성된 광반사층이 개재될 수 있다.
광반사층이 개재된 경우에도 투명전극(208)에 형성된 압흔(620)으로 인해 상기 광반사층도 함께 변형되어 요철이 형성되므로, 영상획득부(700)를 통해 압흔(620)이 명확히 인식될 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 압흔 검사방법에 대해 설명한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 압흔 검사방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 압흔 검사방법은, 구동회로기판의 제1 연결부와 유기패널의 제2 연결부를 서로 가까워지는 방향으로 가압하는 단계(S11)와, 상기 제2 연결부 상에 형성된 압흔을 확인하는 단계(S12)와, 상기 압흔의 크기 및 개수가 소정의 범위 이상인지 판단하는 단계(S13)와, 상기 압흔이 상기 소정의 범위 이상일 경우 양품으로 판단하고 잔류 공정을 수행하는 단계(S14)를 포함하되, 상기 제2 연결부는 투명전극 및 상기 투명전극의 하부에 형성된 제2 반도체층을 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 투명기판(100)의 패드부(300)에 도전성 접착층(600)을 개재하고 양측 또는 일측을 서로 가까워지는 방향으로 가압하면(S11), 유기패널(1000)의 패드부(300)에 도전볼(610)에 의한 압흔(620)이 형성될 수 있다.
이와 같이 형성된 압흔(620)은 연결부(510)와 패드부(300)의 투명전극(208) 사이의 접지 상태를 판단하는 기준이 되며, 패드부(300)에 형성된 압흔(620)이 고르게 다수 분포되고 압흔(620)에 의해 돌출되는 깊이 또는 높이가 소정의 범위 내에 포함되는 경우 유기패널(1000)의 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 정확히 접지된 것으로 판단될 수 있는 반면, 압흔(620)의 밀도가 낮고 압흔(620)에 의해 돌출되는 깊이 또는 높이가 소정의 범위를 벗어나서 압흔(620)이 형성되지 않거나 압흔(620)의 돌출 정도가 큰 경우에는 유기패널(1000)의 패드부(300)와 구동회로기판(500)의 연결부(510)가 과압착되거나 미압착된 것이므로 접지 불량으로 판단될 수 있다.
이때, 패드부(300)의 투명전극(208) 하부에는 제2 반도체층(218)이 구비됨으로써 영상획득부(700)를 통해 압흔 영상을 획득하기 어려운 투명전극(208)을 보완하여 압흔 인식률을 높일 수 있다.
이와 같이, 배면 발광형 표시장치에서 유기패널(1000)의 패드부(300)가 투명전극(208)으로 형성되는 경우에도, 구동 회로 기판의 접지부와 유기 디스플레이 패널의 투명 패드부(300)의 접지 상태를 나타내는 압흔(620)을 명확히 인식할 수 있다. 이로 인해, 구동회로기판(500)의 연결부(510)와 유기패널(1000)의 패드부(300)의 접지 상태를 명확히 인지하여 불량품 생산을 미연에 방지할 수 있다.
특히, 제2 반도체층(218)이 제1 반도체층(204)과 동일한 물질로 형성될 경우, 별도의 생산설비 추가 없이 기존의 생산설비에서 제조할 수 있기 때문에 패드부(300)의 압흔(620) 인식을 위한 비용을 절감할 수 있다.
이하, 도 11 및 12를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판을 제공하는 단계, 상기 투명기판의 디스플레이부 상에 제1 반도체층을 형성하고, 패드부 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계, 상기 투명전극과 접지되는 연결부를 가지는 구동회로기판을 제공하는 단계, 상기 투명전극과 연결부 사이에 도전성 접착층을 개재하는 단계, 상기 투명전극과 연결부가 서로 밀착되도록 가압하는 단계, 상기 패드부 상에 형성된 압흔의 형상에 따라 접지상태를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 투명기판을 제공한다(S21). 투명기판은 앞서 설명한 바와 같이 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 투명기판은 투명한 플라스틱으로 형성될 수 있다. 투명기판을 형성하는 플라스틱은 절연성 유기물을 포함할 수 있다.
투명기판 상에는 복수의 데이터 라인 및 주사 라인에 의해 정의되는 복수의 화소가 형성되는 디스플레이부와 디스플레이부의 주변영역에 형성되어 상기 복수의 데이터 라인 및 주사 라인에 외부 신호를 인가하는 패드부가 형성될 수 있다.
투명기판의 디스플레이부 상에 제1 반도체층을 형성하고, 패드부 상에 제2 반도체층을 형성한다(S22). 투명기판의 디스플레이부에는 복수의 박막 트랜지스터 및 캐패시터가 형성되며, 이들 박막 트랜지스터 및 캐패시터는 선택적인 신호를 인가할 수 있는 스위칭 소자를 구성하는 제1 반도체층을 포함할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 반도체층은 공지의 반도체를 구성하는 물질을 포함하여 이루어진 층일 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층은 실리콘(Si)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 구체적으로, 제1 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si)층 또는 폴리 실리콘(p-Si)층으로 이루어질 수 있다. 그 외에도 제1 반도체층은 게르마늄(Ge), 갈륨인(GaP), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄비소(AlAs) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아님은 앞서 살펴본 바와 같다.
한편, 이와 동시에 패드부에는 제2 반도체층이 형성될 수 있다. 제2 반도체층을 구성함에 있어서 별도의 물질을 사용하지 않고, 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 구성하는 제1 반도체층을 구성하기 위해 투명기판 전체에 증착한 물질을 패드부에도 제2 반도체층 형태로 잔류시켜서 광반사층을 구성할 수도 있다(S32).
구체적으로, 각 화소에 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 구성할 때 제1 반도체층을 구성하는 물질이 투명기판 전체면에 증착되고, 이를 식각하여 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터 및 캐패시터의 소정의 위치에만 반도체층을 잔류시켜 제1 반도체층을 형성하게 되는데, 디스플레이부의 주변영역에 증착된 반도체층을 모두 식각하지 않고, 패드부에도 구동회로기판과 접지되는 부분에 제2 반도체층을 잔류시켜 압흔 인식률을 높일 수 있다.
이와 같은 제2 반도체층은 디스플레이부의 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 구성하는 제1 반도체층과 마찬가지로 불투명한 재질로써, 앞서 설명한 40% 이상의 광반사율을 나타낼 수 있다.
몇몇 실시예에서는, 제2 반도체층 대신에 별도의 광반사층을 형성하기 위해 기존의 공정에 추가로 금속물질을 패드부의 버퍼층과 투명전극 사이에 개재할 수도 있다.
이와 같은, 제1 반도체층 및 제2 반도체층 상에 투명전극과 게이트 전극을 형성할 수 있다(S23). 투명전극은 투명 도전성 물질 예를 들어 ITO 및/또는 IZO와 같은 금속산화물 또는 탄소나노튜브(CNT)일 수 있다. 투명전극을 이루는 물질은 기판 전면에 증착될 수 있으며, 박막 트랜지스터, 캐패시터, 발광부 및 패드부에 동시에 증착 및 패터닝되어 투명전극을 형성할 수 있다.
게이트 전극은 앞서 설명한 바와 같이, 몰리브덴, 티타늄 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있으며, 다중층으로 형성될 수 있다.
이어서, 층간절연막이 제공되고 컨택홀이 형성된 후 상기 컨택홀에 소스/드레인 전극이 형성될 수 있다(S24). 소스/드레인 전극은 디스플레이부(200)의 제1 반도체층과 연결될 수 있으며, 게이트 전극의 구동에 의해 신호가 인가되어 발광부의 투명전극 상부에 증착되는 유기층이 발광되도록 한다. 소스/드레인 전극은 몰리브덴, 티타늄 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
이어서, 화소정의막을 제공하고 각 화소의 개구영역 및 패드부를 개방하여 외부로 투명전극이 노출되도록 한다(S25). 화소정의막은 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물로 구성될 수 있다.
이와 같이 제조된 유기패널은 패드부의 투명전극 하부에 제2 반도체층이 형성되어 패드부의 접지 상태를 검사할 때 압흔 인식을 명확히 할 수 있다.
이어서 이와 같이 제조된 유기패널의 패드부에 도전볼이 포함된 도전성 접착층을 개재하고(S34), 상기 구동회로기판과 상기 패드부를 서로 가까워지는 방향으로 가압하여(S35), 구동회로기판과 유기패널을 접지시킨다.
도전볼에 의해 패드부에 형성된 압흔의 형상에 따라 구동회로기판과 유기패널의 접지상태를 판단하여 불량 여부를 결정할 수 있다.
패드부에 형성된 불투명한 제2 반도체층은 도전볼에 의해 투명전극에 형성된 압흔으로 인해 해당 위치에서 형상이 부분적으로 변형될 수 있으며, 이로 인해 패드부에 투명전극이 구비된 경우에도 별도의 장비 추가나 공정 추가 없이 압흔을 명확하게 인식할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 투명기판
200: 디스플레이부
300: 패드부
310: 패드전극
500: 구동회로기판
510: 연결부
600: 도전성 접착층
610: 도전볼
620, 620': 압흔
700: 영상획득부
1000: 유기패널

Claims (20)

  1. 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변영역에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판;
    상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상에 형성된 제1 반도체층;
    상기 투명기판의 상기 패드부 상에 형성된 제2 반도체층;
    상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 형성된 투명전극을 포함하되,
    상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 동일한 물질로 구성되는 유기발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 디스플레이부 및 패드부 상에 형성되어 상기 디스플레이부와 패드부를 정의하되 상기 패드부의 투명전극을 외부로 노출시키는 화소정의막을 더 포함하는 유기발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    일면에 복수의 회로배선이 형성되고 일측에 상기 패드부 상의 투명전극과 접촉 가능한 연결부가 형성되어 상기 투명전극으로 구동신호를 인가하는 구동회로기판을 더 포함하는 유기발광표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투명전극과 연결부의 사이에는 복수의 도전볼을 포함하는 도전성 접착층이 개재되는 유기발광표시장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 투명전극과 연결부가 서로 가까워지는 방향으로 가압되어 상기 패드부 상의 투명전극의 하부에 압흔이 형성되는 유기발광표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 패드부 상에 형성된 상기 제2 반도체층은 상기 압흔으로 인해 형성된 요철을 포함하는 유기발광표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반도체층은 폴리실리콘을 포함하는 유기발광표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반도체층은 광반사율이 40% 이상인 유기발광표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상에 상기 제1 반도체층과 연결되도록 형성된 소스/드레인 전극을 더 포함하되,
    상기 소스/드레인 전극은 몰리브덴, 티타늄 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하는 유기발광표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상의 상기 투명전극 상에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하되,
    상기 게이트 전극은 몰리브덴, 티타늄 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하는 유기발광표시장치.
  11. 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판;
    상기 투명기판의 상기 디스플레이부 상에 형성된 반도체층;
    상기 투명기판의 상기 패드부 상에 형성된 금속재질의 광반사층;
    상기 광반사층 상에 형성된 투명전극을 포함하는 유기발광표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 광반사층은 광반사율이 40% 이상인 유기발광표시장치.
  13. 제11항에 있어서,
    일면에 복수의 회로배선이 형성되고 일측에 상기 패드부 상의 투명전극과 접촉 가능한 연결부가 형성되어 상기 투명전극으로 구동신호를 인가하는 구동회로기판을 더 포함하는 유기발광표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 투명전극과 연결부의 사이에는 복수의 도전볼을 포함하는 도전성 접착층이 개재되고,
    상기 투명전극과 연결부가 서로 가까워지는 방향으로 가압되어 상기 패드부 상의 투명전극의 하부에 압흔이 형성되는 유기발광표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 패드부 상에 형성된 상기 광반사층은 상기 압흔으로 인해 형성된 요철을 포함하는 유기발광표시장치.
  16. 디스플레이부 및 상기 디스플레이부의 주변에 형성된 패드부를 포함하는 투명기판을 제공하는 단계;
    상기 투명기판의 디스플레이부 상에 제1 반도체층을 형성하고, 패드부 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제2 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;
    상기 투명전극과 접지되는 연결부를 가지는 구동회로기판을 제공하는 단계;
    상기 투명전극과 연결부 사이에 도전성 접착층을 개재하는 단계;
    상기 투명전극과 연결부가 서로 밀착되도록 가압하는 단계;
    상기 패드부 상에 형성된 압흔의 형상에 따라 접지상태를 판단하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 복수의 도전볼을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 가압하는 단계는,
    상기 투명전극의 하부에 위치하는 제2 반도체층에 상기 압흔으로 인한 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 접지상태를 판단하는 단계는,
    상기 제2 반도체층의 요철 형상을 기초로 상기 투명전극과 연결부의 접지상태를 판단하는 유기발광표시장치의 제조방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 반도체층을 형성하는 단계는,
    상기 투명기판 전면에 반도체 물질을 증착하는 단계;
    상기 디스플레이부에 증착된 반도체 물질을 패터닝하여 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 구성하는 제1 반도체층을 구성하는 단계; 및
    상기 패드부에 증착된 반도체 물질을 패터닝하여 상기 제2 반도체층을 구성하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5639720B2 (ja) * 2011-12-16 2014-12-10 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス照明デバイス及びその製造方法
CN103681488A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法,显示装置
KR102237135B1 (ko) * 2014-07-14 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN110838511A (zh) * 2019-11-25 2020-02-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及其形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100652301B1 (ko) 2005-03-30 2006-11-30 엘에스전선 주식회사 압흔 식별이 용이한 테이프 캐리어 패키지
KR20080028042A (ko) * 2006-09-26 2008-03-31 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20090048524A (ko) 2007-11-02 2009-05-14 서울엔지니어링(주) Lcd 패널 검사 시스템의 압흔 검사방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11107869B2 (en) 2018-07-02 2021-08-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device

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