KR100601338B1 - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100601338B1
KR100601338B1 KR1020040114289A KR20040114289A KR100601338B1 KR 100601338 B1 KR100601338 B1 KR 100601338B1 KR 1020040114289 A KR1020040114289 A KR 1020040114289A KR 20040114289 A KR20040114289 A KR 20040114289A KR 100601338 B1 KR100601338 B1 KR 100601338B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tin oxide
indium tin
scan lines
layer
oxide layers
Prior art date
Application number
KR1020040114289A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060075489A (ko
Inventor
김학수
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040114289A priority Critical patent/KR100601338B1/ko
Priority to JP2005077675A priority patent/JP5136734B2/ja
Priority to EP05005957A priority patent/EP1677358A3/en
Priority to US11/092,582 priority patent/US7518307B2/en
Priority to CNB2005100626976A priority patent/CN100482018C/zh
Publication of KR20060075489A publication Critical patent/KR20060075489A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100601338B1 publication Critical patent/KR100601338B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 인듐주석산화물층들 사이에서 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 형성되는 스캔 라인들을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 복수의 인듐주석산화물층들, 복수의 스캔 라인들, 절연층, 유기물층 및 금속전극층들을 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 기판 상에 형성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성된다. 상기 절연층은 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성된다. 상기 유기물층은 상기 발광 영역 상에 형성된다. 상기 금속전극층들은 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성된다. 상기 유기 전계 발광 소자는 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 동일한 크기의 기판에서 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
유기 전계 발광 소자, 스캔 라인, ITO층

Description

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인듐주석산화물층들 사이에서 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 형성되는 스캔 라인들을 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관 한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정 전압이 인가되는 경우 소정 파장을 가지는 빛을 발생시킨다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 100, ITO층들), 금속전극층들(102), 데이터 라인들(106), 제 1 스캔 라인들(108) 및 제 2 스캔 라인들(110)을 포함한다.
ITO층들(100)과 금속전극층들(102)이 교차하는 발광 영역(104)에는 복수의 서브 픽셀들이 형성된다.
데이터 라인들(106)은 ITO층들(100)에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송된 데이터 신호들을 수신하고, 상기 수신된 데이터 신호들을 ITO층들(100)에 전송한다.
제 1 스캔 라인들(108)은 금속전극층들(102) 중 일부 금속전극층들에 각기 연결되고, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 1 스캔 신호들을 상기 일부 금속전극층들에 전송한다.
제 2 스캔 라인들(110)은 금속전극층들(102) 중 나머지 금속전극층들에 각기 연결되고, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 2 스캔 신호들을 상기 나머지 금속전극층들에 전송한다.
예를 들어, 제 1 스캔 라인들(108)은 금속전극층들(102) 중 홀수번째 금속전 극층들에 각기 연결되고, 제 2 스캔 라인들(110)은 금속전극층들(102) 중 짝수번째 금속전극층들에 각기 연결된다.
이상에서 언급한 바와 같이, 종래의 유기 전계 발광 소자에서 스캔 라인들(108 및 110)은 도 1에 도시된 바와 같이 금속전극층들(102)의 외부 방향으로 형성된다.
일반적으로, 기판에는 복수의 유기 전계 발광 소자들이 형성된다. 이 경우, 종래의 유기 전계 발광 소자와 같이 스캔 라인들(108 및 110)이 금속전극층들(102)의 외부 방향으로 형성되면 스캔 라인들(108 및 110)이 차지하는 공간만큼 상기 기판의 여유공간이 줄어들 수 있다. 그 결과, 상기 기판에 형성될 수 있는 유기 전계 발광 소자의 수가 적어진다.
그러므로, 스캔 라인들이 차지하는 공간을 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법이 요구된다.
본 발명의 목적은 스캔 라인들을 인듐주석산화물층들 사이에 형성하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 복수의 인듐주석산화물층들, 복수의 스캔 라인들, 절연층, 유기물층 및 금속전극층들을 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 기판 상에 형성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이 에 각기 형성된다. 상기 절연층은 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성된다. 상기 유기물층은 상기 발광 영역 상에 형성된다. 상기 금속전극층들은 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 스캔 라인들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 및 스캔 라인들이 형성된 기판의 전면에 발광 영역 및 연결 영역을 제외하고 절연물질을 증착하는 단계; 상기 발광 영역에 유기물층을 증착하는 단계; 및 상기 발광 영역 및 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층과 교차하는 금속전극층들을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 ITO층들 사이에 형성되므로, 동일한 크기의 기판에서 휘도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 ITO층들 사이에 형성되므로, 상기 유기 전계 발광 소자의 사이즈를 작게할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다. 다만, 도 2는 설명의 편의를 위하여 3(가로)×4(세로) 사이즈를 가지는 유기 전계 발광 소자를 도시하였다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films: 200, ITO층들), 금속전극층들(202), 데이터 라인들(206) 및 스캔 라인들(208)을 포함한다.
ITO층들(200)과 금속전극층들(202)이 교차하는 발광 영역들(204)에 복수의 서브 픽셀들이 형성된다. 상세하게는, 제 1 ITO층의 발광 영역에는 레드 서브 픽셀이 형성되고, 제 2 ITO층의 발광 영역에는 그린 서브 픽셀이 형성되며, 제 2 ITO층의 발광 영역에는 블루 서브 픽셀이 형성된다. 여기서, 상기 3개의 서브 픽셀들이 하나의 픽셀을 구성하며, 이와 같은 방식으로 픽셀들이 ITO층들(200)의 발광 영역들(204)에 순차적으로 형성된다.
데이터 라인들(206)은 도 2에 도시된 바와 같이 ITO층들(200)에 각기 연결되며, 집적회로칩(Integrated Chip, 미도시)으로부터 제공되는 데이터 신호들을 ITO층들(200)에 전송한다.
스캔 라인들(208)은 도 2에 도시된 바와 같이 ITO층들(200) 사이에서 금속전극층들(202)과 교차하여 형성된다. 즉, 스캔 라인들(208)은 ITO층들(200) 사이에서 ITO층들(200)과 평행하게 형성된다.
스캔 라인들(208) 위에는 스캔 라인들(208)과 금속전극층들(202)이 교차하는 스캔 영역들 중 일부 영역(210, 이하 "연결 영역"이라 함)을 제외하고 절연물질이 증착되어 있다. 즉, 연결 영역(210)에는 스캔 라인(208)만이 존재하고, 나머지 영 역에는 스캔 라인(208) 위에 절연물질이 증착되어 있다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면들을 참조하여 상술하겠다.
그러므로, 상기 집적회로칩으로부터 스캔 라인들(208)에 스캔 신호들이 제공되는 경우, 스캔 라인들(208)은 상기 스캔 신호들을 연결 영역(210)을 통하여 금속전극층들(202)에 제공한다.
요컨대, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자와 달리 스캔 라인들(208)이 ITO층들(200) 사이에 형성되므로, 종래의 스캔 라인들이 형성되었던 공간만큼의 여유공간이 남는다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 여유공간만큼 픽셀들의 수를 늘릴 수도 있고, ITO층들(200)의 폭을 확대, 즉 발광 영역(204)의 크기를 확대할 수도 있다. 그 결과, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자보다 휘도가 향상된다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 상기 여유공간만큼 그의 사이즈를 줄일 수 있고, 그래서 소형화될 수 있다.
이하, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 상술하겠다.
기판 위에 ITO층이 전면 증착된다.
이어서, 상기 ITO층이 전면 증착된 기판이 패터닝되어 도 2에 도시된 바와 같은 ITO층들(200)이 상기 기판 위에 형성된다.
계속하여, ITO층들(200)에 데이터 라인들(206)이 연결되고, ITO층들(200) 사이에 금속전극층들(202)과 교차하는 스캔 라인들(208)이 형성된다.
이어서, ITO층들(200), 데이터 라인들(206) 및 스캔 라인들(208)이 형성된 기판의 전면에 절연물질이 증착되며, 액티브 영역들(204) 및 연결 영역들(210)에는 절연물질이 형성되지 않는다.
계속하여, 상기 절연물질이 증착된 기판이 패터닝되어 증착된 절연물질이 제거된다.
이어서, 상기 발광 영역들(204) 위에 유기물층들이 각기 증착된다.
계속하여, 상기 증착된 유기물층을 가지는 기판 위에 상기 금속전극층들이 ITO층들(200)과 교차되도록 형성된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, ITO층들(200) 사이에서 기판(300) 위에 스캔 라인들(208)이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 라인들(208)은 금속층이다. 예를 들어, 스캔 라인들(208)은 몰리브덴(MO)으로 이루어진다.
절연층이 ITO층들(200) 사이에 도 3에 도시된 바와 같이 형성된다. 다만, 스캔 라인들(208) 중 하나의 스캔 라인 위에는 상기 절연층이 형성되지 않으나, 나머지 스캔 라인들 위에는 상기 절연층이 형성된다.
그 결과, 상기 절연층이 형성되지 않은 스캔 라인만이 이에 해당하는 금속전극층(202)과 연결되고, 그래서 상기 집적회로칩으로부터 전송된 스캔 신호가 상기 절연층이 형성되지 않은 스캔 라인을 통하여 이에 해당하는 금속전극층(202)에 전송된다.
이후, ITO층들(200)의 발광 영역에 유기물층들(304)이 각기 형성된다.
여기서, 유기물층들(304)은 각기 순차적으로 적층된 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다. 또는, 유기물층들(304)은 각기 순차적으로 적층된 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.
금속전극층(202)은 유기물층들(304) 및 절연층(302) 위에 형성된다.
도 4은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 스캔 라인들(208)은 기판(400) 위에 순차적으로 적층된 ITO층(208a) 및 금속층(208b)을 포함한다.
금속층(208b)이 기판(400)에 약하게 결합되므로, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(400)과 결합력이 강한 ITO층(208a)을 기판(400) 위에 형성하고, 그런 후 ITO층(208a) 위에 금속층(208b)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층(208b)은 몰리브덴(MO)으로 이루어진다.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 하나의 금속전극층과 2개의 스캔 라인들이 2개의 연결 영역(510)에서 각기 연결된다.
그러므로, 상기 집적회로칩은 2개의 연결 영역(510) 중 하나의 연결 영역에 해당하는 스캔 라인을 통하여 상기 연결 영역에 해당하는 금속전극층에 스캔 신호를 제공할 수 있다.
도 3 및 도 5를 다시 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 사이즈가 허용되는 한도내에서 하나의 금속전극층과 복수의 스캔 라인들을 연결할 수 있다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 동일한 크기의 기판에서 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 상기 유기 전계 발광 소자의 사이즈를 작게할 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 형성된 복수의 인듐주석산화물층들;
    상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성되는 복수의 스캔 라인들;
    상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성되는 절연층;
    상기 발광 영역 상에 형성되는 유기물층; 및
    상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성되는 금속전극층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 연결 영역은 상기 스캔 라인들에 각기 하나씩 형성되며, 각기 하나의 금속전극층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 인듐주석산화물층들을 형성하는 단계;
    상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 스캔 라인들을 형성하는 단계;
    상기 인듐주석산화물층들 및 스캔 라인들이 형성된 기판의 전면에 발광 영역 및 연결 영역을 제외하고 절연물질을 증착하는 단계;
    상기 발광 영역에 유기물층을 증착하는 단계; 및
    상기 발광 영역 및 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층과 교차하는 금속전극층들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 스캔 라인들을 형성하는 단계는,
    상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행한 인듐주석산화물층을 형성하는 단계; 및
    상기 인듐주석산화물층들 사이에 형성된 인듐주석산화물층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 연결 영역은 상기 스캔 라인들에 각기 하나씩 형성되며, 각기 하나의 금속전극층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
KR1020040114289A 2004-12-28 2004-12-28 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 KR100601338B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114289A KR100601338B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
JP2005077675A JP5136734B2 (ja) 2004-12-28 2005-03-17 有機電界発光素子及びその製造方法
EP05005957A EP1677358A3 (en) 2004-12-28 2005-03-18 Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same
US11/092,582 US7518307B2 (en) 2004-12-28 2005-03-29 Organic electroluminescent device
CNB2005100626976A CN100482018C (zh) 2004-12-28 2005-04-05 有机电致发光设备及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040114289A KR100601338B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060075489A KR20060075489A (ko) 2006-07-04
KR100601338B1 true KR100601338B1 (ko) 2006-07-18

Family

ID=36819122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040114289A KR100601338B1 (ko) 2004-12-28 2004-12-28 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100601338B1 (ko)
CN (1) CN100482018C (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI576799B (zh) * 2016-03-22 2017-04-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN1798460A (zh) 2006-07-05
KR20060075489A (ko) 2006-07-04
CN100482018C (zh) 2009-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9293515B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US8344619B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP6560847B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示装置
US20170110524A1 (en) Display device with separation member including steps
US7576354B2 (en) Organic light emitting diode display and method of fabricating the same
KR20180004384A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9147862B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display device
JP2022539621A (ja) ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置
CN112470294A (zh) 发光装置、其制造方法以及设置有其的显示装置
US10908648B2 (en) Foldable display apparatus and method of manufacturing the same
US7221094B2 (en) Electroluminescent device and method of manufacturing the same
KR100601338B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
US7518307B2 (en) Organic electroluminescent device
US20220115364A1 (en) Display device and method of fabricating the same
KR100686075B1 (ko) 톱 에미션 방식의 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 디스플레이 소자 및 그의 제조방법
KR20220089825A (ko) 표시 장치
KR20220042888A (ko) 표시 장치
KR100612129B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
KR100612120B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
US20230145007A1 (en) Display device
KR100696450B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
US20230230967A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20220254970A1 (en) Display device
US20230240117A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR100598716B1 (ko) 듀얼 패널

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140624

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150624

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160624

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170623

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 14